KR20240045404A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20240045404A
KR20240045404A KR1020220124013A KR20220124013A KR20240045404A KR 20240045404 A KR20240045404 A KR 20240045404A KR 1020220124013 A KR1020220124013 A KR 1020220124013A KR 20220124013 A KR20220124013 A KR 20220124013A KR 20240045404 A KR20240045404 A KR 20240045404A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
processing
substrate
discharge line
temperature
Prior art date
Application number
KR1020220124013A
Other languages
English (en)
Inventor
이무현
정인용
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220124013A priority Critical patent/KR20240045404A/ko
Publication of KR20240045404A publication Critical patent/KR20240045404A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은, 상기 기판을 반송하는 반송 챔버와 상기 반송 챔버에 연결되고, 상기 기판을 처리하는 복수개의 처리 챔버를 포함하고, 상기 처리 챔버들 각각은, 제1처리액을 배출하는 제1배출라인과 상기 제1처리액보다 고온의 제2처리액을 배출하는 제2배출라인을 포함하며, 상기 제1배출라인은, 온도 센서가 구비되는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 복수개의 드레인 라인 각각에 온도센서와 밸브가 제공되어 비정상적인 처리액 유입시 유입량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판을 처리하는 복수개의 처리 챔버를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체소자는 기판 상에 포토리소그래피(photolithography) 공정을 비롯한 다양한 공정을 따라 회로패턴을 형성하여 제조된다.
이러한 제조과정 중에는 파티클(particle), 유기오염물, 금속불순물 등의 다양한 이물질이 발생하게 되는데, 이는 기판에 결함(defect)을 유발하여 반도체소자의 수율에 직접적인 영향을 미치는 요인으로 작용한다.
따라서, 반도체 제조공정에는 기판에서 이물질을 제거하기 위한 세정공정이 필수적으로 수반된다.
기판의 세정은 일반적으로 복수개의 챔버에서 고온의 케미컬로 기판 상의 이물질을 제거하고, 상온의 순수(DI-water: deionized water)로 기판을 세척한 후, 이소프로필알코올(IPA: isopropyl alcohol)을 이용하여 이를 건조시키는 과정을 거쳐 진행된다.
일반적으로 기판을 세정하는 액 처리 챔버에서 사용된 고온의 액을 배출하는 배액관과 상온의 액을 배출하는 배액관이 각각 설치된다.
그러나, 작업자가 고온의 액을 배출하는 배액관과 상온의 액을 배출하는 배액관을 반대로 연결하거나, 공정 레시피의 작성이 잘못되어 고온의 액 회수 단계에서 상온의 액을 배출하는 배액관으로 배출하도록 작동되는 경우가 발생하게 된다.
상온의 액을 배출하는 배액 라인에 고온의 액이 유입되면 배액 라인에 손상이 발생하게 되고 설비 전체를 정지하게 되어 설비의 가동률이 크게 저하된다.
본 발명은 기판을 액처리하는 복수개의 챔버의 드레인 라인을 독립적으로 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 드레인 라인의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판을 반송하는 반송 챔버와 상기 반송 챔버에 연결되고, 상기 기판을 처리하는 복수개의 처리 챔버를 포함하고, 상기 처리 챔버들 각각은, 제1처리액을 배출하는 제1배출라인 및 상기 제1처리액보다 고온의 제2처리액을 배출하는 제2배출라인을 포함하며, 상기 제1배출라인은, 온도 센서가 구비될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2배출라인은, 상기 제1배출라인보다 내열성이 높게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 복수개의 상기 제1배출라인들이 연결되는 제1통합배출라인과 복수개의 상기 제2배출라인들이 연결되는 제2통합배출라인을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 챔버들은, 알람 유닛을 구비하고, 상기 온도 센서에서 측정된 상기 처리액의 온도값에 근거하여 상기 알람 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며, 상기 제어기는, 복수개의 상기 제1배출라인들 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 경우 알람 유닛이 작동하도록 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1배출라인은, 밸브를 포함하며, 상기 처리 챔버는, 상기 온도 센서에서 측정된 상기 처리액의 온도값에 근거하여 상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하고 상기 제어기는, 복수개의 상기 제1배출라인들 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 경우 상기 밸브가 닫히도록 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2배출라인은, 상기 제2처리액을 저장하고 토출하는 액 공급 유닛으로 회수하는 회수 라인으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 복수개의 드레인 라인 각각에 온도센서와 밸브가 제공되어 비정상적인 처리액 유입시 유입량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 복수개의 챔버에 제공되는 드레인 라인 각각이 독립적으로 제어됨으로써 정상적으로 기판 처리가 진행되는 챔버를 효율적으로 가동할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버와 액 공급 유닛의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치에 포함되는 복수의 액 처리 챔버와 액 공급 유닛을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4와 도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 1의 액 처리 챔버와 액 공급 유닛의 다른 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
제1, 제2등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1구성 요소는 제2구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성 요소도 제1구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.
인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다.
용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.
처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 그리고 액 처리 챔버 (400), 그리고 액 공급 유닛(500)을 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 처리 공정을 수행한다. 액 공급 유닛(500)은 액 처리 챔버(400)에 처리액을 공급한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200) 및 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 복수개로 제공되며, 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 액 공급 유닛(500)과 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)는 복수개로 제공된다. 액 처리 챔버들(400)은 반송 챔버(300)의 양측에 각각 배치된다. 반송 챔버(300)의 양측 각각에서 액 처리 챔버들(400)은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다.
액 공급 유닛(500)은 복수개로 제공될 수 있다. 액 공급 유닛(500)은 반송 챔버(300)의 양측에 각각 배치될 수 있다. 액 공급 유닛(500)은 복수개의 액 처리 챔버(400)에 처리액을 공급할 수 있다.
반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.
버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 노즐 유닛(460), 승강 유닛(480) 그리고 제어기(490)를 가진다.
하우징(401)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 지지 유닛(440), 그리고 노즐 유닛(460)은 하우징(410) 내에 배치된다.
컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 노즐 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.
일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통들(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 회수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통들(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다.
각각의 회수통들(422, 424, 426)은 회수 공간으로 유입된 처리액을 배출하는 배출라인(432, 434, 436)이 연결된다. 배출라인들(432, 434, 436)은 각각의 회수통들(422, 424, 426)의 회수 공간으로 유입된 처리액을 배출한다. 예컨대, 제1배출라인(432)은 고온의 인산 수용액을 배출한다. 제1배출라인(432)은 제2배출라인(434)과 제3배출라인(436)보다 내열성이 높게 제공될 수 있다. 제2배출라인(434)과 제3배출라인(436)은 상온의 처리액을 배출할 수 있다. 제2배출라인(434)과 제3배출라인(436)에는 각각 온도 센서(438)와 밸브(V2, V3)가 구비될 수 있다. 온도 센서(438)는 제2배출라인(434)과 제3배출라인(436)에 흐르는 처리액의 온도정보를 제어기(490)에 전송한다. 밸브들(V2, V3)은 제어기(490)에 의해 제어된다. 상술한 예와 달리 온도 센서(438)와 밸브들(V2, V3)은 제1배출라인(432), 제2배출라인(434) 그리고 제3배출라인(436) 모두에 설치될 수 있다.
지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지핀(442a)이 제공되고, 지지핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척핀(442b)이 제공된다. 척핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.
노즐 유닛(460)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 노즐 유닛(460)은 제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)을 가진다.
제1노즐(462)은 제1처리액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제1처리액은 기판(W) 상에 잔존하는 막이나 이물을 제거하는 액일 수 있다. 제1처리액은 상온보다 높은 온도의 액일 수 있다. 일 예에 의하면, 제1처리액은 인산 수용액일 수 있다. 인산 수용액은 인산과 물의 혼합액일 수 있다. 선택적으로 인산 수용액은 다른 물질을 더 함유할 수 있다. 예컨대, 다른 물질은 실리콘일 수 있다.
제2노즐(464)은 제2처리액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제2처리액은 상온으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제2처리액은 물일 수 있다. 물은 순수(pure water) 또는 탈이온수(deionized water)일 수 있다.
제3노즐(466)은 제3처리액을 기판(W) 상으로 공급한다. 제3처리액은 기판 상에서 이물을 제거하기 위한 산 용액 또는 염기 용액일 수 있다. 또한, 제3처리액은 표면장력이 물보다 낮은 알코올일 수 있다. 예컨대, 알코올은 이소프로필 알코올(Isopropyl alcohol)일 수 있다.
제1노즐(462), 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 서로 상이한 아암(461)에 각각 지지되고, 이들 아암(461)들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462)과 제2노즐(464), 그리고 제3노즐(466)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다.
승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(500)은 처리액을 노즐 유닛(460)으로 공급한다. 액 공급 유닛(500)은 탱크(520) 및 순환 라인(540)을 가진다.
이하 에서는 탱크(520)가 노즐 유닛(460)의 노즐들(462, 464, 466) 중 제1노즐(462)에 연결된 것으로 설명한다. 탱크(520)는 하우징(522)을 포함한다. 하우징(522)은 직육면체 또는 원통 형상으로 제공된다. 하우징(522)은 내부에 처리액이 저장되는 공간을 가진다. 하우징(522)에는 배기관(526)과 폐액 라인(524)이 연결된다. 폐액 라인(524)에는 밸브(524a)가 설치된다. 하우징(522) 내의 처리액은 폐액 라인(524)을 통해 외부로 배출되어 폐기될 수 있다.
순환 라인(540)은 하우징(522)에 연결된다. 일 예에 의하면, 순환 라인(540)은 일단은 입구로 기능하며, 하우징(522)의 저면에 결합된다. 순환 라인(540)의 타단은 출구로 기능하며, 하우징(522) 내의 처리액에 침지된다. 선택적으로 순환 라인(540)의 타단은 하우징(522) 내에 저장된 처리액의 수면보다 높게 위치될 수 있다. 순환 라인(540)은 밸브(540a)가 설치된다. 순환 라인(540)에는 펌프(542)가 설치될 수 있다. 펌프(542)는 하우징(522) 내의 처리액이 순환 라인(540) 내를 흐르도록 하는 유동압을 제공한다. 순환 라인(540)은 제1노즐(462)로 처리액을 공급한다. 순환 라인(540)은 순환하는 처리액을 제1노즐(462)로 이송하는 액 공급 라인(544)이 형성된다.
제어기(490)는 배출라인들(434, 436)에 구비된 밸브들(V2, V3)을 제어한다. 제어기(490)는 온도 센서(438)에서 측정된 처리액의 온도값에 근거하여 밸브들(V2, V3)을 제어한다. 일 실시예에 따르면, 제어기(490)는 배출라인들(434, 436) 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 때 해당되는 라인의 밸브만 닫히도록 제어할 수 있다. 이때, 각각의 액 처리 챔버들(400)에는 알람 유닛(미도시)이 구비될 수 있다. 알람 유닛은 음성 또는 디스플레이로 제공될 수 있다. 제어기(490)는 알람 유닛을 제어할 수 있다. 제어기(490)는 온도 센서(438)에서 측정된 처리액의 온도값에 근거하여 알람 유닛들을 제어한다.
이하에서는 액 처리 챔버(400)가 복수개로 제공되는 것으로 설명한다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 복수개로 제공된다. 액 처리 챔버들(400a, 400b ,400c)은 기판(W)을 반입 및 반출하면서 공정을 수행한다.
액 공급 유닛(500)은 복수개의 액 처리 챔버들(400a, 400b, 400c)에 처리액을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(500)은 처리액을 각각의 액 처리 챔버들(400a, 400b, 400c)의 노즐 유닛(460)으로 공급한다. 액 공급 유닛(500)은 탱크(520) 및 순환 라인(540)을 가진다. 탱크(520)와 순환 라인(540)의 기능은 앞에서 설명한 바와 동일하다. 순환 라인(540)에는 순환하는 처리액을 노즐 유닛(460)으로 이송하는 액 공급 라인(544)이 연결된다. 액 공급 라인(544)은 일측이 순환 라인(540)에 연결되고 타측이 각각의 액 처리 챔버들(400a, 400b, 400c)로 분기되어 하우징(410)의 상벽을 통해서 노즐 유닛(460)에 결합된다.
각각의 액 처리 챔버들(400a, 400b, 400c)은 제1배출라인(432), 제2배출라인(434) 그리고 제3배출라인(436)이 연결된다. 제1배출라인(432)은 제1처리액을 배출한다. 제1처리액은 고온의 인산일 수 있다. 제1배출라인들(432a, 432b, 432c)은 제1처리액을 통합하여 배출하는 제1통합배출라인(472)에 연결된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제1통합배출라인(472)은 제1처리액을 액 공급 탱크(520)로 회수하는 회수 라인(472)으로 제공될 수 있다. 제2배출은 제2처리액을 배출한다. 제2처리액은 제1처리액보다 낮은 온도로 제공될 수 있다. 제2 처리액은 물일 수 있다. 제2배출라인들(434a, 434b, 434c)은 제2처리액을 통합하여 배출하는 제2통합배출라인(474)에 연결된다. 제2통합배출라인(474)은 제2처리액을 폐기하는 폐액 라인으로 제공될 수 있다. 제3배출라인(436)은 제3처리액을 배출한다. 제3배출라인들(436a, 436b, 436c)은 제3처리액을 통합하여 배출하는 제3통합배출라인(476)에 연결된다. 제3통합배출라인(476)은 제2통합배출라인(474)과 동일한 기능을 수행할 수 있다. 제2배출라인들(434a, 434b, 434c)과 제3배출라인들(436a, 436b, 436c) 각각에는 온도 센서(438)와 밸브(V2, V3)가 구비될 수 있다.
제어기(490)는 배출라인들(432, 434, 436)에 구비된 밸브들(V2, V3)을 제어한다. 제어기(490)는 온도 센서(438)에서 측정된 처리액의 온도값에 근거하여 밸브들(V2, V3)을 제어한다. 일 실시예에 따르면, 제어기(490)는 제2배출라인들(434a, 434b, 434c)과 제3배출라인들(436a, 436b, 436c) 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 때 해당되는 라인의 밸브만 닫히도록 제어할 수 있다. 이때, 각각의 처리 챔버들(400a, 400b, 400c)에는 알람 유닛(미도시)이 구비될 수 있다. 알람 유닛은 음성 또는 디스플레이로 제공될 수 있다. 제어기(490)는 알람 유닛을 제어한다. 제어기(490)는 온도 센서(438)에서 측정된 처리액의 온도값에 근거하여 알람 유닛들을 제어한다. 일 실시예에 따르면, 제2배출라인들(434a, 434b, 434c)과 제3배출라인들(436a, 436b, 436c) 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 때 해당되는 처리 챔버(400a, 400b, 400c)에 구비되는 알람 유닛이 작동하도록 제어한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치가 오작동하는 일 예를 설명하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 작업자의 실수로 제1배출라인(432a)과 제2배출라인(434a)을 잘못 조립하여 제2배출라인(434a)에 제1처리액이 흐르게 된다. 이때 제어기(490)는 제2배출라인(434a)에 구비된 온도 센서(438)에 의해 제2배출라인(434a)을 흐르는 처리액의 온도를 감지한다. 제어기(490)는 배출라인에 설치된 밸브(V2a)를 닫음으로써 제2통합배출라인(474)으로 고온의 처리액이 흐르는 것을 방지한다. 이후, 제1 액 처리 챔버(400a)를 사용 불가 챔버로 판단하고, 제1 액 처리 챔버(400a)로 기판(W)의 반입을 중지하며, 제1 액 처리 챔버(400a)를 제외한 다른 처리 챔버들(400b, 400c)로만 기판(W)을 반입하도록 제어한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 오작동하는 다른 예를 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 작업자의 실수로 기판 처리 공정 레시피가 잘못 작성되어 제1노즐(462)에서 제1처리액을 토출 시 기판(W)을 회전 지지하는 지지 유닛(430)이 제1회수통(422)의 유입구(422a)에 위치하지 않고, 제2회수통(424)의 유입구(424a)에 위치하게 된다. 이때 고온의 제1처리액이 제2회수통(424)으로 유입되어 제2배출라인(434a)을 흐르게 된다. 이때, 제어기(490)는 제2배출라인(434a)구비된 온도 센서(438)에 의해 제2배출라인(434a)을 흐르는 처리액의 온도를 감지한다. 제어기(490)는 배출라인에 설치된 밸브(V2a)를 닫아서 제2통합배출라인(474)으로 고온의 처리액이 흐르는 것을 방지한다. 이후, 제1 액 처리 챔버(400a)를 사용 불가 챔버로 판단하고, 제1 액 처리 챔버(400a)로 기판(W)의 반입을 중지하며, 제1 액 처리 챔버(400a)를 제외한 다른 처리 챔버들(400b, 400c)로만 기판(W)을 반입하도록 제어한다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치가 오작동하는 다른 예를 설명하면, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치에서 공정 레시피의 오류가 발생하게 되어 기판(W)상에 제1처리액을 토출시 지지 유닛(440)의 높이가 제1유입구(422a)가 아닌 제2유입구(424a)에 위치하게 된다. 이때, 제2유입구(424a)를 통해 제2회수통(424)으로 유입된 제1처리액은 제2배출라인(434a)로 흐르게 된다. 이때 제어기(490)는 제2배출라인(434a)에 구비된 온도 센서(438)에 의해 제2배출라인(434a)을 흐르는 처리액의 온도를 감지한다. 제어기(490)는 배출라인에 설치된 밸브(V2a)를 닫음으로써 제2통합배출라인(474)으로 고온의 처리액이 흐르는 것을 방지한다. 이후, 제1 액 처리 챔버(400a)를 사용 불가 챔버로 판단하고, 제1 액 처리 챔버(400a)로 기판(W)의 반입을 중지하며, 제1 액 처리 챔버(400a)를 제외한 다른 처리 챔버들(400b, 400c)로만 기판(W)을 반입하도록 제어한다.
상술한 예 에서는 제1회수통(422)과 제2회수통(424)에 제1배출라인(432)과 제2배출라인(434)이 잘못 연결되거나, 지지 유닛(440)의 승강 위치가 잘못되어 제2배출라인(434)으로 고온의 제1처리액에 유입되는 것으로 설명하였으나, 또 다른 예로, 액 처리 챔버(400)별로 처리액을 회수하는 회수통들(422, 424, 426)의 형상이 잘못 조립되거나 제1배출라인(432)에 이물질이 유입되어 제1배출라인(432)으로 회수가 불가능하여 제2배출라인(434)로 유입되는 등 다양한 이유로 제2배출라인(434)에 고온의 제1처리액이 유입될 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따르면, 기판 처리 장치의 비정상적인 작동에 의해 내열성이 낮은 배출라인으로 고온의 처리액이 배출될 경우 밸브가 고온의 처리액 유입을 차단함으로써 통합 배출라인의 손상을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 상온의 처리액을 배출하는 배출 라인에 고온의 처리액이 비정상적으로 유입될 경우 배출 라인에 설치된 온도 센서와 밸브에 의해 통합 배출 라인으로 고온의 처리액이 유입되는 것을 방지되므로 정상 작동중인 설비의 가동을 유지할 수 있는 효과가 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
400 : 액 처리 챔버
410 : 하우징
420 : 컵
432 : 제1배출라인
434 : 제2배출라인
436 : 제3배출라인
438 : 온도 센서
440 : 지지 유닛
460 : 노즐 유닛
472 : 제1통합배출라인
474 : 제2통합배출라인
476 : 제3통합배출라인
480 : 승강 유닛
490 : 제어기
V2 : 밸브
V3 : 밸브

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    상기 기판을 반송하는 반송 챔버;와
    상기 반송 챔버에 연결되고, 상기 기판을 처리하는 복수개의 처리 챔버;를 포함하고,
    각각의 상기 처리 챔버는,
    제1처리액을 배출하는 제1배출라인; 및
    상기 제1처리액보다 저온의 제2처리액을 배출하는 제2배출라인;을 포함하며,
    상기 제2배출라인은,
    온도 센서가 구비되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1배출라인은,
    상기 제2배출라인보다 내열성이 높게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제 1항에 또는 제 2항중 어느 한 항에 있어서,
    복수개의 상기 제1배출라인들이 연결되는 제1통합배출라인; 및
    복수개의 상기 제2배출라인들이 연결되는 제2통합배출라인;을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 1항에 또는 제 2항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 챔버들은,
    알람 유닛;을 구비하고,
    상기 온도 센서에서 측정된 상기 제1처리액 또는 상기 제2처리액의 온도값에 근거하여 상기 알람 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하며,
    상기 제어기는,
    복수개의 상기 제2배출라인들 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 경우 알람 유닛이 작동하도록 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제 1항에 또는 제 2항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2배출라인은,
    밸브를 포함하며,
    상기 처리 챔버는,
    상기 온도 센서에서 측정된 상기 제1처리액 또는 상기 제2처리액의 온도값에 근거하여 상기 밸브를 제어하는 제어기를 더 포함하고
    상기 제어기는,
    복수개의 상기 제2배출라인들 중 어느 하나를 통해 배출되는 처리액의 온도가 설정 온도 이상일 경우 상기 밸브가 닫히도록 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1항에 또는 제 2항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1배출라인은,
    상기 제1처리액을 저장하고 토출하는 액 공급 유닛으로 회수하는 회수 라인으로 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020220124013A 2022-09-29 2022-09-29 기판 처리 장치 KR20240045404A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220124013A KR20240045404A (ko) 2022-09-29 2022-09-29 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220124013A KR20240045404A (ko) 2022-09-29 2022-09-29 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240045404A true KR20240045404A (ko) 2024-04-08

Family

ID=90715105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220124013A KR20240045404A (ko) 2022-09-29 2022-09-29 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240045404A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10109506B2 (en) Unit for supplying fluid, apparatus and method for treating substrate with the unit
JP7312656B2 (ja) 基板処理装置
US20150096682A1 (en) Chemical liquid container replacement device, container mounting module, chemical liquid container replacement method, and substrate processing apparatus
KR102319966B1 (ko) 액 공급 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법
JP7290607B2 (ja) 液供給ユニット、そしてこれを有する基板処理装置及び方法
CN113921420A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR101955590B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102357066B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102294728B1 (ko) 액 공급 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20240045404A (ko) 기판 처리 장치
JP7237042B2 (ja) 流体供給ユニット及びこれを有する基板処理装置
KR102662724B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100521401B1 (ko) 기판세정시스템
KR102161794B1 (ko) 부품 세정 장치 및 방법
JP7406601B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20230201865A1 (en) Home pot and an apparatus for treating a substrate
KR102232835B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102193031B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102180009B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102186069B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230212044A1 (en) Unit and method for decomposing ozone, and substrate treating apparatus including the unit
US20240203726A1 (en) Organic solvent supplying apparatus, substrate processing method, and substrate processing apparatus
KR102267173B1 (ko) 배기 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
KR20220095726A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN115966487A (zh) 用于处理基板的设备和用于测量浓度的设备