CN112526824B - 一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 58
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 53
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 33
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 33
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical group FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- -1 N-substituted maleimide Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 4
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 16
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 150000001336 alkenes Chemical group 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 5
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- MTLWTRLYHAQCAM-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-cyano-2-methylpropyl)diazenyl]-3-methylbutanenitrile Chemical compound CC(C)C(C#N)N=NC(C#N)C(C)C MTLWTRLYHAQCAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical group N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDMUQNOYNAWAAL-UHFFFAOYSA-N 3-diazo-1,4-dioxonaphthalene-2-sulfonic acid Chemical group C1=CC=C2C(=O)C(=[N+]=[N-])C(S(=O)(=O)O)C(=O)C2=C1 NDMUQNOYNAWAAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXNPPPWTCCAHSL-UHFFFAOYSA-N [N+](=[N-])=C1C(C(C2=CC=CC=C2C1=O)=O)S(=O)(=O)O.OC1C(C(=O)C2=CC=CC=C2)(C=C(C=C1)O)O Chemical compound [N+](=[N-])=C1C(C(C2=CC=CC=C2C1=O)=O)S(=O)(=O)O.OC1C(C(=O)C2=CC=CC=C2)(C=C(C=C1)O)O OXNPPPWTCCAHSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMKDBQYTEDLHQB-UHFFFAOYSA-N [N+](=[N-])=C1C(C(C2=CC=CC=C2C1=O)=O)S(=O)(=O)O.OC1C(C(=O)C2=CC=CC=C2)(C=CC(=C1)O)O Chemical compound [N+](=[N-])=C1C(C(C2=CC=CC=C2C1=O)=O)S(=O)(=O)O.OC1C(C(=O)C2=CC=CC=C2)(C=CC(=C1)O)O MMKDBQYTEDLHQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N coumarin 120 Chemical compound C1=C(N)C=CC2=C1OC(=O)C=C2C GLNDAGDHSLMOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001924 cycloalkanes Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- BGTOWKSIORTVQH-HOSYLAQJSA-N cyclopentanone Chemical group O=[13C]1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-HOSYLAQJSA-N 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SEEYREPSKCQBBF-UHFFFAOYSA-N n-methylmaleimide Chemical compound CN1C(=O)C=CC1=O SEEYREPSKCQBBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(C)(C)C SJMYWORNLPSJQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
- C08F222/36—Amides or imides
- C08F222/40—Imides, e.g. cyclic imides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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Abstract
本发明公开了一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用,所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中,其上层可兼容光刻胶,所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶。
Description
本申请是申请日为2018年12月13日、申请号为201811525923.3、发明名称为“一种聚合物树脂及其制备方法和应用”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及光刻胶技术领域,尤其涉及一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用。
背景技术
在集成电路制造过程中光刻工艺是将光刻掩模上的图形精确复制到待刻蚀材料(单晶硅、多晶硅、二氧化硅、铝、铜等)表面的光刻胶上。然后在刻蚀材料光刻胶的保护作用下,选择性刻蚀待刻蚀基底,从而在待刻蚀材料中得到想要的图形。而对于利用常规光刻刻蚀工艺中难以腐蚀的钽、金及硅化物以及GaAs图形金属化制作工艺中,则需要采用金属剥离工艺。
金属剥离工艺是光刻胶通过光刻显影后,通过金属沉积的方式在无光刻胶保护的地方有金属保留,而有光刻胶保护的地方通过光刻胶溶解试剂剥离掉,从而获得所需金属图形。普通光刻胶在沉积过程中光刻胶侧边也会有金属沉积而很难剥离掉,因此多使用双层工艺来实现,如图1所示。在双层工艺中需要使用金属剥离胶(LOR)作为底部牺牲层,顶部为常规光刻胶,通过光刻显影后,底部LOR会形成倒T结构,有利于后续金属沉积和光刻胶剥离。
金属剥离胶需要具备良好的金属剥离特性、与基底黏附性好、热稳定性高、与顶层光刻胶兼容性好和去胶性能优异等特点。通常顶层光刻胶使用的显影液是碱性水溶液,因此需求金属剥离胶在碱性水溶液中有合适的溶解性以满足金属剥离工艺。
发明内容
鉴于现有技术的上述需求,本发明所要解决的技术问题是如何提供一种具有优良的热力学性能及溶解性能的聚合物树脂,尤其作为主体树脂配制而成的金属剥离胶组合物能够广泛应用于金属剥离工艺。
为实现上述目的,本发明提供了一种聚合物树脂,其具有如下通式(P):
其中,R1、R2、R3、R4、R6、R8中的每个选自H、苯基或含1-4个碳的烷烃基团;
R5选自含1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团,苯基或苄基;
R7选自1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团;
X选自含1-10个碳原子的直链、支链、环状烃类基团,醚类基团、酯基、酰胺基团或芳香基团。
进一步地,所述聚合物树脂由马来酰亚胺单体、N-取代的马来酰亚胺单体、丙烯酸酯类单体和含六氟异丙醇结构单体共聚而成。由于马来酰亚胺单体具有一定的碱溶性,可以用来较好的调节聚合物树脂中的碱溶性。
进一步地,N-取代的马来酰亚胺单体中的取代基为含1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类,苯基或苄基,优选甲基、乙基、苯基和苄基、环己基和2,6-二甲基苯基,具体结构如下述M-1-6所示:
进一步地,丙烯酸酯类单体为含有1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类的丙烯酸酯,优选甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸叔丁酯、丙烯酸叔丁酯等。
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中烯烃结构和六氟异丙醇结构之间连接基团可以是含1-10个碳原子的直链、支链、环状烃类基团,醚类基团,酯基,酰胺基团或芳香基团等连接基团。
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中的烯烃结构和六氟异丙醇结构之间的连接基团可以是直链或支链烷烃基团,如下述H-1-4所示:
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中的烯烃结构和六氟异丙醇结构之间的连接基团可以是环状烷烃基团,如下述H-5-8所示:
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中的烯烃结构和六氟异丙醇结构之间的连接基团可以是醚类基团,如下述H-9-10所示:
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中的烯烃结构和六氟异丙醇结构之间的连接基团可以是芳香基团,如苯基,萘基,蒽基,芘基等,如下述H-11-14所示:
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中的烯烃结构和六氟异丙醇结构之间的连接基团可以是酯基,如下述H-15-22所示:
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中的烯烃结构和六氟异丙醇结构之间的连接基团可以是酰胺基团,如下述H-23-24所示:
进一步地,含六氟异丙醇结构单体中可含有两个六氟异丙醇结构单元,如下述H-25-26所示:
进一步地,聚合物树脂的重均分子量范围为10000-200000,分子量分布为1-5。
进一步地,马来酰亚胺单体按重量计占聚合物树脂的单体的0.1%-20%,N-取代的马来酰亚胺单体按重量计占聚合物树脂的单体的20%-70%,丙烯酸酯类单体按重量计占聚合物树脂的单体的1%-50%,含六氟异丙醇结构单体按重量计占聚合物树脂的单体的0.5%-30%。
本发明还提供了一种制备前述聚合物树脂的方法,该方法包括如下步骤:
a、将马来酰亚胺单体、N-取代的马来酰亚胺单体、丙烯酸酯类单体和含六氟异丙醇结构单体按照一定比例溶于反应溶剂中,在氮气保护下,加热至50-120℃,随后加入引发剂,在50-120℃下磁力搅拌反应5-36h;
b、将步骤a反应得到的混合溶液在甲醇或水中沉淀析出,析出的沉淀经真空干燥6-48h,即得到前述聚合物树脂。
进一步地,引发剂选自偶氮二异丁腈(AIBN)、偶氮二异戊腈、过氧化二苯甲酰(BPO),引发剂占单体总摩尔数的0.02%-2%。
进一步地,反应溶剂选自四氢呋喃、二氧六环、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、甲苯、二甲苯或氯苯等有机溶剂。
本发明还提供了一种金属剥离胶组合物,该金属剥离胶组合物由前述聚合物树脂与碱溶调节剂、感光剂和光刻胶溶剂中的一种或多种复配制得,该金属剥离胶组合物按重量计由如下组分组成:
聚合物树脂1-30%;
碱溶调节剂0-20%;
感光剂0-20%;
光刻胶溶剂50-98%。
进一步地,碱溶调节剂选自含有酚结构的有机化合物,如双酚A(BPA)、1,1,1-三(4-羟基苯基)乙烷(THPE)等。
进一步地,感光剂选自重氮萘醌磺酸结构或香豆素结构基团,如2,1,4-三羟基二苯甲酮重氮萘醌磺酸酯、2,1,5-三羟基二苯甲酮重氮萘醌磺酸酯、香豆素6、7-氨基-4-甲基香豆素等。
进一步地,光刻胶溶剂选自乙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯、乙二醇单甲醚、环己酮、环戊酮、醋酸丁酯中的一种或多种。
本发明还提供了前述金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用,该金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层可应用在金属剥离工艺中,可通过旋涂方式在底部形成均匀50nm-10um薄膜,并通过120-250℃烘烤30s-5min。其上层再旋涂光刻胶,经曝光、显影可形成底部具有内切结构的形貌。其上层可兼容绝大多数光刻胶,如G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶和电子束光刻胶等。
进一步地,该金属剥离胶组合物的显影液为四甲基氢氧化铵水溶液、四乙基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠等碱溶液,其水溶液浓度为0.1-25%质量分数。
进一步地,该金属剥离胶组合物可适用于多种硅基底和化合物半导体衬底,如单晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、砷化镓、氮化镓、磷化铟及蓝宝石等基底。
本发明制得的聚合物树脂具有优良的热力学性能及溶解性能,尤其作为主体树脂配制而成的金属剥离胶能够广泛应用于金属剥离工艺。
以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明,以充分地了解本发明的目的、特征和效果。
附图说明
图1为金属剥离工艺示意图。
图2为实施例5中金属剥离胶双层光刻工艺切片形貌图(硅基底)。
图3为实施例6中金属剥离胶双层光刻工艺表面形貌图(蓝宝石基底)。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的多个优选实施例,使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现,本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
实施例1
聚合物树脂P-1的合成:
聚合物树脂P-1(x/y/z/w=14.6/54.8/22.6/8.0)
向装有温度计、冷凝管、恒压滴液漏斗、磁力搅拌器和外部油浴加热的三口瓶中加入:1.5g马来酰亚胺单体,10.0gN-苯基马来酰亚胺单体,2.4g甲基丙烯酸甲酯和2.1g H-3单体、30mL四氢呋喃,在搅拌下向反应体系中通氮气10分钟后,封闭反应后将体系加热至60℃,待温度恒定后,通过恒压滴液漏斗加入20mL偶氮二异戊腈(0.20g)的四氢呋喃溶液,在60℃条件下继续搅拌反应24小时后。反应结束后将聚合物反应液在800mL甲醇中析出,抽滤,60℃条件下真空干燥24小时,得浅黄色固体粉末13.2g,产率82.5%,分子量Mw:33500,分子量分布2.8。
当将本实施例中的单体更换成上述相应的任一结构的单体时,或者选择不同的引发剂/反应溶剂时,本实施例的方法仍然适用。
实施例2
聚合物树脂P-2的合成:
聚合物树脂P-2(x/y/z/w=12.8/59.7/19.8/7.7)
向装有温度计、冷凝管、恒压滴液漏斗、磁力搅拌器和外部油浴加热的三口瓶中加入:1.5g马来酰亚胺单体,8gN-甲基马来酰亚胺单体,2.4g甲基丙烯酸甲酯和3.2gH-16单体、30mL四氢呋喃,在搅拌下向反应体系中通氮气10分钟后,封闭反应后将体系加热至60℃,待温度恒定后,通过恒压滴液漏斗加入5mL偶氮二异戊腈(0.23g)的四氢呋喃溶液,在60℃条件下继续搅拌反应10小时后。反应结束后将聚合物反应液在800mL甲醇中析出,抽滤,60℃条件下真空干燥24小时,得浅黄色固体粉末13.3g,产率88.1%,分子量Mw:37500,分子量分布2.5。
当将本实施例中的单体更换成上述相应的任一结构的单体时,或者选择不同的引发剂/反应溶剂时,本实施例的方法仍然适用。
实施例3
聚合物树脂P-3的合成:
聚合物树脂P-3(x/y/z/w=7.3/63.4/21.1/8.2)
向装有温度计、冷凝管、恒压滴液漏斗、磁力搅拌器和外部油浴加热的三口瓶中加入:0.8g马来酰亚胺单体,8gN-甲基马来酰亚胺单体,3.4g甲基丙烯酸叔丁酯和3.2g H-19单体、30mL甲苯,在搅拌下向反应体系中通氮气10分钟后,封闭反应后将体系加热至100℃,待温度恒定后,通过恒压滴液漏斗加入5mL偶氮二异戊腈(0.22g)的四氢呋喃溶液,在100℃条件下继续搅拌反应10小时后。反应结束后将聚合物反应液在800mL甲醇中析出,抽滤,60℃条件下真空干燥24小时,得浅黄色固体粉末12.9g,产率83.8%,分子量Mw:30500,分子量分布2.6。
当将本实施例中的单体更换成上述相应的任一结构的单体时,或者选择不同的引发剂/反应溶剂时,本实施例的方法仍然适用。
实施例4
金属剥离胶组合物的制备:将实施例1-3中聚合物树脂与碱溶调节剂、感光剂和光刻胶溶剂进行复配即可得到相应的金属剥离胶材料。本实施例金属剥离胶组合物中的聚合物树脂质量分数为10%,碱溶调节剂采用THPE,感光剂为香豆素6,光刻胶溶剂为环戊酮/乙二醇甲醚醋酸酯(4:1)。具体配方如下(按质量分数):
金属剥离胶组合物 | 聚合物树脂 | 碱溶调节剂 | 感光剂 | 光刻胶溶剂 |
PR-1 | P-1 | 5.0% | - | 85.0% |
PR-2 | P-2 | 5.0% | - | 85.0% |
PR-3 | P-3 | 5.0% | - | 85.0% |
PR-4 | P-2 | 2.0% | - | 88.0% |
PR-5 | P-2 | 8.0% | - | 82.0% |
PR-6 | P-2 | 5.0% | 5.0% | 80.0% |
实施例5
将实施例4中的金属剥离胶组合物PR-2旋涂在硅晶片上,形成500纳米厚薄膜,在180℃热板上烘烤90秒,再在其上涂上一层Iline光刻胶AZ2530(3微米厚),并通过光掩膜用Iline机台曝光。经曝光的光刻胶涂层使用2.38%TMAH显影液显影60秒,即可得到相应的光刻图形。如图2所示为上述双层光刻后切片形貌,内切约1微米。
实施例6
将实施例4中的金属剥离胶组合物PR-3旋涂在蓝宝石基底上,形成500纳米厚薄膜,在180℃热板上烘烤90秒,再在其上涂上一层Iline光刻胶AZ2530(3微米厚),并通过光掩膜用Iline机台曝光。经曝光的光刻胶涂层使用2.38%TMAH显影液显影80秒,即可得到相应的光刻图形。如图3所示为上述双层光刻后表面形貌,其内切约2微米。
以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解,本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此,凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案,皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。
Claims (3)
1.一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用,其特征在于,所述金属剥离胶组合物作为碱溶牺牲层应用在金属剥离工艺中,其上层可兼容光刻胶,所述光刻胶选自G线、I线光刻胶、248nm光刻胶、193nm光刻胶、极紫外光刻胶、纳米压印光刻胶或电子束光刻胶;
所述金属剥离胶组合物由聚合物树脂与碱溶调节剂、感光剂和光刻胶溶剂中的一种或多种复配制得,所述金属剥离胶组合物按重量计由如下组分组成:
聚合物树脂1-30%;
碱溶调节剂0-20%;
感光剂0-20%;
光刻胶溶剂50-98%;
所述聚合物树脂具有如下通式:
其中,R1、R2、R3、R4、R6、R8中的每个选自H、苯基或含1-4个碳原子的烷烃基团;
R5选自含1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团;
R7选自1-10个碳原子的直链、支链或环状烃类基团;
X选自含1-10个碳原子的直链、支链、环状烃类基团,醚类基团,酯基或酰胺基团;
所述聚合物树脂由马来酰亚胺单体、N-取代的马来酰亚胺单体、丙烯酸酯类单体和含六氟异丙醇结构单体共聚而成;
所述马来酰亚胺单体按重量计占所述聚合物树脂的单体的0.1%-20%,所述N-取代的马来酰亚胺单体按重量计占所述聚合物树脂的单体的20%-70%,所述丙烯酸酯类单体按重量计占所述聚合物树脂的单体的1%-50%,所述含六氟异丙醇结构单体按重量计占所述聚合物树脂的单体的0.5%-30%。
2.根据权利要求1所述的应用,所述金属剥离胶组合物的显影液为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、氢氧化钾或氢氧化钠。
3.根据权利要求1所述的应用,所述金属剥离胶组合物适用于如下基底:单晶硅、多晶硅、二氧化硅、氮化硅、砷化镓、氮化镓、磷化铟或蓝宝石。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011396352.5A CN112526824B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811525923.3A CN109679023A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种聚合物树脂及其制备方法和应用 |
CN202011396352.5A CN112526824B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811525923.3A Division CN109679023A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种聚合物树脂及其制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112526824A CN112526824A (zh) | 2021-03-19 |
CN112526824B true CN112526824B (zh) | 2024-01-05 |
Family
ID=66187730
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011405540.XA Active CN112521552B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种聚合物树脂及其制备方法和金属剥离胶组合物 |
CN201811525923.3A Pending CN109679023A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种聚合物树脂及其制备方法和应用 |
CN202011396352.5A Active CN112526824B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种金属剥离胶组合物在光刻工艺中的应用 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011405540.XA Active CN112521552B (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种聚合物树脂及其制备方法和金属剥离胶组合物 |
CN201811525923.3A Pending CN109679023A (zh) | 2018-12-13 | 2018-12-13 | 一种聚合物树脂及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (3) | CN112521552B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111944090B (zh) * | 2019-06-06 | 2023-06-23 | 儒芯微电子材料(上海)有限公司 | 一种聚合物树脂及其制备方法与应用 |
CN110358010B (zh) * | 2019-07-16 | 2021-11-23 | 儒芯微电子材料(上海)有限公司 | 一种碱溶性聚合物树脂及其制备方法与应用 |
CN115109182B (zh) * | 2021-03-18 | 2023-06-23 | 儒芯微电子材料(上海)有限公司 | 碱溶性丙烯酰胺树脂及含其的金属剥离胶组合物 |
CN113234194B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-08-12 | 北京科华微电子材料有限公司 | 一种共聚物、底层胶组合物、双层体系及其在双层剥离工艺中的应用 |
CN114262416B (zh) * | 2022-03-03 | 2022-05-20 | 甘肃华隆芯材料科技有限公司 | 用于193nm水浸式光刻的聚合物树脂、抗水涂层组合物、抗水涂层及其制备方法 |
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CN105264440A (zh) * | 2013-06-07 | 2016-01-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 抗蚀剂组合物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1779569B (zh) * | 2004-11-22 | 2010-09-29 | 北京科华微电子材料有限公司 | 氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用 |
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KR100985929B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2010-10-06 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 불소 함유 화합물, 불소 함유 고분자 화합물, 포지티브형레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴 형성방법 |
CN103848930A (zh) * | 2013-12-30 | 2014-06-11 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种含n-苯基马来酰亚胺光敏丙烯酸树脂的合成及其在负性光致抗蚀剂中的应用 |
CN104403048B (zh) * | 2014-11-25 | 2018-05-08 | 昆山西迪光电材料有限公司 | 含倍半萜内酯的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶 |
-
2018
- 2018-12-13 CN CN202011405540.XA patent/CN112521552B/zh active Active
- 2018-12-13 CN CN201811525923.3A patent/CN109679023A/zh active Pending
- 2018-12-13 CN CN202011396352.5A patent/CN112526824B/zh active Active
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CN102939549A (zh) * | 2010-06-03 | 2013-02-20 | Az电子材料美国公司 | 抗反射涂料组合物和制造微电子器件的方法 |
CN105264440A (zh) * | 2013-06-07 | 2016-01-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 抗蚀剂组合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112521552A (zh) | 2021-03-19 |
CN112521552B (zh) | 2022-03-11 |
CN112526824A (zh) | 2021-03-19 |
CN109679023A (zh) | 2019-04-26 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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