CN112314056A - 有机el器件和用于制造有机el器件的方法 - Google Patents

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Abstract

在本发明中,有机EL器件被构造成具有能够抑制特性劣化的结构。提供了一种有机EL器件(100)，在该有机EL器件(100)中，至少两个子像素在沿着与层叠方向垂直的方向上延伸的平面上彼此分离地设置。每个子像素包括层叠在其内的第一电极(118)与第二电极(116)，所述第一电极(118)与第二电极(116)之间夹着至少包括发光层的有机化合物层(117)，这样的发光层发射与其他发光层不同颜色的光。有机化合物层的侧表面覆盖有薄膜，该薄膜在子像素与子像素之间不同。该结构可以抑制有机EL器件的特性劣化。

Description

有机EL器件和用于制造有机EL器件的方法
技术领域
本公开涉及有机EL器件和用于制造有机EL器件的方法。
背景技术
近年来，正在开发使用有机EL器件的显示器(在下文中，有机EL器件有时简称为发光器件)。一种使用有机EL器件的显示器具有这样的结构，其中至少包括发光层的有机化合物层和第二电极堆叠在相对于各个像素彼此间隔设置的第一电极上。每个像素由多个子像素，比如R、G和B，组成。
子像素形成技术包括使用白色发光器件和RGB滤色片图案化颜色的方法，以及通过红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的像素化来图案化颜色的方法。
使用白色发光器件和RGB滤色片的方法的缺点在于滤光片会衰减所提取的光。因此，需要进一步开发涉及红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件的像素化的方法。
在像素化方法中，例如，通过以下方法将不同颜色的发光器件像素化：使用掩模相对于各个像素沉积发光层的掩模沉积方法、相对于各个像素使用喷墨头喷涂而形成发光层的印刷方法、或者通过蚀刻相对于各个像素使形成在整个表面上的发光层图案化的蚀刻方法。蚀刻方法能够高精度地形成像素，特别适用于高清显示器的制造。例如，专利文献1公开了通过蚀刻方法像素化有机EL器件的技术。
引用清单
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2009-170336号
发明内容
技术问题
遗憾的是，在红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件以重复方式顺序像素化的过程中，有机EL器件中的有机化合物层有时由于与例如空气中的氧气或水、工艺气体或化学溶液反应而反生特性劣化。特别地，由于暴露于空气等，有机化合物层的侧表面易于劣化。
考虑到上述情况，期望有机EL器件被构造成具有能够防止特性劣化的结构。
问题的解决方案
根据本公开，提供了一种有机EL器件，在垂直于堆叠方向的平面上彼此分离地设置至少两个或以上子像素，每个子像素包括有机化合物层，有机化合物层包括至少一个发光层，发光层发射与其他发光层不同颜色的光，有机化合物层以堆叠方式置于第一电极与第二电极之间，所述有机化合物层的侧表面覆盖有薄膜，所述薄膜在子像素与子像素之间不同。
此外，根据本公开，提供了一种用于制造有机EL器件的方法，该方法包括：在垂直于堆叠方向的平面上彼此分离地形成至少两个或以上子像素，每个子像素包括有机化合物层，有机化合物层包括至少一个发光层，发光层发射与其他发光层不同颜色的光，有机化合物层以堆叠方式置于第一电极与第二电极之间；其中，形成所述子像素包括：每当对发射各种颜色的光的有机化合物层进行形状加工时，形成覆盖所述有机化合物层的侧表面的薄膜。
根据本公开，子像素中的有机化合物层的侧表面没有暴露，因此可以防止有机化合物层在形成子像素的过程中暴露于外部空气、工艺气体、化学溶液等。
本发明的有利效果
根据本公开，可以提供能够防止特性劣化的有机EL器件。
另外，上述有利效果不一定是限制性的，并且除了上述有利效果之外或代替上述有利效果，可以产生本说明书中描述的任何效果或可以从本说明书中预期的其他效果。
附图说明
图1是根据本公开的实施例的有机EL器件的堆叠方向的横截面视图。
图2是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图3是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图4是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图5是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图6是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图7是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图8是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图9是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图10是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图11是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图12是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图13是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图14是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图15是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图16是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图17是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图18是示出根据实施例的有机EL器件的制造中的示例性步骤的视图。
图19是示出根据实施例的有机EL器件的变型例的横截面视图。
图20是示出根据实施例的有机EL器件的变型例的横截面视图。
图21是示出根据实施例的有机EL器件的变型例的横截面视图。
图22是示出根据实施例的有机EL器件的变型例的横截面视图。
图23是示出子像素的平面排列的布局的实例的视图。
图24是示出子像素的平面排列的布局的实例的视图。
图25是示出子像素的平面排列的布局的实例的视图。
图26是示出子像素的平面排列的布局的实例的视图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本公开的优选实施例。在本说明书和附图中，具有基本相同功能构造的结构元件由相同的附图标记表示，从而避免重复描述。
说明顺序如下。
1.有机EL器件的概述
2.有机EL器件的构造
3.用于制造有机EL器件的方法
4.变型例
5.有机EL器件的平面布局
<1.有机EL器件的概述>
首先，将描述根据本公开的实施例的有机EL器件的概述。本公开的有机EL器件包括有机化合物层，有机化合物层至少包括发光层，发光层发射彼此不同颜色的光。此外，第一电极和第二电极堆叠在一起，其中有机化合物层置于二者之间。具有上述结构的至少两个或以上子像素在垂直于堆叠方向的平面上彼此间隔设置。
在有机EL器件中，施加在第一电极与第二电极之间的电场诱导从第一电极和第二电极注入空穴和电子，并且空穴和电子在有机化合物层中重新结合而发光。在该有机EL器件的制造中，在有序的子像素生产期间，有机化合物层暴露于大气水、氧气、工艺气体、化学溶液等，因此有机化合物层有时会劣化。
因此，本公开的有机EL器件被构造成使得有机化合物层的侧表面覆盖有薄膜，该薄膜在一种颜色的子像素与另一种颜色的子像素之间不同，由此防止有机化合物层劣化。
<2.有机EL器件的构造>
将参照图1描述根据本公开的实施例的有机EL器件的构造。图1是示意性示出根据本公开的实施例的有机EL器件沿堆叠方向切割的横截面的横截面视图。
在下面的描述中，将有机EL器件100中的层的堆叠的方向定义为竖直方向。另外，将设置基板120的一侧定义为下侧，将设置对向玻璃111的一侧定义为上侧。为了说明的目的，在以下说明中提及的附图可能夸大了一些构成构件的尺寸。因此，附图中所示出的构成构件的相对尺寸不一定对应于构成构件之间的实际尺寸关系。
此外，发射不同颜色的区域被示出为由发射绿光的绿光发射区域G、发射蓝光的蓝光发射区域B和发射红光的红光发射区域R组成。在不同颜色发射区域中形成的子像素分别是发射绿光的子像素110G、发射蓝光的子像素110B和发射红光的子像素110R(在下文中，这些子像素有时不彼此区分，并且被统写为子像素110)。
首先，将沿着堆叠方向自下侧依次描述有机EL器件的构造。如图1所示，支撑有机EL器件的堆叠结构的基板120设置在有机EL器件的最低侧上。
基板120在设置有机EL器件的位置上均匀地延伸。例如，基板120具有通过半导体工艺形成的电路结构(未示出)，例如用于驱动有机EL器件的驱动晶体管。
在基板120上方，在横截面视图中垂直于堆叠方向的方向上，彼此分离地设置三个电极，即，第一电极118G、第一电极118B和第一电极118R(在下文中，这些电极有时不彼此区分，并且被统写为第一电极118)。设置的第一电极118的数量不受限制并且可以适当地确定。在每对第一电极118之间，设置窗口层119，其将第一电极118彼此分离开，从而限定一个子像素。窗口层119可以与第一电极118的端部部分地重叠。具体地，窗口层119可以由SiON形成。
第一电极118用作有机EL器件100的电极。当第一电极118用作阳极时，第一电极118可以由例如具有高功函数的金属形成，比如铂、金、银、铬、钨、镍、铜、铁、钴或钽。可替代地，第一电极118可以由上述高功函数金属的合金形成，具体地，Ag-Pb-Cu合金或Al-Nd合金。
此外可替换地，第一电极118可以由具有小功函数值和高光反射率的导电材料形成，比如铝(Al)或包括铝的合金。在这种情况下，可以在子像素的堆叠结构中形成空穴注入层等，以增强空穴注入性质，从而允许第一电极118用作阳极电极。
此外可替代地，第一电极118可以由氧化铟、铟-锡氧化物(ITO；包括氧化铟锡、Sn掺杂的氧化铟、结晶ITO和无非晶ITO)、铟-锌氧化物(IZO：氧化铟锌)、铟-镓氧化物(IGO)、铟掺杂的镓-锌氧化物(IGZO、In-GaZnO4)、IFO(F掺杂的In2O3)、ITiO(Ti掺杂的In2O3)、InSnZnO、锡氧化物(SnO2)、ATO(Sb掺杂的SnO2)、FTO(F掺杂的SnO2)、锌氧化物(ZnO)、氧化铝掺杂的锌氧化物(AZO)、镓掺杂的锌氧化物(GZO)、B掺杂的ZnO、AlMgZnO(氧化铝和氧化镁掺杂的锌氧化物)、锑氧化物、钛氧化物、NiO、尖晶石氧化物或具有YbFe2O4结构的氧化物形成。此外可替代地，第一电极118可以由具有氧化镓、氧化钛、氧化铌、氧化镍等的基层的多层膜形成，或者可以由堆叠结构形成，在该堆叠结构中，具有优异的空穴注入性质的透明导电材料(比如铟和锡的氧化物(ITO)或铟和锌的氧化物(IZO))堆叠在具有高光反射性质的反射薄膜(比如铝)上。
另一方面，当第一电极118用作阴极电极时，期望第一电极118由具有小功函数值和高光反射性质的导电材料构成。然而，第一电极118也可以由用作阳极电极的具有高光反射率的导电材料形成。在这种情况下，可以在子像素的堆叠结构中形成电子注入层等，以增强电子注入性质，从而允许第一电极118用作阴极电极。
在第一电极118G、第一电极118B和第一电极118R上方，设置有各自具有与对应的第一电极118的平面形状相同的平面形状的有机化合物层117G、有机化合物层117B和有机化合物层117R(在下文中，这些有机化合物层有时不彼此区分，并且被统写为有机化合物层117)。
有机化合物层117各自包括至少一个发光层，并且独立于其他子像素发光。在发光层中，在第一电极118和第二电极116之间产生电场，以使从第一电极118和第二电极116注入的电子和空穴重新结合，从而导致发光。发光层由有机发光材料形成。图1所示的有机EL器件从左边起具有发射绿光(波长：495nm至570nm)的有机化合物层117G、发射蓝光(波长：450nm至495nm)的有机化合物层117B、以及发射红光(波长：620nm至750nm)的有机化合物层117R。
当第一电极118为阳极且第二电极116为阴极时，可以将有机化合物层117构造成具有从第一电极118起依次堆叠电子传输层、发光层和空穴传输层的结构，以增强发射效率。可替代地，当第一电极118为阳极且第二电极116为阴极时，有机化合物层117可以具有从第一电极118起依次堆叠电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层的结构。
电子传输层是增强向发光层传输电子的效率的层，电子注入层是增强从第一电极118向电子传输层注入电子的效率的层。空穴传输层是增强向发光层传输空穴的效率的层，空穴注入层是增强从第二电极116向空穴传输层注入空穴的效率的层。
例如，空穴注入层可以包括由以下化学式(1)表示的三亚吡嗪衍生物：
[化学式1]
Figure BDA0002842367630000061
此处，R1至R6各自独立地为可选自氢、卤素、羟基、氨基、芳基、氨基、具有20个或以下碳原子的取代或未取代的羰基、具有20个或以下碳原子的取代或未取代的羰基酯基、具有20个或以下碳原子的取代或未取代的烷基、具有20个或以下碳原子的取代或未取代的烯基、具有20个或以下碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有30个或以下碳原子的取代或未取代的芳基、具有30个或以下碳原子的取代或未取代的杂环基、腈基、氰基、硝基以及甲硅烷基的取代基，并且相邻的基团Rm(m＝1至6)可以经由环结构彼此键合。此外，X1至X6各自独立地为碳原子或氮原子。
更具体地，空穴注入层可以包括例如由以下化学式(2)表示的三亚吡嗪衍生物：
[化学式2]
Figure BDA0002842367630000062
例如，空穴传输层可以包括4,4,4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或α-萘基苯基二胺(αNPD)。
例如，电子传输层可以包括8-羟基喹啉铝(Alq3)。
例如，电子注入层可以包括LiF或Li2O。此外，电子注入层可以形成为掺杂有供体如碱金属的有机化合物层。
在上述有机化合物层117上方，设置有各自具有与对应的有机化合物层117的平面形状相同的平面形状的第二电极116G、第二电极116B及第二电极116R(在下文中，这些第二电极有时不彼此区分，并且被统写为第二电极116)。具体地，第二电极116G设置在有机化合物层117G的上方，第二电极116B设置在有机化合物层117B的上方，第二电极116R设置在有机化合物层117R的上方。
第二电极116具有与第一电极118相结合施加电场以使有机化合物层117发光的功能。当第二电极116用作阴极电极时，第二电极116可以由金属氧化物形成。可以使用的金属氧化物的实例包括透明导电材料，比如IZO、ITO、ZnO、SnO、AZO和GZO。
可替代地，第二电极116可以由例如铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钙(Ca)、钠(Na)、锶(Sr)、碱金属或碱土金属与银的合金、镁和银的合金、镁和钙的合金、铝和锂(Li)的合金等形成。
在第二电极116的上方，设置有具有与对应的第二电极116的平面形状相同的平面形状的硬掩模115G、硬掩模115B和硬掩模115R(在下文中，这些硬掩模有时不彼此区分，并且被统写为硬掩模115)。具体地，硬掩模115G设置在第二电极116G的上方，硬掩模115B设置在第二电极116B的上方，硬掩模115R设置在第二电极116R的上方。当通过蚀刻形成子像素时，硬掩模115用作掩模。
在本公开的有机EL器件100中，薄膜114设置在硬掩模115的上表面上以及由上述有机化合物层117、第二电极116和硬掩模115组成的堆叠结构的侧表面上。薄膜114在子像素与子像素之间是不同的。
在绿光发射区域G中，如图1所示，均匀的薄膜114G沿着子像素110G、子像素110B和子像素110R的排列方向延伸，以覆盖窗口层119的上表面、硬掩模115G的上表面、有机化合物层117G的侧表面、第二电极116G的侧表面和硬掩模115G的侧表面的一部分。
在蓝光发射区域B中，不同于薄膜114G的均匀的薄膜114B设置在窗口层119的上表面、硬掩模115B的上表面、有机化合物层117B的侧表面、第二电极116B的侧表面和硬掩模115B的侧表面的一部分上。
在红光发射区R中，不同于薄膜114G和薄膜114B的均匀的薄膜114R设置在窗口层119的上表面、硬掩模115R的上表面、有机化合物层117R的侧表面、第二电极116R的侧表面和硬掩模115R的侧表面的一部分上。设置在有机化合物层117的侧表面和第二电极116的侧表面上的薄膜114可以防止有机化合物层117和第二电极116在制造有机EL器件等工艺期间暴露于大气水、氧气、工艺气体等。上述结构可以防止有机化合物层117和第二电极116的氧化等，从而可以抑制有机EL器件的特性劣化。
在本公开的有机EL器件100中，如上所述，设置在子像素110G、子像素110B和子像素110R中的薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R彼此不同。例如，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R可以在膜厚方面彼此不同。薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R在膜厚方面彼此不同可以比它们以相同的膜厚形成时更高效地生产。
参照图1，薄膜114G可以具有最大的膜厚，薄膜114B可以具有第二大的膜厚，薄膜114R可以具有最小的膜厚。这些薄膜的膜厚可以适当地确定。此外，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R的膜厚可以以在有机EL器件中形成子像素的顺序改变。例如，薄膜可以形成为以在有机EL器件中形成子像素的顺序增加膜厚。
膜厚可以根据薄膜形成方法而变化。例如，当采用对氧、水等阻隔性质更高的ALD(原子层沉积)法时，当膜厚为50nm或以下时，薄膜获得较高的侧表面保护效果，并且即使当膜厚为10nm或以下时，也可以有效地保护侧表面。
此外，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R可以在膜质量方面彼此不同。术语膜质量是指在生产薄膜的过程中根据薄膜形成条件而变化的薄膜的性质。薄膜形成条件的实例包括薄膜形成方法、薄膜形成压力、薄膜形成温度和薄膜形成功率。薄膜形成条件的实例还包括工艺气体的类型、混合比和流速。在不同条件下形成薄膜产生不同的结果，比如薄膜的密度或硬度不同。
此外，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R可以在材料方面彼此不同。薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R中的至少一个或多个可以由无机材料形成。具体地，薄膜中的至少一个或多个可以包括作为无机材料的AlO、TiO、SiN、SiON和SiO中的任一种或多种。包括这些材料的薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R可以获得更高的对氧或水的阻隔性质。
另外，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R中的至少一个或多个可以由有机材料形成。具体地，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R中的至少一个或多个可以是含氟原子的烃。
薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R不限于单层薄膜，也可以是由多个薄膜构成的层叠体。例如，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R可以各自由包括多个不同薄膜的层压体形成。
填料层113设置在薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R的上方。填料层113密封每个有机EL器件100，从而起到防止水等进入有机化合物层117的作用。此外，填料层113还具有粘合填料层113上方的构件的功能，比如后文描述的对向玻璃111。例如，填料层113可以由有机树脂形成。有机树脂可以是已知的材料，比如热固性树脂或UV可固化树脂。
此外，气体阻隔层可以形成为填料层113下方的下层。填料层113可以是由有机树脂形成的堆叠结构，并且气体阻隔层可以由无机绝缘材料形成。气体阻隔层具有增强子像素的气体阻隔性质的功能。
形成气体阻隔层的无机绝缘材料是能够透射有机化合物层117中产生的光的材料，并且最好由可以透射比如有机化合物层117中产生的光的80％或以上的材料构成。用于形成气体阻隔层的无机绝缘材料的具体实例包括无机非晶绝缘材料。无机非晶绝缘材料不产生晶粒，因此具有低的透水性并形成良好的保护薄膜。具体地，用于形成气体阻隔层的无机绝缘材料期望地为致密且不透水的透明材料。更具体地，用于形成气体阻隔层的绝缘材料的实例包括，包括非晶硅氮化物(α-Si1-xNx)的SiNX、包括非晶硅氧化物(α-Si1-yOy)的SiOy、包括非晶硅氧氮化物(α-SiON)的SiON、非晶硅(α-Si)、非晶硅碳化物(α-SiC)以及Al2O3。
在填料层113的上方，绿色滤光片112G、蓝色滤光片112B和红色滤光片112R设置在与有机化合物层117设置在相应子像素中的平面区域重叠的平面区域上(这些滤色片有时不彼此区分，并且被统写为滤色片112)。具体地，绿色滤光片112G设置在与发射绿光的有机化合物层117G重叠的区域上；蓝色滤光片112B设置在与发射蓝光的有机化合物层117B重叠的区域上；红色滤光片112R设置在与发射红光的有机化合物层117G重叠的区域上。
绿色滤光片112G、蓝色滤光片112B和红色滤光片112R调节从相应子像素的有机化合物层117发射的光的颜色或波长。在一些情况下，可以省略绿色滤光片112G、蓝色滤光片112B或红色滤光片112R。
黑色矩阵层BM设置在绿色滤光片112G与蓝色滤光片112B之间，以及蓝色滤光片112B与红色滤光片112R之间。黑色矩阵层BM可以防止由于从发光层发射的光进入相邻子像素的滤色片112而引起的颜色混合。
例如，黑色矩阵层BM可以是包括黑色着色剂并具有1或以上的光密度的黑色树脂薄膜。具体地，黑色矩阵层可以是黑色聚酰亚胺树脂。可替代地，黑色矩阵层BM可以是利用薄膜干涉的薄膜滤光片。例如，薄膜滤光片通过堆叠由金属、金属氮化物或金属氧化物制成的两层或更多层薄膜而形成，并且可以利用薄膜的干涉来衰减光。薄膜滤光片的具体实例包括交替堆叠的Cr和铬(III)氧化物(Cr2O3)。
在由滤光片112和黑色矩阵BM组成的层的上方，设置有子像素公共的均匀的对向玻璃111。对向玻璃111由透射从有机化合物层117射出的光的材料形成，例如，可以是各种玻璃基板、石英基板等中的任一种，比如高应变点玻璃、钠玻璃(Na2O·CaO·SiO2)、硼硅酸盐玻璃(Na2O·B2O3·SiO2)和铅玻璃(Na2O)。
<3.用于制造有机EL器件的方法>
上文已经描述了有机EL器件的结构。接着，参照图2至图18描述用于制造图1所示的有机EL器件100的方法。图2至图18是示出有机EL器件100的制造中的示例性步骤的视图。
首先，如图2所示，形成支撑有机EL器件100的堆叠结构并且包括驱动电路(比如用于驱动有机EL器件100的驱动晶体管)的基板120。在基板120上，通过溅射法、CVD(化学气相沉积)或ALD(原子层沉积)形成第一电极118和窗口层119。
具体地，在Si基板上形成包括驱动电路的电路层之后，在基板120上形成由ITO制成的金属层，并且通过光刻技术和蚀刻技术来图案化金属层以形成第一电极118。此后，形成绝缘层以填充图案化的金属层之间的区域，这些区域将子像素彼此分离开，从而形成窗口层119。具体地，窗口层119可以由SiON等形成。
接着，参照图3，通过诸如真空蒸发法、旋涂法或模具涂布法的涂布方法在第一电极118和窗口层119上形成有机化合物层117G。在有机化合物层117G的上方，进一步形成第二电极116G和硬掩模115G。
具体地，有机化合物层117G可以形成为包括上述材料的堆叠结构。例如，第二电极116G可以由包括IZO的材料形成，并且硬掩模115G可以由包括SiN的材料形成。可替代地，可以将硬掩模115G形成为包括SiO和SiON的CVD薄膜，或者形成为包括AlO、TiO和SiO的ALD薄膜。第二电极116G不限于IZO，可以是诸如ITO等其他金属氧化物，也可以是诸如MgAg合金、Al或Ca等金属电极。此外，可以省略硬掩模115G。
此外，参照图4，通过光刻在硬掩模115G的期望部分上方形成具有与第一电极118G的平面形状相同的平面形状的抗蚀剂131G。抗蚀剂131G在硬掩模115G的蚀刻期间用作掩模。
接下来，参照图5，通过抗蚀剂131G作为掩模蚀刻硬掩模115G来图案化硬掩模115G。可以通过使用氟化烃气体的等离子体蚀刻来进行硬掩模115G的蚀刻。
此后，参照图6，除去被保护的硬掩模115G上的抗蚀剂131G。通过灰化除去抗蚀剂131G。可以在稍后在图7中示出的蚀刻第二电极116G和有机化合物层117G的步骤之后除去抗蚀剂。
接下来，参照图7，在使用硬掩模115G作为掩模的同时蚀刻第二电极116G和有机化合物层117G。具体地，重叠地堆叠在硬掩模115G下方的第二电极116G和有机化合物层117G被硬掩模115G保护并且在蚀刻之后保留。另一方面，通过蚀刻除去被硬掩模115G保护之外的区域中的第二电极116G和有机化合物层117G。例如，通过使用氩的干法蚀刻除去由IZO形成的第二电极116G，并且通过使用氧的干法蚀刻除去有机化合物层117G。该工艺到目前为止，形成了绿光发射区域G中的子像素。在本公开中，后续步骤不是开始形成下一个子像素，而是形成薄膜。
参照图8，在开始形成发射不同颜色的光的子像素之前，在绿光发射区域G中的子像素的堆叠结构上形成薄膜114G。具体地，在包括绿光发射区域G的基板120的整个表面上均匀地形成薄膜114G。
例如，可以通过ALD方法由AlO形成薄膜114G。薄膜114G不限于AlO，并且可以是诸如TiO的其他ALD薄膜，或诸如SiN、SiO或SiON的CVD膜。通过在干法蚀刻有机化合物层117G之后立即执行该步骤，可以防止在后续步骤中对有机化合物层117G造成的损坏，比如劣化。特别地，可以防止有机化合物层117G由于有机化合物层117G的侧表面与用于形成其他子像素的工艺气体、大气水、氧气等之间的接触而劣化。
接着，参照图9，通过蚀刻除去绿光发射区域G以外的区域中的薄膜114G。具体地，在绿光发射区域G的每个结构的上部形成抗蚀剂膜，并且使用抗蚀剂作为掩模来蚀刻薄膜114G。因此，除了绿光发射区域G之外的区域中的薄膜114G被除去。可以使用氯化气体对薄膜114G进行蚀刻。通过灰化除去抗蚀剂。
该工艺到目前为止，形成了发射绿光的子像素110G，包括形成了薄膜114G。随后，以与形成发射绿光的子像素110G相同的方式形成蓝光发射区域B中的子像素110B。将参照图10至图14描述发射蓝光的子像素110B的生产。
参照图10，以与形成发射绿光的子像素110G相同的方式，在基板120的整个表面上形成发射蓝光的有机化合物层117B、第二电极116B和硬掩模115B。
接下来，参照图11，通过光刻在硬掩模115B的期望部分上形成具有与第一电极118B的平面形状相同的平面形状的抗蚀剂131B。抗蚀剂131B在硬掩模115B的蚀刻期间用作掩模。
接下来，参照图12，以与形成发射绿光的子像素110G的步骤相同的方式，执行用于形成发射蓝光的子像素110B的步骤。具体地，通过使用抗蚀剂131B作为掩模的蚀刻来图案化硬掩模115B，此外，通过使用硬掩模115B作为掩模的蚀刻来图案化第二电极116B和有机化合物层117B。可以通过灰化等除去抗蚀剂131B。
这里，与在绿光发射区域G中形成子像素110G的步骤类似，可以通过例如使用氟化烃气体的等离子体蚀刻来对硬掩模115B进行蚀刻。可以通过使用氩的干法蚀刻来对由IZO形成的第二电极116B进行蚀刻，并且可以通过使用氧的干法蚀刻来对有机化合物层117B进行蚀刻。
在绿光发射区域G的子像素110G中，覆盖有机化合物层117G的侧表面的薄膜114G可以防止有机化合物层117G在上述蚀刻工艺期间暴露于工艺气体，并且可以防止有机化合物层117G暴露于大气水或氧气。因此，薄膜114G可以防止有机化合物层117G的劣化。薄膜114G还覆盖第二电极116G的侧表面，从而可以保护第二电极116G免受由蚀刻等步骤引起的损坏，并且免于与大气水、氧气等接触。
接着，参照图13，形成覆盖有机化合物层117B和第二电极116B的侧表面的薄膜114B。具体地，在绿光发射区域G、蓝光发射区域B和红光发射区域R(即，基板120的整个表面)上均匀地形成薄膜114B。薄膜114B可以与形成薄膜114G相同的方式形成。
例如，可以使用与薄膜114G相同的材料(例如，AlO)通过ALD法形成薄膜114B。在这种情况下，沉积AlO以形成薄膜114B，并且AlO也沉积在薄膜114G上，因此薄膜114G的膜厚增加。因此，薄膜114G的膜厚变得大于薄膜114B的膜厚。薄膜114G和薄膜114B可以形成为具有不同的膜厚，或者可以形成为具有相同的膜厚而膜质量或膜材不同。当要以相同的膜厚形成薄膜114G和薄膜114B时，可以通过蚀刻等方式形成，将比薄膜114B厚的薄膜114G的厚度减小至薄膜114B的膜厚。以这种方式，可以形成具有相似膜厚的薄膜114G和薄膜114B。
可替代地，薄膜114B可以由与直接在硬掩模115G上形成薄膜114G的材料不同的材料形成。例如，直接在硬掩模115G上的薄膜114G由AlO形成，而薄膜114B由不同于AlO的材料形成时，所形成的薄膜114G是包括AlO层和异种材料层的分层薄膜。
此外可替代地，所形成的薄膜114B可以在材料方面是相同的而在膜质量方面不同于薄膜114G。影响膜质量的一些示例性因素是生产各个薄膜的条件，比如薄膜形成方法、薄膜形成压力、薄膜形成温度、薄膜形成功率和工艺气体的类型、混合比和流速。例如，膜质量可以是膜密度或膜硬度。如上所述，薄膜114B可以与薄膜114G在不同的薄膜形成条件下形成。
接着，参照图14，通过蚀刻除去红光发射区域R中的薄膜114B。从红光发射区域R除去薄膜114B可以通过与薄膜114G相同的蚀刻来进行。形成在绿光发射区域G上的薄膜114B可以被保留或者可以被除去。
具体地，在绿光发射区域G和蓝光发射区域B中的薄膜114G和薄膜114B上形成抗蚀剂，并使用该抗蚀剂作为掩模进行干法蚀刻等以除去红光发射区域R中的薄膜114B。
该工艺到目前为止，形成了发射蓝光的子像素110B。随后，以与形成发射绿光的子像素110G和发射蓝光的子像素110B相同的方式形成发射红光的子像素110R。将参照图15至图18描述发射红的子像素110R的生产。
参照图15，以与形成发射绿光的子像素110G和发射蓝光的子像素110B相同的方式，在基板120的整个表面上形成发射红光的有机化合物层117R、第二电极116R和硬掩模115R。
接下来，参照图16，通过光刻在硬掩模115R的期望部分上形成具有与第一电极118R的平面形状相同的平面形状的抗蚀剂131R。抗蚀剂131R在硬掩模115R的蚀刻期间用作掩模。
接下来，参照图17，以与形成发射绿光的子像素110G的步骤和形成发射蓝光的子像素110B的步骤相同的方式，执行用于形成发射红光的子像素110R的步骤。具体地，通过使用抗蚀剂131R作为掩模的蚀刻来图案化硬掩模115R，此外，通过使用硬掩模115R作为掩模的蚀刻来图案化第二电极116R和有机化合物层117R。可以通过灰化等除去抗蚀剂131R。
这里，在绿光发射区域G的子像素110G和蓝光发射区域B的子像素110B中，薄膜114G和薄膜114B覆盖有机化合物层117G和有机化合物层117B的侧表面。因此，薄膜114G和薄膜114B可以防止有机化合物层117G和有机化合物层117B，例如在红光发射区域R中蚀刻子像素110R期间受到蚀刻工艺的损坏，并且还可以防止它们与大气水或氧气接触。因此，薄膜114G和薄膜114B能够防止有机化合物层117G和有机化合物层117B劣化。
接着，参照图18，形成覆盖有机化合物层117R和第二电极116R的侧表面的薄膜114R。具体地，在绿光发射区域G、蓝光发射区域B和红光发射区域R(即，基板120的整个表面)上均匀地形成薄膜114R。薄膜114R可以与形成薄膜114G和形成薄膜114B相同的方式形成。
例如，可以使用与薄膜114G和薄膜114B相同的材料(例如，AlO)通过ALD法形成薄膜114R。在这种情况下，沉积AlO以形成薄膜114R，并且AlO也沉积在薄膜114G上，因此薄膜114G的膜厚进一步增加。因此，薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R如此使得薄膜114G是最厚的，薄膜114B是第二最厚的，而薄膜114R是最薄的。发射不同颜色的光的子像素中的薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R可以如上所述形成为具有不同的膜厚，或者可以形成为具有相同的膜厚而膜质量或膜材不同。当要以相同的膜厚形成薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R时，例如，可以通过蚀刻等方式。将比薄膜114R厚的薄膜114G和薄膜114B的厚度减小至薄膜114R的膜厚。以这种方式，可以形成具有相似膜厚的薄膜114G、薄膜114B和薄膜114R。
可替代地，薄膜114R可以由与直接在硬掩模115G上形成薄膜114G的材料和直接在硬掩模115B上形成薄膜114B的材料不同的材料(例如，AlO)形成。在这种情况下，形成的薄膜114G和薄膜114B均为包括AlO层和异种材料层的分层薄膜。
此外可替代地，所形成的薄膜114R可以在材料方面是相同的而在膜质量方面不同于薄膜114G和薄膜114B。影响膜质量的一些示例性因素是生产各个薄膜的条件，比如薄膜形成方法、薄膜形成压力、薄膜形成温度、薄膜形成功率和工艺气体的类型、混合比和流速。例如，膜质量可以是膜密度或膜硬度。如上所述，薄膜114R可以与薄膜114G和薄膜114B在不同的薄膜形成条件下形成。
通过到目前为止所描述的用于制造有机EL器件的方法，发射不同颜色的光的子像素中的有机化合物层117和第二电极116被不同种薄膜覆盖。在形成这些薄膜之后，如图1所示，形成所有子像素公共的填料层113。填料层113可以至少由保护子像素的堆叠结构的整个表面的有机树脂形成。通过这种构造，密封有机EL器件100的填料层113可以防止堆叠结构免受外部影响，具体地，填料层113可以保护免受制造期间的工艺气体和与大气水或氧气接触引起的损坏。
在形成填料层113之前，可以在薄膜114的顶部上形成覆盖所有子像素的公共气体阻隔层。气体阻隔层可以使用薄膜形成方法，比如CVD方法、MOCVD(金属有机化学气相沉积)法或ALD法形成。此外，为了防止由于有机化合物层117的劣化而导致的亮度降低，期望在150℃或以下的薄膜形成温度下形成气体阻隔层，并且还期望在使气体阻隔层中的应力最小化以确保气体阻隔层不分离的条件下形成气体阻隔层。
在形成填料层113之后，可以与滤色片112粘结的对向玻璃111粘结到填料层113上。可替代地，可以在形成填料层之前通过OCCF(片上滤色片)方法形成滤色片，其中通过光刻在薄膜114或气体阻隔层的顶部上形成颜色抗蚀剂。此外，在一些情况下可以省略滤色片。
形成在有机化合物层117的侧表面上的薄膜114的膜厚、膜质量和膜材不限于上述实例，并且可以适当地确定，只要薄膜在任一个或多个特性上彼此不同。此外，薄膜114可以各自由薄膜的组合形成。虽然上述实施例已经说明了以绿光发射区域G、蓝光发射区域B和红光发射区域R的顺序制造子像素，但是子像素的制造顺序不限于该实例。
<4.变型例>
上文已经描述了用于制造图1所示的有机EL器件的方法。在本公开的技术中，在有机化合物层117的侧表面上形成薄膜114，以保护有机化合物层117免受在有机EL器件的制造期间由工艺引起的损坏，并且保护有机化合物层免于由于与大气水或氧气接触引起的劣化。下面将参照图19至图22描述图1所示的结构的一些变型例，其通过薄膜114保护有机化合物层117的侧表面。将省略与图1中相同的结构的描述，并且将描述与图1中不同的特征。
(变型例1)
图19是示出根据上述实施例的有机EL器件的变型例(变型例1)的视图。在图19中，图示中省略了滤色片、黑色矩阵和对向玻璃。有机EL器件200与图1所示的有机EL器件100的不同之处在于，仅在子像素210G、子像素210B和子像素210R的两个侧表面上形成薄膜214G、薄膜214B和薄膜214R。具体地，仅在包括有机化合物层217G、有机化合物层217B和有机化合物层217R的侧表面的子像素210G、子像素210B和子像素210R的相邻侧表面上分别形成薄膜214G、薄膜214B和薄膜214R。即，在子像素210上，具体地，在硬掩模215上没有形成薄膜214。有机EL器件200与有机EL器件100在这方面不同。
在变型例1中，在上述制造步骤中的有机化合物层217的干法蚀刻期间形成薄膜214G、薄膜214B和薄膜214R，即，与有机化合物层217的干法蚀刻同时以下述方式形成薄膜214G、薄膜214B和薄膜214R。例如，可以使用具有相对较高碳含量的气体比如C4F8作为蚀刻气体。蚀刻在有机化合物层217的侧表面上沉积有机材料，具体地，含氟烃，比如CF聚合物，从而形成薄膜214。根据所使用的气体的类型或所蚀刻的材料的类型，薄膜214由不同的材料形成。可以适当地确定薄膜214的材料。例如，薄膜214可以由包含卤素、硅或氧的反应产物形成。根据该技术，干法蚀刻和薄膜214的形成同时进行，以进一步降低在通过干法蚀刻暴露侧表面与形成薄膜214之间，有机化合物层217的侧表面暴露于外部空气的风险。此外，可以在不需要单独步骤形成薄膜214的情况下制造变型例1的有机EL器件，因此与图1所示的上述有机EL器件相比，可以用更少的步骤制造变型例1的有机EL器件。
在变型例1中示出的薄膜214G、薄膜214B和薄膜214R可以与如上所述的干法蚀刻同时形成，或者可以通过应用侧壁形成技术来形成。当应用侧壁技术时，干法蚀刻有机化合物层217，然后可以在子像素中形成薄膜214以掩埋子像素成分，并且可以各向异性地蚀刻薄膜214以仅保留在有机化合物层217的侧表面上。以这种方式，有机化合物层217可以用薄膜214覆盖。根据该技术，没有在整个子像素210G、子像素210B和子像素210R上形成薄膜214，因此可以排除使用抗蚀剂图案化薄膜214的步骤。
(变型例2)
图20是示出根据上述实施例的有机EL器件的变型例(变型例2)的视图。在图20中，从图示中省略了填料层、滤色片、黑色矩阵和对向玻璃。有机EL器件300与图1所示的有机EL器件100的不同之处在于，发射绿光的子像素310G和发射蓝光的子像素310B由薄膜314G和薄膜314B覆盖，而发射红光的子像素310R在侧表面上没有对应的薄膜。取而代之的是，子像素310R的侧表面覆盖有在整个子像素310G、子像素310B以及子像素310R上形成的公共保护薄膜314R。具体地，保护薄膜314R可以是气体阻隔层。在形成保护薄膜314R之后，可以在保护薄膜314R的顶部上形成填料层。在本例中，最后形成的子像素是子像素310R。在形成子像素310R之后，没有干法蚀刻形成另一个子像素的有机化合物层的步骤，因此有机化合物层317R不会暴露于蚀刻工艺气体。此外，无需多言，保护薄膜314R可以防止有机化合物层与大气水、氧气等接触。由此，凭借保护薄膜314R，能够防止有机EL器件300中的有机化合物层劣化。
(变型例3)
图21是示出根据上述实施例的有机EL器件的变型例(变型例3)的视图。在图21中，从图示中省略了填料层、滤色片、黑色矩阵和对向玻璃。有机EL器件400与图20所示的有机EL器件300的不同之处还在于，在发射不同颜色的光的子像素410G、子像素410B和子像素410R上方连续地形成公共电极416。具体地，当图20所示的子像素中的第二电极316G、第二电极316B和第二电极316R堆叠在有机化合物层317G、有机化合物层317B和有机化合物层317R上时，图21所示的有机EL器件400如此使得彼此相邻的子像素的第二电极316G、第二电极316B和第二电极316R电连接在一起。在图21中，单独布置在图20的相应子像素中的第二电极316彼此连接以形成公共电极416。
在图21所示的实例中，如上所述，第二电极316联合成公共电极416与每个子像素导电。然而，本变型例不限于该构造。例如，如图20所示，第二电极316可以单独地堆叠在相应子像素中的有机化合物层317上，然后公共电极可以进一步连续地设置在相邻子像素的第二电极316上。此外，在这些结构中，第二电极316或公共电极416可以由透射部分光并反射其他部分光的材料形成。当第二电极316或公共电极416由这样的材料制成时，可以预期通过微腔效应放大光量。
(变型例4)
图22是示出根据上述实施例的有机EL器件的变型例(变型例4)的视图。在图22中，从图示中省略了滤色片、黑色矩阵和对向玻璃。有机EL器件500与图1所示的有机EL器件100的不同之处在于没有硬掩模115。具体地，在有机EL器件500中，在子像素510G、子像素510B和子像素510R中的第二电极516G、第二电极516B和第二电极516R上分别设置薄膜514G、薄膜514B和薄膜514R。凭借薄膜514G、薄膜514B和薄膜514R，该构造还防止有机化合物层517G、有机化合物层517B和有机化合物层517暴露于诸如大气或工艺气体的气体。
<5.有机EL器件的平面布局>
上文已经说明了根据本实施例的有机EL器件的结构的一些变型例。接下来，将参照图23至图26描述图1所示的子像素的平面排列的一些实例。图23至图26是示出子像素的平面排列的布局的实例的视图。
图23至图26所示的矩形分别表示像素开口，写在矩形中的G、B和R分别表示发射绿光的子像素G、发射蓝光的子像素B和发射红光的子像素R。虚线表示有机化合物层的分割。
参照图23，子像素G、子像素B和子像素R在第一方向上(在从图23的前方正确观察的水平方向上)以规则的间隔顺序地并排排列。子像素G、子像素B和子像素R彼此间隔开，并且相应子像素中的有机化合物层被分割。此外，在垂直于第一方向的第二方向上(在从图23的前方正确观察的竖直方向上)，相同颜色的子像素以一定间隔布置，并且相应子像素中的有机化合物层被分割。子像素可以布置在该布局中。在一些情况下，子像素B的每单位面积的光量可以低于子像素G和子像素R。因此，可以扩大像素面积以将整个子像素的光量增加到与子像素G的光量和子像素R的光量基本相同的水平。
参照图24，子像素R和子像素G在第二方向上(从图24的前方正确观察的竖直方向上)并排顺序排列。在垂直于第二方向的第一方向上(在从图24的前方正确观察的水平方向上)，子像素B邻近子像素R和子像素G布置，子像素B的长度第二方向上与子像素R和子像素G的总长度相似的。在第一方向上，这些子像素R、子像素G和子像素B重复并排布置。在第二方向上，子像素R、子像素G和子像素B类似地重复并排布置。子像素彼此间隔开，并且相应子像素中的有机化合物层被分割。子像素可以布置在该布局中。
参照图25，与图24类似，子像素G、子像素B和子像素R在第一方向上(从图25的前方正确观察的水平方向)以规则的间隔顺序排列。子像素G、子像素B和子像素R彼此间隔开，并且相应子像素中的有机化合物层被分开。另一方面，在图25中，相同颜色的子像素在垂直于第一方向的第二方向上(在从图25的前方正确观察的竖直方向上)以一定间隔排列，并且相同发射颜色的子像素中的有机化合物层不被分割。即使在子像素中的有机化合物层是连续的情况下，也可以通过在相应子像素中形成作为分开的电极的第一电极118或第二电极116来独立地驱动子像素。根据该构造，可以简化有机化合物层的图案化，并且可以进一步便于有机EL器件100的制造。
参照图26，与图24类似，子像素R和子像素G在第二方向(从图26的前方正确观察的竖直方向)上并排顺序排列。在垂直于第二方向的第一方向上(在从图26的前方正确观察的水平方向上)，子像素B邻近子像素R和子像素G布置，子像素B的长度与子像素R和子像素G在第二方向上的总长度相似。在第一方向上，这些子像素R、子像素G和子像素B重复并排布置。此外，在第二方向上，子像素R、子像素G和子像素B类似地重复并排布置。另一方面，在图26中，相同颜色的相邻子像素中的有机化合物层没有被分割。如本文所述，有机化合物层可以在相同颜色的多个子像素中是连续的。即使在子像素中的有机化合物层是连续的情况下，也可以通过在相应子像素中形成作为分开的电极的第一电极118或第二电极116来独立地驱动子像素。根据该布置实例，可以增加被处理的有机化合物层的最小尺寸，并且在有机化合物层的图案化中可以接受更大的尺寸变化。因此，可以通过更简单的加工技术形成有机化合物层。
本公开可以应用于有平面尺寸的子像素，比如为矩形时的较长边等于100μm或更小或者小至10μm或更小的子像素。
虽然本实施例已经将子像素示出为矩形，但是子像素不限于此，并且可以具有各种平面形状中的任一种。在这种情况下，例如，当子像素是三角形时，平面尺寸可以是较长边的尺寸等。当子像素是五边形或更多的多边形时，平面尺寸可以是多边形的外接圆的直径等。此外，当子像素是圆形时，平面尺寸可以是直径，或者当子像素是椭圆形时，平面尺寸可以是最长直径的尺寸。本公开的技术可以特别有效地应用于形成具有这种平面尺寸的子像素的精细加工。
虽然上面已经参照附图详细描述了本公开的优选实施例，但是本公开的技术范围不限于这样的实例。如对于本公开的技术领域中的普通技术人员将显而易见的，在权利要求中描述的技术思想的范围内各种修改或变更是可能的，并且这样的修改和变更自然被理解为属于本公开的技术范围。
此外，本说明书中描述的有利效果仅仅是说明性的或示例性的，而不是限制性的。即，除了上文描述的有利效果之外或代替上文描述的有利效果，根据本公开的技术可以产生对于本领域技术人员从本说明书中的描述显而易见的效果。
本公开的技术范围还包括下面描述的那些构造。
(1)一种有机EL器件，在垂直于堆叠方向的平面上彼此分离地设置至少两个或以上子像素，每个子像素包括有机化合物层，有机化合物层包括至少一个发光层，发光层发射与其他发光层不同颜色的光，有机化合物层以堆叠方式置于第一电极与第二电极之间。
有机化合物层的侧表面覆盖有薄膜，薄膜在子像素与子像素之间不同。
(2)根据(1)所述的有机EL器件，其中，薄膜在膜厚、膜质量以及膜材中的至少任一个或多个方面在子像素与子像素之间不同。
(3)根据(1)或(2)所述的有机EL器件，其中，薄膜中的至少一个或多个包括无机材料。
(4)根据(3)所述的有机EL器件，其中，薄膜中的至少一个或多个包括AlO、TiO、SiN、SiON和SiO中的任一种或多种。
(5)根据(1)或(2)所述的有机EL器件，其中，薄膜中的至少一个或多个包括有机材料。
(6)根据(5)所述的有机EL器件，其中，有机材料为含氟原子的烃。
(7)根据(1)至(6)中任一项所述的有机EL器件，其中，子像素通过依次堆叠第一电极、有机化合物层和第二电极按而形成，并且子像素与子像素之间不同的薄膜覆盖有机化合物层的侧表面，并且还覆盖第二电极的侧表面。
(8)根据(7)所述的有机EL器件，其中，堆叠在有机化合物层上的第二电极连接到相邻子像素的第二电极，或者堆叠在有机化合物层上的第二电极上还设置有公共电极，公共电极连续地设置在相邻子像素的第二电极上。
(9)根据(8)所述的有机EL器件，其中，第二电极或公共电极透射部分光，并反射另一部分光。
(10)根据(7)所述的有机EL器件，其中，第二电极为阴极。
(11)根据(7)所述的有机EL器件，其中，第二电极包括金属氧化物。
(12)根据(1)至(11)中任一项所述的有机EL器件，其中，子像素的平面尺寸为100μm或更小。
(13)根据(1)至(11)中任一项所述的有机EL器件，其中，子像素的平面尺寸为10μm或更小。
(14)一种用于制造有机EL器件的方法，该方法包括：在垂直于堆叠方向的平面上彼此分离地形成至少两个或以上子像素，每个子像素包括有机化合物层，有机化合物层包括至少一个发光层，发光层发射与其他发光层不同颜色的光，有机化合物层以堆叠方式置于第一电极与第二电极之间；
子像素的形成包括：每当对发射各种颜色的光的有机化合物层进行形状加工时，形成覆盖所述有机化合物层的侧表面的薄膜。
附图标记列表
110 子像素
111 对向玻璃
112 滤色片
113 填料层
114 薄膜
115 硬掩模
116 第二电极
117 有机化合物层
118 第一电极
119 窗口层
120 基板
131G、131B、131R 抗蚀剂

Claims (14)

1.一种有机EL器件，在垂直于堆叠方向的平面上彼此分离地至少设置有两个或两个以上子像素，每个子像素由第一电极和第二电极以夹着至少包括发出各自不同的颜色的光的发光层的有机化合物层的方式堆叠而成，其中，
所述有机化合物层的侧表面覆盖有薄膜，所述薄膜在子像素与子像素之间不同。
2.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，所述薄膜在膜厚、膜质量以及膜材中的至少任一个或多个方面在子像素与子像素之间不同。
3.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，所述薄膜中的至少一个或多个包括无机材料。
4.根据权利要求3所述的有机EL器件，其中，所述薄膜中的至少一个或多个包括AlO、TiO、SiN、SiON和SiO中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，所述薄膜中的至少一个或多个包括有机材料。
6.根据权利要求5所述的有机EL器件，其中，所述有机材料为含氟原子的烃。
7.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，所述子像素通过依次堆叠所述第一电极、所述有机化合物层和所述第二电极而形成，并且子像素与子像素之间不同的所述薄膜覆盖所述有机化合物层的侧表面，并且还覆盖所述第二电极的侧表面。
8.根据权利要求7所述的有机EL器件，其中，
堆叠在所述有机化合物层上的所述第二电极连接到相邻子像素的第二电极，或者
堆叠在所述有机化合物层上的所述第二电极上还设置有公共电极，所述公共电极连续地设置在相邻子像素的第二电极上。
9.根据权利要求8所述的有机EL器件，其中，所述第二电极或所述公共电极透射部分光，并反射另一部分光。
10.根据权利要求7所述的有机EL器件，其中，所述第二电极为阴极。
11.根据权利要求7所述的有机EL器件，其中，所述第二电极包括金属氧化物。
12.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，所述子像素的平面尺寸为100μm或更小。
13.根据权利要求1所述的有机EL器件，其中，所述子像素的平面尺寸为10μm或更小。
14.一种用于制造有机EL器件的方法，所述方法包括：
在垂直于堆叠方向的平面上彼此分离地形成至少两个或两个以上子像素，每个子像素由第一电极及第二电极以隔着至少包括发出各自不同颜色的光的发光层的有机化合物层的方式堆叠而成；
其中，形成子像素包括：每当对发射各种颜色的光的有机化合物层进行形状加工时，形成覆盖所述有机化合物层的侧表面的薄膜。
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