JP2001115266A - プラズマプロセス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応ガス導入孔からシャワープレートに形成
されたそれぞれのガス供給孔までのコンダクタンスを容
易に変更することが可能なプラズマプロセス装置を提供
する。 【解決手段】 プラズマを用いた処理を行なう処理室１
６と、処理室１６に面して配置され、処理室１６内でプ
ラズマ状態にされる反応ガスを処理室１６に供給するた
めの第１および第２のガス導入孔１８ａ〜１８ｆを有す
るシャワープレート５ａと、第１のガス導入孔１８ａ〜
１８ｃと接続され、第１のガス導入孔１８ａ〜１８ｃに
反応ガスを供給する第１の反応ガス供給路１５ａと、第
２のガス導入孔１８ｄ〜１８ｆと接続され、第２のガス
導入孔１８ｄ〜１８ｆに反応ガスを供給する第２の反応
ガス供給路１５ｂとを備える、プラズマプロセス装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマプロセ
ス装置に関し、より特定的には、半導体装置や液晶表示
装置の製造工程に用いることが可能なプラズマプロセス
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置や液晶表示装置を製造
するために、プラズマを用いて成膜、エッチング、アッ
シングなどを行なうプラズマプロセス装置が知られてい
る。図７は、従来のプラズマプロセス装置の１つである
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置の断面模式
図である。図７を参照して、ＣＶＤ装置を説明する。

【０００３】図７を参照して、ＣＶＤ装置は、チャンバ
本体１０２とチャンバ蓋１０１と誘電体からなるシャワ
ープレート１０５と基板ホルダ１０７とを備える。チャ
ンバ本体１０２上には、絶縁フランジ１２５を介してチ
ャンバ蓋１０１が設置されている。絶縁フランジ１２５
の所定の位置にはＯリング１０９が配置されている。こ
のようにして、チャンバ本体１０２とチャンバ蓋１０１
とによって囲まれた処理室は大気から隔離される。チャ
ンバ蓋１０１の下面には、シャワープレート１０５がシ
ャワープレート保持部材１０６によって固定されてい
る。シャワープレート１０５の所定の位置には、複数の
ガス導入孔１１８が形成されている。シャワープレート
１０５の上には、バッファ室１２６が形成されている。
チャンバ蓋１０１には、このバッファ室１２６に接続す
るように反応ガス導入口１１３が形成されている。シャ
ワープレート１０５下に位置する処理室の内部には、基
板１０８を保持するための基板ホルダ１０７が設置され
ている。

【０００４】次に、このＣＶＤ装置の動作を説明する。
処理室の内部は予め真空ポンプ（図示せず）などを用い
てほぼ真空に近い状態に保持されている。反応ガス導入
口１１３からバッファ室１２６へと反応ガスが供給され
る。バッファ室１２６に供給された反応ガスはシャワー
プレート１０５のガス導入孔１１８から処理室の内部へ
と供給される。このとき、反応ガスがこのバッファ室１
２６に一旦蓄積されるため、反応ガスの圧力をシャワー
プレートの全面に対してほぼ均一とすることができる。
このため、複数のガス導入孔１１８を通過する反応ガス
の圧力をほぼ等しくできるので、それぞれのガス導入孔
１１８からほぼ等しい流量の反応ガスが処理室の内部へ
と導入される。

【０００５】基板ホルダ１０７はチャンバ本体１０２と
ともに接地されている。そして、チャンバ蓋１０１には
図示していないがＲＦ電源が接続されている。このＲＦ
電源より高周波電力をチャンバ蓋１０１とシャワープレ
ート１０５とに印加することにより、シャワープレート
１０５と基板ホルダ１０７上に保持されている基板１０
８との間において反応ガスのプラズマが形成される。こ
のプラズマを用いて基板１０８の表面に所定の薄膜を堆
積させることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、処理室内で上
記プラズマを発生させるためにマイクロ波を用いる場合
には、チャンバ蓋１０１に導波管を接続する必要があ
る。さらに、処理室の内部にこの導波管から伝送された
マイクロ波を導入するための構造をチャンバ蓋１０１に
形成する必要がある。このような導波管などの構造を形
成する場合、バッファ室１２６の容量を十分に確保する
ことが困難となる。

【０００７】このようにバッファ室１２６の容量が十分
確保できない場合には、反応ガスの圧力をシャワープレ
ートの全面に対してほぼ均一とすることが困難になる場
合がある。つまり、反応ガス導入口１１３の直下に位置
するガス導入孔１１８と、反応ガス導入口１１３から離
れてシャワープレート１０５の端部に位置するガス導入
孔１１８とで、流入する反応ガスの圧力が異なる場合が
ある。これは、反応ガス導入口１１３からシャワープレ
ート１０５のそれぞれのガス導入孔１１８までのコンダ
クタンスが、ガス導入孔１１８の場所によってそれぞれ
異なる状態となっていることを意味する。このようにガ
ス導入孔１１８のそれぞれについてコンダクタンスが異
なる場合、ガス導入孔１１８を介して処理室の内部へと
導入される反応ガスの導入量がガス導入孔１１８の位置
により変化する（不均一になる）ことになる。このよう
に反応ガスの処理室への導入量が不均一となる場合、基
板１０８とシャワープレート１０５との間に形成される
プラズマもその密度や量などが不均一となる。この結
果、基板１０８の表面上に均一な膜質を有するＣＶＤ膜
を形成することが困難になる。このような不均一なＣＶ
Ｄ膜は、基板１０８上に形成される半導体装置などの動
作不良の原因となり、結果的に製造される半導体装置の
歩留りの低下の原因となる。

【０００８】上述のようにガス導入孔１１８のそれぞれ
についてコンダクタンスが異なるという状態を改善する
ため、シャワープレート１０５のガス導入孔１１８の配
置、あるいはガス導入孔１１８の断面形状などをそれぞ
れのガス導入孔１１８ごとに調節することによって、ガ
ス導入孔１１８のそれぞれのコンダクタンスを変更する
ことが考えられる。このようにすれば、それぞれのガス
導入孔１１８から処理室へ導入される反応ガスの流量を
均一化することが可能となる。しかし、このようにガス
導入孔１１８の配置、さらには断面形状を切削加工など
により変更することによってコンダクタンスを調整する
場合、この切削加工などでは数十μｍ程度以下という非
常に高い加工精度が求められる。一方、シャワープレー
ト１０５は誘電体からなり、アルミナなどのセラミック
スによって形成されている。そして、これらのセラミッ
クスの加工において上記のような高い加工精度を実現し
ようとする場合、加工自体が大変難しいため加工に要す
る時間が大変長くなり、加工に要する費用が非常に高く
なる。この結果、シャワープレート１０５の製造コスト
が大幅に上昇することになる。

【０００９】また、処理室の内部における基板ホルダ１
０７などの配置や、真空ポンプの設置場所などによっ
て、処理室の内部における反応ガスの流れ方が変化す
る。そして、このような反応ガスの流れ方が変化するこ
とによって、基板１０８の中央部と基板１０８の外周部
とにおける反応ガスの密度などが変化する場合があっ
た。このような場合、やはりプラズマの密度などが不均
一になる。

【００１０】この場合、基板１０８の中央部と外周部と
にそれぞれ対向するガス導入孔１１８のコンダクタンス
を微調整する必要がある。このようなコンダクタンスの
微調整を行なうために、上述のようにシャワープレート
１０５を直接加工してガス導入孔１１８の断面積などを
変更する場合、その加工にはやはり高精度が要求される
ので、さらにシャワープレート１０５の加工に要する費
用がかさむことになる。そのため、反応ガスの処理室へ
の供給量を微調整することにより均一なプラズマを容易
に得ることは実質的に困難であった。

【００１１】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の１つの目的は、
反応ガス導入口からシャワープレートに形成されたそれ
ぞれのガス導入孔までのコンダクタンスを容易にかつ低
コストで変更することが可能であり、均一なプラズマを
発生させ、基板などの表面に対して均一なプラズマ処理
を行なうことが可能なプラズマプロセス装置を提供する
ことである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明の一の局面にお
けるプラズマプロセス装置は、処理室と、シャワープレ
ートと、第１および第２の反応ガス供給路とを備える。
処理室ではプラズマを用いた処理を行なう。シャワープ
レートは、処理室に面して配置され、処理室内でプラズ
マ状態にされる反応ガスを処理室に供給するための第１
および第２のガス導入孔を有する。第１の反応ガス供給
路は第１のガス導入孔と接続され、第１のガス導入孔に
反応ガスを供給する。第２の反応ガス供給路は、第２の
ガス導入孔と接続され、第２のガス導入孔に反応ガスを
供給する（第１の発明）。

【００１３】このように、第１および第２のガス導入孔
に対応してそれぞれ第１および第２の反応ガス供給路が
形成されているので、この反応ガス供給路の幅、長さ、
屈曲部の形状、屈曲部の数などのうちの少なくとも１つ
を変更することにより、第１および第２の反応ガス供給
路においてそれぞれのコンダクタンスを変更することが
できる。このため、第１および第２のガス導入孔におけ
る反応ガスの流量をそれぞれ独立して変更することがで
きる。そのため、処理室内部の基板ホルダなどの部材の
配置状況などに応じて第１および第２のガス導入孔から
処理室の内部へと供給される反応ガスの流量を容易に調
整できる。その結果、処理室の内部において反応ガスを
均一な状態とすることが可能となる。このような均一な
反応ガスによって均一なプラズマを発生させることがで
きるので、この均一なプラズマによって基板表面におけ
る成膜あるいはエッチングといったプラズマプロセスを
基板の全面に対して均一な条件で行なうことが可能とな
る。

【００１４】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、シャワープレートが処理室に面する下面よびそ
の下面と反対側に位置する上面を有し、さらに、シャワ
ープレートの上面との間に反応ガスを供給する空間を形
成するように配置された反応ガス供給路形成部材を備え
ることが好ましい。シャワープレートの上面と対向する
反応ガス供給路形成部材の面には、第１および第２の反
応ガス供給路が形成されていることが好ましい（第２の
発明）。

【００１５】このようにすれば、第１および第２のガス
導入孔における反応ガスの流量をそれぞれ個別に変更す
る場合、反応ガス供給路形成部材の面に形成された第１
および第２の反応ガス供給路の幅や長さなどを変更する
ことにより、この第１および第２の反応ガス供給路のコ
ンダクタンスを容易に変更することができる。この結
果、シャワープレート自体を加工することなく、第１お
よび第２のガス導入孔における反応ガスの流量を変更す
ることができる。

【００１６】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、第１および第２の反応ガス供給路が、反応ガス
供給路形成部材の面に形成された溝を含むことが好まし
い（第３の発明）。

【００１７】このようにすれば、反応ガス供給路形成部
材の面に溝を形成するという比較的簡単な加工により第
１および第２の反応ガス供給路の形状を決定できるの
で、反応ガス供給路の形状が複雑な場合、容易に第１お
よび第２の反応ガス供給路を形成することができる。ま
た、第１および第２の反応ガス供給路におけるコンダク
タンスを変更するため反応ガス供給路の断面積や長さを
変更する場合、反応ガス供給路形成部材の面に形成され
た溝の断面形状や溝の長さを変更することにより、容易
に反応ガス供給路のコンダクタンスを変更することがで
きる。

【００１８】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、シャワープレートが処理室に面する下面および
その下面と反対側に位置する上面を有していることが好
ましく、さらに、シャワープレートの上面上に配置され
た上壁部材と、シャワープレートと上壁部材との間に配
置され、第１および第２の反応ガス供給路が形成されて
いる反応ガス供給路形成部材とを備えることが好ましい
（第４の発明）。

【００１９】このようにすれば、異なる形状を有するこ
とによって異なるインダクタンスを有する第１および第
２の反応ガス供給路を含む複数の反応ガス供給路形成部
材を準備しておくことにより、これらの反応ガス供給路
形成部材を交換することによって、容易に第１および第
２のガス導入孔における反応ガスの流量を変更すること
ができる。

【００２０】また、この反応ガス供給路形成部材の材料
として金属やその他の加工が容易な材料を用いれば、複
雑な形状の反応ガス供給路を容易に形成することができ
る。この結果、プラズマプロセス装置の製造コストが増
大することを防止できる。

【００２１】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、好ましくは、反応ガス供給路形成部材には側壁
面を有する貫通孔が形成され、第１および第２の反応ガ
ス供給路の壁面は、貫通孔の側壁面と、反応ガス供給路
形成部材と対向する上壁部材の面と、シャワープレート
の上面とを含む（第５の発明）。

【００２２】このようにすれば、反応ガス供給路形成部
材に形成される貫通孔の形状を変更することにより、容
易に反応ガス供給路の平面形状や断面積を変更すること
ができる。この結果、反応ガス供給路におけるコンダク
タンスを容易に変更することができるので、第１および
第２のガス導入孔における反応ガスの流量を容易に変更
することができる。

【００２３】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、反応ガス供給路形成部材が導電体を含むことが
好ましい（第６の発明）。

【００２４】ここで、マイクロ波は導電体を透過しな
い。このため、プラズマプロセス装置において、処理室
内部にプラズマを発生させるためにマイクロ波を用いる
場合、反応ガス供給路の壁面が導電体の壁面を含むこと
になるので、処理室の内部へと導入されるマイクロ波の
うち電界振幅の大きな成分がこの反応ガス供給路へ導入
されることを防止できる。このため、反応ガス供給路に
おいてこのマイクロ波に起因して反応ガスのプラズマが
発生すること（異常プラズマが発生すること）を防止で
きる。この結果、反応ガス供給路の壁面、つまりシャワ
ープレートの上面などがこの異常プラズマにより損傷を
受けることを防止できる。

【００２５】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、導電体が金属であることが好ましい。

【００２６】このようにすれば、金属部材は一般にセラ
ミックスなどより切削加工などが容易であるので、反応
ガス供給路のコンダクタンスの変更をより容易に行うこ
とができる。この結果、プラズマプロセス装置の製造コ
ストが増大することを防止できる。

【００２７】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、第１および第２のガス導入孔の直径がほぼ同一
であることが好ましい。

【００２８】このようにすれば、シャワープレートにお
ける第１および第２のガス導入孔自体のコンダクタンス
はほぼ同一であるので、第１および第２のガス導入孔に
おけるガスの流量は、第１および第２の反応ガス供給路
の断面積や長さといった形状を変更することによって容
易に調整することができる。

【００２９】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段をさらに備えることが好ましく、処理室内におい
て、反応ガスはマイクロ波によってプラズマ状態にされ
ることが好ましい。シャワープレートは処理室上に配置
され、マイクロ波導入手段はシャワープレート上に配置
され、処理室にマイクロ波を導入するための開口部を含
むことが好ましい。第１および第２の反応ガス供給路
は、シャワープレートとマイクロ波導入手段との間にお
いて、マイクロ波導入手段の開口部下に位置する領域以
外の領域に形成されていることが好ましい（第７の発
明）。

【００３０】この場合、第１および第２のガス導入孔へ
はそれぞれ第１および第２の反応ガス供給路によって反
応ガスが供給されているので、従来のように第１および
第２のガス導入孔へ供給する反応ガスの圧力が均一にな
るように調整するためのバッファ室をシャワープレート
上に設ける必要がない。このため、マイクロ波導入手段
としての導波管などをシャワープレート上に配置する場
合の設計の自由度を大きくすることができる。

【００３１】また、処理室の内部へと導入されるマイク
ロ波は、マイクロ波を導入するための開口部からシャワ
ープレートを介して処理室の内部へと導入される。つま
り、マイクロ波導入手段の開口部下に位置する領域はマ
イクロ波の伝送経路となる。そして、シャワープレート
とマイクロ波導入手段との間において、このマイクロ波
導入手段の開口部下に位置する領域以外の領域に第１お
よび第２の反応ガス供給路を形成しているので、この反
応ガス供給路とマイクロ波の伝送経路とが重なることを
防止できる。そのため、反応ガス供給路へマイクロ波の
電界振幅の大きな成分が照射されることを確実に防止で
きる。このため、反応ガス供給路において、反応ガスに
マイクロ波が照射されることに起因する異常プラズマの
発生を防止できる。この結果、反応ガス供給路の壁面な
どがこの異常プラズマによって損傷を受けることを防止
できる。

【００３２】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、第１のガス導入孔は処理室の中央部に反応ガス
を供給するように配置され、第２のガス導入孔は処理室
の周縁部に反応ガスを供給するように配置されているこ
とが好ましい。

【００３３】このようにすれば、第１および第２のガス
導入孔に対応する第１および第２の反応ガス供給路のコ
ンダクタンスをそれぞれ変更することにより、処理室の
中央部と周縁部とにおける反応ガスの供給量をそれぞれ
任意に設定できる。このため、処理室の内部において反
応ガスの密度などを容易に均一化できる。このような均
一化された反応ガスにより均一なプラズマを発生させる
ことができるので、この均一なプラズマによって基板表
面における成膜あるいはエッチングといったプラズマプ
ロセスを基板の全面に対して均一な条件で行なうことが
可能となる。

【００３４】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、処理室の内部に配置され、プラズマプロセスの
対象となる基板などの被処理部材を保持する保持部材を
備えることが好ましく、第１のガス導入孔は保持部材の
中央部上に位置する領域に反応ガスを供給するように配
置され、第２のガス導入孔は保持部材の周縁部上に位置
する領域に反応ガスを供給するように配置されているこ
とが好ましい。

【００３５】このようにすれば、第１および第２の反応
ガス供給路のコンダクタンスをそれぞれ変更することに
より、保持部材の中央部上に位置する領域と周縁部上に
位置する領域とに対する反応ガスの供給量をそれぞれ任
意に設定できる。このため、保持部材の全面に対向する
領域において反応ガスの密度などを容易に均一化でき
る。このような均一化された反応ガスにより均一なプラ
ズマを発生させることができるので、この均一なプラズ
マによって基板表面における成膜あるいはエッチングと
いったプラズマプロセスを基板の全面に対して均一な条
件で行なうことが可能となる。

【００３６】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、処理室に形成された排気口に接続され、処理室
の内部からガスを排気する排気ポンプをさらに備えてい
てもよい。第１のガス導入孔と排気口との間の距離よ
り、第２のガス導入口と排気口との間の距離が大きくな
っていてもよい。

【００３７】このようにすれば、第１および第２の反応
ガス供給路のコンダクタンスをそれぞれ変更することに
より、処理室の内部の排気口に相対的に近い領域におけ
る反応ガスの供給量と排気口から相対的に離れた領域に
おける反応ガスの供給量とをそれぞれ任意に設定でき
る。このため、処理室の内部において反応ガスの密度な
どを容易に均一化できる。このような均一化された反応
ガスにより均一なプラズマを発生させることができるの
で、この均一なプラズマによって被処理部材としての基
板の全面に対してプラズマプロセスを均一な条件で行な
うことが可能となる。

【００３８】上記一の局面におけるプラズマプロセス装
置では、第１のガス導入孔はシャワープレートのほぼ中
央部に位置していてもよく、第２のガス導入孔はシャワ
ープレートの周辺部に位置していてもよい。

【００３９】このようにすれば、第１および第２の反応
ガス供給路のコンダクタンスをそれぞれ変更することに
より、処理室の内部においてシャワープレートの中央部
に対向する領域における反応ガスの供給量とシャワープ
レートの周辺部に対向する領域における反応ガスの供給
量とをそれぞれ任意に設定できる。このため、処理室の
内部において反応ガスの密度などを容易に均一化でき
る。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一
または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説
明は繰返さない。

【００４１】（実施の形態１）図１は、本発明によるプ
ラズマプロセス装置の実施の形態１を示す断面模式図で
ある。図２は、図１に示した線分１００−１００におけ
る断面模式図である。

【００４２】また、図３は、図１に示したプラズマプロ
セス装置のシャワープレートを基板８（図１参照）側か
ら見た平面模式図である。図４は、図１に示したプラズ
マプロセス装置のチャンバ蓋のシャワープレートと対向
する面（シャワープレート接合面）を下から見た平面模
式図である。図１〜４を参照して、プラズマプロセス装
置を説明する。

【００４３】図１〜４を参照して、プラズマプロセス装
置は、チャンバ本体２とチャンバ蓋１と保持部材として
の基板ホルダ７とシャワープレート５ａ〜５ｄとマイク
ロ波導入窓４ａ、４ｂと導波管端部３ａ、３ｂと導波管
１２ａ、１２ｂとを備える。金属製のチャンバ本体２の
上部開口部上には金属製のチャンバ蓋１が設置されてい
る。チャンバ蓋１とチャンバ本体２との接合部にはＯリ
ング９が設置され、チャンバ内部１６は密閉されてい
る。このチャンバ本体２とチャンバ蓋１とにより、処理
室としてのチャンバ内部１６が構成される。チャンバ蓋
１の下面には、シャワープレート５ａ〜５ｄがシャワー
プレート保持部材６により固定されている。シャワープ
レート５ａ〜５ｄには、ガス導入孔１８ａ〜１８ｏ（図
１および図３参照）が形成されている。反応ガス供給路
形成部材としてのチャンバ蓋１におけるシャワープレー
ト５ａ〜５ｄの上面に対向する面（シャワープレート接
合面２０）には、反応ガス供給路を構成する溝２１（図
４参照）が形成されている。この溝２１によって、チャ
ンバ蓋１とシャワープレート５ａ〜５ｄとの間に反応ガ
ス供給路としての反応ガス流路１５ａ〜１５ｄが形成さ
れている。

【００４４】チャンバ蓋１には、開口部１９ａ、１９ｂ
が形成されている。この開口部１９ａ、１９ｂには、マ
イクロ波導入窓４ａ、４ｂが設置されている。チャンバ
蓋１とマイクロ波導入窓４ａ、４ｂとの接合部の所定の
位置にはＯリング１０ａ、１０ｂが配置されている。マ
イクロ波導入窓４ａ、４ｂ上には導波管端部３ａ、３ｂ
が配置されている。この導波管端部３ａ、３ｂは、それ
ぞれその上面中央部で導波管１２ａ、１２ｂと接続され
ている。導波管１２ａ、１２ｂと導波管端部３ａ、３ｂ
とマイクロ波導入窓４ａ、４ｂとからマイクロ波導入手
段は構成されている。この導波管１２ａ、１２ｂから導
入されたマイクロ波は、導波管端部３ａ、３ｂに形成さ
れた導波路内を伝搬し、導波管開口部１７ａ、１７ｂを
介してマイクロ波導入窓４ａ、４ｂへと放射される。そ
して、マイクロ波導入窓４ａ、４ｂに放射されたマイク
ロ波は、マイクロ波導入窓４ａ、４ｂからシャワープレ
ート５ａ〜５ｄへと伝送され、このシャワープレート５
ａ〜５ｄの下部全面からチャンバ内部１６へと放射され
る。

【００４５】導波管端部３ａ、３ｂには、保温流路１１
ａ、１１ｂが形成されている。この保温流路１１ａ、１
１ｂ内部には、導波管端部３ａ、３ｂおよびその周辺部
を所定の温度に保つために保温媒体が流れている。チャ
ンバ蓋１には、反応ガス流路１５ａ〜１５ｄへと反応ガ
スを供給するための反応ガス導入口１３ａ〜１３ｅ（図
１および図４参照）が形成されている。チャンバ内部１
６には、基板８を保持するための基板ホルダ７が配置さ
れている。また、図示していないが、チャンバ本体２に
はチャンバ内部１６を真空に保つための真空ポンプが接
続されている。この真空ポンプを用いてチャンバ内部１
６を真空状態に保持することができる。

【００４６】図３および４を参照して、図１に示したプ
ラズマプロセス装置では、４分割されたシャワープレー
ト５ａ〜５ｄを用いている。シャワープレート５ａ〜５
ｄは誘電体からなる。この誘電体としては、窒化アルミ
ニウムやアルミナなどのセラミックスを用いることがで
きる。また、チャンバ蓋１のシャワープレート接合面２
０は、上述のように反応ガス供給路としての反応ガス流
路１５ａ〜１５ｄとなる溝２１が形成されている。この
溝２１は、反応ガスを供給するための反応ガス導入口１
３ｅと接続されている。また、この溝２１は、マイクロ
波導入窓４ａ、４ｂを設置するための開口部１９ａ、１
９ｂと重ならないように形成されている。そして、この
溝２１の終端部は、シャワープレート５ａ〜５ｄに形成
されたガス導入孔１８ａ〜１８ｏの位置とそれぞれ対応
するように形成されている。具体的には、たとえば図４
に示した溝２１の終端部２２ａは、図３に示したシャワ
ープレート５ｄのガス導入孔１８ｎの位置と適合するよ
うに形成されている。また、終端部２２ｂは、ガス導入
孔１８ｏ（図３参照）の位置に適合するように形成され
ている。

【００４７】このように溝２１が形成されたシャワープ
レート接合面２０ａにシャワープレート５ａ〜５ｄがシ
ャワープレート保持部材６により固定されることによっ
て、この溝２１とシャワープレート５ａ〜５ｄのチャン
バ蓋１に対向する面とから反応ガス供給路としての反応
ガス流路１５ａ〜１５ｄが形成される。そして、反応ガ
ス導入口からこの反応ガス流路、ガス導入孔を介して反
応ガスがチャンバ内部へと供給される。具体的には、例
えば、反応ガス導入口１３ｅからこの溝２１により構成
される反応ガス流路へと供給された反応ガスは、溝２１
（つまり反応ガス流路）を介して溝の終端部２２ａ、２
２ｂへと到達する。そして、この終端部２２ａ、２２ｂ
からガス導入孔１８ｎ、１８ｏを介してチャンバ内部１
６へと導入される。

【００４８】次に、図１〜４に示した本発明によるプラ
ズマプロセス装置の動作を説明する。

【００４９】チャンバ内部１６は予め真空ポンプなどを
用いて真空状態に保持する。図１および２を参照して、
導波管１２ａ、１２ｂの図示していない端部にはマイク
ロ波を発生させるマイクロ波発生装置が接続されてい
る。このマイクロ波発生装置としてマグネトロンを用い
ることができる。このマイクロ波発生装置によって発生
させたマイクロ波は、導波管１２ａ、１２ｂを介して導
波管端部３ａ、３ｂへと伝送される。導波管端部３ａ、
３ｂに伝送されたマイクロ波は、この導波管端部３ａ、
３ｂの導波管開口部１７ａ、１７ｂからマイクロ波導入
窓４ａ、４ｂへと伝送される。そして、マイクロ波はこ
のマイクロ波導入窓４ａ、４ｂから誘電体からなるシャ
ワープレート５ａ〜５ｄ全面からチャンバ内部１６へと
照射される。

【００５０】一方、プラズマを形成するための反応ガス
を反応ガス導入口１３ａ〜１３ｅから反応ガス流路１５
ａ〜１５ｄおよびガス導入孔１８ａ〜１８ｏを介してチ
ャンバ内部１６へと供給する。このとき、それぞれのガ
ス導入孔１８ａ〜１８ｏに対応する反応ガス流路１５ａ
〜１５ｄは、後述するように、反応ガス導入口１３ａ〜
１３ｅからそれぞれのガス導入孔１８ａ〜１８ｏまでの
コンダクタンスがそれぞれ等しくなるように形成されて
いる。このため、ガス導入孔１８ａ〜１８ｏからチャン
バ内部１６へとはほぼ均一に反応ガスが導入される。

【００５１】チャンバ内部へと反応ガスが導入される
と、シャワープレート５ａ〜５ｄからチャンバ内部１６
へと照射されるマイクロ波によってこの反応ガスのプラ
ズマが発生する。このプラズマにより、基板ホルダ７上
に設置された基板８表面において成膜あるいはエッチン
グなどのプラズマプロセスが行なわれる。ここで、反応
ガスは均一に供給されているので、生成されるプラズマ
もほぼ均一なプラズマとなっている。このため、基板８
表面におけるプラズマプロセスは、この基板８の全面に
対してほぼ均一な条件とすることができる。

【００５２】シャワープレート５ａ〜５ｄに形成された
ガス導入孔１８ａ〜１８ｏの直径はほぼ等しく設定して
いる。そして、チャンバ蓋１のシャワープレート接合面
２０に形成される溝２１の溝幅および溝の深さはすべて
の溝について等しく設定されている。そして、反応ガス
導入口１３ａ〜１３ｅからそれぞれの溝の終端部までの
溝における経路の長さ（例えば、反応ガス導入口１３ｅ
から溝の終端部２２ａ、２２ｂまでの溝の経路の長さ）
が等しくなるように溝２１を形成する。さらに、反応ガ
ス導入口１３ａ〜１３ｅからそれぞれの溝２１の終端部
までの経路上の屈曲部の数およびその屈曲部における角
度（例えば、反応ガス導入口１３ｅから溝２１の終端部
２２ａ、２２ｂまでのそれぞれの経路上の屈曲部の数お
よびその屈曲部における角度）は基本的にすべての終端
部について等しくなるように溝２１を形成する。

【００５３】このようにすれば、反応ガス導入口１３ａ
〜１３ｅからそれぞれの溝２１の終端部２２ａ、２２ｂ
までのコンダクタンスをほぼ等しくすることができる。
このため、シャワープレート５ａ〜５ｄに形成されたガ
ス導入孔１８ａ〜１８ｏを介してチャンバ内部１６へ供
給される反応ガスの流量をほぼ均一にすることができ
る。この結果、チャンバ内部１６においてこの反応ガス
のプラズマを発生させる場合に、基板８の全面に対向す
るようにほぼ均一なプラズマを容易に形成することがで
きる。

【００５４】また、たとえばチャンバ本体２に設置され
る真空ポンプの配置、あるいは基板ホルダ７などの構造
物の配置によって、チャンバ内部１６における反応ガス
の流れ方が変化して、基板８の中央部上と周辺部上とに
おける反応ガスの濃度が相違するような場合を考える。
この場合、基板８の中央部へと反応ガスを供給する反応
ガス流路となる溝の幅と、基板８の外周部へと反応ガス
を供給する反応ガス流路を構成する溝の幅とを相対的に
変化させることにより、ガス導入孔１８ａ〜１８ｏのう
ちの、基板８の中央部上位置するものと周辺部上に位置
するものとについて、それぞれ個別に反応ガスの流量を
調整することができる。この結果、反応ガスを均一にチ
ャンバ内部１６へと供給することができるので、チャン
バ内部１６において反応ガスを均一に分布させることが
できる。その結果、プラズマを均一に発生させることが
可能となる。

【００５５】このように、シャワープレート５ａ〜５ｄ
に形成された第１および第２のガス導入孔としてのガス
導入孔１８ａ〜１８ｏのそれぞれに対応するように反応
ガス供給路としての反応ガス流路１５ａ〜１５ｄが形成
されているので、ガス導入孔１８ａ〜１８ｏのそれぞれ
について個別に反応ガスの流量を変化させることができ
る。このため、チャンバ内部１６において空間的に反応
ガスの濃度が均一になるようにガス導入孔１８ａ〜１８
ｏから反応ガスをチャンバ内部１６へと供給することが
可能となる。この結果、均一なプラズマを発生させるこ
とができるので、基板８の表面にこれらのプラズマを用
いて成膜を行なう場合には均一な膜質を有する膜を形成
することができる。あるいは、このプラズマを用いてエ
ッチングを行なう場合には、基板８の全面に対して均一
な条件でエッチングを実施することができる。

【００５６】また、チャンバ蓋１は導電体としての金属
からなるため、セラミックスなどの誘電体よりも比較的
加工が容易である。このため、セラミックスからなるシ
ャワープレート５ａ〜５ｄに対してガス導入孔１８ａか
ら１８ｏのコンダクタンスを調整するための加工を行な
う場合より、溝２１のような複雑な形状の加工を容易に
実施することができる。そのため、プラズマプロセス装
置を製造するために必要なコストを低減できる。

【００５７】また、反応ガス流路１５ａ〜１５ｄは、反
応ガス供給路形成部材としてのチャンバ蓋１のシャワー
プレート接合面２０においてそれぞれのガス導入口１８
ａ〜１８ｏに対応して形成された溝２１により構成され
る。反応ガス流路１５ａ〜１５ｄのコンダクタンスを調
整するために変更するパラメータとしては、溝２１の溝
の幅、あるいは溝２１の深さ、さらには反応ガス導入口
１３ｅからそれぞれの終端部２２ａ、２２ｂまでの経路
長さ、あるいは反応ガス導入口１３ｅからそれぞれの終
端部２２ａ、２２ｂに至る経路における屈曲部の角度あ
るいは屈曲部の数を変更するという手段を用ることが好
ましい。

【００５８】このようにすれば、この溝２１の溝幅、あ
るいは溝深さ、経路長さなどを変更することにより、シ
ャワープレートのガス導入孔１８ａ〜１８ｏのそれぞれ
に対応して反応ガス流路１５ａ〜１５ｄのコンダクタン
スを任意に変更することができる。この結果、ガス導入
孔１８ａ〜１８ｏのそれぞれにおける反応ガスの流量を
個別に制御することができる。

【００５９】また、このような溝２１の加工は通常の切
削加工などを利用することができるので、コンダクタン
スの調整に必要な手間や時間を従来より削減することが
できる。この結果、コンダクタンスの調整に必要な費用
を低減できる。

【００６０】また、チャンバ蓋１を金属から構成する場
合、反応ガス供給路としての反応ガス流路１５ａ〜１５
ｄの壁面が導電体である金属からなる壁面を含むことに
なる。ここで、上述のようにマイクロ波は導電体を透過
しない。このため、導波管１２ａ、１２ｂからチャンバ
内部１６へと供給されるマイクロ波の電界振幅が大きな
成分がこの反応ガス流路１５ａ〜１５ｄへ導入されるこ
とを防止できる。これにより、反応ガス流路１５ａ〜１
５ｄにおいてこのマイクロ波に起因して反応ガスから異
常プラズマが形成されることを防止できる。この結果、
反応ガス流路１５ａ〜１５ｄの壁面、つまりシャワープ
レート５ａ〜５ｄの上面などがこの異常プラズマによっ
て損傷を受けることを防止できる。

【００６１】また、シャワープレート５ａ〜５ｄに形成
されたガス導入孔１８ａ〜１８ｏの直径をほぼ同一とし
ているので、ガス導入孔１８ａ〜１８ｏのそれぞれにお
ける反応ガスの流量を、溝２１の幅や深さなどのみを変
更することによって正確かつ容易に変更することができ
る。

【００６２】また、導波管開口部１７ａ、１７ｂの下に
位置する領域は、マイクロ波の伝送径路となっている。
そして、図１に示すように、導波管開口部１７ａ、１７
ｂの下に位置する領域以外の領域に反応ガス供給路とし
ての反応ガス流路１５ａ〜１５ｄが形成されている。こ
のようにすれば、このマイクロ波の伝送経路と反応ガス
流路１５ａ〜１５ｄとが重ならないようにすることがで
きる。このため、反応ガス流路１５ａ〜１５ｄにマイク
ロ波の電界振幅の大きな成分が照射されることを確実に
防止できる。この結果、反応ガス流路１５ａ〜１５ｄに
おいて、反応ガスにマイクロ波が照射されることに起因
する異常プラズマの発生を防止できる。

【００６３】また、本発明によるプラズマプロセス装置
では、高価で加工が困難なシャワープレート５ａ〜５ｄ
を変更することなく、比較的加工が容易な金属からなる
チャンバ蓋１のシャワープレート接合面２０に溝２１を
形成することによって反応ガス供給路としての反応ガス
流路１５ａ〜１５ｄを形成しているので、このシャワー
プレート５ａ〜５ｄのガス導入孔１８ａ〜１８ｏのそれ
ぞれについての反応ガスの流量をこの溝の形状などを変
えることにより容易に変更することができる。この結
果、反応ガスをチャンバ内部１６において均一に分布さ
せることができるので、均一なプラズマを発生させるこ
とができる。この均一なプラズマによって、基板８の表
面に対して均一な成膜等のプラズマプロセスを実施する
ことができる。

【００６４】また、図１に示したプラズマプロセス装置
では、反応ガス供給路形成部材としてチャンバ蓋１を利
用するので、装置構成を従来より複雑化すること無く、
本発明によるプラズマプロセス装置を実現できる。

【００６５】（実施の形態２）図５は、本発明によるプ
ラズマプロセス装置の実施の形態２を示す断面模式図で
ある。図５を参照して、プラズマプロセス装置を説明す
る。

【００６６】図５を参照して、プラズマプロセス装置は
基本的には図１に示したプラズマプロセス装置と同様の
構造を備える。ただし、図５に示したプラズマプロセス
装置では、シャワープレート５ａ、５ｂと上壁部材とし
てのチャンバ蓋１との間に反応ガス供給路形成部材とし
ての流路板２３が配置されている。この流路板２３に
は、図６に示すように、反応ガス供給路としての反応ガ
ス流路１５ａ〜１５ｄを構成する孔２４が形成されてい
る。この流路板２３は、チャンバ蓋１とシャワープレー
ト５ａ〜５ｄとの間に固定されている。この場合、チャ
ンバ蓋１の流路板２３に対向する面に溝は形成されてい
ない。（ただし、反応ガス流路１５ａ〜１５ｄのコンダ
クタンスを変更するために、このチャンバ蓋１の流路板
２３に対向する面に溝を形成してもよい。）図６は、図
５に示したプラズマプロセス装置の反応ガス流路を構成
する部品の関係を説明するための分解斜視模式図であ
る。

【００６７】図６を参照して、反応ガス流路の上壁はチ
ャンバ蓋１の下面（流路板２３に対向する面）により構
成される。また、反応ガス流路１５ａ〜１５ｄの側壁は
流路板２３の孔２４の側壁面により構成される。また、
反応ガス流路１５ａ〜１５ｄの下壁はシャワープレート
５ｂの上部表面（流路板２３に対向する面）により構成
される。そして、図６に示すように、孔２４の端部２４
ａ、２４ｂの位置はシャワープレート５ｂのガス導入孔
１８ｑ、１８ｐの位置と適合するように決定されてい
る。また、チャンバ蓋１に形成された反応ガス導入口１
３ｆ、１３ｇの真下に位置するように、孔２４は形成さ
れている。図示されていない他の孔についても同様であ
る。このようにすれば、反応ガス導入口１３ｆ、１３ｇ
から導入された反応ガスは、この孔２３によって形成さ
れる反応ガス流路を介して端部２４ａ、２４ｂにまで到
達することができる。そして、この端部２４ａ、２４ｂ
からガス導入孔１８ｐ、１８ｑを介してチャンバ内部１
６へと反応ガスが供給される。このように、流路板２３
を用いて反応ガス流路を構成しても、図６に示したプラ
ズマプロセス装置により本発明の実施の形態１によるプ
ラズマプロセス装置と同様の効果を得ることができる。

【００６８】また、図６に示したプラズマプロセス装置
では、流路板２３の厚さを変更することにより、反応ガ
ス流路の高さ、すなわち反応ガス流路の断面積を容易に
変更することができる。

【００６９】また、この流路板２３は金属製であること
が好ましい。このような金属製の流路板２３を用いれ
ば、必要な反応ガス流路の形状が複雑な場合、一般に金
属は通常の切削加工などを用いて高精度な加工を行なう
ことができるので、その反応ガス流路の形状に対応した
孔２４を流路板２３に容易に形成することができる。ま
た、反応ガス流路のコンダクタンスを調整する場合、こ
の流路板２３に形成された孔２４の幅を変更することに
より容易にコンダクタンスを変更することができる。

【００７０】また、このように反応ガス流路を形成する
ための流路板２３を備えるので、シャワープレート５ａ
〜５ｄに加工を施すことなく、ガス導入孔１８ａ〜１８
ｑのそれぞれについて個別に反応ガスの流量を変更する
ことが可能となる。

【００７１】また、流路板２３を導電体としての金属に
より形成することにより、反応ガス供給路としての反応
ガス流路の壁面が導電体である金属からなる壁面を含む
ことになる。この結果、導波管１２ａ、１２ｂからチャ
ンバ内部１６へと転送されるマイクロ波の電界振幅の大
きな成分が反応ガス流路へと導入されることを防止でき
る。その結果、反応ガス流路においてこのマイクロ波に
起因して反応ガスから異常プラズマが形成されることを
防止できる。

【００７２】なお、本発明によるプラズマプロセス装置
の実施の形態１および２において、マイクロ波導入窓４
ａ、４ｂのシールに用いたＯリング１０ａ、１０ｂは、
図１および５に示すようにマイクロ波導入窓４ａ、４ｂ
の下側に配置しているが、これらのＯリング１０ａ、１
０ｂはマイクロ波導入窓４ａ、４ｂの上側に配置しても
よい。このようにすれば、チャンバ内部１６において発
生するプラズマからの熱の影響を軽減することができる
ので、Ｏリング１０ａ、１０ｂの熱による劣化を防止す
ることができる。また、マイクロ波の伝送経路以外の位
置にＯリング１０ａ、１０ｂを配置することになるの
で、このＯリング１０ａ、１０ｂがマイクロ波にさらさ
れることによってその特性が劣化するといった問題の発
生を防止できる。

【００７３】また、基板８が液晶表示装置などの基板の
ように大面積の基板である場合、導波管１２ａ、１２ｂ
およびシャワープレート５ａ〜５ｄの数を増やすことに
よって、大面積の基板８に対して均一なプラズマを容易
に発生させることができる。

【００７４】また、本発明によるプラズマプロセス装置
の実施の形態１および２では、第１のガス導入孔として
のガス導入孔１８ｅ〜１８ｈは処理室としてのチャンバ
内部１６の中央部に反応ガスを供給するように配置さ
れ、第２のガス導入孔としてのガス導入孔１８ａ、１８
ｂ、１８ｋ、１８ｍはチャンバ内部１６の周縁部に反応
ガスを供給するように配置されている。

【００７５】このようにすれば、第１および第２の反応
ガス流路１５ａ〜１５ｄのコンダクタンスをそれぞれ変
更することにより、チャンバ内部１６の中央部と周縁部
とにおける反応ガスの供給量をそれぞれ任意に設定でき
る。このため、チャンバ内部１６において反応ガスの密
度などを容易に均一化できる。

【００７６】また、本発明によるプラズマプロセス装置
の実施の形態１および２では、ガス導入孔１８ｅ〜１８
ｈは基板ホルダ７の中央部上に位置する領域に反応ガス
を供給するように配置され、ガス導入孔１８ａ、１８
ｂ、１８ｋ、１８ｍは基板ホルダ７の周縁部上に位置す
る領域に反応ガスを供給するように配置されている。

【００７７】このようにすれば、第１および第２の反応
ガス流路１５ａ〜１５ｄのコンダクタンスをそれぞれ変
更することにより、基板ホルダ７の中央部上に位置する
領域と周縁部上に位置する領域とに対する反応ガスの供
給量をそれぞれ任意に設定できる。このため、チャンバ
内部１６の基板ホルダ７上に位置する領域（基板８に対
向する領域）において反応ガスの密度などを容易に均一
化できる。

【００７８】また、本発明によるプラズマプロセス装置
の実施の形態１および２では、チャンバ本体２に排気口
を形成し、チャンバ内部１６からガスを排気する排気ポ
ンプをさらに備えることが好ましい。そして、例えば図
１を参照して、排気口がチャンバ本体２の左側（ガス導
入口１８ａ側）に形成されている場合を考える。この場
合、反応ガス流路１５ａ、１５ｄのそれぞれコンダクタ
ンスを調整することにより、排気口に相対的に近い領域
に反応ガスを供給するガス導入孔１８ａ〜１８ｃと、排
気口から相対的に遠い領域に反応ガスを供給するガス導
入孔１８ｊ、１８ｋ、１８ｍとについて、反応ガスの供
給量を任意に変更できる。この結果、排気口からチャン
バ内部１６のガスが排気される際にチャンバ内部１６に
おいて反応ガスの密度などを容易に均一化できる。

【００７９】本発明によるプラズマプロセス装置は、プ
ラズマを用いたＣＶＤ装置に適用してもよく、またこの
プラズマを用いたエッチング装置に適用しても同様の効
果を得ることができる。また、本発明によるプラズマプ
ロセス装置では、図１および５に示したように４分割の
シャワープレートを用いてもよいが、シャワープレート
の数は１枚でもよく、さらにシャワープレートの数を増
やしてもよい。この場合にも同様の効果を得ることがで
きる。

【００８０】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特
許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の
意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意
図される。

【００８１】

【発明の効果】このように、本発明によるプラズマプロ
セス装置では、シャワープレートに特別な加工を施すこ
となく、シャワープレートに形成されたガス導入孔のそ
れぞれについて個別に反応ガスの流量を制御することが
できる。この結果、プラズマプロセス装置の処理室の内
部へ反応ガスを均一に供給することができるので、処理
室の内部において均一なプラズマを容易に形成すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明によるプラズマプロセス装置の実施の
形態１を示す断面模式図である。

【図２】 図１に示した線分１００−１００における断
面模式図である。

【図３】 図１に示したプラズマプロセス装置のシャワ
ープレートを基板側から見た平面模式図である。

【図４】 図１に示したプラズマプロセス装置のチャン
バ蓋のシャワープレート接合面を下から見た平面模式図
である。

【図５】 本発明によるプラズマプロセス装置の実施の
形態２を示す断面模式図である。

【図６】 図５に示したプラズマプロセス装置の反応ガ
ス流路を構成する部品の関係を説明するための分解斜視
模式図である。

【図７】 従来のプラズマプロセス装置を示す断面模式
図である。

【符号の説明】

１ チャンバ蓋、２ チャンバ本体、３ａ，３ｂ 導波
管端部、４ａ，４ｂマイクロ波導入窓、５ａ〜５ｄ シ
ャワープレート、６ シャワープレート保持部材、７
基板ホルダ、８ 基板、９，１０ａ，１０ｂ Ｏリン
グ、１１ａ，１１ｂ 保温流路、１２ａ，１２ｂ 導波
管、１３ａ〜１３ｇ 反応ガス導入口、１５ａ〜１５ｄ
反応ガス流路、１６ チャンバ内部、１７ａ，１７ｂ
導波管開口部、１８ａ〜１８ｑ ガス導入孔、１９
ａ，１９ｂ 開口部、２０ シャワープレート接合面、
２１ 溝、２２ａ，２２ｂ 終端部、２３ 流路板、２
４孔、２４ａ，２４ｂ 孔の端部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平山 昌樹 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉05 東北大 学大学院工学研究科内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２−１−17− 301 Ｆターム(参考） 4K030 EA01 EA05 EA06 FA01 LA15 LA18

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プラズマを用いた処理を行なう処理室
   と、 前記処理室に面して配置され、前記処理室内でプラズマ
   状態にされる反応ガスを前記処理室に供給するための第
   １および第２のガス導入孔を有するシャワープレート
   と、 前記第１のガス導入孔と接続され、前記第１のガス導入
   孔に前記反応ガスを供給する第１の反応ガス供給路と、 前記第２のガス導入孔と接続され、前記第２のガス導入
   孔に前記反応ガスを供給する第２の反応ガス供給路とを
   備える、プラズマプロセス装置。
2. 【請求項２】 前記シャワープレートは前記処理室に面
   する下面およびその下面と反対側に位置する上面を有
   し、さらに、 前記シャワープレートの上面との間に反応ガスを供給す
   る空間を形成するように配置された反応ガス供給路形成
   部材を備え、 前記シャワープレートの上面と対向する前記反応ガス供
   給路形成部材の面には、前記第１および第２の反応ガス
   供給路が形成されている、請求項１に記載のプラズマプ
   ロセス装置。
3. 【請求項３】 前記第１および第２の反応ガス供給路
   は、前記反応ガス供給路形成部材の面に形成された溝を
   含む、請求項２に記載のプラズマプロセス装置。
4. 【請求項４】 前記シャワープレートは、前記処理室に
   面する下面およびその下面と反対側に位置する上面を有
   し、さらに、 前記シャワープレートの上面上に配置された上壁部材
   と、 前記シャワープレートと前記上壁部材との間に配置さ
   れ、前記第１および第２の反応ガス供給路が形成されて
   いる反応ガス供給路形成部材とを備える、請求項１に記
   載のプラズマプロセス装置。
5. 【請求項５】 前記反応ガス供給路形成部材には側壁面
   を有する貫通孔が形成され、 前記第１および第２の反応ガス供給路の壁面は、前記貫
   通孔の側壁面と前記反応ガス供給路形成部材と対向する
   前記上壁部材の面と前記シャワープレートの上面とを含
   む、請求項４に記載のプラズマプロセス装置。
6. 【請求項６】 前記反応ガス供給路形成部材は導電体を
   含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載のプラズマプ
   ロセス装置。
7. 【請求項７】 前記処理室にマイクロ波を導入するマイ
   クロ波導入手段をさらに備え、 前記処理室内において、前記反応ガスは前記マイクロ波
   によってプラズマ状態にされ、 前記シャワープレートは前記処理室上に配置され、 前記マイクロ波導入手段は前記シャワープレート上に配
   置され、前記処理室にマイクロ波を導入するための開口
   部を含み、 前記第１および第２の反応ガス供給路は、前記シャワー
   プレートと前記マイクロ波導入手段との間において、前
   記マイクロ波導入手段の開口部下に位置する領域以外の
   領域に形成されている、請求項１〜６のいずれか１項に
   記載のプラズマプロセス装置。