CN113045202B - 定位晶闪效果陶瓷砖及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种定位晶闪效果陶瓷砖及其制备方法，该陶瓷砖包括砖坯以及层叠设置在砖坯表面的定位晶闪干粒混合料层和表面釉层；其中定位晶闪干粒混合料层的原料包括第一晶闪干粒混合料，第一晶闪干粒混合料包括晶闪干粒和一次烧干粒。本申请通过利用一次烧干粒的熔融温度比晶闪干粒低，且熔融状态下为透明，一方面可起到对晶闪干粒的助熔作用，另一方面两种干粒熔融后，形成了膨胀系数梯度差，在晶闪干粒四周产生可控晶界，在光线照射下，利用晶界的反射和折射，进一步提高晶闪干粒的晶闪效果。本申请的制备方法简单、易控制，可用于工业化大规模生产，最终制得的陶瓷砖性能达标，定位晶闪效果好。

Description

定位晶闪效果陶瓷砖及其制备方法

技术领域

本申请涉及陶瓷砖生产制造技术领域，尤其涉及一种定位晶闪效果陶瓷砖及其制备方法。

背景技术

随着人们生活水平的提高，在室内装修材料的选择上，除了对瓷砖的质量有要求外，瓷砖的图案、纹理、层次也成为了消费者关注的焦点。因此，为满足消费者的各种需求，各种新配方、新工艺生产的瓷砖得到不断的应用。干粒与一般瓷砖表面的成釉差别在于，干粒烧成后可以呈现玻璃质，看上去像玻璃一样通透，而且干粒釉瓷砖的色彩强烈，图案有层次感、质感佳，抛光后平整度高，装饰效果更好，深受消费者的喜爱。目前市场上针对干粒装饰的陶瓷砖产品，主要是利用干粒的不同表现形式，如白色、透明、彩色、闪光等，再结合不同纹理、不同层次，出现了很多种类的干粒釉陶瓷砖产品。

对于晶闪干粒来说，当其被添加到釉面中烧制成陶瓷砖时，在光线的照射下，这些陶瓷砖可以实现星光闪烁、璀璨夺目的效果。基于此，关于晶闪干粒的陶瓷砖，也被开发出许多不同种类的产品。而在生产具有定位晶闪效果的陶瓷砖时，经过烧制后，发现陶瓷砖的表面常常出现爆花、崩釉、裂纹等现象，导致陶瓷砖的废品率高，使用性能差，装饰效果差。

发明内容

本申请的目的在于提供一种定位晶闪效果的陶瓷砖及其制备方法，解决现有技术烧制定位晶闪效果的陶瓷砖时，出现爆花、崩釉、裂纹现象，导致陶瓷砖装饰效果及性能变差的问题。

为实现以上目的，本申请这样实现的：

本申请提供了一种定位晶闪效果陶瓷砖，包括砖坯以及层叠设置在所述砖坯表面的定位晶闪干粒混合料层和表面釉层；

所述定位晶闪干粒混合料层的原料包括第一晶闪干粒混合料，所述第一晶闪干粒混合料包括晶闪干粒和一次烧干粒；

所述晶闪干粒的化学成分按重量百分比计，包括：ZrO₂0.3%~8%、SiO₂65%~80%、Al₂O₃0~6%、B₂O₃10%~25%、碱金属氧化物5%~12%和Li₂O0.1%~3%；

所述一次烧干粒的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂56%~ 60%、Al₂O₃8%~10%、CaO10%~14%、MgO0~3%、ZnO10%~12%、BaO0~3%、K₂O6%~8%和Na₂O0.5%~3%。

优选的，所述晶闪干粒占所述第一晶闪干粒混合料总质量的20%~50%；所述晶闪干粒的粒径为80目~150目。

优选的，所述表面釉层的原料包括第二晶闪干粒混合料，所述第二晶闪干粒混合料包括所述晶闪干粒和所述一次烧干粒，所述晶闪干粒占所述第二晶闪干粒混合料总质量的0~12%。

优选的，所述表面釉层的原料包括第三晶闪干粒混合料，所述第三晶闪干粒混合料包括混合干粒和悬浮剂，所述混合干粒包括所述晶闪干粒和所述一次烧干粒，所述晶闪干粒占所述混合干粒总质量的0~12%。

优选的，所述表面釉层的原料包括晶闪保护釉和抛釉，所述晶闪保护釉的原料按质量百分比计，包括所述晶闪干粒0~15%、保护釉20%~30%和悬浮剂60%~70%。

优选的，所述砖坯与所述定位晶闪干粒混合料层之间还依次设置有面釉层和图案装饰层。

本申请还提供了上述定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，包括：

在砖坯表面定位布施第一晶闪干粒混合料和设置表面釉层，烧成得到所述定位晶闪效果陶瓷砖。

优选的，所述第一晶闪干粒混合料的布施量为40g/m²~100g/m²。

优选的，所述设置表面釉层包括在砖坯表面布施第二晶闪干粒混合料，用胶水进行固定；

所述第二晶闪干粒混合料的布施量为400g/m²~600g/m²；

所述胶水的布施量为100g/m²~200g/m²。

优选的，所述设置表面釉层包括在砖坯表面布施第三晶闪干粒混合料，进行第一干燥处理；

所述第三晶闪干粒混合料的比重为1.4~1.6；

所述第三晶闪干粒混合料的布施量为1000g/m²~1500g/m²。

优选的，所述设置表面釉层包括在砖坯表面依次布施晶闪保护釉、抛釉，进行第二干燥处理；

所述晶闪保护釉的比重为1.5~1.6，所述晶闪保护釉的布施量为360g/m²~460g/m²；

所述抛釉的比重为1.8~1.9，所述抛釉的布施量为360g/m²~460g/m²。

优选的，所述烧成的温度为1160℃~1220℃，所述烧成的时间为50min~120min。

本申请具有以下有益效果：

本申请提供了一种定位晶闪效果陶瓷砖，包括砖坯以及层叠设置在砖坯表面的定位晶闪干粒混合料层和表面釉层。其中，定位晶闪干粒混合料层的原料设置为包括晶闪干粒和一次烧干粒的第一晶闪干粒混合料。一次烧干粒的化学成分中SiO₂和Al₂O₃可以增加釉的机械强度和硬度，CaO可以促进一次烧干粒与晶闪干粒的熔融，同时增加釉层的透明度，ZnO可以提高釉料的发色效果，K₂O可以控制增大一次烧干粒的膨胀系数。通过对一次烧干粒的成分的选择，使得一次烧干粒的熔融温度比晶闪干粒低，且熔融状态下为透明，一方面可起到对晶闪干粒的助熔作用，另一方面两种干粒熔融后，形成了膨胀系数梯度差，在晶闪干粒四周产生可控晶界，在光线的照射下，利用晶界的反射和折射，提高晶闪干粒的晶闪效果。

本申请提供的陶瓷砖，定位晶闪效果好，从而提升装饰性能。同时，该陶瓷砖还具有断裂模数高，耐磨性能好、防污性能好、吸水率达标的优势。

本申请提供的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，可以实现定位布施晶闪干粒和一次烧干粒的混合料，制备工艺简单，易控制，可用于工业化大规模生产。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对本申请范围的限定。

图1为本申请实施例1、对比例1和对比例2制得的定位晶闪效果陶瓷砖在灯光照射下的图片；

图2为本申请实施例2、对比例3和对比例4制得的定位晶闪效果陶瓷砖在灯光照射下的墨水擦涂试验图片；

图3为本申请实施例3和对比例5制得的定位晶闪效果陶瓷砖在灯光照射下的图片。

具体实施方式

如本文所用之术语：

“由……制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步骤、方法、制品或装置所固有的要素。

连接词“由……组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的常规杂质除外。当短语“由……组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之外。

当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开了范围“1～5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1～4”、“1～3”、“1～2”、“1～2和4～5”、“1～3和5”等。

在这些实施例中，除非另有指明，所述的份和百分比均按重量计。

“质量份”指表示多个组分的质量比例关系的基本计量单位，1份可表示任意的单位质量，如可以表示为1g，也可表示2.689g等。假如我们说A组分的质量份为a份，B组分的质量份为b份，则表示A组分的质量和B组分的质量之比a：b。或者，表示A组分的质量为aK，B组分的质量为bK（K为任意数，表示倍数因子）。不可误解的是，与质量份数不同的是，所有组分的质量份之和并不受限于100份之限制。

“和/或”用于表示所说明的情况的一者或两者均可能发生，例如，A和/或B包括(A和B)和(A或B)。术语“多个”指的是两个或两个以上。

本申请提供了一种定位晶闪效果陶瓷砖，包括砖坯以及层叠设置在所述砖坯表面的定位晶闪干粒混合料层和表面釉层。定位晶闪干粒混合料层的原料包括第一晶闪干粒混合料，第一晶闪干粒混合料包括晶闪干粒和一次烧干粒。

其中，晶闪干粒的化学成分按质量百分比计，包括：ZrO₂0.3%~8%（包括但不限于0.3%、0.5%、0.7%、0.9%、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%）、SiO₂65%~80%（包括但不限于65%、66%、67%、68%、69%、70%、71%、72%、73%、74%、75%、76%、77%、78%、79%、80%）、Al₂O₃0~6%（包括但不限于0、1%、2%、3%、4%、5%、6%）、B₂O₃10%~25%（包括但不限于10%、11%、12%、13%、14%、15%、16%、17%、18%、19%、20%、21%、22%、23%、24%、25%）、碱金属氧化物5%~12%（包括但不限于5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%）和Li₂O0.1%~3%（包括但不限于0.1%、0.3%、0.5%、0.7%、1%、2%、3%）。

一次烧干粒的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂56%~ 60%（包括但不限于56%、57%、58%、59%、60%）、Al₂O₃8%~10%（包括但不限于8%、9%、10%）、CaO10%~14%（包括但不限于10%、11%、12%、13%、14%）、MgO0~3%（包括但不限于0、1%、2%、3%）、ZnO10%~12%（包括但不限于10%、11%、12%）、BaO0~3%（包括但不限于0、1%、2%、3%）、K₂O6%~8%（包括但不限于6%、7%、8%）和Na₂O0.5%~3%（包括但不限于0.5%、1%、2%、3%）。

为了满足各种晶闪效果产品的开发，尤其是定位晶闪效果陶瓷砖的产品开发，本申请发明人使用定位干粒陶瓷砖的制备工艺，将大量晶闪干粒布施在特定位置处，然后在砖坯表面整体设置表面釉层，以期能烧成具有定位晶闪效果的陶瓷砖。然而，经过多次试验发现该工艺方法最终烧制得到的陶瓷砖釉面很容易出现爆花、崩釉、裂纹等现象，严重影响了陶瓷砖的使用性能以及定位晶闪效果。

针对该现象，发明人进行详细研究后发现：晶闪干粒的熔融温度较高，需要温度达到1220℃左右，窑炉的烧成温度虽然设置在1220℃附近，但是过于密集的晶闪干粒堆积在一起后，很难全部都进行熔融。也就是说，在窑炉的烧成温度下，晶闪干粒并没有达到致密的烧结，而是存在熔融的干粒和未熔融的干粒互混的情况，那么在烧成结束后，晶闪干粒之间存在很大的界面应力，陶瓷砖的釉面就容易出现爆花、崩釉、裂纹等现象。基于此，发明人设计了本申请的一次烧干粒，其熔融温度范围在1100~1140℃的范围，比晶闪干粒的熔融温度要低，且熔融状态下位透明的。当和晶闪干粒均匀混合后，在烧成陶瓷砖时，随着温度的升高，一次烧干粒先发生熔融，这样可对难熔的晶闪干粒起到助熔作用，使得晶闪干粒也逐渐熔融，最终两种混合的干粒在烧成温度下完全密切融合在一起，这样就能避免烧成的陶瓷砖釉面出现爆花等现象。

在一次烧干粒的化学成分中，SiO₂、Al₂O₃增加釉的机械强度和硬度，CaO可以增加一次烧干粒与晶闪干粒的熔融，增加釉层的透明度，ZnO可以提高釉料的发色效果，K₂O可以控制增大一次烧干粒的膨胀系数。本申请一次烧干粒的膨胀系数在190到210之间，而晶闪干粒的膨胀系数在160到180之间，这样在两者熔融时会形成膨胀系数梯度差，从而在晶闪干粒四周产生可控的晶界，当光线照射时，利用晶界的反射和折射，进一步提高了晶闪干粒的晶闪效果。

在一种实施方式中，晶闪干粒占第一晶闪干粒混合料总质量的20%~50%（包括但不限于20%、21%、22%、25%、27%、29%、30%、31%、32%、35%、40%、42%、45%、46%、48%、49%、50%）；在筛选晶闪干粒粒径大小时，常用两种不同目数大小的筛网进行筛选，本申请中晶闪干粒的目数为80目~150目（包含但不限于80目~100目、100目~150目、100目~120目、120目~150目、80目~150目），在筛选过程中要注意控制粒径大于80目的晶闪干粒重量小于0.5%，粒径小于150目的晶闪重量小于2%。

当晶闪干粒比例小于20%时，由于闪点过于稀疏，导致陶瓷砖上的晶闪效果非常不明显而失去装饰效果；而当晶闪干粒比例过高时，晶闪干粒过于密集，很难被一次烧干粒均匀包裹，不能完全融合在一起，很容易造成爆花等现象，对产品质量造成影响。当晶闪干粒的粒径尺寸很小时，在正常烧制下，得到的陶瓷砖釉面很难发现晶闪效果；但是如果晶闪干粒的尺寸过大，虽然晶闪效果明显，但是也很容易产生过大的界面应力，导致陶瓷砖的釉面产生微裂纹，严重影响陶瓷砖的使用效果。

在另一种实施方式中，表面釉层的原料包括第二晶闪干粒混合料，第二晶闪干粒混合料包括晶闪干粒和一次烧干粒，晶闪干粒占第二晶闪干粒混合料总质量的0~12%（包括但不限于0、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%）。一般来说，晶闪干粒的加入量的多少，对于晶闪的闪烁效果是不一样的，加入越多，闪烁越明显，这个0~12%的质量比，一方面是为了突出定位处密集的晶闪效果，另一方面也是让整体的瓷砖表面有零星晶闪效果，提高瓷砖的外观装饰效果。

在又一种实施方式中，表面釉层的原料包括第三晶闪干粒混合料，第三晶闪干粒混合料包括混合干粒和悬浮剂，混合干粒包括晶闪干粒和一次烧干粒，晶闪干粒占混合干粒总质量的0%~12%（包括但不限于0、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%）。悬浮剂是干粒釉陶瓷砖生产过程中常用的悬浮剂，与干粒混合后，提高干粒的悬浮能力，降低干粒的沉降速度，使得第三晶闪干粒混合料流动性好，避免最终烧成的表面釉层上晶闪干粒分布不均匀的现象发生。

在又一种实施方式中，表面釉层的原料包括晶闪保护釉和抛釉，其中，晶闪保护釉的原料按质量百分比计，包括晶闪干粒0~15%（包括但不限于0、1%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、14%、15%）、保护釉20%~30%（包括但不限于20%、21%、22%、23%、24%、25%、26%、27%、28%、29%、30%）和悬浮剂60%~70%（包括但不限于60%、61%、62%、63%、64%、65%、66%、67%、68%、69%、70%）。将晶闪干粒用悬浮剂调制，混合在保护釉中，同样可以使晶闪干粒在砖坯表面分布均匀，使得到的晶闪陶瓷砖的晶闪效果好。

保护釉和抛釉可选用市面常见的保护釉釉料和抛釉釉裂，也可按照配方进行配制，其中保护釉的化学成分按质量百分比计，包括：SiO₂：60%~65%、Al₂O₃：8%~12%、CaO：0~1%、MgO：0~1%、K₂O：2%~4%、Na₂O：3%~5%、ZnO₂：4%~12%。抛釉的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂：45%~50%、Al₂O₃：14%~16%、CaO：12%~16%、MgO：2%~6%、K₂O：3%~5%、Na₂O：1%~4%、BaO：7%~10%、ZnO：2%~6%。

上述提到的任意一种实施方式中的具有晶闪效果陶瓷砖，在砖坯与定位晶闪干粒混合料层之间还依次设置有面釉层和图案装饰层。

本申请还提供了上述定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，具体包括：在砖坯表面依次布施面釉、进行图案装饰、按照设计纹理数码喷墨胶水墨水、定位布施第一晶闪干粒混合料、设置表面釉层，然后将砖坯入窑烧成、抛光、磨边，即得定位晶闪效果陶瓷砖。

其中，坯体是用常见的坯体粉料压制成型，再进行干燥制得的。制备坯体的原料为行业中常见的物质，按重量份数计，坯体的原料包括：水磨钾石粉：4份~6份、水磨钾钠石粉：11份~13份、江西钠砂：7份~8份、铝矾土：3份~5份、水磨钠石粉：18份~20份、水洗钾石粉：9份~11份、联盛球土：13份~15份、球土：9份~11份、惠东泥：1~3份、烧滑石：1份~3份、水洗钠石粉：15份~17份和膨润土：2份~4份；坯体的化学成分按质量百分比计，包括：SiO₂：66%~67%、Al₂O₃：20%~21%、 K₂O：3%~4%、Na₂O：2%~3%、MgO：0.5%~1%、CaO：0.4%~0.5%、Fe₂O₃：0.4%~0.5%、TiO₂：0.1%~0.2%，烧失为4%~5%。

压制成型的砖坯常被放置在干燥窑中进行干燥，这主要是为了去除砖坯中的水分，干燥后砖坯的水分含量为0.4%~0.8%。如果砖坯含水量过大，后续在进行成品烧制时，砖坯因为大量失水很容易发生变形、裂纹等现象，最终导致陶瓷砖质量不达标，所以在砖坯的干燥过程中要严格控制砖坯含水量。

在制得的砖坯表面布施面釉。面釉就是坯体和印刷图案中间的白色釉料，一方面可以作为图案显色的载体，一方面是坯体与表面透明釉层之间的过渡层。面釉的材料可选用现有技术中常用的面釉釉料，在布施面釉时，也可选用常用的淋釉、喷釉等任意施釉工艺。

在面釉上进行图案装饰，可选用丝网印刷、胶辊印刷、喷墨打印机打印等任意一种方式来形成图案装饰层。然后，在图案装饰层上，根据定位晶闪效果的需要，按照设计的纹理，在一定位置上，定位喷墨打印胶水墨水以形成定位图案。

在一种实施方式中，图案装饰层上喷墨打印胶水墨水后，继续在砖坯表面定位布施第一晶闪干粒混合料，在混合干粒布施结束后，还需要用吸料器吸去其他位置处多余的混合干粒，这样才不会影响其他区域的图案装饰效果。第一晶闪干粒混合料是上述晶闪干粒和一次烧干粒混合而成。

具体的，第一晶闪干粒混合料的布施量为40g/m²~100g/m²（包括但不限于40g/m²、50g/m²、60g/m²、70g/m²、80g/m²、100g/m²），可通过瀑布式布料机来进行定位布施。由于第一晶闪干粒混合料进行定位布施时，整个砖坯表面一定存在布施了第一晶闪干粒混合料的位置，也一定存在没有布施第一晶闪干粒混合料的位置，那么在产品烧成后，釉层就会存在一定的厚度差，如果厚度差过大，就会给后续的抛光带来不利的效果，比如产生凹釉、水波纹等缺陷。因此，合适的布施量可以确保最终烧成的瓷砖抛光后的釉面质量。

进一步的，设置表面釉层包括在砖坯表面整体布施第二晶闪干粒混合料，然后用胶水进行固定。其中，第二晶闪干粒混合料可以用瀑布式布料机来进行布施，布施量为400g/m²~600g/m²（包括但不限于400g/m²、420g/m²、440g/m²、460g/m²、480g/m²、500g/m²、520g/m²、540g/m²、560g/m²、580g/m²、600g/m²）。第二晶闪干粒混合料在布施时，砖坯表面并未整体布施胶水，因此在布施第二晶闪干粒混合料后，需要再用胶水进行固定，胶水的布施量为100g/m²~200g/m²（包括但不限于100g/m²、110g/m²、120g/m²、130g/m²、140g/m²、150g/m²、160g/m²、170g/m²、180g/m²、190g/m²、200g/m²）。用胶水固定的目的就是确保布施的干粒不会被后续生产的窑炉中的气流吹走，确保烧成的陶瓷砖产品性能均一。该工艺为干粒干法制备陶瓷砖的相关工艺，通过直接将干粒布施在砖坯表面来烧制陶瓷砖，工艺简单，最终烧成的陶瓷砖的定位晶闪效果好。

在又一实施方式中，设置表面釉层包括在砖坯表面整体布施第三晶闪干粒混合料，然后进行第一干燥处理。该工艺是在干粒干法的基础上，将干粒和悬浮剂混合，使晶闪干粒在砖坯表面分布更均匀，也就是干粒湿法工艺，使用该工艺烧制的陶瓷砖的定位晶闪效果更好。

具体的，第三晶闪干粒混合料的比重为1.4~1.6（包括但不限于1.40、1.41、1.42、1.43、1.44、1.45、1.46、1.47、1.48、1.49、1.50、1.51、1.52、1.53、1.54、1.55、1.56、1.57、1.58、1.59、1.60），可选用钟罩淋进行布施，布施量为1000g/m²~1500g/m²（包括但不限于1000g/m²、1100g/m²、1200g/m²、1300g/m²、1500g/m²）。在布施结束后，需要对砖坯进行干燥处理，干燥的温度为100℃~150℃（包括但不限于110℃、120℃、130℃、140℃、150℃），干燥的时间为6min~10min（包括但不限于6min、7min、8min、9min、10min）。干燥的目的是因为悬浮剂中会含有水分，水分容易下渗到陶瓷砖坯内部，因此需要单独通过干燥排干水分再入窑烧成，如果陶瓷砖坯入窑烧成前水分未排干净，就会导致砖体开裂。

在又一实施方式中，设置表面釉层包括在砖坯表面依次布施晶闪保护釉、抛釉，然后进行第二干燥处理。其中，干燥的温度为100℃~150℃（包括但不限于110℃、120℃、130℃、140℃、150℃），干燥的时间为6min~10min（包括但不限于6min、7min、8min、9min、10min）。该法为抛釉湿法工艺制备陶瓷砖，在砖坯表面先布施晶闪干粒、保护釉和悬浮剂混合的晶闪保护釉，然后再布施抛釉。这是由于晶闪干粒的比重较大，如果放在抛釉中，晶闪干粒很容易发生沉淀而导致闪光点偏析，而保护釉和悬浮剂可确保晶闪干粒分布均匀。

具体的，晶闪保护釉的比重为1.5~1.6（包括但不限于1.50、1.51、1.52、1.53、1.54、1.55、1.56、1.57、1.58、1.59、1.60），晶闪保护釉的布施方式可选用喷釉，布施量为360g/m²~460g/m²（包括但不限于360g/m²、370g/m²、380g/m²、390g/m²、400g/m²、410g/m²、420g/m²、430g/m²、440g/m²、450g/m²、460g/m²）；抛釉的比重为1.8~1.9（包括但不限于1.80、1.81、1.82、1.83、1.84、1.85、1.86、1.87、1.88、1.89、1.90），抛釉的布施方式可选用淋釉，布施量为360g/m²~460g/m²（包括但不限于360g/m²、370g/m²、380g/m²、390g/m²、400g/m²、410g/m²、420g/m²、430g/m²、440g/m²、450g/m²、460g/m²）。

在砖坯表面设置表面釉层之后，还需对砖坯进行烧成、抛光、磨边，最终才能得到具有定位晶闪效果的陶瓷砖。具体的，在进行陶瓷砖烧成时，窑炉的烧成的温度为1160℃~1220℃（包括但不限于1160℃、1170℃、1180℃、1190、1200℃、1210℃、1220℃），烧成的时间为50min~120min（包括但不限于50min、60min、70min、80min、90min、100min、110min、120min）。

下面将结合具体实施例对本申请的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本申请，而不应视为限制本申请的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

实施例1

本实施例的定位晶闪效果陶瓷砖，通过以下制备方法制备而成，包括：

（1）将坯体粉料压制成型，进行干燥后，制得砖坯；

（2）在砖坯表面布施面釉，进行图案装饰，按照设计纹理数码喷墨胶水墨水；

（3）在砖坯表面定位布施包括晶闪干粒和一次烧干粒的第一晶闪干粒混合料，用吸料器吸去多余的混合料；

在该步骤中，晶闪干粒的化学成分按重量百分比计，包括：ZrO₂：3%、SiO₂：68%、Al₂O₃：3%、B₂O₃：14%、Na₂O：10%、Li₂O：2%；一次烧干粒的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂：56%、Al₂O₃：10%、CaO：12%、MgO：2%、ZnO：10%、BaO：2%、K₂O：6%、Na₂O：2%；晶闪干粒的质量占第一晶闪干粒混合料总质量的36%；晶闪干粒的粒径为80目~150目；第一晶闪干粒混合料的布施量为60g/m²；

（4）将上述步骤（3）所得的砖坯表面整体布施第二晶闪干粒混合料；

在该步骤中，第二晶闪干粒混合料中的晶闪干粒质量占第二晶闪干粒混合料总质量的8%；第二晶闪干粒混合料的布施量为500g/m²；布施结束后，用胶水进行固定，胶水的布施量为150g/m²；

（5）对步骤（4）得到的砖坯进行烧成，烧成的温度为1220℃，烧成时间为70min，经过抛光、磨边即可得到定位晶闪效果陶瓷砖。

实施例2

本实施例的定位晶闪效果陶瓷砖，通过以下制备方法制备而成，包括：

（1）将坯体粉料压制成型，进行干燥后，制得砖坯；

（2）在砖坯表面布施面釉，进行图案装饰，按照设计纹理数码喷墨胶水墨水；

（3）在砖坯表面定位布施包括晶闪干粒和一次烧干粒的第一晶闪干粒混合料，用吸料器吸去多余的混合料；

在该步骤中，晶闪干粒的化学成分按重量百分比计，包括：ZrO₂：5 %、SiO₂：70%、Al₂O₃：1%、B₂O₃：11%、Na₂O：10%、Li₂O：3%；一次烧干粒的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂：58%、Al₂O₃：8%、CaO：14%、ZnO：11%、K₂O：7%、Na₂O：2%；晶闪干粒的质量占第一晶闪干粒混合料总质量的25%；晶闪干粒的粒径80目~150目；第一晶闪干粒混合料的布施量为80g/m²；

（4）将上述步骤（3）所得的砖坯表面整体布施第三晶闪干粒混合料，并进行烘干处理；

在该步骤中，第三晶闪干粒混合料包括混合干粒和悬浮剂，其比重为1.5；混合干粒包括步骤（3）中的晶闪干粒和一次烧干粒，但是晶闪干粒的质量占混合干粒总质量的10%；第三晶闪干粒混合料的布施方式为淋釉，布施量为1200g/m²；进行烘干处理的温度为120℃，时间为8min；

（5）对步骤（4）得到的砖坯进行烧成，烧成的温度为1220℃，烧成时间为90min，经过抛光、磨边即可得到定位晶闪效果陶瓷砖。

实施例3

本实施例的定位晶闪效果陶瓷砖，通过以下制备方法制备而成，包括：

（1）将坯体粉料压制成型，进行干燥后，制得砖坯；

（2）在砖坯表面布施面釉，进行图案装饰，按照设计纹理数码喷墨胶水墨水；

（3）在砖坯表面定位布施包括晶闪干粒和一次烧干粒的第一晶闪干粒混合料，用吸料器吸去多余的混合料；

在该步骤中，晶闪干粒的化学成分按重量百分比计，包括：ZrO₂：6%、SiO₂：65%、Al₂O₃：3%、B₂O₃：16%、Na₂O：8%、Li₂O：2%；一次烧干粒的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂：59%、Al₂O₃：8%、CaO：12%、MgO：1%、ZnO：12%、BaO：1%、K₂O：6 %、Na₂O：1%；晶闪干粒的质量占第一晶闪干粒混合料总质量的42%；晶闪干粒的粒径80目~150目；第一晶闪干粒混合料的布施量为100 g/m²；

（4）将上述步骤（3）所得的砖坯表面整体布施晶闪保护釉，布施抛釉，进行烘干处理；

在该步骤中，晶闪保护釉按质量百分比计，包括：步骤（3）所述的晶闪干粒12%，保护釉24%，悬浮剂64%；晶闪保护釉的比重为1.58，晶闪保护釉的布施方式为喷釉，布施量为380 g/m²；抛釉的比重为1.82，抛釉的布施方式为淋釉，布施量为420 g/m²；进行烘干处理的温度为130℃，时间为10min；

（5）对步骤（4）得到的砖坯进行烧成，烧成的温度为1220℃，烧成时间为110min，经过抛光、磨边即可得到定位晶闪效果陶瓷砖。

对比例1

与实施例1不同的是，步骤（3）中，晶闪干粒的质量占第一晶闪干粒混合料总质量的70%。

对比例2

与实施例1不同的是，步骤（3）中，晶闪干粒的质量占第一晶闪干粒混合料总质量的12%。

对比例3

与实施例2不同的是，步骤（3）中，晶闪干粒的粒径目数小于60目。

对比例4

与实施例2不同的是，步骤（3）中，晶闪干粒的粒径目数大于160目。

对比例5

与实施例3不同的是，步骤（3）中，第一晶闪干粒混合料的布施量为160 g/m²。

对实施例1-3及对比例1-5制备得到的定位晶闪效果陶瓷砖进行性能检测，测试指标及方法有：

外观：通过在灯光照射下，直接观察陶瓷砖的定位晶闪效果。

防污性能：按照GB/T3810 .142015陶瓷砖试验方法中的防污性能测定方法，采用黑、红、蓝三种油性墨水在砖面涂抹进行检测。

耐磨性：按照GB/T3810 .72015陶瓷砖试验方法中的有釉砖耐磨性测定方法，采用深圳欧普瑞检测设备有限公司生产的瓷砖耐磨度检测仪检测。

断裂模数：按照GB/T3810 .42015陶瓷砖试验方法中的断裂模数测定方法，采用上海乐傲试验仪器有限公司生产的DM10000陶瓷砖断裂模数测定仪检测。

吸水率：按照GB/T3810 .32015陶瓷砖试验方法中的吸水率测定方法，采用天津优工试验设备有限公司生产的TZY 3数显式吸水率测定仪检测。

测试结果如表1所示：

表1 具有定位晶闪效果的陶瓷砖的性能测试结果

性能	外观	防污性能	耐磨性	断裂模数（MPa）	吸水率（%）
						实施例1	表面平整，定位晶闪效果好	A级	4级	39.12	小于0.05
实施例2	表面平整，定位晶闪效果好	A级	4级	38.41	小于0.05
						实施例3	表面平整，定位晶闪效果好	A级	4级	38.66	小于0.05
对比例1	出现爆花现象	B级	3级	34.53	小于0.05
						对比例2	表面平整，定位晶闪效果不明显	A级	4级	39.62	小于0.05
对比例3	表面有微裂纹，定位晶闪效果好	B级	3级	36.73	小于0.05
						对比例4	表面平整，几乎无晶闪效果	A级	4级	39.15	小于0.05
对比例5	表面有浅凹坑，有定位晶闪效果	B级	3级	38.56	小于0.05

关于晶闪干粒的质量在晶闪干粒和一次烧干粒总质量中所占的比例，通过比较图1中实施例1、对比例1和对比例2的相关测试结果，可明显看到图1的a为实施例1的陶瓷砖照片，其表面平整，定位晶闪效果较为理想；b为对比例1的陶瓷砖照片，由于晶闪干粒质量占比过大，导致定位晶闪干粒的位置处，出现了爆花现象；c为对比例2的陶瓷砖照片，由于晶闪干粒质量占比过小，闪烁过于稀疏，很难发现定位处的晶闪效果。经过多次实验，试验人员发现当晶闪干粒比例小于20%时，由于闪点过于稀疏，导致闪定位晶闪效果非常不明显，而失去了装饰效果。而当晶闪干粒比例达到60%、70%以上的时候，由于晶闪干粒过于密集，很难被一次烧干粒均匀包裹，很容易造成爆花。为保证产品的装饰效果及产品质量可控，晶闪干粒的质量在晶闪干粒和一次烧干粒的混合干粒总质量中所占的比例为20%~50%。

关于晶闪干粒的粒径，通过比较实施例2和对比例3和对比例4的相关测试结果，可明显看到图2的a为实施例2的陶瓷砖照片，其中陶瓷砖釉面进行墨水擦涂试验时，无墨水深入，说明釉面正常；b为对比例3的陶瓷砖照片，釉面进行墨水擦涂试验，将墨水完全擦去后，发现有墨水渗入釉面中，说明了釉面有微裂纹出现；c为对比例4的陶瓷砖照片，由于晶闪干粒的粒径过小，陶瓷砖的釉面很难发现闪光点。为保证产品的晶闪效果及质量可控，选择晶闪干粒的粒径为80~150目。

关于第一晶闪干粒混合料布施量，通过比较实施例3和对比例5的相关测试结果，可明显看到图3的a位实施例3的陶瓷砖照片，其表面平整，如镜面一般；b为对比例5的陶瓷砖照片，表面有浅凹坑，这是由于第一晶闪干粒混合料的布施量过大导致的。试验人员经过多次试验研究发现，当第一晶闪干粒混合料的布施量小于100g/m²时，产品表面无明显水波纹、凹坑，而当大于140~160g/m²后，砖面易产生水波、凹坑缺陷。为保证产品质量可控，第一晶闪干粒混合料布施量设定为小于100g/m²。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本申请的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在上面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本申请的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

Claims (11)

1.一种定位晶闪效果陶瓷砖，其特征在于，包括砖坯及层叠设置在所述砖坯表面的定位晶闪干粒混合料层和表面釉层；

所述定位晶闪干粒混合料层的原料包括第一晶闪干粒混合料，所述第一晶闪干粒混合料由晶闪干粒和一次烧干粒组成；

所述晶闪干粒的化学成分按重量百分比计，包括：ZrO₂0.3%~8%、SiO₂65%~80%、Al₂O₃0~6%、B₂O₃10%~25%、Na₂O5%~12%和Li₂O0.1%~3%；

所述一次烧干粒的化学成分按重量百分比计，包括：SiO₂56%~ 59%、Al₂O₃8%~10%、CaO10%~14%、MgO0~3%、ZnO10%~12%、BaO0~3%、K₂O6%~8%和Na₂O0.5%~2%；

所述晶闪干粒占所述第一晶闪干粒混合料总质量的20%~50%；

所述晶闪干粒的粒径为80目~150目。

2.根据权利要求1所述的定位晶闪效果陶瓷砖，其特征在于，所述表面釉层的原料包括第二晶闪干粒混合料，所述第二晶闪干粒混合料包括所述晶闪干粒和所述一次烧干粒，所述晶闪干粒占所述第二晶闪干粒混合料总质量的0~12%。

3.根据权利要求1所述的定位晶闪效果陶瓷砖，其特征在于，所述表面釉层的原料包括第三晶闪干粒混合料，所述第三晶闪干粒混合料包括混合干粒和悬浮剂，所述混合干粒包括所述晶闪干粒和所述一次烧干粒，所述晶闪干粒占所述混合干粒总质量的0~12%。

4.根据权利要求1所述的定位晶闪效果陶瓷砖，其特征在于，所述表面釉层的原料包括晶闪保护釉和抛釉，所述晶闪保护釉的原料按质量百分比计，包括所述晶闪干粒0~15%、保护釉20%~30%和悬浮剂60%~70%。

5.根据权利要求1-4任一项所述的定位晶闪效果陶瓷砖，其特征在于，所述砖坯与所述定位晶闪干粒混合料层之间还依次设置有面釉层和图案装饰层。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括：

在砖坯表面定位布施第一晶闪干粒混合料和设置表面釉层，烧成得到所述定位晶闪效果陶瓷砖。

7.根据权利要求6所述的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述第一晶闪干粒混合料的布施量为40g/m²~100g/m²。

8.根据权利要求6所述的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述设置表面釉层包括在砖坯表面布施第二晶闪干粒混合料，用胶水进行固定；

所述第二晶闪干粒混合料的布施量为400g/m²~600g/m²；

所述胶水的布施量为100g/m²~200g/m²。

9.根据权利要求6所述的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述设置表面釉层包括在砖坯表面布施第三晶闪干粒混合料，进行第一干燥处理；

所述第三晶闪干粒混合料的比重为1.4~1.6，

所述第三晶闪干粒混合料的布施量为1000g/m²~1500g/m²。

10.根据权利要求6所述的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述设置表面釉层包括在砖坯表面依次布施晶闪保护釉、抛釉，进行第二干燥处理；

所述晶闪保护釉的比重为1.5~1.6，所述晶闪保护釉的布施量为360g/m²~460g/m²；

所述抛釉的比重为1.8~1.9，所述抛釉的布施量为360g/m²~460g/m²。

11.根据权利要求6-10任一项所述的定位晶闪效果陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述烧成的温度为1160℃~1220℃，所述烧成的时间为50min~120min。

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