CN112592059A - 高透抗污全抛釉及使用其的抛釉砖的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了高透抗污全抛釉及使用其的抛釉砖的制备方法,按照质量份数,高透抗污全抛釉包括以下原料:长石32~43份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。本技术方案提出的一种高透抗污全抛釉,通过对全抛釉配方结构进行调整,有利于减少烧制后的全抛釉层的杂质并提升其通透性,且釉层抛后的防污性能优异,以克服现有技术中的不足之处。进而提出的一种使用上述高透抗污全抛釉的抛釉砖的制备方法,工艺简单,操作性强,抛釉砖在烧制时不易产生气泡及晶体颗粒,有利于提升瓷砖透感。
Description
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷技术领域,尤其涉及一种高透抗污全抛釉及使用其的抛釉砖的制备方法。
背景技术
全抛釉是一种可以对釉面进行抛光的特殊釉料,施于仿古砖表面,通常底釉为无光釉,面釉为透明釉。全抛釉砖集抛光砖与仿古砖优点于一体,其面釉的特点是透明,不遮盖底下的底釉和各道花釉,抛釉时只抛掉透明面釉的薄薄一层。因此,其釉面如抛光砖般光洁亮丽,而同时釉面花色如仿古砖般图案丰富、色彩厚重或绚丽。由于具有水晶般的光泽,全抛釉的出现将瓷砖重新拉回到了“亮光时代”,相比之下原来的抛光砖、仿古砖便显得灰沉黯淡,从而将瓷砖装饰的光洁亮丽、富丽堂皇效果提升到了一个全新的高度。
全抛釉是抛釉砖表面一层透明质釉料,经高温烧成瓷砖后,花纹着色肌理是透析色彩,花色品种多样,色彩鲜艳,纹理自然。因此,通透性成了全抛釉主要特点,也是陶瓷行业的难点。在现有全抛釉瓷砖的生产过程中,当全抛釉釉层太厚,在烧制时容易产生大量气泡,使产品抛后防污能力差,釉层透感不够,色彩模糊。而当全抛釉釉层太簿,则釉面砖容易有变形,抛光时易产生漏抛或局部露底的现象。因此,大批量生产中,全抛釉瓷砖的产品品质难以保证,优等品难以稳定。
发明内容
本发明的目的在于提出一种高透抗污全抛釉,通过对全抛釉配方结构进行调整,有利于减少烧制后的全抛釉层的杂质并提升其通透性,且釉层抛后的防污性能优异,以克服现有技术中的不足之处。
本发明的另一个目的在于提出一种使用上述高透抗污全抛釉的抛釉砖的制备方法,工艺简单,操作性强,抛釉砖在烧制时不易产生气泡及晶体颗粒,有利于提升瓷砖透感。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
高透抗污全抛釉,按照质量份数,包括以下原料:长石32~43份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。
优先的,按照质量份数,包括以下原料:钾长石22~28份、钠长石10~15份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。
优先的,按照质量份数,所述方解石和所述白云石的总添加量≤18份。
优先的,按照质量比,所述碳酸锶和所述氧化锌的添加比例为(10~15):6。
优先的,按照质量份数,包括以下原料:钾长石24份、钠长石14份、石英9份、方解石8份、白云石8份、硅灰石5份、烧滑石4份、碳酸钡4份、碳酸锶10份、氧化锌6份和高岭土8份。
优先的,按照质量百分比,所述方解石的CaO含量>55%,且所述白云石的CaO含量>33%,所述白云石的MgO含量>20%。
抛釉砖的制备方法,使用上述高透抗污全抛釉制备而成,包括以下步骤:
A、制备仿古砖坯体、底釉、印花釉和面釉;
B、将高透抗污全抛釉原料按配比加入球磨机,加水进行球磨,获得高透抗污全抛釉;
C、依次将底釉、印花釉和面釉布施在仿古砖坯体上,形成抛釉砖基体;
D、将高透抗污全抛釉刮涂在抛釉砖基体上,形成高透抗污全抛釉层;
E、将具有高透抗污全抛釉层的抛釉砖基体进行烘干和烧制,再经过抛釉处理后获得抛釉砖。
优先的,步骤B中,按照质量比,所述高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例为1:(2~3):(0.5~1)。
优先的,步骤D中,所述高透抗污全抛釉层的施釉厚度为0.2~0.3mm。
优先的,步骤E中,所述抛釉砖的烧成曲线为:
从常温升温至800℃,升温时间为15~20min;
从800℃升温至1000℃,升温时间为5~8min;
从1000℃升温至1200℃,升温时间为2~3min;
在1200℃进行保温,保温时间为4~6min;
从1200℃降至室温,降温时间为8~13min。
本发明的有益效果:
1、本技术方案将方解石和白云石添加至原料配方中,方解石和白云石在配方中起到助熔剂的作用,两者的引入可有效减少釉层中二氧化碳的生成,确保陶瓷砖形成致密的釉层结构,从而能有效防污;并对方解石和白云石的添加量进行严格控制,有利于确保釉层内部生成的气体充分排完釉层,从而提升抛釉后抛釉砖的防污性能。
2、本技术方案将碳酸锶和氧化锌添加至原料配方中,碳酸锶和氧化锌是良好的高温助熔剂,两者的添加能有效降低釉料的高温粘度,且能降低釉表面张力,使烧制过程中产生的气体要釉层封闭的情况下,也能因表面张力的影响而排出釉层,从而起到提升釉层表面防污性能的作用;并对碳酸锶和氧化锌的添加量进行严格控制,同样有利于确保釉层内部生成的气体充分排完釉层,从而提升抛釉后抛釉砖的防污性能。
3、由于釉料化学成分中的CaO和MgO可有效提升釉层表面的防污性能和降低釉料的高温粘度,本技术方案选用CaO含量>55%的方解石和CaO含量>33%、MgO含量>20%的白云石添加至配方结构中,从而能进一步提升抛釉砖的耐磨性能。
附图说明
附图对本发明做进一步说明,但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。
图1是本发明一种抛釉砖的制备方法中实施例1的釉面放大图。
图2是本发明一种抛釉砖的制备方法中实施例2的釉面放大图。
图3是本发明一种抛釉砖的制备方法中实施例3的釉面放大图。
图4是本发明一种抛釉砖的制备方法中实施例4的釉面放大图。
图5是本发明一种抛釉砖的制备方法中对比例1的釉面放大图。
图6是本发明一种抛釉砖的制备方法中对比例2的釉面放大图。
图7是本发明一种抛釉砖的制备方法中对比例3的釉面放大图。
图8是本发明一种抛釉砖的制备方法中对比例4的釉面放大图。
图9是本发明一种抛釉砖的制备方法中对比例5的釉面放大图。
具体实施方式
在现有全抛釉瓷砖的生产过程中,当全抛釉釉层太厚,在烧制时容易产生大量气泡,使产品抛后防污能力差,釉层透感不够,色彩模糊。而当全抛釉釉层太簿,则釉面砖容易有变形,抛光时易产生漏抛或局部露底的现象。因此,大批量生产中,全抛釉瓷砖的产品品质难以保证,优等品难以稳定。
为了确保全抛釉具有一定的厚度,同时还能保证在烧制时不易产生气泡及晶体颗,通透性好,抛后防污合格,本技术方案提出了一种高透抗污全抛釉,按照质量份数,包括以下原料:长石32~43份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。
进一步地,长石在配方中可以起到调节釉层膨胀系数的作用,有利于确保陶瓷砖的砖形平整;石英可有效提高釉料的耐磨性能,若配方中的石英添加量不足,则不利于釉层耐磨性能的提升,若配方中的石英添加量过多,则会导致釉层表面粗糙,不够细腻平整;方解石和白云石在配方中起到助熔剂的作用,两者的引入可有效减少釉层中二氧化碳的生成,确保陶瓷砖形成致密的釉层结构,从而能有效防污;将烧滑石引入高透抗污全抛釉的配方结构,一方面可以增加釉层表面的平滑感,另一方面,还可以提升釉层的防污性能;碳酸钡和碳酸锶可有效降低釉层表面的光泽度,保证釉面平滑细腻,同时有利于釉面发色稳定;同时,碳酸锶和氧化锌是良好的高温助熔剂,两者的添加能有效降低釉料的高温粘度,且能降低釉表面张力,使烧制过程中产生的气体要釉层封闭的情况下,也能因表面张力的影响而排出釉层,从而起到提升釉层表面防污性能的作用;高岭土在配方中起到粘结、防止釉料品质触变的作用。
更进一步地,本技术方案将方解石和白云石的添加量进行严格控制,具体地,将方解石的添加量控制为6~10份,白云石的添加量控制为8~12份,当方解石和白云石的添加量过少时,不利于减少釉层中气体的生成,从而导致防污性能得不到有效提升;当方解石和白云石的添加量过多时,釉层中高温分解的气体较多,使得釉层封闭时,内部生成的气体来不及排完,气体残留在釉层内,抛釉后防污性能较差。
本技术方案还将碳酸锶的添加量控制为10~12份,并将氧化锌的添加量控制为4~6份,当碳酸锶和氧化锌的添加量过少时,加速釉层的封闭,使得釉层内部生成的气体来不及排完,气体残留在釉层内,抛釉后防污性能较差;当碳酸锶和氧化锌的添加量过多时,不利于釉层表面发色稳定。
本技术方案通过对全抛釉配方结构进行调整,有利于减少烧制后的全抛釉层的产生杂质(如气泡或晶体颗粒等),并提升其通透性,且釉层抛后的防污性能优异,以克服现有技术中的不足之处。
更进一步说明,按照质量份数,包括以下原料:钾长石22~28份、钠长石10~15份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。
由于长石在本技术方案中起到调节釉层膨胀系数的作用,进一步地,本技术方案中将钠长石和钾长石进行配合,钠长石和钾长石在配方体系中进行配合,能更灵活地对釉层膨胀系数进行调整;另外,钠长石的粘度较钾长石小,有利于降低釉料的高温粘度,且能降低釉表面张力,使烧制过程中产生的气体要釉层封闭的情况下,也能因表面张力的影响而排出釉层,从而起到提升釉层表面防污性能的作用。
更进一步说明,按照质量份数,所述方解石和所述白云石的总添加量≤18份。
进一步地,本技术方案还对方解石和白云石的总添加量进行限定,能进一步确保抛釉砖形成致密的釉层结构,从而达到有效防污。
更进一步说明,按照质量比,所述碳酸锶和所述氧化锌的添加比例为(10~15):6。
更进一步地,本技术方案还对碳酸锶和氧化锌的添加比例进行限定,充分保证烧制过程中产生的气体能全部排出釉层,从而起到提升釉层表面防污性能的作用。
更进一步说明,按照质量份数,包括以下原料:钾长石24份、钠长石14份、石英9份、方解石8份、白云石8份、硅灰石5份、烧滑石4份、碳酸钡4份、碳酸锶10份、氧化锌6份和高岭土8份。
更进一步说明,按照质量百分比,所述方解石的CaO含量>55%,且所述白云石的CaO含量>33%,所述白云石的MgO含量>20%。
在本技术方案的一个实施例中,由于釉料化学成分中的CaO和MgO可有效提升釉层表面的防污性能和降低釉料的高温粘度,本技术方案选用CaO含量>55%的方解石和CaO含量>33%、MgO含量>20%的白云石添加至配方结构中,从而能进一步提升抛釉砖的耐磨性能。
本技术方案还提出了一种抛釉砖的制备方法,使用上述高透抗污全抛釉制备而成,包括以下步骤:
A、制备仿古砖坯体、底釉、印花釉和面釉;
B、将高透抗污全抛釉原料按配比加入球磨机,加水进行球磨,获得高透抗污全抛釉;
C、依次将底釉、印花釉和面釉布施在仿古砖坯体上,形成抛釉砖基体;
D、将高透抗污全抛釉刮涂在抛釉砖基体上,形成高透抗污全抛釉层;
E、将具有高透抗污全抛釉层的抛釉砖基体进行烘干和烧制,再经过抛釉处理后获得抛釉砖。
本技术方案提出的抛釉砖的制备方法,工艺简单,操作性强,抛釉砖在烧制时不易产生气泡及晶体颗粒等杂质,光线进入抛釉发生反射,可清晰地看见印花釉的图案花纹,有利于提升瓷砖透感。
需要说明的是,本技术方案中的仿古砖坯体、底釉、印花釉和面釉均可由常规的仿古砖坯体配方、底釉配方、印花釉配方和面釉配方制备而成,在此不赘述。
更进一步说明,步骤B中,按照质量比,所述高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例为1:(2~3):(0.5~1)。
按照质量比,本技术方案将高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例限定为1:(2~3):(0.5~1),有利于确保釉料质地均匀,令釉层表面拥有细腻平滑的质感。
优选的,按照质量比,所述高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例为1:2.5:0.7。
更进一步说明,步骤D中,所述高透抗污全抛釉层的施釉厚度为0.2~0.3mm。
由于本技术方案中的全抛釉配方结构进行了调整,因此,本技术方案可确保全抛釉层达到0.2~0.3mm的一个相比较厚的施釉厚度,同时还能保证在烧制时不易产生气泡及晶体颗,通透性好,抛后防污合格。
更进一步说明,步骤E中,所述抛釉砖的烧成曲线为:
从常温升温至800℃,升温时间为15~20min;
从800℃升温至1000℃,升温时间为5~8min;
从1000℃升温至1200℃,升温时间为2~3min;
在1200℃进行保温,保温时间为4~6min;
从1200℃降至室温,降温时间为8~13min。
本技术方案中,抛釉砖的烧成曲线为:从常温升温至800℃,升温时间为15~20min;从800℃升温至1000℃,升温时间为5~8min;从1000℃升温至1200℃,升温时间为2~3min;在1200℃进行保温,保温时间为4~6min;从1200℃降至室温,降温时间为8~13min。本技术方案采用了高温保温的方式,有利于提升砖体的强度和釉面的平整度,使釉层表面拥有细腻平滑的质感。
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例组1-一种抛釉砖的制备方法
A、制备仿古砖坯体、底釉、印花釉和面釉;
B、按下表1配方量将高透抗污全抛釉原料加入球磨机,加水进行球磨,获得高透抗污全抛釉;其中,按照质量比,高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例为1:2.5:0.7;。
C、依次将底釉、印花釉和面釉布施在仿古砖坯体上,形成抛釉砖基体;
D、将高透抗污全抛釉刮涂在抛釉砖基体上,形成厚度为0.3mm的高透抗污全抛釉层;
E、将具有高透抗污全抛釉层的抛釉砖基体进行烘干和烧制,再经过抛釉处理后获得抛釉砖,其中,抛釉砖的烧成曲线为:从常温升温至800℃,升温时间为15~20min;从800℃升温至1000℃,升温时间为5~8min;从1000℃升温至1200℃,升温时间为2~3min;在1200℃进行保温,保温时间为4~6min;从1200℃降至室温,降温时间为8~13min。
表1实施例中不同抛釉砖的对比性能测试结果
对比例组1-一种抛釉砖的制备方法
A、制备仿古砖坯体、底釉、印花釉和面釉;
B、按下表2配方量将高透抗污全抛釉原料加入球磨机,加水进行球磨,获得高透抗污全抛釉;其中,按照质量比,高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例为1:2.5:0.7;。
C、依次将底釉、印花釉和面釉布施在仿古砖坯体上,形成抛釉砖基体;
D、将高透抗污全抛釉刮涂在抛釉砖基体上,形成厚度为0.3mm的高透抗污全抛釉层;
E、将具有高透抗污全抛釉层的抛釉砖基体进行烘干和烧制,再经过抛釉处理后获得抛釉砖,其中,抛釉砖的烧成曲线为:从常温升温至800℃,升温时间为15~20min;从800℃升温至1000℃,升温时间为5~8min;从1000℃升温至1200℃,升温时间为2~3min;在1200℃进行保温,保温时间为4~6min;从1200℃降至室温,降温时间为8~13min。
表2对比例中不同抛釉砖的对比性能测试结果
分别采用上述实施例和对比例的制备方法制备抛釉砖,通过150倍放大镜观察釉层表面气泡数量及大小,并按照常规检测方法对抛釉砖的防污等级进行测定,其结果如下表3:
表3实施例和对比例中不同抛釉砖的对比性能测试结果
由实施例组1的性能测试结果可以看出,本技术方案制备的抛釉砖在烧制时不易产生气泡,有利于减少烧制后的全抛釉层的杂质并提升其通透性,且釉层抛后的防污性能优异,防污等级均能达到3级以上。
由实施例1-3和对比例1-1、1-3和1-5的性能测试结果可以看出,本技术方案将方解石和白云石的添加量进行严格控制,当方解石和白云石的添加量过少时,不利于减少釉层中气体的生成,从而导致防污性能得不到有效提升;当方解石和白云石的添加量过多时,釉层中高温分解的气体较多,使得釉层封闭时,内部生成的气体来不及排完,气体残留在釉层内,抛釉后防污性能较差。本技术方案还将碳酸锶的添加量控制为10~12份,并将氧化锌的添加量控制为4~6份,当碳酸锶和氧化锌的添加量过少时,加速釉层的封闭,使得釉层内部生成的气体来不及排完,气体残留在釉层内,抛釉后防污性能较差;当碳酸锶和氧化锌的添加量过多时,不利于釉层表面发色稳定。
由实施例1-3和对比例1-4的性能测试结果可以看出,本技术方案还对方解石和白云石的总添加量进行限定,能进一步确保抛釉砖形成致密的釉层结构,从而达到有效防污。
由实施例1-3和对比例1-2的性能测试结果可以看出,本技术方案还对碳酸锶和氧化锌的添加比例进行限定,充分保证烧制过程中产生的气体能全部排出釉层,从而起到提升釉层表面防污性能的作用。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理,而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式,这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.高透抗污全抛釉,其特征在于,按照质量份数,包括以下原料:长石32~43份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。
2.根据权利要求1所述的高透抗污全抛釉,其特征在于,按照质量份数,包括以下原料:钾长石22~28份、钠长石10~15份、石英7~10份、方解石6~10份、白云石8~12份、硅灰石4~7份、烧滑石3~5份、碳酸钡3~5份、碳酸锶10~12份、氧化锌4~6份和高岭土7~10份。
3.根据权利要求1或2所述的高透抗污全抛釉,其特征在于:按照质量份数,所述方解石和所述白云石的总添加量≤18份。
4.根据权利要求3所述的高透抗污全抛釉,其特征在于:按照质量比,所述碳酸锶和所述氧化锌的添加比例为(10~15):6。
5.根据权利要求4所述的高透抗污全抛釉,其特征在于,按照质量份数,包括以下原料:钾长石24份、钠长石14份、石英9份、方解石8份、白云石8份、硅灰石5份、烧滑石4份、碳酸钡4份、碳酸锶10份、氧化锌6份和高岭土8份。
6.根据权利要求1或2所述的高透抗污全抛釉,其特征在于:按照质量百分比,所述方解石的CaO含量>55%,且所述白云石的CaO含量>33%,所述白云石的MgO含量>20%。
7.抛釉砖的制备方法,其特征在于,使用权利要求1~6任意一项所述的高透抗污全抛釉制备而成,包括以下步骤:
A、制备仿古砖坯体、底釉、印花釉和面釉;
B、将高透抗污全抛釉原料按配比加入球磨机,加水进行球磨,获得高透抗污全抛釉;
C、依次将底釉、印花釉和面釉布施在仿古砖坯体上,形成抛釉砖基体;
D、将高透抗污全抛釉刮涂在抛釉砖基体上,形成高透抗污全抛釉层;
E、将具有高透抗污全抛釉层的抛釉砖基体进行烘干和烧制,再经过抛釉处理后获得抛釉砖。
8.根据权利要求7所述的抛釉砖的制备方法,其特征在于:步骤B中,按照质量比,所述高透抗污全抛釉原料、球石和水的混合比例为1:(2~3):(0.5~1)。
9.根据权利要求7所述的抛釉砖的制备方法,其特征在于:步骤D中,所述高透抗污全抛釉层的施釉厚度为0.2~0.3mm。
10.根据权利要求7所述的抛釉砖的制备方法,其特征在于:步骤E中,所述抛釉砖的烧成曲线为:
从常温升温至800℃,升温时间为15~20min;
从800℃升温至1000℃,升温时间为5~8min;
从1000℃升温至1200℃,升温时间为2~3min;
在1200℃进行保温,保温时间为4~6min;
从1200℃降至室温,降温时间为8~13min。
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