CN112542508B - ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 - Google Patents
ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112542508B CN112542508B CN202011452266.1A CN202011452266A CN112542508B CN 112542508 B CN112542508 B CN 112542508B CN 202011452266 A CN202011452266 A CN 202011452266A CN 112542508 B CN112542508 B CN 112542508B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- flow
- thickness
- gan
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 244
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 76
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 48
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 42
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 30
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims description 22
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 6
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001657 homoepitaxy Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 68
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
Abstract
本发明涉及ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化物微波功率器件同质外延界面漏电及工作频率低的问题。其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和ScAlN势垒层，该插入层与势垒层之间设有InAlN帽层；该势垒层上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该InAlN帽层至绝缘栅介质层的两侧设有制作源、漏电极的欧姆接触区。该结构中的成核层、GaN沟道层、AlN插入层和InAlN帽层采用MOCVD生长；ScAlN势垒层和势垒保护层采用MBE生长。本发明无同质外延界面寄生漏电，器件工作频率高，输出电流密度大，制作工艺简单，可用于高频微波功率放大器和微波毫米波集成电路。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，特别涉及一种高电子迁移率晶体管，可用于制作微波功率放大器和微波毫米波单片集成电路。
背景技术
GaN异质结材料以其宽禁带、高临界击穿场强、高电子饱和漂移速度、以及强的自发和压电极化效应产生的具有高电子迁移率特性的二维电子气等出色的材料性能而受到广泛研究，在高频、高功率、高效率固态微波功率器件应用方面有独一无二的优势。自1993年第一支GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)原型器件制备成功至今，国内外相关研究人员对其进行了广泛而深入的研究，并取得了一系列令人瞩目的研究成果，逐步从实验研究进入商业应用领域。
为进一步提高GaN HEMT器件的工作频率、输出功率和工作可靠性，材料结构设计与外延技术、器件芯片制造工艺、新材料应用和器件结构创新均成为主要的技术途径。由于氮化镓单晶衬底材料尺寸小且价格高，GaN HEMT器件常在SiC等其他衬底材料上异质外延获得。常规AlGaN/GaN HEMT器件结构如图1所示，其自下而上包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上设有栅电极，源漏区欧姆接触上设有源、漏电极。该器件存在以下缺点：
一是异质外延GaN材料过程中，不可避免地产生高密度位错缺陷，该缺陷在器件高压长时间工作下会形成漏电通道，降低器件击穿电压并恶化可靠性；
二是AlGaN势垒层和GaN沟道层存在大的晶格失配和张应变，器件在高压工作时在AlGaN势垒层中产生逆压电效应，形成晶格缺陷并降低器件可靠性；
三是AlGaN/GaN异质结界面有极化效应产生的二维电子气浓度不够高，限制了其在高频高功率器件领域的应用；
四是AlGaN势垒层没有加以保护，会在势垒层表面产生表面态，降低二维电子气浓度，影响器件电流和功率输出特性。
五是厚的AlGaN势垒层需要增加栅极长度来有效控制沟道二维电子气，限制了HEMT器件工作频率的提高。
六是直接在AlGaN势垒层表面做源漏电极，源漏区域欧姆接触电阻很高，影响器件电流和功率输出特性。
发明内容
本发明目的在于针对上述已有技术的缺点，提出一种ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法，以有效抑制同质外延界面漏电通道，增加外延尺寸，降低材料缺陷密度，提高器件工作频率和输出功率及可靠性。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上，包括衬底、成核层、GaN沟道层、AlN插入层、势垒层，其特征在于：
所述AlN插入层与势垒层之间增设有In组分x在14％-20％之间，厚度为1nm-10nm的InxAl1-x N帽层；
所述势垒层的上部依次设有势垒保护层和绝缘栅介质层，该绝缘栅介质层上设置栅电极；
所述InAlN帽层至绝缘栅介质层两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别设置源、漏电极。
进一步，所述势垒层，采用Sc组分y在15％-20％之间，厚度为1nm-30nm的ScyAl1-yN材料。
进一步，所述AlN插入层，其厚度为1nm-2nm；所述势垒保护层，其厚度为1nm-3nm；所述的绝缘栅介质层，其厚度3nm-20nm。
进一步，所述衬底采用蓝宝石材料、Si材料、SiC材料、金刚石材料、氮化铝材料和氧化镓材料中的任意一种材料。
进一步，所述的成核层，采用AlN或AlN、AlGaN、AlN/AlGaN超晶格的复合层，厚度为100nm-240nm。所述的沟道层，采用GaN，厚度为1500nm-5000nm；所述的势垒保护层，采用GaN或AlN，其厚度为1nm-3nm；所述绝缘栅介质层，采用Al2O3或HfO2介质层，厚度为3nm-20nm。
2、一种ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在衬底基片上，利用金属有机物化学气相淀积方法生长100nm-240nm的成核层(2)；
2)用金属有机物化学气相淀积方法，在成核层上生长1500nm-5000nm的GaN沟道层；
3)用金属有机物化学气相淀积方法，在GaN沟道层上生长厚度为1nm-2nm的AlN插入层；
4)用金属有机物化学气相淀积方法，在AlN插入层上生长In组分x在14％-20％之间，厚度为1nm-10nm的InxAl1-x N帽层；
5)用分子束外延方法，在InAlN帽层上生长Sc组分y在15％-20％之间，厚度为1nm-30nm的ScAlN势垒层；
6)用分子束外延方法，在ScAlN势垒层上生长厚度为1nm-3nm的势垒保护层；
7)采用原子层淀积工艺，在势垒保护层上形成厚度为3nm-20nm的绝缘栅介质层；
8)采用电子束蒸发工艺，在绝缘栅介质层上淀积Ni/Au金属组合，形成栅电极；
9)对绝缘栅介质层两端进行干法刻蚀处理至AlN插入层上方，形成凹槽；再用分子束外延方法在凹槽区域生长厚度为6nm-63nm的Si掺杂n型GaN层，Si的剂量为(0.5-1)x1020cm-3，并进行剂量为(0.5-1)x1020 cm-3的n型Si离子注入，形成欧姆接触区域。
10)采用电子束蒸发工艺，在源电极和漏电极图形区先淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au，再在830℃氮气气氛下退火，形成源电极和漏电极，完成器件制作。
本发明与现有技术相比具有如下优点：
1、本发明中在ScAlN势垒层与AlN插入层之间插入了InAlN帽层，可以有效保护GaN沟道层中形成的二维电子气导电通道，避免了在同质外延时厚膜氮化镓表面引入的Si和O杂质及其在同质外延界面形成的漏电通道，从而增加了器件的击穿电压。
2、本发明中由于采用ScAlN作为势垒层，该材料具有强的极化效应，可进一步提高GaN沟道层中载流子密度，从而改善器件电流和功率特性；该势垒层极薄，这种薄的ScAlN势垒层可以满足器件栅长进一步缩减的要求，从而提高器件工作频率；该材料具有很大的禁带宽度，可获得很高的击穿电压。
3、本发明由于采用InAlN帽层和ScAlN势垒层，可以同时与GaN沟道层实现面内晶格常数匹配和无应变异质结材料生长，消除HEMT器件高压工作时的逆压电效应，提高器件长时间高压工作的可靠性。
4、本发明中采用势垒保护层保护ScAlN势垒层，避免了在ScAlN势垒层表面引入表面态，有助于提高沟道层载流子浓度，改善器件电流和功率输出特性。
5、本发明中由于增设了绝缘栅介质层，可避免栅电极下的漏电，增加器件的击穿电压。
6、本发明采用分子束外延技术在源漏欧姆接触区生长n型GaN层，并在该n型GaN层中进行n型离子注入，降低了源漏区域串联电阻及欧姆接触电阻，从而改善了器件电流和功率输出特性。
7、本发明由于采用金属有机物化学气相淀积技术和分子束外延技术相结合生长ScAlN/GaN异质结材料，可在衬底片上外延时，实现大尺寸、低成本、高质量的异质结材料生长；避免了单一金属有机物化学气相淀积技术生长对系统设备的改造过程，有效降低采用金属有机物化学气相淀积生长高质量ScAlN势垒层的困难度；避免了单一分子束外延技术异质外延的工艺难度以及产生的大量位错缺陷。
8、本发明的器件材料生长工艺简单，降低了控制难度，增加了工艺重复性和一致性，易于实现高频高功率氮化镓高电子迁移率晶体管的量产。
附图说明
图1是传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结构图；
图2是本发明基于ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管的结构图；
图3是本发明制作基于ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管的流程示意图。
具体实施方式
参照图2，本发明的ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上，包括衬底1、成核层2、GaN沟道层3、AlN插入层4、InAlN帽层5、ScAlN势垒层6、势垒保护层7、绝缘栅介质层8和栅电极。
在InAlN帽层5至绝缘栅介质层8两侧设有为欧姆接触区，该欧姆接触区上分别设有源电极和漏电极。
所述衬底采用蓝宝石材料、Si材料、SiC材料、金刚石材料、氮化铝材料和氧化镓材料中的任意一种材料。
所述的成核层2，采用AlN或AlN、AlGaN、AlN/AlGaN超晶格的复合层，厚度为100nm-240nm；
所述的GaN沟道层3，厚度为1500nm-5000nm；
所述的AlN插入层4，其厚度为1nm-2nm；
所述的InxAl1-x N帽层5的In组分x在14％-20％之间，厚度为1nm-10nm；
所述的ScyAl1-yN势垒层6，其Sc组分y在15％-20％之间，厚度为1nm-30nm；
所述的势垒保护层7，采用GaN或AlN，其厚度为1nm-3nm；
所述的绝缘栅介质层8，采用Al2O3或HfO2介质层，厚度为3nm-20nm。
参照图3，本发明制作基于ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管给出如下三种实施例。
实施例一，制作采用In0.14Al0.86N帽层、Sc0.15Al0.85N势垒层的蓝宝石基ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管。
步骤一，外延AlN成核层，如图3(a)。
使用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上，外延厚度为100nm的AlN成核层。
外延AlN成核层采用的工艺条件为：温度为1200℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，铝源流量为20sccm，氢气流量为3000sccm。
步骤二，淀积GaN沟道层，如图3(b)。
使用金属有机物化学气相淀积技术在AlN成核层上淀积厚度为3000nm的GaN沟道层。
淀积GaN沟道层采用的工艺条件是：温度为1080℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，镓源流量为120sccm，氢气流量为3000sccm。
步骤三，淀积AlN插入层，如图3(c)。
使用金属有机物化学气相淀积技术在GaN沟道层上淀积厚度为1.5nm的AlN插入层。
淀积AlN插入层采用的工艺条件是：温度为1080℃，压强为40Torr，铝源流量为10sccm，氨气流量为2000sccm，氢气流量为3000sccm。
步骤四，淀积InAlN帽层，如图3(d)。
使用金属有机物化学气相淀积技术在AlN插入层上淀积厚度为5nm的In0.14Al0.86N帽层。
淀积In0.14Al0.86N帽层采用的工艺条件是：温度为820℃，压强为200Torr，铝源流量为10sccm，铟源流量为50sccm，氨气流量为2000sccm，氮气流量为3000sccm。
步骤五，淀积ScAlN势垒层，如图3(e)。
使用分子束外延方法，在In0.14Al0.86N帽层上淀积厚度为16nm的Sc0.15Al0.85N势垒层。
淀积Sc0.15Al0.85N势垒层采用的工艺条件是：温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，钪束流平衡蒸气压为1.5×10-8Torr，铝束流平衡蒸气压为2.1×10-7Torr，氮气射频源功率为375W。
步骤六，淀积GaN势垒保护层，如图3(f)。
使用分子束外延方法，在Sc0.15Al0.85N势垒层上淀积厚度为2nm的GaN势垒保护层。
淀积GaN势垒保护层采用的工艺条件为：温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，氮气射频源功率为375W。
步骤七，淀积Al2O3绝缘栅介质层，如图3(g)。
使用原子层淀积工艺在GaN势垒保护层外延厚度为10nm的Al2O3绝缘栅介质层。
步骤八，制作栅电极，如图3(h)。
在Al2O3绝缘栅介质层上制作掩膜，使用电子束蒸发技术在Al2O3绝缘栅介质层上淀积金属，制作栅极，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，金属厚度为0.02μm/0.3μm。淀积金属采用的工艺条件为：真空度小于1.4×10-3Pa，功率范围为400～800W，蒸发速率为
步骤九，干法刻蚀，形成做左右凹槽，如图3(i)。
在Al2O3绝缘栅介质层上制作掩膜，使用RIE干法刻蚀技术分别去除距栅电极左侧1.5μm和距栅电极右侧3.5μm的Al2O3绝缘栅介质层、GaN势垒保护层、Sc0.15Al0.85N势垒层和In0.14Al0.86N帽层，形成左凹槽和右凹槽。
刻蚀采用的工艺条件为：Cl2流量为15sccm，反应室压强为11mTorr，电极功率为180W。
步骤十，制作欧姆接触区域。
10.1)使用分子束外延技术在左、右凹槽区域淀积厚度为33nm的硅掺杂n型GaN层，Si掺杂浓度为0.7×1020cm-3,如图3(j)；
淀积采用的工艺条件是：温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，硅束流平衡蒸气压为2.8×10-8Torr，氮气射频源功率为375W。
10.2)在硅掺杂n型GaN层，注入Si离子，Si离子的剂量为0.3x1020 cm-3，形成左右欧姆接触区域,如图3(k)。
步骤十一，制作源电极和漏电极，如图3(l)。
在绝缘栅介质层上制作掩膜，用电子束蒸发技术在真空度小于1.5×10-3Pa，功率范围为500～800W，蒸发速率为
的工艺条件下，分别在左和右欧姆接触区上，淀积厚度为0.02μm/0.05μm/0.04μm/0.04μm的Ti/Al/Ni/Au金属组合；再在温度为830℃的氮气气氛中快速热退火30s，形成源电极和漏电极，完成器件制作。
实施例二，制作采用In0.2Al0.8N帽层、Sc0.2Al0.8N势垒层的硅基ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管。
步骤1，使用金属有机物化学气相淀积技术外延AlN和AlGaN和AlGaN/GaN超晶格复合成核层，如图3(a)。
(1a)以温度为1100℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，铝源流量为20sccm，氢气流量为3000sccm的工艺条件，在硅衬底上外延厚度为60nm的AlN成核层；
(1b)以温度为1100℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，铝源流量为20sccm，镓源流量为120sccm，氢气流量为3000sccm的工艺条件，在AlN成核层上淀积厚度为80nm的AlGaN成核层。
(1c)以温度为1100℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，铝源流量为20sccm，镓源流量为120sccm，氢气流量为3000sccm的工艺条件，在AlGaN成核层上淀积厚度为100nm的AlGaN/GaN超晶格成核层。
步骤2，使用金属有机物化学气相淀积技术淀积GaN沟道层，如图3(b)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，温度为1100℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，镓源流量为120sccm，氢气流量为3000sccm，在复合成核层上淀积厚度为5000nm的GaN沟道层。
步骤3，使用金属有机物化学气相淀积技术淀积AlN插入层，如图3(c)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，温度为1100℃，压强为40Torr，铝源流量为8sccm，氨气流量为2000sccm，氢气流量为3000sccm，在GaN沟道层上淀积厚度为2nm的AlN插入层。
步骤4，使用金属有机物化学气相淀积技术淀积InAlN帽层，如图3(d)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，温度为820℃，压强为200Torr，铝源流量为8sccm，铟源流量为50sccm，氨气流量为2000sccm，氮气流量为3000sccm，在AlN插入层上淀积厚度为10nm的In0.2Al0.8N帽层。
步骤5，使用分子束外延技术在In0.2Al0.8N帽层上淀积Sc0.2Al0.8N势垒层，如图3(e)。
使用分子束外延技术，温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，钪束流平衡蒸气压为1.8×10-8Torr，铝束流平衡蒸气压为2.1×10-7Torr，氮气射频源功率为375W，在In0.2Al0.8N帽层上淀积厚度为30nm的Sc0.2Al0.8N势垒层。
步骤6，使用分子束外延技术在Sc0.2Al0.8N势垒层上淀积GaN势垒保护层，如图3(f)。
使用分子束外延技术，温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，氮气射频源功率为375W，在Sc0.2Al0.8N势垒层上淀积厚度为3nm的GaN势垒保护层。
步骤7，使用原子层淀积技术在GaN势垒保护层上外延厚度为20nm的HfO2绝缘栅介质层，如图3(g)。
步骤8，使用电子束蒸发技术制作栅电极，如图3(h)。
在HfO2绝缘栅介质层上制作掩膜，使用电子束蒸发技术，以真空度小于1.4×10- 3Pa，功率范围为400～800W，蒸发速率为
在HfO2绝缘栅介质层上淀积金属，制作栅极，其中所淀积的金属为Ni/Au金属组合，金属厚度为0.04μm/0.5μm。
步骤9，干法刻蚀，形成左右凹槽,如图3(i)。
使用RIE干法刻蚀技术在HfO2绝缘栅介质层上制作掩膜，Cl2流量为20sccm，反应室压强为15mTorr，电极功率为220W，分别去除距栅电极左侧1.5μm和距栅电极右侧3.5μm的HfO2绝缘栅介质层、GaN势垒保护层、Sc0.2Al0.8N势垒层和In0.2Al0.8N帽层，形成左右凹槽区域。
步骤10，制作欧姆接触区域。
10.1)用分子束外延技术在左右凹槽区域淀积硅掺杂n型GaN层，淀积厚度为63nm，Si掺杂浓度为0.6×1020cm-3,如图3(j)；
淀积采用的工艺条件为：温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，硅束流平衡蒸气压为2.5×10-8Torr，氮气射频源功率为375W；
10.2)在硅掺杂n型GaN层注入Si离子，Si离子的剂量为0.6x1020 cm-3，形成左右欧姆接触区域,如图3(k)。
步骤11，使用电子束蒸发技术制作源电极和漏电极，如图3(l)。
设置真空度小于1.4×10-3Pa，功率范围为400～800W，蒸发速率为
的工艺条件，分别在左、右欧姆接触区域上淀积厚度为0.05μm/0.12μm/0.08μm/0.08μm的Ti/Al/Ni/Au金属组合，再在温度为830℃的氮气气氛进行快速热退火30s，形成源极和漏极，完成器件制作。
实施例三，制作采用In0.17Al0.83N帽层、Sc0.18Al0.82N势垒层的碳化硅基ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管。
步骤A，外延AlN成核层，如图3(a)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，设置温度为1150℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，铝源流量为30sccm，氢气流量为3000sccm的工艺条件，在碳化硅衬底上淀积厚度为120nm的高温AlN成核层。
步骤B，淀积GaN沟道层，如图3(b)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，在温度为1150℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，镓源流量为100sccm，氢气流量为3000sccm的工艺条件下，在AlN成核层上淀积厚度为1500nm的GaN沟道层。
步骤C，淀积AlN插入层，如图3(c)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，在温度为1150℃，压强为40Torr，铝源流量为6sccm，氨气流量为1200sccm，氢气流量为3000sccm的工艺条件下，在GaN沟道层上淀积厚度为1nm的AlN插入层。
步骤D，淀积InAlN帽层，如图3(d)。
使用金属有机物化学气相淀积技术，在温度为830℃，压强为200Torr，铝源流量为12sccm，铟源流量为40sccm，氨气流量为2000sccm，氮气流量为3000sccm的工艺条件下，在AlN插入层上淀积厚度为1nm的In0.17Al0.83N帽层。
步骤E，淀积ScAlN势垒层，如图3(e)。
使用分子束外延方法，在温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，钪束流平衡蒸气压为1.5×10-8Torr，铝束流平衡蒸气压为2.1×10-7Torr，氮气射频源功率为375W的工艺条件下，在In0.17Al0.83N帽层上淀积厚度为1nm的Sc0.18Al0.82N势垒层。
步骤F，淀积AlN势垒保护层，如图3(f)。
使用分子束外延方法，在温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，氮气射频源功率为375W的工艺条件下，在Sc0.18Al0.82N势垒层上淀积厚度为1nm的AlN势垒保护层。
步骤G，淀积Al2O3绝缘栅介质层，如图3(g)。
使用原子层淀积工艺在AlN势垒保护层上外延厚度为3nm的Al2O3绝缘栅介质层。
步骤H，制作栅电极，如图3(h)。
在Al2O3绝缘栅介质层上制作掩膜，使用电子束蒸发技术以真空度小于1.5×10- 3Pa，功率范围为300～800W，蒸发速率为
的工艺条件，在栅介质层上淀积厚度为0.03μm/0.4μm的Ni/Au金属组合，形成栅极。
步骤I，干法刻蚀，形成左右凹槽，如图3(i)。
在Al2O3绝缘栅介质层上制作掩膜，使用RIE干法刻蚀技术，以Cl2流量为18sccm，反应室压强为12mTorr，电极功率为160W的工艺条件，去除距栅电极左侧1.5μm和距栅电极右侧3.5μm的Al2O3绝缘栅介质层、AlN势垒保护层、Sc0.18Al0.82N势垒层和In0.17Al0.83N帽层，形成左、右凹槽区域。
步骤J，制作欧姆接触区域。
J.1)使用分子束外延技术，设置温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，硅束流平衡蒸气压为3.2×10-8Torr，氮气射频源功率为375W的工艺条件，在左、右凹槽区域分别淀积厚度为6nm，硅掺杂浓度为0.8×1020cm-3的n型GaN层,如图3(j)；
J.2)在左、右3.k硅掺杂的n型GaN层注入剂量为0.7x1020 cm-3的Si离子，形成左、右欧姆接触区域,如图3(k)。
步骤K，制作源电极和漏电极，如图3(l)。
k1)在绝缘栅介质层上制作掩膜，用电子束蒸发技术，在真空度小于1.6×10-3Pa，功率范围为600～900W，蒸发速率为
的工艺条件下，分别在左、右欧姆接触区上淀积厚度为0.02μm/0.2μm/0.05μm/0.05μm的Ti/Al/Ni/Au金属组合；
k2)对淀积金属在温度为830℃的氮气气氛中，快速热退火30s，形成源极和漏极，完成制作。
以上描述仅是本发明的三个具体事例，并未构成对本发明的任何限制，显然对于本领域的专业人员来说，在了解了本发明的内容和原理后，都可能在不背离本发明原理、结构的情况下，进行形式和细节的各种修改和改变，但是这些基于本发明思想的修正和改变仍在本发明的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管，自下而上，包括衬底(1)、成核层(2)、GaN沟道层(3)、AlN插入层(4)、势垒层(6)，其特征在于：
所述AlN插入层(4)与势垒层(6)之间增设有In组分x在14％-20％之间，厚度为1nm-10nm的InxAl1-xN帽层(5)；
所述势垒层(6)的上部依次设有势垒保护层(7)和绝缘栅介质层(8)，该绝缘栅介质层(8)上设置栅电极；
所述InxAl1-xN帽层(5)至绝缘栅介质层(8)两侧均为欧姆接触区，欧姆接触区上分别设置源、漏电极。
2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述势垒层(6)，采用Sc组分y在15％-20％之间，厚度为1nm-30nm的ScyAl1-yN材料。
3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
所述AlN插入层(4)，其厚度为1nm-2nm；
所述势垒保护层(7)，其厚度为1nm-3nm；
所述的绝缘栅介质层(8)，其厚度3nm-20nm。
4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：衬底采用蓝宝石材料、Si材料、SiC材料、金刚石材料、氮化铝材料和氧化镓材料中的任意一种材料。
5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
所述的成核层(2)，采用AlN、AlGaN、AlN/AlGaN超晶格的复合层或GaN、AlGaN、AlN/AlGaN超晶格的复合层，厚度为100nm-240nm；
所述绝缘栅介质层(8)，采用Al2O3或HfO2介质层，厚度为3nm-20nm。
6.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
所述的沟道层(3)，采用GaN，厚度为1500nm-5000nm；
所述的势垒保护层(7)，采用GaN或AlN，其厚度为1nm-3nm。
7.一种ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在衬底基片(1)上，利用金属有机物化学气相淀积方法生长100nm-240nm的成核层(2)；
2)用金属有机物化学气相淀积方法，在成核层(2)上生长1500nm-5000nm的GaN沟道层(3)；
3)用金属有机物化学气相淀积方法，在GaN沟道层(3)上生长厚度为1nm-2nm的AlN插入层(4)；
4)用金属有机物化学气相淀积方法，在AlN插入层(4)上生长In组分x在14％-20％之间，厚度为1nm-10nm的InAlN帽层(5)；
5)用分子束外延方法，在InAlN帽层(5)上生长Sc组分y在15％-20％之间，厚度为1nm-30nm的ScAlN势垒层(6)；
6)用分子束外延方法，在ScAlN势垒层(6)上生长厚度为1nm-3nm的势垒保护层(7)；
7)采用原子层淀积工艺，在势垒保护层(7)上形成厚度为3nm-20nm的绝缘栅介质层(8)；
8)采用电子束蒸发工艺，在绝缘栅介质层(8)上淀积Ni/Au金属组合，形成栅电极；
9)对绝缘栅介质层两端进行干法刻蚀处理至AlN插入层上方，形成凹槽；再用分子束外延方法在凹槽区域生长厚度为6nm-63nm的Si掺杂n型GaN层，Si的剂量为(0.5-1)x1020cm-3，并进行剂量为(0.5-1)x1020cm-3的n型Si离子注入，形成欧姆接触区域；
10)采用电子束蒸发工艺，在源电极和漏电极图形区先淀积欧姆接触金属Ti/Al/Ni/Au，再在830℃氮气气氛下退火，形成源电极和漏电极，完成器件制作。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于：
所述1)中的金属有机物化学气相淀积方法，其工艺条件为：
温度为1100℃-1200℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，铝源流量为20sccm-30sccm，氢气流量为3000sccm；
所述2)中的金属有机物化学气相淀积方法，其工艺条件为：
温度为1080℃-1500℃，压强为40Torr，氨气流量为2000sccm，镓源流量为100sccm-120sccm，氢气流量为3000sccm。
9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于：
所述3)中的金属有机物化学气相淀积方法，其工艺条件如下：
温度为1080℃-1150℃，压强为40Torr，铝源流量为6sccm 10sccm，氨气流量为2000sccm-3000sccm，氢气流量为3000sccm；
所述4)中的金属有机物化学气相淀积方法，其工艺条件如下：
温度为820℃-830℃，压强为200Torr，铝源流量为8sccm-12sccm，铟源流量为40sccm-50sccm，氨气流量为2000sccm，氮气流量为3000sccm。
10.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于：
所述5)中的分子束外延方法，其工艺条件是：温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，钪束流平衡蒸气压为1.5×10-8Torr-1.8×10-8Torr，铝束流平衡蒸气压为2.1×10-7Torr，氮气射频源功率为375W；
所述6)中的分子束外延方法，其工艺条件是：温度为685℃，氮气流量为2.3sccm，镓束流平衡蒸气压为7.2×10-7Torr，氮气射频源功率为375W。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011452266.1A CN112542508B (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011452266.1A CN112542508B (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112542508A CN112542508A (zh) | 2021-03-23 |
| CN112542508B true CN112542508B (zh) | 2022-03-04 |
Family
ID=75018375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011452266.1A Active CN112542508B (zh) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112542508B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112951910A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-06-11 | 西安电子科技大学 | BAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN113192836A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-30 | 深圳市汇芯通信技术有限公司 | 射频半导体器件的制备方法及其结构 |
| CN113257911B (zh) * | 2021-05-11 | 2022-05-10 | 华南师范大学 | 含Sc掺杂的源空气桥结构GaN射频HEMT及其制备方法 |
| CN113314590B (zh) * | 2021-05-19 | 2023-03-21 | 西安电子科技大学 | 一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法 |
| CN114759085A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-07-15 | 山东大学 | 一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法 |
| CN115911094A (zh) * | 2022-11-18 | 2023-04-04 | 北京大学 | 一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598149A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-28 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种GaN基HEMT器件 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10636881B2 (en) * | 2016-04-11 | 2020-04-28 | Qorvo Us, Inc. | High electron mobility transistor (HEMT) device |
| CN108231880B (zh) * | 2017-12-22 | 2021-03-05 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种增强型GaN基HEMT器件及其制备方法 |
| CN108461543B (zh) * | 2018-05-29 | 2022-07-08 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种GaN HEMT器件及其制备方法 |
| CN108615756A (zh) * | 2018-06-15 | 2018-10-02 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体器件 |
-
2020
- 2020-12-10 CN CN202011452266.1A patent/CN112542508B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108598149A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-28 | 苏州闻颂智能科技有限公司 | 一种GaN基HEMT器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112542508A (zh) | 2021-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112542508B (zh) | ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN112736131B (zh) | YAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| US9224596B2 (en) | Methods of fabricating thick semi-insulating or insulating epitaxial gallium nitride layers | |
| JP6196987B2 (ja) | 窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス | |
| JP7013710B2 (ja) | 窒化物半導体トランジスタの製造方法 | |
| CN112701160A (zh) | 氮化镓基高电子迁移率晶体管外延片及其制备方法 | |
| CN112951910A (zh) | BAlN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN113555431B (zh) | 基于P型GaN漏电隔离层的同质外延氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | |
| CN112133749A (zh) | 一种p型帽层增强型hemt器件及其制备方法 | |
| CN110164976B (zh) | 应变型氧化镓mosfet器件结构及制备方法 | |
| CN113314597B (zh) | 一种氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN110600547B (zh) | 氮化镓基半导体器件及其制作方法 | |
| CN115799331B (zh) | 一种基于蓝宝石衬底的多凹槽AlGaN/GaN HEMT器件 | |
| CN109599437A (zh) | 基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN115763533A (zh) | 凹槽填充介质隔离漏电的同质外延GaN HEMT器件及其制作方法 | |
| CN113140620B (zh) | 宽禁带半导体BPN/GaN异质结材料及外延生长方法 | |
| CN110444598B (zh) | 高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN113314598A (zh) | 一种金刚石基氮极性面氮化镓高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN114121655A (zh) | 一种基于增强型器件的自终止刻蚀方法及器件 | |
| CN113314590B (zh) | 一种氮化物高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN111640671B (zh) | 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN115719764A (zh) | 过渡金属氮化物势垒高电子迁移率晶体管及其制作方法 | |
| CN114156340A (zh) | 基于复合沟道结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法 | |
| CN112635551A (zh) | 一种GaN异质结材料及其制作方法 | |
| CN117936578A (zh) | 一种增强和耗尽型可切换的Ga2O3场效应晶体管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |