CN110759641B - 晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖 - Google Patents

晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖。所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石53～63%，石英：10～14%，方解石：11～15%，白云石：0～4%，氧化锌：10～12%，碳酸钡：0～2%，碳酸锶：2～4%。根据本发明，能够提供一种定位晶花陶瓷砖，其具有双层图案效果，釉下有高清的墨水图案层次，釉中有独具艺术效果的定位晶花图案层。

Description

晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖
技术领域
本发明涉及一种晶花干粒釉、使用该晶花干粒釉制得的具有定位晶花效果的陶瓷砖及其制备方法，属于陶瓷砖生产制造技术领域。
背景技术
近年来，建筑陶瓷生产技术得到了飞速的发展，各种新工艺、新配方得到不断的应用，墙地砖装饰效果的精细化、个性化成为陶瓷企业实现产品差异化的迫切需求。晶花釉是通过在釉中析出晶体从而在釉面形成美丽花纹效果的一类高档艺术釉，其独特的艺术装饰效果，极具观赏价值，很受市场的青睐，主要应用于日用陶瓷。
中国专利CN104311155 A公开了一种结晶釉瓷砖及其生产方法，将结晶熔块和晶种施布在常规瓷质砖坯上，升温至1130～1200℃，保温10～30min，接着降温至1000～1080℃，在此温度下保温1～2h，制得具有明显晶花效果的结晶釉瓷砖。采用此工艺生产的晶花砖烧成时间长，烧成条件苛刻，很难在建筑陶瓷目前的烧成制度条件下批量性生产，且生产成本高。中国专利CN102936156A公开了一种高温快烧结晶釉仿古砖的釉料及制备工艺。此工艺采用喷结晶有色基釉后再用丝网通网印刷结晶剂熔块干粒，再采用丝网印刷透明或有色干粒在辊道窑快速烧成即可得到不同颜色的晶花效果仿古砖，但是该工艺无法将晶花效果和现代喷墨打印技术相结合，釉面装饰效果单一，无法将现代陶瓷砖的纹理效果体现出来。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种晶花干粒釉、使用该晶花干粒釉制得的具有定位晶花效果的陶瓷砖及其制备方法。
第一方面，本发明提供一种晶花干粒釉，所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石53～63％，石英：10～14％，方解石：11～15％，白云石：0～4％，氧化锌：10～12％，碳酸钡：0～2％，碳酸锶：2～4％。
较佳地，所述晶花干粒釉通过如下方法得到：将所述各原料按配比混合并在1300～1400℃的温度下熔融成玻璃液，将玻璃液水淬后加工成30～100目的干粒。
较佳地，所述晶花干粒釉的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：55.0～60.0％、Al2O3：9.0～11.0％、Fe2O3：0～0.15％、TiO2：0～0.1％、CaO：6.5～11.0％、MgO：0～1.5％、K2O：6.0～7.0％、Na2O：0.5～1.5％、ZnO：10.5～12.5％、BaO：0～2.0％，SrO：1.5～3.0％，烧失：0.5～1.0％。
第二方面，本发明提供一种使用上述任一晶花干粒釉制得的陶瓷砖。
第三方面，本发明提供上述陶瓷砖的制备方法，包括以下步骤：
在坯体上喷墨打印图案；
在打印有图案的坯体上定位布施晶核剂；
在布施有晶核剂的坯体上布施所述晶花干粒釉；
将布施有晶花干粒釉的坯体烧成、采用全抛工艺抛光。
本发明的晶花干粒釉始熔点高，高温粘度小，烧成范围宽，能很好与晶核剂反应，促进釉面析出大晶花，而且该晶花干粒釉利于陶瓷墨水发色。采用该晶花干粒釉的釉面透明度好，能有效展现陶瓷墨水图案的层次感、立体感，且釉面的局部位置析出了漂亮的晶花效果。
较佳地，在坯体上施喷墨发色釉后再喷墨打印图案。
优选地，所述釉为喷墨发色釉。
更优选地，所述喷墨发色釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石：33～45％、钠长石：15～25％、高岭土：22～27％、煅烧氧化铝：5～9％、硅酸锆：8～10％。
优选地，所述喷墨发色釉的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：55.0～60.0％、Al2O3：23.5～25.5％、Fe2O3：0～0.5％、TiO2：0～0.1％、CaO：0～0.5％、MgO：0～0.3％、K2O：4.0～5.5％、Na2O：2.0～3.5％、ZrO2：6.0～12.0％、烧失：3.0～4.5％。
该喷墨发色釉为一种哑光的锆乳浊白釉，该喷墨发色釉不引入钙、镁类助熔剂，有助于陶瓷墨水的发色，且该喷墨发色釉烧成范围较宽，该喷墨发色釉与晶花干粒釉结合较好，采用全抛工艺抛光后的毛孔较少，能有效提升陶瓷砖的质感和档次。
较佳地，所述晶核剂的原料包括：按质量百分比计，钾长石：15～25％、钠长石：5～15％、石英：10～14％、氧化铝：0.5～1.5％、方解石14～18％、氧化锌8～12％、萤石：1～3％、硼酸：1～3％、磷酸钙：1～2％、金红石：15～17％、锆英粉：7～9％、氧化钨：1～2％。
该晶核剂干粒采用金红石、锆英粉、氧化钨做为复合晶核，引入磷酸盐、氟化物促进硅酸盐、磷酸盐分相析晶。该晶核剂干粒始熔点高，烧成范围宽，能很好与低粘度晶花干粒釉反应，促进釉面析出独具艺术效果的大晶花。
优选地，所述晶核剂的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：37～40.5％、Al2O3：5.5～7.0％、Fe2O3：0～0.2％、TiO2：16.0～18.0％、CaO：10.0～12.5％、MgO：0.1～0.5％、K2O：1.0～2.5％、Na2O：1.0～2.5％、ZnO：8.0～13.0％、F：0.5～1.5％、ZrO2：4.5～6.5％、P2O5：0.5～1.0％、B2O3：0.5～2.0％、WO3：1.0～2.5％、烧失：1.0～2.0％。
根据本发明，能够提供一种定位晶花陶瓷砖，其具有双层图案效果，釉下有高清的墨水图案层次，釉中有独具艺术效果的定位晶花图案层。
附图说明
图1为本发明一实施方式的陶瓷砖的生产流程图。
图2为本发明一实施方式的陶瓷砖的各层结构示意图，其中“1”为坯体层，“2”为喷墨发色釉层，“3”为喷墨图案层，“4”为晶核剂干粒釉层，“5”为晶花干粒釉层。
图3为实施例1制得的陶瓷砖的砖面照片。
图4为实施例2制得的陶瓷砖的砖面照片。
图5为实施例3制得的陶瓷砖的砖面照片。
具体实施方式
以下通过下述实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。以下各百分含量如无特别说明均指质量百分含量。
本发明一实施方式的晶花干粒釉原料包括：钾长石53～63％，石英：10～14％，方解石：11～15％，白云石：0～4％，氧化锌：10～12％，碳酸钡：0～2％，碳酸锶：2～4％。优选地，上述各原料的含量之和为100％。
晶花干粒釉的化学成分可包括：SiO2：55.0～60.0％、Al2O3：9.0～11.0％、Fe2O3：0～0.15％、TiO2：0～0.1％、CaO：6.5～11.0％、MgO：0～1.5％、K2O：6.0～7.0％、Na2O：0.5～1.5％、ZnO：10.5～12.5％、BaO：0～2.0％、SrO：1.5～3.0％、烧失：0.5～1.0％。
晶花干粒釉的原料中，钾长石的含量较高，致使配方化学组成中引入的碱金属熔剂以K2O为主，少量的Na2O，故该晶花干粒釉的始熔点较高，烧成范围也较宽。同时配方引入的碱土金属熔剂主要有碳酸钡、碳酸锶、方解石、白云石、氧化锌，来降低干粒配方的高温粘度，尤其是BaO、SrO、ZnO的引入也可以拓宽配方烧成温度范围，能很好地与晶核剂干粒反应，促进釉面析出大晶花。该晶花干粒釉引入的BaO、SrO、ZnO利于陶瓷墨水发色。该晶花干粒釉引入CaO、BaO、SrO、ZnO使晶花干粒的透明度好，烧后釉面抛光后透明度好，通透感佳，能有效展现陶瓷墨水图案的层次感，且釉面的局部位置析出了漂亮的晶花效果，形成具立体感的晶花图案层。该化学组成的晶花干粒釉始熔点高，高温粘度小，烧成范围宽，抛光后的毛孔少。且该晶花干粒釉引入大量的K2O，导致该晶花干粒的表面张力较小，易于晶核剂干粒与晶花釉干粒反应析晶，从釉下晶花析出到釉上晶花，晶花效果独特，采用全抛工艺抛光后不影响定位晶花的效果。
晶花干粒釉可以是将上述各原料混合熔融成液态玻璃后水淬，再加工成所需的粒径而得。晶花干粒釉的粒径可为30～100目，该颗粒级配的晶花干粒釉堆积密度高，便于干粒固定剂固定，又不影响析晶效果，且抛后毛孔少。
一个示例中，按上述配比称取各原料，放入熔块窑在1300～1400℃的温度下熔融成液态玻璃，将玻璃液水淬后即可得到晶花熔块，再将水淬后的熔块加工成30～100目的干粒得到晶花干粒釉。
本发明的晶花干粒釉可用于制备陶瓷砖。图1示出本发明一实施方式的陶瓷砖的工艺流程。图2为本发明一实施方式的陶瓷砖的各层结构示意图。下面结合图1和图2说明该陶瓷砖的制备方法。
首先，压制砖坯(或称坯体)，形成坯体层1。坯体可由本领域常用的陶瓷基料压制而得。
然后，可将坯体干燥。例如，干燥时间50～75min，干燥坯水份控制在0.5％以内。
然后，可选地，在坯体上施釉，优选施喷墨发色釉，形成喷墨发色釉层2。喷墨发色釉为一种哑光的锆乳浊白釉，该喷墨发色釉不引入钙、镁类助熔剂，有助于陶瓷墨水的发色，且该喷墨发色釉烧成范围较宽，该喷墨发色釉与晶花干粒釉结合较好，采用全抛工艺抛光后的毛孔较少，能有效提升陶瓷砖的质感和档次。通过在坯体上施喷墨发色釉，可以遮盖坯体底色，提高白度。
一些实施方式中，喷墨发色釉的原料包括：钾长石：33～45％、钠长石：15～25％、高岭土：22～27％、煅烧氧化铝：5～9％、硅酸锆：8～10％。优选地，上述各原料的含量之和为100％。
喷墨发色釉的化学成分可包括：SiO2：55.0～60.0％、Al2O3：23.5～25.5％、Fe2O3：0～0.5％、TiO2：0～0.1％、CaO：0～0.5％、MgO：0～0.3％、K2O：4.0～5.5％、Na2O：2.0～3.5％、ZrO2：6.0～12.0％、烧失：3.0～4.5％。优选地，喷墨发色釉中ZrO2的含量为6.0～8.0％。
一些实施方式中，将喷墨发色釉各原料按配方比例称取，加入粘结剂和解胶剂，同时加入水，球磨成釉浆，即可得到喷墨发色釉。
喷墨发色釉可采用喷釉方式施釉，喷釉工艺参数例如为：比重1.40～1.50，优选1.44～1.46，重量为450～550g/m2，喷釉设备可为高压水刀机。采用该喷釉工艺参数釉料不仅流动性较好，且悬浮性好不易沉淀，用高压水刀机喷釉雾化效果佳，喷出的釉面平整度也较好。
然后，用数码喷墨机打印喷墨设计图案，以形成喷墨图案层3。
接着，在坯体上定位布施晶核剂干粒釉(简称晶核剂干粒或晶核剂)，形成晶核剂干粒釉层4，如图2所示。定点定位布施晶核剂干粒釉的方法可为：通过数码胶水干粒机打印胶水图案，布料机布晶核剂干粒，并回收未被胶水粘住的多余晶核剂干粒，即可实现晶核剂干粒的定点定位。
晶核剂的原料可包括：钾长石：15～25％、钠长石：5～15％、石英：10～14％、氧化铝：0.5～1.5％、方解石14～18％、氧化锌8～12％、萤石：1～3％、硼酸：1～3％、磷酸钙：1～2％、金红石：15～17％、锆英粉：7～9％、氧化钨：1～2％，优选地，上述各原料的含量之和为100％。
该晶核剂干粒采用金红石、锆英粉、氧化钨作为复合晶核，引入磷酸盐、氟化物(来自萤石)促进硅酸盐、磷酸盐分相析晶。该晶核剂干粒始熔点高，烧成范围宽，能很好地与晶花干粒釉反应。该晶核剂干粒使用TiO2、ZrSiO4、WO3、P2O5、F等复合晶核组成，ZrSiO4在硅酸盐熔体中的溶解度小，一般超过3％就难于溶解且往往从熔体中析出富含锆氧的结晶，进而促进玻璃熔体成核。TiO2易与其他RO类型的氧化物一起从硅氧网络中分离出来(分液)，并以此为基础，形成晶核，促使玻璃析晶。P2O5在硅氧网络中易形成不对称的磷酸多面体，且P5 +场强大于Si4+，因此，它易于与R+或R2+一起从硅氧网络中分离出来，能促使分相，降低界面能，使成核活化能降低。F元素的引入，加速硅氧网络的断裂，可促使玻璃核化，促进玻璃成核，诱导玻璃析晶。WO3熔点远较高，在硅酸盐玻璃相、低碱硼酸盐玻璃相中熔解度较小，主要用于结晶釉和微晶玻璃的促进结晶剂，本发明引入一定量的WO3可促进TiO2、ZrSiO4、P2O5、F等晶核剂在硅酸盐玻璃相的析晶，促进釉面析出独具艺术效果的大晶花。
晶核剂可以是将上述各原料混合熔融成液态玻璃后水淬，再加工成所需的粒径而得。晶核剂的粒径可为60～120目，该颗粒级配的干粒堆积密度高，同时也便于干粒固定剂固定，又不影响析晶效果，抛后毛孔少。
一个示例中，按上述配比称取各原料，放入熔块窑在1500～1550℃的温度下熔融成玻璃液，将玻璃液水淬后即可得到晶核剂熔块，再将水淬后的熔块加工成60～120的干粒得到晶核剂。
晶核剂的化学成分可包括：SiO2：37～40.5％、Al2O3：5.5～7.0％、Fe2O3：0～0.2％、TiO2：16.0～18.0％、CaO：10.0～12.5％、MgO：0.1～0.5％、K2O：1.0～2.5％、Na2O：1.0～2.5％、ZnO：8.0～13.0％，F：0.5～1.5％，ZrO2：4.5～6.5％，P2O5：0.5～1.0％，B2O3：0.5～2.0％，WO3：1.0～2.5％，烧失：1.0～2.0％。
晶核剂布料量可为300～550g/m2。采用该布料量，既不影响烧成后析出晶花效果，又能保证烧成抛光后的毛孔较少。晶核剂的颗粒级配可为：60～80目：15～25％，80～100目：45～65％，100～120目：25～35％。采用该颗粒级配便于干粒固定剂在胶水灰度不变的情况下，可以粘结较多的晶核剂干粒，析出晶花的效果达到最佳效果。
然后，在坯体的整个表面上布施本发明的晶花干粒釉，形成晶花干粒釉层5。晶花干粒釉可采用普通干粒机布施。布料量可为800～1000g/m2。采用该布料量烧后的釉面平整度较好，且抛光的釉面透明度好，利于墨水发色，抛光后的釉面无明显的水波，可以提升该系列产品的釉面质感。晶花干粒釉的颗粒级配可为：30～60目：20～30％，60～80目：55～65％，80～100目：20～25％。采用该颗粒级配干粒堆积密度高，烧成抛光后的毛孔少，且不影响晶核剂干粒的析晶效果。布施晶花干粒釉后优选采用固定剂(例如用高压水刀机喷胶水固定剂)将其固定。固定剂比重可为1.01～1.02，喷量可为250～300g/m2。
如上所述，本发明的晶花干粒釉始熔点高，高温粘度小，烧成范围宽，配方中碱金属熔剂以K2O为主，很少量的Na2O，故该晶花干粒釉的始熔点较高，烧成范围也较宽；同时配方引入的碱土金属熔剂主要有碳酸钡、碳酸锶、方解石、白云石、氧化锌，来降低整个配方的高温粘度，尤其是BaO、SrO、ZnO的引入也可以拓宽配方烧成温度范围，能很好地与晶核剂反应，促进釉面析出大晶花，而且该晶花干粒釉引入的BaO、SrO、ZnO利于陶瓷墨水发色。该晶花干粒釉引入CaO、BaO、SrO、ZnO使晶花干粒的透明度好，烧后釉面抛光后透明度好，通透感佳，能有效展现陶瓷墨水图案的层次感、立体感，且釉面的局部位置析出了漂亮的晶花效果。而且，在布施了结晶干粒釉(也就是晶核剂)时，析出独具艺术效果的白色晶花。采用该晶花干粒釉的陶瓷砖将墨水图案纹理的细节及白色晶花的效果体现的淋漓尽致，抛光后的陶瓷砖给人眼前一亮的视觉冲击感，有效提升建筑陶瓷釉面装饰效果的档次。本发明晶核剂、晶花釉的氧化锌含量均不超过13％，并应用了第三代喷墨打印技术图案纹理，使用最先进的数码胶水干粒设备实现晶核剂干粒的全自动精准定点定位，烧成后在不影响定位晶花效果的同时可采用全抛工艺对釉面进行抛光，且烧成周期相对较短，而当结晶釉的氧化锌含量在15～35％时，会导致黄色、黑色、蓝色陶瓷墨水发色差，且均为普通未抛光结晶釉面砖，无法和第三代喷墨打印技术图案纹理相结合，展示的颜色图案纹理、结晶效果相对较单一。
接着，干燥烧成，抛光磨边，分级打包。最高烧成温度可为1190～1210℃，烧成周期可为100～150分钟。
一实施例中，采用高压水刀机在干燥后的坯体上喷一层喷墨发色釉后，用数码喷墨机打印墨水图案，通过数码胶水干粒机打印胶水图案，数码胶水干粒机布晶核剂干粒，其负压系统回收未被胶水粘住的多余晶核剂干粒循环利用，再采用普通干粒机布一层晶花干粒釉，再用高压水刀机喷胶水固定剂，经干燥窑干燥后烧成，抛光磨边后分级打包。
该实施例通过高压水刀机喷一层喷墨发色釉后，用数码喷墨机打印墨水图案，随后用数码胶水干粒机打印胶水图案，同时用数码胶水干粒机布一层晶核剂干粒，再用数码胶水干粒机回收系统负压抽走未被胶水粘住的晶核剂干粒循环利用，最后用普通干粒机再布一层晶花干粒釉，再用高压水刀机喷胶水固定剂固定，经干燥后烧成，就可得到釉面固定位置析出漂亮晶花的陶瓷砖，从而成功地将用于日用瓷方面的晶花釉应用于建筑陶瓷砖装饰上。
本发明所得釉面砖具有双层图案效果，烧后釉下有高清的墨水图案层次，烧成后在布有晶核剂的位置定点定位析出漂亮的晶花效果，从而得到釉中有独具艺术效果的白色晶花图案层。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。
实施例1
步骤一：压制砖坯。坯体由本领域常用的陶瓷基料压制而得。
步骤二：将坯体干燥，干燥时间60min，干燥坯水分控制在0.5％以内。
步骤三：在干燥后的砖坯上采用喷釉的方式喷喷墨发色釉，喷墨发色釉的原料组成为：钾长石：43％，钠长石：15％，高岭土：27％，煅烧氧化铝：5％，硅酸锆：8％。上述喷墨发色釉的化学组成为：SiO2：57.68％、Al2O3：23.57％、Fe2O3：0.4％、TiO2：0.07％、CaO：0.34％、MgO：0.22％、K2O：5.21％、Na2O：2.39％、ZrO2：6.46％、烧失：3.38％。釉料比重1.45，喷釉量480g/m2。
步骤四：用数码喷墨机打印喷墨设计图案。
步骤五：用数码胶水干粒机打印胶水图案，再用数码胶水干粒机布一层晶核剂干粒，同时用回收系统负压将未被胶水粘住的晶核剂干粒抽走循环利用。晶核剂的矿物组成为：钾长石：15％、钠长石：15％、石英：10％、氧化铝：0.5％、方解石18％、氧化锌12％、萤石：1％、硼酸：1％、磷酸钙：2％、金红石：15.5％、锆英粉：9％，氧化钨：1％。按上述配比称取各原材料，在1525℃的温度下熔融成液态玻璃，将玻璃液水淬后即可得到晶核剂熔块，再将水淬后的熔块加工成60～120目干粒待用。晶核剂的化学组成为：SiO2：37.33％、Al2O3：5.92％、Fe2O3：0.09％、TiO2：16.47％、CaO：12.29％、MgO：0.31％、K2O：1.51％、Na2O：2.04％、ZnO：12.74％、F：0.51％、ZrO2：6.22％、P2O5：0.97％、B2O3：0.59％、WO3：1.06％、烧失：1.83％。干粒的布料量为400g/m2。干粒颗粒级配：60～80目：18.7％，80～100目：51.6％，100～120目：29.7％。
步骤六：用普通干粒机布一层晶花干粒釉，晶花干粒釉的原料组成为：钾长石58％，石英：12％，方解石：13％，白云石：2％，碳酸钡：1％，碳酸锶：3％，氧化锌：11％。按上述配比称取各原材料，放入熔块窑在1350℃的温度下熔融成液态玻璃，将玻璃液水淬后即可得到晶花熔块，再将水淬后的熔块加工成30～100目的干粒待用。晶花干粒釉的化学组成为：SiO2：56.27％、Al2O3：9.96％、Fe2O3：0.11％、TiO2：0.02％、CaO：8.82％、MgO：0.64％、K2O：6.43％、Na2O：1.39％、BaO：0.83％、SrO：2.25％、ZnO：11.70％、烧失：0.75％。晶花干粒釉的布料量为900g/m2。
步骤七：用高压水刀机喷雾化状的胶水固定剂，将所布干粒固定。固定剂比重1.01，施加量280g/m2。
步骤八：喷胶水后的釉坯经釉线干燥窑烘干，再经辊道窑快速烧成。最高烧成温度1190℃，烧成周期150min。
步骤九：烧成后的砖抛光磨边后，分级打包。
步骤十：图3为实施例1制得的陶瓷砖的砖面照片，可以看出砖面不仅有颜色鲜艳的石材纹理图案，而且还有一些白色定点定位的立体晶花效果图案层。
采用GB/T 3810.7-2016《有釉砖表面耐磨性的测定》中的测试方法测试釉面耐磨度，采用GB/T 3810.14-2016《耐污染性的测定》中的测试方法测试釉面耐污染性，采用GB/T13891-2008《建筑饰面材料镜向光泽度测定》的测试方法测试釉面光泽度。
实施例1所得的陶瓷砖釉面耐磨度为1500转，3级，耐污染性3级，抛光后釉面光泽度为92-96度。
实施例2
与实施例1的不同之处在于：晶花干粒釉的原料组成为：钾长石53％，石英：14％，方解石：15％，白云石：4％，碳酸钡：0％，碳酸锶：4％，氧化锌：10％。晶花干粒釉的化学组成为：SiO2：55.75％、Al2O3：9.42％、Fe2O3：0.11％、TiO2：0.02％、CaO：10.88％、MgO：1.14％、K2O：6.01％、Na2O：1.30％、BaO：0％、SrO：2.98％、ZnO：10.86％、烧失：0.66％。
图4为实施例2制得的陶瓷砖的砖面照片，可以看出砖面不仅有颜色鲜艳的石材纹理图案，而且还有一些白色定点定位的立体晶花效果图案层。
采用GB/T 3810.7-2016《有釉砖表面耐磨性的测定》中的测试方法测试釉面耐磨度，采用GB/T 3810.14-2016《耐污染性的测定》中的测试方法测试釉面耐污染性，采用GB/T13891-2008《建筑饰面材料镜向光泽度测定》的测试方法测试釉面光泽度。
实施例2所得的陶瓷砖釉面耐磨度为1500转，3级，耐污染性4级，抛光后釉面光泽度为93-97度。
实施例3
与实施例1的不同之处在于：晶花干粒釉的原料组成为：钾长石63％，石英：10％，方解石：11％，白云石：0％，氧化锌：12％，碳酸钡：2％，碳酸锶：2％。晶花干粒釉的化学组成为：SiO2：56.87％、Al2O3：10.50％、Fe2O3：0.11％、TiO2：0.02％、CaO：6.85％、MgO：0.17％、K2O：6.84％、Na2O：1.48％、BaO：1.63％、SrO：1.52％、ZnO：12.49％、烧失：0.76％。
图5为实施例3制得的陶瓷砖的砖面照片，可以看出砖面不仅有颜色鲜艳的石材纹理图案，而且还有一些白色定点定位的立体晶花效果图案层。
采用GB/T 3810.7-2016《有釉砖表面耐磨性的测定》中的测试方法测试釉面耐磨度，采用GB/T 3810.14-2016《耐污染性的测定》中的测试方法测试釉面耐污染性，采用GB/T13891-2008《建筑饰面材料镜向光泽度测定》的测试方法测试釉面光泽度。
实施例3所得的陶瓷砖釉面耐磨度为2100转，4级，耐污染性3级，抛光后釉面光泽度为90-95度。

Claims (8)

1.一种陶瓷砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在坯体上喷墨打印图案；
在打印有图案的坯体上定位布施晶核剂；所述晶核剂的原料包括：按质量百分比计，钾长石：15～25%、钠长石：5～15%、石英：10～14%、氧化铝：0.5～1.5%、方解石：14～18%、氧化锌：8～12%、萤石：1～3%、硼酸：1～3%、磷酸钙：1～2%、金红石：15～17%、锆英粉：7～9%、氧化钨：1～2%；
在布施有晶核剂的坯体上布施晶花干粒釉；所述晶花干粒釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石：53～63%、石英：10～14%、方解石：11～15%、白云石：0～4%、氧化锌：10～12%、碳酸钡：0～2%、碳酸锶：2～4%；
将布施有晶花干粒釉的坯体烧成、采用全抛工艺抛光。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶花干粒釉通过如下方法得到：将所述各原料按配比混合并在1300～1400℃的温度下熔融成玻璃液，将玻璃液水淬后加工成30～100目的干粒。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶花干粒釉的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：55.0～60.0%、Al2O3：9.0～11.0%、Fe2O3：0～0.15%、TiO2：0～0.1%、CaO：6.5～11.0%、MgO：0～1.5%、K2O：6.0～7.0%、Na2O：0.5～1.5%、ZnO：10.5～12.5%、BaO：0～2.0%、SrO：1.5～3.0%、烧失：0.5～1.0%。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在坯体上施釉后再喷墨打印图案，所述釉为喷墨发色釉。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述喷墨发色釉的原料包括：按质量百分比计，钾长石：33～45%、钠长石：15～25%、高岭土：22～27%、煅烧氧化铝：5～9%、硅酸锆：8～10%。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述喷墨发色釉的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：55.0～60.0%、Al2O3：23.5～25.5%、Fe2O3：0～0.5%、TiO2：0～0.1%、CaO：0～0.5%、MgO：0～0.3%、K2O：4.0～5.5%、Na2O：2.0～3.5%、ZrO2：6.0～12.0%、烧失：3.0～4.5%。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶核剂的化学组成包括：按质量百分比计，SiO2：37～40.5%、Al2O3：5.5～7.0%、Fe2O3：0～0.2%、TiO2：16.0～18.0%、CaO：10.0～12.5%、MgO：0.1～0.5%、K2O：1.0～2.5%、Na2O：1.0～2.5%、ZnO：8.0～13.0%、F：0.5～1.5%、ZrO2：4.5～6.5%、P2O5：0.5～1.0%、B2O3：0.5～2.0%、WO3：1.0～2.5%、烧失：1.0～2.0%。
8.一种使用权利要求1至7中任一项所述的陶瓷砖的制备方法制得的陶瓷砖。
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