JP2009514207A

JP2009514207A - 廃棄ガス誘導装置

Info

Publication number: JP2009514207A
Application number: JP2008537569A
Authority: JP
Inventors: スン，ヤンリー，
Original assignee: スン，ヤンリー，
Priority date: 2005-11-01
Filing date: 2005-11-01
Publication date: 2009-04-02
Also published as: CN101072970A; WO2007052853A1; CN101072970B

Abstract

本発明は廃棄ガス誘導装置に関し、ガス流入部とガス排出部と、上記ガス流入部と上記ガス排出部との間に設けられて、廃棄ガスと高温高圧の窒素ガスを混合するガス移送部と、上記ガス移送部に高温高圧の窒素ガスを供給する高圧ガス室と、上記高圧ガス室の一側に設けられて、上記窒素ガスを加熱する加熱室と、上記高圧ガス室に上記窒素ガスを供給する窒素供給注入口と上記加熱室に電源を供給する制御回路部を有する制御ボックスを含む廃棄ガス誘導装置を提供する。
【選択図】図３

Description

本発明は、廃棄ガス誘導装置に関し、半導体またはLCD製造装置で発生する非反応副産物による真空配管および排気配管内部の末反応副産物累積を最小化できる廃棄ガス誘導装置に関する。

一般的に、LCD製造および半導体製造工程は、大きく前工程(Fabrication工程)と後工程(Assembly工程)からなり、前工程とは、各種プロセスチャンバー(Chamber)内で、基板上に薄膜を蒸着し、蒸着された薄膜を選択的に蝕刻する過程を繰り返して実施して、特定のパターンを加工することによって、いわゆる、チップ(Chip)を製造する工程をいい、後工程とは、上記前工程で製造されたチップを個別的に分離した後、リードフレームと結合して、完成品に組み立てる工程をいう。

この際、上記基板上に薄膜を蒸着したり、基板上に蒸着された薄膜を蝕刻する工程は、プロセスチャンバー内で、シラン(Silane)、アルシン(Arsine)および塩化ホウ素などの有害ガスと水素などのプロセスガスを用いて高温で実施され、上記工程が進行される間、プロセスチャンバー内部には、各種の発火性ガスと腐食性異質物および有毒成分を含んだ有害ガスなどが多量発生することになる。

したがって、LCDおよび半導体製造装置には、プロセスチャンバーを真空状態にする真空ポンプの後段に、上記プロセスチャンバーから排出される排気ガスを浄化させた後、大気に放出するスクラバー(Scrubber)を設置する。

しかし、上記プロセスチャンバーから排出される排気ガス、すなわち、未反応副産物は大気と接触するか、又は周辺の温度が低ければ固形化されてパウダーに変わることになり、上記パウダーは、排気ラインに固着されて、排気圧力を上昇させると共に真空ポンプに流入される場合、真空ポンプの故障を誘発し、排気ガスの逆流を招いて、プロセスチャンバー内にある基板を汚染させるという問題点があった。

このような問題を解決するための方案として、排気ガスを加熱させた状態で排気ラインに供給しようとする様々の研究が遂行された。

図１は、従来技術に係わる廃棄ガス誘導装置の断面図であり、図２は、従来技術に係わる廃棄ガス誘導装置の斜視図である。

図１ないし図２を参照すると、従来の廃棄ガス誘導装置は、外部面に流入ポートが形成され、内周面に固定鍔１１が形成された流入トランスファー１０と、外周面に固定鍔に支持される支持鍔が形成されて、上記流入トランスファー１０の内周面と下段との間に上記流入ポートと通じる噴出溝６０を形成すると共に、外周面と流入トランスファー１０の内周面との間に、噴出溝６０と通じる高圧ガス室４０を形成するように流入トランスファー１０に挿入される排出トランスファー３０と、上記排出トランスファー３０を取り囲みながら、下段部が流入トランスファー１０の上段部に結合されるトランスファーギャップ２０と、上記流入トランスファー１０およびトランスファーギャップ２０の周りにかけて設置された加熱室５０と上記加熱室５０内に設けられた電熱線５１と、上記電熱線５１の温度を制御する温度感知センサー８０を含む。また、上記加熱室５０の外部面と所定の間隔を隔てて、これを取り囲む火傷防止ギャップ７０をさらに含む。

これを通じて、外部の排気ガスが流入トランスファー１０に引き込まれると、上記廃棄ガス誘導装置が作動して、別途の窒素ガスを上記高圧ガス室４０に供給する。この際、高圧ガス室４０の外側に配置された加熱室５０の電熱線５１が、電源が印加されて加熱されることになり、高圧ガス室４０に流入される窒素ガスを加熱する。したがって、高圧ガス室４０内には、加熱された高圧の窒素ガスが充満されて、流入トランスファー１０を通じて、排気ガスが引き込まれる場合、噴出溝６０を通じて加熱された高圧の窒素ガスと排気ガスが混合されて、上記排出トランスファー３０を通じて外部に排出される。

このように、高温で加熱された窒素ガスを排気ガスと混合させて、排気ガスの温度を上昇させた状態で配管に供給するので、配管内部での排気ガスによるパーティクル粉末が形成されなくなる。

しかし、前述したような、従来の廃棄ガス誘導装置は、窒素ガスを加熱する加熱室５０の電熱線５１の制御は、外部に設けられた温度感知センサー８０を通じて実施される。すなわち、温度感知センサー８０を通じて、電熱線５１の温度変化を検出した後、別途の温度調節コントローラー(図示省略)を通じて、電熱線５１に印加される電源を制御する技術が用いられる。従って、温度調節をするため、複雑な回路構造を有するコントローラーをさらに設けなければならないとの問題によって、製品の単価が上昇してしまい、コントローラー内部の回路構成が複雑になる問題がある。また、図２のように、廃棄ガス誘導装置の外側に別途のライン等、すなわち、ガス入力のためのライン、電源印加のためのライン等が設置されているので、廃棄ガス誘導装置を配管の間に設置する時、ライン等が簡単に切断されたり折れる問題が発生して、円滑な装着にならない問題がある。

従って、本発明は、上記の問題点を解決するため、半導体またはLCD製造装置中、正常な反応以外に不完全な未反応副産物を発生させる工程で、反応が直接的に行われるプロセスチャンバーと真空ポンプとの間、または真空ポンプの後続排気ラインおよびガススクラバーの前、後段に設置される真空配管内部と排気配管内部に滞られる未反応副産物累積を最小化することができ、バイメタルを用いて、製品の過熱を防止することができ、組み立装着が容易な廃棄ガス誘導装置を提供することをその目的とする。

本発明に係わるガス流入部とガス排出部と、上記ガス流入部と上記ガス排出部との間に設けられて、廃棄ガスと高温高圧の窒素ガスを混合するガス移送部と、上記ガス移送部に高温高圧の窒素ガスを供給する高圧ガス室と、上記高圧ガス室の一側に設けられて、上記窒素ガスを加熱する加熱室と、上記高圧ガス室に上記窒素ガスを供給する窒素供給注入口と上記加熱室に電源を供給する制御回路部を有する制御ボックスを含む廃棄ガス誘導装置を提供する。

ここで、上記ガス流入部と上記ガス排出部の外側に設けられた火傷防止用ギャップをさらに含む。

前述した上記ガス流入部内に上記ガス移送部を固定する固定鍔が形成されている。

そして、上記の加熱室内部に設けられた電熱線をさらに含む。
この際、上記制御回路部は、上記加熱室内部に設けられた電熱線に電源を供給するため、外部電源と接続される電源ポートと、上記電源ポートの一ライン上に設けられて、上記電熱線の動作を制御するスイッチ部と、上記電源ポートの他のライン上に設けられて、上記電熱線の過度な熱上昇を防止するためのバイメタル部と、上記電源ポートの二つのラインに接続されて発光するLEDランプ部を含むことが望ましい。

ここで、上記スイッチ部と上記電熱線の間に設けられて、上記電熱線に印加される電圧を調節するディマースイッチをさらに含むことが効果的である。

もちろん、上記制御回路部は、上記加熱室の内部に設けられた電熱線に電源を供給するため、外部電源と接続される電源ポートと、上記電源ポートの一ライン上に設けられて、上記電熱線の動作を制御するスイッチ部と、上記スイッチ部と上記電熱線との間に設けられて、上記電熱線に印加される電圧を調節するディマースイッチと、上記電源ポートの二つのラインに接続されて発光するLEDランプ部を含む。

そして、上記ガス流入部は中空の本体を有し、その一端にガス流入口が設けられ、他端に上記ガス排出部と結合された端鍔部が形成されていることが効果的であり、上記ガス排出部は中曲の本体を有して、その一端にはガス排出口が設けられ、他端には上記ガス流入部と結合された端鍔部が形成されていることが望ましい。

この際、上記高圧ガス室と上記ガス移送部との間に設けられたガス噴出溝をさらに含み、上記ガス噴出溝の領域の上記ガス移送部は、高圧ガスの噴射を誘導するガイド曲面が形成されていることが望ましい。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態をより詳細に説明することにする。

図３は、本発明の一実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置の斜視図であり、図４は、本発明の一実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置の断面図であり、図５は、本発明の一実施の形態に係わる制御ボックス内部の電気的連結関係を説明するための図である。

図３ないし図５を参照すると、本発明の他の実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置は、廃棄ガス流入部１１０と、廃棄ガスを排出するガス排出部１２０と、上記ガス流入部１１０とガス排出部１２０との間に設けられて、廃棄ガスと高温高圧の窒素ガスを混合するガス移送部１３０と、上記ガス移送部１３０に高温高圧の窒素ガスを供給する高圧ガス室１４０と、上記高圧ガス室１４０の一側に設けられて、上記窒素ガスを加熱する加熱室１５０と、上記高圧ガス室１４０に窒素ガスを供給する窒素供給注入口２１０を有して、上記加熱室１５０に電源を供給する制御回路部２２０を有する制御ボックス２００を含む。

また、本実施例のガス誘導装置は、上記高圧ガス室１４０の加熱された高圧ガスを上記ガス移送部１３０に噴出する噴出溝１６０を含む。また、ガス流入部１１０とガス排出部１２０の外側に設けられた火傷防止用ギャップ１７０をさらに含む。また、上記ガス流入部１１０内に上記ガス移送部１３０を固定する固定鍔１１１をさらに含む。上記の加熱室１５０内部に設けられた電熱線１５１をさらに含む。

上記のような構造の本実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置は、ガス流入部１１０にLCDおよび半導体製造工程の際、発生した低圧の廃棄ガスが流入され、この際、高圧ガス室１４０の内部に加熱された窒素ガスが上記噴出溝１６０を通じて、上記ガス流入部１１０からガス排出部１２０方向に噴出される。この際、外部の廃棄ガスは、高温の窒素ガスと混合されて、ガス排出部１２０を通じて、外部に排出され、この際、高温の窒素ガスによって、別途のパーティクルが生成されない状態で排出されることができる。

このように、気圧式のガス誘導装置と電熱式の加熱装置を組み合わせて、これを廃棄ガス排出ラインのバルブに応用して、既存ベローズなどの機構的開閉方式と加熱装置の複雑な機構配列を排除することができ、真空配管および排気配管内部の未反応副産物累積を防止することができる。

上記からガス流入部１１０は示されたように、中空の本体を有して、その一端にはガス流入口１１２が設けられ、本体の一側には、上記加熱室１５０を通じて、外部高圧ガスが入力される入力孔１１４が形成され、上記入力孔１１４に対応して、上記高圧ガス室１４０が一側面になる溝部が設けられ、上記溝部の一側には、上記ガス移送部１３０を固定するための固定鍔１１１が設けられる。そして、上記ガス流入部１１０の他端には上記ガス排出部１２０と結合される端鍔部１１３が形成される。ガス排出部１２０は、図示されたように、中空の本体を有して、その一端にはガス排出口１２１が設けられ、他端には上記ガス流入部１１０と結合された端鍔部１２２が形成される。

従って、図４のように、上記ガス流入部１１０と上記ガス排出部１２０は、各自の端鍔部１１３、１２２が連結されて結合される。この際、これら二つをねじまたはボルトおよびナットのような別途の結合部材１８０を通じて結合することもできる。

上記のように、ガス流入部１１０とガス排出部１２０が結合された領域の内部には、ガス移送部１３０が設けられる。すなわち、このため、ガス排出部１２０の他端には別途の凹部が形成され、凹部の内にガス移送部１３０の一部が装着され、また、ガス流入部１１０には、図２に図示したように、ガス移送部１３０を固定するための固定鍔１１１が設けられる。上記のように、ガス排出部１２０を別途に設けて、上記ガス移送部１３０が小さい流動にも動かないようにしてファジー量に影響を与えないようにすることができる。すなわち、これを通じて、製品の移動時または設置時、他の理由による流動を防止して、初期セッティングされたファジー量の変化を防止することができる。

上記のガス移送部１３０は、その一側には上記ガス流入部１１０の溝部に対応して、高圧ガス室１４０を形成する凹部が形成される。このようにガス流入部１１０の溝部とガス移送部１３０の凹部が結合されて、高圧ガス室１４０を形成し、溝部と凹部の終端すなわち、ガス移送部１３０の終端領域に上記高圧ガス室１４０と連通されてガス流入部１１０に高圧ガスを供給するガス噴出溝１６０が設けられる。

また、上記ガス噴出溝１５０領域の上記ガス移送部１３０は、高圧ガスの噴射を誘導するガイド曲面１３１が形成されている。すなわち、ガス移送部１３０を始めとして、その側部に高圧ガス室１４０が内装されていて、この高圧ガス室１４０とガイド曲面１３１は噴出溝１６０で連結されている。

上記のように、高圧ガス室１４０の高圧ガスは、ガス噴出溝１６０を通じて噴出され、このように噴出された高圧ガスは、ガイド曲面１３１を通じて目標とする方向に誘導されることができる。すなわち、高圧ガス室１４０からガスが噴出されると、ガイド曲面１３１に沿ってガスが流され、ガス流入部１１０から移送された廃棄ガスは、噴出されたガスに誘導されて移送され、これによって、廃棄ガスの移送に方向性が与えられる。

上記の高圧ガスは廃棄ガスと反応されない窒素ガスが使われるが、加熱されて噴出した窒素ガスは、廃棄ガスと混合されて廃棄ガスの温度下降を防止することになる。これに、本発明は、噴出される高圧ガスを加熱させて、高温状態で噴出するための加熱室１５０が設けられる。

上記の加熱室１５０は、示されたように、ガス流入部１１０とガス排出部１２０が結合された結合領域を経て、上記高圧ガス室１４０領域にまで延びて形成される。また、加熱室１５０の一側には、上記制御ボックス２００の窒素ガス供給口２１０と接続されて、外部のガスが入力されるガス供給孔(１５２)を含む。そして、上記加熱室１５０内部には多数の電熱線１５１が巻かれていて、上記電熱線１５１は制御ボックス２００の制御回路部２２０に接続されている。このように、その外周面に高圧ガス室１４０と連結されるように加熱室１５０を設けて、加熱室１５０内部の電熱線１５１に制御回路部２２０を通じて、電気を印加する場合、電熱線１５１が発熱し、これにより高圧ガス室１４０内部および高圧ガス室１４０に流入されるガスを加熱することになる。

このように、外部から別途供給された常温の窒素または空気を注入して、加熱室５０内部で直接加熱して加熱された窒素または空気で、一定の長さ内の真空配管および排気配管の温度を一定に維持させることができる。これは廃棄ガスの温度下降により粉塵が生成される温度は約８０℃であるので、一定の長さ内の真空配管を通過する間、廃棄ガスの温度を上記の温度より高く維持して、粉塵の発生を防止することができる。

本実施の形態では、高圧ガス室１４０と加熱室１５０を別途に分離して説明したが、これに限定されずに、これらを一体として使用することができる。すなわち、加熱室１５０と高圧ガス室１４０は、互いに連結されているので、加熱室１５０と高圧ガス室１４０に特に区分して限定される必要はなく、高圧ガス室１４０に前記した電熱線１５１等が設置された場合、この高圧ガス室１４０は、高圧ガス室１４０であると共に加熱室１５０にもなる。

また、本発明では結合されたガス流入部１１０とガス排出部１２０の外側に火傷防止用ギャップ１７０を形成した。図面のように、火傷防止用ギャップ１７０は、結合されたガス流入部１１０とガス排出部１２０を取り囲む円型帯形状に製作し、その両端に制御ボックス２００が位置するようにする。すなわち、制御ボックス２００は、火傷防止用ギャップ１７０と機械的に結合され得る。この際、上記火傷防止用ギャップ１７０の表面には、多数の貫通口が形成されて、熱交換が容易に製作する。これを通じて、本実施例のガス誘導装置の温度による火傷を予防することができる。

上記の制御ボックス２００は、火傷防止用ギャップ１７０だけでなく、ガス流入部１１０および/またはガス排出部１２０と機械的に結合されることもできる。

ここで、制御ボックス２００には、外部の窒素タンクと接続される窒素供給注入口２１０が設けられる。また、図５に示されたように、上記加熱室１５０内部に設けられた電熱線１５１に電源を供給するため、外部電源と接続される電源ポート２２１と、上記電源ポート２２１の一ライン上に設けられて、上記電熱線１５１の動作を制御するスイッチ部２２２と、上記電源ポート２２１の他ライン上に設けられて、上記電熱線１５１の過度な熱上昇を防止するためのバイメタル部２２３と、上記電源ポート２２１の二つのラインに接続されて、発光するLEDランプ部２２４を備える制御回路２２０を含む。

本発明は、上記のような制御ボックス２００を通じて、外部のラインを上記の制御ボックスに接続させることで、加熱された廃棄ガスを真空配管および排気配管に注入することができ、別途の制御手段なしでヒーターの容量設計で動作可能にすることができ、別途のコントローラーの使用なしにバイメタルを通じて、電熱線の過熱を防止することができる。また、LEDランプを通じて、本発明の廃棄ガス誘導装置の動作遂行如何を検出することができる。

本実施の形態に係わる装置の動作を簡略に調べて見ると、先に本発明の廃棄ガス誘導装置を、廃棄ガスを移送する配管に設置して、上記制御ボックス２００の窒素供給注入口２１０に外部の窒素タンクから延長された窒素供給管を連結し、制御ボックス２００の電源ポート２２１に電源を連結する。

制御ボックス２００のスイッチ部をオンさせて上記加熱室１５０の電熱線１５１を加熱し、外部窒素ガスを供給させる。この際、ガス流入部１１０を通じて、廃棄ガスが流入される。上記のように、スイッチ２２１をターンオンさせて加熱室１５０の電熱線１５１が加熱され、制御ボックス２００の窒素供給注入口２１０を通じて、注入された窒素ガスは電熱線１５１により加熱される。すなわち、これを通じて、高圧ガス室１４０に充電された窒素ガス等も加熱された状態になる。このように加熱された窒素ガスは、廃棄ガスの流入と同時に上記高圧ガス室１４０の噴出溝１６０を通じて噴出されて、廃棄ガスと混合されながら、ガス移送部１３０のガイド曲面１３１に沿ってガス排出部１２０方向に移動される。この際、窒素ガスを高圧で噴射するので、ガス流入部１１０の廃棄ガスは高温の窒素ガスと迅速に混合されながら、ガス排出部１２０に流れることになる。この際、高温の窒素ガスと廃棄ガスが混合されながら、廃棄ガスも加熱されこれを通じて、廃棄ガスの温度下降による粉塵発生を防止することができる。この際、本発明では上記制御回路部２２０内のバイメタル部２２３を通じて、加熱線１５１の過度な温度上昇を防止することができる。すなわち、加熱線１５１の温度が過度に上昇する場合、バイメタル部２２３内の金属が落ちて、加熱線１５１に印加される電源を遮断することになり、また加熱線１５１の温度が下降すると、バイメタル部２２３内の金属が結合して、加熱線１５１に電源を印加することになる。このように加熱線１５１の温度によりバイメタル部２２３が動作して、加熱線１５１の過熱を防止することができる。これはバイメタルを調節して、ヒーター容量設計を通じた動作が可能である。

また、本発明は前述した制御回路部の内にディマースイッチを設けて、電熱線に印加される電力を可変させて温度を調節することができる。このような変形例に関し、図面を参照して説明する。

図６は、本発明の変形例に係わる制御ボックス内部の電気的連結関係を説明するための図面である。

図６を参照すれば、本変形例に係わる制御ボックス２００内部の制御回路２２０部は、外部の電源と接続される電源ポート２２１と、この際、電源ポート２２１の一端は、スイッチ部２２２と、ディマースイッチ２２５を通じて電熱線１５１に接続され、電源ポート２２１の他端は、バイメタル部２２３を通じて電熱線に接続される。図面に示されたように、電源ポート２２１の一端は、スイッチ部２２５内の第２端子と電線で連結され、スイッチ部２２５の第３端子は、ディマースイッチ２２５に電線を通じて接続され、ディマースイッチ２２５は更に電線を通じて電熱線１５１の一端に接続される。そして、電熱線１５１の他端とバイメタル部２２３は、電線を通じて連結され、バイメタル部２２３は電線を通じて電源ポート２２１の他端に接続される。この際、上記バイメタル部２２３と、上記スイッチ部２２２の第３端子とディマースイッチ２２５を連結する電線との間には、LEDランプ部２２４が接続されている。そして、バイメタル部２２３と電源ポート２２１の他端子を連結する電線は分岐して、スイッチ部２２２の第１端子と接続される。

前述したような回路は、外部電源と接続された電源ポート２２１を通じて外部電源が印加されると、スイッチ部２２２のターンオン状態により電源がディマースイッチ２２５に印加される。すなわち、スイッチ部２２２がターンオンされた場合には、電源はディマースイッチ２２５に印加される。以後、ディマースイッチ２２５に印加された電源は、ディマースイッチ２２５によりその電圧値が可変されて電熱線１５１に印加される。この際、ディマースイッチ２２５は、調光器として使われるスイッチであって、印加される電源の電圧および電流の勢いを制御できるスイッチである。これは通常、一般照明の明るさを調節するためのスイッチとして使われる。しかし、本変形例では、スイッチ部２２２と電熱線１５１との間に配置されて、外部電源の電圧を変化させて、電熱線１５１に印加される電圧を可変できるようにする。すなわち、例えば１００Vの電圧が電源ポート２２１を通じて印加される場合、ディマースイッチ２２５により、これより低い８０Vまたは５０Vの電圧が電熱線１５１に印加されて、１００V印加時より更に低い熱を放出できるようにする。このように本発明は、加熱線１５１が含まれた加熱室１５０の温度を調節することができて、排気ガスの放出のための最適の温度を一定に維持することができる。

本発明の装置は少量の空気を相違する二つの移送部(すなわち、ガス流入部およびガス排出口)が組合された増幅装置に通過させて、周辺の空気を大量に吸入して、超高速で吹きだすことができる構造を有する。すなわち、圧縮空気を動力源として、管内を利用する流体の量と速度を増幅させて、強制移送する構造である。

また、半導体またはLCD製造装置の中、正常な反応以外に不完全な未反応副産物を発生させる工程で、反応が直接行われるチャンバーと真空ポンプとの間、又、真空ポンプと排気ラインおよびガススクラバーの前後端に設置されて、真空配管内部または排気配管内部の未反応副産物累積を防止することができる。また、別途のコントローラー回路なしでバイメタル部を通じて、加熱線の過熱を防止することができる。そして、ディマースイッチを通じて、加熱線に印加される電圧を可変して、加熱線の加熱量を調節して、加熱室の温度を調節することができる。

産業上利用の可能性

前述したように、本発明はガス引入部とガス排出部を結合して、ガス移送部およびガス引入部が有する流動にも動かないようにしてファジー量を一定に維持することができる。

また、ガス引入部内にガス移送部を固定する固定鍔を形成して、装置の移送または設置を含む多様な理由による流動を防止して、初期セッティングされたファジー量の変化を防止することができる。

また、火傷防止ギャップをその外側に設けて、加熱室の温度による火傷を予防することができる。

また、バイメタル部を通じて加熱線の過熱を防止することができる。
また、ディマースイッチを通じて、加熱室の温度を調節することができる。
また、窒素ガス圧力および流入量と設定温度との対立関係を成立させて使用可能にヒーター容量を設計することができる。

本発明を添付図面と前述した望ましい実施の形態を参照して説明したが、本発明はそれに限定されなく、後述される特許請求範囲によって限定される。従って、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求範囲の技術的思想から逸しない範囲内で本発明を多様に変形および修正することができる。

本発明の一実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置の断面図。図１のA領域の拡大図。本発明の一実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置の斜視図。本発明の他の実施の形態に係わる廃棄ガス誘導装置の斜視図。上記制御ボックス内部の電気的連結関係を説明するための図。本発明の変形例に係わる制御ボックス内部の電気的連結関係を説明するための図。

Claims

ガス流入部とガス排出部と、
前記ガス流入部と前記ガス排出部との間に設けられて、廃棄ガスと高温高圧の窒素ガスを混合するガス移送部と、
前記ガス移送部に高温高圧の窒素ガスを供給する高圧ガス室と、
前記高圧ガス室の一側に設けられて、前記窒素ガスを加熱する加熱室と、
前記高圧ガス室に前記窒素ガスを供給する窒素供給注入口と前記加熱室に電源を供給する制御回路部を有する制御ボックスと
を含む廃棄ガス誘導装置。
前記ガス流入部と前記ガス排出部の外側に設けられた火傷防止用ギャップをさらに含む、請求項１に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記ガス流入部内に前記ガス移送部を固定する固定鍔が形成された、請求項１に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記の加熱室内部に設けられた電熱線をさらに含む、請求項１に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記制御回路部は、
前記加熱室内部に設けられた電熱線に電源を供給するため、外部電源と接続される電源ポートと、
前記電源ポートの一ライン上に設けられて、前記電熱線の動作を制御するスイッチ部と、
前記電源ポートの他ライン上に設けられて、前記電熱線の過度な熱上昇を防止するためのバイメタル部と、
前記電源ポートの二つのラインに接続されて、発光するLEDランプ部と
を含む、請求項１または４に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記スイッチ部と前記電熱線の間に設けられて、前記電熱線に印加される電圧を調節するディマースイッチをさらに含む、請求項５に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記制御回路部は、
前記加熱室内部に設けられた電熱線に電源を供給するため、外部電源と接続される電源ポートと、
前記電源ポートの一ライン上に設けられて、前記電熱線の動作を制御するスイッチ部と、
前記スイッチ部と前記電熱線との間に設けられて、前記電熱線に印加される電圧を調節するディマースイッチと、
前記電源ポートの二つのラインに接続されて発光するLEDランプ部と
を含む、請求項１または４に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記ガス流入部は、中空の本体を有し、その一端にガス流入口が設けられて、他端に前記ガス排出部と結合された端鍔部が形成された、請求項１に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記ガス排出部は、中曲の本体を有して、その一端にはガス排出口が設けられて、他端には前記ガス流入部と結合された端鍔部が形成された、請求項１に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記高圧ガス室と前記ガス移送部との間に設けられたガス噴出溝をさらに含む、請求項１に記載の廃棄ガス誘導装置。
前記ガス噴出溝領域の前記ガス移送部は、高圧ガスの噴射を誘導するガイド曲面が形成された、請求項１０に記載の廃棄ガス誘導装置。