KR20240079312A - 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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김형필
이보라
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Abstract

일 실시예는 회로층, 백색 광을 방출하는 발광 소자들을 포함하는 표시 소자층을 포함하고, 발광 소자들은 각각 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 광학 보조층, 광학 보조층 상에 배치된 도전층, 도전층 상에 배치된 정공 수송 영역, 정공 수송 영역 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치된 발광 보조부, 발광 보조부 상에 배치되고, 제1 광과 상이한 제2 광을 생성하는 제2 발광층, 제1 발광층과 발광 보조부 사이에 배치되거나, 또는 발광 보조부와 제2 발광층 사이에 배치되고, 제1 광 및 제2 광 각각과 상이한 제3 광을 생성하는 제3 발광층, 제2 발광층 상에 배치된 전자 수송 영, 및 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 표시 패널을 제공한다.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치{DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 발명은 복수 개의 발광층들을 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
신체에 착용될 수 있는 형태의 다양한 전자 장치들이 개발되고 있고, 이러한 장치들은 보통 웨어러블(wearable)전자 장치라 불린다. 웨어러블 전자 장치는 인체의 일부 또는 의복에 탈 부착 가능한 다양한 형태를 가질 수 있다. 웨어러블 전자 장치의 한 예로서, 사용자의 머리에 장착될 수 있는 장치가 있으며, 이와 같은 장치를, 예를 들어, HMD(head-mounted device)라고 부를 수 있다. HMD와 같은 장치는 사용자와 근거리에 배치되어, 화소를 구분하는 선이 사용자에게 시인되는 SDE(screen door effect)를 해소하기 위한 방안이 요구된다.
본 발명의 목적은 표시 효율 및 표시 수명이 향상된 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치를 제공하는 것이다.
일 실시예는 회로층 상기 회로층 상에 배치된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막에 의해 구분되며 백색 광을 방출하는 제1 내지 제3 발광 소자를 포함하는 표시 소자층을 포함하고, 상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 광학 보조층, 상기 광학 보조층 상에 배치된 도전층, 상기 도전층 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치된 발광 보조부, 상기 발광 보조부 상에 배치되고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 생성하는 제2 발광층, 상기 제1 발광층과 상기 발광 보조부 사이에 배치되거나, 또는 상기 발광 보조부와 상기 제2 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 광 및 상기 제2 광 각각과 상이한 제3 광을 생성하는 제3 발광층, 상기 제2 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역, 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극, 을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각에 포함된 상기 광학 보조층은 두께가 모두 동일한 것일 수 있다.
상기 광학 보조층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 실리콘 나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 광학 보조층의 두께는 150nm 이상 200nm 이하인 것일 수 있다.
상기 도전층은 상기 광학 보조층을 커버하고, 상기 도전층은 상기 제1 전극의 상면과 접촉하는 것일 수 있다.
상기 도전층, 상기 정공 수송 영역, 상기 발광 보조부, 및 상기 전자 수송 영역의 두께의 합은 50nm 이상 250nm 이하인 것일 수 있다.
상기 제1 내지 제3 광 중 어느 하나의 광은 6차 공진을 하고, 다른 하나의 광은 4차 공진을 하고, 나머지 하나의 광은 3차 공진을 하는 것일 수 있다.
상기 화소 정의막은 상기 제1 전극과 이격되고, 상기 광학 보조층과 동일한 재료로 형성되는 것일 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 하나의 층(single layer)으로 제공되고, 상기 회로층은 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극에 인접한 상기 화소 정의막으로부터 노출되는 노출 부분을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 노출 부분과 접촉하는 것일 수 있다.
상기 제1 발광 소자에 중첩하는 제1 필터, 상기 제2 발광 소자에 중첩하는 제2 필터, 및 상기 제3 발광 소자에 중첩하는 제3 필터를 포함하고, 상기 표시 소자층 상에 배치된 컬러 필터층을 더 포함하고, 상기 제1 필터는 적색광을 투과시키고, 상기 제2 필터는 녹색광을 투과시키고, 상기 제3 필터는 청색광을 투과시키는 것일 수 있다.
상기 제1 광은 청색 광이고, 상기 제2 광은 적색 광이고, 상기 제3 광은 녹색 광인 것일 수 있다.
상기 제1 광 및 상기 제3 광 중 어느 하나는 적색 광이고, 나머지 하나는 녹색 광이고, 상기 제2 광은 청색 광인 것일 수 있다.
다른 실시예는 표시 패널 및 상기 표시 패널과 대향하는 렌즈부를 포함하고, 상기 표시 패널은 회로층 및 상기 회로층 상에 배치된 표시 소자층을 포함하고, 상기 표시 소자층은 상기 회로층 상에 배치된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막에 의해 구분되며 백색 광을 방출하는 제1 내지 제3 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각은 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 광학 보조층, 상기 광학 보조층 상에 배치된 도전층, 상기 도전층 상에 배치된 정공 수송 영역, 상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치된 발광 보조부, 상기 발광 보조부 상에 배치되고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 생성하는 제2 발광층, 상기 제1 발광층과 상기 발광 보조부 사이에 배치되거나, 또는 상기 발광 보조부와 상기 제2 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 광 및 상기 제2 광 각각과 상이한 제3 광을 생성하는 제3 발광층, 상기 제2 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역, 및 상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극, 을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각에 포함된 상기 광학 보조층은 두께가 모두 동일한 것일 수 있다.
상기 광학 보조층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 실리콘 나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 광학 보조층의 두께는 150nm 이상 200nm 이하인 것일 수 있다.
상기 제1 광은 6차 공진을 하고, 상기 제2 광은 4차 공진을 하고, 상기 제3 광은 3차 공진을 하는 것일 수 있다.
상기 화소 정의막은 상기 제1 전극과 이격되고, 상기 광학 보조층과 동일한 재료로 형성되는 것일 수 있다.
상기 정공 수송 영역은 하나의 층(single layer)으로 제공되고, 상기 회로층은 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극에 인접한 상기 화소 정의막으로부터 노출되는 노출 부분을 포함하고, 상기 정공 수송 영역은 상기 노출 부분과 접촉하는 것일 수 있다.
상기 제1 발광 소자에 중첩하는 제1 필터, 상기 제2 발광 소자에 중첩하는 제2 필터, 및 상기 제3 발광 소자에 중첩하는 제3 필터를 포함하고, 상기 표시 소자층 상에 배치된 컬러 필터층을 더 포함하고, 상기 제1 필터는 적색 광을 투과시키고, 상기 제2 필터는 녹색 광을 투과시키고, 상기 제3 필터는 청색 광을 투과시키는 것일 수 있다.
상기 제1 광은 청색 광이고, 상기 제2 광은 적색 광이고, 상기 제3 광은 녹색 광인 것일 수 있다.
상기 제1 광 및 상기 제3 광 중 어느 하나는 적색 광이고, 나머지 하나는 녹색 광이고, 상기 제2 광은 청색 광인 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널은 광학 보조층을 포함하여 우수한 표시 효율 및 표시 수명을 나타낼 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 광학 보조층을 포함하는 표시 패널을 포함함으로써, 우수한 표시 효율 및 표시 수명을 나타낼 수 있다.
도 1은 일 실시예의 전자 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 2a는 일 실시예의 전자 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2b는 도 2a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 일 실시예의 표시 패널은 나타낸 평면도이다.
도 4a는 일 실시예의 표시 패널의 일부분을 나타낸 단면도이다.
도 4b는 일 실시예의 표시 패널의 일부분을 나타낸 평면도이다.
도 5a는 일 실시예의 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 5b는 일 실시예의 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 5c는 일 실시예의 발광 소자를 나타낸 단면도이다.
도 6a은 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6b는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분의 확대도이다.
도 7은 일 실시예의 표시 패널의 일부분을 나타낸 평면도이다.
도 8은 실시예 및 비교예의 표시 패널에서 방출된 광의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하에서는 도면들을 참조하여 일 실시예의 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예의 전자 장치(EA)를 나타낸 사시도이다. 전자 장치(EA)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(EA)는 텔레비전, 모니터, 외부 광고판, 게임기, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 휴대폰, 태블릿, 게임기, 내비게이션, 및 웨어러블 장치일 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에서는 전자 장치(EA)의 일 예로, 헤드 마운티드 디스플레이(Head Mounted Display, HMD) 장치를 도시하였다. 헤드 마운티드 디스플레이 장치는 사용자의 머리에 장착되어 사용자에게 화상 또는 영상이 표시되는 화면을 제공하는 장치일 수 있다. 헤드 마운티드 디스플레이 장치는 실제 외부의 사물들에 기초하여 증강 현실(augmented reality, AR)을 제공하는 씨-스루(see-through) 타입 및 외부의 사물과는 독립된 화면으로 사용자에게 가상 현실(virtual reality, VR)을 제공하는 씨-클로즈드(see-closed) 타입을 포함할 수 있다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(EA)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP)과 대향하는 렌즈부(LS)를 포함할 수 있다. 또한, 전자 장치(EA)는 메인 프레임(MF), 커버 프레임(CF), 및 고정부(FP)를 포함할 수 있다.
메인 프레임(MF)은 사용자의 얼굴에 착용되는 부분일 수 있다. 메인 프레임(MF)은 사용자의 머리(얼굴)의 형상에 상응하는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 고정부(FP)의 길이는 사용자의 머리 둘레에 따라 조절될 수 있다. 고정부(FP)는 메인 프레임(MF)의 장착이 용이하도록 하는 구조물로, 스트랩, 띠 등을 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 고정부(FP)는 메인 프레임(MF)과 결합되는 헬멧 또는 안경 다리 등 다양한 형태일 수 있다.
메인 프레임(MF)에는 렌즈부(LS), 표시 패널(DP), 및 커버 프레임(CF)이 실장될 수 있다. 메인 프레임(MF)은 렌즈부(LS) 및 표시 패널(DP)이 수납될 수 있는 공간이나 구조를 포함할 수 있다.
렌즈부(LS)는 표시 패널(DP)과 사용자 사이에 배치될 수 있다. 렌즈부(LS)는 표시 패널(DP)에서 출사된 광을 통과시켜 사용자에게 제공할 수 있다. 예를 들어, 렌즈부(LS)는 다채널 렌즈, 볼록 렌즈, 오목 렌즈, 구면 렌즈, 비구면 렌즈, 단일 렌즈, 복합 렌즈, 표준 렌즈, 협각 렌즈, 광각 렌즈, 고정 초점 렌즈, 가변 초점 렌즈 등 다양한 종류의 렌즈를 포함할 수 있다.
렌즈부(LS)는 제1 렌즈(LS1) 및 제2 렌즈(LS2)를 포함할 수 있다. 제1 렌즈(LS1) 및 제2 렌즈(LS2)는 사용자의 좌안 및 우안의 위치에 대응하도록 배치될 수 있다. 제1 렌즈(LS1) 및 제2 렌즈(LS2)는 메인 프레임(MF) 내부에 수납될 수 있다.
표시 패널(DP)은 메인 프레임(MF)에 고정된 상태로 제공될 수도 있고, 착탈 가능한 상태로 제공될 수도 있다. 일 실시예의 표시 패널(DP)은 광학 보조층(OAL, 도 4a)을 포함하여, 표시 효율 및 표시 수명이 우수한 특성을 나타낼 수 있다. 표시 패널(DP)에 대해서는 이후 보다 상세히 설명한다.
커버 프레임(CF)은 표시 패널(DP)의 일면 상에 배치되어 표시 패널(DP)을 보호할 수 있다. 커버 프레임(CF)과 렌즈부(LS)는 표시 패널(DP)을 사이에 두고 이격된 것일 수 있다.
도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 또한 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 제1 내지 제3 방향으로 설명될 수 있으며, 동일한 도면 부호가 사용될 수 있다. 본 명세서에서, 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다.
전자 장치(EA)의 두께 방향은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향인 제3 방향축(DR3)과 나란한 방향일 수 있다. 본 명세서에서, 전자 장치(EA)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다. 본 명세서에서, "평면 상에서"는 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면과 나란한 면을 의미하며, "단면 상에서"는 제3 방향축(DR3)과 나란한 면을 의미한다.
도 2a는 본 발명 전자 장치의 다른 실시예를 나타낸 사시도로, 전자 장치(EA-a)의 일 예로 휴대폰을 도시한 것이다. 전자 장치(EA-a)는 액티브 영역(AA-DD)을 통해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 액티브 영역(AA-DD)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA-DD)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면의 적어도 일 측으로부터 벤딩된 곡면을 포함할 수 있다. 하지만, 이는 예시적인 것이며, 액티브 영역(AA-DD)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 액티브 영역(AA-DD)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 액티브 영역(AA-DD)은 상기 평면의 적어도 2개 이상, 예를 들어 4개의 측면으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다.
주변 영역(NAA-DD)은 액티브 영역(AA-DD)에 인접한다. 주변 영역(NAA-DD)은 액티브 영역(AA-DD)을 에워쌀 수 있다. 이에 따라, 액티브 영역(AA-DD)의 형상은 실질적으로 주변 영역(NAA-DD)에 의해 정의될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 주변 영역(NAA-DD)은 액티브 영역(AA-DD)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다. 액티브 영역(AA-DD)은 다양한 형상으로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
도 2b는 도 2a에 도시된 전자 장치(EA-a)의 분해 사시도이다. 도 2b를 참조하면, 전자 장치(EA-a)는 하우징(HAU), 표시 패널(DP), 및 윈도우 부재(WM)를 포함할 수 있다.
윈도우 부재(WM)는 표시 패널(DP)의 외측 전체를 커버하는 것일 수 있다. 윈도우 부재(WM)는 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)을 포함한 윈도우 부재(WM)의 전면은 전자 장치(EA-a)의 전면에 해당할 수 있다. 투과 영역(TA)은 도 2a에 도시된 전자 장치(EA-a)의 액티브 영역(AA-DD)에 대응하고, 베젤 영역(BZA)은 도 2a에 도시된 전자 장치(EA-a)의 주변 영역(NAA-DD)에 대응할 수 있다.
투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 다만, 실시예가 도시된 것에 한정되는 것은 아니며 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 일 부분이 생략될 수도 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP)은 광학 보조층(OAL, 도 4a)을 포함하여, 표시 효율 및 표시 수명이 우수한 특성을 나타낼 수 있다. 표시 패널(DP)에 대해서는 이후 보다 상세히 설명한다.
도시되지 않았으나, 표시 패널(DP) 상에는 입력 감지부가 제공될 수 있다. 입력 감지부는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 입력 감지부(미도시)는 후술하는 표시 패널(DP)의 봉지부(TFE, 도 4a) 상에 배치될 수 있다. 또는, 입력 감지부(미도시)는 봉지부(TFE, 도 4a) 상에 직접 배치되거나, 봉지부(TFE, 도 4a) 상에 배치된 접착 부재(미도시) 상에 직접 배치될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 상에 "직접 배치"된다고 언급되는 경우, 어떤 구성 요소와 다른 구성 요소 사이에는 제3의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미한다. 즉, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 "직접 배치"된다는 것은 어떤 구성요소와 다른 구성요소가 "접촉"하는 것을 의미한다.
하우징(HAU)은 표시 패널(DP) 등을 수납할 수 있다. 하우징(HAU)은 윈도우 부재(WM)와 결합될 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)을 나타낸 평면도이다. 이하에서, 표시 패널(DP)에 대한 설명은 도 1 및 도 2b에 도시된 전자 장치(ED, ED-a)가 포함하는 표시 패널(DP)에 동일하게 적용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(DP)은 발광 영역(PXA) 및 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 발광 영역(PXA)은 복수 개로 제공될 수 있다. 발광 영역(PXA)은 제1 발광 영역(PXA-1), 제2 발광 영역(PXA-2), 및 제3 발광 영역(PXA-3)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역(PXA-1), 제2 발광 영역(PXA-2), 및 제3 발광 영역(PXA-3) 각각은 상이한 파장 영역의 광을 방출할 수 있다. 제1 발광 영역(PXA-1)은 제1 광을 방출하고, 제2 발광 영역(PXA-2)은 제1 광과 상이한 제2 광을 방출할 수 있다. 제3 발광 영역(PXA-3)은 제1 광 및 제2 광과 상이한 제3 광을 방출할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 영역(PXA-1, PXA-2, PXA-3) 중 제3 발광 영역(PXA-3)의 면적이 가장 크고, 제2 발광 영역(PXA-2)의 면적이 가장 작은 것일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며 제1 내지 제3 발광 영역(PXA-1, PXA-2, PXA-3)의 면적이 이에 한정되는 것은 아니다. 도 3에서, 제1 발광 영역(PXA-1)과 제3 발광 영역(PXA-3)이 하나의 행에서 번갈아 배열되고, 제2 발광 영역(PXA-2)은 제1 발광 영역(PXA-1) 및 제3 발광 영역(PXA-3)과 이격되어 다른 행에 배열된 것으로 도시하였다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 제1 내지 제3 발광 영역(PXA-1, PXA-2, PXA-3)의 배열이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4a는 일 실시예의 표시 패널의 단면도이다. 도 4a는 도 3의 I-I' 선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도로, 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도일 수 있다. 도 4b는 일 실시예의 표시 패널의 일부분을 나타낸 평면도이다. 도 4b는 도 3의 AA에 대응하는 부분을 나타낸 도면이다. 설명의 편의를 위해, 도 4b에서는 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3) 및 광학 보조층(OAL)만을 도시하였다. 도 5a는 일 실시예의 발광 소자의 단면도이다. 도 5b는 일 실시예의 발광 소자의 단면도이다. 도 5c는 일 실시예의 발광 소자의 단면도이다 도 5a 내지 도 5c에서 설명한 발광 소자에 관한 설명은 도 4a의 제1 내지 제3 발광 소자 각각에 동일하게 적용될 수 있다.
도 4a를 참조하면, 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-ED), 및 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널(DP)은 봉지층(TFE) 상에 배치된 컬러 필터층(CFL)을 더 포함할 수 있다.
베이스층(BS)은 회로층(DP-CL)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 리지드(rigid) 기판이거나 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(BS)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(BS)은 단층 또는 다층 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(BS)은 순차적으로 적층된 제1 합성 수지층, 다층 또는 단층 구조의 중간층, 및 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 중간층은 베이스 배리어층으로 지칭될 수 있다. 상기 중간층은 실리콘 옥사이드(SiOx)층 및 상기 실리콘 옥사이드층 상에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층을 포함할 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 중간층은 실리콘 옥사이드층, 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 및 아몰퍼스 실리콘층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치될 수 있다. 회로층(DP-CL)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(BS) 상에 형성된 후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이후, 회로층(DP-CL)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
표시 소자층(DP-ED)은 회로층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 표시 소자층(DP-ED)은 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다. 도 4a를 참조하면, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)는 두께 방향(DR3)에 수직한 일 방향에서 이격된 것일 수 있다. 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)은 화소 정의막(PDL)에 의해 구분될 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 실리콘 계열의 무기물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 화소 정의막(PDL)은 실리콘 나이트라이트, 실리콘 옥시나이트라이트, 및 실리콘 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시 패널(DP)은 화소 정의막(PDL)을 포함함으로써, 인접한 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 사이에 측면 누설에 따른 혼색이 방지될 수 있다.
제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)는 탠덤(Tandem) 구조의 발광 소자일 수 있다. 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3), 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3) 상에 배치된 발광부(EP), 및 발광부(EP) 상에 배치된 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 캡핑층(CPL)을 더 포함할 수 있다. 발광부(EP)는 복수의 발광층들(EML-1, EML-2, EML-3)을 포함할 수 있다. 발광부(EP)에 대해서는 이후 보다 상세히 설명한다. 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 백색 광을 방출하는 것일 수 있다.
제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에서, 발광부(EP)는 공통층으로 제공될 수 있다. 발광부(EP)는 제1 내지 제3 발광 영역(PXA-1, PXA-2, PXA-3) 및 비발광 영역(NPXA)에 중첩할 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에서, 제2 전극(EL2)은 공통 전극으로 제공될 수 있다. 본 명세서에서, 어떤 구성요소와 다른 구성요소가 중첩하는 것은 평면 상에서 동일한 면적 및 동일한 형상으로 제한되지 않으며, 상이한 면적 및/또는 상이한 형상을 갖는 경우도 포함한다.
도 4a를 참조하면, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(EL1)과 발광부(EP) 사이에 배치된 광학 보조층(OAL) 및 도전층(CDL)을 포함할 수 있다. 광학 보조층(OAL)은 제1 전극(EL1) 상에 직접 배치될 수 있다. 광학 보조층(OAL)은 제1 내지 제3 서브 광학 보조층(S-OAL1, S-OAL2, S-OAL3)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 광학 보조층(S-OAL1)은 제1 발광 소자(ED-1)에 포함된 광학 보조층이고, 제2 서브 광학 보조층(S-OAL2)은 제2 발광 소자(ED-2)에 포함된 광학 보조층이고, 제3 서브 광학 보조층(S-OAL3)은 제3 발광 소자(ED-3)에 포함된 광학 보조층일 수 있다.
도전층(CDL)은 광학 보조층(OAL) 상에 직접 배치되고, 광학 보조층(OAL)을 커버할 수 있다. 도전층(CDL)은 제1 내지 제3 서브 도전층(S-CDL1, S-CDL2, S-CDL3)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 도전층(S-CDL1)은 제1 발광 소자(ED-1)에 포함된 도전층이고, 제2 서브 도전층(S-CDL2)은 제2 발광 소자(ED-2)에 포함된 광학 도전층이고, 제3 서브 도전층(S-CDL3)은 제3 발광 소자(ED-3)에 포함된 도전층일 수 있다.
화소 정의막(PDL)의 화소 개구부(P_OH)는 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 개구부(P_OH)에 의해 노출된 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)에 대응하도록 제1 내지 제3 발광 영역(PXA-1, PXA-2, PXA-3)이 정의될 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 화소 정의막(PDL)에 대응하는 영역일 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 도전층(CDL)을 사이에 두고, 광학 보조층(OAL)과 이격될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 발광 소자(ED-1)의 제1 전극(EL1-1) 및 제2 발광 소자(ED-2)의 제1 전극(EL1-2) 상에 배치되는 것일 수 있다.
봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호할 수 있다. 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 또한, 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호할 수 있다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드, 실리콘 옥시 나이트라이드, 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 또는 알루미늄 옥사이드 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴계 화합물, 에폭시계 화합물 등을 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막은 광중합 가능한 유기물질을 포함하는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
봉지층(TFE) 상에 컬러 필터층(CFL)이 배치될 수 있다. 컬러 필터층(CFL)은 제1 발광 영역(PXA-1)에 대응하는 제1 필터(CF1), 제2 발광 영역(PXA-2)에 대응하는 제2 필터(CF2), 및 제3 발광 영역(PXA-3)에 대응하는 제3 필터(CF3)를 포함할 수 있다. 도시되지 않았으나, 컬러 필터층(CFL)은 차광부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 차광부는 블랙 매트릭스일 수 있다. 차광부는 흑색 안료 또는 흑색 염료를 포함하는 유기 차광 물질 또는 무기 차광 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 차광부는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 필터들(CF1, CF2, CF3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다.
제1 내지 제3 필터(CF1, CF2, CF3) 각각은 고분자 감광수지와 색재(colorant)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 색재(colorant)는 안료 및 염료를 포함하는 것이다. 적색 색재는 적색 안료 및 적색 염료를 포함하고, 녹색 색재는 녹색 안료 및 녹색 염료를 포함하며, 청색 색재는 청색 안료 및 청색 염료를 포함한다.
도 4a에서, 제1 필터(CF1)는 적색 안료 또는 적색 염료를 포함하고, 제2 필터(CF2)는 녹색 안료 또는 녹색 염료를 포함하며, 제3 필터(CF3)는 청색 안료 또는 청색 염료를 포함할 수 있다. 제1 필터(CF1)는 적색 광을 투과시키는 것일 수 있다. 제2 필터(CF2)는 녹색 광을 투과시키는 것일 수 있다. 제3 필터(CF3)는 청색 광을 투과시키는 것일 수 있다.
제1 발광 소자(ED-1) 상에 배치된 제1 필터(CF1)가 적색 색재를 포함할 수 있다. 제2 발광 소자(ED-2) 상에 배치된 제2 필터(CF2)가 녹색 색재를 포함할 수 있다. 제3 발광 소자(ED-3) 상에 배치된 제3 필터(CF3)가 청색 색재를 포함할 수 있다. 한편, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 이와 달리, 제1 발광 소자(ED-1) 상에 배치된 제1 필터(CF1)가 녹색 색재를 포함하고, 제2 발광 소자(ED-2) 상에 배치된 제2 필터(CF2)가 적색 색재를 포함하고, 제3 발광 소자(ED-3) 상에 배치된 제3 필터(CF3)가 청색 색재를 포함할 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 평면상에서 봤을 때, 제1 내지 제3 서브 광학 보조층(S-OAL1, S-OAL2, S-OAL3) 각각은 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3) 상에 배치된 것일 수 있다. 평면상에서 봤을 때, 제1 서브 광학 보조층(S-OAL1)의 면적은 제1 발광 소자(ED-1)의 제1 전극(EL1-1)보다 작은 것일 수 있다. 평면상에서 봤을 때, 제2 서브 광학 보조층(S-OAL2)의 면적은 제2 발광 소자(ED-2)의 제1 전극(EL1-2)보다 작은 것일 수 있다. 평면상에서 봤을 때, 제3 서브 광학 보조층(S-OAL3)의 면적은 제3 발광 소자(ED-3)의 제1 전극(EL1-3)보다 작은 것일 수 있다.
제1 서브 광학 보조층(S-OAL1)은 제1 발광 소자(ED-1)의 제1 전극(EL1-1)의 일부를 커버하는 것일 수 있다. 제1 서브 광학 보조층(S-OAL1)은 제1 발광 소자(ED-1)의 제1 전극(EL1-1)의 일부를 노출 시키는 것일 수 있다. 제1 서브 광학 보조층(S-OAL1)으로부터 노출된 제1 발광 소자(ED-1)의 제1 전극(EL1-1)은 제1 서브 도전층(S-CDL1)과 접촉하는 것일 수 있다.
제2 서브 광학 보조층(S-OAL2)은 제2 발광 소자(ED-2)의 제1 전극(EL1-2)의 일부를 커버하는 것일 수 있다. 제2 서브 광학 보조층(S-OAL2)은 제2 발광 소자(ED-2)의 제1 전극(EL1-2)의 일부를 노출 시키는 것일 수 있다. 제2 서브 광학 보조층(S-OAL2)으로부터 노출된 제2 발광 소자(ED-2)의 제1 전극(EL1-2)은 제2 서브 도전층(S-CDL2)과 접촉하는 것일 수 있다.
제3 서브 광학 보조층(S-OAL3)은 제3 발광 소자(ED-3)의 제1 전극(EL1-3)의 일부를 커버하는 것일 수 있다. 제3 서브 광학 보조층(S-OAL3)은 제3 발광 소자(ED-3)의 제1 전극(EL1-3)의 일부를 노출 시키는 것일 수 있다. 제3 서브 광학 보조층(S-OAL3)으로부터 노출된 제3 발광 소자(ED-3)의 제1 전극(EL1-3)은 제3 서브 도전층(S-CDL3)과 접촉하는 것일 수 있다.
한편, 제1 내지 제3 서브 광학 보조층(S-OAL1, S-OAL2, S-OAL3)의 두께는 모두 동일한 것일 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)는 동일한 두께의 광학 보조층을 포함하는 것일 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에 포함된 제1 내지 제3 발광층(EML-1, EML-2, EML-3, 도 5a) 각각에서 방출된 제1 내지 제3 광의 공진 거리가 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 각각에서 동일한 것일 수 있다.
도 4a 및 도 5a를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광부(EP)는 정공 수송 영역(HTR), 제1 발광층(EML-1), 발광 보조부(EAP), 제2 발광층(EML-2), 제3 발광층(EML-3), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다.
도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 발광 보조부(EAP)의 두께(TH4), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합은 50nm 이상 250nm 이하일 수 있다. 도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 발광 보조부(EAP)의 두께(TH4), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합이 50nm 이상 250nm 이하인 경우, 구동 전압 상승을 최소화하며, 제1 내지 제3 발광층(EML-1, EML-2 EML-3)에서 광의 생성을 용이하게 할 수 있다. 도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 발광 보조부(EAP)의 두께(TH4), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합이 250nm 초과하는 경우, 표시 패널의 두께 증가 및 구동 전압을 상승을 초래할 수 있다. 도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 발광 보조부(EAP)의 두께(TH4), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합이 50nm 미만인 경우, 제1 내지 제3 발광층에서 광을 생성하기 위해 필요한 물질을 포함하는 층들로 구성되지 못한다.
제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에서 정공 수송 영역(HTR), 제1 발광층(EML-1), 발광 보조부(EAP), 제2 발광층(EML-2), 제3 발광층(EML-3), 및 전자 수송 영역(ETR)은 공통층으로 제공될 수 있다. 상이한 파장 영역의 광을 생성하는 제1 발광층(EML-1), 제2 발광층(EML-2), 및 제3 발광층(EML-3)을 포함하는 발광 소자(ED)는 백색 광을 방출하는 것일 수 있다.
공통층으로 제공되는 제1 내지 제3 발광층(EML-1, EML-2, EML-3)은 마스크 없이 증착이 가능하므로, 보다 작은 면적의 화소를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)은 평면 상에서 보다 작은 면적의 화소가 많이 배치되어, 고해상도를 나타낼 수 있다.
제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, TiN 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다.
제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca(LiF와 Ca의 적층 구조), LiF/Al(LiF와 Al의 적층 구조), Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 반사형 전극일 수 있고, 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조 또는 Ti/Al/TiN의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, A/B/C의 3층 구조는 A가 가장 하부층이고, A, B, C 순으로 순차적으로 적층되는 것을 의미한다.
광학 보조층(OAL) 및 도전층(CDL)은 제1 전극(EL1-1)과 정공 수송 영역(HTR) 사이에 배치될 수 있다. 광학 보조층(OAL)은 무기물을 포함할 수 있다. 광학 보조층(OAL)은 실리콘을 포함하는 무기물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 광학 보조층(OAL)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 실리콘 나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기물을 포함하는 광학 보조층(OAL)이 제1 전극(EL1-1) 상에 직접 배치되므로, 광학 보조층(OAL) 상에 배치된 정공 수송 영역(HTR) 등에 전하를 제공하기 위해, 광학 보조층(OAL) 상에 도전층(CDL)이 배치될 수 있다. 도전층(CDL)의 적어도 일부는 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 접촉할 수 있다.
도전층(CDL)은 도전성을 갖는 것일 수 있다. 도전층(CDL)은 금속재료, 금속합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전층(CDL)은 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)로 형성될 수 있다. 도전층(CDL)은 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 동일한 재료로 형성되거나, 상이한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조로 형성되고, 도전층(CDL)은 ITO로 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것이며, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
발광 소자(ED)에서, 정공 수송 영역(HTR)은 도전층(CDL) 상에 제공될 수 있다. 정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층, 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4',4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.
또한, 정공 수송 영역(HTR)은, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), CzSi(9-(4-tert-Butylphenyl)-3,6-bis(triphenylsilyl)-9H-carbazole), CCP(9-phenyl-9H-3,9'-bicarbazole), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), 또는 mDCP(1,3-bis(1,8-dimethyl-9H-carbazol-9-yl)benzene)등을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 앞서 언급한 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하 생성 물질을 더 포함할 수 있다. 전하 생성 물질은 정공 수송 영역(HTR) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. 전하 생성 물질은 예를 들어, p-도펀트(dopant)일 수 있다. p-도펀트는 할로겐화 금속 화합물, 퀴논(quinone) 유도체, 금속 산화물 및 시아노(cyano)기 함유 화합물 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, p-도펀트는 CuI 및 RbI 등의 할로겐화 금속 화합물, TCNQ(Tetracyanoquinodimethane) 및 F4-TCNQ(2,3,5,6-tetrafluoro-7,7’8,8-tetracyanoquinodimethane) 등과 같은 퀴논 유도체, 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물, HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 및 NDP9(4-[[2,3-bis[cyano-(4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorophenyl)methylidene]cyclopropylidene]-cyanomethyl]-2,3,5,6-tetrafluorobenzonitrile)과 같은 시아노기 함유 화합물 등을 들 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 순차적으로 적층된 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL), 및 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)을 포함할 수 있다. 도시된 것과 달리, 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL), 및 제1 서브 정공 제어층(AIL-1) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다. 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL), 및 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)은 전술한 정공 수송 영역(HTR)의 화합물들을 포함할 수 있다.
제1 서브 정공 제어층(AIL-1)은 제1 광을 생성하는 제1 발광층(EML-1)과 인접하게 배치될 수 있다. 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)은 정공의 이동이 용이한 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위 및 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위를 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)을 포함하는 발광 소자(ED-1)는 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 또한, 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)은 제1 발광층(EML-1)에서 정공 수송 영역(HTR)으로 이동하는 전자를 차단할 수 있다. 따라서, 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)을 포함하는 발광 소자(ED-1)를 포함하는 표시 패널(DP)은 표시 수명이 향상될 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광 보조부(EAP) 상에 제공될 수 있다. 전자 수송 영역(ETR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 안트라센계 화합물을 포함하는 것일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 전자 수송 영역(ETR)은 Alq3(Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다.
또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb, LiF:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. 유기 금속염은 에너지 밴드 갭(energy band gap)이 대략 4eV 이상의 물질이 될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 유기 금속염은 금속 아세테이트(metal acetate), 금속 벤조에이트(metal benzoate), 금속 아세토아세테이트(metal acetoacetate), 금속 아세틸아세토네이트(metal acetylacetonate) 또는 금속 스테아레이트(stearate)를 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 앞서 언급한 재료 이외에 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), TSPO1(diphenyl(4-(triphenylsilyl)phenyl)phosphine oxide) 및 Bphen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역(ETR)은 순차적으로 적층된 제2 버퍼층(BUF-2), 제1 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다. 도시된 것과 달리, 제2 버퍼층(BUF-2), 제1 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다. 제2 버퍼층(BUF-2), 제1 전자 수송층(ETL), 및 전자 주입층(EIL)은 전술한 전자 수송 영역(ETR)의 화합물들을 포함할 수 있다. 제2 버퍼층(BUF-2)은 제3 발광층(EML-3)에서 전자 수송 영역(ETR)으로 이동하는 정공을 차단할 수 있다.
제1 발광층(EML-1)과 제2 발광층(EML-2) 사이에 배치된 발광 보조부(EAP)는 순차적으로 적층된 제1 버퍼층(BUF-1), 제2 전자 수송층(ETL-A), 제1 전하 생성층(nCGL), 제2 전하 생성층(pCGL), 제2 정공 수송층(HTL-A), 및 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)을 포함할 수 있다. 제1 전하 생성층(nCGL)은 n형 전하 생성층이고, 제2 전하 생성층(pCGL)은 p형 전하 생성층일 수 있다. 도시된 것과 달리, 제1 버퍼층(BUF-1), 제2 전자 수송층(ETL-A), 제1 전하 생성층(nCGL), 제2 전하 생성층(pCGL), 제2 정공 수송층(HTL-A), 및 제2 서브 정공 제어층(AIL-2) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.
제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 전술한 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 제2 발광층(EML-2)의 제2 광의 생성을 돕는 물질, 또는 제3 발광층(EML-3)의 제3 광의 생성을 돕는 물질을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)은 제1 발광층(EML-1)의 제1 광의 생성을 돕는 물질을 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)과 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 제3 광을 생성하는 제3 발광층(EML-3) 또는 제2 광을 생성하는 제2 발광층(EML-2)과 인접하게 배치될 수 있다. 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 정공의 이동이 용이한 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위 및 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위를 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)을 포함하는 발광 소자(ED-1)는 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 또한, 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 제2 발광층(EML-2) 또는 제3 발광층(EML-3)에서 제2 정공 수송층(HTL-A)으로 이동하는 전자를 차단할 수 있다. 따라서, 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)을 포함하는 발광 소자(ED-1)를 포함하는 표시 패널(DP)은 표시 수명이 향상될 수 있다.
제2 전극(EL2)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 애노드이고, 제2 전극(EL2)은 캐소드일 수 있다. 이와 달리, 제1 전극(EL1, EL1-2, EL1-3)은 캐소드이고, 제2 전극(EL2)은 애노드일 수 있다.
제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF, Mo, Ti, W, In, Sn, 및 Zn 중 선택되는 적어도 하나, 이들 중 선택되는 2종 이상의 화합물, 이들 중 선택되는 2종 이상의 혼합물, 또는 이들의 산화물을 포함하는 것일 수 있다. 제2 전극(EL2)은 투과형 전극, 반투과형 전극 또는 반사형 전극일 수 있다. 제2 전극(EL2)이 투과형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
제2 전극(EL2)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제2 전극(EL2)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, Yb, W 또는 이들을 포함하는 화합물이나 혼합물(예를 들어, AgMg, AgYb, 또는 MgYb)을 포함할 수 있다. 또는 제2 전극(EL2)은 상기 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(EL2)은 상술한 금속재료, 상술한 금속재료들 중 선택된 2종 이상의 금속재료들의 조합, 또는 상술한 금속재료들의 산화물 등을 포함하는 것일 수 있다.
제2 전극(EL2) 상에 캡핑층(CPL)이 제공될 수 있다. 캡핑층(CPL)은 다층 또는 단층을 포함할 수 있다. 캡핑층(CPL)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 예를 들어, 캡핑층(CPL)이 무기물을 포함하는 경우, 무기물은 LiF 등의 알칼리금속 화합물, MgF2 등의 알칼리토금속 화합물, SiON, SiNX, SiOy 등을 포함하는 것일 수 있다. 이와 달리, 캡핑층(CPL)이 유기물을 포함하는 경우, 유기물은 α-NPD, NPB, TPD, m-MTDATA, Alq3, CuPc, TPD15(N4,N4,N4',N4'-tetra (biphenyl-4-yl) biphenyl-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"- Tris (carbazol-9-yl) triphenylamine) 등을 포함하거나, 에폭시 수지, 또는 메타크릴레이트와 같은 아크릴레이트를 포함할 수 있다.
일 실시예에서 제1 발광층(EML-1)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치되는 것일 수 있다. 제2 발광층(EML-2)은 발광 보조부(EAP) 상에 배치되는 것일 수 있다. 제3 발광층(EML-3)은 제2 발광층(EML-2)과 발광 보조부(EAP) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것일 뿐, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 도 5b를 참조하면 일 실시예의 발광 소자(ED-a)에서 제1 발광층(EML-1)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치되고, 제2 발광층(EML-2)은 발광 보조부(EAP) 상에 배치되며, 제3 발광층(EML-3)은 제1 발광층(EML-1)과 발광 보조부(EAP) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 즉, 도 5b에 도시된 바와 같이, 일 실시예는 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(HTR), 제1 발광층(EML-1), 제3 발광층(EML-3) 발광 보조부(EAP), 제2 발광층(EML-2), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 발광부(EP-1)를 포함하는 것일 수 있다. 도 5b에 도시된 발광 소자(ED-a)는 도 5a에 도시된 발광 소자(ED)와 제3 발광층(EML-3)의 위치만 달리하며, 도 5a의 발광 소자(ED)에 대한 설명은 도 5b에 도시된 발광 소자(ED-a)도 동일하게 적용될 수 있다. 이하 도 5a에 도시된 발광 소자(ED)를 기준으로 설명한다.
제1 발광층(EML-1)은 청색 광을 생성하고, 제2 발광층(EML-2)은 적색 광을 생성하며, 제3 발광층(EML-3)은 녹색 광을 생성할 수 있다. 이와 달리, 제1 발광층(EML-1)은 녹색 광을 생성하고, 제2 발광층(EML-2)은 청색 광을 생성하며, 제3 발광층(EML-3)은 적색 광을 생성할 수 있다. 또는, 제1 발광층(EML-1)은 적색 광을 생성하고, 제2 발광층(EML-2)은 녹색 광을 생성하며, 제3 발광층(EML-3)은 청색 광을 생성할 수 있다.
일 실시예에서 발광 소자(ED)는 광학 보조층(OAL) 및 도전층(CDL)을 포함하는 것일 수 있다. 이에 따라, 청색 광을 6차 공진을 하고, 적색 광은 4차 공진을 하고, 녹색 광은 3차 공진을 할 수 있다.
아래 식 1은 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광이 n차 공진을 위해 필요한 박막의 두께를 나타낸 것이다. n은 2 이상 6 이하의 정수이다. 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광이 n차 공진을 위해 필요한 박막의 두께는 적색 광, 녹색 광, 및 청색 광이 공진하는 거리로 지칭될 수도 있다. 박막은, 제1 전극(EL-1, EL1-2, EL1-3)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치되는 구성들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 박막은 도전층(CDL), 발광층(EML-1, EML-2, EML-3), 정공 수송 영역(HTR), 발광 보조부(EAP), 전자 수송 영역(ETR), 및 광학 보조층(OAL)을 포함할 수 있다. 박막의 두께는 도전층(CDL)의 두께, 정공 수송 영역(HTR)의 두께, 발광층(EML-1, EML-2, EML-3)의 두께, 발광 보조부(EAP)의 두께, 전자 수송 영역(ETR)의 두께, 및 광학 보조층(OAL)의 두께 중 둘 이상의 두께를 더한 것일 수 있다.
[식 1]
B2 < G2 < R2 ≒ B3 < G3 < B4 < R3 < G4 ≒ B5 < R4 ≒ G5 ≒ B6
식 1에서, Bn은 청색 광이 n차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께를 나타낸 것으로, 예를 들어, B2는 청색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께를 의미한다. Gn은 녹색 광이 n차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께를 나타낸 것으로, 예를 들어, G2는 녹색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께를 의미한다. Rn은 적색 광이 n차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께를 나타낸 것으로, 예를 들어, R2는 적색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께를 의미한다.
식 1을 참조하면, 녹색 광 및 적색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께(G2, R2)는 청색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께(B2)보다 두꺼운 것을 알 수 있다. 적색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막 두께(R2)는 청색 광이 3차 공진(B3)을 하기 위해 필요한 박막 두께와 유사한 수준인 것을 알 수 있다. 또한, 청색 광이 6차 공진을 하기 위해 필요한 박막의 두께(B6)는 적색 광이 2차 공진을 하기 위해 필요한 박막의 두께(R2) 및 녹색 광이 3차 공진을 하기 위해 필요한 박막의 두께(G3) 각각보다 큰 것일 수 있다.
예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에 포함되는 도전층(CDL), 정공 수송 영역(HTR), 발광 보조부(EAP), 전자 수송 영역(ETR), 및 광학 보조층(OAL) 각각의 두께는 적색 광이 4차 공진, 녹색 광은 3차 공진, 청색 광은 6차 공진을 하도록 제공될 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 표시 패널(DP)은 우수한 표시 효율 및 개선된 표시 수명을 나타낼 수 있다.
구체적으로 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)는 150nm 이상 200nm 이하일 수 있다. 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 150nm 미만일 경우, 적색 광의 공진이 이루어지지 않아 적색 광의 강도가 약한 문제가 있다. 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 200nm를 초과할 경우 적색 광과 녹색 광의 강도가 약한 문제가 있다. 즉, 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 150nm 이상 200nm 이하인 경우에 청색 광, 적색 광, 녹색 광 각각의 발광 강도가 최대 값을 가져, 광학 보조층(OAL)을 포함하는 발광 소자(ED)를 포함하는 표시 패널(DP)은 우수한 표시 효율 및 개선된 표시 수명을 나타낼 수 있다. 한편, 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 150nm 이상 200nm 이하인 경우, 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 방출되는 청색 광은 6차 공진하고, 적색 광은 4차 공진하고, 녹색 광은 3차 공진하는 것일 수 있다.
일 실시예의 광학 보조층(OAL)을 포함하는 표시 패널(DP)은 청색 광은 6차 공진하고, 적색 광은 4차 공진하고, 녹색 광은 3차 공진할 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 표시 패널(DP)은 우수한 표시 효율 및 개선된 표시 수명을 나타낼 수 있다.
한편, 도 5a 및 도 5b에 도시된 것과 달리, 도 5c에 도시된 일 실시예의 발광 소자(ED-b)는 두 개의 발광 보조부(EAP-1, EAP-2)를 포함하는 점에서 차이가 있다. 일 실시예의 발광 소자(ED-b)는 두 개의 발광 보조부(EAP-1, EAP-2)를 포함하는 발광부(EP-2)를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예의 발광부(EP-1)는 두께 방향으로 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(HTR), 제1 발광층(EML-1), 제1 발광 보조부(EAP-1), 제2 발광층(EML-2), 제2 발광 보조부(EAP-2), 제3 발광층(EML-3), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다.
제1 발광 보조부(EAP-1)는 순차적으로 적층된 제1 버퍼층(BUF-1), 제2 전자 수송층(ETL-A1), 제1 전하 생성층(nCGL-1), 제2 전하 생성층(pCGL-1), 제2 정공 수송층(HTL-A1), 및 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)을 포함할 수 있다. 제1 전하 생성층(nCGL-1)은 n형 전하 생성층이고, 제2 전하 생성층(pCGL-1)은 p형 전하 생성층일 수 있다. 도시된 것과 달리, 제1 버퍼층(BUF-1), 제2 전자 수송층(ETL-A1), 제1 전하 생성층(nCGL-1), 제2 전하 생성층(pCGL-1), 제2 정공 수송층(HTL-A1), 및 제2 서브 정공 제어층(AIL-2) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.
제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 전술한 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 제2 발광층(EML-2)의 제2 광의 생성을 돕는 물질을 포함하고, 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)은 제1 발광층(EML-1)의 제1 광의 생성을 돕는 물질을 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 서브 정공 제어층(AIL-1)과 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 동일한 물질을 포함할 수도 있다.
제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 제2 광을 생성하는 제2 발광층(EML-2)과 인접하게 배치될 수 있다. 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 정공의 이동이 용이한 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위 및 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위를 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)을 포함하는 발광 소자(ED-b)는 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 또한, 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)은 제2 발광층(EML-2)에서 제2 정공 수송층(HTL-A1)으로 이동하는 전자를 차단할 수 있다. 따라서, 제2 서브 정공 제어층(AIL-2)을 포함하는 발광 소자(ED-b)를 포함하는 표시 패널(DP)은 표시 수명이 향상될 수 있다.
제2 발광 보조부(EA-2)는 순차적으로 적층된 제3 버퍼층(BUF-3), 제3 전자 수송층(ETL-A2), 제3 전하 생성층(nGCL-2), 제4 전하 생성층(pCGL-2), 제3 정공 수송층(HTL-A2), 및 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)을 포함할 수 있다. 제3 전하 생성층(nGCL-2)은 n형 전하 생성층이고, 제4 전하 생성층(pCGL-2)은 p형 전하 생성층일 수 있다. 도시된 것과 달리, 제3 버퍼층(BUF-3), 제3 전자 수송층(ETL-A2), 제3 전하 생성층(nGCL-2), 제4 전하 생성층(pCGL-2), 제3 정공 수송층(HTL-A2), 및 제3 서브 정공 제어층(AIL-3) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.
제3 서브 정공 제어층(AIL-3)은 제1 및 제2 서브 정공 제어층(AIL-1, AIL-2)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)은 제3 발광층(EML-3)의 제3 광의 생성을 돕는 물질을 포함할 수 있다. 다만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)은 제1 및 제2 서브 정공 제어층(AIL-1, AIL-2) 중 적어도 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 서브 정공 제어층(AIL-1, AIL-2, AIL-3) 중 적어도 하나는 트리페닐 아민 계열의 화합물을 포함할 수 있다.
제3 서브 정공 제어층(AIL-3)은 제3 광을 생성하는 제3 발광층(EML-3)과 인접하게 배치될 수 있다. 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)은 정공의 이동이 용이한 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위 및 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위를 갖도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)을 포함하는 발광 소자(ED-b)는 구동 전압의 상승이 방지될 수 있다. 또한, 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)은 제3 발광층(EML-3)에서 제3 정공 수송층(HTL-A2)으로 이동하는 전자를 차단할 수 있다. 따라서, 제3 서브 정공 제어층(AIL-3)을 포함하는 발광 소자(ED-b)를 포함하는 표시 패널(DP)은 표시 수명이 향상될 수 있다.구체적으로 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)는 150nm 이상 200nm 이하일 수 있다. 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 150nm 미만일 경우, 적색 광의 공진이 이루어지지 않아 적색 광의 강도가 약한 문제가 있다. 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 200nm를 초과할 경우 적색 광과 녹색 광의 강도가 약한 문제가 있다. 즉, 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 150nm 이상 200nm 이하인 경우에 청색 광, 적색 광, 녹색 광 각각의 발광 강도가 최대 값을 가져, 광학 보조층(OAL)을 포함하는 발광 소자(ED)를 포함하는 표시 패널(DP)은 우수한 표시 효율 및 개선된 표시 수명을 나타낼 수 있다. 한편, 광학 보조층(OAL)의 두께(TH1)가 150nm 이상 200nm 이하인 경우, 일 실시예의 발광 소자(ED)에서 방출되는 청색 광은 6차 공진하고, 적색 광은 4차 공진하고, 녹색 광은 3차 공진하는 것일 수 있다.
도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 제1 발광 보조부(EAP-1)의 두께(TH4-1), 제2 발광 보조부(EAP-2)의 두께(TH4-2), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합은 50nm 이상 250nm 이하일 수 있다. 도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 제1 발광 보조부(EAP-1)의 두께(TH4-1), 제2 발광 보조부(EAP-2)의 두께(TH4-2), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합이 50nm 이상 250nm 이하인 경우, 구동 전압 상승을 최소화하며, 제1 내지 제3 발광층(EML-1, EML-2 EML-3)에서 광의 생성을 용이하게 할 수 있다. 도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 제1 발광 보조부(EAP-1)의 두께(TH4-1), 제2 발광 보조부(EAP-2)의 두께(TH4-2), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합이 250nm 초과하는 경우, 표시 패널의 두께 증가 및 구동 전압을 상승을 초래할 수 있다. 도전층(CDL)의 두께(TH2), 정공 수송 영역(HTR)의 두께(T3), 제1 발광 보조부(EAP-1)의 두께(TH4-1), 제2 발광 보조부(EAP-2)의 두께(TH4-2), 및 전자 수송 영역(ETR)의 두께(T5)의 합이 50nm 미만인 경우, 제1 내지 제3 발광층에서 광을 생성하기 위해 필요한 물질을 포함하는 층들로 구성되지 못한다.
도 6a은 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다. 도 6b는 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분의 확대 단면도이다. 도 7은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분의 평면도이다.도 6a, 도 6b, 및 도 7은 일 실시예의 표시 패널을 나타낸 단면도로, 화소 정의막(PDL-a)이 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 이격된 것으로 도시하였다. 도 6a는 일 실시에의 표시 패널을 도 3에 도시된 I-I'선에 따라 절단한 단면도이다. 도 6b는 도 6a에 도시된 XX'에 대응하는 부분의 확대도이다.
도 4a 및 도 4b와 비교하여, 도 6a, 도 6b, 및 도 7은 화소 정의막(PDL-a)이 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 이격된 것에서 차이가 있다. 도 6a, 도 6b, 및 도 7에 대한 설명에 있어서, 도 1 내지 도 5b을 참조하여 설명한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 차이점을 위주로 설명한다.
도 6a, 도 6b, 및 도 7을 참조하면, 두께 방향(DR3)에 수직한 일 방향에서, 화소 정의막(PDL-a)과 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)은 발광부(EP)를 사이에 두고 이격될 수 있다. 도 6a에 도시된 발광부(EP)는 도 5b를 참조하여 설명한 발광부(EP)의 구성을 그대로 포함할 수 있다. 즉, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 발광부(EP)는 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(HTR), 제1 발광층(EML-1, 도 5a), 발광 보조부(EAP, 도 5a), 제2 발광층(EML-2, 도 5a), 제3 발광층(EML-3, 도 5a), 및 전자 수송 영역(ETR, 도 5a)을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 화소 정의막(PDL-a) 및 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 비중첩하는 부분에서 회로층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 발광부(EP)는 화소 정의막(PDL-a) 및 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 비중첩하는 부분에서 회로층(DP-CL)과 접촉할 수 있다. 회로층(DP-CL)은 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3) 및 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)에 인접한 화소 정의막(PDL-a)으로부터 노출되는 노출 부분을 포함하고, 그 노출 부분과 정공 수송 영역(HTR)은 접촉할 수 있다.
화소 정의막(PDL-a) 사이에는 화소 개구부(P_OH-a)가 정의될 수 있다. 화소 개구부(P_OH-a) 내에서 회로층(DP-CL) 상에 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3) 및 광학 보조층(OAL)이 배치되는 것일 수 있다.
제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3)과 이격된 화소 정의막(PDL-a)은 광학 보조층(OAL)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 6a, 도 6b, 도 7에 도시된 화소 정의막(PDL-a)은 실리콘 계열의 무기물을 포함할 수 있다. 구체적으로, 도 6a, 도 6b, 및 도 7에 도시된 화소 정의막(PDL-a)은 실리콘 나이트라이트, 실리콘 옥시나이트라이트, 및 실리콘 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시 패널(DP)은 화소 정의막(PDL-a)을 포함함으로써, 인접한 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 사이에 측면 누설에 따른 혼색이 방지될 수 있다.
도 8은 실시예 및 비교예에 따른 표시 패널에서 방출된 광의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면이다. 도 8에서 실시예 및 비교예는 도 5a에 도시된 구조를 갖는 발광 소자를 포함하는 표시 패널을 이용하여 발광 스펙트럼을 측정한 것이다.
구체적으로 실시예 및 비교예는 각각 제1 발광층(EML-1, 도 5a)이 청색 광을 방출하고, 제2 발광층(EML-2, 도 5a)이 적색 광을 방출하고, 제3 발광층(EML-3, 도 5a)이 녹색 광을 방출하는 발광 소자를 포함하는 표시 패널이다. 실시예는 청색 광이 6차 공진을 하는 경우이다. 비교예 1은 청색 광이 4차 공진을 하는 경우이다. 비교예 2는 청색 광이 5차 공진을 하는 경우이다. 비교예 3은 청색광이 7차 공진을 하는 경우이다. 비교예 1은 광학 보조층을 미포함하는 경우이다. 비교예 2는 광학 보조층의 두께가 150nm 미만인 경우이다. 비교예 3은 광학 보조층의 두께가 200nm 초과인 경우이다. 실시예는 광학 보조층의 두께가 150nm 이상 200nm 이하인 경우이다.
도 8에서 적색 최고 피크(RP), 녹색 최고 피크(GP), 및 청색 최고 피크(BP)를 나타냈다. 적색 최고 피크(RP), 녹색 최고 피크(GP), 및 청색 최고 피크(BP) 각각에서 모두 높은 발광 강도를 나타내는 경우에, 표시 패널은 우수한 표시 효율 및 표시 수명을 나타낼 수 있다.
실시예의 경우 적색 최고 피크(RP), 녹색 최고 피크(GP), 및 청색 최고 피크(BP) 각각에서 높은 발광 강도를 나타내는 것을 알 수 있다. 비교예 1 및 2의 경우 적색 최고 피크(RP) 부근에서 발광이 일어나지 않는 것을 알 수 있다. 비교예 3의 경우 실시예에 비해 적색 최고 피크(RP), 및 녹색 최고 피크(GP) 각각에서 낮은 발광 강도를 나타내는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예의 표시 패널은 비교예 1 내지 3의 표시 패널에 비해 적색 최고 피크(RP), 녹색 최고 피크(GP), 및 청색 최고 피크(BP) 각각에서 높은 발광 강도 나타내, 우수한 표시 효율 및 표시 수명을 나타낼 수 있다.
하기 표 1은 실시예 1, 실시예 2, 비교예 4, 및 비교예 5에 따른 표시 패널의 CIE 색좌표, 구동 전압, 및 광효율을 나타낸 것이다. 실시예 1, 실시예 2, 비교예 4, 및 비교예 5에 따른 표시 패널은 제1 내지 제3 발광 소자 상에 컬러 필터층을 포함하는 것으로, 컬러 필터층을 통해 제1 광, 제2 광, 또는 제3 광이 방출된 것이다. 제1 발광 소자 상에 배치된 제1 필터는 제1 광을 방출하고, 제2 발광 소자 상에 배치된 제2 필터는 제2 광을 방출하고, 제3 발광 소자 상에 배치된 제3 필터는 제3 광을 방출하는 것이다. 제1 내지 제3 광 각각은 청색 광, 적색 광, 또는 녹색 광이다.
표 1에서, 제1 구동 전압은 제1 내지 제3 발광 소자 중 청색 광이 방출된 필터에 대응하는 발광 소자에서 측정된 것이다. 제2 구동 전압은 제1 내지 제3 발광 소자 중 녹색 광이 방출된 필터에 대응하는 발광 소자에서 측정된 것이다. 제3 구동 전압은 제1 내지 제3 발광 소자 중 적색 광이 방출된 필터에 대응하는 발광 소자에서 측정된 것이다.
실시예 1 및 실시예 2는 두께가 192nm인 광학 보조층을 포함하는 표시 패널이다. 비교예 4 및 비교예 5는 광학 보조층을 미포함하는 표시 패널이다. 실시예 1 및 실시예 2는 두께가 192nm인 광학 보조층을 포함하여, 청색 광이 6차 공진하는 구조이다. 한편, 실시예 1 및 비교예 4는 두께가 60nm 인 캡핑층을 포함하는 표시 패널이고, 실시예 2 및 비교예 5는 두께가 40nm 인 캡핑층을 포함하는 표시 패널이다.
제1 구동 전압
청색 광, 색좌표 y
청색 광 효율

실시예 1
6.9
0.040
81.0

실시예 2
6.9
0.038
74.4

비교예 4
6.9
0.043
71.1

비교예 5
6.9
0.045
76.0


제2 구동 전압
녹색 광, 색좌표 x
녹색 광 효율

실시예 1
6.7
0.236
41.8

실시예 2
6.7
0.241
41.4

비교예 4
7.2
0.327
24.9

비교예 5
7.4
0.296
25.1


제3 구동 전압
적색 광, 색좌표 x
적색 광 효율

실시예 1
8.3
0.670
17.5

실시예 2
7.8
0.669
18.2

비교예 4
8.3
0.667
3.5

비교예 5
7.8
0.671
5.9


백색 광 효율
색일치율
(DCI, 1931)
색일치율
(sRGB, 1931)

실시예 1
13.0
100.0%
99.9%

실시예 2
12.8
100.0%
99.6%

비교예 4
6.6
86.4%
100.0%

비교예 5
9.1
86.6%
99.4%
표 1을 참조하면, 실시예 1 및 실시예 2는 비교예 4 및 비교예 5와 비교하여, 동등한 수준의 청색 광 효율, 및 상대적으로 우수한 녹색 광 효율, 적색 광 효율을 나타내는 것을 알 수 있다. 그 결과 실시예 1 및 실시예 2는 비교예 4 및 비교예 5와 비교하여 높은 백색 광 효율 및 높은 색 일치율을 나타내는 것을 알 수 있다. 이 결과는 도 8에 나타낸 그래프에서 적색 최고 피크(RP), 녹색 최고 피크(GP), 및 청색 최고 피크(BP) 각각에서 높은 발광 강도 나타내는 것에 대응한다. 즉 일 실시예의 표시 패널은 두께가 150nm 이상 200nm 이하인 광학 보조층을 포함함으로써 높은 표시 효율 및 표시 수명을 나타낼 수 있다. 또한, 일 실시예의 표시 패널은 두께가 150nm 이상 200nm 이하인 광학 보조층을 포함함으로써, 높은 색 일치율을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DP-CL: 회로층 DP-ED: 표시 소자층
ED-1, ED-2: 발광 소자 EL1-1, EL1-2: 제1 전극
HTR: 정공 수송 영역 EML-1, EML-2, EML-3: 발광층
ETR: 전자 수송 영역 EA: 발광 보조부
OAL: 광학 보조층 CDL: 도전층

Claims (22)

  1. 회로층;
    상기 회로층 상에 배치된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막에 의해 구분되며 백색 광을 방출하는 제1 내지 제3 발광 소자를 포함하는 표시 소자층을 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각은
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 광학 보조층;
    상기 광학 보조층 상에 배치된 도전층;
    상기 도전층 상에 배치된 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 제1 발광층;
    상기 제1 발광층 상에 배치된 발광 보조부;
    상기 발광 보조부 상에 배치되고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 생성하는 제2 발광층;
    상기 제1 발광층과 상기 발광 보조부 사이에 배치되거나, 또는 상기 발광 보조부와 상기 제2 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 광 및 상기 제2 광 각각과 상이한 제3 광을 생성하는 제3 발광층;
    상기 제2 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각에 포함된 상기 광학 보조층은 두께가 모두 동일한 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광학 보조층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 실리콘 나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 광학 보조층의 두께는 150nm 이상 200nm 이하인 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 광학 보조층을 커버하고,
    상기 도전층은 상기 제1 전극의 상면과 접촉하는 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전층, 상기 정공 수송 영역, 상기 발광 보조부, 및 상기 전자 수송 영역의 두께의 합은 50nm 이상 250nm 이하인 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 광 중 어느 하나의 광은 6차 공진을 하고, 다른 하나의 광은 4차 공진을 하고, 나머지 하나의 광은 3차 공진을 하는 표시 패널.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 화소 정의막은 상기 제1 전극과 이격되고, 상기 광학 보조층과 동일한 재료로 형성되는 표시 패널.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은 하나의 층(single layer)으로 제공되고,
    상기 회로층은 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극에 인접한 상기 화소 정의막으로부터 노출되는 노출 부분을 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은 상기 노출 부분과 접촉하는 표시 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자에 중첩하는 제1 필터, 상기 제2 발광 소자에 중첩하는 제2 필터, 및 상기 제3 발광 소자에 중첩하는 제3 필터를 포함하고, 상기 표시 소자층 상에 배치된 컬러 필터층을 더 포함하고,
    상기 제1 필터는 적색광을 투과시키고,
    상기 제2 필터는 녹색광을 투과시키고,
    상기 제3 필터는 청색광을 투과시키는 표시 패널.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광은 청색 광이고,
    상기 제2 광은 적색 광이고,
    상기 제3 광은 녹색 광인 표시 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 광 및 상기 제3 광 중 어느 하나는 적색 광이고, 나머지 하나는 녹색 광이고,
    상기 제2 광은 청색 광인 표시 패널.
  13. 표시 패널 및 상기 표시 패널과 대향하는 렌즈부를 포함하고,
    상기 표시 패널은 회로층 및 상기 회로층 상에 배치된 표시 소자층을 포함하고,
    상기 표시 소자층은
    상기 회로층 상에 배치된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막에 의해 구분되며 백색 광을 방출하는 제1 내지 제3 발광 소자를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각은
    제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 광학 보조층;
    상기 광학 보조층 상에 배치된 도전층;
    상기 도전층 상에 배치된 정공 수송 영역;
    상기 정공 수송 영역 상에 배치되고, 제1 광을 생성하는 제1 발광층;
    상기 제1 발광층 상에 배치된 발광 보조부;
    상기 발광 보조부 상에 배치되고, 상기 제1 광과 상이한 제2 광을 생성하는 제2 발광층;
    상기 제1 발광층과 상기 발광 보조부 사이에 배치되거나, 또는 상기 발광 보조부와 상기 제2 발광층 사이에 배치되고, 상기 제1 광 및 상기 제2 광 각각과 상이한 제3 광을 생성하는 제3 발광층;
    상기 제2 발광층 상에 배치된 전자 수송 영역; 및
    상기 전자 수송 영역 상에 배치된 제2 전극; 을 포함하는 전자 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광 소자 각각에 포함된 상기 광학 보조층은 두께가 모두 동일한 전자 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 광학 보조층은 실리콘 옥사이드, 실리콘 옥시나이트라이드, 및 실리콘 나이트라이드 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 광학 보조층의 두께는 150nm 이상 200nm 이하인 전자 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제1 광은 6차 공진을 하고,
    상기 제2 광은 4차 공진을 하고,
    상기 제3 광은 3차 공진을 하는 전자 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 화소 정의막은 상기 제1 전극과 이격되고, 상기 광학 보조층과 동일한 재료로 형성되는 전자 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 정공 수송 영역은 하나의 층(single layer)으로 제공되고,
    상기 회로층은 상기 제1 전극 및 상기 제1 전극에 인접한 상기 화소 정의막으로부터 노출되는 노출 부분을 포함하고,
    상기 정공 수송 영역은 상기 노출 부분과 접촉하는 전자 장치.
  20. 제13항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자에 중첩하는 제1 필터, 상기 제2 발광 소자에 중첩하는 제2 필터, 및 상기 제3 발광 소자에 중첩하는 제3 필터를 포함하고, 상기 표시 소자층 상에 배치된 컬러 필터층을 더 포함하고,
    상기 제1 필터는 적색 광을 투과시키고,
    상기 제2 필터는 녹색 광을 투과시키고,
    상기 제3 필터는 청색 광을 투과시키는 전자 장치.
  21. 제13항에 있어서,
    상기 제1 광은 청색 광이고,
    상기 제2 광은 적색 광이고,
    상기 제3 광은 녹색 광인 전자 장치.
  22. 제13항에 있어서,
    상기 제1 광 및 상기 제3 광 중 어느 하나는 적색 광이고, 나머지 하나는 녹색 광이고, 상기 제2 광은 청색 광인 전자 장치.

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