KR20230084399A - 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230084399A
KR20230084399A KR1020210172409A KR20210172409A KR20230084399A KR 20230084399 A KR20230084399 A KR 20230084399A KR 1020210172409 A KR1020210172409 A KR 1020210172409A KR 20210172409 A KR20210172409 A KR 20210172409A KR 20230084399 A KR20230084399 A KR 20230084399A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
sub
disposed
opening
Prior art date
Application number
KR1020210172409A
Other languages
English (en)
Inventor
성우용
송승용
윤관혁
이정석
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210172409A priority Critical patent/KR20230084399A/ko
Priority to US17/968,146 priority patent/US20230180530A1/en
Priority to CN202211533674.9A priority patent/CN116322123A/zh
Publication of KR20230084399A publication Critical patent/KR20230084399A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

일 실시예의 표시 장치는 베이스층, 베이스층 상에 배치된 회로층, 회로층 상에 배치되고, 무기 보호층 및 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하며, 회로층에 인접하며 무기 보호층을 노출시키는 제1 개구부 및 제1 개구부 상에서 유기층을 노출시키는 제2 개구부가 정의된 화소 정의막, 회로층 상에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치된 기능층, 및 기능층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광 소자, 및 화소 정의막 및 발광 소자를 커버하는 봉지층을 포함한다. 일 실시예에서, 봉지층은 제1 개구부 내에 배치된 발광 소자, 제1 개구부에서 노출된 무기 보호층, 및 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 커버하는 보조 전극층, 보조 전극층 상에 배치되는 봉지 유기막, 및 봉지 유기막 상에 배치된 상부 무기막을 포함하여 개선된 신뢰성을 나타낼 수 있다.

Description

표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 대한 것으로, 보다 상세하게는 봉지층으로 발광 소자를 보호하여 신뢰성을 개선한 표시 장치 및 이러한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 유기 전계 발광 재료 또는 양자점 발광 재료 등을 포함하여 제조될 수 있다. 이러한 발광 재료는 산소 및 수분 등의 외부 환경에 취약한 특징을 가지고 있어, 발광 재료를 보호하기 위한 기능층들을 필요로 한다.
한편, 이러한 기능층들을 형성하거나, 또는 표시 장치의 부재들을 제공하고 합착하는 등의 표시 장치 제조 공정 중 표시 장치 내부로 이물질이 유입될 수 있으며, 유입된 이물질로부터 야기된 크랙에 의해 발광 재료 등이 외부 환경에 노출될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자를 밀봉하기 위한 다양한 기술들을 필요로 한다. 그 중 발광 소자 상에 배치하여 공기 및 수분 등의 침투 경로를 차단하는 봉지층에 대한 개발이 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 발광 소자를 직접 커버하는 보조 전극층을 포함하여 신뢰성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 개구부 내에 배치된 발광 소자를 효과적으로 커버하는 보조 전극층을 형성하는 방법을 포함하는 표시 장치 제조 방법을 제공하는 것이다.
일 실시예는 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치된 회로층; 상기 회로층 상에 배치되고, 무기 보호층 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하며, 상기 회로층에 인접하며 상기 무기 보호층을 노출시키는 제1 개구부 및 상기 제1 개구부 상에서 상기 유기층을 노출시키는 제2 개구부가 정의된 화소 정의막; 상기 회로층 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 기능층, 및 상기 기능층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치된 봉지층; 을 포함하고, 상기 봉지층은 상기 제1 개구부 내에 배치된 상기 발광 소자, 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층, 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 커버하는 보조 전극층; 상기 보조 전극층 상에 배치되는 봉지 유기막; 및 상기 봉지 유기막 상에 배치된 상부 무기막; 을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 보조 전극층은 투명 금속 산화물을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극층은 인듐 전구체를 이용하여 원자층증착법(Atomic layer deposition)으로 형성될 수 있다.
상기 베이스층에 수직하는 단면 상에서 상기 제1 개구부의 폭은 상기 제1 개구부에 인접한 상기 제2 개구부의 폭보다 클 수 있다.
상기 기능층은 상기 제1 전극 상에 배치되고 상기 제1 개구부 내에 배치된 제1 서브 기능층; 및 상기 제1 서브 기능층과 단락되어 있고 상기 제2 개구부를 정의하는 상기 화소 정의막의 측면 및 상기 화소 정의막의 상면 상에 배치된 제2 서브 기능층; 을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 서브 기능층 상에 배치된 제1 서브 전극부; 및 상기 제1 서브 전극부와 단락되고 상기 제2 서브 기능층 상에 배치된 제2 서브 전극부; 를 포함할 수 있다.
상기 보조 전극층은 상기 제1 서브 전극부 및 상기 제2 서브 전극부 상에 직접 배치되고, 상기 제1 서브 전극부와 상기 제2 서브 전극부를 전기적으로 연결할 수 있다.
상기 제1 서브 기능층과 상기 제2 서브 기능층이 단락되고 상기 제1 서브 전극부와 상기 제2 서브 전극부가 단락된 부분에서 상기 무기 보호층이 노출되고, 상기 보조 전극층은 상기 제1 서브 전극부, 상기 제2 서브 전극부, 및 상기 단락된 부분에서 노출된 상기 무기 보호층을 커버할 수 있다.
상기 제1 서브 기능층은 순차적으로 적층된 정공 수송 영역, 발광층, 및 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 제2 서브 기능층은 상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 발광층을 미포함할 수 있다.
상기 제1 개구부 내에서, 상기 제1 전극의 엣지, 상기 제1 서브 기능층의 엣지, 및 상기 제1 서브전극부의 엣지가 중첩할 수 있다.
상기 제1 전극의 엣지, 상기 제1 서브 기능층의 엣지, 및 상기 제1 서브전극부의 엣지는 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층에 접할 수 있다.
상기 봉지층은 상기 보조 전극층과 상기 봉지 유기막 사이에 배치되고, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 하부 무기막을 더 포함할 수 있다.
상기 하부 무기막은 상기 보조 전극층을 커버할 수 있다.
상기 봉지층은 상기 보조 전극층과 상기 봉지 유기막 사이에 배치되고, 전도성 고분자를 포함하는 충전(filling) 전극층; 및 상기 충전 전극층 및 상기 봉지 유기막 사이에 배치되고, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 하부 무기막; 을 더 포함할 수 있다.
상기 충전 전극층은 PEDOT:PSS를 포함할 수 있다.
상기 충전 전극층은 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부의 일부를 충전할 수 있다.
상기 무기 보호층은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다.
상기 상부 무기막은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 봉지 유기막은 아크릴계 고분자를 포함하고, 상기 봉지 유기막은 상기 보조 전극층과 상기 상부 무기막 사이에서 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 충전할 수 있다.
상기 봉지 유기막은 전도성 고분자를 포함하는 충전 전극층이고, 상기 보조 전극층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 충전 전극층은 상기 보조 전극층과 상기 상부 무기막 사이에서 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 충전할 수 있다.
상기 베이스층에 수직하는 단면 상에서, 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 제1 전극의 상면에서 상기 무기 보호층의 하면까지의 제1 간격은 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층의 측면 엣지와 상기 제2 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층의 측면 엣지 사이의 제2 간격 이상일 수 있다.
상기 제1 간격과 상기 제2 간격은 1:1 내지 2:1의 비율일 수 있다.
일 실시예는 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치된 회로층; 상기 회로층 상에 배치되고, 무기 보호층 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하며 개구부가 정의된 화소 정의막; 상기 회로층 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 기능층, 및 상기 기능층 상에 배치된 제2 전극을 포함된 발광 소자; 및 상기 발광 소자 상에 배치된 봉지층; 을 포함하고, 상기 화소 정의막은 상기 회로층 상에 직접 배치된 제1 부분; 및 상기 회로층에서 두께 방향으로 이격되어 상기 제1 부분의 일 측에 배치되고, 상기 무기 보호층 및 상기 유기층을 노출시키는 상측 개구부를 정의하는 제2 부분; 및 상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에 배치되고, 상기 무기 보호층이 노출되는 하측 개구부를 정의하는 제3 부분; 을 포함하고, 상기 봉지층은 상기 하측 개구부 내에 배치된 상기 발광 소자, 상기 하측 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층, 및 상기 상측 개구부 내에 배치된 상기 발광 소자를 커버하는 보조 전극층; 상기 보조 전극층 상에 배치되는 봉지 유기막; 및 상기 봉지 유기막 상에 배치된 상부 무기막; 을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 화소 정의막은 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분으로 정의되고, 상기 제1 부분 방향으로 오목한 노치부를 포함할 수 있다.
상기 기능층은 상기 하측 개구부 내에 배치된 제1 서브 기능층; 및 상기 제1 서브 기능층과 단락되어 있고 상기 상측 개구부를 정의하는 상기 화소 정의막의 측면 및 상기 화소 정의막의 상면 상에 배치된 제2 서브 기능층; 을 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 제1 서브 기능층 상에 배치된 제1 서브 전극부; 및 상기 제1 서브 전극부와 단락되고 상기 제2 서브 기능층 상에 배치된 제2 서브 전극부; 를 포함할 수 있다.
상기 노치부에 상기 제1 전극의 엣지, 상기 제1 서브 기능층의 엣지, 및 상기 제1 서브 전극부의 엣지가 배치될 수 있다.
상기 제1 서브 기능층과 상기 제2 서브 기능층이 단락되고 상기 제1 서브 전극부와 상기 제2 서브 전극부가 단락된 부분에서 상기 무기 보호층이 노출되고, 상기 보조 전극층은 상기 제1 서브 전극부, 상기 제2 서브 전극부, 및 상기 단락된 부분에서 노출된 상기 무기 보호층을 커버할 수 있다.
다른 실시예는 회로층 상에 제1 전극 및 희생층을 패터닝하는 단계; 패터닝된 상기 희생층 상에 예비 무기 보호층을 제공하는 단계; 상기 희생층과 중첩하는 상기 예비 무기 보호층의 상면 일부가 노출되도록 상측 개구부가 정의된 유기층을 형성하는 단계; 상기 제1 전극과 중첩하는 상기 희생층이 노출되도록 상기 예비 무기 보호층을 패터닝하여 무기 보호층 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 상기 유기층을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계; 노출된 상기 희생층을 식각하여 상기 제1 전극의 상면 및 상기 무기 보호층을 노출시키는 하측 개구부를 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막 상에 기능층을 제공하는 단계; 상기 기능층 상에 제2 전극을 제공하는 단계; 및 상기 제2 전극 및 상기 하측 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층을 커버하도록 보조 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 표시 장치 제조 방법을 제공한다.
상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 원자층증착법을 이용하여 투명 금속 산화물을 포함하는 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 예비 무기 보호층을 제공하는 단계는 원자층증착법을 이용하여 실리콘나이트라이드를 포함하는 예비 무기 보호층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치는 보조 전극층을 봉지층으로 포함하여 발광 소자의 발광층 등을 개구부 내에서 충분히 커버함으로써 개선된 신뢰성을 나타낼 수 있다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 하측 개구부 내에 배치된 발광 소자 부분을 커버하는 보조 전극층을 형성하는 방법을 포함하여 우수한 신뢰성 특성을 갖는 표시 장치 제조에 사용될 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 일 실시예의 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 일 실시예의 표시 장치의 일 부분에 대한 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치 일 부분에 대한 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치 일 부분에 대한 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치 일 부분에 대한 단면도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계를 나타낸 순서도이다.
도 9a 내지 도 9h는 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계 중 일부를 개략적으로 도면들이다.
도 10a는 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 단계 중 일부를 나타낸 도면이다.
도 10b는 일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 단계 중 일부를 나타낸 도면이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
한편, 본 출원에서 "직접 배치"된다는 것은 층, 막, 영역, 판 등의 부분과 다른 부분 사이에 추가되는 층, 막, 영역, 판 등이 없는 것을 의미하는 것일 수 있다. 예를 들어, "직접 배치"된다는 것은 두 개의 층 또는 두 개의 부재들 사이에 접착 부재 등의 추가 부재를 사용하지 않고 배치하는 것을 의미하는 것일 수 있다.
동일한 도면 부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다. 본 명세서에서 "상에 배치되는" 것은 어느 하나의 부재의 상부뿐 아니라 하부에 배치되는 경우도 나타내는 것일 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어(기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 표시 장치(DD)의 일 실시예를 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 복수의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 서로 구분되는 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제1 발광 영역(PXA-R)은 적색광을 방출하는 적색 발광 영역이고, 제2 발광 영역(PXA-G)은 녹색광을 방출하는 녹색 발광 영역이며, 제3 발광 영역(PXA-B)은 청색광을 방출하는 청색 발광 영역일 수 있다.
제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 볼 때, 제1 내지 제3 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 서로 중첩하지 않고 구분된 것일 수 있다. 예를 들어, 이웃하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이에는 비발광 영역(NPXA)이 배치될 수 있다.
한편, 도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 또한 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 제1 내지 제3 방향으로 설명될 수 있으며, 동일한 도면 부호가 사용될 수 있다.
본 명세서에서는 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다.
표시 장치(DD)의 두께 방향은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향인 제3 방향축(DR3)과 나란한 방향일 수 있다. 본 명세서에서, 표시 장치(DD)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
도 1에서는 일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)이 스트라이프 형태로 배열된 것을 도시하였다. 즉, 도 1에 도시된 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 복수 개의 제1 발광 영역들(PXA-R), 복수 개의 제2 발광 영역들(PXA-G), 및 복수 개의 제3 발광 영역들(PXA-B)이 각각 제2 방향축(DR2)을 따라 정렬된 것일 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)을 따라 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)의 순서로 번갈아 가며 배열된 것일 수 있다.
한편, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 도 1에 도시된 것에 한정되지 않으며, 제1 발광 영역(PXA-R), 제2 발광 영역(PXA-G), 및 제3 발광 영역(PXA-B)이 배열되는 순서는 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 조합되어 제공될 수 있다. 예를 들어, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태는 펜타일(PENTILE®) 배열 형태이거나, 다이아몬드 배열 형태를 갖는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 복수 개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 서로 상이한 파장 영역의 광을 방출하는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적은 서로 상이할 수 있다. 이때 면적은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 동일한 면적을 가질 수 있다. 또한, 표시 장치(DD)에서 요구되는 표시 품질의 특성에 따라 다양하게 면적 비율이 조정될 수 있으며, 평면 상에서의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 형상도 다양하게 변형되어 제공될 수 있다
한편, 도 1에서는 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각이 평면 상에서 사각형 형태를 갖는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 평면 상에서 다각형, 원형, 등의 형상을 갖는 것일 수 있다.
도 2는 일 실시예의 표시 장치(DD)의 단면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다. 도 3은 도 2의 AA' 영역을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 패널(DP) 및 표시 패널(DP) 상에 배치된 광학층(OP)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)를 포함한다. 표시 장치(DD)는 화소 정의막(PDL)으로 구분되어 제1 내지 제3 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하는 복수 개의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함할 수 있다.
광학층(OP)은 표시 패널(DP) 상에 배치되어 외부광에 의한 표시 패널(DP)에서의 반사광을 제어할 수 있다. 광학층(OP)은 예를 들어, 편광층을 포함하는 것이거나 또는 컬러필터층을 포함하는 것일 수 있다. 광학층(OP)은 광제어 패널 또는 광제어 기판으로 지칭될 수 있다. 한편, 도면에 도시된 바와 달리 일 실시예의 표시 장치(DD)에서 광학층(OP)은 생략될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 입력 센서(미도시)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 입력 센서(미도시)는 표시 패널(DP) 및 광학층(OP) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 입력 센서(미도시)는 후술하는 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 회로층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-ED), 및 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(DP-ED)은 화소 정의막(PDL), 화소 정의막(PDL)으로 구분되는 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치(DD)에서 표시 패널(DP)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(DP)은 유기 전계 발광(Organic Electroluminescence) 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(DP)이 유기 전계 발광 표시 패널인 경우 표시 소자층(DP-ED)은 유기 전계 발광 소자를 포함하는 것일 수 있다.
하지만, 실시예가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 표시 소자층(DP-ED)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)로 퀀텀닷 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또한, 표시 소자층(DP-ED)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)로 마이크로 엘이디 소자 및/또는 나노 엘이디 소자 등을 포함할 수도 있다.
표시 패널(DP)에서 베이스층(BS)은 표시 소자층(DP-ED)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(BS)은 유리기판, 금속기판, 고분자기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 베이스층(BS)은 무기층, 기능층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(BS)은 다층구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(BS)은 고분자수지층, 접착층, 및 고분자 수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 고분자 수지층은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 고분자 수지층은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~계" 수지는 "~~"의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 베이스층(BS) 상에 배치되고, 회로층(DP-CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함하는 것일 수 있다. 트랜지스터들(미도시)은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 회로층(DP-CL)은 표시 소자층(DP-ED)의 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함하는 것일 수 있다.
회로층(DP-CL)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(BS) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝(patterning)될 수 있다. 이 후, 회로층(DP-CL)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다. 일 실시예에서 회로층(DP-CL)은 트랜지스터, 버퍼층 및 복수 개의 절연층들을 포함할 수 있다.
회로층(DP-CL) 상에 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)를 포함하는 표시 소자층(DP-ED)이 배치된다. 표시 소자층(DP-ED)은 개구부(OH)가 정의된 화소 정의막(PDL) 및 화소 정의막(PDL)으로 서로 구분되는 복수 개의 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)들을 포함하는 것일 수 있다.
발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각은 제1 전극(AE), 기능층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함하는 것일 수 있다. 도 3을 참조하면, 기능층(EL)은 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 한편, 도시되지는 않았으나, 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)는 제2 전극(CE) 상부에 배치된 캡핑층(미도시)을 더 포함할 수 있다.
도 3은 제1 발광 영역(PXA-R)에 대응하는 제1 발광 소자(ED-1)를 예시적으로 도시하였으나, 제1 발광 소자(ED-1)의 적층 구조는 제2 발광 소자(ED-2) 및 제3 발광 소자(ED-3)에도 동일하게 적용될 수 있다. 다만, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)의 기능층(EL)의 구성은 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3)은 서로 상이한 발광층(EML) 구성을 가질 수 있다.
발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하도록 분리되어 형성된 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)들 각각의 발광층(EML)은 모두 청색 광을 방출하는 것이거나 또는 서로 다른 파장 영역의 광을 방출할 수도 있다. 예를 들어, 제1 발광 소자(ED-1)의 발광층은 적색광을 방출하고, 제2 발광 소자(ED-2)의 발광층은 녹색광을 방출하며, 제3 발광 소자(ED-3)의 발광층은 청색광을 방출하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에서 방출되는 광의 파장은 표시 장치에서 요구되는 표시 품질에 따라 다양하게 조합될 수 있다.
이하, 도 3 등에 도시된 제1 발광 소자(ED-1)를 참조하여 설명하며, 제1 발광 소자(ED-1)에 대한 설명은 발광층의 구성을 제외하고는 제2 및 제3 발광 소자(ED-2, ED-3)에도 동일하게 적용될 수 있다.
발광 소자(ED-1)에서 제1 전극(AE)은 애노드(anode) 또는 캐소드(cathode)일 수 있다. 또한, 제1 전극(AE)은 화소 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)은 투과 전극, 반투과 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제1 전극(AE)이 투과 전극인 경우, 제1 전극(AE)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 제1 전극(AE)이 반투과 전극 또는 반사 전극인 경우, 제1 전극(AE)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Mo, Ti, W 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 제1 전극(AE)은 상기의 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(AE)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(AE)과 발광층(EML) 사이에 배치될 수 있다. 도시 되지는 않았으나, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N1,N1'-([1,1'-biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1-phenyl-N4,N4-di-m-tolylbenzene-1,4-diamine)), m-MTDATA(4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino] triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS(Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium [Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HATCN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorene)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수도 있다.
발광층(EML)은 정공 수송 영역(HTR) 상에 배치된다. 발광층(EML)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층(EML)은 형광 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예의 발광 소자에서 발광층(EML)은 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 플루오란텐 유도체, 크리센 유도체, 디하이드로벤즈안트라센 유도체, 또는 트리페닐렌 유도체를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 발광층(EML)은 금속 유기 착체를 발광 재료로 포함할 수 있다. 한편, 발광층(EML)은 발광 재료로 양자점을 포함할 수도 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 발광층(EML)과 제2 전극(CE) 사이에 배치될 수 있다. 도시 되지는 않았으나, 전자 수송 영역(ETR)은 전자 주입층, 전자 수송층, 및 정공 저지층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
전자 수송 영역(ETR)은 예를 들어, Alq3(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum), 1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene, 2,4,6-tris(3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine, 2-(4-(N-phenylbenzoimidazol-1-yl)phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene, TPBi(1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene), BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum), Bebq2(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), BmPyPhB(1,3-Bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것일 수 있다.
또한, 전자 수송 영역(ETR)은 LiF, NaCl, CsF, RbCl, RbI, CuI, KI와 같은 할로겐화 금속, Yb와 같은 란타넘족 금속, 또한 상기의 할로겐화 금속과 란타넘족 금속의 공증착 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역(ETR)은 공증착 재료로 KI:Yb, RbI:Yb 등을 포함할 수 있다. 한편, 전자 수송 영역(ETR)은 Li2O, BaO 와 같은 금속 산화물, 또는 Liq(8-hydroxyl-Lithium quinolate) 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송 영역(ETR)은 또한 전자 수송 물질과 절연성의 유기 금속염(organo metal salt)이 혼합된 물질로 이루어질 수 있다.
제2 전극(CE)은 전자 수송 영역(ETR) 상에 제공된다. 제2 전극(CE)은 공통 전극일 수 있다. 제2 전극(CE)은 캐소드(cathode) 또는 애노드(anode)일 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 전극(AE)이 애노드인 경우 제2 전극(CE)은 캐소드일 수 있고, 제1 전극(AE)이 캐소드인 경우 제2 전극(CE)은 애노드일 수 있다.
제2 전극(CE)은 투과 전극, 반투과 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 제2 전극(CE)이 투과 전극인 경우, 제2 전극(CE)은 투명 금속 산화물, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
화소 정의막(PDL)은 무기 보호층(BFL) 및 유기층(OL)을 포함하는 것일 수 있다. 무기 보호층(BFL)은 회로층(DP-CL)에 인접하여 배치되고, 유기층(OL)은 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 것일 수 있다.
무기 보호층(BFL)은 화소 정의막(PDL)의 하면을 정의하는 것일 수 있다. 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부(OH) 일부에서 무기 보호층(BFL)은 발광 소자(ED-1)와 유기층(OL) 사이에 배치되어 발광 소자(ED-1)를 보호하는 것일 수 있다. 무기 보호층(BFL)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥사이드, 또는 실리콘옥시나이트라이드 등을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 무기 보호층(BFL)은 실리콘나이트라이드를 성막 후 식각하여 형성된 것일 수 있다.
한편, 일 실시예에서 무기 보호층(BFL)은 원자층증착법(Atomic layer deposition)으로 형성된 것일 수 있다. 무기 보호층(BFL)은 실리콘나이트라이드 등의 무기 재료를 이용하여 원자층증착법으로 형성될 수 있다.
유기층(OL)은 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 것일 수 있다. 유기층(OL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 유기층(OL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 유기층(OL)은 고분자 수지 이외에 무기물을 더 포함하여 형성될 수 있다. 한편, 유기층(OL)은 광흡수 물질을 포함하여 형성되거나, 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성될 수 있다. 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함하여 형성된 화소 정의막(PDL)은 블랙화소정의막을 구현할 수 있다. 화소 정의막(PDL) 형성 시 블랙 안료 또는 블랙 염료로는 카본 블랙 등이 사용될 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 정의막(PDL)에는 개구부(OH)가 정의될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 회로층(DP-CL)에 인접한 제1 개구부(OH-L) 및 제1 개구부(OH-L) 상에 위치하는 제2 개구부(OH-U)가 정의될 수 있다. 한편, 본 명세서에서 제1 개구부(OH-L)는 하측 개구부로 명칭되고, 제2 개구부(OH-U)는 상측 개구부로 명칭될 수 있다.
제1 개구부(OH-L)에서 무기 보호층(BFL)이 노출되고 제2 개구부(OH-U)에서 유기층(OL)이 노출될 수 있다. 한편, 제1 개구부(OH-L)에 인접한 제2 개구부(OH-U) 하측에서는 무기 보호층(BFL)이 일부 노출될 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)에서 제1 개구부(OH-L) 내에 제1 전극(AE), 기능층(EL), 및 제2 전극(CE)이 배치될 수 있다. 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 제1 전극(AE), 기능층(EL), 및 제2 전극(CE)은 무기 보호층(BFL) 및 후술하는 보조 전극층(AED1)으로 커버되어 보호될 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 부분을 나타낸 단면도이다. 도 4에서는 설명의 편의를 위하여 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 배치된 회로층(DP-CL), 회로층(DP-CL) 상에 배치된 화소 정의막(PDL), 및 회로층(DP-CL) 상에 배치된 제1 전극(AE)의 부분만 도시하였다.
도 4를 참조하면, 제1 방향축(DR1)과 제3 방향축(DR3)이 정의하는 평면 상에서 화소 정의막(PDL)은 회로층(DP-CL)에 인접한 하측 부분에 언더컷(Undercut)된 형상의 노치부(NT)를 갖는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 베이스층(BS)에 수직하는 단면 상에서 제1 개구부(OH-L)의 폭(WOH-L)은 제1 개구부(OH-L)에 인접한 제2 개구부(OH-U)의 폭(WOH-U) 보다 큰 것일 수 있다. 제1 개구부(OH-L)의 폭(WOH-L)은 제1 개구부(OH-L) 전 영역에서 실질적으로 동일하고, 제2 개구부(OH-U)의 폭(WOH-U)은 두께 방향인 제3 방향축(DR3) 방향으로 갈수록 점차적으로 증가될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)은 언더컷된 형상의 노치부(NT)를 포함하여, 노치부(NT) 내에 제1 전극(AE), 기능층(EL), 및 제2 전극(CE)의 엣지가 배치되도록 하여 발광 영역 내의 발광 소자의 구성들을 무기 보호층(BFL) 등을 이용하여 효과적으로 보호할 수 있다.
한편, 화소 정의막(PDL)에서 노치부(NT)를 정의하는 부분의 두께 방향인 제3방향축(DR3) 방향의 간격인 제1 간격(dTP)은 너비 방향인 제1 방향축(DR1) 방향의 간격인 제2 간격(WTP) 이상일 수 있다. 즉, 베이스층(BS)에 수직하는 단면 상에서 제1 개구부(OH-L)에서 노출된 제1 전극(AE)의 상면에서 무기 보호층(BFL)의 하면까지의 제1 간격(dTP)은 제1 개구부(OH-L)에서 노출된 무기 보호층(BFL)의 측면 엣지와 제2 개구부(OH-U)에서 노출된 무기 보호층(BFL)의 측면 엣지 사이의 제2 간격(WTP) 이상일 수 있다. 예를 들어, 제1 간격(dTP)이 제2 간격(WTP) 보다 큰 것일 수 있다. 제1 간격(dTP)이 제2 간격(WTP) 이상이 되도록 노치부(NT)가 형성된 경우에 있어서 제1 개구부(OH-L) 내에 발광 소자의 기능층(EL) 및 제2 전극(CE)의 증착이 용이하게 이루어질 수 있다.
제1 간격(dTP)과 제2 간격(WTP)은 1:1 내지 2:1의 비율을 가질 수 있다. 제1 간격(dTP)은 1.0㎛이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 간격(dTP)은 0.6㎛이하일 수 있다. 한편, 제1 간격(dTP)의 높이와 제2 간격(WTP)의 폭은 갖는 노치부(NT) 부분은 후술하는 일 실시예의 표시 장치 제조 방법에서 제공된 희생층(SL, 도 8a)의 높이 및 폭에 의해 결정될 수 있다.
일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)은 회로층(DP-CL) 상에 직접 배치된 제1 부분(PT1), 회로층(DP-CL)에서 두께 방향으로 이격되어 제1 부분(PT1)의 일측에 배치된 제2 부분(PT2), 및 제1 부분(PT1)과 제2 부분(PT2) 사이에 배치된 제3 부분(PT3)을 포함할 수 있다.
제1 부분(PT1)은 회로층(DP-CL) 상에 직접 배치된 무기 보호층(BFL) 및 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 유기층(OL)을 포함하며, 개구부(OH)에서 노출되지 않는 부분일 수 있다.
제2 부분(PT2)은 제2 개구부(OH-U)를 정의하는 화소 정의막 측면을 포함하는 부분일 수 있다. 즉, 제2 부분(PT2)은 무기 보호층(BFL) 및 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 유기층(OL)을 포함하며 무기 보호층(BFL) 및 유기층(OL)을 노출시키는 상측 개구부(OH-U)를 정의할 수 있다.
제3 부분(PT3)은 제1 부분(PT1)과 제2 부분(PT2) 사이에 배치되고, 무기 보호층(BFL)이 노출되는 제1 개구부(OH-L)를 정의하는 것일 수 있다. 즉, 제3 부분(PT3)은 무기 보호층(BFL) 및 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 유기층(OL)을 포함하며 무기 보호층(BFL)을 노출시키는 하측 개구부(OH-L)를 정의할 수 있다.
일 실시예에서, 화소 정의막(PDL)의 하측에 정의된 노치부(NT)는 제2 부분(PT2) 및 제3 부분(PT3)으로 정의될 수 있다. 즉, 노치부(NT)는 제2 부분(PT2)과 제3 부분(PT3)의 무기 보호층(BFL)으로 정의되며, 노치부(NT)는 제1 부분(PT1) 방향으로 오목한 것일 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 일 실시예에서 발광 소자(ED-1)의 기능층(EL)은 제1 서브 기능층(EL-a) 및 제2 서브 기능층(EL-b)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 기능층(EL-a)은 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 부분이고, 제2 서브 기능층(EL-b)은 제1 서브 기능층(EL-a)에서 연결되지 않고 단락 되며 제1 개구부(OH-L) 이외의 부분에 배치된 부분일 수 있다. 제2 서브 기능층(EL-b)은 제2 개구부(OH-U)를 정의하는 화소 정의막(PDL)의 측면 및 화소 정의막(PDL)의 상면 상에 배치되는 것일 수 있다.
제1 서브 기능층(EL-a)은 순차적으로 적층된 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 서브 기능층(EL-b)은 정공 수송 영역(HTR) 및 전자 수송 영역(ETR)을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 제2 서브 기능층(EL-b)은 발광층(EML)을 미포함하는 것일 수 있다. 하지만 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 서브 기능층(EL-b)은 제1 서브 기능층(EL-a)의 발광층(EML)과 단락된 발광층(EML) 일부를 포함할 수 있다.
하측에 언더컷 형상을 갖는 화소 정의막(PDL)에 의해 기능층(EL) 증착 시 노치부(NT) 일부에서 기능층(EL)이 제공되지 않는 부분이 발생될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 기능층(EL-a)과 제2 서브 기능층(EL-b) 사이에 단락된 부분일 있을 수 있다. 제1 서브 기능층(EL-a)의 엣지(ED-EL) 부분은 제1 개구부(OH-L)에서 노출되는 무기 보호층(BFL)에 접하며, 제1 서브 기능층(EL-a)은 무기 보호층(BFL)으로 보호될 수 있다.
일 실시예에서 발광 소자(ED-1)의 제2 전극(CE)은 제1 서브 전극부(CE-a) 및 제2 서브 전극부(CE-b)를 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 전극부(CE-a)는 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 부분이고, 제2 서브 전극부(CE-b)는 제1 서브 전극부(CE-a)에서 연결되지 않고 단락 되며 제1 개구부(OH-L) 이외의 부분에 배치된 부분일 수 있다. 제2 서브 전극부(CE-b)는 제2 개구부(OH-U)를 정의하는 화소 정의막(PDL)의 측면 및 화소 정의막(PDL)의 상면 상에 배치되는 것일 수 있다. 제1 서브 전극부(CE-a)는 제1 서브 기능층(EL-a) 상에 배치되고, 제2 서브 전극부(CE-b)는 제2 서브 기능층(EL-b) 상에 배치된 것일 수 있다.
하측에 언더컷 형상을 갖는 화소 정의막(PDL)에 의해 제2 전극(CE) 증착 시 노치부(NT) 일부에서 제2 전극(CE)이 제공되지 않는 부분이 발생될 수 있다. 이에 따라, 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b) 사이에 단락된 부분이 있을 수 있다. 제1 서브 전극부(CE-a)의 엣지(ED-CE) 부분은 제1 개구부(OH-L)에서 노출되는 무기 보호층(BFL)에 접하며, 제1 서브 전극부(CE-a)의 엣지(ED-CE) 부분은 무기 보호층(BFL)으로 보호될 수 있다.
한편, 제1 서브 기능층(EL-a)과 제2 서브 기능층(EL-b)이 단락되고, 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b)가 단락된 부분에서 무기 보호층(BFL)이 노출될 수 있다. 노출된 무기 보호층(BFL)은 후술하는 보조 전극층(AED1)로 커버될 수 있다. 일 실시예에서, 보조 전극층(AED1)은 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 발광 소자의 구성들 및 제1 개구부(OH-L) 이외의 영역에 배치된 발광 소자의 구성들과 화소 정의막의 구성들을 전체적으로 커버하는 것일 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B, 도 1) 및 비발광 영역(NPXA, 도 1) 전체에 공통층으로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 개구부(OH-L) 내에서 제1 전극(AE)의 엣지(ED-AE), 제1 서브 기능층(EL-a)의 엣지(ED-EL), 및 제1 서브 전극부(CE-a)의 엣지(ED-CE)는 중첩하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(AE)의 엣지(ED-AE), 제1 서브 기능층(EL-a)의 엣지(ED-EL), 및 제1 서브 전극부(CE-a)의 엣지(ED-CE)는 일치되는 것일 수 있다. 제1 전극(AE)의 엣지(ED-AE), 제1 서브 기능층(EL-a)의 엣지(ED-EL), 및 제1 서브 전극부(CE-a)의 엣지(ED-CE)는 제1 개구부(OH-L)에서 노출된 무기 보호층(BFL)에 접하는 것일 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 및 화소 정의막(PDL)을 커버하는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 봉지층(TFE)은 수분 및 산소로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호하는 것일 수 있다. 또한, 봉지층(TFE)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-ED)을 보호할 수 있다.
일 실시예에서 봉지층(TFE)은 보조 전극층(AED1), 봉지 무기막(MN), 및 상부 무기막(IL2)을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서, 보조 전극층(AED1)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 및 화소 정의막(PDL)을 커버하며 배치되고, 상부 무기막(IL2)은 보조 전극층(AED1) 상부에 배치되고, 봉지 유기막(MN)은 보조 전극층(AED1)과 상부 무기막(IL2) 사이를 충전(filling)하며 배치되는 것일 수 있다.
보조 전극층(AED1)은 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3), 제1 개구부(OH-L)에서 노출된 무기 보호층(BFL), 및 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 유기층(OL)을 커버하는 것일 수 있다.
보조 전극층(AED1)는 투명 금속 산화물을 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 보조 전극층(AED1)은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것일 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 원자층증착법(Atomic layer deposition)으로 제공되는 것일 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 인듐 전구체(Indium Precursor)를 이용하여 원자층증착법으로 형성될 수 있다.
본 명세서에서는 보조 전극층(AED1)이 단일층인 경우를 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 보조 전극층(AED1)은 복수의 층으로 제공될 수 있다. 복수의 층으로 제공되는 보조 전극층(AED1) 각각의 층은 원자층증착법으로 형성될 수 있다.
보조 전극층(AED1)은 수분/산소 등으로부터 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)를 보호하는 베리어층의 기능을 하는 것일 수 있다. 또한, 보조 전극층(AED1)은 제2 전극(CE)과 전기적으로 연결된 것일 수 있다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 보조 전극층(AED1)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 및 화소 정의막(PDL) 전체를 커버하도록 제공되며, 이에 따라 서로 단락된 제2 전극(CE)의 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b)를 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 보조 전극층(AED1)은 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b) 각각 및 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b)가 단락된 부분에도 제공되어 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b)가 서로 전기적으로 연결되도록 할 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 제2 전극(CE)의 전기적 연결뿐 아니라 제2 전극(CE)의 저항을 감소 시키는 역할을 할 수도 있다.
보조 전극층(AED1)은 제1 서브 전극부(CE-a), 제2 서브 전극부(CE-b), 및 단락된 부분에서 노출된 무기 보호층(BFL)을 커버하는 것일 수 있다. 또한, 보조 전극층(AED1)은 제1 서브 기능층(EL-a) 및 제2 서브 기능층(EL-b)과도 중첩되도록 제공되어 제1 서브 기능층(EL-a) 및 제2 서브 기능층(EL-b) 등의 발광 소자의 구성을 효과적으로 보호할 수 있다.
또한, 일 실시예에서 보조 전극층(AED1)은 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 캡핑층의 기능을 할 수 있다. 제2 전극(CE) 상에 배치된 보조 전극층(AED1)은 1.8 내지 1.9의 굴절률 값을 가지며 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)에서의 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.
일 실시예의 표시 장치(DD)의 경우 발광 영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하여 배치된 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)의 기능층(EL) 및 제2 전극(CE)의 구성들이 언더컷 형상을 갖도록 제공된 화소 정의막(PDL)의 제1 개구부(OH-L) 내에 배치되어 무기 보호층(BFL) 및 보조 전극층(AED1)으로 완전히 커버되어 보호될 수 있다. 즉, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 언더컷 형상을 갖는 화소 정의막(PDL) 및 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3) 전체를 커버하도록 제공되는 보조 전극층(AED1)을 포함하여 발광 소자를 효과적으로 봉지함으로써 우수한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
일 실시예에서, 보조 전극층(AED1)은 원자층증착법으로 제공되며 이에 따라 종래의 증착법으로 제공되는 경우와 비교하여 언더컷 부분을 갖는 화소 정의막(PDL)의 형상을 따라 보조 전극층(AED1)이 제공될 수 있다. 이에 따라, 보조 전극층(AED1)은 발광 소자를 전체적으로 커버하여 봉지함으로써 일 실시예의 표시 장치는 우수한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
봉지 유기막(MN)은 유기 고분자 물질을 포함하여 형성된 것일 수 있다. 예를 들어, 봉지 유기막(MN)은 아크릴레이트계 수지 등으로부터 형성된 것이 수 있다. 봉지 유기막(MN)은 아크릴레이트계 고분자룰 포함하는 것일 수 있다. 봉지 유기막(MN)의 두께는 이웃하는 보조 전극층(AED1) 및 상부 무기막(IL2)의 두께 보다 상대적으로 두꺼운 것일 수 있다.
봉지층(TFE)에서 상부 무기막(IL2)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에서 상부 무기막(IL2)은 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 더 포함할 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2 내지 도 4 등을 참조하여 설명한 일 실시예의 표시 장치(DD)는 제1 개구부(OH-L) 및 제2 개구부(OH-U)가 정의된 화소 정의막(PDL)을 포함하고, 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 발광 소자(ED-1, ED-2, ED-3)가 보조 전극층(AED1)으로 커버되어 보호될 수 있어 우수한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다. 즉, 일 실시예의 표시 장치(DD)는 제1 개구부(OH-L) 내에 발광 소자들(ED-1, ED-2, ED-3) 각각의 일부가 배치되어 보조 전극층(AED1)으로 커버됨으로써 봉지층(TFE)의 일부에 도입될 수 있는 이물이나 이에 따른 봉지층(TFE) 수축 등에 의한 봉지 불량 전파가 감소되어 우수한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
이하, 도 5 내지 7 등을 참조하여 일 실시예의 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 5 내지 도 7에 도시된 일 실시예의 표시 장치에 대한 설명에 있어서 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 부분과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 5 내지 도 7은 각각 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다. 도 5 내지 도 7은 각각 도 2의 AA' 영역에 대응하는 부분을 예시적으로 나타낸 것이다.
도 5를 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD-a)는 표시 소자층(DP-ED) 및 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 봉지층(TFE-a)을 포함하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE-a)은 보조 전극층(AED1), 하부 무기막(IL1), 봉지 유기막(MN), 및 상부 무기막(IL2)을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-a)은 도 3 등에서 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)과 비교하여 하부 무기막(IL1)을 더 포함하는 것에서 차이가 있다.
하부 무기막(IL1)은 보조 전극층(AED1)과 봉지 유기막(MN) 사이에 배치되는 것일 수 있다. 하부 무기막(IL1)은 보조 전극층(AED1)의 형상을 추종하며 제공된 것일 수 있다. 하부 무기막(IL1)은 보조 전극층(AED1)을 커버하는 것일 수 있다.
하부 무기막(IL1)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 일 실시예에서 하부 무기막(IL1)은 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 더 포함할 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서 봉지 유기막(MN)은 하부 무기막(IL1)과 상부 무기막(IL2) 사이를 충전하는 것일 수 있다. 봉지 유기막(MN)은 제1 개구부(OH-L) 일부 및 제2 개구부(OH-U)를 충전하는 것일 수 있다.
도 5를 참조하면, 하부 무기막(IL1)은 제1 개구부(OH-L) 내에서 노출된 보조 전극층(AED1)을 커버하는 것일 수 있다. 일 실시예의 표시 장치(DD-a)는 봉지층(TFE-a)에 보조 전극층(AED1) 및 하부 무기막(IL1)을 포함하여, 특히 제1 개구부(OH-L) 내에 배치된 발광 소자(ED-1) 구성의 일부를 전체적으로 커버함으로써 발광 소자(ED-1)를 효과적으로 보호하여 개선된 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
도 6을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD-b)는 표시 소자층(DP-ED) 및 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 봉지층(TFE-b)을 포함하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE-b)은 보조 전극층(AED1), 충전(filling) 전극층(AED2), 하부 무기막(IL1), 봉지 유기막(MN), 및 상부 무기막(IL2)을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-b)은 도 3에서 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)과 비교하여 충전 전극층(AED2) 및 하부 무기막(IL1)을 더 포함하는 것에서 차이가 있다.
일 실시예에 따른 봉지층(TFE-b)은 보조 전극층(AED1)과 봉지 유기막(MN) 사이에 배치된 충전 전극층(AED2)을 포함할 수 있다. 충전 전극층(AED2)은 전도성 고분자 재료를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 충전 전극층(AED2)은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate)를 포함하는 것일 수 있다.
충전 전극층(AED2)은 보조 전극층(AED1) 상에 배치되어 제1 개구부(OH-L) 및 제2 개구부(OH-U)의 일부를 충전하는 것일 수 있다. 이때, 봉지층(TFE-b)에 포함된 봉지 유기막(MN)은 도 3 등에서 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)과 비교하여 제1 개구부(OH-L)에 배치되지 않고, 제2 개구부(OH-U) 일부를 충전하며 배치될 수 있다. 충전 전극층(AED2)의 두께는 보조 전극층(AED1)의 두께보다 두꺼운 것일 수 있다.
충전 전극층(AED2)은 보조 전극층(AED1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 충전 전극층(AED2)은 보조전극의 기능을 하는 것일 수 있다. 예를 들어, 충전 전극층(AED2)은 보조 전극층(AED1)과 전기적으로 연결되어 제2 전극(CE)의 저항을 감소 시키는 역할을 할 수도 있다.
또한, 도 6에 도시된 일 실시예에서 봉지층(TFE-b)은 하부 무기막(IL1)을 더 포함할 수 있다. 하부 무기막(IL1)은 충전 전극층(AED2)과 봉지 유기막(MN) 사이에 배치된 것일 수 있다. 하부 무기막(IL1)은 충전 전극층(AED2) 및 보조 전극층(AED1)을 커버하는 것일 수 있다.
일 실시예에서, 하부 무기막(IL1)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 하부 무기막(IL1)은 티타늄옥사이드, 또는 알루미늄옥사이드 등을 더 포함할 수 있으나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7을 참조하면, 일 실시예의 표시 장치(DD-c)는 표시 소자층(DP-ED) 및 표시 소자층(DP-ED) 상에 배치된 봉지층(TFE-c)을 포함하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE-c)은 보조 전극층(AED1), 충전 전극층(AED2), 및 상부 무기막(IL2)을 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-c)은 도 3 등에서 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)과 비교하여 봉지 유기막(MN)이 충전 전극층(AED2)으로 대체된 것에서 차이가 있다.
즉, 도 7에 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-c)은 봉지 유기막에 대응하는 구성으로 전도성 고분자를 포함하는 충전 전극층(AED2)을 포함하는 것일 수 있다. 충전 전극층은 PEDOT:PSS를 포함하는 것일 수 있다.
충전 전극층(AED2)은 보조 전극층(AED1)과 상부 무기막(IL2) 사이에서 제1 개구부(OH-L) 및 제2 개구부(OH-U)를 충전하는 것일 수 있다. 충전 전극층(AED2)은 보조 전극층(AED1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 충전 전극층(AED2)은 보조전극의 기능을 하는 것일 수 있다. 예를 들어, 충전 전극층(AED2)은 보조 전극층(AED1)과 전기적으로 연결되어 제2 전극(CE)의 저항을 감소 시키는 역할을 할 수도 있다.
상술한 도 5 내지 도 7에 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치는 언더컷 형상을 갖는 화소 정의막을 포함하고, 언더컷 부분에 배치된 발광 소자의 구성들을 보조 전극층 등으로 효과적으로 커버할 수 있다. 이에 따라, 봉지층 일부에 불량이 야기된 경우에도 불량 부분이 이웃하는 발광 영역으로 전파되지 않고 화소 정의막 하측의 언더컷 부분에 배치된 발광 소자가 보조 전극층 등으로 보호되어 표시 장치가 개선된 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다.
이하 도 8 내지 도 10b 등을 참조하여 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 8 내지 도 10b 등을 참조하여 설명하는 일 실시예의 표시 장치의 제조 방법에 대한 설명에 있어서, 도 1 내지 도 7에서 설명한 일 실시예의 표시 장치에 대한 설명과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며 차이점을 위주로 설명한다.
도 8은 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계를 나타낸 순서도이다. 도 9a 내지 도 9h는 각각 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계 중 일부를 개략적으로 나타낸 도면들이다. 도 9a 내지 도 9h로 도시된 일 실시예에 따른 표시 장치 제조 방법의 단계들은 순차적으로 진행되는 단계들일 수 있다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 제1 전극 및 희생층을 패터닝하는 단계(S100), 예비 무기 보호층을 제공하는 단계(S200), 예비 무기 보호층의 상면 일부가 노출되도록 상측 개구부가 정의된 유기층을 형성하는 단계(S300), 예비 무기 보호층을 패터닝하여 무기 보호층 및 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계(S400), 희생층을 식각하여 제1 전극의 상면 및 무기 보호층을 노출시키는 하측 개구부를 형성하는 단계(S500), 제1 전극 및 화소 정의막 상에 기능층을 제공하는 단계(S600), 기능층 상에 제2 전극을 제공하는 단계(S700), 및 제2 전극 및 상기 하측 개구부에서 노출된 무기 보호층을 커버하도록 보조 전극층을 형성하는 단계(S800)를 포함하는 것일 수 있다.
도 9a는 제1 전극 및 희생층을 패터닝하는 단계(S100)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9a를 참조하면, 베이스층(BS) 상에 회로층(DP-CL)이 배치되고, 회로층(DP-CL) 상에 패터닝된 제1 전극(AE) 및 희생층(SL)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 희생층(SL)은 IZO(Indium Zinc Oxide) 및 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(AE) 및 희생층(SL)은 동일한 공정에서 패터닝될 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며 제1 전극(AE)의 패터닝 후 희생층(SL)이 제1 전극(AE)의 형상에 대응하도록 패터닝될 수도 있다.
도 9b는 예비 무기 보호층을 제공하는 단계(S200)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9b를 참조하면, 예비 무기 보호층(P-BFL)은 희생층(SL) 상에 배치될 수 있다. 예비 무기 보호층(P-BFL)은 회로층(DP-CL) 전체적으로 중첩하도록 제공되고, 패터닝된 제1 전극(AE) 및 희생층(SL)을 커버하도록 제공될 수 있다.
예를 들어, 예비 무기 보호층(P-BFL)은 실리콘나이트라이드를 성막하여 제공될 수 있다. 예비 무기 보호층(P-BFL)은 실리콘나이트라이드를 증착하여 형성될 수 있다. 또한, 예비 무기 보호층(P-BFL)은 원자층증착법을 이용하여 제공될 수 있다. 예를 들어, 예비 무기 보호층을 제공하는 단계(S200)는 원자층증착법을 이용하여 실리콘나이트라이드를 포함하는 예비 무기 보호층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 9c는 예비 무기 보호층의 상면 일부가 노출되도록 상측 개구부가 정의된 유기층을 형성하는 단계(S300)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9c를 참조하면, 유기층(OL)은 예비 무기 보호층(P-BFL) 상에 제공될 수 있다. 유기층(OL)은 상측 개구부(OH-U)가 정의되도록 패터닝될 수 있다. 유기층(OL)은 고분자 수지로 형성된 것일 수 있다. 유기층(OL)에 정의된 상측 개구부(OH-U)에서 예비 무기 보호층(P-BFL)의 상면 일부가 노출될 수 있다. 또한, 상측 개구부(OH-U)에서 노출되지 않는 예비 무기 보호층(P-BFL)은 유기층(OL) 하측에 배치될 수 있다. 한편, 제1 전극(AE) 및 희생층(SL)의 엣지는 유기층(OL)과 중첩하는 것일 수 있다.
도 9d는 예비 무기 보호층을 패터닝하여 무기 보호층 및 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계(S400)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9d를 참조하면, 예비 무기 보호층을 패턴닝하여 무기 보호층(BFL)이 형성되고 예비 무기 보호층(P-BFL, 도 9c)이 제거된 이후 상측 개구부(OH-U)에서 희생층(SL)의 상면이 노출될 수 있다. 한편, 화소 정의막(PDL)은 무기 보호층(BFL) 및 무기 보호층(BFL) 상에 배치된 유기층(OL)을 포함하도록 형성될 수 있다.
도 9e는 희생층을 식각하여 제1 전극의 상면 및 무기 보호층을 노출시키는 하측 개구부를 형성하는 단계(S500)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9e를 참조하면, 도 9d에 도시된 화소 정의막을 형성하는 단계(S400)에서 노출되었던 희생층(SL)이 식각되어 제거되고, 희생층(SL)이 배치되었던 부분에 하측 개구부(OH-L)가 정의될 수 있다. 하측 개구부(OH-L)는 무기 보호층(BFL) 및 제1 전극(AE)으로 정의될 수 있다. 하측 개구부(OH-L)에서 화소 정의막(PDL)의 무기 보호층(BFL) 일부가 노출되고, 제1 전극(AE)의 상면이 노출될 수 있다.
노출되는 무기 보호층(BFL) 사이의 간격으로 정의되는 하측 개구부(OH-L)의 폭(WOH-L)은 노출되는 무기 보호층(BFL) 사이의 간격으로 정의되는 상측 개구부(OH-U)의 폭(WOH-U) 보다 큰 것일 수 있다. 즉, 하측 개구부를 형성하는 단계(S500)에 의해 화소 정의막(PDL)의 하측 부분이 언더컷 형상을 갖도록 형성될 수 있다.
도 9f는 제1 전극 및 화소 정의막 상에 기능층을 제공하는 단계(S600)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9f에서 도시된 기능층을 제공하는 단계(S600)에서 정공 수송 영역(HTR, 도 3), 발광층(EML, 도 3), 및 전자 수송 영역(ETR, 도 3)이 순차적으로 제공될 수 있다.
한편, 기능층을 제공하는 단계(S600)에서 제공되는 기능층(EL)은 제1 서브 기능층(EL-a) 및 제2 서브 기능층(EL-b)을 포함할 수 있다. 제1 서브 기능층(EL-a)과 제2 서브 기능층(EL-b)은 서로 단락된 것일 수 있다. 하측 개구부(OH-L) 내에 기능층(EL)이 미배치된 부분이 있을 수 있다. 기능층(EL)이 미배치된 부분에서 무기 보호층(BFL)이 노출될 수 있다. 제1 서브 기능층(EL-a)은 하측 개구부(OH-L) 내에서 제1 전극(AE) 상에 배치되고, 제2 서브 기능층(EL-b)은 제1 서브 기능층(EL-a)과 이격되어 화소 정의막(PDL)의 측면 및 상면을 커버하며 배치될 수 있다. 한편, 제1 서브 기능층(EL-a)은 정공 수송 영역, 발광층, 전자 수송 영역을 포함하고, 제2 서브 기능층(EL-b)은 정공 수송 영역 및 전자 수송 영역을 포함하는 것일 수 있다. 제2 서브 기능층(EL-b)은 발광층은 미포함하거나, 제1 서브 기능층(EL-a)과 인접한 일 부분에만 발광층을 포함하는 것일 수 있다.
도 9g는 기능층 상에 제2 전극을 제공하는 단계(S700)를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 9g에서 도시된 제2 전극을 제공하는 단계(S700)에서 제공되는 제2 전극(CE)은 제1 서브 전극부(CE-a) 및 제2 서브 전극부(CE-b)를 포함할 수 있다. 제1 서브 전극부(CE-a)는 제1 서브 기능층(EL-a) 상에 배치되도록 제공되고, 제2 서브 전극부(CE-b)는 제2 서브 기능층(EL-b) 상에 배치되도록 제공될 수 있다.
제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b)는 서로 단락된 것일 수 있다. 하측 개구부(OH-L) 내에 제2 전극(CE)이 미배치된 부분이 있을 수 있다. 제2 전극(CE)이 미배치된 부분에서 무기 보호층(BFL)이 노출될 수 있다. 제1 서브 전극부(CE-a)는 하측 개구부(OH-L) 내에서 제2 전극(CE)과 중첩하여 배치되고, 제2 서브 전극부(CE-b)는 제1 서브 전극부(CE-a)와 이격되어 화소 정의막(PDL)의 측면 및 상면과 중첩하여 배치될 수 있다.
한편, 도 9f 및 도 9g에 도시된 기능층을 제공하는 단계(S600) 및 제2 전극을 제공하는 단계(S700)는 각각 증착법을 이용하여 기능층 및 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
도 10a는 증착법을 이용하여 기능층을 제공하는 단계를 예시적으로 나타낸 것이다. 기능층 제공 시 증착 각도(θ1)는 60° 이하일 수 있다. 한편, 기능층 제공 시 증착 각도(θ1)는 기준선(IL)에 대한 증착 재료의 입사 각도로 정의될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 기능층 제공 시 증착 각도(θ1)는 약 50° 일 수 있다. 기능층 재료가 제공되는 부분에서의 제1 간격(dTP)이 화소 정의막의 돌출된 폭인 제2 간격(WTP) 이상인 경우 증착 각도(θ1)를 약 50°로 하여 기능층 제공 시 제1 서브 기능층(EL-a)이 제1 전극(AE)과 중첩하도록 하측 개구부(OH-L) 내에 충분히 증착될 수 있다.
도 10b는 증착법을 이용하여 제2 전극을 제공하는 단계를 예시적으로 나타낸 것이다. 제2 전극 제공 시 증착 각도(θ2)는 60° 이하일 수 있다. 한편, 제2 전극 제공 시 증착 각도(θ2)는 기준선(IL)에 대한 증착 재료의 입사 각도로 정의될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 제2 전극 제공 시 증착 각도(θ2)는 약 50° 일 수 있다. 한편, 일 실시예에서 제2 전극 제공 시 증착 각도(θ2)는 기능층 제공 시 증착 각도(θ1) 이상일 수 있다.
제2 전극이 제공되는 부분에서의 제1 간격(dTP)이 화소 정의막의 돌출된 폭인 제2 간격(WTP) 이상인 경우 증착 각도(θ2)를 약 50°로 하여 제2 전극 제공 시 제1 서브 전극부(CE-a)가 제1 전극(AE) 및 제1 서브 기능층(EL-a)과 중첩하도록 하측 개구부(OH-L) 내에 충분히 증착될 수 있다.
도 9h는 제2 전극 및 하측 개구부에서 노출된 무기 보호층을 커버하도록 보조 전극층을 형성하는 단계(S800)를 예시적으로 나타낸 것이다. 보조 전극층(AED1)은 제1 서브 전극부(CE-a)와 제2 서브 전극부(CE-b) 및 제2 전극(CE)이 미배치되어 노출된 무기 보호층(BFL)을 커버하도록 제공될 수 있다.
보조 전극층을 형성하는 단계(S800)는 원자층증착법을 이용하여 투명 금속 산화물을 포함하는 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 것일 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 인듐 전구체를 이용하여 원자층증착법으로 형성된 것일 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 ITO를 포함할 수 있다. 보조 전극층(AED1)은 단층 또는 복수의 층으로 제공될 수 있다.
일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 도 9a 내지 도 9h를 도시하여 설명한 제조 단계 이후에 추가적으로 봉지층의 다른 층들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 3에서 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)의 구성을 갖는 일 실시예의 표시 장치 제조 방법의 경우 제2 전극 및 하측 개구부에서 노출된 무기 보호층을 커버하도록 보조 전극층을 형성하는 단계(S800) 이후 봉지 유기막(MN, 도 3)을 형성하는 단계 및 상부 무기막(IL2, 도 3)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 도 5에 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-a)의 구성을 갖는 일 실시예의 표시 장치 제조 방법의 경우 보조 전극층을 형성하는 단계(S800) 이후 순차적으로 진행되는 하부 무기막(IL1, 도 5)을 형성하는 단계, 봉지 유기막(MN, 도 5)을 형성하는 단계, 및 상부 무기막(IL2, 도 5)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-b)의 구성을 갖는 일 실시예의 표시 장치 제조 방법의 경우 보조 전극층을 형성하는 단계(S800) 이후 순차적으로 진행되는 충전 전극층(AED2, 도 6)을 형성하는 단계, 하부 무기막(IL1, 도 6)을 형성하는 단계, 봉지 유기막(MN, 도 6)을 형성하는 단계, 및 상부 무기막(IL2, 도 6)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 7에 도시된 일 실시예에 따른 봉지층(TFE-c)의 구성을 갖는 일 실시예의 표시 장치 제조 방법의 경우 보조 전극층을 형성하는 단계(S800) 이후 봉지 유기막을 대신하여 전도성 고분자를 포함하는 충전 전극층(AED2, 도 7)을 형성하는 단계, 및 충전 전극층 상에 상부 무기막(IL2, 도 7)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 장치는 언더컷 형상을 갖는 화소 정의막을 포함하고, 언더컷 부분에 배치된 발광 소자의 구성들을 보조 전극층 등으로 효과적으로 커버하여 우수한 신뢰성 특성을 나타낼 수 있다. 즉, 일 실시예의 표시 장치는 언더컷 형상을 갖는 화소 정의막에 의해 이웃하는 발광 소자들과 단락되어 개구부 내에 배치된 발광 소자의 구성들을 보조 전극층으로 봉지하여 봉지층에서의 불량이 이웃하는 발광 영역으로 전파되는 경우를 방지하여 개선된 신뢰성을 나타낼 수 있다.
또한, 일 실시예의 표시 장치 제조 방법은 언더컷 부분에 배치된 발광 소자의 구성들을 충분히 커버하도록 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하여 각 발광 영역에 대응하여 배치된 발광 소자들 각각을 효과적으로 봉지하여, 우수한 신뢰성을 갖는 표시 장치를 제조할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD, DD-a, DD-b, DD-c : 표시 장치
BFL : 무기 보호층
OL : 유기층
OH-1, OH-2 : 제1 개구부, 제2 개구부
TFE, TFE-a, TFE-b, TFE-c : 봉지층
AED1 : 보조 전극층

Claims (30)

  1. 베이스층;
    상기 베이스층 상에 배치된 회로층;
    상기 회로층 상에 배치되고, 무기 보호층 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하며, 상기 회로층에 인접하며 상기 무기 보호층을 노출시키는 제1 개구부 및 상기 제1 개구부 상에서 상기 유기층을 노출시키는 제2 개구부가 정의된 화소 정의막;
    상기 회로층 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 기능층, 및 상기 기능층 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 발광 소자; 및
    상기 발광 소자 상에 배치된 봉지층; 을 포함하고,
    상기 봉지층은
    상기 제1 개구부 내에 배치된 상기 발광 소자, 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층, 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 커버하는 보조 전극층;
    상기 보조 전극층 상에 배치되는 봉지 유기막; 및
    상기 봉지 유기막 상에 배치된 상부 무기막; 을 포함하는 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극층은 투명 금속 산화물을 포함하는 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 보조 전극층은 인듐 전구체를 이용하여 원자층증착법(Atomic layer deposition)으로 형성된 표시 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스층에 수직하는 단면 상에서 상기 제1 개구부의 폭은 상기 제1 개구부에 인접한 상기 제2 개구부의 폭보다 큰 표시 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 기능층은 상기 제1 전극 상에 배치되고 상기 제1 개구부 내에 배치된 제1 서브 기능층; 및 상기 제1 서브 기능층과 단락되어 있고 상기 제2 개구부를 정의하는 상기 화소 정의막의 측면 및 상기 화소 정의막의 상면 상에 배치된 제2 서브 기능층; 을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 제1 서브 기능층 상에 배치된 제1 서브 전극부; 및 상기 제1 서브 전극부와 단락되고 상기 제2 서브 기능층 상에 배치된 제2 서브 전극부; 를 포함하는 표시 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 보조 전극층은 상기 제1 서브 전극부 및 상기 제2 서브 전극부 상에 직접 배치되고, 상기 제1 서브 전극부와 상기 제2 서브 전극부를 전기적으로 연결하는 표시 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 서브 기능층과 상기 제2 서브 기능층이 단락되고 상기 제1 서브 전극부와 상기 제2 서브 전극부가 단락된 부분에서 상기 무기 보호층이 노출되고,
    상기 보조 전극층은 상기 제1 서브 전극부, 상기 제2 서브 전극부, 및 상기 단락된 부분에서 노출된 상기 무기 보호층을 커버하는 표시 장치.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 서브 기능층은 순차적으로 적층된 정공 수송 영역, 발광층, 및 전자 수송 영역을 포함하고,
    상기 제2 서브 기능층은 상기 정공 수송 영역 및 상기 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 발광층을 미포함하는 표시 장치.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 제1 개구부 내에서,
    상기 제1 전극의 엣지, 상기 제1 서브 기능층의 엣지, 및 상기 제1 서브전극부의 엣지가 중첩하는 표시 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 전극의 엣지, 상기 제1 서브 기능층의 엣지, 및 상기 제1 서브전극부의 엣지는 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층에 접하는 표시 장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 보조 전극층과 상기 봉지 유기막 사이에 배치되고, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 하부 무기막을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 하부 무기막은 상기 보조 전극층을 커버하는 표시 장치.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 봉지층은 상기 보조 전극층과 상기 봉지 유기막 사이에 배치되고, 전도성 고분자를 포함하는 충전(filling) 전극층; 및
    상기 충전 전극층 및 상기 봉지 유기막 사이에 배치되고, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 하부 무기막; 을 더 포함하는 표시 장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 충전 전극층은 PEDOT:PSS를 포함하는 표시 장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 충전 전극층은 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부의 일부를 충전하는 표시 장치.
  16. 제 1항에 있어서,
    상기 무기 보호층은 실리콘나이트라이드를 포함하는 표시 장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 무기막은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 유기막은 아크릴계 고분자를 포함하고,
    상기 봉지 유기막은 상기 보조 전극층과 상기 상부 무기막 사이에서 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 충전하는 표시 장치.
  19. 제 1항에 있어서,
    상기 봉지 유기막은 전도성 고분자를 포함하는 충전 전극층이고, 상기 보조 전극층과 전기적으로 연결된 표시 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 충전 전극층은 상기 보조 전극층과 상기 상부 무기막 사이에서 상기 제1 개구부 및 상기 제2 개구부를 충전하는 표시 장치.
  21. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스층에 수직하는 단면 상에서,
    상기 제1 개구부에서 노출된 상기 제1 전극의 상면에서 상기 무기 보호층의 하면까지의 제1 간격은 상기 제1 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층의 측면 엣지와 상기 제2 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층의 측면 엣지 사이의 제2 간격 이상인 표시 장치.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 제1 간격과 상기 제2 간격은 1:1 내지 2:1의 비율인 표시 장치.
  23. 베이스층;
    상기 베이스층 상에 배치된 회로층;
    상기 회로층 상에 배치되고, 무기 보호층 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 유기층을 포함하며 개구부가 정의된 화소 정의막;
    상기 회로층 상에 배치된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 기능층, 및 상기 기능층 상에 배치된 제2 전극을 포함된 발광 소자; 및
    상기 발광 소자 상에 배치된 봉지층; 을 포함하고,
    상기 화소 정의막은
    상기 회로층 상에 직접 배치된 제1 부분; 및
    상기 회로층에서 두께 방향으로 이격되어 상기 제1 부분의 일측에 배치되고, 상기 무기 보호층 및 상기 유기층을 노출시키는 상측 개구부를 정의하는 제2 부분; 및
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분 사이에 배치되고, 상기 무기 보호층이 노출되는 하측 개구부를 정의하는 제3 부분; 을 포함하고,
    상기 봉지층은
    상기 하측 개구부 내에 배치된 상기 발광 소자, 상기 하측 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층, 및 상기 상측 개구부 내에 배치된 상기 발광 소자를 커버하는 보조 전극층;
    상기 보조 전극층 상에 배치되는 봉지 유기막; 및
    상기 봉지 유기막 상에 배치된 상부 무기막; 을 포함하는 표시 장치
  24. 제 23항에 있어서,
    상기 화소 정의막은 상기 제2 부분 및 상기 제3 부분으로 정의되고, 상기 제1 부분 방향으로 오목한 노치부를 포함하는 표시 장치.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 기능층은 상기 하측 개구부 내에 배치된 제1 서브 기능층; 및 상기 제1 서브 기능층과 단락되어 있고 상기 상측 개구부를 정의하는 상기 화소 정의막의 측면 및 상기 화소 정의막의 상면 상에 배치된 제2 서브 기능층; 을 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 제1 서브 기능층 상에 배치된 제1 서브 전극부; 및 상기 제1 서브 전극부와 단락되고 상기 제2 서브 기능층 상에 배치된 제2 서브 전극부; 를 포함하는 표시 장치.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 노치부에 상기 제1 전극의 엣지, 상기 제1 서브 기능층의 엣지, 및 상기 제1 서브 전극부의 엣지가 배치된 표시 장치.
  27. 제 25항에 있어서,
    상기 제1 서브 기능층과 상기 제2 서브 기능층이 단락되고 상기 제1 서브 전극부와 상기 제2 서브 전극부가 단락된 부분에서 상기 무기 보호층이 노출되고,
    상기 보조 전극층은 상기 제1 서브 전극부, 상기 제2 서브 전극부, 및 상기 단락된 부분에서 노출된 상기 무기 보호층을 커버하는 표시 장치.
  28. 회로층 상에 제1 전극 및 희생층을 패터닝하는 단계;
    패터닝된 상기 희생층 상에 예비 무기 보호층을 제공하는 단계;
    상기 희생층과 중첩하는 상기 예비 무기 보호층의 상면 일부가 노출되도록 상측 개구부가 정의된 유기층을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극과 중첩하는 상기 희생층이 노출되도록 상기 예비 무기 보호층을 패터닝하여 무기 보호층 및 상기 무기 보호층 상에 배치된 상기 유기층을 포함하는 화소 정의막을 형성하는 단계;
    노출된 상기 희생층을 식각하여 상기 제1 전극의 상면 및 상기 무기 보호층을 노출시키는 하측 개구부를 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 화소 정의막 상에 기능층을 제공하는 단계;
    상기 기능층 상에 제2 전극을 제공하는 단계; 및
    상기 제2 전극 및 상기 하측 개구부에서 노출된 상기 무기 보호층을 커버하도록 보조 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 보조 전극층을 형성하는 단계는 원자층증착법을 이용하여 투명 금속 산화물을 포함하는 보조 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
  30. 제 28항에 있어서,
    상기 예비 무기 보호층을 제공하는 단계는 원자층증착법을 이용하여 실리콘나이트라이드를 포함하는 예비 무기 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치 제조 방법.
KR1020210172409A 2021-12-03 2021-12-03 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법 KR20230084399A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210172409A KR20230084399A (ko) 2021-12-03 2021-12-03 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법
US17/968,146 US20230180530A1 (en) 2021-12-03 2022-10-18 Display device and manufacturing method for the same
CN202211533674.9A CN116322123A (zh) 2021-12-03 2022-11-30 显示装置以及用于显示装置的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210172409A KR20230084399A (ko) 2021-12-03 2021-12-03 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230084399A true KR20230084399A (ko) 2023-06-13

Family

ID=86607312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210172409A KR20230084399A (ko) 2021-12-03 2021-12-03 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230180530A1 (ko)
KR (1) KR20230084399A (ko)
CN (1) CN116322123A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230180530A1 (en) 2023-06-08
CN116322123A (zh) 2023-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20160079975A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20220123061A1 (en) Display device
KR102567326B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN219628273U (zh) 显示装置
US20220190052A1 (en) Display device
KR20230084399A (ko) 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법
KR20220034948A (ko) 전자 장치
KR20220152591A (ko) 전자 장치
KR20230113463A (ko) 표시 장치 및 그 표시 장치의 제조 방법
CN217788397U (zh) 显示装置
US20240188388A1 (en) Display panel and display device including the same
KR20200064820A (ko) 전계 발광 표시 장치
US20230039703A1 (en) Display device
US20220328582A1 (en) Display device
EP4185085A1 (en) Light receiving element and electronic device including the same
US20230044202A1 (en) Display device and method of providing the same
KR20240057310A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220019154A (ko) 표시장치
KR20240079312A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20240083895A (ko) 표시패널, 이를 포함하는 전자장치 및 표시패널의 제조방법
KR20230033254A (ko) 전자 장치
KR20230173983A (ko) 디스플레이 장치
KR20200075379A (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치