JP2022054464A - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】色純度の低下を抑制することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板と、基板上に設けられた第１の有機ＥＬ素子と第２の有機ＥＬ素子と第３の有機ＥＬ素子を含む複数の有機ＥＬ素子を有し、有機ＥＬ素子の各々は、反射板と、光路長調整層と、第１電極と、有機層と、第２電極と、第３電極と、を有する。第２電極は有機層と第３電極との間に設けられ、隣接する有機ＥＬ素子の第１電極間に画素間絶縁層が設けられる。第３電極は、断面視において、画素間絶縁層の傾斜面に対応する領域を有する。反射板は、第１の有機ＥＬ素子、第２の有機ＥＬ素子、第３の有機ＥＬ素子において、物理的に分断されている。少なくとも１つの反射板は、第１の層と、第２の層とを備え、第１の層の上面の一部は、第２の層に覆われず露出しており、第１の層の反射率が第２の層の反射率より低く、かつ、第１の層の上面の一部が、領域と積層方向において重なる。【選択図】図１

Description

本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
近年、モニタ等の直視型の表示装置のみならず、数ミクロンの画素ピッチが要求される超小型の表示装置（マイクロディスプレイ）にまで有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置（以下単に「表示装置」という。）が適用されつつある。
上記表示装置においては、効率良く光を取り出す技術の開発が強く求められている。光取出し効率が低いと、有機ＥＬ素子における実際の発光量を有効に活用していないことになり、消費電力等の点で大きな損失を生じる要因となるからである。
このため、上記表示装置では、光取出し効率を向上させるための技術が検討されている。例えば、特許文献１では、光取出し効率を向上させるために、反射層から対向電極（半透過反射層）までの光学的距離を所定値に設定することにより、反射層と対向電極の間に定在波を発生させる共振器構造が提案されている。
特開２０１５－２６５６１号公報
しかしながら、上記共振器構造を有する表示装置では、サブ画素の周縁部分において、サブ画素とは別の色の光が取り出され、色純度が低下するという問題がある。
本開示の目的は、色純度の低下を抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
上述の課題を解決するために、第１の開示は、
基板と、
基板上に設けられた第１の有機ＥＬ素子と第２の有機ＥＬ素子と第３の有機ＥＬ素子を含む複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
複数の有機ＥＬ素子の各々は、
反射板と、
光路長調整層と、
第１電極と、
有機層と、
第２電極と、
第３電極と、を有し、
第２電極は有機層と第３電極との間に設けられ、
複数の有機ＥＬ素子のうち、隣接する有機ＥＬ素子の第１電極間に画素間絶縁層が設けられ、
第３電極は、断面視において、画素間絶縁層の傾斜面に対応する領域を有し、
反射板は、第１の有機ＥＬ素子、第２の有機ＥＬ素子、第３の有機ＥＬ素子において、物理的に分断されており、
少なくとも１つの反射板は、第１の層と、第２の層とを備え、
第１の層の上面の一部は、第２の層に覆われず露出しており、
第２の層の上面と側面との境界部が丸みを帯びた形状を有し、
第１の層の反射率が第２の層の反射率より低く、かつ、第２の層に覆われず露出している第１の層の上面の一部が、領域と積層方向において重なる、
表示装置である。
第２の開示は、
基板と、
基板上に設けられた第１の有機ＥＬ素子と第２の有機ＥＬ素子と第３の有機ＥＬ素子を含む複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
複数の有機ＥＬ素子の各々は、
反射板と、
光路長調整層と、
第１電極と、
有機層と、
第２電極と、
第３電極と、を有し、
第２電極は有機層と第３電極との間に設けられ、
複数の有機ＥＬ素子のうち、隣接する有機ＥＬ素子の第１電極間に画素間絶縁層が設けられ、
第３電極は、断面視において、画素間絶縁層の傾斜面に対応する領域を有し、
反射板は、第１の有機ＥＬ素子、第２の有機ＥＬ素子、第３の有機ＥＬ素子において、物理的に分断されており、
少なくとも１つの反射板は、第１の層と、第２の層とを備え、
第１の層の上面の一部は、第２の層に覆われず露出しており、
第２の層の上面と側面との境界部が丸みを帯びた形状を有し、
第１の層は、チタンを含み、第２の層は、アルミニウムを含み、かつ、第２の層に覆われず露出している第１の層の上面の一部が、領域と積層方向において重なる、
表示装置である。
第３の開示は、第１または第２の開示の表示装置を備える電子機器である。
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２は、サブ画素の構成の一例を示す平面図である。 図３は、図１の一部分を拡大して表す断面図である。 図４Ａは、１ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層の構成の一例を示す断面図である。図４Ｂに示すように、２ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層の構成の一例を示す断面図である。 図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ、図５Ｆはそれぞれ、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄはそれぞれ、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図７は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図８は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図１１は、本開示の第４の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１２は、本開示の第５の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１３は、本開示の第６の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１４は、図１３の一部分を拡大して表す断面図である。 図１５は、本開示の第７の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１６は、本開示の第８の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１７は、サブ画素の構成の一例を示す平面図である。 図１８は、図１６の一部分を拡大して表す断面図である。 図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃ、図１９Ｄ、図１９Ｅは、本開示の第８の実施形態に係る表示装置３０の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図２０Ａは、第２の電極の形成工程を説明するための断面図である。図２０Ｂは、第２の電極の形成工程を説明するための概略図である。 図２０Ａは、吸着層の形成工程を説明するための断面図である。図２０Ｂは、吸着層の形成工程を説明するための概略図である。 図２２は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２３は、サブ画素の変形例を示す平面図である。 図２４は、サブ画素の変形例を示す平面図である。 図２５は、サブ画素の変形例を示す平面図である。 図２６Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図２６Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図２７は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図２８は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
１ 第１の実施形態（表示装置の例）
２ 第２の実施形態（表示装置の例）
３ 第３の実施形態（表示装置の例）
４ 第４の実施形態（表示装置の例）
５ 第５の実施形態（表示装置の例）
６ 第６の実施形態（表示装置の例）
７ 第７の実施形態（表示装置の例）
８ 第８の実施形態（表示装置の例）
９ 変形例
１０ 応用例（電子機器の例）
＜１ 第１の実施形態＞
［概要］
有機ＥＬ層がすべてのサブ画素にわたって共通に設けられると共に、共振器構造を有する表示装置では、画素間絶縁層の開口の横方向にキャリアがリークし、画素間絶縁層上でも有機ＥＬ層が発光する現象が見られる。特に、低電圧を電極間に印加した場合に、この現象は顕著である。
上記構成の表示装置では、画素間絶縁層の開口は、第１の電極上に設けられているため、画素間絶縁層より上層に形成される各層において、画素間絶縁層の開口に起因する段差がサブ画素間に生じる。また、上記構成の表示装置では、各色のサブ画素ごとに反射層と第１の電極との間の光学調整層の厚さが相違するため、光学調整層より上層に形成される各層において光学調整層の厚さの相違に起因する段差が、隣接するサブ画素間に生じる。したがって、上記構成の表示装置では、画素間絶縁層の開口と光路長調整層の厚さの相違に起因する段差の影響により、画素間絶縁層の開口の周縁部分における反射板と第２の電極との間隔が、サブ画素の表示色に対応する共振長とは異なってしまう。
上述したように、上記構成の表示装置では、画素間絶縁層上でも有機ＥＬ層が発光すると共に、画素間絶縁層の開口の周縁部分における反射板と第２の電極との間隔が、サブ画素の表示色に対応する共振長とは異なっているため、画素間絶縁層の開口部分とは異なる色の光が、画素間絶縁層の開口の周縁部分では取り出され、色純度の低下が発生する。すなわち、画素間絶縁層の開口の周縁部分では、段差とキャリアのリークに起因した色度の諧調の悪化が発生する。
第１の実施形態では、反射板の反射率を領域に応じて異ならせることで、上記色純度の低下を抑制することができる表示装置について説明する。
［表示装置の構成］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。図２は、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの構成の一例を示す平面図である。図３は、図１の一部分を拡大して表す断面図である。表示装置１０は、図１に示すように、駆動基板１１と、絶縁層１２と、複数の反射板１３と、光路長調整層１４と、複数の第１の電極１５と、有機ＥＬ層１７と、第２の電極１８と、保護層１９と、充填樹脂層２０と、対向基板２１とをこの順序で備える。
表示装置１０は、トップエミッション方式（上面発光方式）の表示装置である。対向基板２１側がトップ側（表示面側）となり、駆動基板１１側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０のトップ側となる面を第１の面といい、表示装置１０のボトム側となる面を第２の面という。
（有機ＥＬ素子）
反射板１３、光路長調整層１４、第１の電極１５、有機ＥＬ層１７および第２の電極１８が、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを構成している。有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂはそれぞれ、赤色光、緑色光、青色光を出射する。
有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂはそれぞれ、図２に示す３色のサブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを構成している。サブ画素１０１Ｒは、赤色を表示する赤色のサブ画素である。サブ画素１０１Ｇは、緑色を表示する緑色のサブ画素である。サブ画素１０１Ｂは、青色を表示する青色のサブ画素である。３色のサブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの組み合わせにより、１つの画素が構成される。
以下の説明において、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別せず総称する場合には、有機ＥＬ素子１００という。また、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂを特に区別せず総称する場合には、サブ画素１０１という。複数の有機ＥＬ素子１００、すなわち複数のサブ画素１０１は、駆動基板１１の第１の面上にマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。
（共振器構造）
有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにはそれぞれ、共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂが設けられている。複数の反射板１３と第２の電極１８が、複数の共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂを構成している。共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂは、マイクロキャビティ構造であってもよい。共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂは、規定波長の光を共振させ強調し、出射する。具体的には、共振器構造１０２Ｒは、有機ＥＬ層１７で発生された白色光に含まれる赤色光を共振させ強調し、外部に放出する。共振器構造１０２Ｇは、有機ＥＬ層１７で発生された白色光に含まれる緑色光を共振させ強調し、外部に放出する。共振器構造１０２Ｂは、有機ＥＬ層１７で発生された白色光に含まれる青色光を共振させ強調し、外部に放出する。
反射板１３と第２の電極１８との間の光路長（光学的距離）は、共振させる規定波長の光に応じて設定されている。より具体的には、共振器構造１０２Ｒでは、反射板１３と第２の電極１８との間の光路長は、赤色光が共振するように設定されている。共振器構造１０２Ｇでは、反射板１３と第２の電極１８との間の光路長は、緑色光が共振するように設定されている。共振器構造１０２Ｂでは、反射板１３と第２の電極１８との間の光路長は、青色光が共振するように設定されている。
（駆動基板）
駆動基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の有機ＥＬ素子１００を駆動する。駆動基板１１は、基板１１Ａと、複数のゲート電極１１Ｃと、複数のドレイン電極１１Ｄと、複数のソース電極１１Ｅ、ゲート絶縁層１１Ｆと、半導体層１１Ｇと、層間絶縁層１１Ｈとを備える。ゲート電極１１Ｃ、ドレイン電極１１Ｄ、ソース電極１１Ｅ、ゲート絶縁層１１Ｆ、半導体層１１Ｇおよび層間絶縁層１１Ｈからボトムゲート型の薄膜トランジスタ１１Ｂが構成されている。
基板１１Ａの第１の面上に、複数の薄膜トランジスタ１１Ｂを含む駆動回路が設けられている。この駆動回路により、複数の有機ＥＬ素子１００の発光が制御される。基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されてもよい。具体的には、基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。基板１１Ａは、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。
ゲート電極１１Ｃは、基板１１Ａの第１の面上に設けられている。ゲート電極１１Ｃは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属またはポリシリコン等を含む。ゲート電極１１Ｃは、走査回路（図示せず）と接続されている。ゲート絶縁層１１Ｆは、ゲート電極１１Ｃを覆うように基板１１Ａの第１の面に設けられている。ゲート絶縁層１１Ｆは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等を含む。
半導体層１１Ｇは、ゲート絶縁層１１Ｆの第１の面上に設けられている。半導体層１１Ｇは、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは酸化物半導体等を含む。半導体層１１Ｇの一部の領域は不純物によってｐ型またはｎ型にドープされ、ドレイン領域およびソース領域（いずれも図示せず）が形成されている。ドレイン領域とソース領域との間、かつゲート電極１１Ｃの上方の半導体層１１Ｇの領域には、チャネル領域（図示せず）が形成されている。
層間絶縁層１１Ｈは、半導体層１１Ｇの第１の面上に設けられている。層間絶縁層１１Ｈは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。層間絶縁層１１Ｈには、複数のコンタクトホールが設けられている。ドレイン電極１１Ｄは、層間絶縁層１１Ｈに設けられたコンタクトホールを介して半導体層１１Ｇのドレイン領域と接続されている。ソース電極１１Ｅは、層間絶縁層１１Ｈに設けられたコンタクトホールを介して半導体層１１Ｇのソース領域と接続されている。ドレイン電極１１Ｄおよびソース電極１１Ｅは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属を含む。
（絶縁層）
絶縁層１２は、基板１１Ａ上に形成された薄膜トランジスタ１１Ｂ等の駆動回路上に設けられ、該駆動回路を被覆することで平坦化する。絶縁層１２は、図３に示すように、第１の絶縁層１２Ｂと、第２の絶縁層１２Ｃと、第３の絶縁層１２Ｄとをこの順序で備える積層体であってもよい。絶縁層１２は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
絶縁層１２は、複数のコンタクトプラグ１２Ａを内部に備える。コンタクトプラグ１２Ａが、薄膜トランジスタ１１Ｂと有機ＥＬ素子１００とを電気的に接続する。薄膜トランジスタ１１Ｂは、コンタクトプラグ１２Ａを介して有機ＥＬ素子１００の発光を制御する。コンタクトプラグ１２Ａは、例えば、銅（Ｃｕ）およびチタン（Ｔｉ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含む。
（第１の電極）
複数の第１の電極１５は、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。複数の第１の電極１５は、絶縁層１２の第１の面上にマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。第１の電極１５は、アノードである。第１の電極１５と第２の電極１８の間に電圧が加えられると、第１の電極１５から有機ＥＬ層１７にホールが注入される。隣接する第１の電極１５の間は、電気的に分離されている。第１の電極１５は、絶縁層１２に備えられたコンタクトプラグ１２Ａに接続されている。
第１の電極１５は、発光効率を高める観点から、仕事関数が高く、かつ、透過率の高い材料で構成されていることが好ましい。第１の電極１５は、透明電極であることが好ましい。透明電極は、例えば、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的に有機ＥＬ層１７へのホール注入障壁が特に低いため、表示装置１０の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。第１の電極１５の厚さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
（有機ＥＬ層）
有機ＥＬ層１７は、第１の電極１５と第２の電極１８の間に設けられている。有機ＥＬ層１７は、すべてのサブ画素１０１に共通の有機層として設けられている。
有機ＥＬ層１７は、図４Ａに示すように、１ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層であってもよい。すなわち、有機ＥＬ層１７は、ホール注入層１７Ａと、ホール輸送層１７Ｂと、赤色発光層１７Ｃと、発光分離層１７Ｄと、青色発光層１７Ｅと、緑色発光層１７Ｆと、電子輸送層１７Ｇと、電子注入層１７Ｈとをこの順序で第１の電極１５の第１の面上に備えていてもよい。
ホール注入層１７Ａは、例えば、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）等を含む。ホール注入層１７Ａの厚さは、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。ホール輸送層１７Ｂは、例えば、α－ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl〕-4,4'-diamine〕を含む。ホール輸送層１７Ｂの厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
赤色発光層１７Ｃは、電界をかけることにより、第１の電極１５からホール注入層１７Ａおよびホール輸送層１７Ｂを介して注入されたホールの一部と、第２の電極１８から電子注入層１７Ｈ、電子輸送層１７Ｇおよび発光分離層１７Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。
赤色発光層１７Ｃは、例えば、赤色発光材料を含む。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層１７Ｃは、具体的には例えば、４，４－ビス（２，２－ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６－ビス［（４’－メトキシジフェニルアミノ）スチリル］－１，５－ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。赤色発光層１７Ｃの厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
発光分離層１７Ｄは、キャリアの各発光層１７Ｃ、１７Ｅ、１７Ｆへの注入を調整するための層であり、発光分離層１７Ｄを介して各発光層１７Ｃ、１７Ｅ、１７Ｆに電子やホールが注入されることにより各色の発光バランスが調整される。発光分離層１７Ｄは、例えば、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル誘導体等を含む。
青色発光層１７Ｅは、電界をかけることにより、第１の電極１５からホール注入層１７Ａ、ホール輸送層１７Ｂおよび発光分離層１７Ｄを介して注入されたホールの一部と、第２の電極１８から電子注入層１７Ｈおよび電子輸送層１７Ｇを介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。青色発光層１７Ｅは、例えば、青色発光材料を含む。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層１７Ｅは、具体的には例えば、ＤＰＶＢｉに４，４’－ビス［２－｛４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。青色発光層１７Ｅの厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
緑色発光層１７Ｆは、電界をかけることにより、第１の電極１５からホール注入層１７Ａ、ホール輸送層１７Ｂおよび発光分離層１７Ｄを介して注入されたホールの一部と、第２の電極１８から電子注入層１７Ｈおよび電子輸送層１７Ｇを介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。緑色発光層１７Ｆは、例えば、緑色発光材料を含む。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層１７Ｆは、具体的には例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。緑色発光層１７Ｆの厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層１７Ｇは、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Alq3（アルミキノリノール）およびBphen（バソフェナントロリン）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。電子輸送層１７Ｇは、少なくとも１層以上からなり、アルカリ金属またはアルカリ土類金属をドープした電子輸送材料を含んでもよい。
アルカリ金属またはアルカリ土類金属をドープした電子輸送材料は、ホスト材料として、例えば、ＢＣＰ（２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン）、Alq3（アルミキノリノール）、Bphen（バソフェナントロリン）等に、ドーパント材料として、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、またはマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属が共蒸着により例えば０．５重量％以上１５重量％以下の範囲でドープされたものであってもよい。電子輸送層１７Ｇの厚さは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
電子注入層１７Ｈは、カソードからの電子注入を高めるためのものであり、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の単体またはそれらを含む化合物、例えばリチウム（Ｌｉ）またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）等を含む。
有機ＥＬ層１７およびこれを構成する各層の厚さは、その光学膜厚が各色のサブ画素１０１の波長に応じた動作を可能とするような値に設定される。
有機ＥＬ層１７は、図４Ｂに示すように、２ｓｔａｃｋ構造の有機ＥＬ層であってもよい。すなわち、有機ＥＬ層１７は、ホール注入層１７Ａと、ホール輸送層１７Ｂと、青色発光層１７Ｅと、電子輸送層１７Ｉと、電荷発生層１７Ｊと、ホール輸送層１７Ｋと、黄色発光層１７Ｌと、電子輸送層Ｇと、電子注入層１７Ｈとをこの順序で備えていてもよい。
（第２の電極）
第２の電極１８は、複数の第１の電極１５と対向して設けられている。第２の電極１８は、すべてのサブ画素１０１に共通の電極として設けられている。第２の電極１８は、カソードである。第２の電極１８は、有機ＥＬ層１７で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第２の電極１８は、発光効率を高める観点から、仕事関数が低い材料によって構成されることが好ましい。第２の電極１８の厚さは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが好ましい。
第２の電極１８は、例えば、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極１８は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。第２の電極１８が積層膜により構成されている場合、金属層が有機ＥＬ層１７側に設けられてもよいし、金属酸化物層が有機ＥＬ層１７側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機ＥＬ層１７に隣接させる観点からすると、金属層が有機ＥＬ層１７側に設けられていることが好ましい。
金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。金属酸化物は、例えば、インジウム酸化物と錫酸化物の混合体（ＩＴＯ）、インジウム酸化物と亜鉛酸化物の混合体（ＩＺＯ）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちの少なくとも１種を含む。
第２の電極１８は、第１の金属層および第２の金属層が積層された多層膜であってもよい。第１の金属層および第２の金属層のうち第１の金属層が、有機ＥＬ層１７側に設けられていてもよい。第１の金属層は、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第１の金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。第２の金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第２の金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。
（画素間絶縁層）
画素間絶縁層１６は、光路長調整層１４の第１の面上、かつ、隣接する第１の電極１５の間に設けられている。画素間絶縁層１６は、隣接する第１の電極１５の間を電気的に分離する。画素間絶縁層１６は、複数の開口１６Ａを有する。複数の開口１６Ａはそれぞれ、各サブ画素１０１に対応して設けられている。開口１６Ａは、第１の電極１５の第１の面（第２の電極１８との対向面）上に設けられている。開口１６Ａを介して、第１の電極１５と有機ＥＬ層１７とが接触する。
第１の実施形態では、平面視において開口１６Ａに対応する領域を第１の領域Ａ１、平面視において開口１６Ａの周縁部分に対応する領域を第２の領域Ａ２という。開口１６Ａの周縁部分は、平面視において開口１６Ａの周縁から反射板３３の周縁までの領域を含むことが好ましい。本明細書において、平面視とは、表示面に垂直な方向から対象物を見ることを意味する。画素間絶縁層１６が、第１の電極１５の第１の面の周縁部分から第１の電極１５の側面（端面）にかけて覆っている。本明細書において、第１の面の周縁部分とは、第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
画素間絶縁層１６の構成材料としては、上述の絶縁層１２と同様の材料を例示することができる。
（反射板）
反射板１３は、サブ画素１０１ごとに設けられている。各反射板１３は、第１の電極１５の第２の面に対向している。反射板１３は、第１の電極１５を介して有機ＥＬ層１７と対向する対向面（第１の面）１３Ｓを有する。反射板１３は、反射板１３の対向面１３Ｓが絶縁層１２から露出するように、絶縁層１２内に設けられている。対向面１３Ｓは、有機ＥＬ層１７から放射された光を反射する。
反射板１３は、第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２に設けられている。第１の領域Ａ１における対向面１３Ｓの反射率Ｒ１と第２の領域Ａ２における対向面１３Ｓの反射率Ｒ２が、Ｒ２＜Ｒ１の関係を満たしている。反射率Ｒ１、Ｒ２がＲ２＜Ｒ１の関係を満たすことで、第２の領域Ａ２から取り出される光量を抑制することができる。
ここで、反射率Ｒ１、Ｒ２は、可視光の波長帯域の平均反射率を意味するものとする。可視光の波長帯域は、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域である。また、反射率Ｒ１が第１の領域Ａ１内の位置により変化する場合には、反射率Ｒ１は、第１の領域Ａ１内にて反射率Ｒ１が最大となる位置における反射率を意味するものとする。同様に、反射率Ｒ２が第２の領域Ａ２内の位置により変化する場合には、反射率Ｒ２は、第２の領域Ａ２内にて反射率Ｒ２が最大となる位置における反射率を意味するものとする。
反射板１３は、下地層１３Ａと、反射層１３Ｂとをこの順序で備える。下地層１３Ａは、反射層１３Ｂの成膜時に、反射層１３Ｂの結晶配向性を向上する。下地層１３Ａは、第１の領域Ａ１に設けられ、第２の領域Ａ２に設けられていない。下地層１３Ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）および酸化チタン（ＴｉＯ２）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。下地層１３Ａの厚さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
反射層１３Ｂは、反射板１３の本体であり、上記対向面１３Ｓを有している。反射層１３Ｂの結晶構造は、下地層１３Ａの結晶構造に類似していることが好ましい。下地層１３Ａの第1の面上に、良好な結晶配向性を有する反射層１３Ｂを成長させることができるからである。反射層１３Ｂの結晶性は、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２で異なっていることが好ましい。これにより、第１の領域Ａ１における対向面１３Ｓの反射率Ｒ１と第２の領域Ａ２における対向面１３Ｓの反射率Ｒ２を異ならせることができる。Ｒ２＜Ｒ１の関係を満たすためには、第２の領域Ａ２における反射層１３Ｂの結晶性は、第１の領域Ａ１における反射層１３Ｂの結晶性に比べて低いことが好ましい。
対向面１３Ｓの凹凸の大きさは、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２で異なっている。第１の領域Ａ１における対向面１３Ｓの凹凸の大きさは、第２の領域Ａ２における対向面１３Ｓの凹凸の大きさに比べて小さいことが好ましい。これにより、反射板１３の対向面１３Ｓの第１の領域Ａ１において光の乱反射を抑制することができるので、表示品質を向上することができる。対向面１３Ｓの凹凸の大きさは、例えば、対向面１３Ｓの算術平均粗さＲａを測定することにより評価することができる。
反射層１３Ｂは、第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２に設けられている。平面視において、反射層１３Ｂの周縁は、下地層１３Ａの周縁の外側に位置している。以下、反射層１３Ｂのうち第１の領域Ａ１に対応する部分を内側部分１３Ｂ１といい、反射層１３Ｂのうち第２の領域Ａ２に対応する部分を周縁部分１３Ｂ２という場合がある。反射層１３Ｂの内側部分１３Ｂ１は、下地層１３Ａの第１の面上に設けられている。反射層１３Ｂの周縁部分１３Ｂ２は、下地層１３Ａの第１の面の外側に設けられている。
反射層１３Ｂの内側部分１３Ｂ１と反射層１３Ｂの周縁部分１３Ｂ２とは同一高さに位置している。これにより、対向面１３Ｓの第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界に段差が発生することを抑制できるので、段差による光の乱反射を抑制することができる。したがって、表示品質の低下を抑制することができる。
反射層１３Ｂは、光反射性を有する材料で構成されている。反射層１３Ｂは、具体的には例えば、銀（Ａｇ）、銀合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）およびタングステン（Ｗ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。反射層１３Ｂの厚さは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。
（光学調整層）
光路長調整層１４は、反射板１３を覆うように、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。光路長調整層１４は、３色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに反射板１３と第２の電極１８の間の光路長を調整するための層である。
光路長調整層１４の厚さは、３色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに異なっている。具体的には、赤色の有機ＥＬ素子１００Ｒの光路長調整層１４の厚さは、赤色光が共振し強調されるように選択されている。緑色の有機ＥＬ素子１００Ｇの光路長調整層１４の厚さは、緑色光が共振し強調されるように選択されている。青色の有機ＥＬ素子１００Ｇの光路長調整層１４の厚さは、青色光が共振し強調されるように選択されている。光路長調整層１４の厚さは、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲に設定されていることが好ましい。
光路長調整層１４は、図３に示すように、第１の光路長調整層１４Ａと、第２の光路長調整層１４Ｂと、第３の光路長調整層１４Ｃとをこの順序で備えていてもよい。青色の有機ＥＬ素子１００Ｂの光路長調整層１４は、第１の光路長調整層１４Ａにより構成されている。青色の有機ＥＬ素子１００Ｂでは、第１の光路長調整層１４Ａの厚さを調整することにより、反射板１３と第２の電極１８の間の光路長が調整されている。
緑色の有機ＥＬ素子１００Ｇの光路長調整層１４は、第１の光路長調整層１４Ａと第２の光路長調整層１４Ｂにより構成されている。緑色の有機ＥＬ素子１００Ｇでは、第２の光路長調整層１４Ｂの厚さを調整することにより、反射板１３と第２の電極１８の間の光路長が調整されている。
赤色の有機ＥＬ素子１００Ｒの光路長調整層１４は、第１の光路長調整層１４Ａと第２の光路長調整層１４Ｂと第３の光路長調整層１４Ｃにより構成されている。赤色の有機ＥＬ素子１００Ｒでは、第３の光路長調整層１４Ｃの厚さを調整することにより、反射板１３と第２の電極１８の間の光路長が調整されている。
第１の光路長調整層１４Ａ、第２の光路長調整層１４Ｂおよび第３の光路長調整層１４Ｃは、例えば、無機絶縁層等である。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（保護層）
保護層１９は、第２の電極１８の第１の面上に設けられ、複数の有機ＥＬ素子１００を覆い、保護する。保護層１９は、有機ＥＬ層１７への水分等の侵入を抑制する。保護層１９の厚さは、１μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。保護層１９は、透水性の低い材料を含むことが好ましい。保護層１９は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）および酸化チタン（ＴｉＯｘ）からなる群より選ばれた少なくとも１種以上を含む。保護層１９は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。
（充填樹脂層）
充填樹脂層２０は、保護層１９と対向基板２１の間に設けられている。充填樹脂層２０は、保護層１９と対向基板２１を接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層２０は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（対向基板）
対向基板２１は、駆動基板１１に対向して設けられている。より具体的には、対向基板２１は、対向基板２１の第２の面と駆動基板１１の第１の面とが対向するように設けられている。対向基板２１および充填樹脂層２０は、複数の有機ＥＬ素子１００等を封止する。対向基板２１は、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂからから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。
［表示装置の製造方法］
以下、図５Ａ～図５Ｆ、図６Ａ～図６Ｄを参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法の一例について説明する。
まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板１１Ａの第１の面上に薄膜トランジスタ１１Ｂを含む駆動回路等を形成する。これにより、駆動基板１１が得られる。続いて、例えばスピンコート法またはスリットコート法等により、駆動回路上に第１の絶縁層１２Ｂを形成する。その後、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の絶縁層１２Ｂを所定の形状にパターニングすることによりコンタクトホール（開口）を形成した後、コンタクトホールにコンタクトプラグ１２Ａを形成する。
次に、例えばスパッタリング法により第１の絶縁層１２Ｂの第１の面上に金属層を形成した後、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、金属層をパターニングする。これにより、図５Ａに示すように、第１の絶縁層１２Ｂの第１の面上に複数の下地層１３Ａが形成される。次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、複数の下地層１３Ａ間を埋めるように、第１の絶縁層１２Ｂの第１の面上に第２の絶縁層１２Ｃを形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、複数の下地層１３Ａの第１の面上の第２の絶縁層１２Ｃを除去する。これにより、図５Ｂに示すように、複数の下地層１３Ａの第１の面が第２の絶縁層１２Ｃから露出する。
次に、例えばスパッタリング法により、第２の絶縁層１２Ｃの第１の面上に金属層を形成する。この際、下地層１３Ａが有る領域においては、下地層１３Ａと金属層の結晶構造が類似するため、金属層の結晶成長が促進され、金属層の反射率が高くなる。一方、下地層１３Ａが無い領域においては、下地層１３Ａと金属層の結晶構造が異なるため、金属層の結晶成長が促進されず、金属層の反射率が低くなる。したがって、金属層の反射率が異なる２種の領域が自己組織化的に形成される。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、金属層をパターニングし、複数の反射層１３Ｂを形成する。これにより、図５Ｃに示すように、複数の反射板１３が、第２の絶縁層１２Ｃの第１の面上に形成される。
次に、例えばＣＶＤにより、複数の反射板１３間を埋めるように、第２の絶縁層１２Ｃおよび反射板１３の第１の面上に第３の絶縁層１２Ｄを形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ法により、複数の反射板１３の第１の面上の第３の絶縁層１２Ｄを除去する。これにより、図５Ｄに示すように、複数の反射板１３の第１の面が第３の絶縁層１２Ｄから露出する。
次に、例えばＣＶＤにより、図５Ｅに示すように、第１の光路長調整層１４Ａ、第２の光路長調整層１４Ｂ、第３の光路長調整層１４Ｃを第３の絶縁層１２Ｄおよび反射板１３の第１の面上に順次積層することにより、光路長調整層１４を形成する。
次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図５Ｆに示すように、第１の光路長調整層１４Ａをパターニングする。続いて、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図６Ａに示すように、第２の光路長調整層１４Ｂをパターニングする。
次に、コンタクトプラグ１２Ａを絶縁層１２に形成した後、例えばスパッタリング法により、第１の光路長調整層１４Ａ、第２の光路長調整層１４Ｂおよび第３の光路長調整層１４Ｃの第１の面上に透明導電性酸化物層を形成する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、透明導電性酸化物層をパターニングする。これにより、図６Ｂに示すように、複数の第１の電極１５が、第１の光路長調整層１４Ａ、第２の光路長調整層１４Ｂおよび第３の光路長調整層１４Ｃそれぞれの第１の面上に形成される。
次に、例えばスパッタ法またはＣＶＤ法により、複数の第１の電極１５を覆うように、無機絶縁層を光路長調整層１４の第１の面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、無機絶縁層をパターニングする。これにより、図６Ｃに示すように、隣接する第１の電極１５の間に画素間絶縁層１６が形成される。
次に、例えば蒸着法により、複数の第１の電極１５および画素間絶縁層１６の第１の面上にホール注入層１７Ａ、ホール輸送層１７Ｂ、赤色発光層１７Ｃ、発光分離層１７Ｄ、青色発光層１７Ｅ、緑色発光層１７Ｆ、電子輸送層１７Ｇ、電子注入層１７Ｈを順次積層することにより、１ｓｔａｃｋの有機ＥＬ層１７を形成する。次に、例えば蒸着法により、有機ＥＬ層１７の第１の面上に第２の電極１８を形成する。次に、例えばＣＶＤ法により、第２の電極１８の第１の面上に保護層１９を形成する。次に、充填樹脂層２０を介して駆動基板１１と対向基板２１とを貼り合わせる。以上により、図１に示す表示装置１０が得られる。
［作用効果］
上述したように、第１の実施形態に係る表示装置１０では、反射板１３は、第1の電極１５を介して有機ＥＬ層１７と対向する対向面１３Ｓを有する。第１の領域Ａ１における対向面１３Ｓの反射率Ｒ１と第２の領域Ａ２における対向面１３Ｓの反射率Ｒ２が、Ｒ２＜Ｒ１の関係を満たしている。これにより、第２の領域Ａ２において、第１の領域Ａ１とは別の色の光が表示光として取り出されることを抑制することができるので、色純度の低下を抑制することができる。したがって、色度の諧調の悪化を改善することができる。
また、第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法では、反射率の異なる第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２を反射層１３Ｂに自己整合的に形成することができるので、色純度の低下を抑制可能な反射板１３を簡易な製造方法で作製することができる。
＜第２の実施形態＞
［表示装置の構成］
図７は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置３０の構成の一例を示す断面図である。表示装置３０は、反射板１３（図３参照）に代えて、反射板３３を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
反射板３３の対向面（第１の面）３３Ｓは、第１の領域Ａ１と第２の領域Ａ２の境界に段差３３Ｓｔを有している。段差３３Ｓｔは、第２の領域A２から第１の領域Ａ１に向かって上昇している。第１の領域Ａ１の対向面３３Ｓと段差３３Ｓｔの側面３３ＳＡとの境界部は、丸みを帯びた形状を有している。
反射板３３は、下地層１３Ａと、反射層３３Ｂとを備える。反射層１３Ｂの内側部分１３Ｂ１と反射層１３Ｂの周縁部分１３Ｂ２とは異なる高さに位置している。下地層１３Ａの第２の面と反射層１３Ｂの周縁部分１３Ｂ２の第２の面とは面一になっている。
反射層３３Ｂは、上記以外の点においては、第１の実施形態における反射層１３Ｂと同様である。
［表示装置の製造方法］
以下、図５Ａ、図８を参照して、本開示の第２の実施形態に係る表示装置３０の製造方法の一例について説明する。
まず、下地層１３Ａの形成までの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法と同様に実施する。これにより、図５Ａに示すように、複数の下地層１３Ａが絶縁層１２の第１の面上に形成される。
次に、例えばスパッタリング法により、複数の下地層１３Ａを覆うように、金属層を第１の絶縁層１２Ｂの第１の面上に形成する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、金属層をパターニングする。これにより、図８に示すように、対向面３３Ｓに段差３３Ｓｔを有する反射層３３Ｂが、各下地層１３Ａの第１の面上に形成される。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の領域Ａ１の対向面３３Ｓと段差３３Ｓｔの側面３３ＳＡとの境界部に、丸みを帯びた形状を付与する。
これ以降の工程を第１の実施形態の表示装置１０の製造方法と同様に実施する。以上により、図７に示す表示装置３０が得られる。
［作用効果］
上述したように、第２の実施形態に係る表示装置３０では、第１の領域Ａ１における対向面３３Ｓの反射率Ｒ１と第２の領域Ａ２における対向面３３Ｓの反射率Ｒ２が、Ｒ２＜Ｒ１の関係を満たしている。したがって、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
また、第１の領域Ａ１の対向面３３Ｓと段差３３Ｓｔの側面３３ＳＡとの境界部は、丸みを帯びた形状を有している。これにより、対向面３３Ｓに段差３３Ｓｔが存在していても、段差３３Ｓｔにて光が乱反射することを抑制することができる。したがって、表示品質の低下を抑制することができる。
＜第３の実施形態＞
［表示装置の構成］
図９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置４０の構成の一例を示す断面図である。表示装置４０は、光路長調整層１４（図１参照）を備えず、反射板１３に第１の電極１５が隣接していると共に、第１の電極１５の厚さが、３色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｂごとに異なっている点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。
第１の電極１５は、アノードとしての機能を有すると共に、３色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに反射板１３と第２の電極１８の間の光路長を調整するための光学調整層としての機能も有している。第１の電極１５の厚さは、３色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに設定されている。具体的には、赤色の有機ＥＬ素子１００Ｒの第１の電極１５の厚さは、赤色光が共振し強調されるように選択されている。緑色の有機ＥＬ素子１００Ｇの第１の電極１５の厚さは、緑色光が共振し強調されるように選択されている。青色の有機ＥＬ素子１００Ｇの第１の電極１５の厚さは、青色光が共振し強調されるように選択されている。
［表示装置の製造方法］
以下、図５Ｄ、図１０を参照して、本開示の第３の実施形態に係る表示装置４０の製造方法の一例について説明する。
まず、複数の反射板１３の第１の面上の第３の絶縁層１２Ｄを除去するまでの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法と同様に実施する。これにより、図５Ｄに示すように、複数の反射板１３の第１の面が第３の絶縁層１２Ｄから露出する。
次に、絶縁層１２にコンタクトホール（開口）を形成した後、コンタクトホールにコンタクトプラグ１２Ａを形成する。次に、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の電極１５を各反射板１３の第１の面上に形成する。この際、図１０に示すように、第１の電極１５の厚さは、３色の有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｂごとに異なるように設定される。
これ以降の工程を第１の実施形態の表示装置１０の製造方法と同様に実施する。以上により、図９に示す表示装置４０が得られる。
［作用効果］
上述したように、第３の実施形態に係る表示装置４０では、第１の実施形態と同様の反射板１３が備えられている。また、第３の実施形態に係る表示装置４０では、第１の実施形態における光路長調整層１４が備えられず、第１の電極１５が光学調整層の機能を兼ねている。これにより、第１の実施形態に係る表示装置１０よりも簡素な構成にて、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
＜第４の実施形態＞
［表示装置の構成］
図１１は、本開示の第４の実施形態に係る表示装置５０の構成の一例を示す断面図である。表示装置５０は、反射板１３（図３参照）に代えて、反射板５３を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０と異なっている。なお、第４の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
反射板５３は、下地層５３Ａと、反射層５３Ｂとを備える。下地層５３Ａは、第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２に設けられている。下地層５３Ａは、反射層５３Ｂよりも反射率が低い低反射層としての機能を有している。
反射層５３Ｂは、第１の領域Ａ１に設けられているのに対して、第２の領域Ａ２に設けられていない。すなわち、反射層５３Ｂの周縁は、下地層５３Ａの周縁の内側に位置している。第２の領域Ａ２において下地層５３Ａの第１の面が、反射層５３Ｂに覆われずに露出している。反射層５３Ｂは、第１の実施形態における反射層１３Ｂの内側部分１３Ｂ１と同様である。
反射層５３Ｂの対向面５３Ｓと側面５３ＳＡとの境界部が、丸みを帯びた形状を有していてもよい。これにより、対向面５３Ｓと側面５３ＳＡとの境界部にて光が乱反射することを抑制することができる。したがって、表示品質の低下を抑制することができる。
反射板５３は、上記以外の点においては、第１の実施形態における反射板１３と同様である。
［表示装置の製造方法］
本開示の第４の実施形態に係る表示装置５０の製造方法は、以下の点以外においては、第１の実施形態に係る表示装置１０と同様である。下地層５３Ａを第１の領域Ａ１および第２の領域Ａ２に亘って形成するのに対して、反射層５３Ｂを第１の領域Ａ１にのみ形成する。すなわち、反射層５３Ｂの周縁が下地層５３Ａの内側に位置するように、反射層５３Ｂを下地層５３Ａの第１の面上に形成する。
［作用効果］
上述したように、第４の実施形態に係る表示装置５０では、第２の領域Ａ２において下地層５３Ａの第１の面が、反射層５３Ｂに覆われずに露出している。また、下地層５３Ａは、反射層５３Ｂよりも反射率が低い低反射層としての機能を有している。これにより、第１の領域Ａ１における対向面５３Ｓの反射率Ｒ１と第２の領域Ａ２における対向面５３Ｓの反射率Ｒ２が、Ｒ２＜Ｒ１の関係を満たすことができる。したがって、より簡素な構成を有する反射板５３を用いて、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
＜第５の実施形態＞
［表示装置の構成］
図１２は、本開示の第５の実施形態に係る表示装置６０の構成の一例を示す断面図である。表示装置６０は、反射板５３（図１１参照）に代えて、反射板６３を備える点において、第４の実施形態に係る表示装置５０と異なっている。なお、第５の実施形態において、第４の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
反射板６３は、下地層５３Ａと、反射層５３Ｂと、光吸収層６３Ｃとを備える。光吸収層６３Ｃは、下地層５３Ａの第１の面上、かつ、第２の領域Ａ２に設けられている。光吸収層６３Ｃは、有機ＥＬ層１７から放出された光を吸収する。光吸収層６３Ｃは、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）等を含む。
［表示装置の製造方法］
本開示の第５の実施形態に係る表示装置６０の製造方法は、以下の点以外においては、第４の実施形態に係る表示装置５０と同様である。反射層５３Ｂの形成工程後、光路長調整層１４の形成工程前において、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、下地層５３Ａの第１の面上の第２の領域Ａ２に光吸収層６３Ｃを形成する。
［作用効果］
上述したように、第５の実施形態に係る表示装置６０では、反射板６３は、下地層５３Ａと、反射層５３Ｂと、光吸収層６３Ｃとを備える。光吸収層６３Ｃは、下地層５３Ａの第１の面上、かつ、第２の領域Ａ２に設けられている。これにより、第１の実施形態に係る表示装置１０よりも、第２の領域Ａ２における対向面６３Ｓの反射率Ｒ２を低減することができる。したがって、第５の実施形態に係る表示装置６０では、第１の実施形態に係る表示装置１０よりも色純度の低下を抑制することができる。
＜第６の実施形態＞
［表示装置の構成］
図１３は、本開示の第６の実施形態に係る表示装置７０の構成の一例を示す断面図である。図１４は、図１３の一部分を拡大して表す断面図である。表示装置７０は、絶縁層１２が複数の配置層１２Ｅを備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。なお、第６の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。第６の実施形態では、平面視において、隣接する第２の領域Ａ２の間の領域、すなわち隣接するサブ画素１０１間の画素間領域を第３の領域Ａ３という。
配置層１２Ｅは、第１の電極１５から見て反射板１３よりも奥側に設けられている。配置層１２Ｅの少なくとも一部は、絶縁層１２の第３の領域Ａ３に設けられている。配置層１２Ｅが、第２の領域Ａ２まで延設されていいてもよいし、第２の領域Ａ２を超えて第１の領域Ａ１まで延設されていてもよい。
配置層１２Ｅは、有機ＥＬ層１７と対向する対向面１２ＥＳを有する。対向面１２ＥＳの反射率Ｒ３、および第１の領域Ａ１における対向面１３Ｓの反射率Ｒ１（すなわち内側部分１３Ｂ１の対向面１３Ｓの反射率Ｒ１）が、Ｒ３＜Ｒ１の関係を満たしている。
ここで、反射率Ｒ３は、可視光の波長帯域の平均反射率を意味するものとする。可視光の波長帯域は、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域である。また、反射率Ｒ３が第３の領域Ａ３内の位置により変化する場合には、反射率Ｒ３は、第３の領域Ａ３内にて反射率Ｒ３が最大となる位置における反射率を意味するものとする。
配置層１２Ｅは、例えば、配線層、遮光層またはこれらの積層体である。配置層１２Ｅは、有機ＥＬ素子１００と駆動基板１１とを接続する。配置層１２Ｅは、例えばメタル配線層である。
遮光層は、駆動基板１１に入射する光を遮光する。遮光層は、光吸収材料を含む。光吸収材料は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）および炭素材料からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。配置層１２Ｅが配線層と遮光層との積層体である場合、光の反射を抑制する観点からすると、遮光層が配線層の第１の面上に設けられていることが好ましい。
［表示装置の製造方法］
本開示の第６の実施形態に係る表示装置５０の製造方法は、絶縁層１２の形成工程において絶縁層１２内に配置層１２Ｅを形成する以外の点では、第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法と同様である。
［作用効果］
上述したように、第６の実施形態に係る表示装置７０では、絶縁層１２が複数の配置層１２Ｅを備える。また、対向面１２ＥＳの反射率Ｒ３、および第１の領域Ａ１における対向面１３Ｓの反射率Ｒ１が、Ｒ３＜Ｒ１の関係を満たしている。これにより、サブ画素１０１の周縁部分における意図しない発光の影響を更に効果的に抑制することができる。
＜第７の実施形態＞
図１５は、本開示の第７の実施形態に係る表示装置８０の構成の一例を示す断面図である。表示装置８０は、保護層１９の第１の面上に設けられた複数のマイクロレンズ８１を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。
図１５では、充填樹脂層２０および対向基板２１が保護層１９の第１の面上に設けられていない例が示されているが、充填樹脂層２０および対向基板２１が保護層１９の第１の面上に設けられていてもよい。この場合、充填樹脂層２０は、マイクロレンズ８１間の凹部を埋めるように、保護層１９と対向基板２１の間に充填されていることが好ましい。
マイクロレンズ８１は、例えば、オンチップマイクロレンズ（On Chip Microlens：ＯＣＬ）である。マイクロレンズ８１は、集光構造物の一例である。複数のマイクロレンズ８１は、表示面の面内方向に２次元配列されている。マイクロレンズ８１は、有機ＥＬ素子１００ごとに設けられている。
各マイクロレンズ８１は、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂに対向して設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂから発せられた赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ、マイクロレンズ８１により表示装置１０の正面に向けて集光され、表示面から出射される。したがって、正面方向における光の利用効率が高められる。
マイクロレンズ８１は、例えば、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂから出射される各色光に対して透明な無機材料または高分子樹脂により構成されている。無機材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いることができる。高分子樹脂としては、例えば、感光性樹脂を用いることができる。
［表示装置の製造方法］
第７の実施形態に係る表示装置８０の製造方法は、保護層１９の形成工程後に、保護層１９の第１の面上に複数のマイクロレンズ８１を形成する以外の点では、第１の実施形態に係る表示装置１０と同様である。
［作用効果］
上述したように、第７の実施形態に係る表示装置８０では、保護層１９の第１の面上に複数のマイクロレンズ８１が設けられているので、共振器構造１０２で共振された光を効率良く外部に取り出すことができる。
＜第８の実施形態＞
［概要］
共振器構造を有する表示装置では、サブ画素ごとに反射層と第１の電極との間の光学調整層の厚さが相違するため、光学調整層より上層に形成される各層において光学調整層の厚さの相違に起因する段差が、隣接するサブ画素間に生じる。第２の電極の表面に段差があると、有機ＥＬ素子上の保護層にクラックが生じやすくなる。クラックから水分や酸素等が侵入すると、侵入した水分や酸素等が第２の電極を構成する材料（例えばＭｇＡｇ）と反応し、有機ＥＬ素子の特性の劣化や信頼性低下が引き起こされる虞がある。
そこで、水分や酸素を吸着する吸着層が第２の電極上に設けられた構成が提案されている（特開２０１７－１８２８９２号公報参照）。しかしながら、この構成において信頼性を向上するために吸着層を厚くすると、光学特性に影響を及ぼす問題がある。すなわち、有機ＥＬ素子の光学特性と信頼性は、トレードオフの関係にあり、両立が困難であるという問題がある。これは、吸収層から構成される材料は少なからず光を吸収してしまうため、吸着層を厚くすると光吸収が大きくなり、有機ＥＬ素子の光取り出し効率が低下するためである。
第８の実施形態では、第２の電極と吸着層の厚さの比を領域に応じて異ならせることで、有機ＥＬ素子の光学特性と信頼性の両立することができる表示装置について説明する。
［表示装置の構成］
図１６は、本開示の第８の実施形態に係る表示装置９０の構成の一例を示す断面図である。図１７は、サブ画素１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂの構成の一例を示す平面図である。図１８は、図１６の一部分を拡大して表す断面図である。表示装置９０は、吸着層９１をさらに備え、かつ、反射板１３に代えて反射板９３を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。なお、第８の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。第８の実施形態では、平面視において開口１６Ａに対応する領域（画素開口領域）を第１の領域Ｂ１、平面視において隣接する開口１６Ａ間の領域（画素間領域）を第２の領域Ｂ２という。
サブ画素１０１は、例えば、長方形状を有する。複数のサブ画素１０１は、マトリクス状に配列されている。第２の領域Ｂ２には、１つまたは２つ以上の段差９１Ｓｔが設けられている。なお、図１６では、第２の領域Ｂ２に１つの段差９１Ｓｔが設けられた例が示されている。第２の領域Ｂ２においては、段差９１Ｓｔの側面（傾斜面）９１ＳＡにおける吸着層９１の厚さが、側面９１ＳＡ以外の箇所における吸着層９１の厚さに比べて厚くなっている。第２の領域Ｂ２において、段差９１Ｓｔの側面９１ＳＡで吸着層９１の厚さが局所的に厚くなっていてもよい。なお、段差９１Ｓｔが２つ以上ある場合には、それぞれの段差９１Ｓｔの側面９１ＳＡにおいて吸着層９１の厚さが、側面９１ＳＡ以外の箇所における吸着層９１の厚さに比べて厚くなっている。
吸着層９１は、第２の電極１８の第１の面上に設けられている。充填樹脂層２０は、吸着層９１の第１の面上に設けられている。吸着層９１は、水分や酸素等を吸着する。第１の領域Ｂ１における第２の電極１８の平均厚さをＴＣＡ、第１の領域Ｂ１における吸着層９１の平均厚さをＴＫＡ、第２の領域Ｂ２における第２の電極１８の平均厚さをＴＣＢ、第２の領域Ｂ２における吸着層９１の平均厚さをＴＫＢとした場合、ＴＫＡ／ＴＣＡ＜ＴＫＢ／ＴＣＢの関係を満たしている。
平均厚さＴＫＡ、ＴＣＡ、ＴＫＢ、ＴＣＢは、以下のようにして求められる。まず、クライオＦＩＢ（Focused Ion Beam）加工等により表示装置９０の断面を切り出し、薄片を作製する。続いて、作製した薄片をＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）により観察し、断面ＴＥＭ像を１枚取得する。この際、加速電圧は８０ｋＶに設定される。次に、取得した断面ＴＥＭ像を用いて、第１の領域Ｂ１にて第２の電極１８の厚さを１０点で測定すると共に、第１の領域Ｂ１にて吸着層９１の厚さを１０点で測定する。この際、第２の電極１８の厚さ、吸着層９１の厚さの測定位置はそれぞれ、第１の領域Ｂ１から無作為に選ばれるものとする。また、第２の電極１８の厚さは、有機ＥＬ層１７と第２の電極１８の界面の垂線方向における第２の電極１８の厚さであり、吸着層９１の厚さは、第２の電極１８と吸着層９１の界面の垂線方向における吸着層９１の厚さである。その後、１０点で測定された第２の電極１８の厚さを単純に平均（算術平均）して第２の電極１８の平均厚さＴＣＡを求めると共に、１０点で測定された吸着層９１の厚さを単純に平均（算術平均）して吸着層９１の平均厚さＴＫＡを求める。
次に、取得した断面ＴＥＭ像を用いて、第２の領域Ｂ２の段差９１Ｓｔの側面９１ＳＡにて第２の電極１８の厚さを１０点で測定すると共に、第２の領域Ｂ２の段差９１Ｓｔの側面９１ＳＡにて吸着層９１の厚さを１０点で測定する。この際、第２の電極１８の厚さ、吸着層９１の厚さの測定位置はそれぞれ、第２の領域Ｂ２の段差９１Ｓｔの側面９１ＳＡから無作為に選ばれるものとする。また、第２の電極１８の厚さは、有機ＥＬ層１７と第２の電極１８の界面の垂線方向における第２の電極１８の厚さであり、吸着層９１の厚さは、第２の電極１８と吸着層９１の界面の垂線方向における第２の電極１８の厚さである。その後、１０点で測定された第２の電極１８の厚さを単純に平均（算術平均）して第２の電極１８の平均厚さＴＣＢを求めると共に、１０点で測定された吸着層９１の厚さを単純に平均（算術平均）して吸着層９１の平均厚さＴＫＢを求める。
なお、第２の領域Ｂ２に２以上の段差９１Ｓｔが存在する場合には、各段差９１Ｓｔにて第２の電極１８の平均厚さをそれぞれ求め、そのうちで最大の第２の電極１８の平均厚さを第２の電極１８の平均厚さＴＣＢとする。同様に、第２の領域Ｂ２に２以上の段差９１Ｓｔが存在する場合には、各段差９１Ｓｔにて吸着層９１の平均厚さをそれぞれ求め、そのうちで最大の吸着層９１の平均厚さを吸着層９１の平均厚さＴＫＢとする。
第２の電極１８と吸着層９１とにより積層膜９２が構成されている。第２の領域Ｂ２における積層膜９２の透過率Ｔ２が、第１の領域Ｂ１における積層膜９２の透過率Ｔ１に比べて高いことが好ましい。これにより、第２の領域Ｂ２（例えばサブ画素１０１の開口１６Ａの周縁部分）におけるキャビティ効果が弱められるため、共振器構造１０２において、第２の領域Ｂ２（例えばサブ画素１０１の開口１６Ａの周縁部分）において第１の領域Ｂ１（サブ画素１０１の開口１６Ａの部分）とは別の色の光が表示光として取り出されることを抑制することができる。したがって、有機ＥＬ層１７がすべてのサブ画素１０１にわたって共通に設けられると共に、共振器構造１０２を有する表示装置９０において、サブ画素１０１の周縁部分において、サブ画素１０１とは別の色の光が取り出され、色純度が低下することを抑制することができる。すなわち、色度の諧調の悪化を改善することができる。
ここで、透過率Ｔ１、Ｔ２は、可視光の波長帯域の平均透過率を意味するものとする。可視光の波長帯域は、上述したように、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長帯域である。また、透過率Ｔ１が第１の領域Ｂ１内の位置により変化する場合には、透過率Ｔ１は、第１の領域Ｂ１内にて透過率Ｔ１が最大となる位置における透過率を意味するものとする。同様に、透過率Ｔ２が第２の領域Ｂ２内の位置により変化する場合には、透過率Ｔ２は、第２の領域Ｂ２にて透過率Ｔ２が最大となる位置における透過率を意味するものとする。
前記吸着層と前記第２の電極が同一厚さを有すると仮定した場合、吸着層９１の透過率Ｔ２が第２の電極１８の透過率Ｔ１よりも高いことが好ましい。これにより、ＴＫＡ、ＴＣＡ、ＴＫＢ、ＴＣＢがＴＫＡ／ＴＣＡ＜ＴＫＢ／ＴＣＢの関係を満たしている場合にも、第２の領域Ｂ２における積層膜９２の透過率Ｔ２を、第１の領域Ｂ１における積層膜９２の透過率Ｔ１に比べて高く設定し易くなる。
第２の領域Ｂ２における積層膜９２の酸素含有率が、第１の領域Ｂ１における積層膜９２の酸素含有率に比べて高いことが好ましい。これにより、第２の領域Ｂ２における積層膜９２の透過率Ｔ２を、第１の領域Ｂ１における積層膜９２の透過率Ｔ１に比べて高くすることができる。積層膜９２の酸素含有率は、積層膜９２の厚さ方向に組成分析を行い、組成プロファイル（デプスプロファイル）を取得することにより求めることが可能である。
吸着層９１は、水分や酸素を吸着する材料を含む。吸着層９１は、具体的には例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属およびアルミニウム（Ａｌ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。アルカリ金属は、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）およびフランシウム（Ｆｒ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。アルカリ土類金属は、例えば、べリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）およびラジウム（Ｒａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。吸着層９１が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を主成分とする化合物を含んでいてもよい。化合物は、例えば、酸化物、炭酸化物またはフッ化物等である。
反射板９３は、下地層９３Ａと反射層９３Ｂとを備える。下地層９３Ａは、第４の実施形態における下地層５３Ａと同様である。反射層９３Ｂは、下地層９３Ａと同一の形状およびサイズを有している点以外では、第１の実施形態における反射層１３Ｂの内側部分１３Ｂ１と同様である。
［表示装置の製造方法］
以下、図１９Ａ～図１９Ｅを参照して、本開示の第８の実施形態に係る表示装置３０の製造方法の一例について説明する。
まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、基板１１Ａの第１の面上に薄膜トランジスタ１１Ｂを含む駆動回路等を形成する。これにより、駆動基板１１が得られる。続いて、例えばスピンコート法またはスリットコート法等により、駆動回路上に第１の絶縁層１２Ｂを形成する。その後、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、第１の絶縁層１２Ｂを所定の形状にパターニングすることによりコンタクトホール（開口）を形成した後、コンタクトホールにコンタクトプラグ１２Ａを形成する。
次に、例えばスパッタリング法により、図１９Ａに示すように、第１の絶縁層１２Ｂの第１の面上に金属層９３Ｃを形成する。次に、例えばスパッタリング法により、図１９Ｂに示すように、金属層９３Ｃの第１の面上に金属層９３Ｄを形成する。次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、金属層９３Ｃおよび金属層９３Ｄをパターニングする。これにより、図１９Ｃに示すように、複数の反射板９３が第１の絶縁層１２Ｂの第１の面上に形成される。次に、第３の絶縁層１２Ｄの形成工程から有機ＥＬ層１７の形成工程までを第１の実施形態と同様に実施する。
次に、例えば蒸着法により、図１９Ｄに示すように、有機ＥＬ層１７の第１の面上に第２の電極１８を形成する。次に、例えば蒸着法により、図１９Ｅに示すように、第２の電極１８の第１の面上に吸着層９１を形成する。次に、保護層１９の形成工程から対向基板２１の貼り合わせ工程までを第１の実施形態と同様に実施する。以上により、図１６に示す表示装置１０が得られる。
ここで、図２０Ａ、図２０Ｂ、図２１Ａ、図２１Ｂを参照して、上記の第２の電極１８の形成工程と吸着層９１の形成工程形成の詳細について説明する。第２の電極１８の形成工程および吸着層９１の形成工程では、被成膜対象である駆動基板１１を回転させながら成膜を行う回転蒸着が用いられる。第８の実施形態に係る表示装置９０の製造方法では、第２の電極１８の形成工程における蒸着源１８Ｍのオフセット量Ｄ１と、吸着層９１の形成工程における蒸着源９１Ｍのオフセット量Ｄ２とが、異なる。ここで、第２の電極１８の形成工程におけるオフセット量Ｄ１は、駆動基板１１の回転軸に対する蒸着源（第１の蒸着源）１８Ｍのオフセット量を意味する（図２０Ｂ参照）。吸着層９１の形成工程におけるオフセット量Ｄ２は、駆動基板１１の回転軸に対する蒸着源（第２の蒸着源）９１Ｍのオフセット量を意味する（図２１Ｂ参照）
回転蒸着では、通常、駆動基板１１の回転軸に対してオフセットした位置に蒸着源１８Ｍ、９１Ｍが配置され、蒸着が行われる。しかし、第２の電極１８の形成工程における蒸着源１８Ｍのオフセット量Ｄ１と吸着層９１の形成工程における蒸着源９１Ｍのオフセット量Ｄ２とが略同一であると、第２の電極１８と吸着層９１は略同様の被覆性となるため、ＴＫＡ、ＴＣＡ、ＴＫＢ、ＴＣＢの関係は、ＴＫＡ／ＴＣＡ≒ＴＫＢ／ＴＣＢとなる。
一方、第８の実施形態に係る表示装置９０の製造方法では、図２０Ｂ、図２１Ｂに示すように、吸着層９１の形成工程における蒸着源９１Ｍのオフセット量Ｄ２が、第２の電極１８の形成工程における蒸着源１８Ｍのオフセット量Ｄ１に比べて大きくなるように、蒸着源１８Ｍおよび蒸着源９１Ｍの配置位置が設定される。このような成膜条件で蒸着が行われることで、図２０Ａ、図２１Ａに示すように、段差９１Ｓの側面（傾斜面）９１ＳＡにおいて、第２の電極１８の厚さに対する吸着層９１の厚さの比率が大きくなり、その結果、ＴＫＡ、ＴＣＡ、ＴＫＢ、ＴＣＢの関係が、ＴＫＡ／ＴＣＡ＜ＴＫＢ／ＴＣＢとなる。
［作用効果］
上述したように、第８の実施形態に係る表示装置９０では、第２の領域Ｂ２の段差９１Ｓｔを利用し、第２の領域Ｂ２（サブ画素１０１間の領域）において局所的に吸着層９１の割合が高くされている。これにより、ＴＫＡ、ＴＣＡ、ＴＫＢ、ＴＣＢがＴＫＡ／ＴＣＡ＜ＴＫＢ／ＴＣＢの関係が満たされている。したがって、第１の領域Ｂ１における有機ＥＬ素子１００の光学特性に対する影響を抑制しつつ、信頼性を向上させることができる。よって、有機ＥＬ素子１００の光学特性と信頼性を両立することができる。
第２の領域Ｂ２における積層膜９２の透過率Ｔ２が、第１の領域Ｂ１における積層膜９２の透過率Ｔ１に比べて高い場合には、有機ＥＬ層１７がすべてのサブ画素１０１にわたって共通に設けられると共に、共振器構造１０２を有する表示装置９０において、第２の領域Ｂ２（例えばサブ画素１０１の周縁部分）において、サブ画素１０１とは別の色の光が取り出され、色純度が低下することを抑制することができる。すなわち、色度の諧調の悪化を改善することができる。
＜９ 変形例＞
（変形例１）
図２２に示すように、第１の実施形態において、表示装置１０が、カラーフィルタ２２を備えるようにしてもよい。カラーフィルタ２２は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）であり、保護層１９の第１の面上に設けられている。この場合、充填樹脂層２０は、カラーフィルタ２２の第１の面上に設けられている。
カラーフィルタ２２は、例えば、赤色フィルタ２２Ｒ、緑色フィルタ２２Ｇおよび青色フィルタ２２Ｂを備える。赤色フィルタ２２Ｒ、緑色フィルタ２２Ｇ、青色フィルタ２２Ｂはそれぞれ、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂに対向して設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１００Ｒ、有機ＥＬ素子１００Ｇ、有機ＥＬ素子１００Ｂから発せられた赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ２２Ｒ、緑色フィルタ２２Ｇ、青色フィルタ２２Ｂを透過する。これにより、高い色純度を有する赤色光、緑色光、青色光が表示面から出射される。
表示装置１０が、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂごとに上記共振器構造１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂを備えると共に、カラーフィルタ２２を備えることで、有機ＥＬ素子１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂで発生した光の色純度を高めて取り出すことができる。
各色のカラーフィルタ２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ間には、ブラックマトリクス等の遮光層（図示せず）が設けられていてもよい。これにより、各有機ＥＬ素子１００間の配線等において反射された外光を吸収し、コントラストを改善することができる。
上述の変形例１では、カラーフィルタ２２がオンチップカラーフィルタである例について説明したが、対向基板２１の第２の面に設けられた対向カラーフィルタであってもよい。この場合、対向基板２１の第２の面に遮光層がさらに設けられていてもよい。
なお、第２～第８実施形態に係る表示装置３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０においても同様に、カラーフィルタ２２が備えられていてもよい。なお、第７の実施形態に係る表示装置８０では、カラーフィルタ２２は、保護層１９とマイクロレンズ８１の間に備えられていてもよい。
（変形例２）
第７の実施形態では、光取り出し効率を高めるために、駆動基板１１にマイクロレンズ８１等の集光構造物が設けられている例について説明したが、対向基板２１にマイクロレンズ８１等の集光構造物が設けられていてもよい。
（変形例３）
第８の実施形態では、長方形状を有する複数のサブ画素１０１がマトリクス状に配列されている例について説明したが、サブ画素１０１の形状や配列はこの例に限定されるものではなく、図２３、図２４、図２５に示すように、サブ画素１０１として種々の形状や配列を有するものを採用することが可能である。第１～第７の実施形態においても同様に、サブ画素１０１として種々の形状や配列を有するものを採用することが可能である。
（変形例４）
第１の実施形態において、第２の電極１８の第１の面側または第２の面側に設けられた光学層がさらに備えられていてもよい。この場合、第１の実施形態における反射板１３（図１参照）に代えて、第８の実施形態における反射板９３（図１６参照）が備えられていてもよい。第２の電極１８と光学層が積層膜を構成していてもよい。
第１の領域Ａ１における上記積層膜の反射率Ｒ４と、第２の領域Ａ２における上記積層膜の反射率Ｒ５とが、Ｒ５＜Ｒ４の関係を満たすことが好ましい。これにより、第２の領域Ａ２において、第１の領域Ａ１とは別の色の光が表示光として取り出されることを抑制することができるので、色純度の低下を抑制することができる。光学層は、積層膜の反射率Ｒ５を低下させるための層である。光学層は、第８の実施形態における吸着層９１であってもよい。反射率Ｒ４、Ｒ５は、可視光の波長帯域の平均反射率であり、反射率Ｒ４、Ｒ５の定義の詳細は、第１の実施形態にて説明した反射率Ｒ１、Ｒ２の定義と同様である。
（変形例５）
第８の実施形態では、吸着層９１が、第２の電極１８の第１の面側に隣接して設けられている例について説明したが、吸着層９１が、第２の電極１８の第２の面側に隣接して設けられていてもよい。この場合、吸着層９１は、第２の電極１８の機能、すなわちカソードとしての機能を兼ね備えていてもよい。吸着層９１は、第２の電極１８の構成材料（すなわちカソードの構成材料）を含んでいてもよい。吸着層９１が、第２の電極１８の第１の面側および第２の面側の両方に備えられていてもよい。
＜１０ 応用例＞
（電子機器）
上述の第１～第８の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０（以下「表示装置１０等」という。）は、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。
（具体例１）
図２６Ａ、図２６Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、表示装置１０等のいずれかを用いることができる。
（具体例２）
図２７は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、表示装置１０等のいずれかを用いることができる。
（具体例３）
図２８は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０等のいずれかにより構成される。
以上、本開示の第１～第８の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第８の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第１～第８の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
上述の第１～第８の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
上述の第１～第８の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
２次元配置された複数の第１の電極と、
複数の前記第１の電極の第１の面に対向して設けられた第２の電極と、
複数の前記第１の電極と前記第２の電極の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
隣接する前記第１の電極間に設けられた絶縁層と、
複数の前記第１の電極の第２の面にそれぞれ対向して設けられた複数の反射板と
を備え、
前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振させる複数の共振器構造が、前記第２の電極と複数の前記反射板とにより構成され、
前記絶縁層は、複数の開口を有し、前記開口は、前記第１の電極の前記第１の面上に設けられ、
前記反射板は、前記第１の電極を介して前記エレクトロルミネッセンス層と対向する対向面を有し、
平面視において前記開口に対応する領域を第１の領域、前記平面視において前記開口の周縁部分に対応する領域を第２の領域とした場合、前記第１の領域における前記対向面の反射率Ｒ１および前記第２の領域における前記対向面の反射率Ｒ２が、Ｒ２＜Ｒ１の関係を満たす表示装置。
（２）
前記エレクトロルミネッセンス層は、すべてのサブ画素に共通して設けられている（１）に記載の表示装置。
（３）
前記反射板の結晶性は、前記第１の領域と前記第２の領域で異なる（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記反射板は、
下地層と、
前記下地層上に設けられた反射層と
を備える（１）から（３）のいずれかに記載の表示装置。
（５）
前記下地層は、前記第１の領域に設けられ、
前記反射層は、前記第１の領域および前記第２の領域に設けられている（４）に記載の表示装置。
（６）
前記下地層は、前記第１の領域および前記第２の領域に設けられ、
前記反射層は、前記第１の領域に設けられていている（４）に記載の表示装置。
（７）
前記下地層は、チタン、窒化チタンおよび酸化チタンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含み、
前記反射層は、アルミニウムおよびアルミニウム合金からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む（４）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
前記対向面は、前記第１の領域と前記第２の領域の境界に段差を有し、
前記段差は、前記第２の領域か前記第１の領域に向かって上昇し、
前記第１の領域の前記対向面と前記段差の側面の境界部は、丸みを帯びた形状を有している（１）から（７）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
前記対向面の凹凸の大きさは、前記第１の領域と前記第２の領域で異なる（１）から（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
前記反射板は、前記第１の電極の前記第２の面に隣接し、
前記第１の電極の厚さは、各色のサブ画素で異なっている（１）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記反射板は、
前記第１の領域に設けられた反射層と、
前記第２の領域に設けられた光吸収層と
を備える（１）または（２）に記載の表示装置。
（１２）
前記第１の電極から見て前記反射板よりも奥側に設けられた配置層をさらに備え、
前記配置層は、前記エレクトロルミネッセンス層に対向する対向面を有し、
前記平面視において隣接する反射板の間の部分に対応する領域を第３の領域とした場合、前記配置層の少なくとも一部は、前記第３の領域に設けられ、
前記反射率Ｒ１および前記第３の領域における前記配置層の前記対向面の反射率Ｒ３が、Ｒ３＜Ｒ１の関係を満たす（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
前記第２の電極の第１の面側または第２の面側に設けられた光学層をさらに備え、
前記第２の電極と前記光学層が積層膜を構成し、
前記第１の領域における前記積層膜の反射率Ｒ４と、前記第２の領域における前記積層膜の反射率Ｒ５とが、Ｒ５＜Ｒ４の関係を満たす（１）から（１２）のいずれかに記載の表示装置。
（１４）
２次元配置された複数の第１の電極と、
複数の前記第１の電極の第１の面に対向して設けられた第２の電極と、
複数の前記第１の電極と前記第２の電極の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
隣接する前記第１の電極間に設けられた絶縁層と、
複数の前記第１の電極の第２の面にそれぞれ対向して設けられた複数の反射板と
前記第２の電極の第１の面側または第２の面側に設けられた吸着層と
を備え、
前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振させる共振器構造が、前記第２の電極と各前記反射板とにより構成され、
前記絶縁層は、複数の開口を有し、前記開口は、前記第１の電極の前記第１の面上に設けられ、
前記第２の電極と前記吸着層が積層膜を構成し、
平面視において前記開口に対応する領域を第１の領域、前記平面視において隣接する前記開口間の部分に対応する領域を第２の領域とした場合、前記第２の領域における前記積層膜の透過率は、前記第１の領域における前記積層膜の透過率に比べて高い表示装置。
（１５）
前記第１の領域における前記第２の電極の平均厚さＴＣＡ、前記第１の領域における前記吸着層の平均厚さＴＫＡ、前記第２の領域における前記第２の電極の平均厚さＴＣＢ、および前記吸着層の平均厚さＴＫＢが、ＴＫＡ／ＴＣＡ＜ＴＫＢ／ＴＣＢの関係を満たす（１４）に記載の表示装置。
（１６）
前記第２の電極の前記第２の面が、前記第１の電極と対向し、
前記吸着層は、前記第２の電極の前記第１の面側に設けられている（１４）または（１５）に記載の表示装置。
（１７）
前記第２の電極の前記第２の面が、前記第１の電極と対向し、
前記吸着層は、前記第２の電極の前記第２の面側に設けられている（１４）または（１５）に記載の表示装置。
（１８）
前記第２の領域における前記積層膜の酸素含有率が、前記第１の領域における前記積層膜の酸素含有率に比べて高い（１４）から（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）
前記吸着層と前記第２の電極が同一厚さを有すると仮定した場合、前記吸着層の透過率が、前記第２の電極の透過率に比べて高い（１４）から（１８）のいずれかに記載の表示装置。
（２０）
請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
（２１）
２次元配置された複数の第１の電極と、
複数の前記第１の電極の第１の面に対向して設けられた第２の電極と、
複数の前記第１の電極と前記第２の電極の間に設けられたエレクトロルミネッセンス層と、
隣接する前記第１の電極間に設けられた絶縁層と、
複数の前記第１の電極の第２の面にそれぞれ対向して設けられた複数の反射板と
前記第２の電極の前記第１の面側または前記第２の面側に設けられた吸着層と
を備え、
前記エレクトロルミネッセンス層からの出射光を共振させる共振器構造が、前記第２の電極と各前記反射板とにより構成され、
前記絶縁層は、複数の開口を有し、前記開口は、前記第１の電極の第１の面上設けられ、
平面視において前記開口に対応する領域を第１の領域、前記平面視において隣接する前記開口間の部分に対応する領域を第２の領域とした場合、前記第１の領域における前記第２の電極の平均厚さＴＣＡ、前記第１の領域における吸着層の平均厚さＴＫＡ、前記第２の領域における第２の電極の平均厚さＴＣＢ、および前記吸着層の平均厚さＴＫＢが、ＴＫＡ／ＴＣＡ＜ＴＫＢ／ＴＣＢの関係を満たす表示装置。
（２２）
共振器構造を構成する反射板を形成することを備え、
前記反射板の形成は、
下地層を形成することと、
前記下地層の周縁の外側に反射板の周縁が位置するように、前記下地層上に前記反射層を形成すること
を備える表示装置の製造方法。
（２３）
第１の蒸着源を用いて、共振器構造を構成する電極を蒸着形成することと、
第２の蒸着源を用いて、前記電極の第１の面側または第２の面側に位置する吸着層を蒸着形成することと
を備え、
前記電極層の形成時における、前記基板に対する第１の蒸着源のオフセット量と、前記吸着層の形成時における、前記基板に対する第２の蒸着源のオフセット量とが、異なる表示装置の製造方法。
（２４）
前記吸着層の形成時における、前記基板に対する第２の蒸着源のオフセット量が、前記電極層の形成時における、前記基板に対する第１の蒸着源のオフセット量に比べて大きい（２３）に記載の表示装置の製造方法。
１０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０ 表示装置
１１ 駆動基板
１１Ａ 基板
１１Ｂ 薄膜トランジスタ
１１Ｃ ゲート電極
１１Ｄ ドレイン電極
１１Ｅ ソース電極
１１Ｆ ゲート絶縁層
１１Ｇ 半導体層
１１Ｈ 層間絶縁層
１２ 絶縁層
１２Ａ コンタクトプラグ
１２Ｂ 第１の絶縁層
１２Ｃ 第２の絶縁層
１２Ｄ 第３の絶縁層
１２Ｅ 配置層
１３、３３、５３、６３、９３ 反射板
１３Ａ、５３Ａ、６３Ａ、９３Ａ 下地層
１３Ｂ、３３Ｂ、５３Ｂ、６３Ｂ、９３Ｂ 反射層
１３Ｂ１ 内側部分
１３Ｂ２ 周縁部分
１３Ｓ、３３Ｓ、５３Ｓ 対向面
１４ 光学調整層
１４Ａ 光路長調整層
１４Ｂ 光路長調整層
１４Ｃ 光路長調整層
１５ 第１の電極
１６ 画素間絶縁層
１６Ａ 開口
１７ 有機ＥＬ層
１８ 第２の電極
１８Ｍ 蒸着源
１９ 保護層
２０ 充填樹脂層
２１ 対向基板
３３Ｓｔ、９１Ｓｔ 段差
３３ＳＡ、５３ＳＡ、９１ＳＡ 側面
６３Ｂ２ 光吸収層
８１ マイクロレンズ
９１ 吸収層
９１Ｍ 蒸着源
９２ 積層膜
１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ 有機ＥＬ素子
１０１Ｒ、１０１Ｇ、１０１Ｂ サブ画素
１０２Ｒ、１０２Ｇ、１０２Ｂ 共振器構造
３１０ デジタルスチルカメラ（電子機器）
３２０ ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
３３０ テレビジョン装置（電子機器）
Ａ１、Ｂ１ 第１の領域
Ａ２、Ｂ２ 第２の領域
Ａ３ 第３の領域

Claims (16)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた第１の有機ＥＬ素子と第２の有機ＥＬ素子と第３の有機ＥＬ素子を含む複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
    前記複数の有機ＥＬ素子の各々は、
    反射板と、
    光路長調整層と、
    第１電極と、
    有機層と、
    第２電極と、
    第３電極と、を有し、
    前記第２電極は前記有機層と前記第３電極との間に設けられ、
    前記複数の有機ＥＬ素子のうち、隣接する有機ＥＬ素子の第１電極間に画素間絶縁層が設けられ、
    前記第３電極は、断面視において、前記画素間絶縁層の傾斜面に対応する領域を有し、
    前記反射板は、前記第１の有機ＥＬ素子、前記第２の有機ＥＬ素子、前記第３の有機ＥＬ素子において、物理的に分断されており、
    少なくとも１つの前記反射板は、第１の層と、第２の層とを備え、
    前記第１の層の上面の一部は、前記第２の層に覆われず露出しており、
    前記第２の層の上面と側面との境界部が丸みを帯びた形状を有し、
    前記第１の層の反射率が前記第２の層の反射率より低く、かつ、前記第２の層に覆われず露出している前記第１の層の上面の一部が、前記領域と積層方向において重なる、
    表示装置。
  2. 基板と、
    前記基板上に設けられた第１の有機ＥＬ素子と第２の有機ＥＬ素子と第３の有機ＥＬ素子を含む複数の有機ＥＬ素子と、を有し、
    前記複数の有機ＥＬ素子の各々は、
    反射板と、
    光路長調整層と、
    第１電極と、
    有機層と、
    第２電極と、
    第３電極と、を有し、
    前記第２電極は前記有機層と前記第３電極との間に設けられ、
    前記複数の有機ＥＬ素子のうち、隣接する有機ＥＬ素子の第１電極間に画素間絶縁層が設けられ、
    前記第３電極は、断面視において、前記画素間絶縁層の傾斜面に対応する領域を有し、
    前記反射板は、前記第１の有機ＥＬ素子、前記第２の有機ＥＬ素子、前記第３の有機ＥＬ素子において、物理的に分断されており、
    少なくとも１つの前記反射板は、第１の層と、第２の層とを備え、
    前記第１の層の上面の一部は、前記第２の層に覆われず露出しており、
    前記第２の層の上面と側面との境界部が丸みを帯びた形状を有し、
    前記第１の層は、チタンを含み、前記第２の層は、アルミニウムを含み、かつ、前記第２の層に覆われず露出している前記第１の層の上面の一部が、前記領域と積層方向において重なる、
    表示装置。
  3. 保護層をさらに有し、
    前記保護層は、前記第３電極上に設けられている請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 前記第２電極と前記第３電極とが積層している、
    請求項１から３までの何れかに記載の表示装置。
  5. 前記第２電極と前記第３電極とはカソード電極である、
    請求項１から４までの何れかに記載の表示装置。
  6. 前記第２電極は、前記第３電極の構成材料を含む、
    請求項１から５までの何れかに記載の表示装置。
  7. 前記第２電極と前記第３電極とが積層されることで積層膜が形成され、発光領域に対応する積層膜である第１積層膜の透過率は、前記画素間絶縁層に対応する積層膜である第２積層膜の透過率よりも低い、
    請求項１から６までの何れかに記載の表示装置。
  8. 前記複数の有機ＥＬ素子は、少なくとも隣接する、第１サブ画素、第２サブ画素、第３サブ画素、および、第４サブ画素を構成し、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、前記第３サブ画素、および、前記第４サブ画素は四方配列され、
    前記第２サブ画素と前記第３サブ画素は同色である、
    請求項１から７までの何れかに記載の表示装置。
  9. 異なる発光色の前記有機ＥＬ素子がそれぞれ有する光路長調整層の厚みが異なる、
    請求項１から８までの何れかに記載の表示装置。
  10. 前記第３電極の厚さは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、
    請求項１から９までの何れかに記載の表示装置。
  11. 前記第１の層の厚さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、
    前記第２の層の厚さは、１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、
    請求項１から１０までの何れかに記載の表示装置。
  12. 前記反射板の上面の位置は、各前記有機ＥＬ素子で同じ位置である、
    請求項１から１１までの何れかに記載の表示装置。
  13. 前記第３電極は、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）を含む、
    請求項１から１２までの何れかに記載の表示装置。
  14. 前記第２電極は、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）を含む、
    請求項１から１２までの何れかに記載の表示装置。
  15. 前記第２電極および前記第３電極は、マグネシウム（Ｍｇ）および銀（Ａｇ）を含む、
    請求項１から１２までの何れかに記載の表示装置。
  16. 請求項１から１５までの何れかに記載の表示装置を有する電子機器。
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