CN112619272B - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112619272B CN112619272B CN202010823739.8A CN202010823739A CN112619272B CN 112619272 B CN112619272 B CN 112619272B CN 202010823739 A CN202010823739 A CN 202010823739A CN 112619272 B CN112619272 B CN 112619272B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pipe
- processing apparatus
- substrate processing
- circulation
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 434
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 336
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 542
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 352
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 230
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 196
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 43
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 10
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract description 50
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 55
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 54
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000002547 new drug Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D36/00—Filter circuits or combinations of filters with other separating devices
- B01D36/001—Filters in combination with devices for the removal of gas, air purge systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D19/00—Degasification of liquids
- B01D19/0031—Degasification of liquids by filtration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
- B01D29/11—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor with bag, cage, hose, tube, sleeve or like filtering elements
- B01D29/31—Self-supporting filtering elements
- B01D29/35—Self-supporting filtering elements arranged for outward flow filtration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D35/00—Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
- B01D35/02—Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板处理装置,能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。基板处理装置(1)包括:药液罐(30);与药液罐连接的第一循环配管(31);泵,向第一循环配管(31)送出药液罐内的药液;第二循环配管(32),与第一循环配管(31)分支连接;过滤器(39),安装于第一循环配管(31)中的比第二循环配管(32)的连接位置(P2)更靠上游侧的上游侧部分(33);以及压力调整单元,调整流经上游侧部分(33)的药液的压力。压力调整单元包括调整第二循环配管的开度的调节器(71)。调节器(71)使在基板处理装置的循环空闲状态下流经上游侧部分(33)的药液的压力与在基板处理装置的就绪状态下流经上游侧部分的药液的压力一致或接近。
Description
技术领域
本发明涉及基板处理装置。成为处理对象的基板的例子中包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence:电致发光)显示装置等的FPD(Flat PanelDisplay:平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,使用处理半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板等的基板的基板处理装置。
如日本特开2013-175552号公报和日本特开2007-266211号公报所记载的那样,这种基板处理装置具备:处理单元;处理液罐,贮存向处理单元供给的处理液;循环配管,使处理液罐内的处理液循环;泵,将处理液罐内的处理液输送给循环配管;过滤器,过滤在循环配管中流动的处理液。
本申请的发明人在研究设置两个循环配管。具体来说,研究设置:外循环配管,与处理液罐连接并向处理单元供给处理液;内循环配管,与外循环配管分支连接。
该情况下,可以考虑在外循环配管中的比内循环配管的连接位置更靠上游侧的外循环配管的上游侧部分安装过滤器。为了使流经内循环配管和/或外循环配管的处理液保持清洁,必须使过滤器的颗粒捕获能力持续地维持恒定。
过滤器的颗粒捕获能力随着施加于过滤器的液体的压力的变动而变化。在过滤器的颗粒捕获能力变低的情况下,在此之前被过滤器捕获的颗粒可能会从过滤器泄漏,并污染过滤器的下游侧。
这不是过滤器的颗粒捕获能力降低的唯一因素。在向过滤器供给大量的颗粒,过滤器被堵塞时,过滤器的颗粒捕获能力也会变低。
此外,若能够测量流经内循环配管和/或外循环配管的处理液的颗粒的量,则能够将含有大量颗粒的处理液从内循环配管和/或外循环配管排除。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于提供一种基板处理装置,所述基板处理装置能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。
本发明的第一方面(aspect)提供一种基板处理装置,包括:处理单元,具有向基板喷出处理液的喷出口;处理液罐,贮存向所述喷出口供给的处理液;外循环配管,包括与所述处理液罐连接的上游端和下游端,所述外循环配管与所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的外循环流路;泵,向所述外循环配管送出所述处理液罐内的处理液;喷出口连通配管,在第一连接位置与所述外循环配管分支连接,并与所述喷出口连通;内循环配管,在比所述第一连接位置更靠上游侧的第二连接位置与所述外循环配管分支连接,所述内循环配管与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠上游侧的部分即第二上游侧部分和所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的内循环流路,使从所述外循环配管供给的处理液返回到所述处理液罐;过滤器,安装于所述第二上游侧部分;压力调整单元,调整流经所述第二上游侧部分的处理液的压力;以及控制装置,控制所述压力调整单元,所述控制装置以处理液在所述外循环流路中不循环并且处理液在所述内循环流路中循环的单循环状态下流经所述第二上游侧部分的处理液的压力,与处理液在所述外循环流路和所述内循环流路双方中循环的双循环状态下流经所述第二上游侧部分的处理液的压力一致或接近的方式,控制所述压力调整单元。
过滤器的颗粒捕获能力根据施加于过滤器的压力的大小变化。在过滤器施加有压力的状态下,与在过滤器没有施加压力的状态比较,能够捕获更小颗粒。而且,随着施加于过滤器的压力增大,能够捕获进一步更小的颗粒。反过来说,若施加于过滤器的压力减小,则能够捕获的颗粒变大,过滤器的颗粒捕获能力降低。即,根据施加于过滤器的压力的变动,过滤器的颗粒捕获能力变化。在过滤器的颗粒捕获能力变低的情况下,存在在此之前被过滤器捕获的颗粒从过滤器流出到二次侧的担忧。
另一方面,若施加于过滤器的压力过大,则过滤器中的流量和/或流速可能会超过允许范围,结果,存在颗粒可能会通过过滤器的担忧。为了利用过滤器适当地捕获颗粒,需要恒定地维持施加于过滤器的压力。
根据该结构,以使处理液在内循环流路中循环的单循环状态下流经第二上游侧部分的处理液的压力,与处理液在外循环流路和内循环流路双方中循环的双循环状态下流经第二上游侧部分的处理液的压力一致或接近的方式,控制压力调整单元。由于单循环状态下施加于过滤器的压力与双循环状态下施加于过滤器的压力一致或接近,因此能够将过滤器的颗粒捕获能力保持为恒定,而与处理液的循环状态无关。
由此,能够抑制或防止随着施加于过滤器的压力的变化,捕获的颗粒从过滤器漏出。故而,能够向处理单元供给颗粒含量少的净化的处理液(优选,不含有颗粒的净化的处理液)。
在第一方面中,所述压力调整单元包括调整所述内循环配管的开度的开度调整单元。
根据该结构,通过利用压力调整单元调整内循环配管的开度,调整流经第二上游侧部分的处理液的压力。由此,能够以简单的结构,调整流经第二上游侧部分的处理液的压力。
在第一方面中,作为所述基板处理装置的动作状态设置有可选择性执行的可执行状态和待机状态,在所述可执行状态下执行所述双循环状态,所述待机状态是与所述可执行状态不同的状态,在所述待机状态下维持向所述基板处理装置的电力供给,所述待机状态包括实现所述单循环状态的循环待机状态。
根据该结构,以使基板处理装置的循环待机状态下流经第二上游侧部分的处理液的压力,与基板处理装置的可执行状态下流经第二上游侧部分的处理液的压力一致或方式,控制压力调整单元。由于基板处理装置的循环待机状态下施加于过滤器的压力,与基板处理装置1的可执行状态下施加于过滤器的压力一致或接近,因此能够将过滤器的颗粒捕获能力保持为恒定或几乎恒定,而与基板处理装置的动作状态是循环待机状态还是可执行状态无关。
在第一方面中,所述待机状态还包括循环停止待机状态,在所述循环停止待机状态下一边维持向所述基板处理装置的电力供给,一边停止所述泵的驱动,使所述外循环流路和所述内循环流路中的处理液的循环停止。
根据该结构,待机状态包括:循环待机状态,在所述循环待机状态下处理液在外循环流路中不循环并且处理液在内循环流路中循环;循环停止待机状态,在所述循环停止待机状态下停止泵的驱动(在外循环流路和内循环流路双方中停止处理液的循环)。
在循环待机状态下,处理液在外循环流路中不循环,并且处理液在内循环流路中循环。因此,在维护作业的对象部位是不影响内循环流路中的处理液循环的部位的情况(例如,对处理单元、搬运机械手进行的维护作业的情况)下,能够一边将基板处理装置设定为循环待机状态,一边对基板处理装置进行维护作业。
另一方面,在维护对象是影响内循环流路中的处理液循环的部位的情况下,不能一边使处理液在内循环流路中循环,一边进行维护作业。因此,该情况下,将基板处理装置的动作状态设定为循环停止待机状态。
这样,能够根据维护部位区分使用多个待机状态。因此,能够缩短泵处于停止状态的期间。故而,能够提高基板处理装置的运转率。
在第一方面中,所述基板处理装置还包括:内循环阀,安装于所述内循环配管并开闭所述内循环配管;排液配管,在第三连接位置与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠下游侧的部分即第二下游侧部分分支连接,从所述第二下游侧部分排出处理液;以及第一切换单元,将所述第二下游侧部分中的比所述第三连接位置更靠上游侧的处理液的目的地在所述第二下游侧部分中的比所述第三连接位置更靠下游侧的部分和所述排液配管之间进行切换,所述控制装置在从所述循环停止待机状态向所述可执行状态转变时执行以下工序:通过开始所述泵的驱动,关闭所述内循环阀,并且以使所述第二下游侧部分中的比所述第三连接位置更靠上游侧的处理液流入所述排液配管的方式驱动所述第一切换单元,将所述第二上游侧部分内的处理液和所述第二下游侧部分内的处理液经由所述排液配管排出。
在基板处理装置的循环停止待机状态下,泵的驱动停止。该状态下,处理液的循环停止,过滤器中的处理液不移动。此时,没有压力施加于过滤器。因此,过滤器的颗粒捕获能力低。因此,在基板处理装置的循环停止待机状态下,被过滤器捕获的颗粒从过滤器向二次侧流出,蓄积于过滤器的二次侧。在颗粒蓄积于过滤器的二次侧的状态下,若开始泵的驱动使处理液的循环开始,则存在蓄积于过滤器的二次侧的颗粒向外循环流路和/或内循环流路的整个区域扩散的担忧。
根据该结构,在从循环停止待机状态向可执行状态转变时,第二上游侧部分内的处理液和第二下游侧部分内的处理液经由排液配管向基板处理装置外排出。由此,能够抑制或防止内循环流路和/或外循环流路被含有颗粒的处理液污染。
在第一方面中,所述基板处理装置还包括选择单元,用户为了选择包括所述循环待机状态和所述循环停止待机状态的多个待机状态中的一个状态而操作所述选择单元。
根据该结构,通过基板处理装置的用户(包括维护担当者等)操作选择单元的操作,能够有选择地执行循环待机状态和循环停止待机状态。
在第一方面中,所述基板处理装置还包括检测单元,所述检测单元检测与所述基板处理装置相关的状态,在所述循环待机状态下由所述检测单元检测出所述状态的情况下,所述控制装置还执行以下工序:停止所述泵的驱动,使所述内循环流路中的处理液的循环停止。
根据该结构,在循环待机状态下由检测单元检测出规定的状态的情况下,停止泵的驱动。即,该情况下,停止内循环流路中的处理液的循环。在循环待机状态下,能够对基板处理装置进行维护作业。在产生基板处理装置相关的规定的状态的情况下,有时不希望继续进行该维护作业。
因此,采用能够检测规定的状态的结构,在产生这种规定的状态时,通过停止内循环流路中的之后的处理液的循环,能够事先防止产生不希望的现象。
在第一方面中,所述基板处理装置包括多个所述处理单元,所述外循环配管包括第一循环配管,所述第一循环配管向多个所述处理单元共同地供给处理液,所述喷出口连通配管包括多个供给配管,多个所述供给配管与多个所述处理单元一对一地对应。
根据该结构,通过使与处理单元一対一对应地设置的供给配管与第一循环配管分支连接,流经第一循环流路的处理液经由供给配管向处理单元供给。
本发明的第二方面提供一种基板处理装置,其中,处理单元,具有向基板喷出处理液的喷出口;处理液罐,贮存向所述喷出口供给的处理液;外循环配管,包括与所述处理液罐连接的上游端和下游端,所述外循环配管与所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的外循环流路;泵,向所述外循环配管送出所述处理液罐内的处理液;喷出口连通配管,在第一连接位置与所述外循环配管分支连接,并与所述喷出口连通;内循环配管,在比所述第一连接位置更靠上游侧的第二连接位置与所述外循环配管分支连接,所述内循环配管与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠上游侧的部分即第二上游侧部分和所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的内循环流路,使从所述外循环配管供给的处理液返回到所述处理液罐;第一过滤器和第二过滤器,所述第一过滤器和所述第二过滤器分别安装于第一并联配管和第二并联配管,所述第一并联配管和所述第二并联配管是所述第二上游侧部分的一部分,且在比所述第二连接位置更靠上游侧彼此并联连接;第二切换单元,将比所述第一并联配管的上游端和第二并联配管的上游端彼此连接的第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地在所述第一并联配管和所述第二并联配管之间进行切换;以及控制装置,在从所述泵的驱动停止的状态开始所述泵的驱动时,控制所述第二切换单元,将比所述第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地设定为所述第二并联配管,之后,控制所述第二切换单元,将比所述第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地切换到所述第一并联配管。
在泵的驱动停止的状态下,有时进行设备的更换、配管的改造等。在进行改造等后有时在设备等附着有颗粒。该状态下,若因泵的驱动开始而处理液的循环开始,则附着于设备等的大量的颗粒向过滤器供给,存在产生过滤器堵塞的担忧。结果,过滤器的颗粒捕获能力降低,存在颗粒从过滤器漏出的担忧。
根据该结构,在泵的驱动开始时,将比第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地设定为第二并联配管。若从此经过规定时间,则比第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地被切换到第一并联配管。即,在泵的驱动开始时和在此之后,将捕获第二上游侧部分内的处理液中的颗粒的过滤器在第一过滤器和第二过滤器之间进行切换。在泵的驱动开始时,通过利用与通常使用的第一过滤器不同的第二过滤器捕获颗粒,能够抑制通常使用的第一过滤器产生堵塞。由此,能够抑制或防止颗粒从第一过滤器漏出。故而,能够向处理单元供给颗粒含量少的净化的处理液(优选,不含颗粒的净化的处理液)。
该情况下,优选第一过滤器在过滤性能上与第二过滤器不同。尤其,优选第二过滤器的网眼大于第一过滤器的网眼。若第一过滤器的孔径小,则在第一过滤器的孔内捕获的颗粒在该孔中所占的比例变大,因此第一过滤器的网眼容易堵塞。
该情况下,在泵的驱动开始时,能够利用第二过滤器捕获比较大的颗粒,在此之外,利用第一过滤器捕获比较小的颗粒。因此,在泵的驱动开始时,能够利用第二过滤器抑制捕获的颗粒量,因此能够抑制第二过滤器的网眼堵塞和颗粒从第二过滤器漏出。
本发明的第三方面提供一种基板处理装置,其中,处理单元,具有向基板喷出处理液的喷出口;处理液罐,贮存向所述喷出口供给的处理液;外循环配管,包括与所述处理液罐连接的上游端和下游端,所述外循环配管与所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的外循环流路;泵,向所述外循环配管送出所述处理液罐内的处理液;喷出口连通配管,在第一连接位置与所述外循环配管分支连接,并与所述喷出口连通;内循环配管,在比所述第一连接位置更靠上游侧的第二连接位置与所述外循环配管分支连接,所述内循环配管与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠上游侧的部分即第二上游侧部分和所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的内循环流路,使从所述外循环配管供给的处理液返回到所述处理液罐;以及污染状态测量装置,安装于所述第二上游侧部分中的在该第二上游侧部分安装的设备的下游侧设定的设备下游区域,并检测该设备下游区域的污染状态。
根据该结构,利用安装于第二上游侧部分的设备下游区域的污染状态测量装置,测量因设备而产生的颗粒。在污染状态测量装置中,不仅能够测量是否有因设备而产生的颗粒,而且还能够测量因设备而产生的颗粒量。此外,由于污染状态测量装置安装于从设备产生的颗粒流经的设备下游区域,因此能够准确地测量从设备产生的颗粒量。
故而,能够向处理单元供给颗粒含量少的净化的处理液(优选,不含颗粒的净化的处理液)。
在第三方面中,所述基板处理装置包括:多个所述设备,安装于所述第二上游侧部分;以及多个所述污染状态测量装置,与多个所述设备下游区域一对一地对应,安装于所述第二上游侧部分,多个所述设备下游区域与多个所述设备一对一地对应。
根据该结构,污染状态测量装置与各设备下游区域对应地设置。基于多个污染状态测量装置的测量值,能够特定成为颗粒产生源的设备。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括:多个排液配管,在每个所述设备下游区域设置的多个第五连接位置与多个所述设备下游区域分支连接;以及第三切换单元,将所述第二上游侧部分中的比所述第五连接位置更靠上游侧的处理液的目的地在所述第二上游侧部分中的比所述第五连接位置更靠下游侧的部分和与该设备下游区域连接的所述排液配管之间进行切换。
根据该结构,在各设备下游区域分支连接有排液配管。在特定出成为颗粒产生源的设备的情况下,能够经由排液配管向与该设备对应的设备下游区域排出处理液。该情况下,能够将含有颗粒的处理液经由与成为颗粒产生源的设备对应的设备下游区域直接排出。由此,能够抑制或防止颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括:多个所述第三切换单元,与多个所述排液配管一对一地对应;以及控制装置,控制多个所述第三切换单元,所述控制装置在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数超过阈值的情况下,以将该设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述排液配管,将所述第二上游侧部分中的比该设备下游区域更靠上游侧的处理液向所述基板处理装置外排出的方式,控制与该排液配管对应的所述第三切换单元。
根据该结构,在流经设备下游区域的处理液所含的颗粒数(污染状态测量装置的测量值、基于所述测量值计算的计算值)超过阈值的情况下,判断为与该设备下游区域对应的设备是颗粒产生源。而且,通过经由与该设备下游区域对应的排液配管排出含有颗粒的处理液,能够抑制或防止颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括:多个所述第三切换单元,与多个所述排液配管一对一地对应;以及控制装置,控制多个所述第三切换单元,所述控制装置在流经彼此相邻的两个所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数彼此之差超过阈值的情况下,以将颗粒数多的所述设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述排液配管,将所述第二上游侧部分中的比该设备下游区域更靠上游侧的处理液向所述基板处理装置外排出的方式,控制与该排液配管对应的所述第三切换单元。
根据该结构,在流经彼此相邻的所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数(污染状态测量装置的测量值、基于所述测量值计算的计算值)彼此之差超过阈值的情况下,判断为与颗粒数多的设备下游区域对应的设备是颗粒产生源。而且,通过经由与该设备下游区域对应的排液配管排出含有颗粒的处理液,能够抑制或防止颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括:旁通配管,将所述设备下游区域和所述内循环配管连接,所述旁通配管与所述第二上游侧部分中的比所述旁通配管的连接位置更靠上游侧的部分、和所述内循环配管中的比所述旁通配管的连接位置更靠下游侧的部分一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的旁通循环流路;以及第四切换单元,将所述第二上游侧部分中的比连接有所述旁通配管的第六连接位置更靠上游侧的处理液的目的地,在所述第二上游侧部分中的比所述第六连接位置更靠下游侧的部分和该旁通配管之间进行切换。
根据该结构,在各设备下游区域分支连接有将该设备下游区域和内循环配管连接的旁通配管。在特定出成为颗粒产生源的设备的情况下,能够将与该设备对应的设备下游区域内的处理液经由旁通配管导向内循环配管。该情况下,能够将含有颗粒的处理液从与成为颗粒产生源的设备对应的设备下游区域直接导向内循环配管。含有颗粒的处理液因通过安装于旁通配管的过滤器而被净化。由此,能够抑制或防止颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括:多个所述旁通配管;多个所述第四切换单元,与多个所述旁通配管一对一地对应;控制装置,控制多个所述第四切换单元,所述控制装置在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数超过阈值的情况下,以将该设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述旁通配管的方式,控制与该旁通配管对应的所述第四切换单元。
根据该结构,在流经设备下游区域的处理液所含的颗粒数(污染状态测量装置的测量值、基于所述测量值计算的计算值)超过阈值的情况下,判断为与该设备下游区域对应的设备是颗粒产生源。然后,通过将经由与该设备下游区域对应的旁通配管的含有颗粒的处理液导向内循环配管,能够防止或抑制颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散。
在第三方面中,多个所述旁通配管;多个所述第四切换单元,与多个所述旁通配管一对一地对应;控制装置,控制多个所述第四切换单元,所述控制装置在流经彼此相邻的两个所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数彼此之差超过阈值的情况下,以将颗粒数多的所述设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述旁通配管的方式,控制与该旁通配管对应的所述第四切换单元。
根据该结构,在流经彼此相邻的所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数(污染状态测量装置的测量值、根据所述测量值计算的计算值)彼此之差超过阈值的情况下,判断为与颗粒数多的设备下游区域对应的设备是颗粒产生源。而且,通过将经由与该设备下游区域对应的旁通配管的颗粒所含的处理液导向内循环配管,能够防止或抑制颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括:多个所述旁通配管:多个所述第四切换单元,与多个所述旁通配管一对一地对应;控制装置,控制多个所述第四切换单元,多个所述旁通配管在与多个所述旁通配管一对一地对应的多个所述第六连接位置与所述第二上游侧部分连接,所述控制装置在从所述泵的驱动停止的状态开始所述泵的驱动时,以基于药液流动的方向上的多个所述第六连接位置的位置关系,从上游侧依次打开多个所述旁通配管的方式,控制多个所述第四切换单元。
在泵的驱动停止的状态下,有时进行设备的更换、配管的改造等。有时在更换的设备、改造的配管附着有颗粒。该状态下,若通过泵的驱动开始而开始处理液的循环,则存在附着于更换的设备、改造的配管的大量的颗粒向外循环流路和/或内循环流路的整个区域扩散的担忧。
根据该结构,在从泵的驱动停止的状态开始泵的驱动时,从比第六连接位置更靠上游侧的配管开始依次打开旁通配管。因此,能够阶段性地扩大处理液循环的流路。由此,通过依次打开旁通配管,能够一边抑制或防止颗粒向第二上游侧部分的其他部分、内循环配管扩散,一边使处理液在内循环流路中循环。
在第三方面中,所述基板处理装置还包括安装于所述旁通配管的过滤器。
根据该结构,利用过滤器从流经各旁通配管的处理液去除颗粒,使处理液净化。由于在各旁通配管安装有过滤器,因此能够从含有颗粒的处理液高效地去除颗粒。
在第三方面中,所述基板处理装置在所述处理单元中的基板处理执行中,在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数超过阈值的情况下通知异常状态,并且在执行中的基板处理结束后,停止向所述处理单元供给处理液。
根据该结构,在处理单元中的基板处理的执行中,在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数(污染状态测量装置的测量值、基于所述测量值计算的计算值)超过阈值的情况下通知异常。而且,继续执行中的基板处理,在执行中的基板处理结束后,停止向基板处理单元的处理液的供给。
由此,在不极端地降低处理能力的情况下,能够抑制或防止向基板供给含有颗粒的处理液。
在第一~第三方面中,所述泵包括波纹管泵,所述波纹管泵包括:移动构件,能够往复移动地设置;波纹管,一端固定于框体,另一端固定于所述移动构件,在将所述外循环配管和所述内循环配管中的至少一个配管内的处理液向所述基板处理装置外排出的情况下,所述控制装置以所述移动构件的行程时间增加的方式控制所述波纹管泵。
波纹管泵具有捕获从上游侧流出的颗粒、在波纹管的表面产生的颗粒,并储存在波纹管内的性质。而且,由于从波纹管泵逐渐地排出颗粒,因此存在处理液长期被持续地污染的担忧。
根据该结构,通过将波纹管泵的移动构件的行程时间设定为比通常时间更长,使储存于波纹管的颗粒向波纹管泵外排出。在将外循环配管和/或内循环配管内的处理液经由排液配管向基板处理装置外排出的情况下,以波纹管泵的移动构件的行程时间比通常时间更长的方式驱动波纹管泵。由此,能够将波纹管泵内的颗粒向基板处理装置外排出。
此外,能够通过在波纹管泵的驱动开始时执行这种方法,将含有颗粒的处理液从波纹管泵、外循环流路、和内循环流路排出,而且,使净化的处理液在外循环流路和/或内循环流路中循环。由此,能够削减波纹管泵的驱动开始时所需处理液的量。
第一~在第三方面中,所述基板处理装置还可以包括:加热器,安装于所述第二上游侧部分;以及排气部,设置于所述加热器的上游侧和下游侧中的至少一个。
在外循环流路和内循环流路中处理液的循环停止的情况下,有时储存在加热器内的处理液气化。有时因处理液气化而加热器内的压力上升。
根据该结构,由于在加热器的上游侧和下游侧中的一方设置排气部,因此即使在处理液气化的情况下,产生的气体也能够从排气部向加热器外流出,加热器内的压力不上升或几乎不上升。由此,能够抑制或防止在外循环流路和内循环流路中处理液的循环停止的情况下加热器内的压力上升。
本发明中的前述的、或进一步的其他目的、特征和效果,通过参照附图在以下所述的实施方式的说明而变得明确。
附图说明
图1是从上观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意图。
图2的水平地观察所述基板处理装置所具备的处理单元的内部的示意图。
图3的表述所述基板处理装置的硬件的框图。
图4是用于说明利用所述基板处理装置进行的基板处理的一例的工序图。
图5是表示所述基板处理装置的药液供给装置的示意图。
图6是用于说明图5所示的泵结构的图。
图7是用于说明图5所示的过滤器结构的图。
图8是表示图3所示的显示输入装置中的维护画面的一例的图。
图9是用于说明就绪状态的所述药液供给装置中的药液的流动的图。
图10是用于说明循环停止空闲状态的所述药液供给装置中的药液的流动的图。
图11是用于说明循环空闲状态的所述药液供给装置中的药液的流动的图。
图12是用于说明所述基板处理装置的动作状态从就绪状态向空闲状态转变的流程图。
图13是用于说明在循环停止空闲状态下进行的处理的流程图。
图14是用于说明刚刚从循环停止空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
图15是用于说明在循环空闲状态下进行的处理的流程图。
图16是用于说明刚刚从循环空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
图17是用于说明泵的行程时间和附着的颗粒数之间的关系的图。
图18是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置的药液供给装置的示意图。
图19是用于说明就绪状态的所述药液供给装置中的药液的流动的图。
图20是用于说明刚刚从循环停止空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
图21A是表示本发明的第三实施方式的基板处理装置的药液供给装置的示意图。
图21B是表示本发明的第三实施方式的变形例的示意图。
图21C是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置的药液供给装置的示意图。
图22是用于说明在就绪状态的药液供给装置中执行的处理内容的流程图。
图23是用于说明用于特定颗粒产生源的第一方法的流程图。
图24是用于说明用于特定颗粒产生源的第二方法的流程图。
图25是表示本发明的第五实施方式的基板处理装置的药液供给装置的示意图。
图26是用于说明就绪状态的药液供给装置中执行的处理内容的流程图。
图27是用于说明刚刚从循环停止空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
图28是表示图27的下一状态的图。
图29是表示图28的下一状态的图。
具体实施方式
图1是从上观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的示意图。
基板处理装置1是一张一张地处理半导体晶片等圆板状的基板W的单张式装置。基板处理装置1具备:装载埠LP,保持容纳基板W的容纳架C;多个处理单元2,用处理液、处理气体等的处理流体处理从装载埠LP上的容纳架C搬运来的基板W;搬运机械手,在装载埠LP上的容纳架C和处理单元2之间搬运基板W;控制装置3,控制基板处理装置1。
搬运机械手包括:分度器机械手IR,对于装载埠LP上的容纳架C进行基板W的搬入和搬出;中央机械手CR,对于多个处理单元2进行基板W的搬入和搬出。分度器机械手IR在装载埠LP和中央机械手CR之间搬运基板W,中央机械手CR在分度器机械手IR和处理单元2之间搬运基板W搬运。中央机械手CR包括支撑基板W的手部H2,分度器机械手IR包括支撑基板W的手部H1。
基板处理装置1包括容纳后述的喷出阀23等的流体设备的多个(例如四个)流体箱4。处理单元2和流体箱4配置在基板处理装置1的外壁1a内,被基板处理装置1的外壁1a覆盖。容纳后述的药液罐30等的药液箱5配置在基板处理装置1的外壁1a外。药液箱5可以配置在基板处理装置1的侧方,也可以配置在设置有基板处理装置1的洁净室的下方(地下)。
多个处理单元2形成在俯视时以包围中央机械手CR的方式配置的多个(例如四个)塔TW。中央机械手CR能够进入任一个塔TW。各塔TW包括沿着上下层积的多个(例如三个)处理单元2。四个流体箱4分别与四个塔TW对应。药液箱5内的药液经由某一流体箱4,向与该流体箱4对应的塔TW所包括的全部的处理单元2供给。
图2是水平地观察基板处理装置1所具备的处理单元2的内部的示意图。
处理单元2包括:箱型的腔室6,具有内部空间;旋转卡盘10,在腔室6内一边将基板W保持为水平一边使基板W以通过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转;筒状的杯14,接收从基板W排出的处理液。
腔室6包括:箱型的间隔壁8,设置有使基板W通过的搬入搬出口;闸门9,开闭搬入搬出口;FFU7(风扇过滤器单元),在腔室6内形成由过滤器过滤的空气即洁净空气的下降流。中央机械手CR通过搬入搬出口向腔室6搬入基板W,并通过搬入搬出口从腔室6搬出基板W。
旋转卡盘10包括:圆板状的旋转基座12,保持为水平的姿势;多个卡盘销11,在旋转基座12的上方将基板W保持为水平的姿势;旋转马达13,通过旋转卡盘销11和旋转基座12使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。旋转卡盘10并不局限于使多个卡盘销11与基板W的外周面接触的挟持式卡盘,也可以是通过使非器件形成面即基板W的背面(下表面)吸附于旋转基座12的上表面来将基板W保持为水平的真空式卡盘。
杯14包括:筒状的倾斜部14a,朝向旋转轴线A1斜向上延伸;圆筒状的引导部14b,从倾斜部14a的下端部(外端部)向下方延伸;接液部14c,形成向上打开的环状的槽。倾斜部14a包括具有比基板W和旋转基座12大的内径的圆环状的上端。倾斜部14a的上端相当于杯14的上端。杯14的上端在俯视下包围基板W和旋转基座12。
处理单元2包括在上位置(图2所示的位置)和下位置之间使杯14铅垂地升降的杯升降单元15,所述上位置是杯14的上端位于比旋转卡盘10保持基板W的保持位置更靠上方的位置,所述下位置是杯14的上端位于比保持位置更靠下方的位置。在向基板W供给处理液时,杯14配置于上位置。从基板W向外方飞散的处理液被倾斜部14a接收后,由引导部14b收集到接液部14c。
处理单元2包括朝向由旋转卡盘10保持的基板W的上表面向下方喷出冲洗液的冲洗液喷嘴16。冲洗液喷嘴16与安装有冲洗液阀18的冲洗液配管17连接。处理单元2可以具备在处理位置和退避位置之间使冲洗液喷嘴16水平地移动的喷嘴移动单元,所述处理位置是向基板W供给从冲洗液喷嘴16喷出的冲洗液的位置,所述退避位置是冲洗液喷嘴16在俯视下从基板W离开的位置。
若打开冲洗液阀18,则冲洗液从冲洗液配管17向冲洗液喷嘴16供给,并从冲洗液喷嘴16喷出。冲洗液例如是纯水(去离子水:DIW(Deionized water))。冲洗液并不局限于纯水,也可以是碳酸水、电解离子水、含氢水、臭氧水、氨水(例如0.1~100ppm)和稀释浓度(例如,10~100ppm左右)的盐酸水中的一种液体。
处理单元2包括具有喷出口21a的喷出喷嘴21,所述喷出口21a朝向由旋转卡盘10保持的基板W的上表面向下方喷出药液。喷出喷嘴21与安装有喷出阀23的供给配管(喷出口连通配管)22连接。对于喷出喷嘴21的药液供给和停止药液供给通过喷出阀23进行切换。
若打开喷出阀23,则从供给配管22向喷出喷嘴21供给药液,从喷出喷嘴21的喷出口21a喷出药液。向喷出喷嘴21供给的药液是IPA等的有机溶剂。此外,向喷出喷嘴21供给的药液也可以是SPM(硫酸和双氧水的混合液)、硫酸等的含硫酸液体。另外,向喷出喷嘴21供给的药液也可以是含有硝酸、盐酸、氢氟酸、磷酸、乙酸、氨水、双氧水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如,TMAH:四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、和防腐剂中的至少一种液体。也可以向喷出喷嘴21供给除此之外的液体。
喷出阀23在喷出执行状态和喷出停止状态之间进行切换,在所述喷出执行状态下执行从供给配管22向喷出喷嘴21供给药液,在所述喷出停止状态下停止从供给配管22向喷出喷嘴21供给药液。喷出停止状态可以是阀芯从阀座离开的状态。虽未图示,喷出阀23包括:阀主体,包括包围药液流动的内部流路的环状的阀座;阀芯,配置在内部流路并相对于阀座能够移动。喷出阀23可以是利用气压变更开度的气动阀(air operated valve),也可以是利用电力变更开度的电动阀。除非另有说明,否则对于其他阀也相同。
处理单元2包括使喷出喷嘴21在处理位置和退避位置之间水平地移动的喷嘴移动单元26,所述处理位置是向基板W的上表面供给从喷出喷嘴21的喷出口21a喷出的药液的位置,所述退避位置是喷出喷嘴21在俯视下从基板W离开的位置。喷嘴移动单元26例如是使喷出喷嘴21在杯14的周围以铅垂地延伸的摆动轴线A2为中心水平移动的转动单元。
图3是表示基板处理装置1的硬件的框图。
控制装置3是包括计算机本体3a和与计算机本体3a连接的周边装置3d的计算机。计算机本体3a包括执行各种命令的CPU3b(central processing unit:中央处理装置)和存储信息的主存储装置3c。周边装置3d包括存储程序P等的信息的辅助存储装置3e、从可移动介质RM读取信息的读取装置3f和与主计算机HC等的其他装置进行通信的通信装置3g。
控制装置3与显示输入装置(选择单元)3h连接。显示输入装置3h在用户、维护担当者等的操作者向基板处理装置1输入信息时被操作。信息显示在显示输入装置3h的画面。显示输入装置3h可以是例如触摸面板式的显示装置。输入装置和显示装置也可以彼此分离地设置。输入装置可以是键盘、指示器件、和触摸面板中的一个,也可以是除此之外的装置。
CPU3b执行辅助存储装置3e中存储的程序P。辅助存储装置3e内的程序P可以预先安装于控制装置3,也可以通过读取装置3f从可移动介质RM向辅助存储装置3e输送,也可以从主计算机HC等的外部装置通过通信装置3g向辅助存储装置3e输送。
辅助存储装置3e和可移动介质RM是即使不供给电力也能够保持存储的非易失性存储器。辅助存储装置3e例如是硬盘驱动器等的磁存储装置。可移动介质RM例如是小型磁盘等的光盘或存储器卡等的半导体存储器。可移动介质RM是存储有程序P的计算机可读取存储介质的一例。可移动介质RM是非暂时性有形存储介质(non-transitory tangiblemedia)。
辅助存储装置3e存储有多个规程。规程是规定基板W的处理内容、处理条件和处理顺序的信息。多个规程在基板W的处理内容、处理条件和处理顺序中的至少一个上彼此不同。控制装置3以根据主计算机HC指定的规程处理基板W的方式控制基板处理装置1。控制装置3以执行之后说明的基板处理例的方式被编程。
图4是用于说明利用基板处理装置1进行的基板W处理的一例的工序图。以下,参照图1、图2和图4。
在利用基板处理装置1处理基板W时,进行向腔室6内搬入基板W的搬入工序(图4的步骤S1)。
具体来说,在喷出喷嘴21从基板W的上方退避,杯14位于下位置的状态下,中央机械手CR(参照图1)一边由手部H2支撑基板W,一边使手部H2进入腔室6内。然后,中央机械手CR以基板W的表面朝上的状态将手部H2上的基板W放置在旋转卡盘10上。旋转马达13在基板W被卡盘销11把持之后,使基板W开始旋转。中央机械手CR在将基板W放置在旋转卡盘10上之后,使手部H2从腔室6的内部退避。
接着,进行向基板W供给药液的药液供给工序(图4的步骤S2)。
具体来说,喷嘴移动单元26使喷出喷嘴21移动至处理位置,杯升降单元15使杯14上升至上位置。然后,打开喷出阀23,喷出喷嘴21开始喷出药液。在喷出喷嘴21喷出药液时,喷嘴移动单元26可以使喷出喷嘴21在从喷出喷嘴21的喷出口21a喷出的药液与基板W的上表面中央部冲突的中央处理位置和从喷出喷嘴21喷出的药液与基板W的上表面外周部冲突的外周处理位置之间移动,也可以以使喷出喷嘴21以药液的着落位置位于基板W的上表面中央部的方式静止。
从喷出喷嘴21喷出的药液与基板W的上表面冲突之后,沿着旋转的基板W的上表面向外流动。由此,形成覆盖基板W的上表面整个区域的药液的液膜,向基板W的上表面整个区域供给药液。特别地,在喷嘴移动单元26使喷出喷嘴21在中央处理位置和外周处理位置之间移动的情况下,基板W的上表面整个区域被药液的着落位置扫描,因此向基板W的上表面整个区域均匀地供给药液。由此,基板W的上表面被均匀地处理。若从喷出阀23打开起经过规定时间,则关闭喷出阀23,停止从喷出喷嘴21喷出药液。然后,喷嘴移动单元26使喷出喷嘴21移动至退避位置。
接着,进行向基板W的上表面供给冲洗液的一例即纯水的冲洗液供给工序(图4的步骤S3)。
具体来说,打开冲洗液阀18,冲洗液喷嘴16开始喷出纯水。着落到基板W的上表面的纯水沿着旋转的基板W的上表面向外流动。基板W上的药液被从冲洗液喷嘴16喷出的纯水冲洗。由此,形成覆盖基板W的上表面整个区域的纯水的液膜。若从打开冲洗液阀18起经过规定时间,则关闭冲洗液阀18,停止喷出纯水。
接着,进行借助基板W的高速旋转使基板W干燥的干燥工序(图4的步骤S4)。
具体来说,旋转马达13使基板W向旋转方向加速,使基板W以比药液供给工序和冲洗液供给工序中的基板W的旋转速度大的高旋转速度(例如数千rpm)旋转。由此,从基板W去除液体,使基板W干燥。若从基板W开始高速旋转起经过规定时间,则旋转马达13停止旋转。由此,使基板W停止旋转。
接着,进行将基板W从腔室6搬出的搬出工序(图4的步骤S5)。
具体来说,杯升降单元15使杯14下降至下位置。然后,中央机械手CR(参照图1)使手部H2进入腔室6内。在多个卡盘销11解除基板W的把持之后,中央机械手CR由手部H2支撑旋转卡盘10上的基板W。然后,中央机械手CR一边由手部H2支撑基板W,一边使手部H2从腔室6的内部退避。由此,将处理完的基板W从腔室6搬出。
图5是表示基板处理装置1的药液供给装置CS1的示意图。图6是用于说明泵37结构的图。图7是用于说明过滤器39结构的图。在图5中,将流体箱4用点划线表示,将药液箱5用双点划线表示。配置在由点划线包围的区域的构件配置在流体箱4内,配置在由双点划线包围的区域的构件配置在药液箱5内。
基板处理装置1的药液供给装置CS1包括:药液罐(处理液罐)30,贮存向基板W供给的药液;多个循环配管,使药液罐30内的药液循环。
如图5所示,多个循环配管包括:第一循环配管(外循环配管)31,上游端31a和下游端31b与药液罐30连接;回流配管即第二循环配管(内循环配管)32,与第一循环配管31分支连接,使第一循环配管31内的药液回流至药液罐30。第一循环配管31包括:上游侧部分(第二上游侧部分)33,位于比连接有第二循环配管32的连接位置P2(第二连接位置)更靠上游侧的位置;下游侧部分(第二下游侧部分)34,位于比连接位置P2更靠下游侧的位置。在图5的例子中,由药液罐30和第一循环配管31形成使药液罐30内的药液循环的第一循环流路C1。在图5的例子中,由药液罐30、上游侧部分33和第二循环配管32形成使药液罐30内的药液循环的第二循环流路C2。在图5的例子中,第一循环流路C1除了配置在药液箱5之外,还配置在流体箱4中,第二循环流路C2仅配置在药液箱5中。
在第一实施方式中,第一循环流路C1构成外循环流路,第二循环流路C2构成在外循环流路的内侧循环的内循环流路。
在图5的例子中,第一循环流路C1构成延伸至流体箱4的外循环流路。第一循环流路C1向多个处理单元2分别供给药液。具体来说,多个供给配管(喷出口连通配管)22与第一循环配管31连接,从第一循环配管31分支。多个供给配管22与多个处理单元2一对一地对应。从第一循环流路C1向供给配管22供给的药液向与该供给配管22对应的处理单元2供给。
此外,在图5的例子中,第一循环配管31包括:共通配管35,从药液罐30向下游延伸;多个独立配管36,从共通配管35分支。共通配管35的上游端相当于第一循环配管31的上游端。共通配管35的上游端与药液罐30连接。各独立配管36的下游端相当于第一循环配管31的下游端。各独立配管36的下游端与药液罐30连接。第一循环配管31的上游侧部分33包括于共通配管35。连接位置P2设置于共通配管35。因此,第二循环配管32与共通配管35连接。第一循环配管31的下游侧部分34包括共通配管35的一部分和多个独立配管36。
多个独立配管36分别与多个塔TW对应。图5表示一个独立配管36整体和剩余三个独立配管36的一部分(上游端部和下游端部)。图5表示同一塔TW所包括的三个处理单元2。与同一塔TW所包括的三个处理单元2对应的三个供给配管22与同一独立配管36连接。换言之,供给配管22分支连接在第一循环配管31中的在比连接位置P2更靠下游侧设定的连接位置(第一连接位置)P1。
各独立配管36安装有用于开闭该独立配管36的第一循环阀40。在第一循环阀40关闭的状态下,共通配管35中流动的药液不被导向各独立配管36(即,上游侧部分33中流动的药液不被导向下游侧部分34)。另外,通过打开第一循环阀40,共通配管35中流动的药液被导向各独立配管36(即,上游侧部分33中流动的药液被导向下游侧部分34)。
如图5所示,基板处理装置1的药液供给装置CS1包括:泵37,将药液罐30内的药液向第一循环配管31输送;加热器38,加热药液罐30内的药液,调整药液罐30内的药液温度;过滤器39,从第一循环配管31中流动的药液去除异物。在上游侧部分33从药液罐30侧依次安装泵37、加热器38和过滤器39。加热器38加热上游侧部分33中流动的药液。虽未图示,但是在上游侧部分33可以安装有流量计和温度传感器中的至少一个。虽未图示,但是在供给配管22也可以安装有流量计、流量调整单元和加热器中的至少一个。虽未图示,但是在连接位置P1的下游侧和后述的连接位置P3的上游侧,也可以安装有流量计、流量调整单元。
泵37例如是波纹管泵。该情况下,如图6所示,在泵37内划分形成有一侧泵室44和另一侧泵室45。一侧泵室44由一侧的缸盖41、泵头42和在缸盖41和泵头42之间安装的缸体43形成。另一侧泵室45由另一侧的缸盖41、泵头42和在缸盖41和泵头42之间安装的缸体43形成。
泵37还包括:大致圆板状的两个移动构件46,配置在一侧泵室44和另一侧泵室45内;树脂制的两个波纹管47,伸缩自如地形成。各波纹管47的一端与对应的移动构件46连接,各波纹管47的另一端固定于泵头(框体)42。通过波纹管47,在一侧泵室44内彼此隔开地形成有波纹管47外侧一侧的气室48和波纹管47内侧一侧的药液室49。此外,通过波纹管47,在另一侧泵室45内彼此隔开地形成有波纹管47外侧的另一侧气室50和波纹管47内侧的另一侧药液室51。在泵头42设置有:一侧药液导入口55,用于向一侧药液室49内导入药液;另一侧药液导入口56,向另一侧药液室51内导入药液;药液导出口57,用于从一侧药液室49和另一侧药液室51内导出药液。
若在一侧气室48开放的状态下,向另一侧气室50供气,另一侧气室50内的气压升高,则借助该气压,另一侧泵室45内的移动构件46向泵头42侧移动。由此,另一侧药液室51的容积缩小,另一侧药液室51内的药液向药液导出口57送出。与此联动,一侧泵室44内的移动构件46向缸盖41侧移动。由此,一侧药液室49的容积扩大,从一侧药液导入口55向一侧药液室49吸入药液。
与此相反,若在另一侧气室50开放的状态下,向一侧气室48供气,一侧气室48内的气压升高,则借助气压,一侧泵室44内的移动构件46向泵头42侧移动。由此,一侧药液室49的容积缩小,一侧药液室49内的药液从药液导出口57送出。与此联动,另一侧泵室45内的移动构件46向缸盖41侧移动。由此,另一侧药液室51的容积扩大,从另一侧药液导入口56向另一侧药液室51吸入药液。
这样,通过移动构件46在缸盖41和泵头42之间往复移动,从药液导出口57送出药液,能够将来自药液罐30的药液向第一循环配管31送出。
在驱动状态下,泵37将药液罐30内的药液以恒定的压力持续地输送给第一循环配管31,而与基板处理装置1的动作状态的种类(是就绪状态、循环停止空闲状态、还是循环空闲状态)无关。基板处理装置1也可以具备加压装置来代替泵37,所述加压装置通过使药液罐30内的气压上升来将药液罐30内的药液推向第一循环配管31。泵37和加压装置均是将药液罐30内的药液向第一循环配管31输送的泵的一例。
图5所示,加热器38是产生焦耳热的加热器。在加热器38的上游侧和下游侧中的至少一侧设置有排气部(未图示)。在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中药液循环停止的情况下,有时蓄积在加热器38内的药液气化。但是,由于在加热器38的上游侧和下游侧中的一侧设置排气部,因此即使在药液气化的情况下,产生的气体也会从排气部向加热器38外流出,从而加热器38内的压力不上升或几乎不上升。由此,能够抑制或防止在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中药液循环停止的情况下加热器38内的压力上升。
如图7所示,过滤器39包括过滤器本体61和在内部保持过滤器本体61的壳体62。壳体62能够开闭,过滤器本体61可拆卸地安装于壳体62。过滤器本体61例如是一端封闭的筒状。壳体62的内部被过滤器本体61分隔为一次侧空间(过滤器39的一次侧)X1和二次侧空间(过滤器39的二次侧)X2。一次侧空间X1是过滤器本体61内部的空间。二次侧空间X2是壳体62的内部空间中的、过滤器本体61外侧的空间。
过滤器本体61例如是标准封闭式的过滤器。过滤器39过滤在一次侧空间X1内流通的药液,从该药液中去除颗粒。在过滤器本体61的整个区域形成有多个孔63,多个所述孔63从过滤器本体61的内表面延伸至过滤器本体61的外表面,并在过滤器本体61的厚度方向上贯穿过滤器本体61。孔63在过滤器本体61的厚度方向上观察时例如是正方形,在过滤器本体61的厚度方向上观察时也可以是正方形以外的多边形、圆形、椭圆形。
药液从一次侧空间X1朝向二次侧空间X2流动,通过过滤器本体61的孔63。流经一次侧空间X1的药液所含的颗粒在通过孔63时,被限定孔63的过滤器本体61的壁面所吸附,而被捕获在孔63内。由此,颗粒从药液中被去除。
在这种类型的过滤器39中,过滤器39的颗粒捕获能力随着施加于过滤器39的压力变动而变化。在过滤器39中施加有压力的状态与过滤器39中未施加压力的状态相比较,能够捕获更小的颗粒。而且,随着过滤器39中施加的压力增大,能够捕获进一步更小的颗粒。反过来说,若施加于过滤器39的压力减小,则能够捕获的颗粒变大,过滤器39的颗粒捕获能力降低。即,根据施加于过滤器39的压力变动,过滤器39的颗粒捕获能力发生变化。在过滤器39的颗粒捕获能力变低的情况下,可能存在捕获能力降低之前被过滤器39所捕获的颗粒从过滤器39向二次侧流出的担忧。
此外,在这种类型的过滤器39中,若持续地使用过滤器39而过滤器39捕获的颗粒数逐渐增加,则过滤器39被逐渐堵塞,过滤器39的吸附性能逐渐降低。由此,利用过滤器39的颗粒捕获能力降低。
如图5和图7所示,基板处理装置1的药液供给装置CS1还具备:排气配管64,用于排出过滤器39内的一次侧的气泡(空气);排液配管66,用于排出过滤器39内的液体。排气配管64用于去除成为颗粒的产生原因的过滤器39内的气泡。具体来说,在过滤器39的一次侧(一次侧空间X1内)连接有排气配管64和排液配管66的一端(上游端)。排气配管64的另一端与药液罐30连接。如图5所示,在排气配管64安装有用于开闭排气配管64的排气阀65。排液配管66的另一端与排液罐80连接。在排液配管66安装有用于开闭排液配管66的排液阀67。
如图5所示,基板处理装置1的药液供给装置CS1包括:第二循环阀(内循环阀)70,安装于第二循环配管32;压力调整单元,调整流经第一循环配管31的上游侧部分33的药液的压力。压力调整单元是调整第二循环配管32的开度的开度调整单元。开度调整单元安装于第二循环配管32。在图5的例子中,开度调整单元是调节器(RGE)71。调节器71例如是电动气动调节器。开度调整单元并不局限于调节器71,也可以是安全阀、电动细针阀等的电动阀。此外,开度调整单元也可以与第二循环阀70一体化。
压力调整单元还具备检测上游侧部分33内的药液的压力的压力传感器72。压力传感器72在上游侧部分33上的规定的检测位置P11检测上游侧部分33内的药液的压力。在基板处理装置1的循环空闲状态下,流经过滤器39的药液的压力与检测位置P11的药液的压力大体相等。因此,利用压力传感器72在检测位置P11检测上游侧部分33内的药液的压力可以视为,实质上等同于检测流经过滤器39的药液的压力。如图5所示,检测位置P11可以是过滤器39的上游,也可以是过滤器39的下游。
如图5所示,基板处理装置1的药液供给装置CS1包括储存从药液罐30排出的药液的排液罐80。在药液罐30连接有朝向排液罐80延伸的排出配管81。在排出配管81的中途部分安装有开闭排出配管81的排出阀82。在排出药液罐30内的药液时,打开排出阀82。由此,药液罐30内的药液从药液罐30导向排液罐80,贮存在排液罐80。
在排液罐80连接有排液配管83。通过打开安装于排液配管83的未图示的阀,将排液罐80中贮存的药液向基板处理装置1外的排液处理设备输送,在该排液处理设备中进行排液处理。
在各独立配管36的下游端附近(即,第一循环配管31的下游端附近)分支连接有分支排液配管(排液配管)85的一端。分支排液配管85的另一端与排液罐80连接。在分支排液配管85的中途部分安装有用于开闭分支排液配管85的分支排液阀86。在各独立配管36中,在比分支排液配管85的连接位置(第三连接位置)P3更靠下游侧安装有用于开闭独立配管36的回流阀89。
分支排液阀86和回流阀89构成第一切换单元。第一切换单元将第一循环配管31的下游侧部分34中比连接位置P3更靠上游侧的药液的目的地在下游侧部分34中的比连接位置P3更靠下游侧的部分和分支排液配管(排液配管)85之间进行切换。第一切换单元可以包括三通阀来代替分支排液阀86和回流阀89,或者除了分支排液阀86和回流阀89之外还包括三通阀。
通过在关闭分支排液阀86的状态下打开回流阀89,流经独立配管36中的比分支排液配管85的连接位置P3更靠上游侧的药液,经由独立配管36中的比连接位置P3更靠下游侧的部分导向药液罐30。另一方面,通过在关闭回流阀89的状态下打开分支排液阀86,流经独立配管36中的比分支排液配管85的连接位置P3更靠上游侧的药液,经由分支排液配管85导向排液罐80。
如图5所示,基板处理装置1的药液供给装置CS1还包括:药液补充配管87,向药液罐30补充新药液(新液),即,未使用的药液;药液补充阀88,用于开闭药液补充配管87。
基板处理装置1的动作状态包括:就绪状态(可执行状态,即运转状态),是在处理单元2中可执行处理的动作状态;空闲状态(待机状态),是在处理单元2中不可执行(未做好准备)处理的动作状态。若因基板处理装置1启动而开始向基板处理装置1供给电力,则基板处理装置1处于空闲状态。然后,通过进行就绪就绪,基板处理装置1转变为就绪状态。在基板处理装置1的就绪状态下,能够实现利用基板处理装置1的基板处理动作(批次处理)。
在需要对基板处理装置1实施维护作业的情况(出错时的检查、设备的更换、消耗品的更换等)下,维护担当者使就绪状态的基板处理装置1转变为空闲状态。然后,维护担当者对空闲状态的基板处理装置1进行维护作业。即,仅在基板处理装置1的空闲状态下,对基板处理装置1进行维护作业。然后,通过在维护作业结束后进行就绪就绪,将基板处理装置1的动作状态转变为就绪状态。
对于药液供给装置CS1而言,基板处理装置1的就绪状态是能够对处理单元2供给药液的状态。对于药液供给装置CS1而言,基板处理装置1的空闲状态是不能对处理单元2供给药液(未做好准备)的动作状态。
基板处理装置1的空闲状态包括:循环停止空闲状态(循环停止待机状态),在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中停止药液的循环;循环空闲状态(循环待机状态),一边在第一循环流路C1中停止药液的循环,一边在第二循环流路C2中继续药液的循环。即,基板处理装置1设置有两种空闲状态。在任一空闲状态下,都维持向基板处理装置1的电力供给。因此,在基板处理装置1的空闲状态下,能够进行维护基板处理装置1各自的驱动部件所需的动作(搬运机械手等的动作)等。
图8是表示显示输入装置3h的维护画面90的一例的图。
在基板处理装置1进行维护作业的情况下,维护担当者操作显示输入装置3h的维护画面90。如图8所示,维护画面90显示有基板处理装置1的用于基板搬运处理的停止操作的按钮、用于恢复到就绪状态而被操作的系统重启按钮91、基板处理装置1的用于停歇(空闲状态化)操作的按钮以及紧急停止按钮92。
基板处理装置1的用于基板搬运处理的停歇操作的按钮包括搬运停止按钮93和循环停止按钮94。在基板处理装置1的就绪状态下,若操作搬运停止按钮93,则基板搬运执行中的中央机械手CR、分度器机械手IR立即停止动作。若操作循环停止按钮94,则结束在该时刻执行中的基板搬运处理后,中央机械手CR、分度器机械手IR停止动作。
基板处理装置1的用于停歇操作的按钮包括用于使基板处理装置1转变为循环停止空闲状态的循环停止空闲按钮95和用于使基板处理装置1转变为循环空闲状态的循环空闲按钮96。若在基板处理装置1的就绪状态下操作循环停止空闲按钮95,则基板处理装置1转变为循环停止空闲状态。若在基板处理装置1的就绪状态下操作循环空闲按钮96,则基板处理装置1转变为循环空闲状态。即,通过维护担当者的维护画面90的操作,执行循环空闲状态和循环停止空闲状态的选择。
图9是用于说明就绪状态的药液供给装置CS1中的药液的流动的图。
在图9的下侧部分示出有两个阀和两个泵。两个阀中的上侧的阀(一部分涂黑的阀)示出了打开阀的状态(图9中标记为“打开”),下侧的阀示出了关闭阀的状态(图9中标记为“关闭”)。两个泵中的上侧的泵(一部分涂黑的泵)示出了泵输送液体的状态(图9中标记为“启动”),下侧的泵示出了泵不输送液体的状态(图9中标记为“停止”)。这在图10、图11、图14、图16、图19、图20、图27~图29中也相同。
在基板处理装置1的就绪状态下,泵37处于驱动状态,第二循环阀70和第一循环阀40被打开。该状态下,排气阀65被打开,排液阀67被关闭。而且,该状态下,回流阀89被打开,分支排液阀86被关闭。该状态下,排出阀82被关闭。
在基板处理装置1的就绪状态下,药液罐30内的药液利用泵37,输送至第一循环配管31的上游侧部分33,通过连接位置P2。由此,药液从上游侧部分33向下游侧部分34流动,从下游侧部分34返回到药液罐30。这期间,药液所含的异物被过滤器39去除。此外,药液罐30内的药液以基于规程成为规定温度的方式被加热器38加热并送入下游侧部分34。由此,药液罐30内的药液维持为比处理单元2内的环境气体的温度(例如20~26℃)更高的恒定的温度并送入下游侧部分34。
第一循环配管31的上游侧部分33内的药液从连接位置P2向下游侧部分34流入,并且从连接位置P2向第二循环配管32流入。向第二循环配管32流入的药液从第二循环配管32的下游端返回到药液罐30。
即,在就绪状态下,药液在第一循环流路C1中循环,并且药液在第二循环流路C2中循环(双循环状态)。
假设,在基板处理装置1的就绪状态下,使第二循环流路C2中的药液停止循环,则在第二循环配管32中药液不移动,存在在第二循环配管32中蓄积颗粒的担忧。为了防止这种颗粒的蓄积,在基板处理装置1的就绪状态下没有停止第二循环流路C2中的药液循环。
图10是用于说明循环停止空闲状态的药液供给装置CS1中的药液的流动的图。
在基板处理装置1的循环停止空闲状态下,泵37处于驱动停止状态。第二循环阀70和第一循环阀40被关闭。其他阀也被关闭。
在循环停止空闲状态下,泵37停止驱动,在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中,药液的循环停止。而且,在循环停止空闲状态下,在第一循环流路C1和第二循环流路C2的中途部分滞留有药液。具体来说,在上游侧部分33的整个区域、下游侧部分34中的第一循环阀40的上游侧、和第二循环配管32中的第二循环阀70的上游侧滞留有药液。当然,明显泵37、加热器38、过滤器39中也滞留有药液。
此时,在过滤器39的二次侧空间X2滞留的药液中很可能含有很多颗粒。其原因可以想到如下原因。即,由于泵37的驱动停止,因此过滤器39中的药液不移动,过滤器39中没有施加药液的压力。因此,利用过滤器39捕获的颗粒向二次侧空间X2流出,蓄积到二次侧空间X2中滞留的药液中。
尤其,在药液是含硫酸液体的情况下,因配管内的药液氧化而产生的颗粒量变多。即使在药液是IPA的情况下,因配管(树脂配管)溶出而产生的颗粒量变多。因此,在药液是含硫酸液体、IPA的情况下,过滤器39的二次侧空间X2中滞留的药液所含的颗粒量进一步变多。
图11是用于说明循环空闲状态的药液供给装置CS1中的药液的流动的图。
在药液供给装置CS1的循环空闲状态下,泵37处于驱动状态。该状态下,第二循环阀70被打开,第一循环阀40被关闭。该状态下,排气阀65被打开,排液阀67被关闭。其他阀被关闭。
上游侧部分33内的药液从连接位置P2不向下游侧部分34流入,仅向第二循环配管32流入。向第二循环配管32流入的药液从第二循环配管32的下游端返回到药液罐30。
即,在循环空闲状态下,药液在第一循环流路C1中不循环,并且药液在第二循环流路C2中循环(单循环状态)。
图12是用于说明从就绪状态向空闲状态的基板处理装置1的动作状态的转变的流程图。
在基板处理装置1的就绪状态下,通过操作用于停歇操作的按钮(步骤S11),基板处理装置1的动作状态从就绪状态向空闲状态转变。具体来说,选择循环停止空闲状态和循环空闲状态中的一个状态,操作与选择的空闲状态对应的按钮(步骤S12)。若操作循环停止空闲按钮95(参照图8),则基板处理装置1转变为循环停止空闲状态。若操作循环空闲按钮96(参照图8),则基板处理装置1转变为循环空闲状态。
若操作循环停止空闲按钮95(步骤S12中为“是”),则控制装置3停止泵37的驱动(步骤S13),并且关闭第一循环阀40和第二循环阀70(步骤S14)。控制装置3还关闭其他阀。由此,基板处理装置1转变为循环停止空闲状态。
另一方面,若操作循环空闲按钮96(步骤S12中为“否”),则控制装置3继续泵37的驱动(步骤S16),并且关闭第一循环阀40(图12中标记为“外循环阀40”)(步骤S17)。而且,控制装置3以流经上游侧部分33的药液的压力与就绪状态下流经上游侧部分33的药液的压力一致或接近的方式控制调节器71(步骤S18)。通过利用调节器71调整第二循环配管32的开度,调整流经上游侧部分33的药液的压力。
具体来说,上游侧部分33的检测位置P11的药液的压力由压力传感器72检测。控制装置3存储就绪状态下的检测位置P11的药液的压力值。而且,控制装置3以使检测位置P11的药液的压力与存储的压力值一致或接近的方式控制调节器71。由此,流经上游侧部分33的药液的压力维持为就绪状态下流经上游侧部分33的药液的压力值或所述压力值的附近值。
由此,基板处理装置1转变为循环空闲状态。
图13是用于说明循环停止空闲状态下进行的处理的流程图。图14是用于说明刚刚从循环停止空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
在基板处理装置1的循环停止空闲状态下,维护担当者进行维护作业(图13的步骤S21)。在循环停止空闲状态下,泵37的驱动停止,循环流路(第一循环流路C1和第二循环流路C2)中的药液的循环停止。因此,在循环停止空闲状态下,维护担当者能够对处理单元2、搬运机械手等进行维护作业。此外,在循环停止空闲状态下,维护担当者能够进行药液供给装置CS1相关的维护作业、即,对流体箱4、药液箱5的内部的设备、配管的维护作业(设备和配管的改造、修理和更换、消耗品的更换。以下,有时将其简称为“设备等的改造等”。)。但是,在循环停止空闲状态下,优选对在循环空闲状态下不能维护的药液箱5的内部的设备、配管进行维护作业。
在基板处理装置1的循环停止空闲状态下,若操作系统重启按钮91(参照图8)(就绪化,图13的步骤S22中为“是”),则基板处理装置1的动作状态转变为就绪状态(图13的步骤S23)。具体来说,如图14所示,控制装置3重启泵37的驱动,并且打开第一循环阀40。此外,控制装置3在刚刚向就绪状态转变后,如图14所示,在关闭回流阀89和排气阀65的状态下打开分支排液阀86和排液阀67。由此,滞留在第一循环流路C1和第二循环流路C2中的药液不返回到药液罐30,而向排液罐80排出。此时的排出期间根据泵37的供给能力、药液粘性、配管直径、配管长度进行设定,使得能够将第一循环流路C1和第二循环流路C2内的全部滞留药液置换为泵37的驱动重启后供给的新药液。
若从打开分支排液阀86起经过规定期间,则控制装置3关闭分支排液阀86和排液阀67,打开回流阀89。由此,恢复到图9所示的就绪状态(图13的步骤S24)。在该就绪状态下,在处理单元2中对基板W进行处理(生产批次处理)。
图15是用于说明在循环空闲状态下进行的处理的流程图。图16是用于说明刚刚从循环空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
以往,作为基板处理装置的空闲状态,没有设置循环空闲状态。因此,在基板处理装置的空闲状态下,停止泵的驱动,停止循环流路中的药液的循环。在泵的驱动停止状态下,由于施加于过滤器的药液的压力为零,因此从过滤器流出颗粒。因此,在循环流路中的药液的循环重启后,循环流路中存在大量的颗粒。因此,需要进行使药液在循环流路中预备地循环的预备循环、更换循环流路内的药液的冲洗。但是,这种预备循环、冲洗需要大量的时间。不仅如此,在冲洗中还消耗大量的药液。
在基板处理装置1的循环空闲状态下,由于不停止泵37的驱动,因此从循环空闲状态重启后无需进行预备循环、冲洗。
在基板处理装置1的循环空闲状态下,维护担当者进行维护作业(图15的步骤S31)。在循环空闲状态下,驱动泵37,在第二循环流路C2中进行药液的循环,但是在第一循环流路C1中停止药液的循环。因此,维护担当者在循环空闲状态下能够对处理单元2、搬运机械手等进行维护作业。此外,维护担当者在循环空闲状态下能够进行药液供给装置CS1相关的维护作业、即,对流体箱4的内部的设备、配管、消耗品等的维护作业(设备等的改造等)。
但是,在循环空闲状态下,在循环流路的一部分中药液循环时,进行维护作业。在关于药液供给装置CS1产生规定的状态的情况下,根据该状态的种类,有时不希望继续进行该维护作业。因此,在循环空闲状态下,准备有硬互锁。
具体来说,药液箱5设置有:检测传感器(检测单元)100(参照图3),用于检测药液箱5的罩(未图示)的开放;检测传感器(检测单元)101(参照图3),用于检测药液箱5内的漏液的产生。在循环空闲状态下,利用控制装置3监控检测传感器100、101是否检测。若利用检测传感器100、101检测药液箱5的罩的开放、药液箱5内的漏液的产生,则控制装置3停止泵37的驱动,使检测后的第二循环流路C2中的药液的循环停止。由此,能够事先防止不希望的现象的产生。
在循环空闲状态下进行维护作业时,在维护担当者操作紧急停止按钮92(参照图8)的情况下,控制装置3停止泵37的驱动,使紧急停止按钮92被操作后的第二循环流路C2中的药液的循环停止。
在基板处理装置1的循环空闲状态下,若操作系统重启按钮91(参照图8)(就绪就绪、图15的步骤S32中为“是”),则基板处理装置1的动作状态转变为就绪状态(图15的步骤S33)。具体来说,如图16所示,控制装置3打开第一循环阀40。此外,控制装置3在刚刚向就绪状态转变后,如图16所示,在回流阀89关闭的状态下打开分支排液阀86。由此,上游侧部分33和下游侧部分34中滞留的药液不返回到药液罐30,而向排液罐80排出。通过在泵37继续驱动的状态下打开第一循环阀40,重启第一循环流路C1中的药液的循环,因此从重启药液的循环开始,能够使提供循环压力的药液向下游侧部分34流入。由此,能够与从循环停止空闲状态恢复的情况(图14所示的状态)比较,将从循环空闲状态向就绪状态转变时排液所需的排液时间大幅地缩短(例如,约1/5~约1/10)
若从打开分支排液阀86起经过规定期间,则控制装置3关闭分支排液阀86和排液阀67,打开回流阀89。由此,恢复到图9所示的就绪状态(图15的步骤S34)。该就绪状态下,在处理单元2中对基板W进行处理(生产批次处理)。
如上所述,根据第一实施方式,以在基板处理装置1的循环空闲状态中(仅在第二循环流路C2中药液循环的单循环状态中)流经上游侧部分33的药液的压力,与在基板处理装置1的就绪状态中(在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中药液循环的双循环状态中)流经上游侧部分33的药液压力一致或接近的方式控制调节器71。在基板处理装置1的循环空闲状态(单循环状态)中施加于过滤器39的压力,与在基板处理装置1的就绪状态(双循环状态)中施加于过滤器39的压力一致或接近,因此能够将过滤器39的颗粒捕获能力保持为恒定或接近,而与基板处理装置1的动作状态是循环空闲状态还是就绪状态无关。
由此,随着施加于过滤器39的压力的变化,能够抑制或防止捕获的颗粒从过滤器39漏出。故而,能够向处理单元2供给颗粒含量少的净化的药液(优选,不含颗粒的净化的药液)。
此外,在第一实施方式中,通过利用调节器71调整第二循环配管32的开度,调整流经上游侧部分33的药液的压力。由此,利用简单的结构,能够调整流经上游侧部分33的药液的压力。
此外,在循环空闲状态下,在第一循环流路C1中药液不循环,在第二循环流路C2中药液循环。因此,在维护作业的对象部位是不影响第二循环流路C2中的药液循环的部位的情况(例如,对处理单元2、搬运机械手等的维护作业的情况)下,能够一边将基板处理装置1设定为循环空闲状态,一边对药液供给装置CS1、处理单元2进行维护作业。
另一方面,在维护对象是影响第二循环流路C2中的药液循环的部位的情况下,不能一边使药液在第二循环流路C2中循环,一边进行维护作业。因此,该情况下,将基板处理装置1的动作状态设定为循环停止空闲状态。
这样,通过根据维护部位区分使用多个空闲状态,能够缩短泵37停止的期间。目前,对基板处理装置1的维护大部分都将不影响第二循环流路C2中的药液循环的部位作为对象。因此,通过采用循环空闲状态作为基板处理装置1的空闲状态,能够显著地提高基板处理装置1的运转率。
但是,在第一实施方式中,在从空闲状态(循环停止空闲状态和/或循环空闲状态)向就绪状态恢复后排液时,可以将泵37的移动构件46的行程时间(移动构件46(参照图6)的一次往复动作所需的时间)设为比空闲状态、就绪状态长。换言之,可以将从空闲状态向就绪状态恢复后排液时的移动构件46的行程时间设为比除此之外的状态即空闲状态、就绪状态等的稳定状态下的行程时间长。
由于泵37(波纹管泵)的波纹管47除了表面积(即,与药液的接触面积)大之外还是由树脂制成的,因此容易产生颗粒。另一方面,由于泵37(波纹管泵)的结构上的特性,具有捕获产生的颗粒并储存在波纹管47内的性质。而且,根据就绪状态中泵37的驱动,从波纹管47内逐渐地排出颗粒,从而存在在循环流路(第一循环流路C1和/或第二循环流路C2)中循环的药液长期被污染的担忧。
图17是用于说明泵37的行程时间和附着的颗粒数之间的关系的图。在图17中,泵37的循环压和循环流量分别设为恒定。
通过将泵37的移动构件46的行程时间设为比正常的行程时间(1.5秒)更长(2.0秒),能够将在此之前储存在泵37的波纹管47内的颗粒有效地排出到泵37外。
在向就绪状态恢复后,将第一循环流路C1和/或第二循环流路C2内的药液向药液供给装置CS1外排出的情况下,控制装置3以泵37的移动构件46的行程时间变得比空闲状态、就绪状态长的方式,控制泵37。由此,能够减少储存在泵37内的颗粒量,故而,能够减少向基板W供给的药液所含的颗粒。
图18是表示本发明的第二实施方式的基板处理装置201的药液供给装置CS2的示意图。
在第二实施方式中,与前述的第一实施方式共通的部分标注与图1~图17的情况相同的附图标记,并省略说明。
第二实施方式的药液供给装置CS2与第一实施方式的药液供给装置CS1的主要差异点在于,在上游侧部分33的中途部分设置第一并联配管211A和第二并联配管211B,在第一并联配管211A和第二并联配管211B分别安装有第一过滤器239A和第二过滤器239B。第二过滤器239B是向就绪状态转变时专用的过滤器。以下,具体地说明。
如上所述,第一循环配管31包括:上游侧部分33,比连接位置P2更靠上游侧;下游侧部分34,比连接位置P2更靠下游侧。第二循环配管32在连接位置P2从第一循环配管31分支。在第二实施方式中,第一循环配管31在药液罐30和连接位置P2之间的连接位置P4分支成两个,而且,在连接位置P4和连接位置P2之间的位置集合。上游侧部分33包括并联连接的第一并联配管211A和第二并联配管211B。第一并联配管211A和第二并联配管211B的上游端在连接位置P4彼此连接。第一并联配管211A和第二并联配管211B的下游端在连接位置P4和连接位置P2之间的位置彼此连接。
在第一并联配管211A安装有第一过滤器239A和用于开闭第一并联配管211A的第一并联阀212A。在第二并联配管211B安装有第二过滤器239B和用于开闭第二并联配管211B的第二并联阀212B。第一过滤器239A和第二过滤器239B是与过滤器39(参照图7)相同的过滤器。
第一并联阀212A和第二并联阀212B构成第二切换单元。第二切换单元将上游侧部分33中比连接位置P4更靠上游侧的药液的目的地在第一并联配管211A和第二并联配管211B之间进行切换。第二切换单元可以具备三通阀来代替第一并联阀212A和第二并联阀212B,也可以除了第一并联阀212A和第二并联阀212B之外还具备三通阀。
在第二并联阀212B关闭的状态下打开第一并联阀212A。由此,流经上游侧部分33中比第一并联配管211A和第二并联配管211B的连接位置P4更靠上游侧的药液被导向第一并联配管211A并通过第一过滤器239A。
另一方面,在第一并联阀212A关闭的状态下打开第二并联阀212B。由此,流经上游侧部分33中比第一并联配管211A和第二并联配管211B的连接位置P4更靠上游侧的药液被导向第二并联配管211B并通过第二过滤器239B。
第一过滤器239A在过滤性能上与第二过滤器239B不同。第二过滤器239B的孔63(参照图7)的直径比第一过滤器239A的孔63(参照图7)的直径大。即,当第一过滤器239A的孔径小时,在第一过滤器239A的孔63内捕获的颗粒在孔63中所占比例变大,因此第一过滤器239A容易产生堵塞。
在图18的例子中,省略了排气配管,但是也可以在各过滤器239A、239B设置有与排气配管64(参照图5)相同的排气配管。此外,也可以在各过滤器239A、239B设置有与排液配管66(参照图5)相同的排液配管。
图19是用于说明就绪状态的基板处理装置201中的药液的流动的图。图20是用于说明刚刚从循环停止空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
如图19所示,基板处理装置201的就绪状态下的药液的流动成为与第一实施方式的基板处理装置1的就绪状态(参照图9)相同的流动。另外,如图19所示,在基板处理装置201的就绪状态中,控制装置3关闭第二并联阀212B并且打开第一并联阀212A。由此,在就绪状态下,流经上游侧部分33中的比第一并联配管211A和第二并联配管211B的连接位置P4(第四连接位置)更靠上游侧的药液被导向第一并联配管211A并通过第一过滤器239A。
另一方面,在基板处理装置201的循环停止空闲状态下也成为与第一实施方式的基板处理装置1的循环停止空闲状态(参照图10)相同的流动。在循环停止空闲状态下,停止泵37的驱动,因此在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中药液的循环停止。
在循环停止空闲状态下,在第一循环流路C1和第二循环流路C2双方中药液的循环停止,因此进行对药液箱5的内部的设备等(设备、配管、消耗品等)的维护作业。在这种维护作业中,包括在上游侧部分33对比过滤器239A、239B配置在上游的设备进行改造等(改造、修理和更换)。有时在进行改造等的设备等中附着有颗粒。该状态下,若从泵37的驱动开始起开始药液的循环,则设备等中附着的大量的颗粒向过滤器239A、239B供给的结果,过滤器239A、239B产生堵塞,从而该过滤器239A、239B的颗粒捕获能力降低。结果,存在颗粒从过滤器239A、239B漏出的担忧。
如图20所示,在从循环停止空闲状态向就绪状态转变时,控制装置3关闭第一并联阀212A并且打开第二并联阀212B。由此,在上游侧部分33流经比第一并联配管211A和第二并联配管211B的连接位置P4更靠上游侧的药液被导向第二并联配管211B并通过第二过滤器239B。
若从向就绪状态转变起经过规定时间,则控制装置3关闭第二并联阀212B并且打开第一并联阀212A。由此,在上游侧部分33流经比第一并联配管211A和第二并联配管211B的连接位置P4更靠上游侧的药液被导向第一并联配管211A并通过第一过滤器239A。
如上所述,根据第二实施方式,若基板处理装置201转变为就绪状态,则用与就绪状态中使用的第一过滤器239A不同的第二过滤器239B过滤药液,然后,用第一过滤器239A过滤药液。由此,能够抑制第一过滤器239A产生堵塞。由此,能够防止或抑制颗粒从第一过滤器239A漏出。故而,能够向处理单元2供给颗粒含量少的净化的药液(优选,不含颗粒的净化的药液)。
此外,第二过滤器239B的网眼比第一过滤器239A的网眼大,因此在向就绪状态转变时,由第二过滤器239B捕获比较大的颗粒,除此之外,由第一过滤器239A捕获比较小的颗粒。因此,在向就绪状态转变时,能够抑制由第二过滤器239B捕获的颗粒量,因此能够抑制第二过滤器239B堵塞和颗粒从第二过滤器239B漏出。
图21A是表示本发明的第三实施方式的基板处理装置301的药液供给装置CS3的示意图。
在第三实施方式中,与前述的第一实施方式共通的部分标注与图1~图17的情况相同的附图标记,并省略说明。
第三实施方式的药液供给装置CS3与第一实施方式的药液供给装置CS1的主要差异点在于,在各供给配管22的中途部分分支连接有返回配管(外循环配管)302。第三实施方式的外循环配管由第一循环配管31中的比连接位置P1更靠上游侧的部分、供给配管22中的比连接位置P9更靠上游侧的部分和返回配管302构成。第三实施方式的内循环配管由第一循环配管31中的比连接位置P1更靠下游侧的部分构成。第三实施方式的喷出口连通配管由从连接位置P9到喷出口21a的流路构成。
在图21A的例子中,在各供给配管22除了喷出阀23之外,还安装有加热器303、流量计304、流量调整阀305等。返回配管302分支安装于供给配管22中的比流量计304、流量调整阀305、加热器303各自的安装位置更靠下游侧设置的连接位置P9。返回配管302的另一端与药液罐30连接。使药液罐30内的药液循环的第三循环流路C3由药液罐30、第一循环配管31中的比连接位置P1更靠上游侧的部分、供给配管22中的比连接位置P9更靠上游侧的部分和返回配管302形成。在返回配管302的中途部分安装有用于开闭返回配管302的回流阀306。
在第三实施方式中,第三循环流路C3构成外循环流路,第一循环流路C1中的比连接位置P1更靠下游侧的部分构成内循环流路。
在各供给配管22中的比连接位置P9更靠下游侧部分安装有用于开闭该下游侧部分的第二喷出阀307。通过在关闭第二喷出阀307的状态下打开回流阀306,使流经供给配管22中的比连接位置P9更靠上游侧的药液经由返回配管302导向药液罐30。另一方面,通过在关闭回流阀306的状态下打开第二喷出阀307,使流经供给配管22中的比连接位置P9更靠上游侧的药液导向喷出喷嘴21的喷出口21a。
在第三实施方式中,如图21A所示,药液供给装置CS3包括调整第三实施方式的上游侧部分33,即,流经第一循环配管31中的比连接位置P1更靠上游侧的部分的药液的压力的压力调整单元。压力调整单元是调整比连接位置P1更靠下游侧的下游侧部分34的开度的开度调整单元。开度调整单元安装于下游侧部分34。在图21A的例子中,开度调整单元是调节器308。调节器308例如是电动气动调节器。开度调整单元并不局限于调节器308,也可以是安全阀、电动细针阀等的电动阀。压力调整单元还具备检测上游侧部分33内的药液的压力的压力传感器72。
与基板处理装置1相同地,作为基板处理装置301的动作状态,准备有就绪状态、循环停止空闲状态和循环空闲状态。在基板处理装置301的就绪状态下,药液在构成外循环流路的第三循环流路C3和构成内循环流路的第一循环流路C1双方中循环(双循环状态)。在基板处理装置301的循环停止空闲状态下,使药液的循环在第三循环流路C3和第一循环流路C1双方中停止。在基板处理装置301的循环空闲状态下,使药液的循环在第三循环流路C3中停止,使药液的循环在第一循环流路C1中继续。无论基板处理装置301是处于就绪状态还是循环空闲状态,药液在第二循环流路C2中循环。在基板处理装置301处于循环停止空闲状态时,药液不在第二循环流路C2中循环。
在基板处理装置301的循环空闲状态下,维护担当者能够对处理单元2、搬运机械手进行维护作业。此外,维护担当者在循环空闲状态下,能够对药液供给装置CS3相关的设备,即,供给配管22和返回配管302、以及安装于供给配管22和返回配管302的设备(例如,喷出阀23、加热器303、流量计304、流量调整阀305、回流阀306、第二喷出阀307)等进行维护作业(改造等)。
以在基板处理装置301的循环空闲状态下(第一循环流路C1中药液循环的单循环状态下)流经上游侧部分33的药液的压力,与在基板处理装置301的就绪状态下(第一循环流路C1和第三循环流路C3双方中药液循环的双循环状态下)流经上游侧部分33的药液的压力一致或接近的方式,控制调节器308。在基板处理装置301的循环空闲状态(单循环状态)下施加于过滤器39的压力与在基板处理装置301的就绪状态(双循环状态)下施加于过滤器39的压力一致或接近,因此能够将过滤器39的颗粒捕获能力保持为恒定或几乎恒定,而与基板处理装置301的动作状态是循环空闲状态还是就绪状态无关。
由此,能够防止随着施加于过滤器39的压力变化,捕获的颗粒从过滤器39漏出。故而,能够向处理单元2供给颗粒含量少的净化的药液(优选,不含颗粒的净化的药液)。
图21B是表示本发明的第三实施方式的变形例的示意图。
图21B所示的变形例与图21A所示的第三实施方式的差异点在于,将连接位置P9配置在各喷出喷嘴21的中途部分,即,处理单元2的内部。在图21B所示的变形例中,供给配管22中的比连接位置P9更靠下游侧的部分构成与喷出口21a连通的喷出口连通配管。在图21B所示的变形例中,第三循环流路C3延伸至喷出喷嘴21的中途部分,即处理单元2的内部。通过使利用加热器加热的药液在第三循环流路C3中循环,能够将高精度地温度控制为所期望的高温的药液从喷出喷嘴21的喷出口喷出。
图21C是表示本发明的第四实施方式的基板处理装置401的药液供给装置CS4的示意图。
在第四实施方式中,与前述的第一实施方式共通的部分标注与图1~图17的情况相同的附图标记,并省略说明。
第四实施方式的药液供给装置CS4与第一实施方式的药液供给装置CS1的主要差异点在于,在上游侧部分33中的在安装于上游侧部分33的设备(例如,泵37、加热器38、过滤器39)的下游侧设定的设备下游区域402,安装有测量该设备下游区域402的污染状态的污染状态测量装置403。
设备下游区域402是上游侧部分33的一部分,包括安装于上游侧部分33的设备的安装位置和该安装位置的下游。在多个设备安装于上游侧部分33的情况下,若将药液流经方向上相邻的两个设备定义为上游设备和下游设备,则从上游设备的安装位置到下游设备的安装位置的区域是与上游设备对应的设备下游区域402。如图21C所示,每个设备(泵37、加热器38、过滤器39)设置有设备下游区域402。
在图21C的例子中,三个设备下游区域402设置于上游侧部分33,三个污染状态测量装置403安装于与第二上游侧部分相当的上游侧部分33。因此,与各设备下游区域402对应地,设置有一个污染状态测量装置403。
污染状态测量装置403测量流经各设备下游区域402的药液所含的颗粒量。具体来说,污染状态测量装置403测量在恒定时间内通过设备下游区域402的药液所含的颗粒数。将由污染状态测量装置403测量的测量结果输入控制装置3。污染状态测量装置403包括例如颗粒计数器、全反射X射线荧光光谱仪(TRXRF)、能量色散X射线光谱仪(EDX:EnergyDispersive X-ray spectrometer)、扫描电子显微镜(SEM:Scanning ElectronMicroscope)、和图像识别异物检查装置中的至少一个。
在各设备下游区域402中分支连接有独立排液配管(排液配管)404。各独立排液配管404的下游端与排液罐80连接。在独立排液配管404安装有用于开闭独立排液配管404的独立排液阀405。
独立排液配管404在连接位置(第五连接位置)P5与上游侧部分33连接。污染状态测量装置403在上游侧部分33的测量位置P12测量污染状态。连接位置P5配置在从对应的各设备(泵37、加热器38、过滤器39)向下游侧隔开规定间隔(例如15厘米)的位置。测量位置P12配置在从对应的各设备(泵37、加热器38、过滤器39)向下游侧隔开小间隔(例如10厘米)的位置。在图21C的例子中,连接位置P5配置在比测量位置P12更靠下游侧的位置。连接位置P5也可以配置在比测量位置P12更靠上游侧的位置。测量位置P12和连接位置P5也可以配置在从对应的各设备(泵37、加热器38、过滤器39)隔开相同间隔的位置。
在各设备下游区域402安装有用于开闭设备下游区域402的设备下游阀406。
在第四实施方式中,由独立排液阀405和设备下游阀406构成第三切换单元。第三切换单元将各设备下游区域402中的比连接位置P5更靠上游侧的药液的目的地在该各设备下游区域402中的比连接位置P5更靠下游侧的部分和独立排液配管404之间进行切换。第三切换单元可以具备三通阀来代替独立排液阀405和设备下游阀406,也可以除了独立排液阀405和设备下游阀406之外还具备三通阀。
在各设备下游区域402中,在安装于该设备下游区域402的设备下游阀406关闭的状态下,通过打开与该设备下游区域402对应的独立排液阀405,使流经设备下游区域402的药液经由与该设备下游区域402对应的独立排液配管404被导向排液罐80。
另一方面,在各设备下游区域402中,在与该设备下游区域402对应的独立排液阀405关闭的状态下,通过打开安装于该设备下游区域402的设备下游阀406,使设备下游区域402内的药液通过设备下游阀406,从该设备下游区域402向下游排出。若设备下游区域402不是最下游的设备下游区域402,则通过设备下游区域402的药液被导向下一设备(图21C的例子中为加热器38或过滤器39)。
图22是用于说明就绪状态的药液供给装置CS4中执行的处理内容的流程图。
在药液供给装置CS4的就绪状态下,控制装置3经常监控流经各设备下游区域402的药液所含的颗粒量(步骤S41)。然后,控制装置3基于由污染状态测量装置403测量的测量结果,特定颗粒产生源(成为颗粒产生源的设备)。
然后,控制装置3特定与特定的颗粒产生源(成为颗粒产生源的设备)对应的设备下游区域402(步骤S42),打开与该设备下游区域402对应的独立排液阀405(步骤S43)。此时,其他独立排液阀405处于依然关闭的状态(步骤S43)。
图23是用于说明用于特定颗粒产生源的第一方法的流程图。
控制装置3基于由污染状态测量装置403测量的测量结果,调查由污染状态测量装置403测量的测量值是否超过预先确定的第一阈值(步骤S51)。然后,在由污染状态测量装置403测量的测量值超过第一阈值的情况下(步骤S51中为“是”),控制装置3将与该污染状态测量装置403对应的设备下游区域402特定为颗粒产生源(步骤S52)。
图24是用于说明用于特定颗粒产生源的第二方法的流程图。
控制装置3基于由污染状态测量装置403测量的测量结果,调查由彼此相邻的污染状态测量装置403测量的测量值的差是否超过第二阈值(步骤S61)。然后,在由彼此相邻的污染状态测量装置403测量的测量值的差超过第二阈值的情况下(步骤S61中为“是”),控制装置3将与测量值高的污染状态测量装置403对应的设备下游区域402特定为颗粒产生源(步骤S62)。
在图23所示的第一方法和图24所示的第二方法中,可以不基于测量值和阈值之间的大小关系,而基于根据测量值运算出的运算值和阈值之间的大小关系来进行颗粒产生源的特定。
根据该第四实施方式,由安装于上游侧部分33的设备下游区域402的污染状态测量装置403测量因设备而产生的颗粒。利用污染状态测量装置403不仅能够测量是否有因设备而产生的颗粒,而且还能测量因设备而产生的颗粒量。此外,由于污染状态测量装置403安装于从设备产生的颗粒通过的设备下游区域402,因此能够准确地测量从设备产生的颗粒量。
故而,能够向处理单元2供给颗粒含量少的净化的药液(优选,不含颗粒的净化的药液)。
此外,污染状态测量装置403与各设备下游区域402对应地设置。能够基于多个污染状态测量装置403的测量值,特定成为颗粒产生源的设备。
此外,在各设备下游区域402分支连接有独立排液配管404。在特定了成为颗粒产生源的设备的情况下,通过经由独立排液配管404排出与该设备对应的设备下游区域402的药液,能够将含有颗粒的药液经由与成为颗粒产生源地设备对应的设备下游区域402直接排液。
在该第四实施方式中,基板处理装置401处于就绪状态,在处理单元2执行基板W的处理时,在流经设备下游区域402的药液所含的颗粒数(污染状态测量装置403的测量值、据此计算的计算值)超过比第一阈值更高的第三阈值的情况下,显示输入装置3h(参照图3)和报警装置(未图示)中的至少一个可以警告药液的污染(异常状态),中止基板处理。在多个设备下游区域402中的颗粒数超过第一阈值的情况下,也可以警告异常状态,中止基板处理。该情况下,在存在执行中的基板处理的情况下,不立即中止,而在之后中止。
这种处理不仅可以在第四实施方式的基板处理中执行,而且也可以在下述的第五实施方式的基板处理中执行。
图25是表示本发明的第五实施方式的基板处理装置501的药液供给装置CS5的示意图。
在第五实施方式中,与前述的第四实施方式共通的部分标注与图21C~图24的情况相同的附图标记,并省略说明。
第五实施方式的药液供给装置CS5与第四实施方式的药液供给装置CS4的主要差异点在于,在各设备下游区域402设置有将设备下游区域402和第二循环配管32连接的旁通配管502,来代替独立排液配管404。另外,没有设置与最下游侧的设备下游区域402对应的旁通配管502。
各旁通配管502的上游端在连接位置(第六连接位置)P61与上游侧部分33连接。各旁通配管502的下游端在连接位置P62与第二循环配管32连接。使药液罐30内的药液循环的旁通循环流路CB1、CB2(参照图27~图28)由旁通配管502、上游侧部分33中的比连接位置P61上游侧的部分、和第二循环配管32中的比连接位置P62下游侧的部分形成。
图25中的上侧的旁通配管502(以下,也称为“上侧旁通配管502”。)的上游端配置在比图25中的下侧的旁通配管502(以下,也称为“下侧旁通配管502”。)的上游端更靠上游的位置。另一方面,上侧的旁通配管502的下游端配置在比下侧的旁通配管502的下游端更靠下游的位置。因此,与药液流动方向相关的多个旁通配管502的上游端彼此的位置关系与药液流动方向相关的多个旁通配管502的下游端彼此的位置关系不同。
在各旁通配管502安装有:旁通阀503,用于开闭该旁通配管502;旁通过滤器504,从流经该旁通配管502的药液中去除异物。旁通过滤器504是与过滤器39(参照图7)相同的过滤器。
在图25的例子中,在各设备下游区域402中,与该设备下游区域402对应的旁通配管502的连接位置P61配置在比由污染状态测量装置403测量的测量位置P12更靠下游侧的位置。更具体来说,旁通配管502的连接位置P61配置在从对应的各设备(泵37、加热器38、过滤器39)向下游侧隔开规定间隔(例如15厘米)的位置。测量位置P12和连接位置P61也可以配置在从对应的各设备(泵37、加热器38、过滤器39)隔开相同间隔的位置。连接位置P61也可以配置在比测量位置P12更靠上游侧的位置。
在第五实施方式中,旁通阀503和设备下游阀406构成第四切换单元。第四切换单元将各设备下游区域402中的比连接位置P61更靠上游侧的药液的目的地在各设备下游区域402中的比连接位置P61更靠下游侧的部分和旁通配管502之间进行切换。第四切换单元还可以具备三通阀来代替旁通阀503和设备下游阀406,或者除了旁通阀503和设备下游阀406之外还包括三通阀。
在各设备下游区域402中,在与该设备下游区域402对应的设备下游阀406关闭的状态下,打开与该设备下游区域402对应的旁通阀503,从而使流经设备下游区域402的药液经由与该设备下游区域402对应的旁通配管502导向第二循环配管32。
另一方面,在各设备下游区域402中,在与该设备下游区域402对应的旁通阀503关闭的状态下,打开与该设备下游区域402对应的设备下游阀406,从而使设备下游区域402内的药液通过设备下游阀406,从该设备下游区域402向下游排出。若设备下游区域402不是最下游的设备下游区域402,则通过设备下游区域402的药液被导向下一设备(图25的例子中为加热器38或过滤器39)。
图26是用于说明就绪状态的药液供给装置CS5中执行的处理内容的流程图。
在药液供给装置CS5的就绪状态下,控制装置3经常监控流经各设备下游区域402的药液所含的颗粒量(步骤S71)。然后,控制装置3基于由污染状态测量装置403测量的测量结果,特定颗粒产生源(成为颗粒产生源的设备)(步骤S72)。作为该用于特定颗粒产生源的方法,能够采用图23所示的第一方法和图24所示的第二方法。
然后,控制装置3特定与特定的颗粒产生源(成为颗粒产生源的设备)对应的设备下游区域402,打开与该设备下游区域402对应的旁通阀503(步骤S73)。此时,除此之外的旁通阀503、第二循环阀70(图23中标记为“内循环阀70”)依然处于关闭的状态(步骤S73)。
根据该第五实施方式,除了与第四实施方式关联叙述的作用效果之外,还能够带来如下作用效果。
即,在各设备下游区域402分支连接有将该设备下游区域402和第二循环配管32连接的旁通配管502。在特定了成为颗粒产生源的设备的情况下,能够将与该设备对应的设备下游区域402内的药液经由旁通配管502直接导向第二循环配管32。该情况下,能够将含有颗粒的药液,从与成为颗粒产生源的设备对应的设备下游区域402直接导向第二循环配管32。含有颗粒的药液,通过安装于旁通配管502的旁通过滤器504而被净化。由此,能够抑制或防止颗粒向上游侧部分33的其他部分、第二循环配管32扩散。
图27~图29是用于说明第五实施方式中的刚刚从循环停止空闲状态向就绪状态转变后的药液的流动的图。
在循环停止空闲状态下,若进行设备的更换、配管的改造等,则有时颗粒附着于更换的设备、改造的配管。该状态下,若转变为就绪状态,使药液在循环流路中开始循环,则存在附着于更换的设备、改造的配管的大量的颗粒,向第一循环流路C1和/或第二循环流路C2的整个区域扩散的担忧。
在从循环停止空闲状态向就绪状态转变时,如图27~图29所示,从连接位置P61位于更靠上游侧的旁通配管502开始依次打开旁通配管502。首先,如图27所示,药液向上游侧的旁通配管502(与泵37对应的旁通配管502)流动。由此,药液在旁通循环流路CB1(参照图27)中循环。
在使流经旁通循环流路CB1的药液净化后,如图28所示,药液向下游侧的旁通配管502(与加热器38对应的旁通配管502)流动。由此,药液在旁通循环流路CB2(参照图28)中循环。
在使流经旁通循环流路CB2的药液净化后,如图29所示,允许药液向第二循环流路C2流入。由此,药液在第二循环流路C2中循环。
在从循环停止空闲状态向就绪状态转变时,通过从连接位置P61位于更靠上游侧的旁通配管502开始依次打开,能够使药液循环的循环流路按照旁通循环流路CB1→旁通循环流路CB2→第二循环流路C2的顺序,阶段性地扩大。由此,能够一边抑制或防止颗粒向上游侧部分33的其他部分、第二循环配管32扩散,一边使药液在第二循环流路C2中循环。
以上,对本发明的五个实施方式进行了说明,但是本发明还可以以其他方式实施。
例如,在第一实施方式中,调节器71可以调整上游侧部分33的开度,而不是第二循环配管32的开度。
在前述的第一和第三实施方式中,压力传感器72可以配置在过滤器39的下游侧。此外,在不检测上游侧部分33的压力,也能够良好地进行利用调节器71的上游侧部分33的压力调整的情况下,也可以省略压力传感器72。
在第一和第三实施方式中,调节器71、308也可以在就绪状态和循环停止空闲状态双方中调整流量。
在第二、第四和第五实施方式中,作为基板处理装置的动作状态,也可以不设置循环空闲状态。
作为向就绪状态转变时排出第一循环流路C1和/或第二循环流路C2内的药液的排出方法,也可以不经由分支排液配管85排出药液,而使药液暂时回到药液罐30,之后排出药液罐30内的药液。
也可以将连接有多个独立配管36的下游配管的下游端与药液罐30连接,来代替第一循环配管31的各独立配管36的下游端与药液罐30连接。
可以将连接有多个返回配管302的返回共通配管的下游端与药液罐30连接,也可以将各返回配管302的下游端与第一循环配管31连接,来代替各返回配管302的下游端与药液罐30连接,
作为泵37,可以采用波纹管泵以外的泵。
贮存在药液罐30的液体并不局限于药液,也可以是冲洗液等的其他液体。
与相同独立配管36连接的供给配管22的数量可以少于2根,也可以是4根以上。
设置于第一循环配管31的独立配管36的数量可以少于3根,也可以是5根以上。
在第一~第五实施方式中,也可以在安装于上游侧部分33的加热器38的下游侧设置排气部600。如图5中虚线所示,排气部600包括溢流配管601、安装于溢流配管601的安全阀602。溢流配管601的上游端与上游侧部分33中的加热器38的下游侧连接。溢流配管601的下游端与排液罐80连接。
在药液(处理液)的循环停止情况下,有时储存在加热器38内的药液(处理液)气化。有时因药液(处理液)的气化而加热器38内的压力上升。
在图5中用虚线所示的变形例中,由于在加热器38的下游侧设置排气部600,因此即使在药液气化的情况下,产生的气体也被排出到排气部600。由此,能够抑制或防止在药液(处理液)的循环停止的情况下加热器38内的压力上升。
在该变形例中,溢流配管601下游端可以与药液罐30连接,而不是与排液罐80连接。此外,排气部600可以设置在加热器38的上游侧,而不是加热器38的下游侧。
基板处理装置1、201、301、401、501并不局限于处理圆板状的基板W的装置,也可以是处理多边形的基板W的装置。
也可以组合前述全部的结构中的两个以上。
对本发明的实施方式详细地进行了说明,但是这些仅是用于明确本发明的技术内容所使用的具体例,本发明不应限定在这些具体例来解释,本发明的精神和范围仅由附加的权利要求书限定。
Claims (22)
1.一种基板处理装置,包括:
处理单元,具有向基板喷出处理液的喷出口;
处理液罐,贮存向所述喷出口供给的处理液;
外循环配管,包括与所述处理液罐连接的上游端和下游端,所述外循环配管与所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的外循环流路;
泵,向所述外循环配管送出所述处理液罐内的处理液;
喷出口连通配管,在第一连接位置与所述外循环配管分支连接,并与所述喷出口连通;
内循环配管,在比所述第一连接位置更靠上游侧的第二连接位置与所述外循环配管分支连接,所述内循环配管与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠上游侧的部分即第二上游侧部分和所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的内循环流路,使从所述外循环配管供给的处理液返回到所述处理液罐;
过滤器,安装于所述第二上游侧部分;
压力调整单元,调整流经所述第二上游侧部分的处理液的压力;以及
控制装置,控制所述压力调整单元,
所述控制装置以在处理液在所述外循环流路中不循环并且处理液在所述内循环流路中循环的单循环状态下流经所述第二上游侧部分的处理液的压力,与在处理液在所述外循环流路和所述内循环流路双方中循环的双循环状态下流经所述第二上游侧部分的处理液的压力一致或接近的方式,控制所述压力调整单元。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述压力调整单元包括调整所述内循环配管的开度的开度调整单元。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
作为所述基板处理装置的动作状态设置有可选择性执行的可执行状态和待机状态,在所述可执行状态下执行所述双循环状态,所述待机状态是与所述可执行状态不同的状态,在所述待机状态下维持向所述基板处理装置的电力供给,
所述待机状态包括实现所述单循环状态的循环待机状态。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述待机状态还包括循环停止待机状态,在所述循环停止待机状态下,一边维持向所述基板处理装置的电力供给,一边停止所述泵的驱动,使所述外循环流路和所述内循环流路中的处理液的循环停止。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
内循环阀,安装于所述内循环配管并开闭所述内循环配管;
排液配管,在第三连接位置与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠下游侧的部分即第二下游侧部分分支连接,从所述第二下游侧部分排出处理液;以及
第一切换单元,将所述第二下游侧部分中的比所述第三连接位置更靠上游侧的处理液的目的地在所述第二下游侧部分中的比所述第三连接位置更靠下游侧的部分和所述排液配管之间进行切换,
所述控制装置在从所述循环停止待机状态向所述可执行状态转变时执行以下工序:
通过开始所述泵的驱动,关闭所述内循环阀,并且以使所述第二下游侧部分中的比所述第三连接位置更靠上游侧的处理液流入所述排液配管的方式驱动所述第一切换单元,将所述第二上游侧部分内的处理液和所述第二下游侧部分内的处理液经由所述排液配管排出。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中,
还包括选择单元,用户为了选择包括所述循环待机状态和所述循环停止待机状态的多个待机状态中的一个状态而操作所述选择单元。
7.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括检测单元,所述检测单元检测与所述基板处理装置相关的状态,
在所述循环待机状态下由所述检测单元检测出所述状态的情况下,所述控制装置还执行以下工序:
停止所述泵的驱动,使所述内循环流路中的处理液的循环停止。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置包括多个所述处理单元,
所述外循环配管包括第一循环配管,所述第一循环配管向多个所述处理单元共同地供给处理液,
所述喷出口连通配管包括多个供给配管,多个所述供给配管与多个所述处理单元一对一地对应。
9.一种基板处理装置,其中,
处理单元,具有向基板喷出处理液的喷出口;
处理液罐,贮存向所述喷出口供给的处理液;
外循环配管,包括与所述处理液罐连接的上游端和下游端,所述外循环配管与所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的外循环流路;
泵,向所述外循环配管送出所述处理液罐内的处理液;
喷出口连通配管,在第一连接位置与所述外循环配管分支连接,并与所述喷出口连通;
内循环配管,在比所述第一连接位置更靠上游侧的第二连接位置与所述外循环配管分支连接,所述内循环配管与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠上游侧的部分即第二上游侧部分和所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的内循环流路,使从所述外循环配管供给的处理液返回到所述处理液罐;
第一过滤器和第二过滤器,所述第一过滤器和所述第二过滤器分别安装于第一并联配管和第二并联配管,所述第一并联配管和所述第二并联配管是所述第二上游侧部分的一部分,且在比所述第二连接位置更靠上游侧彼此并联连接;
第二切换单元,将比所述第一并联配管的上游端和第二并联配管的上游端彼此连接的第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地在所述第一并联配管和所述第二并联配管之间进行切换;以及
控制装置,在从所述泵的驱动停止的状态开始所述泵的驱动时,控制所述第二切换单元,将比所述第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地设定为所述第二并联配管,之后,控制所述第二切换单元,将比所述第四连接位置更靠上游侧的处理液的目的地切换到所述第一并联配管。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,
所述第一过滤器在过滤性能上与所述第二过滤器不同。
11.一种基板处理装置,其中,
处理单元,具有向基板喷出处理液的喷出口;
处理液罐,贮存向所述喷出口供给的处理液;
外循环配管,包括与所述处理液罐连接的上游端和下游端,所述外循环配管与所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的外循环流路;
泵,向所述外循环配管送出所述处理液罐内的处理液;
喷出口连通配管,在第一连接位置与所述外循环配管分支连接,并与所述喷出口连通;
内循环配管,在比所述第一连接位置更靠上游侧的第二连接位置与所述外循环配管分支连接,所述内循环配管与所述外循环配管中的比所述第二连接位置更靠上游侧的部分即第二上游侧部分和所述处理液罐一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的内循环流路,使从所述外循环配管供给的处理液返回到所述处理液罐;
多个设备,安装于所述第二上游侧部分;以及
安装于所述第二上游侧部分的多个污染状态测量装置,设置于所述第二上游侧部分中的多个所述设备的下游侧,与多个设备下游区域一对一地对应,检测多个所述设备下游区域的污染状态,多个所述设备下游区域与多个所述设备一对一地对应。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,还包括:
多个排液配管,在每个所述设备下游区域设置的多个第五连接位置与多个所述设备下游区域分支连接;以及
第三切换单元,将所述第二上游侧部分中的比所述第五连接位置更靠上游侧的处理液的目的地在所述第二上游侧部分中的比所述第五连接位置更靠下游侧的部分和与该设备下游区域连接的所述排液配管之间进行切换。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
多个所述第三切换单元,与多个所述排液配管一对一地对应;以及
控制装置,控制多个所述第三切换单元,
所述控制装置在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数超过阈值的情况下,以将该设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述排液配管,将所述第二上游侧部分中的比该设备下游区域更靠上游侧的处理液向所述基板处理装置外排出的方式,控制与该排液配管对应的所述第三切换单元。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
多个所述第三切换单元,与多个所述排液配管一对一地对应;以及
控制装置,控制多个所述第三切换单元,
所述控制装置在流经彼此相邻的两个所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数彼此之差超过阈值的情况下,以将颗粒数多的所述设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述排液配管,将所述第二上游侧部分中的比该设备下游区域更靠上游侧的处理液向所述基板处理装置外排出的方式,控制与该排液配管对应的所述第三切换单元。
15.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,还包括:
旁通配管,将所述设备下游区域和所述内循环配管连接,所述旁通配管与所述第二上游侧部分中的比所述旁通配管的连接位置更靠上游侧的部分、和所述内循环配管中的比所述旁通配管的连接位置更靠下游侧的部分一同形成使所述处理液罐内的处理液循环的旁通循环流路;以及
第四切换单元,将所述第二上游侧部分中的比连接有所述旁通配管的第六连接位置更靠上游侧的处理液的目的地,在所述第二上游侧部分中的比所述第六连接位置更靠下游侧的部分和该旁通配管之间进行切换。
16.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
多个所述旁通配管;
多个所述第四切换单元,与多个所述旁通配管一对一地对应;
控制装置,控制多个所述第四切换单元,
所述控制装置在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数超过阈值的情况下,以将该设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述旁通配管的方式,控制与该旁通配管对应的所述第四切换单元。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
多个所述旁通配管;
多个所述第四切换单元,与多个所述旁通配管一对一地对应;
控制装置,控制多个所述第四切换单元,
所述控制装置在流经彼此相邻的两个所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数彼此之差超过阈值的情况下,以将颗粒数多的所述设备下游区域内的处理液的目的地切换到所述旁通配管的方式,控制与该旁通配管对应的所述第四切换单元。
18.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括:
多个所述旁通配管:
多个所述第四切换单元,与多个所述旁通配管一对一地对应;
控制装置,控制多个所述第四切换单元,
多个所述旁通配管在与多个所述旁通配管一对一地对应的多个所述第六连接位置,与所述第二上游侧部分连接,
所述控制装置在从所述泵的驱动停止的状态开始所述泵的驱动时,以基于药液流动的方向上的多个所述第六连接位置的位置关系,从上游侧依次打开多个所述旁通配管的方式,控制多个所述第四切换单元。
19.根据权利要求15所述的基板处理装置,其中,
还包括安装于所述旁通配管的过滤器。
20.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中,
在所述处理单元中的基板处理执行中,在流经所述设备下游区域的处理液所含的颗粒数超过阈值的情况下通知异常状态,并且在执行中的基板处理结束后,停止向所述处理单元供给处理液。
21.根据权利要求5、13、14中的任一项所述的基板处理装置,其中,
所述泵包括波纹管泵,所述波纹管泵包括:移动构件,能够往复移动地设置;波纹管,一端固定于框体,另一端固定于所述移动构件,
在将所述外循环配管和所述内循环配管中的至少一个配管内的处理液向所述基板处理装置外排出的情况下,所述控制装置以所述移动构件的行程时间增加的方式控制所述波纹管泵。
22.根据权利要求1-20中的任一项所述的基板处理装置,其中,还包括:
加热器,安装于所述第二上游侧部分;以及
排气部,设置于所述加热器的上游侧和下游侧中的至少一个。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019172455A JP7312656B2 (ja) | 2019-09-24 | 2019-09-24 | 基板処理装置 |
JP2019-172455 | 2019-09-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112619272A CN112619272A (zh) | 2021-04-09 |
CN112619272B true CN112619272B (zh) | 2022-12-20 |
Family
ID=75156351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010823739.8A Active CN112619272B (zh) | 2019-09-24 | 2020-08-17 | 基板处理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7312656B2 (zh) |
KR (1) | KR102391794B1 (zh) |
CN (1) | CN112619272B (zh) |
TW (1) | TWI733546B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6994438B2 (ja) | 2018-07-11 | 2022-01-14 | 信越化学工業株式会社 | 架橋型有機ケイ素樹脂及びその製造方法、ならびに化粧料 |
JP2022161268A (ja) * | 2021-04-08 | 2022-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 |
JP7201882B1 (ja) * | 2021-07-13 | 2023-01-10 | 千代田化工建設株式会社 | 管理システム、管理方法、および管理プログラム |
KR20230038866A (ko) * | 2021-09-13 | 2023-03-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
KR102657375B1 (ko) * | 2021-12-30 | 2024-04-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP2023141806A (ja) | 2022-03-24 | 2023-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 循環装置、循環装置の制御方法 |
JP2023142369A (ja) | 2022-03-25 | 2023-10-05 | 株式会社Screenホールディングス | 循環装置、循環装置の制御方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04192524A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JP2003215002A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006041255A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理システム |
CN108461418A (zh) * | 2017-02-22 | 2018-08-28 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
JP2018157149A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH597894A5 (zh) * | 1975-11-24 | 1978-04-14 | Charles Doucet | |
US5239861A (en) * | 1988-12-23 | 1993-08-31 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Device for indicating contamination degree of hydraulic circuit and method of judging the contamination degree |
KR0141059B1 (ko) * | 1993-09-20 | 1998-06-01 | 코사이 아키오 | 액체공급시스템 액체공급방법 |
JPH10184961A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-07-14 | Sony Corp | 液体処理装置 |
JP3860111B2 (ja) * | 2002-12-19 | 2006-12-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | メッキ装置およびメッキ方法 |
EP1520612A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | PTI Technologies, Inc. | Hydraulic filter assembly with priority valve |
JP4666494B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-04-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
CN100483621C (zh) * | 2006-03-22 | 2009-04-29 | 大日本网目版制造株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP2008080193A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Fujitsu Ltd | 濾過システム及び濾過方法 |
JP5977058B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
GB2515533A (en) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | Vetco Gray Controls Ltd | Monitoring a hydraulic fluid filter |
JP5893592B2 (ja) * | 2013-08-23 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP6385714B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-09-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理装置の洗浄方法及び記憶媒体 |
JP6223906B2 (ja) * | 2014-05-19 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液交換方法および液処理装置 |
JP2016189386A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6916633B2 (ja) * | 2017-02-24 | 2021-08-11 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 |
JP6861553B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-04-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN110520965B (zh) * | 2017-04-06 | 2023-06-02 | 东京毅力科创株式会社 | 供液装置和供液方法 |
JP6876570B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム |
JP6983008B2 (ja) * | 2017-08-28 | 2021-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP6917868B2 (ja) * | 2017-11-15 | 2021-08-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2019
- 2019-09-24 JP JP2019172455A patent/JP7312656B2/ja active Active
-
2020
- 2020-08-07 TW TW109126762A patent/TWI733546B/zh active
- 2020-08-17 CN CN202010823739.8A patent/CN112619272B/zh active Active
- 2020-09-04 KR KR1020200112959A patent/KR102391794B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04192524A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
JP2003215002A (ja) * | 2002-01-17 | 2003-07-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2006041255A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理システム |
CN108461418A (zh) * | 2017-02-22 | 2018-08-28 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
JP2018157149A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210035738A (ko) | 2021-04-01 |
JP7312656B2 (ja) | 2023-07-21 |
JP2021052038A (ja) | 2021-04-01 |
KR102391794B1 (ko) | 2022-04-28 |
TWI733546B (zh) | 2021-07-11 |
TW202114099A (zh) | 2021-04-01 |
CN112619272A (zh) | 2021-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112619272B (zh) | 基板处理装置 | |
CN108461418B (zh) | 基板处理装置 | |
US11260436B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP5173500B2 (ja) | 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置 | |
US11883858B2 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
CN107871692B (zh) | 回收配管清洗方法以及基板处理装置 | |
JP6817860B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI820065B (zh) | 液供給裝置及液供給方法 | |
US20180236510A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR102378913B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2007123393A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20190021418A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20160037786A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5977058B2 (ja) | 処理液供給装置および処理液供給方法 | |
TW201806019A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
US20190240597A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR102103508B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2020088085A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR101933081B1 (ko) | 기판처리장치 및 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법 | |
KR20240045404A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2024091022A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |