CN112166167B - 用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法。
背景技术
例如氧化硅层或氮化硅层等无机薄层被用于各种半导体器件或太阳能电池中。通常通过使用气体的干式蚀刻及使用蚀刻溶液的湿式蚀刻来蚀刻此种氧化硅层或氮化硅层。湿式蚀刻相较于干式蚀刻具有成本更低且生产率更高的优点。
一般而言，磷酸与水的混合物已被用作氮化硅层的蚀刻溶液。然而，使用所述混合物的蚀刻不仅可导致氮化硅层被蚀刻而且还可导致氧化硅层被蚀刻。
正在积极地进行对与磷酸一起使用的添加剂的各种研究以解决此类问题。
发明内容
技术问题
本发明的实施例提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物相较于氧化硅层对氮化硅层具有高蚀刻选择率。
解决方案
本发明的一个实施例提供一种用于氮化硅的蚀刻组成物，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及由式1表示的硅烷化合物及其反应产物中的至少一者：
[式1]
其中在式1中，
L1至L6各自独立地选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R11)-*'、*-C(＝O)O-*'、亚磺酰基、亚磷酰基、亚膦酰基、亚唑基、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)-N(R11)-*'、*-C(＝O)-O-C(＝O)-*'、C1至C10亚烷基、C2至C10亚烯基、C2至C10亚炔基、C3至C10亚环烷基、C1至C10亚杂环烷基、C3至C10亚环烯基、C1至C10亚杂环烯基、C6至C20亚芳基及C1至C20亚杂芳基；
L7选自C1至C10亚烷基及C6至C20亚芳基；
a1至a6各自独立地选自0至10的整数；
a7选自1至10的整数；
R1至R6各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1至C10烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基，条件是R1至R6中的至少一者选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基；
R11至R13各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1至C10烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基；
n选自1至10的整数；且
*及*'中的每一者是与相邻原子的连接位点。
根据本发明的另一实施例，提供一种使用用于氮化硅的蚀刻组成物的蚀刻方法。
发明效果
当利用如上所述的用于氮化硅的蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。
具体实施方式
本文中使用的单数形式“一”及”所述”旨在也包括复数形式，除非上下文明确地另有指示。
此外，当在本说明书中使用用语“包含和/或”包括”时，所述用语指明所述特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
在本文中，C1至C10亚杂环烷基、C1至C10杂环烯基、C1至C20亚杂芳基、C1至C10杂环烷基或C1至C20杂芳基是指相应的基团包括至少一个杂原子(例如，N、O或S)作为环成形原子。
在本文中，*及*'中的每一者指与相邻原子的连接位点。
以下，将详细阐述本发明的实施例。
根据本发明的一个实施例，一种用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及由式1表示的硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。
所述磷酸化合物可选自能够向用于氮化硅的蚀刻组成物提供氢离子以促进蚀刻的任何化合物。举例而言，所述磷酸化合物可为磷酸(H3PO4)或其盐、亚磷酸(H3PO3)或其盐、次磷酸(H3PO2)或其盐、连二磷酸(H4P2O6)或其盐、三聚磷酸(H5P3O10)或其盐、焦磷酸(H4P2O7)或其盐、或其组合。在一个实施例中，所述磷酸化合物可为磷酸，但并非仅限于此。
所述水可为例如半导体级水或超纯水(ultrapure water)，但并非仅限于此。
所述硅烷化合物可由式1表示：
[式1]
在式1中，其中L1至L6各自独立地选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R11)-*'、*-C(＝O)O-*'、亚磺酰基、亚磷酰基、亚膦酰基、亚唑基、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)-N(R11)-*'、*-C(＝O)-O-C(＝O)-*'、C1至C10亚烷基，C2至C10亚烯基、C2至C10亚炔基、C3至C10亚环烷基、C1至C10亚杂环烷基、C3至C10亚环烯基、C1至C10亚杂环烯基、C6至C20亚芳基及C1至C20亚杂芳基；且R11至R13选自氢、F、Cl、Br、I、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1至C10烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基。举例而言，L1至L6可各自独立地选自C1至C10亚烷基及C6至C20亚芳基。在一个实施例中，L1至L6可各自独立地为C1至C10亚烷基。作为另一选择，L1至L6可各自独立地选自未经取代或经甲基、乙基及丙基中的至少一者取代的亚甲基、亚乙基及亚丙基。作为另一选择，L1至L6可各自独立地选自亚甲基、亚乙基及亚丙基，但并非仅限于此。
在式1中，每个L7可选自C1至C10亚烷基及C6至C20亚芳基。举例而言，每个L7可独立地为C1至C10亚烷基。在一个实施例中，每个L7可独立地选自未经取代或经甲基、乙基及丙基中的至少一者取代的亚甲基、亚乙基及亚丙基。在另一实施例中，每个L7可独立地选自亚甲基、亚乙基及亚丙基，但并非仅限于此。
在式1中，a1至a6各自独立地选自0至10的整数。a1表示L1的数量。若a1为0，则L1可为单键，且若a1为2或大于2的整数，则二个或更多个L1可彼此相同或不同。可参照对a1及式1的说明来理解对a2至a6的说明。在一个实施例中，a1至a6可各自独立地为0、1、2或3。在另一实施例中，a1至a6可各自独立地为0或1，但并非仅限于此。
在式1中，a7选自1至10的整数。a7表示L7的数量。若a7为2或大于2的整数，则二个或更多个L7可彼此相同或不同。在一个实施例中，a7可为1、2或3。在另一实施例中，a7可为1，但并非仅限于此。
在式1中，R1至R6各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1至C10烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基，条件是R1至R6中的至少一者选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基；且R11至R13各自独立地为氢、F、Cl、Br、I、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1至C10烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基。举例而言，R1至R6可各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、C1至C10烷基及C1至C10烷氧基，条件是R1至R6中的至少一者可选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1至C10烷氧基；且R12及R13可各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、胺基、C1至C10烷基及C1至C10烷氧基。在一个实施例中，R1至R6可各自独立地选自F、Cl、Br、I、羟基、C1至C10烷基及C1至C10烷氧基，条件是R1至R6中的至少一者可选自F、Cl、Br、I、羟基及C1至C10烷氧基，但并非仅限于此。
根据一个实施例，在式1中，R1至R6中的至少二者可选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基(例如，选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1至C10烷氧基，或选自F、Cl、Br、I、羟基及C1至C10烷氧基)。根据另一实施例，在式1中，R1至R6中的至少三者可选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基(例如，选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1至C10烷氧基，或选自F、Cl、Br、I、羟基及C1至C10烷氧基)。根据另一实施例，在式1中，R1至R6中的至少四者可选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基(例如，选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1至C10烷氧基，或选自F、Cl、Br、I、羟基及C1至C10烷氧基)。根据另一实施例，在式1中，R1至R6中的至少五者可选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基(例如，选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1至C10烷氧基，或选自F、Cl、Br、I、羟基及C1至C10烷氧基)。根据另一实施例，在式1中，R1至R6可选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基(例如，选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1至C10烷氧基，或选自F、Cl、Br、I、羟基及C1至C10烷氧基)，但并非仅限于此。
在式1中，n选自1至10的整数。若n为2或大于2，则二个或更多个L4、L6、L7、R4及R6可彼此相同或不同。举例而言，n可选自1至5的整数。在一个实施例中，n可选自1至3的整数。在另一实施例中，n可为1，但并非仅限于此。
硅烷化合物可选自式1至式9，但并非仅限于此：
反应产物是指衍生自硅烷化合物的组分。举例而言，反应产物可为硅烷化合物之间的反应产物、硅烷化合物与磷酸化合物之间的反应产物、硅烷化合物与水之间的反应产物、硅烷化合物、磷酸化合物与水之间的反应产物等。由于由式1表示的硅烷化合物包括选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基中的至少一者，因此硅烷化合物可与同其相邻的另一硅烷化合物、磷酸化合物和/或水反应。在一个实例中，当硅烷化合物包括羟基时，在相邻的硅烷化合物之间或在硅烷化合物与磷酸化合物之间会发生脱水反应，以形成包括醚键的反应产物。在另一实例中，当硅烷化合物包括卤素基团或烷氧基时，硅烷化合物可与水反应以形成反应产物，在所述反应产物中，硅烷化合物的卤素基团或烷氧基转化为羟基。另外，含有通过与水反应生成的羟基的硅烷化合物可通过与相邻的硅烷化合物或磷酸化合物的脱水反应而形成包括醚键的反应产物。如此一来，此项技术中具有通常知识者通过组合硅烷化合物、磷酸化合物和/或水的上述官能团，可容易地形成各种反应产物。
根据一个实施例，硅烷化合物可以0.1ppm至25重量％的量存在于用于氮化硅的蚀刻组成物中。举例而言，硅烷化合物可以0.001重量％至25重量％、具体而言0.001重量％至10重量％的量存在于用于氮化硅的蚀刻组成物中。根据另一实施例，硅烷化合物可以0.01重量％至5重量％的量存在于用于氮化硅的蚀刻组成物中。在另一实施例中，硅烷化合物可以0.5重量％至3重量％的量存在，但并非仅限于此。当硅烷化合物的含量在此范围内时，用于氮化硅的蚀刻组成物可相较于氧化硅层对氮化硅层具有高蚀刻选择率。
根据一个实施例，用于氮化硅的蚀刻组成物可包含60重量％至99.99重量％的磷酸化合物、0.1ppm至25重量％的硅烷化合物以及余量的水。在一个实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可包含60重量％至90重量％的磷酸化合物、0.01重量％至5重量％的硅烷化合物以及余量的水。在另一实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可包含85重量％的磷酸化合物、0.5重量％至3重量％的硅烷化合物以及余量的水，但并非仅限于此。在该些含量范围内，用于氮化硅的蚀刻组成物可相较于氧化硅层对氮化硅层具有高蚀刻选择率。
根据一个实施例，用于氮化硅的蚀刻组成物可还包含有机溶剂或无机溶剂以改善硅化合物的溶解度。有机溶剂或无机溶剂可选自此项技术中通常使用的任何溶剂，并且可包括例如1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇甲醚乙酸酯等。在一个实施例中，有机溶剂或无机溶剂在1个大气压下的沸点可为100℃或高于100℃，但并非仅限于此。
根据一个实施例，用于氮化硅的蚀刻组成物可还包含此项技术中通常使用的添加剂以改善蚀刻效能。举例而言，所述添加剂可包括界面活性剂、分散剂及蚀刻速率调节剂，但并非仅限于此。
相较于不含硅烷化合物的蚀刻组成物，用于氮化硅的蚀刻组成物可相较于氧化硅层对氮化硅层具有更高的蚀刻选择率。根据一个实施例，用于氮化硅的蚀刻组成物可具有由式1所计算的为16或大于16的蚀刻选择率：
[式1]
蚀刻选择率＝A/B，
(其中A表示所述蚀刻组成物相对于氮化硅层每单位时间的蚀刻速率(单位：埃/分钟)，且B表示所述蚀刻组成物相对于氧化硅层每单位时间的蚀刻速率(单位：埃/分钟))。举例而言，用于氮化硅的蚀刻组成物可具有为25或大于25的蚀刻选择率。在另一实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可具有为100或大于100的蚀刻选择率。在又一实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可具有为400或大于400的蚀刻选择率，但并非仅限于此。
在包含硅烷化合物(所述硅烷化合物包括选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1至C10烷氧基中的至少一个取代基)的蚀刻组成物中，硅烷化合物选择性地耦合至氧化硅层的上表面以保护氧化硅层，藉此使得能够单独对于氮化硅层进行选择性蚀刻。此外，硅烷化合物中的Si原子通过C1至C10亚烷基或C6至C20亚芳基彼此连接，藉此提供较通过单键耦合Si原子的情形更高的稳定性。
用于氮化硅的蚀刻组成物可通过混合磷酸化合物、水及由式1表示的硅烷化合物来制备。在一个实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可通过混合60重量％至99.99重量％的磷酸化合物、0.1ppm至25重量％的硅烷化合物以及余量的水来制备。在另一实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可通过混合60重量％至90重量％的磷酸化合物、0.01重量％至5重量％的硅烷化合物以及余量的水来制备。在又一实例中，用于氮化硅的蚀刻组成物可通过混合85重量％的磷酸化合物、0.5重量％至3重量％的硅烷化合物以及余量的水来制备，但并非仅限于此。
根据本发明的另一实施例，提供了一种使用用于氮化硅的蚀刻组成物的蚀刻方法。
所述蚀刻方法例如可包括：在基板上形成氮化硅层或氧化硅层；通过向其施加蚀刻组成物来蚀刻氮化硅层或氧化硅层；以及在蚀刻后移除所述蚀刻组成物。
所述基板可选自此项技术中通常使用的任何基板，并且可为例如半导体晶圆。
藉在向其施加蚀刻组成物来蚀刻氮化硅层或氧化硅层的步骤例如可包括：将氮化硅层或氧化硅层浸入含有蚀刻组成物的蚀刻浴中，或将蚀刻组成物喷涂到氮化硅层或氧化硅层上，但并非仅限于此。
根据一个实施例，所述蚀刻方法可还包括在蚀刻氮化硅层或氧化硅层之前加热用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述蚀刻组成物可被加热至100℃或高于100℃的温度，例如100℃至500℃。根据一个实施例，用于氮化硅的蚀刻组成物可被加热至150℃至300℃，但并非仅限于此。
在蚀刻后移除所述蚀刻组成物的步骤例如可包括：用纯水清洁蚀刻组成物，然后干燥氧化硅层或氮化硅层，但并非仅限于此。
使用用于氮化硅的蚀刻组成物的蚀刻方法在未因硅烷系添加剂在氧化硅层上的累积而导致氧化硅层异常生长的情况下改善了相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率，并且不允许在蚀刻后通过硅烷系添加剂之间的反应而产生沉淀物。
接下来，将参照一些实例更详细地描述本发明。在以下实例中，应注意在表达“使用B代替A”中，A的重量与B的重量相同。
实例
实例1
制备了包含85重量％的磷酸、0.5重量％的硅烷化合物1以及余量的水的用于氮化硅的蚀刻组成物。
实例2至实例11以及比较例1至比较例4
除以表1中所列出的量使用不同化合物代替硅烷化合物1之外，以与实例1相同的方式制备了用于氮化硅的蚀刻组成物中的每一者。
评估实例1
将在实例1至实例11以及比较例1至比较例4中制备的用于氮化硅的蚀刻组成物中的每一者加热至160℃，然后使用所述蚀刻组成物蚀刻LP-SiN层或PE-SiO层达5分钟。在蚀刻之前及蚀刻之后使用椭圆计(ellipsometer)测量了LP-SiN层或PE-SiO层的厚度，然后计算相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率，且结果示于表1中。
评估实例2
将在实例1至实例11以及比较例1至比较例4中制备的用于氮化硅的蚀刻组成物中的每一者加热至160℃，然后使用所述蚀刻组成物蚀刻LP-SiN层或PE-SiO层达5分钟。在蚀刻之后，将所述组成物置于小瓶中，然后使用特比斯坎测量在880纳米下的透射率以确认在组成物中存在沉淀物，且结果示于表1中。
[表1]
自表1可看出，相较于比较例1至比较例4的蚀刻组成物，在实例1至实例11中制备的用于氮化硅的蚀刻组成物相较于氧化硅层对氮化硅层具有更高的蚀刻选择率。
此外可看出，用于氮化硅的蚀刻组成物不会导致氧化硅的异常生长以及沉淀物的产生。
应理解，在不背离本发明的精神及范围的情况下，熟习此项技术者可作出各种修改、改变、更改及等效实施例。
Claims (15)
1.一种用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：
60重量％至99.99重量％的磷酸化合物；
水；以及
0.1ppm至25重量％的由式1表示的硅烷化合物及其反应产物中的至少一者：
[式1]
其中在式1中，
L1至L6各自独立地选自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R11)-*'、*-C(＝O)O-*'、亚磺酰基、亚磷酰基、亚膦酰基、亚唑基、*-C(＝O)-*'、*-C(＝O)-N(R11)-*'、*-C(＝O)-O-C(＝O)-*'、C1至C10亚烷基、C2至C10亚烯基、C2至C10亚炔基、C3至C10亚环烷基、C1至C10亚杂环烷基、C3至C10亚环烯基、C1至C10亚杂环烯基、C6至C20亚芳基及C1至C20亚杂芳基；
L7选自C1至C10亚烷基及C6至C20亚芳基；
a1至a6各自独立地选自0至10的整数；
a7选自1至10的整数，
R1至R6各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基，条件是R1至R6中的至少二者选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1烷氧基；
R11至R13各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、C1至C10烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C1至C10烷氧基、C3至C10环烷基、C1至C10杂环烷基、C3至C10环烯基、C1至C10杂环烯基、C6至C20芳基及C1至C20杂芳基；
n选自1至10的整数；且
*及*'中的每一者是与相邻原子的连接位点。
2.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述磷酸化合物为磷酸或其盐、亚磷酸或其盐、次磷酸或其盐、连二磷酸或其盐、三聚磷酸或其盐、焦磷酸或其盐、或其组合。
3.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中L7选自未经取代或经甲基、乙基及丙基中的至少一者取代的亚甲基、亚乙基及亚丙基。
4.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中R1至R6各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、C1至C10烷基及C1烷氧基，条件是R1至R6中的至少二者选自F、Cl、Br、I、羟基、胺基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)及C1烷氧基，且
R12及R13各自独立地选自氢、F、Cl、Br、I、羟基、胺基、C1至C10烷基及C1至C10烷氧基。
5.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中R1至R6各自独立地选自F、Cl、Br、I、羟基、C1至C10烷基及C1烷氧基，条件是R1至R6中的至少二者选自F、Cl、Br、I、羟基及C1烷氧基。
6.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中R1至R6中的至少二者选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1烷氧基。
7.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中R1至R6中的至少五者选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R12)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R11)及C1烷氧基。
8.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中R1至R6选自F、Cl、Br、I、羟基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(＝O)(R11)、*-C(＝O)-N(R12)(R13)、*-C(＝O)-O-C(＝O)(R12)及C1烷氧基。
9.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中n为1。
10.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述硅烷化合物选自化合物1至化合物9：
11.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：
余量的所述水。
12.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述蚀刻组成物具有由式1所计算的为16或大于16的蚀刻选择率：
[式1]
蚀刻选择率＝A/B，
其中A表示所述蚀刻组成物相对于氮化硅层每单位时间的蚀刻速率，单位为埃/分钟；且B表示所述蚀刻组成物相对于氧化硅层每单位时间的蚀刻速率，单位为埃/分钟。
13.根据权利要求12所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述蚀刻选择率为100或大于100。
14.根据权利要求13所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述蚀刻选择率为400或大于400。
15.一种蚀刻方法，使用如权利要求1至14中任一项所述的用于氮化硅的蚀刻组成物。
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