CN112154136B - 具有三芳基胺结构的化合物及有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供空穴注入·传输性能优异、具有电子阻挡能力、具有薄膜状态下的稳定性高的优异的特性的有机化合物，进而使用该化合物而提供高效率、高耐久性的有机EL元件。本发明为由下述结构式(A‑1)表示的、具有三芳基胺结构的化合物。(式中，A、B及C可相互相同也可不同，表示由下述结构式(B‑1)表示的基团、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。但是，A、B及C中的至少一个不为由下述结构式(B‑1)表示的基团。)(式中的符号等参照说明书中的记载。)

Description

具有三芳基胺结构的化合物及有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及在适于各种显示装置的作为自发光元件的有机电致发光元件(以下简称为有机EL元件)中适合的化合物和元件，详细地说，涉及具有三芳基胺结构的化合物、使用该化合物的有机EL元件。
背景技术
有机EL元件为自发光性元件，因此与液晶元件相比明亮且可视性优异，可进行鲜明的显示，因此进行了活跃的研究。
1987年伊士曼柯达公司的C.W.Tang等开发出将各种职能分担于各材料的层叠结构元件，由此使使用有机材料的有机EL元件成为了实用的元件。他们通过将能够传输电子的荧光体和能够传输空穴的有机物层叠、将两者的电荷注入到荧光体的层中而使其发光，由此用10V以下的电压得到1000cd/m2以上的高亮度(例如参照专利文献1及专利文献2)。
目前为止，为了有机EL元件的实用化，进行了大量的改进，对层叠结构中的各层的职能进一步细分化，制成在基板上依次设置有阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极的电致发光元件，由此实现高效率和耐久性(例如参照非专利文献1)。
另外，以发光效率的进一步提高为目的，尝试了三重态激子的利用，研究了磷光发光性化合物的利用(例如参照非专利文献2)。
而且，也开发了利用采用热活化延迟荧光(TADF)的发光的元件。2011年九州大学的安达等利用使用了热活化延迟荧光材料的元件实现了5.3％的外部量子效率(例如参照非专利文献3)。
就发光层而言，也能够在一般被称为主体材料的电荷传输性的化合物中掺杂荧光性化合物、磷光发光性化合物或发射延迟荧光的材料而制作。如上述非专利文献中记载那样，有机EL元件中的有机材料的选择对该元件的效率、耐久性等各特性产生大的影响(例如参照非专利文献2)。
在有机EL元件中，从两电极注入的电荷在发光层中复合而得到发光，如何将空穴和电子这两电荷高效率地交付于发光层是重要的，需要制成载流子平衡优异的元件。另外，通过提高阻挡从阴极所注入的电子的电子阻挡性，提高空穴与电子复合的概率、能够获得更高的发光效率。因此，空穴传输材料发挥的职能是重要的，需要空穴注入性高、空穴迁移率大、电子阻挡性高、进而对于电子的耐久性高的空穴传输材料。
另外，关于元件的寿命，材料的耐热性、无定形性也是重要的。对于耐热性低的材料而言，由于元件驱动时生成的热，即使在低的温度下也发生热分解，材料劣化。对于无定形性低的材料而言，即使是短时间也发生薄膜的结晶化，元件劣化。因此，对于使用的材料需要耐热性高、无定形性良好的性质。
作为目前为止用于有机EL元件的空穴传输材料，已知N，N’-二苯基-N，N’-二(α-萘基)联苯胺(以下简称为NPD)、各种芳香族胺衍生物(例如参照专利文献1及专利文献2)。NPD具有良好的空穴传输能力，但成为耐热性的指标的玻璃化转变温度(Tg)低达96℃，在高温条件下发生由结晶化所引起的元件特性的降低。
另外，在专利文献1及2中记载的芳香族胺衍生物中，也有空穴的迁移率为10-3cm2/Vs以上的具有优异的迁移率的化合物，但由于电子阻挡性不充分，因此存在电子的一部分穿过发光层、不能期待发光效率的提高等问题，为了进一步的高效率化，需要电子阻挡性高、获得更稳定且耐热性高的薄膜的材料。
进而，也报道了耐久性高的芳香族胺衍生物(例如参照专利文献3)，它们用作电子照相感光体中的电荷传输材料，尚无用作有机EL元件的例子。
作为改进了耐热性、空穴注入性等特性的化合物，提出具有取代咔唑结构的芳基胺化合物(例如参照专利文献4及专利文献5)，对于将这些化合物用于空穴注入层或空穴传输层的元件而言，虽然耐热性、发光效率等得到改进，但尚不能说充分。因此，为了进一步的低驱动电压化、高发光效率化，需要空穴注入性高、空穴的迁移率大、电子阻挡性高、进而对于电子的耐久性高的空穴传输材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：US5792557
专利文献2：US5639914
专利文献3：US7799492
专利文献4：US8021764
专利文献5：EP2684932
非专利文献
非专利文献1：应用物理学会第9次讲习会预稿集第55～61页(2001)
非专利文献2：应用物理学会第9次讲习会预稿集第23～31页(2001)
非专利文献3：Appl.Phys.Let.，98，083302(2011)
发明内容
本发明的目的在于，作为高效率、高耐久性的有机EL元件用材料，提供空穴注入·传输性能优异、具有电子阻挡能力、具有薄膜状态下的稳定性高的优异的特性的有机化合物，进而使用该化合物，提供高效率、高耐久性的有机EL元件。
作为本发明要提供的有机化合物应具备的物理的特性，能够列举出：(1)空穴的注入特性良好；(2)空穴的迁移率大；(3)电子阻挡能力优异；(4)薄膜状态稳定；(5)耐热性优异。
另外，作为本发明要提供的有机EL元件应具备的物理的特性，能够列举出：(1)发光效率及电力效率高；(2)发光开始电压低；(3)实用驱动电压低；(4)为长寿命。
因此，本发明人为了实现上述的目的，进行了深入研究，结果发现：具有特定的结构的三芳基胺化合物的空穴注入·传输能力以及薄膜的稳定性及耐久性优异，进而电子阻挡性也优异，完成了本发明。
即，本发明如下所述。
1)具有三芳基胺结构的化合物，其由下述结构式(A-1)表示。
[化1]
(式中，A、B及C可相互相同也可不同，表示由下述结构式(B-1)表示的基团、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、或者取代或未取代的稠合多环芳香族基团。但是，A、B及C中的至少一个不为由下述结构式(B-1)表示的基团。)
[化2]
(式中，虚线部为键合部位。
R表示氢原子、重氢原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、可具有取代基的碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基、可具有取代基的碳原子数5至10的环烷基、可具有取代基的碳原子数2至6的直链状或分支状的烯基、可具有取代基的碳原子数1至6的直链状或分支状的烷氧基、可具有取代基的碳原子数5至10的环烷氧基、取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基、取代或未取代的稠合多环芳香族基团或取代或未取代的芳氧基，n为R的个数，表示0～3的整数。在n为2～3的情况下，多个键合于同一苯环的R可相互相同也可不同，可经由单键、取代或未取代的亚甲基、氧原子、或硫原子相互键合而形成环。
L表示取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基或取代或未取代的稠合多环芳香族基团，m表示1～3的整数。在m为2或3的情况下，L可相互相同也可不同。
Ar1、Ar2可相互相同也可不同，表示取代或未取代的芳香族烃基、取代或未取代的芳香族杂环基或取代或未取代的稠合多环芳香族基团。)
2)上述1)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，由上述结构式(B-1)表示的基团为由下述结构式(B-2)表示的基团。
[化3]
(式中，Ar1、Ar2、L、m、n及R与上述结构式(B-1)中的定义相同。)
3)上述2)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，由上述结构式(B-2)表示的基团中的L为未取代的芳香族烃基、未取代的芳香族杂环基或未取代的稠合多环芳香族基团。
4)上述3)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，由上述结构式(B-2)表示的基团为由下述结构式(B-3)表示的基团。
[化4]
(式中，Ar1、Ar2、n及R与上述结构式(B-1)中的定义相同。)
5)上述3)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，由上述结构式(B-2)表示的基团为由下述结构式(B-4)表示的基团。
[化5]
(式中，Ar1、Ar2、n及R与上述结构式(B-1)中的定义相同。)
6)上述5)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，由上述结构式(B-4)表示的基团为由下述结构式(B-5)表示的基团。
[化6]
(式中，Ar1、Ar2、n及R与上述结构式(B-1)中的定义相同。)
7)上述6)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，上述结构式(B-5)中的n为0或1。
8)上述6)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，上述结构式(B-5)中的n为0。
9)上述4)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，由上述结构式(B-3)表示的基团为由下述结构式(B-6)表示的基团。
[化7]
(式中，Ar1、Ar2、n及R与上述(B-1)中的定义相同。)
10)上述9)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，上述结构式(B-6)中的n为0或1。
11)上述9)所述的具有三芳基胺结构的化合物，其中，上述结构式(B-6)中的n为0。
12)有机EL元件，是具有一对电极和在其间夹持的至少一层的有机层的有机EL元件，其特征在于，使用上述1)至11)中任一项所述的具有三芳基胺结构的化合物作为至少一个有机层的构成材料。
13)12)所述的有机EL元件，其中，上述有机层为空穴传输层。
14)12)所述的有机EL元件，其中，上述有机层为电子阻挡层。
15)12)所述的有机EL元件，其中，上述有机层为空穴注入层。
16)12)所述的有机EL元件，其中，上述有机层为发光层。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”、或“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”，具体地，能够列举出苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、螺双芴基、茚基、芘基、苝基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、喹喔啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘啶基、菲咯啉基、吖啶基和咔啉基等。进而，能够选自碳数6～30的芳基和碳数2～30的杂芳基。这些取代基与该取代基取代的苯环、以及取代于同一苯环的多个取代基之间可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“可具有取代基的碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基”、“可具有取代基的碳原子数5至10的环烷基”、或“可具有取代基的碳原子数2至6的直链状或分支状的烯基”中的“碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基”、“碳原子数5至10的环烷基”、或“碳原子数2至6的直链状或分支状的烯基”，具体地能够列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、环戊基、环己基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、乙烯基、烯丙基、异丙烯基和2-丁烯基等。这些取代基与该取代基取代的苯环、以及取代于同一苯环的多个取代基之间可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“可具有取代基的碳原子数1至6的直链状或分支状的烷氧基”、或“可具有取代基的碳原子数5至10的环烷氧基”中的“碳原子数1至6的直链状或分支状的烷氧基”、或“碳原子数5至10的环烷氧基”，具体地能够列举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、环戊氧基、环己氧基、环庚氧基、环辛氧基、1-金刚烷氧基、2-金刚烷氧基等。这些取代基与该取代基取代的苯环、以及取代于同一苯环的多个取代基之间可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“取代芳香族烃基”、“取代芳香族杂环基”、“取代稠合多环芳香族基团”、“可具有取代基的碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基”、“可具有取代基的碳原子数5至10的环烷基”、“可具有取代基的碳原子数2至6的直链状或分支状的烯基”、“可具有取代基的碳原子数1至6的直链状或分支状的烷氧基”、或“可具有取代基的碳原子数5至10的环烷氧基”中的“取代基”，具体地能够列举出重氢原子、氰基、硝基；氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等卤素原子；三甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基等甲硅烷基；甲基、乙基、丙基等碳原子数1～6的直链状或分支状的烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳原子数1～6的直链状或分支状的烷氧基；乙烯基、烯丙基等烯基；苯氧基、甲苯氧基等芳氧基；苄氧基、苯乙氧基等芳基烷氧基；苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、螺双芴基、茚基、芘基、苝基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基等芳香族烃基或稠合多环芳香族基团；吡啶基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、喹喔啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基等芳香族杂环基这样的基团，这些取代基可进一步被上述例示的取代基取代。另外，这些取代基与该取代基取代的苯环、以及取代于同一苯环的多个取代基之间可经由单键、取代或未取代的亚甲基、取代或未取代的氨基、氧原子或硫原子相互键合而形成环。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的Ar1及Ar2表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”，能够列举出与关于上述结构式(B-1)～(B-5)中的R表示的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的Ar1及Ar2表示的“取代芳香族烃基”、“取代芳香族杂环基”、或“取代稠合多环芳香族基团”中的“取代基”，能够列举出与关于上述结构式(B-1)～(B-5)中的R表示的“取代基”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为结构式(A-1)中的A、B及C表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”，能够列举出与关于上述结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为结构式(A-1)中的A、B及C表示的“取代芳香族烃基”、“取代芳香族杂环基”、或“取代稠合多环芳香族基团”中的“取代基”，能够列举出与关于上述结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“取代基”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的L表示的“取代或未取代的芳香族烃基”、“取代或未取代的芳香族杂环基”或“取代或未取代的稠合多环芳香族基团”中的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”，能够列举出与关于上述结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“芳香族烃基”、“芳香族杂环基”或“稠合多环芳香族基团”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
作为结构式(B-1)～(B-6)中的L表示的“取代芳香族烃基”、“取代芳香族杂环基”、或“取代稠合多环芳香族基团”中的“取代基”，能够列举出与关于上述结构式(B-1)～(B-6)中的R表示的“取代基”表示的基团同样的基团，可采取的形态也能够列举出同样的形态。
本发明中，上述结构式(A-1)中的A优选为由上述结构式(B-1)表示的基团。这种情况下，B及C可相互相同也可不同，优选为由下述结构式(C-1)或(C-2)表示的基团。
[化8]
(式中，R1及R2可相互相同也可不同，表示碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基，j为R1的个数，表示0～2的整数，k为R2的个数，表示0～2的整数，j+k为0或2。在j+k为2的情况下，R1之间、R2之间、或R1及R2相邻，相互键合而形成环。)
[化9]
(式中，R3可相互相同也可不同，表示碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基，l为R3的个数，表示0、2或4。在l为2或4的情况下，R3之间相邻，相互键合而形成环。)
就本发明的有机EL元件中适合使用的、由上述结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物而言，能够作为有机EL元件的空穴注入层、空穴传输层及电子阻挡层的材料来使用。特别地，由于空穴的迁移率高，因此是作为空穴注入层及空穴传输层的材料而优选的化合物。
就本发明的有机EL元件而言，由于使用空穴的注入·传输性能、电子阻挡性能以及薄膜的稳定性、耐久性优异的有机EL元件用的材料，因此与以往的有机EL元件相比，从空穴传输层向发光层的空穴传输效率提高，发光效率提高，且驱动电压降低，耐久性提高。通过使用由上述结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物，可实现高效率、低驱动电压、长寿命的有机EL元件。
发明的效果
就本发明的有机EL元件而言，通过选择能够有效地呈现空穴的注入·传输的职能的特定的具有三芳基胺结构的化合物，能够从空穴传输层向发光层将空穴高效率地注入·传输，因此空穴的注入·传输性能、薄膜的稳定性、耐久性优异，能够实现高效率、低驱动电压、长寿命的有机EL元件。
根据本发明，能够改善有机EL元件的发光效率和驱动电压，而且改善耐久性。
附图说明
图1为表示本发明的有机EL元件的构成的示意图。
具体实施方式
以下，示出在本发明的有机EL元件中适合使用的由上述结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物中优选的化合物的具体例，但本发明并不限定于这些化合物。
[化10]
[化11]
[化12]
[化13]
[化14]
[化15]
[化16]
[化17]
就由通式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物的精制而言，能够通过利用柱色谱法的精制、利用硅胶、活性炭、活性白土等的吸附精制、利用溶剂的重结晶、晶析法、升华精制法等用于有机化合物的精制的公知的方法来进行。化合物的鉴定能够通过NMR分析等来进行。作为物性值，优选进行熔点、玻璃化转变温度(Tg)和功函数的测定。熔点成为蒸镀性的指标，玻璃化转变温度(Tg)成为薄膜状态的稳定性的指标，功函数成为空穴传输性、空穴阻挡性的指标。
就熔点和玻璃化转变温度(Tg)而言，例如，能够使用粉体，通过高灵敏度差示扫描量热计(ブルカー·エイエックスエス制造、DSC3100SA)来测定。
就功函数而言，例如，能够在ITO基板上制作100nm的薄膜、通过电离电位测定装置(住友重机械工业株式会社制造、PYS-202)来求出。
作为本发明的有机EL元件的结构，可列举出在基板上依次包含阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的结构、以及在空穴传输层与发光层之间具有电子阻挡层的结构、在发光层与电子传输层之间具有空穴阻挡层的结构。在这些多层结构中，1个有机层可兼具某个层或某些层的职能，例如也能够制成1个有机层兼作空穴注入层和空穴传输层的构成、兼作电子注入层和电子传输层的构成等。另外，可制成将2层以上的具有同一功能的有机层层叠而成的构成，也能够制成将2层空穴传输层层叠的构成、将2层发光层层叠的构成、将2层电子传输层层叠的构成等。
例如，在图1中，示出在玻璃基板1上依次形成阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8和阴极9的、有机EL元件的层构成。以下，对构成本发明的有机EL元件的各层进行说明。
(阳极2)
在阳极2中，使用ITO、金这样的功函数大的电极材料。
(空穴注入层3)
在空穴注入层3中，除了本发明的具有三芳基胺结构的化合物以外，能够使用公知的化合物，例如以酞菁铜为代表的卟啉化合物、星爆型的三苯基胺衍生物、具有在分子中具有2个以上三苯基胺结构或咔唑基结构、各自用单键或不含杂原子的2价基团所连接的结构的芳基胺化合物等，也能够使用六氰基氮杂苯并[9,10]菲这样的受体性的杂环化合物、聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)(以下简称为PEDOT)/聚(苯乙烯磺酸)(以下简称为PSS)等涂布型的高分子材料。
就这些化合物及材料而言，可单独地供于成膜，也可将多种混合来供于成膜。在将多种混合来供于成膜的情况下，作为其1种，可使用将三(溴苯基)胺六氯化锑、轴烯衍生物(例如参照专利文献5)等进行P掺杂而成的材料、在部分结构中具有N，N’-二苯基-N，N’-二(间-甲苯基)-联苯胺(以下简称为TPD)等联苯胺衍生物的结构的高分子化合物等。
就这些化合物及材料而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法、喷墨法等公知的方法来进行薄膜形成。
(空穴传输层4)
在空穴传输层4中，除了本发明的具有三芳基胺结构的化合物以外，也能够使用具有空穴传输性的公知的化合物。作为具有空穴传输性的公知的化合物，能够列举出TPD、NPD、N，N，N'，N'-四联苯基联苯胺等联苯胺衍生物、1，1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(以下简称为TAPC)、具有在分子中具有2个以上三苯基胺结构或咔唑基结构、各自用单键或不含杂原子的2价基团而连接的结构的芳基胺化合物等。另外，也能够使用上述PEDOT、PSS等涂布型的高分子材料。它们可单独地成膜，也可将多种混合而成膜，能够各自作为单层来使用。还可制成将上述的化合物或材料单独地成膜的层之间的层叠结构、将多种混合而成膜的层之间的层叠结构、或者将上述的化合物或材料单独地成膜的层与将上述多种混合而成膜的层的层叠结构。就这些化合物及材料而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法、喷墨法等公知的方法来进行薄膜形成。
另外，在空穴传输层4中，除了通常所使用的化合物及材料以外，能够使用进一步将三(溴苯基)胺六氯化锑、轴烯衍生物(例如参照专利文献5)进行P掺杂而成的材料、在其部分结构中具有TPD等联苯胺衍生物的结构的高分子化合物等。
(电子阻挡层5)
在电子阻挡层5中，除了本发明的具有三芳基胺结构的化合物以外，也能够使用公知的具有电子阻挡作用的化合物。作为公知的具有电子阻挡作用的化合物，能够列举出4，4'，4”-三(N-咔唑基)三苯基胺(以下简称为TCTA)、9，9-双[4-(咔唑-9-基)苯基]芴、1，3-双(咔唑-9-基)苯(以下简称为mCP)、2，2-双(4-咔唑-9-基苯基)金刚烷(以下简称为Ad-Cz)等咔唑衍生物、以9-[4-(咔唑-9-基)苯基]-9-[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]-9H-芴为代表的具有三苯基甲硅烷基和三芳基胺结构的化合物等具有电子阻挡作用的化合物。它们可单独地成膜，也可将多种混合而成膜，能够各自作为单层来使用。还可制成将上述的材料单独地成膜的层之间的层叠结构、将上述多种混合而成膜的层之间的层叠结构、或者将上述的材料单独地成膜的层与将上述多种混合而成膜的层的层叠结构。就这些化合物而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法、喷墨法等公知的方法来进行薄膜形成。
(发光层6)
在发光层6中，除了本发明的具有三芳基胺结构的化合物以外，也能够使用公知的发光材料。作为公知的发光材料，能够列举出以Alq3为首的喹啉酚衍生物的金属络合物、各种的金属络合物、蒽衍生物、双苯乙烯基苯衍生物、芘衍生物、噁唑衍生物、聚对亚苯基亚乙烯基衍生物等。另外，发光层6可由主体材料和掺杂剂材料构成。作为主体材料，优选使用蒽衍生物，除此之外，除了以本发明的具有三芳基胺结构的化合物为首的上述发光材料以外，能够使用具有吲哚环作为稠合环的部分结构的杂环化合物、具有咔唑环作为稠合环的部分结构的杂环化合物、咔唑衍生物、噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、聚二烷基芴衍生物等。另外，作为掺杂剂材料，可列举出喹吖啶酮、香豆素、红荧烯、苝及它们的衍生物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、氨基苯乙烯基衍生物等。它们可单独地成膜，也可将多种混合而成膜，能够各自作为单层来使用。还可制成将上述的化合物或材料单独地成膜的层之间的层叠结构、将上述多种混合而成膜的层之间的层叠结构、或者将上述的化合物或材料单独地成膜的层与将多种混合而成膜的层的层叠结构。
另外，也可使用磷光发光体作为发光材料。作为磷光发光体，能够使用铱、铂等的金属络合物的磷光发光体。例如，可列举出Ir(ppy)3等绿色的磷光发光体、FIrpic、FIr6等青色的磷光发光体、Btp2Ir(acac)等红色的磷光发光体等。作为此时的主体材料，作为空穴注入·传输性的主体材料，能够列举出4，4’-二(N-咔唑基)联苯(以下简称为CBP)、TCTA、mCP等咔唑衍生物和具有苯并唑环结构和吡啶并吲哚环结构的化合物。另外，作为电子传输性的主体材料，能够列举出对-双(三苯基甲硅烷基)苯(以下简称为UGH2)、2，2’，2”-(1，3，5-亚苯基)-三(1-苯基-1H-苯并咪唑)(以下简称为TPBI)等。通过将这样的磷光发光体用于发光材料，能够制作高性能的有机EL元件。
就磷光性的发光材料的在主体材料中的掺杂而言，为了避免浓度消光，相对于发光层整体，优选设为1～30重量％的范围，优选通过共蒸镀而进行掺杂。
另外，作为发光材料，也可使用PIC-TRZ、CC2TA、PXZ-TRZ、4CzIPN等CDCB衍生物等、放射延迟荧光的材料(例如参照非专利文献3)。就这些材料而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法、喷墨法等公知的方法来进行薄膜形成。
(空穴阻挡层)
在发光层6与电子传输层7之间，能够设置空穴阻挡层(在图1中未示出)。在空穴阻挡层中，能够使用公知的具有空穴阻挡作用的化合物。作为公知的具有空穴阻挡作用的化合物，能够列举出浴铜灵(以下简称为BCP)等菲咯啉衍生物、双(2-甲基-8-羟基喹啉合)-4-苯基苯酚铝(III)(以下简称为BAlq)等喹啉酚衍生物的金属络合物、各种的稀土络合物、噁唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、噁二唑衍生物、苯并唑衍生物等。这些化合物可兼作电子传输层的材料。它们可单独地成膜，也可将多种混合而成膜，能够各自作为单层来使用。还可制成将上述化合物单独地成膜的层之间的层叠结构、将上述多种混合而成膜的层之间的层叠结构、或者将上述化合物单独地成膜的层与将多种混合而成膜的层的层叠结构。就这些材料而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法、喷墨法等公知的方法来进行薄膜形成。
(电子传输层7)
在电子传输层7中，能够使用具有电子传输性的公知的化合物。作为具有电子传输性的公知的化合物，能够列举出以Alq3、BAlq为首的喹啉酚衍生物的金属络合物、各种金属络合物、三唑衍生物、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、噁二唑衍生物、吡啶衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并唑衍生物、噻二唑衍生物、蒽衍生物、碳二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶并吲哚衍生物、菲咯啉衍生物、噻咯衍生物等。它们可单独地成膜，也可将多种混合而成膜，能够各自作为单层来使用。还可制成将上述化合物单独地成膜的层之间的层叠结构、将上述多种混合而成膜的层之间的层叠结构、或者将上述化合物单独地成膜的层与将多种混合而成膜的层的层叠结构。就这些材料而言，除了蒸镀法以外，还能够通过旋涂法、喷墨法等公知的方法来进行薄膜形成。
(电子注入层8)
在电子注入层8中，能够使用氟化锂、氟化铯等碱金属盐、氟化镁等碱土金属盐、喹啉酚锂等喹啉酚衍生物的金属络合物、氧化铝等金属氧化物、或者镱(Yb)、钐(Sm)、钙(Ca)、锶(Sr)、铯(Cs)等金属。通过选择电子传输层与阴极的优选的组合，能够省略电子注入层8。
进而，在电子注入层8及电子传输层7中，能够使用对于在该层中通常所使用的材料将铯等金属进行了N掺杂的材料。
(阴极9)
在阴极9中，使用铝这样的功函数低的电极材料、镁银合金、镁钙合金、镁铟合金、铝镁合金这样的功函数更低的合金以及ITO、IZO等电极材料。
实施例
以下，对于本发明的实施方式，通过实施例来具体地说明，本发明只要不超越其主旨，并不限定于以下的实施例。
实施例1
＜N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-5’-苯基-(1，1’：2’，1”-三苯基)-4-胺(化合物-1)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入双(4-联苯基)胺5.00g、4-溴-5’-苯基-1，1’：2’，1”-三联苯6.59g、甲苯50ml、叔丁氧基钠1.79g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.13g、醋酸钯(II)0.07g，在加热回流下搅拌3小时。在反应液中分别加入硅胶和活性白土各10g，搅拌10分钟后，在80℃下进行了Celite过滤。在浓缩的滤液中加入丙酮180ml，进行晶析，得到固体。对于得到的固体，使用正庚烷/二氯甲烷混合溶剂，通过柱色谱法而精制。将浓缩的固体在二氯甲烷20ml中溶解后，加入正庚烷200ml，进行晶析操作，得到N，N-双([1，1’-联苯]-4-基)-5’-苯基-(1，1’：2’，1”-三苯基)-4-胺(化合物-1)的白色固体5.4g(收率56％)。
[化18]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的35个氢的信号。
δ(ppm)＝7.80-7.72(4H)、7.67-7.62(8H)、7.53-7.40(8H)、7.36-7.28(5H)、7.21-7.09(8H)、6.98(2H)
实施例2
＜N-([1，1’-联苯]-4-基)-9，9-二甲基-N-(5’-苯基-[1，1’：2’，1”-三苯基]-4-基)-9H-芴-2-胺(化合物-2)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入2-(4-联苯基)氨基-9，9-二甲基芴6.10g、4-溴-5’-苯基-1，1’：2’，1”-三联苯7.15g、甲苯61ml、叔丁氧基钠1.95g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.14g、醋酸钯(II)0.08g，在加热回流下搅拌3小时。在反应液中分别加入硅胶和活性白土各10g，搅拌10分钟后，在80℃下进行了Celite过滤。在浓缩的滤液中加入丙酮220ml，进行晶析操作，得到固体。对于得到的固体，使用正庚烷/二氯甲烷混合溶剂，通过柱色谱法而精制。将浓缩的固体在二氯甲烷22ml中溶解后，加入正庚烷220ml，进行晶析操作。再次进行同样的晶析操作，得到N-([1，1’-联苯]-4-基)-9，9-二甲基-N-(5’-苯基-[1，1’：2’，1”-三苯基]-4-基)-9H-芴-2-胺(化合物-2)的白色固体2.2g(收率19％)。
[化19]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的39个氢的信号。
δ(ppm)＝7.73-7.56(10H)、7.49-7.42(10H)、7.35-7.22(6H)、7.11-7.07(4H)、6.98-6.96(3H)
实施例3
＜N，N-双(4-[萘-1-基]苯基)-5’-苯基-(1，1’：2’，1”-三苯基)-4-胺(化合物-3)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N，N-双[4-(萘-1-基)苯基]胺9.00g、4-溴-5’-苯基-1，1’：2’，1”-三联苯9.87g、甲苯90ml、叔丁氧基钠2.46g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.17g、醋酸钯(II)0.10g，在加热回流下搅拌3小时。在反应液中分别加入硅胶和活性白土各15g，搅拌10分钟后，在80℃下进行了Celite过滤。将滤液浓缩，使用正庚烷/二氯甲烷混合溶剂，通过柱色谱法而精制。将浓缩的固体在二氯甲烷30ml中溶解后，滴入甲醇300ml中，得到固体。采用同样的方法将得到的固体精制，得到N，N-双(4-[萘-1-基]苯基)-5’-苯基-(1，1’：2’，1”-三苯基)-4-胺(化合物-3)的白色固体13.0g(收率83.9％)。
[化20]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的39个氢的信号。
δ(ppm)＝8.02-7.94(6H)、7.82-7.75(4H)、7.64-7.47(15H)、7.43-7.21(12H)、7.16-7.10(2H)
实施例4
＜N，N-双(4-[萘-2-基]苯基)-5’-苯基-(1，1’：2’，1”-三苯基)-4-胺(化合物-4)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N，N-双[4-(萘-2-基)苯基]胺10.00g、4-溴-5’-苯基-1，1’：2’，1”-三联苯10.97g、甲苯100ml、叔丁氧基钠2.74g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.19g、醋酸钯(II)0.11g，在加热回流下搅拌3小时。在反应液中分别加入硅胶和活性白土各17g，搅拌10分钟后，在80℃下进行了Celite过滤。在浓缩的滤液中加入丙酮340ml，进行晶析操作，得到固体。将得到的固体溶解于甲苯34ml后，加入丙酮340ml，进行晶析操作，得到N，N-双(4-[萘-2-基]苯基)-5’-苯基-(1，1’：2’，1”-三苯基)-4-胺(化合物-4)的白色固体8.3g(收率48％)。
[化21]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(DMSO-d6)检测出以下的39个氢的信号。
δ(ppm)＝8.21(2H)、8.01-7.92(6H)、7.88-7.74(10H)、7.57-7.48(7H)、7.43-7.30(4H)、7.28-7.17(8H)、7.03(2H)
实施例5
＜N-(4-(萘-1-基)苯基)-N-(5’-苯基[1，1’：2’，1”-三联苯]-4-基)菲-9-胺(化合物-58)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N-(4-(萘-1-基)苯基)-N-(5’-苯基[1，1’：2’，1”-三联苯]-4-胺8.5g、9-溴菲4.8g、甲苯85ml、叔丁氧基钠2.3g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.3g、醋酸钯(II)0.1g，在加热回流下搅拌3小时。在80℃下进行了Celite过滤。在滤液中加入活性白土和硅胶，进行吸附精制。将滤液浓缩，通过丙酮对残渣进行晶析，得到N-(4-(萘-1-基)苯基)-N-(5’-苯基[1，1’：2’，1”-三联苯]-4-基)菲-9-胺(化合物-58)的白色固体8.3g(收率73％)。
[化22]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的37个氢的信号。
δ(ppm)＝8.75-8.84(2H)、8.16-8.20(1H)、8.05-8.09(1H)、7.91-7.95(3H)、7.12-7.78(30H)
实施例6
＜N-(4-(萘-2-基)苯基)-N-(5’-苯基[1，1’：2’，1”-三联苯]-4-基)菲-9-胺(化合物-59)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N-(4-(萘-2-基)苯基)-N-(5’-苯基[1，1’：2’，1”-三联苯]-4-胺8.0g、9-溴菲4.5g、甲苯80ml、叔丁氧基钠2.2g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.2g、醋酸钯(II)0.1g，在加热回流下搅拌3小时。在80℃下进行了Celite过滤。在滤液中加入活性白土和硅胶，进行吸附精制。将滤液浓缩，通过甲苯-丙酮对残渣进行晶析，得到N-((4-萘-2-基)苯基)-N-(5’-苯基[1，1’：2’，1”-三联苯]-4-基)菲-9-胺(化合物-59)的白色固体6.6g(收率62％)。
[化23]
/>
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的37个氢的信号。
δ(ppm)＝8.74-8.83(2H)、8.12-8.17(1H)、8.30(1H)、7.21-7.94(29H)、7.08-7.14(4H)
实施例7
＜9，9-二甲基-N-苯基-N-(4’-苯基[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”-基)-9H-芴-2-胺(化合物-71)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入9，9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺4.5g、4”-溴4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]7.6g、甲苯45ml、叔丁氧基钠1.8g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.13g、醋酸钯(II)0.07g，在加热回流下搅拌整夜。冷却到室温，进行水清洗，用无水硫酸镁干燥。通过过滤将干燥剂除去，将滤液浓缩。将残渣用柱色谱精制，得到9，9-二甲基-N-苯基-N-(4’-苯基[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”-基)-9H-芴-2-胺(化合物-71)的白色固体6.5g(收率62％)。
[化24]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的39个氢的信号。
δ(ppm)＝7.51-7.80(13H)、7.22-7.48(18H)、7.08-7.16(2H)、1.50(6H)
实施例8
＜N-([1，1’-联苯]-4-基)-N-(4-(萘-2-基)苯基)-4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”’-胺(化合物-72)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N-(4-(萘-2-基)苯基)-[1，1’-联苯]-4-胺5.1g、4”-溴4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]6.7g、甲苯51ml、叔丁氧基钠1.6g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.11g、醋酸钯(II)0.06g，在加热回流下搅拌整夜。冷却到室温，通过Celite过滤将不溶物除去。在滤液中加入活性炭，进行吸附精制。将滤液浓缩，通过甲苯-丙酮对残渣进行晶析，得到N-([1，1’-联苯]-4-基)-N-(4-(萘-2-基)苯基)-4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”’-胺(化合物-72)的白色固体7.6g(收率74％)。
[化25]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的41个氢的信号。
δ(ppm)＝8.11(1H)、7.91-7.98(3H)、7.65-7.83(9H)、7.28-7.62(28H)
实施例9
＜N-苯基-N-(4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”’-基)菲-9-胺(化合物-77)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N-苯基-菲-9-胺5.0g、4”-溴4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]9.4g、甲苯50ml、叔丁氧基钠2.1g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.15g、醋酸钯(II)0.08g，在加热回流下搅拌整夜。冷却到80℃，通过Celite过滤将不溶物除去。将滤液浓缩，采用柱色谱法对残渣进行精制，得到N-苯基-N-(4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”’-基)菲-9-胺(化合物-77)的白色固体3.8g(收率32％)。
[化26]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的35个氢的信号。
δ(ppm)＝8.73-8.82(2H)、8.12-8.16(1H)、7.40-7.83(18H)、7.18-7.32(13H)、7.02-7.08(1H)
实施例10
＜N-(4-(萘-1-基)苯基)-N-(4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”’-基)菲-2-胺(化合物-86)的合成＞
在氮置换了的反应容器中，加入N-(4-(萘-1-基)苯基)-菲-2-胺6.0g、4”-溴4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]7.3g、甲苯60ml、叔丁氧基钠1.7g、叔丁基膦(50wt％甲苯溶液)0.12g、醋酸钯(II)0.07g，在加热回流下搅拌整夜。冷却到80℃，通过Celite过滤将不溶物除去。将滤液浓缩，采用柱色谱法对残渣进行精制，得到N-(4-(萘-1-基)苯基)-N-(4’-苯基-[1，1’：2’，1”：4”，1”’-四联苯]-4”’-基)菲-2-胺(化合物-86)的黄白色固体8.0g(收率68％)。
[化27]
对于得到的白色固体，使用NMR对结构进行了鉴定。
用1H-NMR(CDCl3)检测出以下的41个氢的信号。
δ(ppm)＝8.62-8.67(2H)、8.11-8.16(1H)、7.88-7.99(3H)、7.27-7.79(35H)
实施例11
对于上述实施例中合成的由结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物，通过高灵敏度差示扫描量热计(ブルカー·エイエックスエス制造、DSC3100SA)测定了熔点和玻璃化转变温度(Tg)。将结果示于表1中。
[表1]
化合物 熔点℃) Tg(℃)
实施例1 化合物-1 - 96.8
实施例2 化合物-2 - 102.0
实施例3 化合物-3 - 112.2
实施例4 化合物-4 220.6 107.1
实施例5 化合物-58 - 131.2
实施例6 化合物-59 - 129.7
实施例7 化合物-71 - 114.1
实施例8 化合物-72 228.3 122.0
实施例9 化合物-77 - 125.1
实施例10 化合物-86 - 139.0
就实施例1～10中合成的、由结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物而言，具有95℃以上的玻璃化转变温度，这表示薄膜状态稳定。
实施例12
使用上述实施例中合成的由结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物，在ITO基板上制作膜厚100nm的蒸镀膜，通过电离电位测定装置(住友重机械工业株式会社制造、PYS-202)测定了功函数。将结果示于表2中。
[表2]
化合物 功函数(eV)
实施例1 化合物-1 5.70
实施例2 化合物-2 5.63
实施例3 化合物-3 5.73
实施例4 化合物-4 5.67
实施例5 化合物-58 5.75
实施例6 化合物-59 5.72
实施例7 化合物-71 5.65
实施例8 化合物-72 5.68
实施例9 化合物-77 5.81
实施例10 化合物-86 5.69
就实施例1～10中合成的、由结构式(A-1)表示的具有三芳基胺结构的化合物而言，与NPD、TPD等一般的空穴传输材料所具有的功函数5.4eV相比，显示出高的能级，具有良好的空穴传输能力。
这些化合物的功函数为用作阳极的ITO的功函数(5.0eV)与实施例中用作发光层的化合物(EMH-1)的功函数(6.0eV)之间，具有良好的空穴注入能力。
这些化合物的功函数为与用作发光层的化合物(EMH-1)的功函数(6.0eV)接近的值，作为发光层材料也良好。
实施例13
使用实施例1的化合物(化合物-1)制作有机EL元件。有机EL元件为图1中所示的构成，在玻璃基板1上作为阳极2预先形成了ITO电极的产物上，依次蒸镀空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5、发光层6、电子传输层7、电子注入层8、阴极(铝电极)9而制作。
具体地，将形成了膜厚150nm的ITO膜的玻璃基板1在异丙醇中进行20分钟超声波清洗后，在加热到200℃的热板上进行了10分钟干燥。然后，进行了15分钟UV臭氧处理后，将该带有ITO的玻璃基板安装到真空蒸镀机内，减压到0.001Pa以下。接着，以覆盖阳极2的方式，作为空穴注入层3，对于下述结构式的电子受体(受体-1)和下述结构的化合物(HTM-1)，以蒸镀速度比成为受体-1：HTM-1＝3：97的蒸镀速度进行二元蒸镀，以膜厚成为30nm的方式形成。在该空穴注入层3上，作为空穴传输层4，以膜厚成为40nm的方式形成化合物(HTM-1)。在该空穴传输层4上，作为电子阻挡层5，以膜厚成为5nm的方式形成实施例1的化合物(化合物-1)。在该电子阻挡层5上，作为发光层6，对于下述结构式的化合物EMD-1和下述结构式的化合物EMH-1，以蒸镀速度比成为EMD-1：EMH-1＝5：95的蒸镀速度进行二元蒸镀，以膜厚成为20nm的方式形成。在该发光层6上，作为电子传输层7，对于下述结构式的化合物(ETM-1)和下述结构式的化合物(ETM-2)，以蒸镀速度比成为ETM-1：ETM-2＝50：50的蒸镀速度进行二元蒸镀，以膜厚成为30nm的方式形成。在该电子传输层7上，作为电子注入层8，以膜厚成为1nm的方式形成氟化锂。最后，以膜厚成为100nm的方式蒸镀铝，形成阴极9。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对于制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
[化28]
实施例14
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例2的化合物(化合物-2)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例15
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例3的化合物(化合物-3)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例16
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例4的化合物(化合物-4)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例17
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例5的化合物(化合物-58)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例18
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例6的化合物(化合物-59)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例19
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例7的化合物(化合物-71)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例20
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例8的化合物(化合物-72)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例21
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例9的化合物(化合物-77)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
实施例22
作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用实施例10的化合物(化合物-86)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
[比较例1]
为了比较，作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用HTM-1，以膜厚成为5nm的方式形成，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
[比较例2]
为了比较，作为电子阻挡层5的材料，代替实施例1的化合物(化合物-1)而使用下述结构式的化合物(HTM-2)，除此以外采用与实施例13同样的条件制作了有机EL元件。对于制作的有机EL元件，在大气中、常温下进行特性测定。将对制作的有机EL元件施加有直流电压时的发光特性的测定结果汇总示于表3中。
[化29]
使用实施例13～22及比较例1～2中制作的有机EL元件，将元件寿命的测定结果一并示于表3中。就元件寿命而言，在将发光开始时的发光亮度(初期亮度)设为2000cd/m2进行恒电流驱动时作为直至发光亮度衰减至1900cd/m2(相当于将初期亮度设为100％时的95％：95％衰减)的时间来测定。
[表3]
在表3中，如果将实施例13～22与比较例1、2进行比较，对于使电流密度10mA/cm2的电流流动时的发光效率而言，比较例1、2的有机EL元件为7.22、7.65cd/A，在实施例13～22的有机EL元件中，为8.00～8.38cd/A的高效率。另外，在电力效率上，比较例1、2的有机EL元件为6.27、6.56lm/W，在实施例13～22的有机EL元件中，为6.93～7.25lm/W的高效率。进而，在元件寿命(95％衰减)上，可知比较例1、2的有机EL元件为121、165小时，相对于此，在实施例13～22的有机EL元件中，为230～257小时，长寿命化。
可知：就本发明的有机EL元件而言，通过选择特定的具有三芳基胺结构的化合物作为电子阻挡层的材料，改善有机EL元件内部的载流子平衡，与以往的有机EL元件相比，能够实现高发光效率且长寿命。
另外，就本发明的具有三芳基胺结构的化合物而言，即使用作空穴注入层、空穴传输层、发光层的构成材料，也能够期待同样的效果。
产业上的可利用性
就本发明的、使用了特定的具有三芳基胺结构的化合物的有机EL元件而言，发光效率提高，耐久性也得到改善，因此例如可向家庭电化制品、照明的广阔的用途发展。
附图标记的说明
1 玻璃基板
2 阳极
3 空穴注入层
4 空穴传输层
5 电子阻挡层
6 发光层
7 电子传输层
8 电子注入层
9 阴极

Claims (6)

1.一种具有三芳基胺结构的化合物，其由下述结构式(A-1)表示：
式中，A为由下述结构式表示的基团，B及C可相互相同也可不同，表示取代或未取代的苯基、未取代的菲基、或取代或未取代的芴基，在取代的苯基的情况下的取代基为苯基或萘基，在取代的芴基的情况下的取代基为碳原子数1至6的直链状或分支状的烷基，
式中，虚线部为键合部位；
Ar1、Ar2表示苯基。
2.一种有机EL元件，其为具有一对电极和在其间夹持的至少一层有机层的有机EL元件，其特征在于，使用权利要求1所述的具有三芳基胺结构的化合物作为至少一个有机层的构成材料。
3.根据权利要求2所述的有机EL元件，其中，所述有机层为空穴传输层。
4.根据权利要求2所述的有机EL元件，其中，所述有机层为电子阻挡层。
5.根据权利要求2所述的有机EL元件，其中，所述有机层为空穴注入层。
6.根据权利要求2所述的有机EL元件，其中，所述有机层为发光层。
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