TW202003800A - 用於氮化矽的蝕刻組成物及使用該蝕刻組成物之蝕刻方法 - Google Patents
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Abstract
揭露一種用於氮化矽的蝕刻組成物及使用該蝕刻組成物之蝕刻方法，所述用於氮化矽的蝕刻組成物包含：磷酸化合物；水；以及由式1表示的矽烷化合物及其反應產物中的至少一者。
Description
本發明是有關於一種用於氮化矽的蝕刻組成物及使用該蝕刻組成物之蝕刻方法。
[相關申請案的交叉參考]
本申請案主張2018年5月23日在韓國智慧財產局中申請的韓國專利申請案第10-2018-0058654號的權益，所述申請案的全部揭露內容併入本案供參考。
例如氧化矽層或氮化矽層等無機薄層被用於各種半導體器件或太陽能電池中。通常藉由使用氣體的乾式蝕刻及使用蝕刻溶液的濕式蝕刻來蝕刻此種氧化矽層或氮化矽層。濕式蝕刻相較於乾式蝕刻具有成本更低且生產率更高的優點。
一般而言，磷酸與水的混合物已被用作氮化矽層的蝕刻溶液。然而，使用所述混合物的蝕刻不僅可導致氮化矽層被蝕刻而且還可導致氧化矽層被蝕刻。
正在積極地進行對與磷酸一起使用的添加劑的各種研究以解決此類問題。
本發明的實施例提供一種用於氮化矽的蝕刻組成物及使用該蝕刻組成物之蝕刻方法，所述用於氮化矽的蝕刻組成物相較於氧化矽層對氮化矽層具有高蝕刻選擇率。
本發明的一個態樣提供一種用於氮化矽的蝕刻組成物，所述用於氮化矽的蝕刻組成物包含：磷酸化合物；水；以及由式1表示的矽烷化合物及其反應產物中的至少一者：
[式1]
其中在式1中，
L1
至L6
各自獨立地選自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R11
)-*'、*-C(=O)O-*'、伸磺醯基（sulfonylene group）、伸磷醯基（phospholylene group）、伸膦醯基（phosphonylene group）、伸唑基（azolylene group）、*-C(=O)-*'、*-C(=O)-N(R11
)-*'、*-C(=O)-O-C(=O)-*'、C1
至C10
伸烷基、C2
至C10
伸烯基、C2
至C10
伸炔基、C3
至C10
伸環烷基、C1
至C10
伸雜環烷基、C3
至C10
伸環烯基、C1
至C10
伸雜環烯基、C6
至C20
伸芳基及C1
至C20
伸雜芳基；
L7
選自C1
至C10
伸烷基及C6
至C20
伸芳基；
a1至a6各自獨立地選自0至10的整數；
a7選自1至10的整數；
R1
至R6
各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)、C1
至C10
烷基、C2
至C10
烯基、C2
至C10
炔基、C1
至C10
烷氧基、C3
至C10
環烷基、C1
至C10
雜環烷基、C3
至C10
環烯基、C1
至C10
雜環烯基、C6
至C20
芳基及C1
至C20
雜芳基，條件是R1
至R6
中的至少一者選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基；
R11
至R13
各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、C1
至C10
烷基、C2
至C10
烯基、C2
至C10
炔基、C1
至C10
烷氧基、C3
至C10
環烷基、C1
至C10
雜環烷基、C3
至C10
環烯基、C1
至C10
雜環烯基、C6
至C20
芳基及C1
至C20
雜芳基；
n選自1至10的整數；且
*及*'中的每一者是與相鄰原子的連接位點。
根據本發明的另一態樣，提供一種使用用於氮化矽的蝕刻組成物的蝕刻方法。
當利用如上所述的用於氮化矽的蝕刻組成物執行蝕刻時，可提高相較於氧化矽層對氮化矽層的蝕刻選擇率。
本文中使用的單數形式「一（a及an）」及「所述（the）」旨在也包括複數形式，除非上下文明確地另有指示。
此外，當在本說明書中使用用語「包含（comprises及comprising）及/或「包括（includes及including）」時，所述用語指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在，但不排除一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或添加。
在本文中，C1
至C10
伸雜環烷基、C1
至C10
雜環烯基、C1
至C20
伸雜芳基、C1
至C10
雜環烷基、C1
至C10
雜環烯基或C1
至C20
雜芳基是指相應的基團包括至少一個雜原子（例如，N、O或S）作為環成形原子。
在本文中，*及*'中的每一者指與相鄰原子的連接位點。
以下，將詳細闡述本發明的實施例。
根據本發明的一個態樣，一種用於氮化矽的蝕刻組成物包含：磷酸化合物；水；以及由式1表示的矽烷化合物及其反應產物中的至少一者。
所述磷酸化合物可選自能夠向用於氮化矽的蝕刻組成物提供氫離子以促進蝕刻的任何化合物。舉例而言，所述磷酸化合物可為磷酸（H3
PO4
）或其鹽、亞磷酸（H3
PO3
）或其鹽、次磷酸（H3
PO2
）或其鹽、連二磷酸（H4
P2
O6
）或其鹽、三聚磷酸（H5
P3
O10
）或其鹽、焦磷酸（H4
P2
O7
）或其鹽、或其組合。在一個實施例中，所述磷酸化合物可為磷酸，但並非僅限於此。
所述水可為例如半導體級水或超純水，但並非僅限於此。
所述矽烷化合物可由式1表示：
[式1]。
在式1中，其中L1
至L6
各自獨立地選自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R11
)-*'、*-C(=O)O-*'、伸磺醯基、伸磷醯基、伸膦醯基、伸唑基、*-C(=O)-*'、*-C(=O)-N(R11
)-*'、*-C(=O)-O-C(=O)-*'、C1
至C10
伸烷基，C2
至C10
伸烯基、C2
至C10
伸炔基、C3
至C10
伸環烷基、C1
至C10
伸雜環烷基、C3
至C10
伸環烯基、C1
至C10
伸雜環烯基、C6
至C20
伸芳基及C1
至C20
伸雜芳基；且R11
選自氫、F、Cl、Br、I、C1
至C10
烷基、C2
至C10
烯基、C2
至C10
炔基、C1
至C10
烷氧基、C3
至C10
環烷基、C1
至C10
雜環烷基、C3
至C10
環烯基、C1
至C10
雜環烯基、C6
至C20
芳基及C1
至C20
雜芳基。舉例而言，L1
至L6
可各自獨立地選自C1
至C10
伸烷基及C6
至C20
伸芳基。在一個實施例中，L1
至L6
可各自獨立地為C1
至C10
伸烷基。作為另一選擇，L1
至L6
可各自獨立地選自未經取代或經甲基、乙基及丙基中的至少一者取代的亞甲基、伸乙基及伸丙基。作為另一選擇，L1
至L6
可各自獨立地選自亞甲基、伸乙基及伸丙基，但並非僅限於此。
在式1中，每個L7
可選自C1
至C10
伸烷基及C6
至C20
伸芳基。舉例而言，每個L7
可獨立地為C1
至C10
伸烷基。在一個實施例中，每個L7
可獨立地選自未經取代或經甲基、乙基及丙基中的至少一者取代的亞甲基、伸乙基及伸丙基。在另一實施例中，每個L7
可獨立地選自亞甲基、伸乙基及伸丙基，但並非僅限於此。
在式1中，a1至a6各自獨立地選自0至10的整數。a1表示L1
的數量。若a1為0，則L1
可為單鍵，且若a1為2或大於2的整數，則二個或更多個L1
可彼此相同或不同。可參照對a1及式1的說明來理解對a2至a6的說明。在一個實施例中，a1至a6可各自獨立地為0、1、2或3。在另一實施例中，a1至a6可各自獨立地為0或1，但並非僅限於此。
在式1中，a7選自1至10的整數。a7表示L7
的數量。若a7為2或大於2的整數，則二個或更多個L7
可彼此相同或不同。在一個實施例中，a7可為1、2或3。在另一實施例中，a7可為1，但並非僅限於此。
在式1中，R1
至R6
各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)、C1
至C10
烷基、C2
至C10
烯基、C2
至C10
炔基、C1
至C10
烷氧基、C3
至C10
環烷基、C1
至C10
雜環烷基、C3
至C10
環烯基、C1
至C10
雜環烯基、C6
至C20
芳基及C1
至C20
雜芳基，條件是R1
至R6
中的至少一者選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基；且R11
至R13
各自獨立地為氫、F、Cl、Br、I、C1
至C10
烷基、C2
至C10
烯基、C2
至C10
炔基、C1
至C10
烷氧基、C3
至C10
環烷基、C1
至C10
雜環烷基、C3
至C10
環烯基、C1
至C10
雜環烯基、C6
至C20
芳基及C1
至C20
雜芳基。舉例而言，R1
至R6
可各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、C1
至C10
烷基及C1
至C10
烷氧基，條件是R1
至R6
中的至少一者可選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)及C1
至C10
烷氧基；且R12
及R13
可各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、C1
至C10
烷基及C1
至C10
烷氧基。在一個實施例中，R1
至R6
可各自獨立地選自F、Cl、Br、I、羥基、C1
至C10
烷基及C1
至C10
烷氧基，條件是R1
至R6
中的至少一者可選自F、Cl、Br、I、羥基及C1
至C10
烷氧基，但並非僅限於此。
根據一個實施例，在式1中，R1
至R6
中的至少二者可選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基（例如，選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)及C1
至C10
烷氧基，或選自F、Cl、Br、I、羥基及C1
至C10
烷氧基）。根據另一實施例，在式1中，R1
至R6
中的至少三者可選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基（例如，選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)及C1
至C10
烷氧基，或選自F、Cl、Br、I、羥基及C1
至C10
烷氧基）。根據另一實施例，在式1中，R1
至R6
中的至少四者可選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基（例如，選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)及C1
至C10
烷氧基，或選自F、Cl、Br、I、羥基及C1
至C10
烷氧基）。根據另一實施例，在式1中，R1
至R6
中的至少五者可選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基（例如，選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)及C1
至C10
烷氧基，或選自F、Cl、Br、I、羥基及C1
至C10
烷氧基）。根據另一實施例，在式1中，R1
至R6
可選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基（例如，選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)及C1
至C10
烷氧基，或選自F、Cl、Br、I、羥基及C1
至C10
烷氧基），但並非僅限於此。
在式1中，n選自1至10的整數。若n為2或大於2，則二個或更多個L4
、L6
、L7
、R4
及R6
可彼此相同或不同。舉例而言，n可選自1至5的整數。在一個實施例中，n可選自1至3的整數。在另一實施例中，n可為1，但並非僅限於此。
矽烷化合物可選自式1至式9，但並非僅限於此：
。
反應產物是指衍生自矽烷化合物的組分。舉例而言，反應產物可為矽烷化合物之間的反應產物、矽烷化合物與磷酸化合物之間的反應產物、矽烷化合物與水之間的反應產物、矽烷化合物、磷酸化合物與水之間的反應產物等。由於由式1表示的矽烷化合物包括選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基中的至少一者，因此矽烷化合物可與同其相鄰的另一矽烷化合物、磷酸化合物及/或水反應。在一個實例中，當矽烷化合物包括羥基時，在相鄰的矽烷化合物之間或在矽烷化合物與磷酸化合物之間會發生脫水反應，以形成包括醚鍵的反應產物。在另一實例中，當矽烷化合物包括鹵素基團或烷氧基時，矽烷化合物可與水反應以形成反應產物，在所述反應產物中，矽烷化合物的鹵素基團或烷氧基轉化為羥基。另外，含有藉由與水反應生成的羥基的矽烷化合物可藉由與相鄰的矽烷化合物或磷酸化合物的脫水反應而形成包括醚鍵的反應產物。如此一來，此項技術中具有通常知識者藉由組合矽烷化合物、磷酸化合物及/或水的上述官能團，可容易地形成各種反應產物。
根據一個實施例，矽烷化合物可以百萬分之0.1（0.1 ppm）至25重量%的量存在於用於氮化矽的蝕刻組成物中。舉例而言，矽烷化合物可以0.001重量%至25重量%、具體而言0.001重量%至10重量%的量存在於用於氮化矽的蝕刻組成物中。根據另一實施例，矽烷化合物可以0.01重量%至5重量%的量存在於用於氮化矽的蝕刻組成物中。在另一實施例中，矽烷化合物可以0.5重量%至3重量%的量存在，但並非僅限於此。當矽烷化合物的含量在此範圍內時，用於氮化矽的蝕刻組成物可相較於氧化矽層對氮化矽層具有高蝕刻選擇率。
根據一個實施例，用於氮化矽的蝕刻組成物可包含60重量%至99.99重量%的磷酸化合物、0.1 ppm至25重量%的矽烷化合物以及餘量的水。在一個實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可包含60重量%至90重量%的磷酸化合物、0.01重量%至5重量%的矽烷化合物以及餘量的水。在另一實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可包含85重量%的磷酸化合物、0.5重量%至3重量%的矽烷化合物以及餘量的水，但並非僅限於此。在該些含量範圍內，用於氮化矽的蝕刻組成物可相較於氧化矽層對氮化矽層具有高蝕刻選擇率。
根據一個實施例，用於氮化矽的蝕刻組成物可更包含有機溶劑或無機溶劑以改善矽化合物的溶解度。有機溶劑或無機溶劑可選自此項技術中通常使用的任何溶劑，並且可包括例如1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇甲醚乙酸酯等。在一個實施例中，有機溶劑或無機溶劑在1個大氣壓下的沸點可為100°C或高於100°C，但並非僅限於此。
根據一個實施例，用於氮化矽的蝕刻組成物可更包含此項技術中通常使用的添加劑以改善蝕刻效能。舉例而言，所述添加劑可包括界面活性劑、分散劑及蝕刻速率調節劑，但並非僅限於此。
相較於不含矽烷化合物的蝕刻組成物，用於氮化矽的蝕刻組成物可相較於氧化矽層對氮化矽層具有更高的蝕刻選擇率。根據一個實施例，用於氮化矽的蝕刻組成物可具有由方程式1所計算的為16或大於16的蝕刻選擇率：
蝕刻選擇率=A/B， ---（1）
其中A表示所述蝕刻組成物相對於氮化矽層每單位時間的蝕刻速率（單位：埃/分鐘），且B表示所述蝕刻組成物相對於氧化矽層每單位時間的蝕刻速率（單位：埃/分鐘）。舉例而言，用於氮化矽的蝕刻組成物可具有為25或大於25的蝕刻選擇率。在另一實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可具有為100或大於100的蝕刻選擇率。在又一實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可具有為400或大於400的蝕刻選擇率，但並非僅限於此。
在包含矽烷化合物（所述矽烷化合物包括選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12
)、*-C(=O)-N(R12
)(R13
)、*-C(=O)-O-C(=O)(R12
)及C1
至C10
烷氧基中的至少一個取代基）的蝕刻組成物中，矽烷化合物選擇性地耦合至氧化矽層的上表面以保護氧化矽層，藉此使得能夠單獨對於氮化矽層進行選擇性蝕刻。此外，矽烷化合物中的Si原子藉由C1
至C10
伸烷基或C6
至C20
伸芳基彼此連接，藉此提供較藉由單鍵耦合Si原子的情形更高的穩定性。
用於氮化矽的蝕刻組成物可藉由混合磷酸化合物、水及由式1表示的矽烷化合物來製備。在一個實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可藉由混合60重量%至99.99重量%的磷酸化合物、0.1 ppm至25重量%的矽烷化合物以及餘量的水來製備。在另一實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可藉由混合60重量%至90重量%的磷酸化合物、0.01重量%至5重量%的矽烷化合物以及餘量的水來製備。在又一實例中，用於氮化矽的蝕刻組成物可藉由混合85重量%的磷酸化合物、0.5重量%至3重量%的矽烷化合物以及餘量的水來製備，但並非僅限於此。
根據本發明的另一態樣，提供了一種使用用於氮化矽的蝕刻組成物的蝕刻方法。
所述蝕刻方法例如可包括：在基板上形成氮化矽層或氧化矽層；藉由向其施加蝕刻組成物來蝕刻氮化矽層或氧化矽層；以及在蝕刻後移除所述蝕刻組成物。
所述基板可選自此項技術中通常使用的任何基板，並且可為例如半導體晶圓。
藉在向其施加蝕刻組成物來蝕刻氮化矽層或氧化矽層的步驟例如可包括：將氮化矽層或氧化矽層浸入含有蝕刻組成物的蝕刻浴中，或將蝕刻組成物噴塗到氮化矽層或氧化矽層上，但並非僅限於此。
根據一個實施例，所述蝕刻方法可更包括在蝕刻氮化矽層或氧化矽層之前加熱用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述蝕刻組成物可被加熱至100°C或高於100°C的溫度，例如100°C至500°C。根據一個實施例，用於氮化矽的蝕刻組成物可被加熱至150°C至300°C，但並非僅限於此。
在蝕刻後移除所述蝕刻組成物的步驟例如可包括：用純水清潔蝕刻組成物，然後乾燥氧化矽層或氮化矽層，但並非僅限於此。
使用用於氮化矽的蝕刻組成物的蝕刻方法在未因矽烷系添加劑在氧化矽層上的累積而導致氧化矽層異常生長的情況下改善了相較於氧化矽層對氮化矽層的蝕刻選擇率，並且不允許在蝕刻後藉由矽烷系添加劑之間的反應而產生沉澱物。
接下來，將參照一些實例更詳細地描述本發明。在以下實例中，應注意在表達「使用B代替A」中，A的重量與B的重量相同。實例
實例1
製備了包含85重量%的磷酸、0.5重量%的矽烷化合物1以及餘量的水的用於氮化矽的蝕刻組成物。
實例2至實例11以及比較例1至比較例4
除以表1中所列出的量使用不同化合物代替矽烷化合物1之外，以與實例1相同的方式製備了用於氮化矽的蝕刻組成物中的每一者。
評估實例1
將在實例1至實例11以及比較例1至比較例4中製備的用於氮化矽的蝕刻組成物中的每一者加熱至160°C，然後使用所述蝕刻組成物蝕刻LP-SiN層或PE-SiO層達5分鐘。在蝕刻之前及蝕刻之後使用橢圓計（ellipsometer）量測了LP-SiN層或PE-SiO層的厚度，然後計算相較於氧化矽層對氮化矽層的蝕刻選擇率，且結果示於表1中。
評估實例2
將在實例1至實例11以及比較例1至比較例4中製備的用於氮化矽的蝕刻組成物中的每一者加熱至160°C，然後使用所述蝕刻組成物蝕刻LP-SiN層或PE-SiO層達5分鐘。在蝕刻之後，將所述組成物置於小瓶中，然後使用特比斯坎（Turbiscan）量測在880奈米下的透射率以確認在組成物中存在沉澱物，且結果示於表1中。
表1 
自表1可看出，相較於比較例1至比較例4的蝕刻組成物，在實例1至實例11中製備的用於氮化矽的蝕刻組成物相較於氧化矽層對氮化矽層具有更高的蝕刻選擇率。
此外可看出，用於氮化矽的蝕刻組成物不會導致氧化矽的異常生長以及沉澱物的產生。
應理解，在不背離本發明的精神及範圍的情況下，熟習此項技術者可作出各種修改、改變、更改及等效實施例。
無。
無。
Claims (16)
- 一種用於氮化矽的蝕刻組成物，包含： 磷酸化合物； 水；以及 由式1表示的矽烷化合物及其反應產物中的至少一者： [式1]其中在式1中， L1 至L6 各自獨立地選自*-O-*'、*-S-*'、*-N(R11 )-*'、*-C(=O)O-*'、伸磺醯基、伸磷醯基（phosphorylene）、伸膦醯基、伸唑基、*-C(=O)-*'、*-C(=O)-N(R11 )-*'、*-C(=O)-O-C(=O)-*'、C1 至C10 伸烷基、C2 至C10 伸烯基、C2 至C10 伸炔基、C3 至C10 伸環烷基、C1 至C10 伸雜環烷基、C3 至C10 伸環烯基、C1 至C10 伸雜環烯基、C6 至C20 伸芳基及C1 至C20 伸雜芳基； L7 選自C1 至C10 伸烷基及C6 至C20 伸芳基； a1至a6各自獨立地選自0至10的整數； a7選自1至10的整數， R1 至R6 各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、*-C(=O)-O-C(=O)(R12 )、C1 至C10 烷基、C2 至C10 烯基、C2 至C10 炔基、C1 至C10 烷氧基、C3 至C10 環烷基、C1 至C10 雜環烷基、C3 至C10 環烯基、C1 至C10 雜環烯基、C6 至C20 芳基及C1 至C20 雜芳基，條件是R1 至R6 中的至少一者選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、*-C(=O)-O-C(=O)(R12 )及C1 至C10 烷氧基； R11 至R13 各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、C1 至C10 烷基、C2 至C10 烯基、C2 至C10 炔基、C1 至C10 烷氧基、C3 至C10 環烷基、C1 至C10 雜環烷基、C3 至C10 環烯基、C1 至C10 雜環烯基、C6 至C20 芳基及C1 至C20 雜芳基； n選自1至10的整數；且 *及*'中的每一者是與相鄰原子的連接位點。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述磷酸化合物為磷酸（H3 PO4 ）或其鹽、亞磷酸（H3 PO3 ）或其鹽、次磷酸（H3 PO2 ）或其鹽、連二磷酸（H4 P2 O6 ）或其鹽、三聚磷酸（H5 P3 O10 ）或其鹽、焦磷酸（H4 P2 O7 ）或其鹽、或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中L7 選自未經取代或經甲基、乙基及丙基中的至少一者取代的亞甲基、伸乙基及伸丙基。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中R1 至R6 各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、C1 至C10 烷基及C1 至C10 烷氧基，條件是R1至R6中的至少一者選自F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )及C1 至C10 烷氧基，且 R12 及R13 各自獨立地選自氫、F、Cl、Br、I、羥基、胺基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、C1 至C10 烷基及C1 至C10 烷氧基。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中R1 至R6 各自獨立地選自F、Cl、Br、I、羥基、C1 至C10 烷基及C1 至C10 烷氧基，條件是R1 至R6 中的至少一者選自F、Cl、Br、I、羥基及C1 至C10 烷氧基。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中R1 至R6 中的至少二者選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、*-C(=O)-O-C(=O)(R12 )及C1 至C10 烷氧基。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中R1 至R6 中的至少五者選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、*-C(=O)-O-C(=O)(R12 )及C1 至C10 烷氧基。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中R1 至R6 選自F、Cl、Br、I、羥基、硫醇基、氰基、胺基、羧基、磺酸基、磷酸基、膦酸基、唑基、*-C(=O)(R12 )、*-C(=O)-N(R12 )(R13 )、*-C(=O)-O-C(=O)(R12 )及C1 至C10 烷氧基。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中n為1。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述矽烷化合物選自化合物1至化合物9：。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述矽烷化合物以0.1 ppm至25重量%的量存在於用於所述氮化矽的所述蝕刻組成物中。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，包含： 60重量%至99.99重量%的所述磷酸化合物； 0.1 ppm至25重量%的所述矽烷化合物；以及 餘量的所述水。
- 如申請專利範圍第1項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述蝕刻組成物具有由方程式1所計算的為16或大於16的蝕刻選擇率： 蝕刻選擇率=A/B， ---（1） 其中A表示所述蝕刻組成物相對於氮化矽層每單位時間的蝕刻速率（單位：埃/分鐘），且B表示所述蝕刻組成物相對於氧化矽層每單位時間的蝕刻速率（單位：埃/分鐘）。
- 如申請專利範圍第12項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述蝕刻選擇率為100或大於100。
- 如申請專利範圍第13項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物，其中所述蝕刻選擇率為400或大於400。
- 一種蝕刻方法，使用如申請專利範圍第1項至第15項中任一項所述的用於氮化矽的蝕刻組成物。
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