TWI768802B - 軟性銅箔層壓膜、包括軟性銅箔層壓膜之物品、以及製造軟性銅箔層壓膜的方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種軟性銅箔層壓膜、一種包括該軟性銅箔層壓膜之物品及一種製造該軟性銅箔層壓膜之方法。該軟性銅箔層壓膜包括：一非導電聚合物基板；一無電含鎳鍍層，其定位於該基板之至少一表面上；及一第一鍍銅層，其定位於該無電含鎳鍍層上，其中該非導電聚合物基板與該無電含鎳鍍層之間的一單位面積(cm ²)分層率係1%或更小，排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之一總厚度係0.1 μm至30 μm，且自(A)排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度至(B)在使該軟性銅箔層壓膜靜置於260°C至320°C之一焊料浴中1分鐘之後排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度之一厚度變化率滿足方程式1： [方程式1] 厚度變化率(%)=

Description

軟性銅箔層壓膜、包括軟性銅箔層壓膜之物品、以及製造軟性銅箔層壓膜的方法

本發明係關於一種軟性銅箔層壓膜、一種包括軟性銅箔層壓膜之物品及一種用於製造軟性銅箔層壓膜之方法。

根據行動市場之加速增長及LCD TV之增長需求，電子產品、半導體積體電路及其類似者之領域中在推進更薄、更小、更輕質及更耐久且具有高清晰度特性之材料開發。即使在用於LCD之驅動器積體電路(IC)中之軟性銅箔層壓(FCCL)膜之領域中，對微圖案化、薄化及耐久性之需求日益增長。

已廣泛用於製造此等軟性銅箔層壓膜之一濺鍍程序可易於適應精細節距圖案化以因此實現埃級厚度控制。然而，濺鍍程序會帶來若干問題，諸如一導電膜中之表面缺陷或難以在程序期間調整一目標之空間位置。

另外，由一濺鍍程序製造之一軟性銅箔層壓膜在其表面上展現較差沈積均勻性，且情況往往為形成針孔。此等針孔會引起若干問題，其包括(例如)一鍍銅表面中之裂縫、歸因於應力傳輸之鍍面損壞、鍍覆期間鍍面之分層及剝離、膜損壞等等。

一軟性銅箔層壓(FCCL)膜具有其中一電路圖案形成於其一表面上且諸如一半導體晶片之一電子裝置安裝於電路圖案上之一結構。近年來，包括具有23 μm或更小之一節距之一電路圖案之產品日益增多，且歸因於節距及線寬減小，存在尺寸變化不穩定之問題。

為解決此問題，亦在開發用於形成微電路圖案之技術。然而，針對微電路圖案化，一軟性銅箔層壓(FCCL)膜需要具有一基板與一金屬層之間的提高耐熱黏著性且在室溫及高溫亦保持高黏著性，且需要解決軟性銅箔層壓(FCCL)膜中之一層間分層問題。

因此，仍需要一種軟性銅箔層壓膜、一種包括軟性銅箔層壓膜之物品及一種製造軟性銅箔層壓膜之方法，軟性銅箔層壓膜具有一基板與一金屬層之間的提高耐熱黏著性，在室溫及高溫保持高黏著性，且具有一降低層間單位面積(cm ²)分層率、一鍍銅層之減少單位表面積(cm ²)針孔及突起數目及優異尺寸穩定性。

技術問題

一態樣提供一種軟性銅箔層壓膜，其具有一基板與一金屬層之間的提高耐熱黏著性，在室溫及高溫保持高黏著性，且具有一降低層間單位面積(cm ²)分層率、一鍍銅層之減少單位表面積(m ²)針孔及突起數目及提高結晶度及尺寸穩定性。

另一態樣提供一種包括軟性銅箔層壓膜之物品。

又一態樣提供一種製造軟性銅箔層壓膜之方法。 問題之解決方案

根據一態樣，提供

一種軟性銅箔層壓膜，其包括：

一非導電聚合物基板；

一無電含鎳鍍層，其定位於該基板之至少一表面上；及

一第一鍍銅層，其定位於該無電含鎳鍍層上，

其中該非導電聚合物基板與該無電含鎳鍍層之間的一單位面積(cm ²)分層率係1%或更小，

排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之一總厚度係0.1 μm至30 μm。

自(A)排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度至(B)排除該基板之該軟性銅箔層壓膜在靜置於260°C至320°C之一焊料浴中1分鐘之後的該總厚度之一厚度變化率滿足方程式1：

[方程式1]

厚度變化率(%)=

×100≤1%

在方程式1中，

A係排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度，且

B係排除該基板之該軟性銅箔層壓膜在靜置於260°C至320°C之一焊料浴中1分鐘之後的該總厚度。

該第一鍍銅層可展現僅[111]定向面或[111]定向面及[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面中之一或兩個定向面，如由X射線繞射(XRD)分析所量測。

該第一鍍銅層之該[200]定向面與該[111]定向面之一晶向指數(其由方程式2 (

)表示)可滿足0至小於25%，如由X射線繞射(XRD)分析所量測：

[方程式2]

該第一鍍銅層可具有相對於一X射線繞射光譜中之該[111]定向面之一峰值之使用方程式3計算之0.01°或更小之一半峰全寬(FWHM)變化率。

[方程式3]

FWHM [111]變化率={(靜置60天之後的FWHM)-(初始FWHM)}

該第一鍍銅層可具有單位表面積之100個或更少個針孔缺陷或單位表面積(m ²)之大於1 μm且小於2 μm之100個或更少個突起。

該第一鍍銅層可為一電鍍層或一無電鍍層。

該第一鍍銅層可具有0.05 μm至5 μm之一厚度。

該無電含鎳鍍層可具有0.01 μm至3 μm之一厚度。

該軟性銅箔層壓膜可進一步包括該第一鍍銅層上之一第二鍍銅層。

該第二鍍銅層可為一電鍍層。

該第二鍍銅層可具有0.1 μm至20 μm之一厚度。

該軟性銅箔層壓膜可進一步包括該非導電聚合物基板與該無電含鎳鍍層之間的一含聚合物黏著層。

該含聚合物黏著層可包括基於聚酯之樹脂、基於聚胺基甲酸酯之樹脂、基於丙烯酸之樹脂、基於聚矽氧烷之樹脂、基於聚矽烷之樹脂、基於羰基之樹脂、基於環氧之樹脂或其等之一組合。

該含聚合物黏著層可包括在其一端處含有胺基之基於聚矽氧烷之樹脂。

該含聚合物黏著層可具有0.001 μm至1 μm之一厚度。

該軟性銅箔層壓膜可具有80%或更大之表示為方程式4之一黏著保持率。

[方程式4]

黏著保持率(ΔF，%)=

×100

在方程式4中，

F ₀係在室溫量測之初始黏著性，且

F _f係在2小時內以150°C熱處理一或多次之後量測之黏著性。

當在使根據一實施例之軟性銅箔層壓膜靜置1天至60天且接著以150°C熱處理30分鐘之後，量測及每天平均化該非導電聚合物基板上分別對應於8個標準點之點之間的距離以獲得一尺寸時，一尺寸變化率(其係自最大尺寸減去尺寸中之最小尺寸之一結果)可為0.015或更小。

根據另一態樣，提供

一種包括上述軟性銅箔層壓膜之物品。

該物品可包括一印刷電路板或一顯示裝置。

根據另一態樣，提供一種製造上述軟性銅箔層壓膜之方法，其包括：

製備一非導電聚合物基板；

在該非導電聚合物基板上之至少一表面上形成一無電含鎳鍍層；及

在該無電含鎳鍍層之一表面形成一無電鍍金屬層或一電解鍍金屬層以製造上述軟性銅箔層壓膜。

該方法可進一步包括以30°C至180°C熱處理該無電含鎳鍍層20秒至80秒。

該方法可進一步包括以100°C至180°C之一溫度熱處理該無電鍍金屬層或該電解鍍金屬層1分鐘至30分鐘。

該方法可進一步包括將一含聚合物塗液塗覆於該製備非導電聚合物基板之至少一表面上且使其乾燥以形成一含聚合物黏著層。

該含聚合物塗液中之樹脂之一固體含量可為0.01 wt%至10 wt%。 本發明之有利效應

根據一態樣之一軟性銅箔層壓膜可具有一基板與一金屬層之間的提高耐熱黏著性，在室溫及高溫保持高黏著性，且具有一降低層間單位面積(cm ²)分層率、一鍍銅層之減少單位表面積(m ²)針孔及突起數目及提高結晶度及尺寸穩定性。

在下文中，將參考本發明之實施例及圖式來描述一軟性銅箔層壓膜、包括軟性銅箔層壓膜之一物品及製造軟性銅箔層壓膜之一方法。此等實施例僅依舉例方式提供以更詳細繪示本發明，且熟習技術者應明白，本發明之範疇不受限於此等實施例。

除非另有界定，否則本文中所使用之技術及科學術語具有相同於本申請案所屬領域之一般技術者通常所理解之含義之含義。然而，若本文中所使用之術語與引用參考文獻之術語之間存在任何衝突或不一致性，則本說明書中所使用之術語優先於引用參考文獻之術語。

儘管可在本發明之實施例或實驗中使用類似於或等效於本說明書中所描述之方法及材料之方法及材料，但本說明書中描述適當方法及材料。

如本文中所使用，用於一元件之後的表述「至少一表面」意謂包括元件之「一個表面」或「兩個表面」兩者。如本文中所使用，在一元件列表之後的諸如「…之至少一者」或「一或多者」之表述修飾整個元件列表而非修飾列表之個別元件。

如本文中所使用，表述「及/或」意謂包括一或多個相關列項之任何及所有組合。如本文中所使用，表述「或」意謂「及/或」。

如本文中所使用，除非另有說明，否則相對於一元件之術語「包括」或「包含」不排除其他元件，而是可用於意謂可添加及/或插入其他元件。如本文中所使用，表述「其等之組合」用於意謂至少兩個前述元件之一混合物或合金。如本文中所使用，術語「基於…之樹脂」用於意謂包括一特定「樹脂」或/及「樹脂之衍生物」之一廣泛概念。如本文中所使用，術語「基於磷之阻燃劑」用於意謂包括一含磷阻滯劑之一廣泛概念。

如本文中所使用，除非另有說明，否則單位「重量份」意謂各組分之一重量百分比。

如本文中所使用，當一元件指稱「在另一元件上」時，元件可直接在另一元件上或元件之間可存在介入元件。相比而言，當一元件指稱「直接在另一元件上」時，不存在介入元件。

根據一實施例，一種軟性銅箔層壓膜包括：一非導電聚合物基板；一無電含鎳鍍層，其定位於該基板之至少一表面上；及一第一鍍銅層，其定位於該無電含鎳鍍層上，其中該非導電聚合物基板與該無電含鎳鍍層之間的一單位面積(cm ²)分層率係1%或更小，排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之一總厚度係0.1 μm至30 μm，且(A)排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度與(B)排除該基板之該軟性銅箔層壓膜在靜置於260°C至320°C之一焊料浴中1分鐘之後的該總厚度滿足方程式1：

[方程式1]

厚度變化率(%)=

×100≤1%

在方程式1中，

A係排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度，且

B係排除該基板之該軟性銅箔層壓膜在靜置於260°C至320°C之一焊料浴中1分鐘之後的該總厚度。

圖1係根據一實施例之一軟性銅箔層壓膜10之一示意圖。

參考圖1，根據一實施例之一軟性銅箔層壓膜10係一雙面軟性銅箔層壓膜。軟性銅箔層壓膜10可包括：無電含鎳鍍層2及2'，其等分別配置於一非導電聚合物基板1之兩個表面上；及第一鍍銅層3及3'，其等分別循序配置於無電含鎳鍍層2及2'上。

在根據一實施例之軟性銅箔層壓膜10中，非導電聚合物基板1與無電含鎳鍍層2 (2')之間的一單位面積(cm ²)分層率可為1%或更小，且排除基板之軟性銅箔層壓膜在放入260°C至320°C之一溫度之一焊料浴中之前與之後的一總厚度變化率可滿足1%或更小，因此，軟性銅箔層壓膜10可具有提高耐熱黏著性。即使一精細圖案形成於軟性銅箔層壓膜10上，但軟性銅箔層壓膜10可保持非導電聚合物基板1與無電含鎳鍍層2 (2')之間的優異黏著性。相比而言，當一軟性銅箔層壓膜由一濺鍍程序製造時，缺陷可發生於一導電膜之表面上，且擔憂歸因於以高溫執行操作而熱損壞一基板膜。

如由X射線繞射(XRD)所分析，第一鍍銅層3及3'可展現僅[111]定向面或[111]定向面及[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面之一或兩者。第一鍍銅層3及3'具有一面心立方結構，其中銅粒子定位於轉角之頂點處，且[111]面觀察為用於減小晶界之一主生長面，如由X射線繞射(XRD)所分析。在第一鍍銅層3及3'中，在軟性銅箔層壓膜之製造期間，隨著構成[111]面之轉角之銅粒子生長且晶界面積減小，其等之間產生拉伸應力，且彈性能增大。為釋放諸如拉伸強度及彈性能之內部應力，生長至[200]面中，其係具有一小密度之一穩態，如由XRD所分析。第一鍍銅層3及3'可展現[111]定向面及[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面之一或兩者(如由XRD所分析)，且不同時展現[111]定向面、[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面。第一鍍銅層3及3'可被保護免受熱損壞且因此形成為均勻鍍層。

如由XRD所分析，第一鍍銅層之[200]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由方程式2 (

)所表示)可滿足0至小於25%：

[方程式2]

例如由XRD所分析，第一鍍銅層3及3'之[200]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由方程式2 (

)所表示)可滿足0.01至小於25%、或0至小於15%、或0.01至小於15%、或0至小於14%、或0.01至小於14%。

如由XRD所分析，當第一鍍銅層3及3'滿足[200]定向面、[220]定向面或/及[311]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由方程式2所表示)時，可進一步降低非導電聚合物基板1與無電含鎳鍍層2 (2')之間的一單位面積(cm ²)分層率。

第一鍍銅層3及3'可具有相對於X射線繞射光譜中之[111]定向面之一峰值之0.01°或更小之一FWHM變化率，如使用方程式3所計算：

[方程式3]

FWHM[111]變化率={(靜置60天之後的FWHM)-(初始FWHM)}

第一鍍銅層3及3'可具有優異結晶度及提高尺寸穩定性。第一鍍銅層3及3'可具有相對於X射線繞射光譜中之[111]定向面之一峰值之0.20°至0.35°之一FWHM。此可自圖7及評估實例2確認。

第一鍍銅層3及3'可具有單位表面積(m ²)之100個或更少個針孔缺陷或單位表面積(m ²)之大於1 μm且小於2 μm之100個或更少個突起。如本文中所使用，術語「針孔」或「針孔缺陷」係指允許光穿過之一通孔。如本文中所使用，術語「突起」或「突起缺陷」係指形成於第一鍍銅層3及3'中之一突出部分。因此，當精細節距電路圖案形成於第一鍍銅層3及3'之表面上時，可藉由解決由針孔或突起引起之蝕刻異常來顯著提高品質穩定性。

第一鍍銅層3及3'可為電鍍層或無電鍍層。

例如，可藉由使用一鍍液及一方法電鍍來形成第一鍍銅層3及3'如下。

可使用本技術領域中常用之一方法來執行電鍍。

鍍液可包括硫酸銅及硫酸作為基本材料。鍍液之一銅濃度可為15 g/L至40 g/L，例如15 g/L至38 g/L或17 g/L至36 g/L。鍍液之一溫度可維持22°C至37°C，例如25°C至35°C，例如27°C至34°C。當鍍液之溫度在溫度範圍內時，此可促進第一鍍銅層3及3'形成且提高生產率。為提高生產率及表面均勻性，可將一添加劑(例如一光澤劑、一平整劑、一校正劑或一鬆弛劑)添加至鍍液。

為形成一電解鍍銅層，一電流密度可為0.1 A/dm ²至20 A/dm ²，例如0.1 A/dm ²至17 A/dm ²、或0.3 A/dm ²至15 A/dm ²、或0.5 A/dm ²至10 A/dm ²、或0.7 A/dm ²至8 A/dm ²、或1.0 A/dm ²至5 A/dm ²。在此等電流密度範圍內，可促進第一鍍銅層3及3'形成且可提高生產率。

例如，第一鍍銅層3及3'可由一無電鍍覆法使用一鍍液及一方法形成如下。

無電鍍覆可由本技術領域中常用之一方法執行。無電鍍覆可使用一水平或垂直無電鍍覆法。

鍍液可包括一銅離子供應源、一錯合劑或螯合劑、一還原劑、水及視情況一或多個表面活性劑及視情況一或多個pH調節劑。

銅離子供應源可包括(但不限於)銅之水溶性鹵化物、硝酸鹽、乙酸鹽、硫酸鹽及其他有機鹽及無機鹽。此等銅離子供應源可提供僅銅離子或其等之一組合。銅離子供應源可包括(例如)硫酸銅、五水合硫酸銅、氯化銅、氮化銅、氫氧化銅、胺基磺酸銅或其等之組合。銅離子供應源在鍍液中之一濃度可為0.5 g/L至30 g/L，例如1 g/L至25 g/L，例如5 g/L至20 g/L，例如5 g/L至15 g/L，例如10 g/L至15 g/L。

錯合劑或螯合劑可包括酒石酸鉀鈉、酒石酸鈉、水楊酸鈉、乙二胺四乙酸(EDTA)之鈉鹽、氮基乙酸及其鹼金屬鹽、葡萄糖酸、葡萄糖酸鹽、三乙醇胺、經改質乙二胺四乙酸、S,S-乙二胺二琥珀酸、乙內醯脲及乙內醯脲衍生物或其等之組合。乙內醯脲衍生物可包括(但不限於) 1-甲基乙內醯脲、1,3-二甲基乙內醯脲及5,5-二甲基乙內醯脲。錯合劑在鍍液中之一濃度可為10 g/L至150 g/L，例如20 g/L至150 g/L，例如30 g/L至100 g/L，例如35 g/L至80 g/L，例如35 g/L至55 g/L。還原劑之實例可包括(但不限於)：甲醛、甲醛先質及甲醛衍生物，諸如多聚甲醛；硼氫化物，諸如硼氫化鈉及經取代硼氫化物；硼烷，諸如二甲胺硼烷(DMAB)；糖，諸如葡萄糖、山梨醇、纖維素、蔗糖、甘露醇及葡萄糖酸內酯；次磷酸酯及其鹽，諸如次磷酸鈉；對苯二酚；兒茶酚；間苯二酚；氫醌；焦棓酚；偏苯三酚；氟乙氨酚、癒創木酚；沒食子酸；3,4-二羥基苯甲酸；苯酚磺酸；甲酚磺酸；氢醌磺酸；兒茶酚磺酸；提隆(tyrone)；及上述還原劑之任何鹽。還原劑在鍍液中之一濃度可為0.5 g/L至100 g/L，例如0.5 g/L至60 g/L，例如1 g/L至50 g/L，例如1 g/L至20 g/L，例如1 g/L至10 g/L，例如1 g/L至5 g/L。

鍍液之pH可大於7。一或多個pH調節劑可視情況包括於鍍液中以將鍍液之pH調節至鹼性pH。pH調節劑可包括有機酸、無機酸、有機鹼、無機鹼或其等之一混合物。例如，無機酸可包括磷酸、硝酸、硫酸、鹽酸或其等之一組合。例如，無機鹼可包括氫氧化銨、氫氧化鈉、氫氧化鉀或其等之一組合。

一或多個表面活性劑可視情況包括於鍍液中。此等表面活性劑可包括離子表面活性劑(例如陽離子及陰離子表面活性劑)及非離子及兩性表面活性劑。此等表面活性劑可單獨或依其混合物使用。表面活性劑在鍍液中之一濃度可為0.001 g/L至50 g/L，例如0.01 g/L至50 g/L。陽離子表面活性劑可為(但不限於)鹵化四烷基銨、鹵化烷基三甲基銨、羥乙基烷基咪唑啉、鹵化烷基芐二甲烴銨、乙酸烷基胺、油酸烷基胺及烷基胺基乙基甘胺酸。陰離子表面活性劑可包括(但不限於)烷基苯磺酸鹽、烷基或烷氧基萘磺酸鹽、烷基二苯醚磺酸鹽、烷基醚磺酸鹽、烷基硫酸酯、聚氧乙烯烷基醚硫酸酯、聚氧乙烯烷基酚醚硫酸酯、較高醇磷酸單酯、聚氧烷烷基醚磷酸(磷酸鹽)及磺基琥珀酸烷基酯。非離子表面活性劑可包括(但不限於)具有20個至150個重複單元之烷基苯氧基聚乙氧基乙醇、聚氧乙烯聚合物及聚氧乙烯及聚氧丙烯之一隨機及嵌段共聚物。兩性表面活性劑可包括(但不限於) 2-烷基-N-羧甲基或乙基-N-羥乙基或甲基咪唑甜菜鹼、2-烷基-N-羧甲基或乙基-N-羧甲基氧基乙基咪唑甜菜鹼、二甲基烷基甜菜鹼、N-烷基-β-胺基丙酸或其鹽及脂肪酸醯胺基丙基二甲基胺基乙酸甜菜鹼。

第一鍍銅層3及3'可各具有0.05 μm至5 μm之一厚度。例如，第一鍍銅層3及3'可各具有0.05 μm至4 μm、或0.05 μm至3 μm、或0.1 μm至2 μm、或0.1 μm至1 μm、或0.1 μm至900 nm、或0.1 μm至800 nm、或0.1 μm至700 nm、或0.1 μm至600 nm、或0.1 μm至500 nm、或0.1 μm至400 nm、或0.1 μm至300 nm、或0.1 μm至200 nm、或0.1 μm至150 nm之一厚度。例如，第一鍍銅層3及3'可各具有0.1 μm至200 nm之一厚度。當第一鍍銅層3及3'之厚度在厚度範圍內時，可促進鍍覆，且可提高非導電聚合物基板1之尺寸穩定性。

本文中各層之厚度可使用本技術領域中常用之一方法來量測。例如，各層之厚度可使用一X射線螢光(XRF)光譜法來量測。XRF光譜術係基於以下原理之一分析法：隨著具有一特定能量之初級X射線照射至一主體材料上，外殼電子過渡至歸因於激發材料之一核心而發射之電子之位置，且在殼電子之過渡期間，偵測根據鍍覆厚度來變動之特定X射線之能量之量值。

無電含鎳鍍層2及2'可各具有0.01 μm至3 μm之一厚度。例如，無電含鎳鍍層2及2'可各具有0.01 μm至2 μm、或0.01 μm至1 μm、或0.01 μm至900 nm、或0.01 μm至800 nm、或0.01 μm至700 nm、或0.01 μm至600 nm、或0.01 μm至500 nm、或0.01 μm至400 nm之一厚度。無電含鎳鍍層2及2'可各具有0.01 μm至300 nm之一厚度。當無電含鎳鍍層2及2'之厚度自此等範圍內時，此可減少諸如有機材料、添加劑及固化氣體之雜質，促進鍍覆，且提供非導電聚合物基板1之提高尺寸穩定性。

軟性銅箔層壓膜可進一步包括第一鍍銅層3 (3')上之一第二鍍銅層。

第二鍍銅層可為一電鍍層。電鍍層可使用此項技術中可用之任何方法來形成。例如，電鍍層可藉由使用硫酸銅及硫酸作為基本材料電鍍來形成於第一鍍銅層3 (3')上。

第二鍍銅層可具有0.1 μm至20 μm之一厚度。例如，第二鍍銅層可具有0.2 μm至18 μm或0.7 μm至12 μm之一厚度。當第二鍍銅層之厚度在厚度範圍內時，可促進鍍銅層形成且可提高生產率及黏著性。

圖2係根據一實施例之一軟性銅箔層壓膜之一示意圖。

參考圖2，根據一實施例之一軟性銅箔層壓膜20可包括含聚合物黏著層12及12'、無電含鎳鍍層13及13'及第一鍍銅層14及14'，其等分別循序配置於一非導電聚合物基板11之兩個表面上。如圖2中所展示，在非導電聚合物基板11與無電含鎳鍍層13及13'之間可進一步包括含聚合物黏著層12及12'。

含聚合物黏著層12及12'可包括基於聚酯之樹脂、基於聚胺基甲酸酯之樹脂、基於丙烯酸之樹脂、基於聚矽氧烷之樹脂、基於聚矽烷之樹脂、基於羰基之樹脂、基於環氧之樹脂或其等之一組合。

含聚合物黏著層12及12'可包括在其一端處含有胺基之基於聚矽氧烷之樹脂。例如，含聚合物黏著層12及12'可包括由3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷或作為其等之一組合之基於矽烷之化合物之水解導致之基於聚矽氧烷之樹脂。

基於聚矽氧烷之樹脂可具有(例如) 100 g/mol至1000,000 g/mol之一重量平均分子量。

含聚合物黏著層12及12'可不僅具有提高延展性，且亦具有藉由化學共價鍵結之至無電含鎳鍍層13及13'之強黏著性，因此，可提高非導電聚合物基板11與無電含鎳鍍層13及13'之間的耐熱黏著性。

為提高軟性銅箔層壓膜20之阻燃性，含聚合物黏著層12 (12')可進一步包括基於磷之阻燃劑。基於磷之阻燃劑可為(但不限於)選自3-(羥苯基磷醯基)丙酸、三(1,3-氯-2-丙基)磷酸酯(TCPP)、磷酸三乙酯(TEP)及磷酸三甲酯(TMP)之至少一者。

基於磷之阻燃劑之一量可為相對於100重量份樹脂之1重量份至30重量份，例如5重量份至20重量份。當含聚合物黏著層12 (12')包括此等重量範圍內之基於磷之阻燃劑時，可提高阻燃性，且可提高至非導電聚合物基板11之黏著性及軟性。

為進一步提高軟性銅箔層壓膜20之耐熱性及耐化學性及至非導電聚合物基板11之黏著性，含聚合物黏著層12 (12')可另外包括硬化促進劑。硬化促進劑可包括：四苯硼酸鹽；聚乙烯基苯酚；溴化聚乙烯基苯酚；有機膦，諸如三丁基膦、三苯基膦及三-2-氰乙基膦；溴化三-n-丁基(2,5-二羥基苯基)鏻；氯化十六烷基三丁基鏻；及四苯基硼酸四苯基鏻或其類似者。鑑於耐熱性、至基板之黏著性及其類似者，可使用四苯硼酸鹽作為硬化促進劑。

硬化促進劑之一量可為相對於100重量份樹脂之0.01重量份至15重量份。當含聚合物黏著層12 (12')中之硬化促進劑之量在此重量範圍內時，可提高耐熱性及黏著性。

含聚合物黏著層12 (12')可具有0.001 μm至1 μm之一厚度。例如，含聚合物黏著層12 (12')可具有0.002 μm至0.1 μm、或0.002 μm至0.05 μm、或0.002 μm至0.03 μm之一厚度。在此等厚度範圍內，可透過一乾燥程序來穩定硬化含聚合物黏著層12及12'，且可提高黏著性。

含聚合物黏著層12及12'之量可為相對於100重量份非導電聚合物基板11之0.1重量份至1.0重量份，例如相對於100重量份非導電聚合物基板11之0.1重量份至0.9重量份、或0.1重量份至0.8重量份、或0.1重量份至0.7重量份、或0.1重量份至0.6重量份、或0.1重量份至0.5重量份、或0.1重量份至0.4重量份、或0.1重量份至0.3重量份。當含聚合物黏著層12及12'之量在此等範圍內時，可促進其分散液形成均勻黏著層。

非導電聚合物基板1 (11)可包括選自基於苯酚之樹脂、基於酚醛之樹脂、基於烯丙基之樹脂、基於環氧之樹脂、基於聚乙烯之樹脂、基於聚丙烯之樹脂、基於聚酯之樹脂及基於聚醯亞胺之樹脂之至少一者。

例如，鑑於黏著性、拉伸強度及剝離強度，可使用基於聚醯亞胺之樹脂來形成非導電聚合物基板1 (11)。例如，可藉由透過擠壓聚醯胺酸(其係聚醯亞胺先質)形成一膜且接著熱處理膜以引起聚醯胺酸亞醯胺化來製備含有基於聚醯亞胺之樹脂之非導電聚合物基板1 (11)。

為移除水分及殘留氣體，可使用本技術領域中常用之一方法來乾燥非導電聚合物基板1 (11)。例如，可藉由在大氣壓下捲軸式熱處理或在一真空中使用一紅外線(IR)加熱器來執行乾燥。

非導電聚合物基板1 (11)可具有5 μm至100 μm之一厚度，例如10 μm至40 μm或20 μm至30 μm。在此等厚度範圍內，非導電聚合物基板1 (11)可防止熱損壞且具有優異延展性及黏著性。

軟性銅箔層壓膜20可具有80%或更大之一黏著保持率，如由方程式4所表示。

[方程式4]

黏著保持率(ΔF，%)=

×100

在方程式4中，

F ₀係在室溫處量測之初始黏著性，且

F _f係在2小時內以150°C熱處理一或多次之後量測之黏著性。

例如，可在2小時內以150°C熱處理至少一次且接著在10分鐘內以240°C熱處理一次之後量測熱處理之後的黏著性。例如，以150°C熱處理2小時且在室溫單獨靜置30分鐘之一程序可重複兩次，接著可以240°C執行熱處理10分鐘，且接著可量測熱處理之後的黏著保持率。

當在根據一實施例之軟性銅箔層壓膜靜置1天至60天且接著以150°C熱處理30分鐘之後，量測及每天平均化非導電聚合物基板上對應於8個標準點之點之間的距離以獲得尺寸時，一尺寸變化率(其係自尺寸中之最大尺寸減去尺寸中之最小尺寸之一結果)可為0.015或更小。

根據另一實施例，一物品可包括上述軟性銅箔層壓膜。

物品可包括一印刷電路板或一顯示裝置。例如，顯示裝置可包括一LCD、一OLED或其類似者。

根據一實施例之用於製造軟性銅箔層壓膜10 (20)之一方法可包括：製備一非導電聚合物基板1 (11)；在非導電聚合物基板1 (11)之至少一表面上形成一無電含鎳鍍層2、2' (13、13')；及在無電含鎳鍍層2、2' (13、13')之一表面上形成一無電鍍銅層或電解鍍金屬層3、3' (14、14')以製造上述軟性銅箔層壓膜10 (20)。

製備非導電聚合物基板1 (11)可進一步包括乾燥以自非導電聚合物基板1 (11)移除水分及殘留氣體。

乾燥可例如在50°C至300°C (例如60°C至280°C或70°C至270°C)之一真空中使用一紅外線(IR)加熱器來執行。在此等乾燥溫度範圍內，可在非導電聚合物基板無損壞及品質不劣化之情況下有效移除水分。

形成無電含鎳鍍層2、2' (13、13')可使用一濕式無電鍍覆法來執行。

濕式無電鍍覆不受限於一特定鍍覆條件或鍍覆設備，而是可透過根據一常用方法適當選擇來執行。例如，待鍍覆之一物體可浸沒於具有一上述組合物之無電含鎳鍍液中或與該無電含鎳鍍液接觸。在此情況中，鍍覆處理溫度可為30°C至180°C，例如45°C至140°C或50°C至85°C。鍍覆處理時間可例如為20秒至80秒，但其可根據待形成之一鍍鎳膜之一厚度或其類似者來適當設定。在鍍覆處理溫度及鍍覆處理時間範圍內，可形成穩定含鎳鍍層。

在形成無電鍍銅層3、3 (14、14')或電解鍍銅層3、3 (14、14')以製造軟性銅箔層壓膜10 (20)時，可使用一濕式無電鍍覆法或濕式電鍍法來形成鍍銅層。

用於形成鍍銅層之一方法不受限於一特定鍍覆條件或鍍覆設備，而是可透過根據一常用方法適當選擇來實施。例如，待鍍覆之一物體可浸沒於具有一上述組合物之無電銅鍍液或電解銅鍍液中或與該無電銅鍍液或電解銅鍍液接觸。在此情況中，鍍覆處理溫度可例如為室溫至約50°C。鍍覆處理時間可為(例如) 0.1分鐘至60分鐘(例如0.5分鐘至30分鐘)，但其可根據待形成之一鍍銅膜之一厚度或其類似者來適當設定。在鍍覆處理溫度及鍍覆處理時間範圍內，可形成穩定鍍銅層。

方法可進一步包括將一含聚合物塗液塗覆於所製備之非導電聚合物基板1 (11)之至少一表面上且使其乾燥以形成含聚合物黏著層12、12'。

樹脂在含聚合物塗液中之一固體含量可為0.01 wt%至10 wt%。

現將參考以下實例及比較實例來詳細描述本發明之一或多個實施例。然而，以下實例僅供說明，且熟習技術者應瞭解，可在不背離本發明之原理及精神之情況下對此等例示性實施例作出各種改變及校正。

[實例]

實例1：軟性銅箔層壓膜

將具有25 μm之一厚度之聚醯亞胺膜(由TDC製造之Kapton 100ENC)製備為一非導電聚合物基板。藉由垂直或水平執行之無電鎳鍍覆，使用一無電鎳鍍液(如將在下文描述)在聚醯亞胺膜之兩側上分別形成具有約100 nm之一厚度之鍍鎳層。藉由使用下文將描述之一無電銅鍍液進行無電銅鍍覆來在鍍鎳層上分別形成具有約100 nm之一厚度之第一鍍銅層以藉此製造沿自聚醯亞胺膜之向上及向下方向包括一第一側部分(元件符號5)及一第二側部分(元件符號6)之一軟性銅箔層壓膜10，如圖1中所展示。

(無電鎳鍍液)

鍍液：將Ni離子在鎳鹽水合物(硫酸鎳六水合物NiSO ₄·6H ₂O)中之一濃度調節為5 g/L。

浴溫度：約60°C

鎳沈澱時間：約1 min

pH濃度：約7.3

(無電銅鍍液)

鍍液：硫酸銅六水合物(CuSO ₄·6H ₂O，16.25 mol/L)及硫酸(3.25 mol/L)作為錯合劑

浴溫度：約34°C

銅沈澱時間：約2 min 30 sec

pH濃度：約13.0

攪拌：空氣攪拌

實例2：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例1之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是以40°C之一溫度熱處理所形成之鍍鎳層60秒，且接著即時藉由使用根據以下條件之具有如下組合物之一銅鍍液進行鍍覆來在鍍鎳層上分別形成具有2 μm之一厚度之第一鍍銅層以藉此製造沿自聚醯亞胺膜之向上及向下方向包括一第一側部分(元件符號5)及一第二側部分(元件符號6)之一軟性銅箔層壓膜10，如圖1中所展示。

(電解銅鍍液)

鍍液：硫酸銅(24 g/L)、硫酸(188 g/L)、鹽酸(60 ppm)

浴溫度：約32°C

電流密度：3.2 A/dm ²

銅沈澱時間：約31min

實例3：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例1之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是以40°C之一溫度熱處理所形成之鍍鎳層60秒且隨後使其以25°C單獨靜置24小時，且接著藉由使用根據實例2中所使用之條件之具有一組合物之一銅鍍液進行鍍覆來在鍍鎳層上分別形成第一鍍銅層。

實例4：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例1之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是：使用捲軸式塗覆設備來將其中依50:50重量比混合在其一端處含有胺基之聚矽氧烷樹脂(由Atotech生產之CovaBond P100)與甲乙酮溶液之一塗液塗覆於聚醯亞胺膜之兩個表面上且以約120°C使熱風乾燥塗液以形成含有在其端處具有胺基之聚矽氧烷樹脂聚合物之具有約20 nm之一厚度之黏著層；及

藉由使用根據實例2中所使用之條件之具有組合物之一銅鍍液進行電鍍來在鍍鎳層上分別形成具有約10 μm之一厚度之第一鍍銅層以藉此製造沿自聚醯亞胺膜之向上及向下方向包括一第一側部分(元件符號15)及一第二側部分(元件符號16)之一軟性銅箔層壓膜，如圖2中所展示。

實例5：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例1之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是：使用捲軸式塗覆設備來將其中依40:60重量比混合在其一端處含有胺基之聚矽氧烷樹脂(由Atotech生產之CovaBond P100)與甲乙酮溶液之一塗液塗覆於聚醯亞胺膜之兩個表面上且以約120°C熱風乾燥塗液以形成含有在其端處具有胺基之聚矽氧烷樹脂聚合物之具有約20 nm之一厚度之黏著層；及

藉由使用根據實例2中所使用之條件之具有組合物之一銅鍍液進行電鍍來在鍍鎳層上分別形成具有約10 μm之一厚度之第一鍍銅層以藉此製造沿自聚醯亞胺膜之向上及向下方向包括一第一側部分(元件符號15)及一第二側部分(元件符號16)之一軟性銅箔層壓膜，如圖2中所展示。

實例6：軟性銅箔層壓膜

將具有25 μm之一厚度之聚醯亞胺膜(由TDC製造之Kapton 100ENC)製備為一非導電聚合物基板。藉由垂直或水平執行之無電鎳鍍覆，使用一無電鎳鍍液(如將在下文描述)在聚醯亞胺膜之兩個表面上分別形成具有約100 nm之一厚度之鍍鎳層。藉由無電銅鍍覆，使用一無電銅鍍液(如下文將描述)在鍍鎳層上分別形成具有約100 nm之一厚度之第一鍍銅層。藉由使用對流熱之熱風乾燥來以約165°C熱處理第一鍍銅層之各者約3分鐘。藉由電鍍來在經熱處理第一鍍銅層上分別形成具有約2 μm之一厚度之第二鍍銅層，藉此製造基於聚醯亞胺膜具有沿一向上方向形成之一第一側部分(元件符號5)及沿一向下方向形成之一第二側部分(元件符號6)之一軟性銅箔層壓膜10，如圖1中所展示。分別用於無電鎳鍍覆及無電銅鍍覆中之無電鎳鍍液及無電銅鍍液及用於銅電鍍中之銅鍍液之組合物及條件如下。

(無電鎳鍍液)

鍍液：將Ni離子在鎳鹽水合物(硫酸鎳六水合物NiSO ₄·6H ₂O)中之一濃度調節為5 g/L。

浴溫度(浴)：約60°C

鎳沈澱時間：約1 min

pH濃度：約7.3

(無電銅鍍液)

鍍液：硫酸銅六水合物(CuSO ₄·6H ₂O，16 mol/L)及硫酸(3.25 mol/L)作為錯合劑

浴溫度：約34°C

銅沈澱時間：約2 min 30 sec

pH濃度：約13.0

攪拌：空氣攪拌

(銅電鍍液)

鍍液：硫酸銅(24 g/L)、硫酸(188 g/L)、鹽酸(60 ppm)

浴溫度：32°C

電流密度：3.2 A/dm ²

銅沈澱時間：約31 min

實例7：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用對流熱之熱風乾燥來以約165°C熱處理第一鍍銅層之各者約4分鐘而非3分鐘。

實例8：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用對流熱之熱風乾燥來以約165°C熱處理第一鍍銅層之各者約5分鐘而非3分鐘。

實例9：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用對流熱之熱風乾燥來以約165°C熱處理第一鍍銅層之各者約10分鐘而非3分鐘。

實例10：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用對流熱之熱風乾燥來以約165°C熱處理第一鍍銅層之各者約15分鐘而非3分鐘。

實例11：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用對流熱之熱風乾燥來以約165°C熱處理第一鍍銅層之各者約20分鐘而非3分鐘。

實例12：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由無電鎳鍍覆來在聚醯亞胺膜之兩個表面上分別形成具有約200 nm而非約100 nm之一厚度之鍍鎳層，且將無電鎳鍍液之鎳沈澱時間調整為約4分鐘而非約3分鐘。

實例13：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由無電鎳鍍覆來在聚醯亞胺膜之兩個表面上分別形成具有約250 nm而非約100 nm之一厚度之鍍鎳層，且將無電鎳鍍液之鎳沈澱時間調整為約5分鐘而非約3分鐘。

實例14：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由無電鎳鍍覆來在聚醯亞胺膜之兩個表面上分別形成具有約200 nm而非約100 nm之一厚度之鍍鎳層。

實例15：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例6之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由無電鎳鍍覆來在聚醯亞胺膜之兩個表面上分別形成具有約250 nm而非約100 nm之一厚度之鍍鎳層。

比較實例1：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例1之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是將無電鎳鍍液之浴溫度調節為約65°C而非約60°C，將pH濃度調節為約8.0而非約7.3，且不熱處理第一鍍銅層。

比較實例2：軟性銅箔層壓膜

將具有25 μm之一厚度之聚醯亞胺膜(由TDC製造之Kapton 100ENC)用作一非導電聚合物基板。使用一捲軸式濺鍍設備藉由物理汽相沈積(PVD)來在聚醯亞胺膜之一表面上循序形成一Ni-Cr合金連結層及一Cu晶種層。在此，依80:20之Ni-Cr重量比(99.9%或更大純度)使連結層形成為約250 Å之一厚度，且依99.995%純度銅使Cu晶種層形成為約1000 Å之一厚度。

藉由使用硫酸銅鍍液進行電鍍來在Cu晶種層上形成具有約10 μm之一厚度之一鍍銅層以藉此製造一軟性銅箔層壓膜。在此，在30°C之一浴溫度、3.2 A/dm ²之一電流密度及約32.5 min之一銅沈澱時間之條件下，使用含有26 g/L硫酸銅、188 g/L硫酸及60 ppm鹽酸之一鍍液來實施電鍍。

比較實例3：軟性銅箔層壓膜

依相同於比較實例2之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用硫酸銅鍍液進行電鍍來在Cu晶種層上形成具有約4 μm之一厚度之一鍍銅層。為形成鍍銅層，使用含有約26 g/L Cu ²⁺及約188 g/L硫酸之鍍液，且以約30°C之一浴溫度施加依約1.7 A/dm ²之一電流密度之電流。

比較實例4：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例4之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是藉由使用一無電鎳鍍液(如下文將描述)水平執行之無電鎳鍍覆來在含有在其一端處含有胺基之聚矽氧烷樹脂聚合物之黏著層之單一表面上分別形成具有約2 μm之一厚度之鍍鎳層。

(無電鎳鍍液)

鍍液：將Ni離子在鎳鹽水合物(硫酸鎳六水合物NiSO ₄·6H ₂O)中之一濃度調節為2.5 g/L。

浴溫度：約60°C

鎳沈澱時間：約1 min

pH濃度：約7.3

比較實例5：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例2之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是不熱處理所形成之鍍鎳層。

比較實例6：軟性銅箔層壓膜

依相同於實例2之方式製造一軟性銅箔層壓膜，只是使所形成之鍍鎳層以25°C單獨靜置24小時，無需熱處理。

評估實例1：放入焊料浴中之前與之後的厚度變化率

在將實例1及比較實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜放入約260°C之一溫度之一焊料浴中且使其靜置1分鐘之前及之後，量測排除聚醯亞胺基板膜之軟性銅箔層壓膜之厚度。使用掃描電子顯微鏡(SEM)設備來在由圖3中之箭頭指示之三個區域(對應於表1中之「a」、「b」及「c」)處執行厚度量測。將量測厚度代入至方程式1中以計算放入一焊料浴中之前與之後的排除聚醯亞胺基板膜之各軟性銅箔層壓膜之一厚度變化率百分比(%)。表1中展示結果。

[方程式1]

厚度變化率(%)=

×100

在方程式1中，

A係排除基板之軟性銅箔層壓膜之總厚度，且

B係排除基板之軟性銅箔層壓膜在靜置於260°C之一焊料浴中1分鐘之後的總厚度。

[表1]

	放入焊料浴中之前的厚度(A，μm)	放入焊料浴中之後的厚度(B，μm)	厚度變化率(%)
a	b	c	a	b	c	a	b	c
實例1	2.1	2.1	2.1	2.12	2.09	2.11	0.95	0.95	0.48
比較實例1	2.1	2.1	2.1	11.13	15.32	13.24	430	630	530

參考表1，與排除聚醯亞胺基板膜之比較實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之一厚度變化率相比，排除聚醯亞胺基板膜之實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之一厚度變化率非常小，0.95%或更小。

評估實例2：XRD分析

使用具有1.541 Å之一波長之CuK-α特性X射線照射之一Rigaku RINT2200HF+繞射儀來實施一XRD分析實驗。

(1)晶向指數

藉由X射線繞射(XRD)來分析根據實例6至15及比較實例1所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層。圖4至圖6中分別展示結果。基於圖4至圖6中所展示之XRD分析之結果，藉由代入至方程式2、5及6中來獲得[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面與[111]定向面之晶向指數。表2至4中展示結果。

[方程式2]

[方程式5]

[方程式6]

[表2]

晶向指數(%)	實例6	實例7	實例8	實例9	實例10	實例11
	第一側部分	25.6	0	21.6	25.3	0	18.0
第二側部分	30.2	0	11.3	18.1	21.2	27.4
	第一側部分	0	0	0	0	0	0
第二側部分	0	0	0	0	0	7.3
	第一側部分	0	0	0	13.7	0	0
第二側部分	0	7.8	0	0	0	0

[表3]

晶向指數(%)	實例12	實例13	實例14	實例15
	第一側部分	20.9	20.4	18.3	20.0
第二側部分	25.4	20.8	17.8	22.4
	第一側部分	0	0	0	0
第二側部分	0	0	0	0
	第一側部分	0	0	5.6	0
第二側部分	0	7.8	7.2	0

[表4]

晶向指數(%)	比較實例1
	第一側部分	27.6
第二側部分	29.6
	第一側部分	10.1
第二側部分	15.0
	第一側部分	12.7
第二側部分	14.2

參考圖4及圖5，可確認，在根據實例6至15所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層中，除[111]定向面之外，同時觀察[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面中之一或兩者，但不同時觀察[111]定向面、[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面。

參考表2及3，可確認，在根據實例6至15所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層中，根據方程式2 (

)之[200]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由XRD所量測)滿足0%至小於25%之範圍，根據方程式5 (

)之[220]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由XRD所量測)滿足0%至小於15%之範圍，且根據方程式6 (

)之[311]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由XRD所量測)滿足0%至小於14%之範圍。

相比而言，參考圖6，可確認，在根據比較實例1所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層中同時觀察[111]定向面、[200]定向面、[220]定向面及[311]定向面。

參考表4，可確認，在根據比較實例1所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層中，根據方程式2 (

)之[200]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由XRD所量測)係27%或更大，根據方程式5 (

)之[220]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由XRD所量測)係15%或更大，且根據方程式6 (

)之[311]定向面與[111]定向面之一晶向指數(如由XRD所量測)係14%或更大。

(2)半峰全寬(FWHM)

對實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜實施XRD分析。圖7中展示結果。

如圖7中所展示，在實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜中，在43°之一布拉格(Bragg) 2θ角處觀察到(111)面之一峰值。使用在使實例1及比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜之各者靜置60天之後自(111)面之一峰值獲得之一半峰全寬(FWHM)，根據方程式3來計算一FWHM變化率。下表5中展示結果。

[方程式3]

FWHM[111]變化率={(靜置60天之後的FWHM)-(初始FWHM)}

[表5]

實例	初始FWHM (°)	靜置60天之後的FWHM(°)	FWHM變化率(°)
實例1	0.25	0.24	0.01
比較實例2	0.242	0.147	0.095
比較實例3	0.101	0.077	0.024

參考表5，靜置60天之後實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜展現幾乎無變化，在(111)面之一峰值中具有0.01之一FWHM變化率，而比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜展現一微小變化，分別具有0.095及0.024之FWHM變化率。

自此等結果發現，實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜具有比比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜提高之結晶度。

評估實例3：尺寸穩定性

評估實例1及比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜之各者之聚醯亞胺基板膜之尺寸穩定性。下表6中展示結果。

使用以下方法來評估尺寸穩定性。

將實例1及比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜切割成295 mm×235 mm之一大小以製備樣本。在各樣本上標記八個標準點(圖8A)。使用3維(3D)量測裝置來量測標準點之間的距離且接著將其平均化以獲得一初始尺寸。在對應於標準點之八個點處對各樣本之聚醯亞胺基板膜打孔，且使樣本靜置於一恆溫恆濕室(23°C±2°C、50%±5%)中1天至60天。其後，以150°C熱處理樣本30分鐘且使其靜置於恆溫恆濕室中24小時，使用3維量測裝置來量測各聚醯亞胺基膜中對應於八個標準點之八個點之間的距離且接著將其平均化以獲得靜置1天至60天之後的一尺寸，且自最大尺寸減去尺寸中之最小尺寸以獲得一尺寸變化率。

[表6]

	實例1	比較實例2	比較實例3
初始	0.107	0.065	0.054
靜置5天之後的尺寸	0.104	0.071	0.059
靜置7天之後的尺寸	0.106	0.067	0.061
靜置10天之後的尺寸	0.096	0.068	0.055
靜置15天之後的尺寸	0.099	0.069	0.056
靜置20天之後的尺寸	0.097	0.057	0.064
靜置30天之後的尺寸	0.110	0.053	0.059
靜置45天之後的尺寸	0.098	0.056	0.047
靜置60天之後的尺寸	0.099	0.053	0.049

參考表6，實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺基板膜具有0.014之一尺寸變化率，且比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺基板膜分別具有0.018及0.017之尺寸變化率。自此等結果發現，與比較實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜相比，實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜具有相對於聚醯亞胺基板膜之60天之優異尺寸穩定性。

評估實例4：評估聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積分層率

評估根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率。藉由使用照片及一200X光學顯微鏡來評估聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率。表8及圖9A及圖9B中展示結果。

[表8]

	單位面積(cm 2)分層率(%)
實例6	0

在以150°C熱處理0.5分鐘、以150°C熱處理1.0分鐘、以150°C熱處理2.0分鐘、以180°C熱處理0.5分鐘、以180°C熱處理1.0分鐘、以180°C熱處理2.0分鐘、以220°C熱處理0.5分鐘、以220°C熱處理1.0分鐘及以220°C熱處理2.0分鐘之後，藉由拍攝根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之第二鍍銅層之表面(第一側部分及第二側部分)之照片來評估聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率。下表9中展示結果。

[表9]

根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之第二鍍銅層之熱處理條件	單位面積(cm 2)分層率(%)
以150°C熱處理0.5 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以150°C熱處理1.0 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以150°C熱處理2.0 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以180°C熱處理0.5 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以180°C熱處理1.0 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以180°C熱處理2.0 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以220°C熱處理0.5 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以220°C熱處理1.0 min	第一側部分	0
第二側部分	0
以220°C熱處理2.0 min	第一側部分	0
第二側部分	0

參考表8及圖9A及圖9B，根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率係0%。

參考表9，即使在高溫熱處理第二鍍銅層之表面(第一側部分及第二側部分)之後，根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率係0%。

評估根據比較實例1所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率。藉由使用照片及一200X光學顯微鏡來評估聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率。圖9C及圖9D中分別展示結果。

參考圖9C及圖9D，可確認，根據比較實例1所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率係約40%至約50%以指示分層發生於一廣泛區域中。

因此，可確認，根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率比根據比較實例1所製造之軟性銅箔層壓膜之聚醯亞胺膜與鍍鎳層之間的單位面積(cm ²)分層率顯著降低。

基於此，可確認，自根據實例6所製造之軟性銅箔層壓膜之含鎳鍍層移除諸如一有機材料、一添加劑及一固化氣體之大部分雜質。

評估實例5：熱處理之前及之後的黏著性及黏著保持率

在將銅額外鍍覆至實例4及5及比較實例2及4中所製造之軟性銅箔層壓膜之各者上達12.0 μm之一厚度之後，根據下文(1)及(2)中所界定之量測方法來執行量測第一側部分(圖2中之元件符號15)或/及第二側部分(圖2中之元件符號16)，且基於(1)及(2)中所量測之黏著性使用方程式4來計算黏著保持率。表7及圖10及圖11中展示結果。

(1)初始黏著性(N/mm，F ₀)：根據JIS C 6471，在3-mm圖案形成及以23°C±2°C靜置72小時之後，依50 mm/min之一速率透過一T剝離測試使用一物性測定儀(由SMS製造之TAXplus/50)來量測一剝離強度。

(2)熱處理之後的黏著性(N/mm，F _f)：根據JIS C 6471，在以150°C熱處理2小時且以室溫靜置30分鐘之一程序之後，重複以150°C熱處理2小時且以室溫靜置30分鐘之此程序。最後，在以240°C額外熱處理10分鐘之後，在50 mm/min之一測試速率及5 N之一負載之條件下透過一T剝離測試使用一物性測定儀(由SMS製造之TAXplus/50)來量測一剝離強度。

(3)黏著保持率(%，ΔF)：基於(1)及(2)中之量測黏著性根據方程式4來計算一黏著保持率。

[方程式4]

黏著保持率(ΔF，%)=

×100

在方程式4中，

F ₀係在室溫量測之初始黏著性，且

F _f係在2小時內以150°C熱處理一或多次之後量測之黏著性。

[表7]

	實例4	實例5	比較實例2	比較實例4
初始黏著性 (F 0, N/mm)	0.70	0.57	0.66	0.68
熱處理之後的黏著性(F f，N/mm)	0.67	0.56	0.46	0.54
黏著保持率 (△F, %)	95.7	98.2	69.7	79.4

參考表7，可發現，與比較實例2及比較實例4中所製造之軟性銅箔層壓膜之第一側部分相比，實例4及5中所製造之軟性銅箔層壓膜之第一側部分展現初始黏著性(F ₀)與熱處理之後的黏著性(F _f)之間的一更小差、熱處理之後的一提高黏著性及95%或更大之一黏著保持率。

可發現，比較實例2中所製造之軟性銅箔層壓膜之第一側部分展現初始黏著性(F ₀)與熱處理之後的黏著性(F _f)之間的一非常大差及熱處理之後的一顯著降低黏著性。可發現，比較實例2中所製造之軟性銅箔層壓膜之第一側部分展現小於80%之一黏著保持率。此係歸因於鍍鎳層之活性不足。

參考圖10，可發現，實例4中所製造之軟性銅箔層壓膜之第二側部分(圖2中之元件符號16)展現0.67 N/mm之一初始黏著性(F ₀)及0.68 N/mm之熱處理之後的一黏著性(F _f)。參考圖11，可發現，比較實例2中所製造之軟性銅箔層壓膜之第二表面展現0.64 N/mm之一初始黏著性(F ₀)及0.42 N/mm之熱處理之後的一黏著性(F _f)。可自此等結果發現，與比較實例2中所製造之軟性銅箔層壓膜之第二側部分相比，實例4中所製造之軟性銅箔層壓膜之第二表面具有提高約36%之一黏著保持率。

評估實例6：突起及針孔

量測實例2及3及比較實例5及6中所製造之軟性銅箔層壓膜之突起及針孔。表10及圖12及圖13中展示結果。

針對突起量測，將各軟性銅箔層壓膜切割成250 mm×50 mm之一大小以製備測試樣品，且使用一離線測試樣品缺陷測量系統(由Ajuhitek公司製造之AVS-900C)來執行一銅箔層之一表面測試，標記突起缺陷，且使用一雷射顯微鏡(由Keyence公司製造之VK-8550)來計數具有大於1 μm且小於2 μm之一高度之突起缺陷之數目。

針對針孔量測，將各軟性銅箔層壓膜切割成一156 mm×300 mm大小以產生各測試樣品，且完全蝕刻與待量測之一表面(即，對應於圖1之第一及第二金屬箔層2'、3'及4'之表面)對置之測試樣品之兩個表面之一者，且使用配備有鹵素燈之一針孔測試器(由Toray Advanced Materials公司製造)來肉眼計數及觀察穿過膜之針孔缺陷之數目。

[表10]

項目	實例2	實例3	比較實例5	比較實例6
突起之數目	0(0)	1(80)	104(8,320)	8(560)
針孔之數目	3(64)	4(86)	260(5,460)	20(420)

*在表10中，圓括號中之數目係指指示單位表面積(m ²)之針孔或突起之數目之轉換值。

參考表10及圖12及圖13，可發現，實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜具有比比較實例5及6中所製造之軟性銅箔層壓膜少得多之針孔。可發現，實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜具有單位表面積(m ²)之100個或更少個針孔缺陷及100個或更少個突起缺陷。然而，可發現，比較實例5及6中所製造之軟性銅箔層壓膜具有單位表面積(m ²)之400個或更多個針孔缺陷及500個或更多個突起缺陷。

1:非導電聚合物基板 2:無電含鎳鍍層 2':無電含鎳鍍層 3:第一鍍銅層 3':第一鍍銅層 5:第一側部分 6:第二側部分 10:軟性銅箔層壓膜 11:非導電聚合物基板 12:含聚合物黏著層 12':含聚合物黏著層 13:無電含鎳鍍層 13':無電含鎳鍍層 14:第一鍍銅層 14':第一鍍銅層 15:第一側部分 16:第二側部分 20:軟性銅箔層壓膜

圖1係根據一實施例之一軟性銅箔層壓膜之一示意圖；

圖2係根據一實施例之一軟性銅箔層壓膜之一示意圖；

圖3展示其中標記厚度量測部分之一掃描電子顯微鏡(SEM)影像，其中在自將各軟性銅箔層壓膜放入約260°C之一溫度之一焊料浴中之1分鐘之前及1分鐘之後量測排除聚醯亞胺基板之實例1及比較實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之厚度；

圖4展示實例6至11中所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層之X射線繞射(XRD)分析之結果；

圖5展示實例12至15中所製造之軟性銅箔層壓膜之第一鍍銅層之XRD分析之結果；

圖6展示比較實例1中所製造之一軟性銅箔層壓膜之一第一鍍銅層之XRD分析之結果；

圖7展示實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之XRD分析之結果；

圖8A展示切割成295 mm×235 mm之一大小且標記有8個標準點之實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之一樣本，且圖8B繪示使用3維量測裝置來量測標準點之間的距離之一方法；

圖9A及圖9B分別係用於在藉由使用約165°C之對流熱熱風乾燥約3分鐘來熱處理實例6中所製造之一軟性銅箔層壓膜之一第一鍍銅層之後評估聚醯亞胺膜與一鍍鎳層之間的一單位面積(cm ²)分層率之一照片及一光學顯微鏡影像；

圖9C及圖9D分別係用於在不對比較實例1中所製造之軟性銅箔層壓膜之一第一鍍銅層執行熱處理之情況下評估聚醯亞胺膜與一鍍鎳層之間的一單位面積(cm ²)分層率之一照片及一光學顯微鏡影像；

圖10係室溫處之初始黏著性(F ₀)及在2小時內以150°C熱處理一或多次之後的黏著性(F _f)之一圖形，其等在將銅額外鍍覆至12.0 μm之一厚度之後在實例4中所製造之一軟性銅箔層壓膜之一第一側部分及一第二側部分上根據JIS C 6471量測；

圖11係室溫處之初始黏著性(F ₀)及在2小時內以150°C熱處理一或多次之後的黏著性(F _f)之一圖形，其等在將銅額外鍍覆至12.0 μm之一厚度之後在比較實例2中所製造之一軟性銅箔層壓膜之一第一側部分及一第二表面上根據JIS C 6471量測；

圖12係展示形成於實例2及3中所製造之軟性銅箔層壓膜之銅箔之表面上之針孔及突起之數目的一圖形；及

圖13係展示形成於比較實例5及6中所製造之軟性銅箔層壓膜之銅箔之表面上之針孔及突起之數目的一圖形。

1:非導電聚合物基板

2:無電含鎳鍍層

2':無電含鎳鍍層

3:第一鍍銅層

3':第一鍍銅層

5:第一側部分

6:第二側部分

10:軟性銅箔層壓膜

Claims (24)

1. 一種軟性銅箔層壓膜，其包含：一非導電聚合物基板；一無電含鎳鍍層，其定位於該基板之至少一表面上；及一第一鍍銅層，其定位於該無電含鎳鍍層上，其中該非導電聚合物基板與該無電含鎳鍍層之間的一單位面積(cm²)分層率係1%或更小，排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之一總厚度係0.1μm至30μm，且自(A)排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度至(B)在使該軟性銅箔層壓膜靜置於260℃至320℃之一焊料浴中1分鐘之後排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度之一厚度變化率滿足方程式1：

   

   其中在方程式1中，A係排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度，且B係在使該軟性銅箔層壓膜靜置於260℃至320℃之一焊料浴中1分鐘之後排除該基板之該軟性銅箔層壓膜之該總厚度。
2. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中該第一鍍銅層展現僅一[111]定向面或來自該[111]定向面、一[200]定向面、一[220]定向面及一[311]定向面中之一或兩個定向面，如由X射線繞射(XRD)分析所量測。
3. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中如由X射線繞射(XRD)分析所量測，該第一鍍銅層之一[200]定向面相對於一[111]定向面之由方程式2 (

   

   )表示之一晶向指數滿足0至小於25%：

   
4. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中該第一鍍銅層具有相對於一X射線繞射光譜中之一[111]定向面之一峰值之0.01°或更小之一半峰全寬(FWHM)變化率，由方程式3所計算：[方程式3] FWHM[111]變化率={(靜置60天之後的FWHM)-(初始FWHM)}。
5. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中該第一鍍銅層具有單位表面積(m²)之100個或更少個針孔缺陷及單位表面積(m²)之大於1μm且小於2μm之100個或更少個突起。
6. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中該第一鍍銅層係一電鍍層或一無電鍍層。
7. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中該第一鍍銅層具有0.05μm至5μm之一厚度。
8. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中該無電含鎳鍍層具有0.01μm至3 μm之一厚度。
9. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其進一步包含該第一鍍銅層上之一第二鍍銅層。
10. 如請求項9之軟性銅箔層壓膜，其中該第二鍍銅層係一電鍍層。
11. 如請求項9之軟性銅箔層壓膜，其中該第二鍍銅層具有0.1μm至20μm之一厚度。
12. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其進一步包含該非導電聚合物基板與該無電含鎳鍍層之間的一含聚合物黏著層。
13. 如請求項12之軟性銅箔層壓膜，其中該含聚合物黏著層包含基於聚酯之樹脂、基於聚胺基甲酸酯之樹脂、基於丙烯酸之樹脂、基於聚矽氧烷之樹脂、基於聚矽烷之樹脂、基於羰基之樹脂、基於環氧之樹脂或其等之一組合。
14. 如請求項12之軟性銅箔層壓膜，其中該含聚合物黏著層包含在其一端處含有胺基之基於聚矽氧烷之樹脂。
15. 如請求項12之軟性銅箔層壓膜，其中該含聚合物黏著層具有0.001μm至1μm之一厚度。
16. 如請求項12之軟性銅箔層壓膜，其中該軟性銅箔層壓膜具有80%或更大之一黏著保持率，由方程式4表示：

    

    其中，在方程式4中，F₀係在室溫量測之初始黏著性，且F_f係在2小時內以150℃熱處理一或多次之後量測之黏著性。
17. 如請求項1之軟性銅箔層壓膜，其中當在使該軟性銅箔層壓膜靜置1天至60天且接著以150℃熱處理30分鐘之後，量測及每天平均化該非導電聚合物基板上對應於8個標準點之點之間的距離以獲得尺寸時，一尺寸變化率係0.015或更小，該尺寸變化率係自該等尺寸中之最大尺寸減去該等尺寸中之最小尺寸之一結果。
18. 一種電子裝置，其包含如請求項1至17中任一項之軟性銅箔層壓膜。
19. 如請求項18之電子裝置，其中該物品包含一印刷電路板或一顯示裝置。
20. 一種製造如請求項1至17中任一項之軟性銅箔層壓膜之方法，該方法包含：製備一非導電聚合物基板； 在該非導電聚合物基板之至少一表面上形成一無電含鎳鍍層；及在該無電含鎳鍍層之一表面上形成一無電鍍金屬層或一電解鍍金屬層以藉此製造該軟性銅箔層壓膜。
21. 如請求項20之方法，其進一步包含以30℃至180℃熱處理該無電含鎳鍍層20秒至80秒。
22. 如請求項20之方法，其進一步包含以100℃至180℃之一溫度熱處理該無電鍍金屬層或該電解鍍金屬層1分鐘至30分鐘。
23. 如請求項20之方法，其進一步包含將一含聚合物塗液塗覆於該所製備之非導電聚合物基板之至少一表面上且使該含聚合物塗液乾燥以形成一含聚合物黏著層。
24. 如請求項20之方法，其中樹脂在該含聚合物塗液中之一固體含量係0.01wt%至10wt%。

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