CN112513328A - 层压结构、包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及制造该层压结构的方法 - Google Patents

层压结构、包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及制造该层压结构的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112513328A
CN112513328A CN202080004036.0A CN202080004036A CN112513328A CN 112513328 A CN112513328 A CN 112513328A CN 202080004036 A CN202080004036 A CN 202080004036A CN 112513328 A CN112513328 A CN 112513328A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plating layer
copper plating
nickel
plane
laminated structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202080004036.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112513328B (zh
Inventor
李廷德
李龙镐
丁愚得
李秉国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Advanced Materials Korea Inc
Original Assignee
Toray Advanced Materials Korea Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Advanced Materials Korea Inc filed Critical Toray Advanced Materials Korea Inc
Publication of CN112513328A publication Critical patent/CN112513328A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112513328B publication Critical patent/CN112513328B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1635—Composition of the substrate
    • C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
    • C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165—Multilayered product
    • C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1689—After-treatment
    • C23C18/1692—Heat-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C25D5/50—After-treatment of electroplated surfaces by heat-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48—Coating with alloys
    • C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

公开层压结构、包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及制造该层压结构的方法。该层压结构包含：一不导电聚合物基板：一含镍镀层，其经定位于该基板之至少一个表面上；及一第一铜镀层，其经定位于该含镍镀层上，其中藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD,X‑ray diffraction)分析而观察到[111]定向平面，且该不导电聚合物基板与该含镍镀层之间之每1cm2单位面积之一分层速率为1％或更小。

Description

层压结构、包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及制造该层压 结构的方法
技术领域
本发明涉及一种层压结构、一种包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及一种制造该层压结构的方法。
背景技术
近年来，随着行动装置市场之加速发展及LCD TV监视器之需求增长，在电子装置及半导体集成电路(IC)之领域中已促进开发提供薄膜、紧凑、轻型、耐久及高影响品质性质之材料。在用于LCD驱动器IC中之柔性铜箔层叠膜(FCCL)之领域中，对精细图案、薄膜及耐久性之需要增长。
一柔性铜箔层叠膜(FCCL)具有一结构，其中在该结构之一表面上形成一电路图案且电路图案上安装一电子装置(诸如一半导体晶片)。最近，具有23μm或更小之电路图案之一节距之产品之制造已增加，且归因于节距及线宽减少之尺寸改变之不稳定性之问题已出现。
为了解决此问题，亦已开发用于形成精细图案之技术。然而，应维持一基板与一金属层之间的一高附着力且其等之间的一分层问题需要被解决以用于在其上形成一微电路图案，且因此仍然需要开发一种新颖层压结构，一种包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及一种制造该层压结构的方法。
发明内容
技术问题
一或多项实施例提供一种层压结构，其中一不导电聚合物基板与一含镍镀层之间的一附着力藉由自该含镍镀层移除杂质(例如一有机材料、一添加剂或一冷凝气体)得以改良，且其等之间的每1cm2单位面积之一分层速率减少。
一或多项实施例提供一种包含该层压结构之柔性铜箔层叠膜。
一或多项实施例提供一种制造该层压结构之方法。
解决课题的手段
根据一项实施例，提供一种层压结构，其包含：
一不导电聚合物基板；
一含镍镀层，其定位于该基板之至少一个表面上；及
一第一铜镀层，其定位于该含镍镀层上，
其中藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD,X-ray diffraction)分析而观察到一[111]定向平面，及
该不导电聚合物基板与该含镍镀层之间的每1cm2单位面积之一分层速率为1％或更小。
可进一步藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析而同时观察到一[200]定向平面、一[220]定向平面及一[311]定向平面间的一个或两个定位平面。
藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析而同时观察到该[111]定向平面、该[200]定向平面、该[220]定向平面及该[311]定向平面会不同时出现。
藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析之根据以下方程式1之该[200]定向平面对该[111]定向平面之一晶体定向指数可满足0至低于25％之一范围：
[式1]
晶体定向指数(％)＝I[200]/I[111]＝{([200]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}
藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析之根据以下方程式2之该[220]定向平面对该[111]定向平面之一晶体定向指数可满足0至低于15％之一范围：
[式2]
晶体定向指数(％)＝I[220]/I[111]＝{([220]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}
藉由对该第一铜镀层执行之XRD分析之根据以下方程式3之该[311]定向平面对该[111]定向平面之一晶体定向指数可满足0至低于14％之一范围：
[式3]
晶体定向指数(％)＝I[311]/I[111]＝{([311]定向平面之XRD峰值强度/[311]定向平面之XRD峰值强度)×100}
该不导电聚合物基板可包括选自酚树脂、酚醛树脂、烯丙基树脂、环氧树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂及聚醯亚胺树脂之至少一者。
该不导电聚合物基板可具有7μm至50μm之一厚度。
该含镍镀层可为一无电电镀层。
该含镍镀层可包含镍或一镍合金。
该含镍镀层可具有40nm至250nm之一厚度。
该第一铜镀层可为一无电电镀层。
该第一铜镀层可具有40nm至200nm之一厚度。
一第二铜镀层可进一步包含于第一铜镀层上。
该第二铜镀层可为一电镀层。
该第一铜镀层可具有0.5μm至5.0μm之一厚度。
根据另一实施例，
提供一种包含上述层压结构之柔性铜箔层叠膜。
根据另一实施例，提供一种制造一层压结构之方法，该方法包含：
在一不导电聚合物基板之至少一个表面上形成一含镍镀层；
在该含镍镀层上形成一第一铜镀层；
热处理该第一铜镀层；及
藉由在该经热处理第一铜镀层上形成一第二铜镀层而制造该上述层压结构。
该含镍镀层及该第一铜镀层可各藉由无电电镀形成。
该热处理可包含在100℃至180℃之一温度下执行热处理达一分钟至30分钟之一程序。
该第二铜镀层可藉由电镀形成。
发明效果
在根据一实施例之该层压结构中，可藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析而观察到一[111]定向平面，且该不导电聚合物基板与该含镍镀层之间的每1cm2单位面积之一分层速率可为1％或更低。
根据制造根据另一实施例之该层压结构之方法，可藉由包含热处理该第一铜镀层而自该含镍镀层移除杂质(诸如一有机材料、一添加剂及一冷凝气体)。因此，该不导电聚合物基板与该含镍镀层之间的每1cm2单位面积之该分层速率可减少。
附图说明
图1为根据一实施例之一层压结构之一示意性横截面视图。
图2(a)为图示一第一铜镀层之一晶体结构之一示意图；且图2(b)为图示藉由X射线绕射(XRD,X-ray diffraction)分析之第一铜镀层之晶体结构中之一[111]定向平面之一示意图。
图3(a)展示藉由X射线绕射(XRD)分析在第一铜镀层之一晶体结构中观察到之一[111]定向平面；图3(b)展示构成图3(a)之[111]定向平面之各边角之铜粒子(灰色)之一生长；图3(c)展示图3(b)之生长铜粒子(灰色)之间的抗拉应力及弹性能之增加；及图3(d)为图示生长至处于具有小密度及高稳定性之一状态中之一[200]定向平面中以移除藉由X射线绕射(XRD)分析观察到之图3(c)之生长铜粒子(灰色)之间出现的抗拉应力及弹性能之内部应力之一程序的一示意图。
图4展示实施例1至6中制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层之XRD(X射线绕射)分析结果。
图5展示实施例7至10中制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层之XRD分析结果。
图6展示比较例1中制造之一柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层之XRD分析结果。
图7a及图7b为用于在藉由使用约165℃之对流热之热空气干燥处理实施例1中制造之一柔性铜箔层叠膜之一第一铜镀层达约3分钟之后评估一聚醯亚胺膜与一镍镀层之间的每1cm2单位面积之一分层速率之照片及光学显微镜影像。
图7c及图7d为用于在不对比较例1中制造之一柔性铜箔层叠膜之一第一铜镀层执行热处理的情况下评估一聚醯亚胺膜与一镍镀层之间的每1cm2单位面积之一分层速率之照片及光学显微镜影像。
具体实施方式
在下文中，将参考本发明之实施例及图式描述一种层压结构、一种包含该层压结构的柔性铜箔层叠膜、及一种制造该层压结构的方法。此等实施例仅藉由实施例提供以更详细图示本发明，且本发明的普通技术人员应理解，本发明的范围不受此等实施例限制。
除非另外界定，否则本文中使用之科技术语具有如本申请案所属的技术领域的普通技术人员普遍理解之相同意义。然而，若本文使用之术语与所引述参考之术语之间存在任何冲突或不一致，则此说明书中使用之术语优先于所引述参考之术语。
尽管类似于或等效于在说明书中描述之方法及材料之方法及材料可用于本发明之实施例或实验，但在说明书中描述适当方法及材料。
在本说明书中，当一元件被称为在另一元件‘上’时，其可直接在该另一元件上或其等之间可存在中介元件。相比而言，当一元件被称为‘直接位于另一元件上’时，不存在中介元件。
一般言之，在铜箔层叠板(CCL)之领域中，可归因于一金属层之性质之改变而在粒子中造成孔隙及内部应力。另外，当执行一后电镀程序时，自金属层喷出杂质(诸如一有机材料、一添加剂及一冷凝气体)，且因此可在覆铜层板之表面上因此品质下降。此外，在覆铜层板上之一蚀刻程序及一电路图案形成程序期间，归因于一基板与一金属层之间缺乏附着力，可出现一图案分层现象。
本发明之发明人已建议如下解决问题之一层压结构。
根据一实施例之一层压结构可包含：一不导电聚合物基板；一含镍镀层，其定位于该基板之至少一个表面上；及一第一铜镀层，其定位于该含镍镀层上，其中藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析而观察到一[111]定向平面，且该不导电聚合物基板与该含镍镀层之间的每1cm2单位面积之一分层速率为1％或更小。
根据一实施例之该层压结构可包含：一不导电聚合物基板；一含镍镀层，其定位于该基板之一个或两个表面上；及一第一铜镀层，其定位于该含镍镀层上。
图1为根据一实施例之一层压结构之一示意性横截面视图。
参考图1，根据一实施例之一层压结构可为(例如)一层压结构10，其包括定位于一不导电聚合物基板1之两个表面上之含镍镀层2及2'；及第一铜镀层3及3'，其等分别定位于含镍镀层2及2'上，其中层压结构10具有在相对于不导电聚合物基板1之一向上方向上形成之一第一表面5及在相对于不导电聚合物基板1之一向下方向上形成之一第二表面6。
图2(a)为图示第一铜镀层之一晶体结构之一示意图。图2(b)为图示第一铜镀层之晶体结构种之一[111]定向平面之一示意图。
参考图2(a)，第一铜镀层3及3'之晶体结构为面心立方体结构。参考图2(b)，展示第一铜镀层3及3'之一晶体结构中之最稳定[111]定向平面。[111]定向平面可藉由X射线绕射(XRD)分析识别。
该不导电聚合物基板1与含镍镀层2及2'之各者之间的每1cm2单位面积之一分层速率可为1％或更小。可在具有分层速率之层压结构10中之不导电聚合物结构1与含镍镀层2及2'之各者之间维持一高附着力，不过在层压结构10上形成一精细图案。
在对该第一铜镀层3及3'执行之X射线绕射(XRD)分析中，可额外地同时观察到一[200]定向平面、一[220]定向平面及一[311]定向平面之一个或两个定向平面。
图3(a)展示藉由X射线绕射(XRD)分析在第一铜镀层之一晶体结构中观察到之一[111]定向平面；图3(b)展示构成图3(a)之[111]定向平面之各边角之铜粒子(灰色)之生长；图3(c)展示图3(b)之生长铜粒子(灰色)之间的抗拉应力及弹性能之增加；及图3(d)为图示生长至处于具有小密度及高稳定性之一状态中之一[200]定向平面中以移除藉由X射线绕射(X-ray diffraction；XRD)分析观察到之图3(c)之生长铜粒子(灰色)之间的抗拉应力与弹性能的内部应力之一程序的一示意图。
参考图3(a)，第一铜镀层3及3'具有一面心立方体结构，其中铜粒子(灰色)定位于各自边角之顶点处，且[111]定向平面藉由X射线绕射(XRD)分析展示为一主生长平面以减少晶界(grain boundary)。参考图3(b)，展示构成图3(a)之[111]定向平面之各自边角之铜粒子(灰色)在第一铜镀层3及3'中生长，且晶界面积减小，且因此，在其等之间产生抗拉应力。参考图3(c)，展示图3(b)之生长铜粒子(灰色)之间的抗拉应力h在第一铜镀层3及3'中增大，且因此弹性能相应地增大。参考图3(d)，藉由第一铜镀层3及3'中之X射线绕射(X-raydiffraction；XRD)分析展示生长至处于具有小密度及高稳定性之一状态中之[200]定向平面中以移除在3C至生长铜粒子(灰色)之间出现的抗拉应力及弹性能之内部应力的一程序。
藉由第一铜镀层3及3'中之X射线绕射(X-ray diffraction；XRD)分析的[111]定向平面、[200]定向平面、[220]定向平面及[311]定向平面会不同时出现。可防止对第一铜镀层3及3'之热损害且可形成一均匀镀层。
藉由对该第一铜镀层3及3'执行之X射线绕射(X-ray diffraction；XRD)分析之根据以下方程式1之[200]定向平面对[111]定向平面之一晶体定向指数可满足0至低于25％之一范围：
[式1]
晶体定向指数(％)＝I[200]/I[111]＝{([200]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}
例如，藉由对第一铜镀层3及3'执行之XRD分析之根据以上方程式1之[200]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数可满足0.01至低于25％之一范围。
藉由对第一铜镀层3及3'执行之XRD分析之根据以下方程式2之[220]定向平面对[111]定向平面之一晶体定向指数可满足0至低于15％之一范围：
[式2]
晶体定向指数(％)＝I[220]/I[111]＝{([220]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}
例如，藉由对第一铜镀层3及3'执行之XRD分析之根据以上方程式2之[220]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数可满足0.01至低于15％之一范围。
藉由对该第一铜镀层3及3'执行之XRD分析之根据以下方程式3之[311]定向平面对[111]定向平面之一晶体定向指数可满足0至低于14％之一范围：
[式3]
晶体定向指数(％)＝I[311]/I[111]＝{([311]定向平面之XRD峰值强度/[311]定向平面之XRD峰值强度)×100}
例如，藉由对该第一铜镀层3及3'执行之XRD分析之根据以上方程式3之[311]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数可满足0.01至低于14％之一范围：
当藉由该第一铜镀层3及3'执行之XRD分析之根据以上方程式1、方程式2及/或方程式3之[200]定向平面、[220]定向平面及[311]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数满足上述范围时，不导电聚合物基板与含镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率可大幅减小。
该不导电聚合物基板1可包含选自酚树脂、酚醛树脂、烯丙基树脂、环氧树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂及聚醯亚胺树脂之至少一者。例如，不导电聚合物基板1可包含选自聚酯树脂及聚醯亚胺树脂之至少一者。例如，不导电聚合物基板1可为聚醯亚胺树脂。
该不导电聚合物基板1可具有7μm之50μm之一厚度。例如，该不导电聚合物基板1可具有7μm之40μm之一厚度。例如，该不导电聚合物基板1可具有7μm之30μm之一厚度。例如，该不导电聚合物基板1可具有7μm之25μm之一厚度。当该不导电聚合物基板1之厚度小于7μm时，在制造一层压膜时生产率可降低。当厚度大于50μm时，可不形成一薄膜。
另外，该不导电聚合物基板1可藉由该基板1上之电浆表面处理或类似者进行表面处理。藉由表面处理，该基板1之表面之化学活性及粗糙度可改良，且因此，可轻易获得基板1与含镍镀层2及2'之间的极佳附着力。
该含镍镀层2及2'可为无电电镀层。当该含镍镀层2及2'藉由一般溅镀类型之电浆表面处理进行表面处理时，可保持与不导电聚合物基板之一附着力，但具有25μm或更小之一厚度之一薄膜不导电聚合物基板1可在一程序期间被热损害。为了防止此热损害，含镍镀层2及2'可为藉由无电电镀形成之无电式含镍镀层(其中以金属沉积于一水溶液状态中)，且因此，与基板1之附着力可改良且可防止热损害。
该含镍镀层2及2'可包含镍或一镍合金。该镍合金可包含Ni及选自Cr、Mo及Nb之至少一者。
该含镍镀层2及2'可具有40nm至250nm之一厚度。例如，含镍镀层2及2'可具有50nm至250nm之一厚度。例如，含镍镀层2及2'可具有60nm至250nm之一厚度。例如，含镍镀层2及2'可具有70nm至250nm之一厚度。例如，含镍镀层2及2'可具有80nm至250nm之一厚度。例如，含镍镀层2及2'可具有90nm至250nm之一厚度。例如，含镍镀层2及2'可具有100nm至250nm之一厚度。当含镍镀层2及2'具有在以上范围内之一厚度时，杂质(诸如一有机材料、一添加剂及冷凝气体)减少，且因此，含镍镀层2及2'之性质可被改良。
该第一铜镀层3及3'可为无电电镀层。用于形成该无电镀层之一水溶液可为用于形成此项技术中可用之无电镀层之任何水溶液。
该第一铜镀层3及3'可具有40nm至200nm之一厚度。例如，该第一铜镀层3及3'可具有50nm至250nm之一厚度。例如，该第一铜镀层3及3'可具有60nm至250nm之一厚度。例如，该第一铜镀层3及3'可具有70nm至250nm之一厚度。例如，该第一铜镀层3及3'可具有80nm至250nm之一厚度。例如，该第一铜镀层3及3'可具有90nm至250nm之一厚度。例如，该第一铜镀层3及3'可具有100nm至250nm之一厚度。
如在图1中所示，第二铜镀层4及4'可分别进一步被包括于该第一铜镀层3及3'上。
该第二铜镀层4及4'可为电镀层。可根据此项技术中可用之任何方法来形成电镀层。例如，电镀层可藉由使用硫酸铜及硫酸作为基本物质电镀而形成于第一铜镀层3及3'上。
第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至5.0μm之一厚度。例如，第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至4.5μm之一厚度。例如，第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至4.0μm之一厚度。例如，第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至3.5μm之一厚度。例如，第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至3.0μm之一厚度。例如，第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至2.5μm之一厚度。例如，第二铜镀层4及4'可具有0.5μm至2.0μm之一厚度。
根据另一实施例之一柔性铜箔层叠膜10可包含上文描述之层压结构。柔性铜箔层叠膜10可包含一含镍镀层，可自该含镍镀层移除杂质(诸如一有机材料、一添加剂及一冷凝气体)。因此，不导电聚合物基板1与含镍镀层2及2'之间之每1cm2单位面积之一分层速率可被减小。
一种制造根据另一实施例之一层压结构之方法可包含：在一不导电聚合物基板之至少一个表面上形成以含镍镀层；在含镍镀层上形成以第一铜镀层；热处理第一铜镀层；及藉由在经热处理第一铜镀层上形成一第二铜镀层而制造上述层压结构。
根据制造该层压结构之方法，可藉由包含热处理第一铜镀层之程序而自含镍镀层移除杂质(诸如一有机材料、一添加剂及一冷凝气体)。因此，不导电聚合物基板与含镍镀层之间的每1cm2单位面积之一分层速率可减少。
该含镍镀层及第一铜镀层可各藉由无电电镀形成。用于形成无电镀层之一水溶液可为用于形成此项技术中可用之无电镀层之任何水溶液。例如，用于形成用于形成含镍镀层之无电镀层之水溶液可包含一水性镍盐、一还原剂及一错合剂。
该热处理可包括在100℃至180℃之一温度下执行热处理达1分钟至30分钟之一程序。可藉由使用对流热之热空气干燥、使用藉由一红外线(IR,infrared ray)加热器获得之辐射热之干燥或其等之一混合方法执行热处理。在热处理之温度范围及时间范围内，可完全移除含镍镀层中含有之杂质(诸如一有机材料、一添加剂及一冷凝气体)，且可防止由缺乏附着力引起之不导电聚合物基板与含镍镀层之间的一分层现象且可减小其等之间的每1cm2单位面积之分层速率。
该第二铜镀层可藉由电镀形成。用于电镀之一电镀溶液可为包含具有15之40g/L(例如，15之38g/L(例如，17至36g/L))之一浓度之铜之一电镀溶液。电镀溶液之一温度可维持于22至37℃(例如，25至35℃(例如，27至34℃))之一范围中。当温度维持于上述范围内时，以极佳生产率轻易形成第二铜镀层。另外，针对生产率及表面均匀性可添加一添加剂(诸如一光亮剂、一整平剂)、一改质剂或一缓和剂)至电镀溶液。
在下文中，将参考以下实施例及比较例更详细描述本发明之组态及其效应。然而，此等实施例仅为图示性目的且并不旨在限制本发明的范围。
[实施例]
实施例1：柔性铜箔层叠膜
具有25μm之一厚度之聚醯亚胺膜(Kapton 100ENC，由TDC制造)经制备为一不导电聚合物基板。藉由垂直或水平进行之无电镍电镀在下方使用一无电镍电镀溶液于该聚醯亚胺膜之两个表面上分别形成具有约100nm之一厚度之镍镀层。藉由无电铜电镀在下方使用一无电铜电镀溶液在该镍镀层上分别形成具有约100nm之一厚度之第一铜镀层。藉由使用对流热之热空气干燥在约165℃下热处理该第一铜镀层之各者达约3分钟。具有约2μm之一厚度之第二铜镀层藉由电镀分别形成于该经热处理第一铜镀层上，藉此制造一柔性铜箔层叠膜，该柔性铜箔层叠膜具有在相对于如图1中展示之聚醯亚胺膜之一向上方向上形成之一第一表面及在相对于如图1中展示之聚醯亚胺膜之一向下方向上形成之一第二表面。
分别用于无电镍电镀及无电铜电镀中之无电镍电镀溶液及无电铜电镀溶液以及用于铜电镀中之铜电镀溶液之组合物及条件如下。
(无电镍电镀溶液)
﹒电镀溶液：六水硫酸镍NiSO4·6H2O中之Ni离子之一浓度调整至5g/L。
﹒浴(bath)之温度：约60℃
﹒镍沉淀时间：约1分钟
﹒pH浓度：约7.3
(无电铜电镀溶液)
电镀溶液：六水硫酸铜CuSO4·6H2O(16mol/L)及硫酸(3.25mL/L)用作错合剂(complex agent)。
浴温度：约34℃
铜沉淀时间：约2分30秒
搅动：空气搅动(air agitation)
(铜电镀溶液)
电镀溶液：硫酸铜(24g/L)、硫酸(188g/L)及盐酸(60ppm)
浴温度：32℃
电流密度3.2A/dm2
铜沉淀时间：约31分钟
实施例2：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟藉由使用对流热之热空气干燥在约165℃下将各第一铜镀层热处理达约4分钟而非3分钟除外。
实施例3：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟藉由使用对流热之热空气干燥在约165℃下将各第一铜镀层处理达约5分钟而非3分钟除外。
实施例4：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟藉由使用对流热之热空气干燥在约165℃下将各第一铜镀层热处理达约10分钟而非3分钟除外。
实施例5：柔性铜箔层叠膜
以与施例1中相同之方式制造以柔性铜箔层叠膜，惟藉由使用对流热之热空气干燥在约165℃下将各第一铜镀层热处理达约15分钟而非3分钟除外。
实施例6：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造以柔性铜箔层叠膜，惟藉由使用对流热之热空气干燥在约165℃下将各第一铜镀层热处理达约20分钟而非3分钟除外。
实施例7：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟具有约200nm而非约100nm之一厚度之镍镀层藉由无电镍电镀分别形成于该聚醯亚胺膜之两个表面上且无电镍电镀溶液中之镍沉淀时间调整至约4分钟而非约3分钟除外。
实施例8：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟具有约250nm而非约100nm之一厚度之镍镀层藉由无电镍电镀分别形成于该聚醯亚胺膜之两个表面上且无电镍电镀溶液中之镍沉淀时间调整至约5分钟而非约3分钟除外。
实施例9：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟具有约200nm而非约100nm之一厚度之镍镀层藉由无电镍电镀分别形成于该聚醯亚胺膜之两个表面上除外。
实施例10：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟具有约250nm而非约100nm之一厚度之镍镀层藉由无电镍电镀分别形成于该聚醯亚胺膜之两个表面上除外。
比较例1：柔性铜箔层叠膜
以与实施例1中相同之方式制造一柔性铜箔层叠膜，惟无电镍电镀溶液中之浴温度调整至约65℃而非约60℃，pH浓度调整至约8.0而非约7.3且不热处理各第一铜镀层除外。
分析例1：晶体定向指数-XRD量测
藉由XRD(X射线绕射)分析根据实施例1至10及比较例1制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层。藉由使用使用Cu Kα辐射(1.540598埃)之一Rigaku RINT2200HF及绕射仪执行XRD分析。分析在图4之图6中展示结果。
另外，下文在表1至表3中展示基于根据图4至图6之XRD分析使用方正是1至3个分别获得之[200]定向平面、[220]定向平面及[311]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数之结果。
[式1]
晶体定向指数(％)＝I[200]/I[111]＝{([200]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}
[式2]
晶体定向指数(％)＝I[220]/I[111]＝{([220]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}
[式3]
晶体定向指数(％)＝I[311]/I[111]＝{([311]定向平面之XRD峰值强度/[311]定向平面之XRD峰值强度)×100}
[表1]
Figure BDA0002904586480000131
[表2]
Figure BDA0002904586480000132
[表3]
Figure BDA0002904586480000141
参考图4及图5，确认除[111]定向平面外同时观察到[200]定向平面、[220]定向平面及[311]定向平面中之一个或两者，但在根据实施例1至10制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层中，无法同时观察到[111]定向平面、[200]定向平面、[220]定向平面，及[311]定向平面。参考表1及2，在根据实施例1至10制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层中，确认藉由X射线绕射(XRD)分析之根据以上方程式1之[200]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数满足0至低于25％之范围，藉由XRD分析之根据以上方程式2之[220]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数满足0至低于15％之范围，且藉由XRD分析之根据以上方程式3之[311]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数满足0至低于14％之范围。
相比而言，参考图6，确认在根据比较例1制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层中同时观察到[111]定向平面、[200]定向平面、[220]定向平面，及[311]定向平面。
参考表3，在根据比较例1制造之柔性铜箔层叠膜之第一铜镀层中，确认藉由XRD分析之根据以上式1之[200]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数为27％或更大，藉由XRD分析之根据以上式2之[220]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数为15％或更大，且藉由XRD分析之根据以上式3之[311]定向平面对[111]定向平面之晶体定向指数为14％或更大。
评估例1：聚醯亚胺膜与镍镀层之间之每单位面积分层速率的评估
评估根据实施例1制造之柔性铜箔层叠膜之聚醯亚胺膜与镍镀层之间之每1cm2单位面积的分层速率。藉由使用照片及一200X光学显微镜来评估聚醯亚胺膜与镍镀层之间之每1cm2单位面积的分层速率。分别在表4及图7a及图7b中展示结果。
[表4]
每1cm<sup>2</sup>单位面积之分层速率(％)
实施例1 0
在150℃下热处理达0.5分钟，在150℃下热处理达1.0分钟，在150℃下热处理达2.0分钟，在180℃下热处理达0.5分钟，在180℃下热处理达1.0分钟，在180℃下热处理达2.0分钟，在220℃下热处理达0.5分钟，在220℃下热处理达1.0分钟及在220℃下热处理达2.0分钟之后，藉由获取根据实施例1制造之柔性铜箔层叠膜之第二铜镀层之各自表面(第一表面及第二表面)之照片而评估聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率。下表5中展示结果。
[表5]
Figure BDA0002904586480000151
参考表4及图7a及图7b，根据实施例1制造之柔性铜箔层叠膜之聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率为0％。参考表5，甚至在于高温下热处理第二铜镀层之各自表面(第一表面及第二表面)之后，根据实施例1制造之柔性铜箔层叠膜之聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率为0％。
同时，评估根据比较例1制造之柔性铜箔层叠膜之聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2的单位面积之一分层速率。藉由使用照片及一200X光学显微镜而评估聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率。分别在图7c至图7d中展示结果。
参考图7c及图7d，确认根据比较例1制造之柔性铜箔层叠膜之聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率约为40％至50％，从而指示在大面积中出现分层。
因此，确认根据实施例1制造之柔性铜箔层叠膜之聚醯亚胺膜与镍镀层之间的每1cm2单位面积之分层速率相较于根据比较例1制造之柔性铜箔层叠膜明显减小。
基于此，确认自根据实施例1制造之柔性铜箔层叠膜中之含镍镀层移除多数杂质(诸如一有机材料、一添加剂及一冷凝气体)。

Claims (21)

1.一种层压结构，其包括：
一不导电聚合物基板；
一含镍镀层，其经定位于该基板之至少一个表面上；及
一第一铜镀层，其经定位于该含镍镀层上，
其中藉由对该第一铜镀层执行之X射线绕射(XRD)分析而观察到一[111]定向平面，及
该不导电聚合物基板与该含镍镀层之间之每1cm2单位面积之一分层速率为1％或更小。
2.如权利要求1所述的层压结构，其中进一步藉由对该第一铜镀层执行之XRD(X-raydiffraction)分析而同时观察到一[200]定向平面、一[220]定向平面及一[311]定向平面间的一个或两个平面。
3.如权利要求2所述的层压结构，其中未藉由对该第一铜镀层执行之XRD分析而同时观察到该[111]定向平面、该[200]定向平面、该[220]定向平面及该[311]定向平面。
4.如权利要求2所述的层压结构，其中藉由对该第一铜镀层执行之XRD分析之根据以下方程式1之该[200]定向平面对该[111]定向平面之一晶体定向指数满足0至低于25％之一范围：
[式1]
晶体定向指数(％)＝I[200]/I[111]＝{([200]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}。
5.如权利要求2所述的层压结构，其中藉由对该第一铜镀层执行之XRD分析之根据以下方程式2之该[220]定向平面对该[111]定向平面之一晶体定向指数满足0至低于15％之一范围：
[式2]
晶体定向指数(％)＝I[220]/I[111]＝{([220]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}。
6.如权利要求2所述的层压结构，其中藉由对该第一铜镀层执行XRD分析之根据以下方程式3之该[311]定向平面对该[111]定向平面之一晶体定向指数满足0至低于14％之一范围：
[式3]
晶体定向指数(％)＝I[311]/I[111]＝{([311]定向平面之XRD峰值强度/[111]定向平面之XRD峰值强度)×100}。
7.如权利要求1所述的层压结构，其中该不导电聚合物基板包括选自酚树脂、酚醛树脂、烯丙基树脂、环氧树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚酯树脂及聚醯亚胺树脂中之至少一者。
8.如权利要求1所述的层压结构，其中该不导电聚合物基板具有7μm至50μm之一厚度。
9.如权利要求1所述的层压结构，其中该含镍镀层为一无电电镀层。
10.如权利要求1所述的层压结构，其中该含镍镀层包括镍或一镍合金。
11.如权利要求1所述的层压结构，其中该含镍镀层具有40nm至250nm之一厚度。
12.如权利要求1所述的层压结构，其中该第一铜镀层为一无电电镀层。
13.如权利要求1所述的层压结构，其中该第一铜镀层具有40nm至200nm之一厚度。
14.如权利要求1所述的层压结构，进一步包括该第一铜镀层上之一第二铜镀层。
15.如权利要求14所述的层压结构，其中该第二铜镀层为一电镀层。
16.如权利要求14所述的层压结构，其中该第二铜镀层具有0.5μm至5.0μm之一厚度。
17.一种包括如权利要求1至16中任一项所述的层压结构之柔性铜箔层叠膜。
18.一种制造层压结构的方法，该方法包括：
在一不导电聚合物基板之至少一个表面上形成一含镍镀层；
在该含镍镀层上形成一第一铜镀层；
热处理该第一铜镀层；及
藉由在该经热处理第一铜镀层上形成一第二铜镀层来制备如权利要求1所述的层压结构。
19.如权利要求18所述的方法，其中该含镍镀层及该第一铜镀层各藉由无电电镀形成。
20.如权利要求18所述的方法，其中在100℃至180℃之一温度下执行该热处理达1分钟至30分钟。
21.如权利要求18所述的方法，其中该第二铜镀层藉由电镀形成。
CN202080004036.0A 2019-05-08 2020-04-14 层压结构、柔性铜箔层叠膜、及层压结构制造方法 Active CN112513328B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190053902A KR102337237B1 (ko) 2019-05-08 2019-05-08 적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법
KR10-2019-0053902 2019-05-08
PCT/KR2020/005020 WO2020226292A1 (ko) 2019-05-08 2020-04-14 적층 구조체, 이를 포함하는 연성동박적층필름, 및 상기 적층 구조체의 제작방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112513328A true CN112513328A (zh) 2021-03-16
CN112513328B CN112513328B (zh) 2022-09-13

Family

ID=73051288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080004036.0A Active CN112513328B (zh) 2019-05-08 2020-04-14 层压结构、柔性铜箔层叠膜、及层压结构制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7132435B2 (zh)
KR (1) KR102337237B1 (zh)
CN (1) CN112513328B (zh)
TW (1) TWI757731B (zh)
WO (1) WO2020226292A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022158831A1 (ko) * 2021-01-20 2022-07-28 도레이첨단소재 주식회사 동박적층필름, 이를 포함하는 전자소자, 및 상기 동박적층필름의 제조방법
KR102548431B1 (ko) * 2021-09-03 2023-06-27 도레이첨단소재 주식회사 동박적층필름 및 이를 포함하는 전자소자
TWI768802B (zh) * 2021-03-31 2022-06-21 南韓商東麗先端素材股份有限公司 軟性銅箔層壓膜、包括軟性銅箔層壓膜之物品、以及製造軟性銅箔層壓膜的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008260274A (ja) * 2007-03-19 2008-10-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属張積層体及び金属張積層体の製造方法
JP2011014801A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブル銅張積層板及びｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法
KR20170090067A (ko) * 2016-01-28 2017-08-07 엘에스엠트론 주식회사 향상된 굴곡성을 갖는 연성동박적층필름 및 그 제조방법
CN107734863A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 Ls美创有限公司 可防止开/短路的可挠性覆铜基板及其制造方法
KR20180125176A (ko) * 2017-04-28 2018-11-23 도레이첨단소재 주식회사 균일화된 구리 결정 구조의 세미 애디티브 연성 구리박막 적층필름 및 그 제조방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5546530A (en) * 1978-09-29 1980-04-01 Hitachi Ltd Method of manufacturing printed circuit board
JP3135174B2 (ja) * 1991-11-27 2001-02-13 日立金属株式会社 耐食性を改善したｒ−ｔｍ−ｂ系永久磁石及びその製造方法
JP4045530B2 (ja) 2000-07-07 2008-02-13 日立金属株式会社 Ｒ−ｔ−ｂ系磁石の電解銅めっき方法
JP4480111B2 (ja) 2000-08-02 2010-06-16 大日本印刷株式会社 配線形成方法および配線部材
JP3563730B2 (ja) 2002-06-07 2004-09-08 松下電器産業株式会社 フレキシブルプリント回路基板
JP4294363B2 (ja) 2003-04-18 2009-07-08 三井金属鉱業株式会社 ２層フレキシブル銅張積層板及びその２層フレキシブル銅張積層板の製造方法
JP2009173999A (ja) 2008-01-24 2009-08-06 Nippon Mining & Metals Co Ltd 耐熱エージング特性に優れた金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法
JPWO2010013611A1 (ja) * 2008-07-30 2012-01-12 住友ベークライト株式会社 無電解銅メッキ方法、プリント配線板、プリント配線板製造方法、半導体装置
CN102071424B (zh) * 2010-02-26 2012-05-09 比亚迪股份有限公司 一种塑料制品的制备方法及一种塑料制品
KR101348010B1 (ko) * 2012-03-20 2014-01-08 한국산업기술대학교산학협력단 기판 배선전극 형성방법 및 이에 의해 제조된 기판
US20130270113A1 (en) 2012-04-11 2013-10-17 Chuan-Hsing HUANG Electrochemical strip and manufacturing method thereof
TWI568865B (zh) * 2013-10-23 2017-02-01 Sumitomo Metal Mining Co Layer 2 flexible wiring substrate and manufacturing method thereof, and two-layer flexible wiring board and manufacturing method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008260274A (ja) * 2007-03-19 2008-10-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属張積層体及び金属張積層体の製造方法
JP2011014801A (ja) * 2009-07-03 2011-01-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレキシブル銅張積層板及びｃｏｆ用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法
KR20170090067A (ko) * 2016-01-28 2017-08-07 엘에스엠트론 주식회사 향상된 굴곡성을 갖는 연성동박적층필름 및 그 제조방법
CN107734863A (zh) * 2016-08-11 2018-02-23 Ls美创有限公司 可防止开/短路的可挠性覆铜基板及其制造方法
KR20180125176A (ko) * 2017-04-28 2018-11-23 도레이첨단소재 주식회사 균일화된 구리 결정 구조의 세미 애디티브 연성 구리박막 적층필름 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN112513328B (zh) 2022-09-13
TW202103927A (zh) 2021-02-01
KR20200129468A (ko) 2020-11-18
KR102337237B1 (ko) 2021-12-08
JP2021528573A (ja) 2021-10-21
TWI757731B (zh) 2022-03-11
WO2020226292A1 (ko) 2020-11-12
JP7132435B2 (ja) 2022-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112513328B (zh) 层压结构、柔性铜箔层叠膜、及层压结构制造方法
US20180279482A1 (en) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board
EP0841412B1 (en) High-tensile electrolytic copper foil and process for producing the same
KR101632792B1 (ko) 표면 처리 동박 및 그것을 사용한 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기, 그리고 프린트 배선판의 제조 방법
US11375624B2 (en) Surface treated copper foil, copper clad laminate, and printed circuit board
JP4916154B2 (ja) 回路用銅又は銅合金箔
US20140093743A1 (en) Liquid Crystal Polymer Copper-Clad Laminate and Copper Foil Used For Said Laminate
US10257938B2 (en) Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board
CN108696986A (zh) 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷配线板的制造方法、以及电子机器的制造方法
KR101736537B1 (ko) 고주파 회로용 동박, 고주파 회로용 구리 피복 적층판, 고주파 회로용 프린트 배선판, 고주파 회로용 캐리어가 부착된 동박, 전자 기기, 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR20190049818A (ko) 구리박 및 이것을 갖는 동장 적층판
TW201903215A (zh) 表面處理銅箔、以及使用其之覆銅積層板及印刷電路板
CN104120471A (zh) 高频电路用铜箔、覆铜板、印刷配线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷配线板的制造方法
KR101623667B1 (ko) 인쇄 회로용 동박
CN1144670C (zh) Tab带载体的铜箔以及使用铜箔的tab载体带和tab带载体
KR101126969B1 (ko) 고굴곡성의 전해 동박 및 그 제조 방법
KR101623713B1 (ko) 인쇄 회로용 동박
JP2014152343A (ja) 複合銅箔および複合銅箔の製造方法
KR20180125176A (ko) 균일화된 구리 결정 구조의 세미 애디티브 연성 구리박막 적층필름 및 그 제조방법
KR101427388B1 (ko) 인쇄회로기판 지지용 보강판 및 그 제조방법
WO2023054398A1 (ja) 粗化処理銅箔及び銅張積層板、並びにプリント配線板の製造方法
TW202233898A (zh) 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板
JP2022100207A (ja) 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JP2014139335A (ja) 銅めっき層付き圧延銅箔

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant