CN112543990B - 大气压等离子体发生装置 - Google Patents
大气压等离子体发生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112543990B CN112543990B CN201880096124.0A CN201880096124A CN112543990B CN 112543990 B CN112543990 B CN 112543990B CN 201880096124 A CN201880096124 A CN 201880096124A CN 112543990 B CN112543990 B CN 112543990B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- plasma
- temperature
- atmospheric pressure
- nox
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 119
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 96
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32825—Working under atmospheric pressure or higher
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
目的在于提供能够抑制NOx的产生的大气压等离子气体发生装置。大气压等离子体发生装置具备用于加热从产生等离子体的反应室喷出的等离子气体的加热器。控制装置基于由NOx传感器输出的信号控制加热器，以使NOx浓度为阈值以下。由此，能够将NOx的生成量限制为阈值以下。
Description
技术领域
本发明涉及大气压等离子气体发生装置。
背景技术
以往，在等离子体处理中，由于温度条件影响处理品质，所以进行温度控制。例如，在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，在真空容器内通过等离子体处理而蚀刻的晶片所载置的试料台的内部配置有温度传感器及加热器，以成为预定的温度的方式进行控制。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2016-213359号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在大气压等离子体装置中，查明了在存在氧及氮的环境下产生了高温的等离子气体的情况下，会产生NOx。NOx对环境等有害，成为法律限制的对象，因此需要抑制产生。
本申请鉴于上述课题而提出，其目的在于提供能够抑制NOx的产生的大气压等离子气体发生装置。
用于解决课题的手段
本说明书公开一种大气压等离子体发生装置，具备：一对电极，通过放电而产生等离子体；反应室，在上述反应室中内置上述一对电极，具有供处理气体流入的流入口及供通过上述一对电极而将上述处理气体等离子体化后的等离子气体流出的流出口；及控制装置，控制从上述流出口流出的上述等离子气体的温度，以使NOx的产生量为阈值以下。
发明效果
根据本公开，能够提供能够抑制NOx的产生的大气压等离子气体发生装置。
附图说明
图1是示出安装于产业用机器人的大气压等离子体发生装置的概略结构的图。
图2是示出大气压等离子体发生装置的立体图。
图3是示出等离子气体喷出装置及加热气体供给装置的剖视图。
图4是示出大气压等离子体发生装置的控制系统的框图。
图5是示出发生源温度对NOx浓度及臭氧浓度的曲线图。
具体实施方式
如图1所示，大气压等离子体发生装置10具备：等离子体头11、主体部17、电力电缆40及气体配管80等。主体部17具备处理气体供给装置77及冷却气体供给装置102。大气压等离子体发生装置10从主体部17经由电力电缆40而向等离子体头11传送电力，经由气体配管80而供给处理气体，从等离子体头11照射等离子气体。另外，处理气体是使氧等活性气体和氮等惰性气体以任意的比例混合后的气体，等离子气体是氧等离子气体。等离子体头11安装于产业用机器人140的机械手臂141的前端。电力电缆40及气体配管80沿着机械手臂141安装。机械手臂141是使两个臂部145、145沿着一个方向连结的多关节机器人。产业用机器人140驱动机械手臂141而进行向工件台5支撑的工件W照射等离子气体的作业。
如图2所示，等离子体头11具有等离子气体喷出装置12及加热气体供给装置14。在以下的说明中，将等离子体头11的宽度方向称作X方向，将大气压等离子体发生装置10的进深方向称作Y方向，将与X方向和Y方向正交的方向也就是上下方向称作Z方向。
等离子气体喷出装置12由上部壳体19、下部壳体20、下部罩22、一对电极24、26(图3)、一对散热器27、28构成。上部壳体19和下部壳体20以使上部壳体19配置于下部壳体20之上的状态经由橡胶制的密封部件29而连结。并且，连结的状态下的上部壳体19和下部壳体20在X方向上的两侧面处由一对散热器27、28夹住。
如后所述，通过形成于下部壳体20内部的反应室38生成等离子气体，生成的等离子气体从下部罩22的下表面向下方喷射。散热器27、28具有对上部壳体19及下部壳体20等进行冷却的功能。在散热器27、28的内部形成有从供给口96到排气口98的流路。对于供给口96，经由供给管100而从冷却气体供给装置102(参照图1)供给室温程度的空气即冷却气体。冷却气体通过热交换而被加热，并从排气口98排出。
加热气体供给装置14具有：气体管110、加热器112及连结块114。气体管110与形成于散热器27、28的内部的供冷却气体流动的流路连结。详细而言，气体管110在上端部处经由排出管116而与一对散热器27、28的排气口98连接。排出管116在一端部处分支成两股，该分支成两股的端部连结于一对散热器27、28的排气口98。另一方面，排出管116的另一端部不分支，而与气体管110的上端连接。由此，从一对散热器27、28排出后的气体向气体管110供给。另外，在气体管110的外周面配置有大概圆筒状的加热器112，气体管110由加热器112加热。由此，从散热器27、28供给到气体管110的气体被加热。
接着，使用图3对等离子气体喷出装置12的内部构造进行说明。下部壳体20包含：主壳体30、散热板31、接地板32、连结块34及喷嘴块36。主壳体30呈大概块状，在主壳体30的内部形成有反应室38。反应室38具有供处理气体流入的流入口(未图示)及供等离子气体流出的流出口39。
接地板32作为避雷针发挥功能，固定于主壳体30的下表面。在接地板32的下表面固定有连结块34，在连结块34的下表面固定有喷嘴块36。散热板31配置于主壳体30的侧面。散热板31具有多个翅片(未图示)，对主壳体30的热量进行散热。
在主壳体30、接地板32、连结块34及喷嘴块36中形成有气体流路50。气体流路50的一端与反应室38的流出口39连通，另一端在喷嘴块36的下表面开口。气体流路50的喷嘴块36处的开口是流出口51。
连结块114连结于气体管110的下端，并且固定于下部罩22的Y方向上的加热气体供给装置14侧的侧面。在连结块114形成有连通路120，连通路120的一端部在连结块114的上表面开口，并且连通路120的另一端部在Y方向上的等离子气体喷出装置12侧的侧面开口。并且，连通路120的一端部连通于气体管110的下端，连通路120的另一端部连通于下部罩22的贯通孔72。由此，在气体管110中被加热后的气体向下部罩22供给。
在大气压等离子体发生装置10的控制系统中，如图4所示，控制装置16、处理气体供给装置77及冷却气体供给装置102以能够通信的方式连接，由控制装置16控制各部分。控制装置16具有以计算机为主体的控制器130、驱动电路132～134。另外，驱动电路132是控制向电极24、26供给的电力的电路。驱动电路133是控制处理气体供给装置77及冷却气体供给装置102所供给的各气体的流量的电路。驱动电路134是控制向加热器112供给的电力的电路。另外，NOx传感器151及温度传感器152配置于流出口51附近。由NOx传感器151检测出的表示NOx浓度的信号向控制器130输出。由温度传感器152检测出的表示温度的信号向控制器130输出。
在大气压等离子体发生装置10中，在等离子气体喷出装置12中，通过上述结构，处理气体在反应室38的内部被等离子体化，从喷嘴块36的下端喷出等离子气体。详细而言，通过处理气体供给装置77向反应室38的内部供给处理气体。此时，在反应室38中，向内置于反应室38的一对电极24、26施加电压，在一对电极24、26间流动电流。由此，在一对电极24、26间产生放电，通过该放电，处理气体被等离子体化，喷出等离子气体。在以下的说明中，有时将喷出等离子气体记载为等离子体照射。在不具备散热器27、28的情况下，在等离子体化时，通过电压向电极24、26的施加而反应室38的温度上升。但是，在大气压等离子体发生装置10中，通过冷却气体供给装置102向散热器27、28的流路供给冷却气体，通过热交换而对反应室38进行冷却。另外，在散热器27、28的流路中流动且通过热交换而被加热后的冷却气体向气体管110供给，由加热器112加热。加热后的冷却气体向下部罩22的内部供给，从下部罩22的贯通孔70对等离子气体喷出。另外，贯通孔70处于喷嘴块36的附近，配置于从喷嘴块36的下端喷出的等离子气体的流路。并且，从下部罩22的贯通孔70将等离子气体与加热后的冷却气体一起喷出。等离子气体由喷射的加热后的冷却气体加热。由于加热器112由控制装置16控制，所以等离子气体的温度也被控制。
在本实施方式中，在大气压等离子体发生装置10中产生氧等离子体。已知氧等离子体会与氧结合而产生臭氧。这次，发明人在大气压等离子体发生装置10中关于NOx的产生浓度进行了测定。图5是示出相对于发生源温度的臭氧(实线)及NOx(虚线)的浓度的曲线图。在此，发生源温度例如是流出口51附近的温度。另外，关于NOx的产生机构，例如可考虑氧自由基与氮的反应或高温的状况下的氧与氮的反应等。如图5所示，可知在温度100～700℃下，越是低温则臭氧的产生量越多，在温度100～1300℃下，越是高温则NOx的产生量越多。另外，在700℃以上臭氧浓度不成为单点划线所示的浓度(也就是大致零)而成为实线所示的浓度，可认为这是因为NOx与氧反应而生成臭氧。因此，可认为伴随于NOx浓度的增加而臭氧浓度也增加。臭氧虽然会自然地恢复成氧，但NOx不会自然分解，因此在产生NOx的情况下需要安装去除装置等。这次，发明人着眼于NOx浓度的温度依存性，对大气压等离子体发生装置10中的控制进行了以下的设法。
在等离子体照射时，控制装置16控制等离子气体的温度，以使NOx的产生量为阈值以下。详细而言，控制装置16基于由NOx传感器151输出的信号控制加热器112，以使NOx浓度为阈值以下。另外，阈值例如最好设为基于法律的限制值等的值。
在本实施方式中，反应室38由冷却气体供给装置102冷却，反应室38的温度成为300～400℃左右。等离子气体的温度越高，则例如向被等离子体照射的对象物赋予亲水性等等离子体照射的效果越提高。因此，在本实施方式中，成为了利用由加热器112加热后的冷却气体来加热等离子气体的结构。如图5所示，当温度成为大致600℃以上时，NOx浓度变得比零大。于是，设为以下结构：将阈值设定为例如稍微超过0[ppm]的值，基于NOx传感器151的输出信号控制加热器112，以使NOx浓度不比阈值大。
更具体而言，在控制器130中预先存储阈值。并且，在等离子体照射时，控制装置16当NOx传感器151的输出信号所表示的NOx浓度为阈值以上时，进行使加热器112的加热停止的控制。此外，控制装置16基于由温度传感器152输出的信号控制加热器112，以使温度成为目标温度。例如，在被等离子体照射的对象物是树脂的情况下，若被照射比树脂的融点温度高温的等离子气体，则会使对象物损伤。于是，以成为预先存储于控制器130的目标温度的方式，使控制装置16控制加热器112的加热的ON、OFF。由此，能够使NOx的生成量成为阈值以下并使等离子气体的温度成为目标温度。
在上述实施方式中，电极24、26是一对电极的一例。加热器112是加热器的一例，散热器27、28是冷却器的一例。流出口51附近是等离子气体的流路的一例。冷却气体是冷却加热气体的一例，连结块114及下部罩22是连结部的一例，贯通孔70是喷出口的一例。加热气体供给装置14及下部罩22是加热装置的一例。
根据以上说明的实施方式，起到以下的效果。
控制装置16基于由NOx传感器151输出的信号控制加热器112，以使NOx浓度成为阈值以下。由此，能够将NOx的生成量限制为阈值以下。另外，控制装置16基于由温度传感器152输出的信号，以使温度成为目标温度的方式进行控制。由此，能够使等离子气体的温度成为与等离子体照射的对象物对应的温度。另外，加热气体供给装置14通过加热器112加热在气体管110中流动的冷却气体。通过喷出加热后的冷却气体而加热等离子气体。由此，能够通过控制加热器112控制等离子气体的温度。
(其他例子1)
接着，对大气压等离子体发生装置10不具备温度传感器152而具备NOx传感器151的其他例子1进行说明。
在该结构的情况下，控制装置16基于由NOx传感器151输出的信号控制加热器112，以使NOx浓度成为阈值以下。由此，能够将NOx的生成量限制为阈值以下。
(其他例子2)
接着，对大气压等离子体发生装置10不具备NOx传感器151而具备温度传感器152及臭氧传感器(未图示)的其他例子2进行说明。
在该结构的情况下，控制装置16基于由臭氧传感器输出的信号控制加热器112，以使臭氧浓度成为预定值以上。如图5所示，臭氧的浓度在～800℃左右的温度范围内温度越上升则臭氧的产生量越减少。另一方面，温度越高则NOx的浓度越高，当超过大致600℃时，NOx的浓度变得比零大。因此，臭氧的浓度及NOx的浓度均依存于温度，因此能够基于臭氧的浓度来推定NOx的浓度。
具体而言，测定臭氧浓度与NOx浓度之间的相关数据，决定使NOx浓度成为阈值以下的臭氧浓度的下限值。并且，在控制器130中存储决定出的臭氧浓度的下限值。并且，在等离子体照射时，控制装置16进行当臭氧传感器的输出信号所表示的臭氧浓度变得比下限值小时使加热器112的加热停止的控制。此外，控制装置16基于由温度传感器152输出的信号控制加热器112，以使温度成为目标温度。由此，能够使NOx的浓度成为阈值以下，并使等离子气体的温度成为与等离子体照射的对象物对应的温度。
(其他例子3)
接着，对大气压等离子体发生装置10不具备NOx传感器151及温度传感器152而具备臭氧传感器(未图示)的其他例子3进行说明。
在该结构的情况下，与(其他例子2)相同地，测定臭氧浓度与NOx浓度之间的相关数据，决定使NOx浓度成为限制值以下的臭氧浓度的下限值。并且，在控制器130中存储决定出的臭氧浓度的下限值。并且，在等离子体照射时，控制装置16进行当臭氧传感器的输出信号所表示的臭氧浓度变得比下限值小时使加热器112的加热停止的控制。由此，能够使NOx的浓度成为阈值以下。
(其他例子4)
接着，对大气压等离子体发生装置10不具备温度传感器152而具备NOx传感器151及臭氧传感器(未图示)的其他例子4进行说明。
在该结构的情况下，与(其他例子2)相同地，测定臭氧浓度与NOx浓度的相关数据，决定使NOx浓度成为阈值以下的臭氧浓度的下限值。并且，在控制器130中存储决定出的臭氧浓度的下限值。在等离子体照射时，控制装置16进行如下的控制：当NOx传感器151的输出信号所表示的NOx浓度成为阈值以上时，使加热器112的加热停止，且当臭氧传感器的输出信号所表示的臭氧浓度变得比下限值小时，使加热器112的加热停止。由此，能够可靠地使NOx的产生量成为阈值以下。
(其他例子5)
接着，对大气压等离子体发生装置10具备NOx传感器151、温度传感器152及臭氧传感器(未图示)的其他例子5进行说明。
在该结构的情况下，与(其他例子4)相同地，在等离子体照射时，控制装置16进行如下的控制：当NOx传感器151的输出信号所表示的NOx浓度成为阈值以上时，使加热器112的加热停止，且当臭氧传感器的输出信号所表示的臭氧浓度变得比下限值小时，使加热器112的加热停止。另外，以成为预先存储于控制器130的目标温度的方式，使控制装置16控制加热器112的加热的ON、OFF。由此，能够可靠地使NOx的产生量成为阈值以下，并使等离子气体的温度成为目标温度。
(其他例子6)
接着，对大气压等离子体发生装置10不具备NOx传感器151而具备温度传感器152的其他例子6进行说明。
在该结构的情况下，测定NOx浓度与温度之间的相关数据，决定使NOx浓度成为阈值以下的温度的上限值。并且，在控制器130中存储决定出的温度的上限值。在等离子体照射中，控制装置16当温度传感器152的输出信号所表示的温度变得比上限值大时，使加热器112的加热停止。由此，能够使NOx的产生量成为阈值以下。
(其他例子7)
接着，对大气压等离子体发生装置10不具备加热器112而具备冷却装置(未图示)的其他例子7进行说明。
在上述实施方式中，成为了反应室38由冷却气体供给装置102冷却且利用由加热器112加热后的冷却气体来加热等离子气体的结构。由于通过电压向电极24、26的施加而反应室38的温度上升，所以在反应室38不被冷却的情况下，等离子气体的温度例如成为1000℃左右。在(其他例子7)中，设为如下的结构：不具备加热器112，利用冷却装置，考虑反应室38中的温度上升量而以使等离子气体的温度成为设定温度的方式冷却反应室38。
作为冷却装置，例如可考虑对驱动电路133追加了基于温度传感器152的输出信号来调整冷却气体供给装置102供给的冷却气体的流量的反馈控制电路的结构。也就是说，是如下的结构：若温度传感器152所表示的温度比设定温度高，则增加冷却气体的流量，若比设定温度低，则减少冷却气体的流量，由此以成为设定温度的方式进行控制。
在该结构的情况下，控制装置16基于由NOx传感器151输出的信号，以使NOx浓度成为阈值以下的方式控制冷却装置。由此，能够将NOx的生成量限制为阈值以下。另外，控制装置16基于由温度传感器152输出的信号，以使温度成为目标温度的方式控制冷却装置。由此，能够使等离子气体的温度成为与等离子体照射的对象物对应的温度。
另外，也可以设为将(其他例子1)～(其他例子6)的结构与(其他例子7)的结构任意组合的结构。也就是说，也可以设为在(其他例子1)～(其他例子6)的结构中基于各传感器的输出信号来控制冷却装置的结构。
另外，本发明不限定于上述实施方式，能够进行不脱离本发明的主旨的范围内的各种改良、变更，这是不言而喻的。
例如，在上述中，作为冷却器而示出了在内部形成有冷却气体的流路的散热器27、28，但不限定于此。例如，也可以设为在内部不具有冷却气体的流路的具有多个翅片的散热器。另外，在上述中，说明了冷却反应室38的散热器27、28，但例如也可以设为利用涡流管等来冷却处理气体的结构或冷却处理气体及反应室38这两者的结构。另外，关于(其他例子7)也是相同地，除了冷却装置冷却反应室38的结构以外，也可以设为冷却处理气体的结构、冷却处理气体和反应室38这两者的结构。
另外，在上述中，说明了NOx传感器151及温度传感器152配置于流出口51附近，但不限定于此。例如，也可以设为配置于反应室38、气体流路50的结构。
另外，在(其他例子7)中，说明了不具备加热器112的结构，但也可以设为具备加热器112及冷却装置这两者且控制装置16将加热器112及冷却装置以成为设定温度的方式进行控制的结构。
另外，在上述中，说明了大气压等离子体发生装置10具备NOx传感器151及温度传感器152，但也可以设为不具备这些传感器而进行开环控制的结构。具体而言，预先通过实验等求出使NOx的生成量成为阈值以下的加热器112的控制条件。并且，在等离子体照射中，按照该控制条件来进行控制。
另外，在上述中，作为加热装置的一例，示出了通过将由加热器112加热后的冷却气体对等离子气体喷出来加热等离子气体的结构，但不限定于此。例如，也可以设为利用加热器等直接加热等离子气体的结构。
另外，在上述中，说明了下部壳体20具有接地板32，但不限定于此，也可以设为不具有接地板32的结构。
附图标记说明
10 大气压等离子体发生装置
14 加热气体供给装置
16 控制装置
22 下部罩
24、26 电极
27、28 散热器
38 反应室
110 气体管
112 加热器
114 连结块。
Claims (4)
1.一种大气压等离子体发生装置，具备：
一对电极，通过放电而产生等离子体；
反应室，在所述反应室中内置所述一对电极，具有供处理气体流入的流入口及供通过所述一对电极而将所述处理气体等离子体化后的等离子气体流出的流出口；及
控制装置，控制从所述流出口流出的所述等离子气体的温度，以使NOx的产生量为阈值以下，
所述大气压等离子体发生装置具备配置于所述等离子气体的流路的NOx传感器，
所述控制装置基于所述NOx传感器的输出而进行控制，
所述等离子气体是氧等离子气体，
所述大气压等离子体发生装置具备配置于所述等离子气体的流路的臭氧传感器，
所述控制装置基于所述臭氧传感器的输出而控制所述等离子气体的温度，以使臭氧的产生量处于预定值以上的范围，
所述大气压等离子体发生装置具备配置于所述等离子气体的流路的温度传感器，
所述控制装置以使基于所述温度传感器的输出而得出的温度成为目标温度的方式进行控制。
2.根据权利要求1所述的大气压等离子体发生装置，其中，
所述大气压等离子体发生装置具备对所述处理气体及所述反应室中的至少一方进行冷却的冷却装置，
所述控制装置通过控制所述冷却装置来控制所述等离子气体的温度。
3.根据权利要求1或2所述的大气压等离子体发生装置，其中，
所述大气压等离子体发生装置具备：
冷却器，对所述处理气体及所述反应室中的至少一方进行冷却；及
加热装置，对所述等离子气体进行加热，
所述控制装置通过控制所述加热装置来控制所述等离子气体的温度。
4.根据权利要求3所述的大气压等离子体发生装置，其中，
所述冷却器具有供冷却加热气体流动的气体流路，
所述加热装置具有：
气体管，与所述气体流路连结，供所述冷却加热气体流动，
加热器，配置于所述气体管；及
连结部，与所述气体管连结，在所述等离子气体的流路具有喷出口，
通过从所述喷出口对所述等离子气体喷出由所述加热器加热后的所述冷却加热气体而对所述等离子气体进行加热。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/028989 WO2020026400A1 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 大気圧プラズマ発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112543990A CN112543990A (zh) | 2021-03-23 |
| CN112543990B true CN112543990B (zh) | 2023-10-24 |
Family
ID=69231652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880096124.0A Active CN112543990B (zh) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 大气压等离子体发生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3832697B1 (zh) |
| JP (1) | JP6983322B2 (zh) |
| CN (1) | CN112543990B (zh) |
| WO (1) | WO2020026400A1 (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10185137A (ja) * | 1998-02-04 | 1998-07-14 | Satoru Yoshinaka | 半乾留ガス化焼却方法及び装置 |
| JP2004315257A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生器 |
| JPWO2004097925A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2006-07-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN101224406A (zh) * | 2007-01-15 | 2008-07-23 | 康肯科技股份有限公司 | 气体处理装置及气体处理方法 |
| JP2010025049A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 高電圧プラズマ発生装置 |
| JP2012079785A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 絶縁膜の改質方法 |
| JP2014065620A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン供給システムおよび排水処理システム |
| JP2016213359A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| EP3282819A1 (en) * | 2015-03-20 | 2018-02-14 | NGK Insulators, Ltd. | Plasma generation method and sterile water production method |
| WO2018029845A1 (ja) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ発生装置、およびプラズマ照射方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4090827B2 (ja) * | 2002-09-09 | 2008-05-28 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ｄ１０ｓ２およびｄ０電子状態の金属イオンを含む複合酸化物を用いた光触媒 |
| JP2004165377A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Canon Inc | 表面改質方法 |
| JP4998456B2 (ja) * | 2004-04-08 | 2012-08-15 | 三菱電機株式会社 | オゾン発生装置およびオゾン発生方法 |
| JP2007265838A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Noritsu Koki Co Ltd | プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置 |
| JP5568209B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2014-08-06 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体デバイスの製造方法および製造装置 |
| JP6645385B2 (ja) * | 2016-08-30 | 2020-02-14 | 株式会社デンソー | ガス改質装置 |
-
2018
- 2018-08-02 CN CN201880096124.0A patent/CN112543990B/zh active Active
- 2018-08-02 WO PCT/JP2018/028989 patent/WO2020026400A1/ja unknown
- 2018-08-02 JP JP2020533986A patent/JP6983322B2/ja active Active
- 2018-08-02 EP EP18928948.1A patent/EP3832697B1/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10185137A (ja) * | 1998-02-04 | 1998-07-14 | Satoru Yoshinaka | 半乾留ガス化焼却方法及び装置 |
| JP2004315257A (ja) * | 2003-04-14 | 2004-11-11 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン発生器 |
| JPWO2004097925A1 (ja) * | 2003-04-30 | 2006-07-13 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN101224406A (zh) * | 2007-01-15 | 2008-07-23 | 康肯科技股份有限公司 | 气体处理装置及气体处理方法 |
| JP2010025049A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 高電圧プラズマ発生装置 |
| JP2012079785A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Tokyo Electron Ltd | 絶縁膜の改質方法 |
| JP2014065620A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | オゾン供給システムおよび排水処理システム |
| EP3282819A1 (en) * | 2015-03-20 | 2018-02-14 | NGK Insulators, Ltd. | Plasma generation method and sterile water production method |
| JP2016213359A (ja) * | 2015-05-12 | 2016-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| WO2018029845A1 (ja) * | 2016-08-11 | 2018-02-15 | 富士機械製造株式会社 | プラズマ発生装置、およびプラズマ照射方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 基于低温等离子体喷射系统的柴油机模拟排气NO转化研究;冉冬立;蔡忆昔;王军;庄凤芝;;车用发动机(第02期);正文全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2020026400A1 (ja) | 2021-02-25 |
| EP3832697A4 (en) | 2021-08-04 |
| EP3832697B1 (en) | 2023-06-07 |
| WO2020026400A1 (ja) | 2020-02-06 |
| EP3832697A1 (en) | 2021-06-09 |
| CN112543990A (zh) | 2021-03-23 |
| JP6983322B2 (ja) | 2021-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109565921B (zh) | 等离子体产生装置及等离子体照射方法 | |
| KR102408315B1 (ko) | 노즐들 및 다른 소모품들을 포함하는 플라즈마 아크 절단 시스템 및 관련된 작동 방법들 | |
| JP2012506128A5 (zh) | ||
| KR102503105B1 (ko) | 응축 감소를 위해 기판 프로세싱 척을 이용하는 가스 유동 | |
| US11114319B2 (en) | Heat treatment apparatus and heat treatment method | |
| CN112543990B (zh) | 大气压等离子体发生装置 | |
| US8828143B2 (en) | Apparatus and method for the rapid thermal control of a work piece in liquid or supercritical fluid | |
| KR20100020307A (ko) | 메모리 모듈 온도 테스트 장치 | |
| WO2009116400A1 (ja) | アニール装置および過熱防止システム | |
| JP7200337B2 (ja) | 大気圧プラズマ発生装置 | |
| EP3116289B1 (en) | Atmospheric pressure plasma generator and work machine for workpiece | |
| JP2015144078A (ja) | 大気圧プラズマ発生装置 | |
| JP6182878B2 (ja) | 冷熱槽及び冷熱装置 | |
| CN110519905A (zh) | 温控装置和等离子设备 | |
| JP6534745B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPWO2018179362A1 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP6695192B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP2001326410A (ja) | 半導体レーザ冷却装置 | |
| JP2009514207A (ja) | 廃棄ガス誘導装置 | |
| CN112512707A (zh) | 除油方法、粘接方法、组装装置及大气压等离子体装置 | |
| KR101072345B1 (ko) | 플라즈마 처리용 수냉식 전극 | |
| Ranga Janardhana et al. | Experimental analysis of different coolants used in plasma cutting operation for the improved electrode life | |
| KR20200059582A (ko) | 열전 소자 모듈의 온도 제어 장치 | |
| KR101016028B1 (ko) | 반도체 플라즈마 형성 장치 | |
| EP4305661A1 (en) | Atomic oxygen and ozone cleaning device having a temperature control apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |