CN1121499A - 具有光滑镀层的金属化陶瓷基片及其制造方法 - Google Patents

具有光滑镀层的金属化陶瓷基片及其制造方法 Download PDF

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Abstract

一种带有光滑镀层的金属化陶瓷基片，包括：含氮化铝作主要组分的陶瓷基片；形成在上述陶瓷基片至少一个面上的钨和/或钼基的金属化层；和形成在金属化层上的，厚度不超过2μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm的镍基镀层。另一种方案中，镀层由第一层镍基镀层和第二层金基镀层构成，它们的厚度分别不超过2μm和1μm，第二镀层的表面粗糙度不超过2μm。这些金属化陶瓷基片是这样制备的；在AlN陶瓷基片素坯上涂敷W和/或Mo的金属化料浆，压平、烧结，并形成上述的一层或多层镀层。

Description

具有光滑镀层的金属化陶瓷基片 及其制造方法
本发明涉及氮化铝陶瓷，它广泛用作具有高热导率和合适散热性质的电子材料，如基片，包括IC基片和包封材料。更具体地说，本发明涉及一种金属化的氮化铝陶瓷基片，在基片上装有电子元件，如ICs、晶体管、二极管、三极管，本发明还涉及一种制造这种金属化陶瓷基片的方法。
最近，为了满足高速、高输出操作以及用于多功能的增大的集成密度，半导体装置、例如半导体集成电路的性能已经得到了明显提高。这导致了从这些半导体装置中散发热量的急剧增大。为了实现有效的散热，需要安装这种半导体装置的陶瓷基片具有高的热导率。通常用作这类半导体装置的基片为氧化铝，它的热导率相对较低，约为17W/m·k，而且热膨胀系数比作为半导体元件材料的硅要大。热膨胀系数的差别导致氧化铝基片与硅之间焊接较弱。在这种伴有氧化铝的情况下，使用的一种引人注目的材料是氮化铝(AlN)，它具有高的热导率，约180W/m·k，以及与硅相接近的热膨胀系数。在日本专利公开No.3-193686中，AlN作为金属化的烧结体，用来与半导体元件以及装配元件包括铅框架或密封环焊在一起。
尽管预先形成的金属化层与AlN烧结体有足够的粘结强度，但是它的焊料润湿性差。
焊料润湿性差会引起以下几个问题。当通过金属化层将半导体元件装在AlN烧结体上时，差的焊料润湿性会降低由半导体元件向AlN烧结体的传热效率，因而降低由AlN烧结体释放的热量，导致半导体元件的严重升温。结果，难以实现半导体元件的正常操作。另一个问题例如是，当通过金属化层将密封环焊接在一个AlN烧结体上时，差的焊料润湿性很容易在焊料层形成泄漏通道，因而降低了其气密性。
一种用来改进焊料润湿性的常用技术是在金属化层上面形成一层足够厚的镀层，例如5μm。然而，这会增加镀覆的费用，会导致粗糙的镀层以及镀层上焊料点的形成，因此降低了装在基片上的ICs的散热性能。
日本专利公开No.5-238857中公开了一种方法，它通过向金属化料浆中加入极其昂贵的氢化钛来使基片达到足够的粘结强度和合适的焊料润湿性。但是，这种方法明显增加了制造成本。
因此，本发明的一个目的是提供一种金属化的陶瓷基片，它具有光滑的镀层和足够的粘结强度，以及优良的焊料润湿性，其中在上述常规方法中遇到的问题都得以克服。
本发明的另一个目的是提供一种制造这种金属化陶瓷基片的方法，它不需要昂贵的金属化工艺。
从上述来看，本发明人经过深入研究发现，通过在陶瓷基片上形成一层光滑的金属化层以及在金属化层上形成一层具有最小表面粗糙度的光滑镀层，得到一种既有优良的焊料润湿性，又有足够的粘结强度的陶瓷基片。在这一发现的基础上，已经开发了本发明的金属化陶瓷基片及其生产方法。
为了实现上述目的，提供了一种带有光滑镀层的金属化陶瓷基片，它包括：
包括氮化铝作为主要组分的陶瓷基片；
在上述陶瓷基片的至少一个面上形成的金属化层，该层包括至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分；以及
在金属化层上形成的镀层，它包括镍作为主要组分，
其中镍镀层的厚度不大于2μm，表面粗糙度不大于2μm(指日本工业标准(JIS)中的中线平均粗糙度(Ra))。
本发明的另一方面中，在上述金属化陶瓷基片中的镀层可以由第一镀层和第二镀层构成，其中第一镀层形成在金属化层上，包括钨作为主要组分，第二镀层形成在第一镀层之上，包括金作为主要组分。在这种情况下，要求第一镀层和第二镀层的厚度分别不大于2μm和1μm，第二层的表面粗糙度(Ra)不大于2μm。
本发明还涉及一种生产这种带有光滑镀层的金属化陶瓷基片的方法。
第一种基片是通过下面的制造方法获得的：
将包含至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分的金属化料浆涂敷在陶瓷基片素坯(即未烧结的陶瓷基片)的至少一个面上，该陶瓷基片包括氮化铝作主要组分；
将一块表面粗糙度(Ra)不超过0.7μm的板放在陶瓷基片素坯涂敷了金属化料浆的那个面上，在压力下将涂敷了金属化料浆的面压平；
在一种非氧化性气氛下烧结陶瓷基片；和
在陶瓷基片的金属化层上形成一层包含镍作为主要组分的镀层，该镀层的厚度不超过2μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm。
在制造上述第二种类型的金属化陶瓷基片时，如前所述那样，将上述的钨和/或钼基金属化料浆涂敷在陶瓷基片素坯的至少一个面上，压平并烧结。此后，在基片的金属化层上形成包括镍作为主要组分的第一镀层，其厚度不超过2μm，再在第一镀层之上形成包括金作为主要组分的第二镀层，该层的厚度不度1μm，其表面粗糙度(Ra)不超过2μm。
根据本发明，通过下面的方法来制造前述具有光滑镀层的金属化陶瓷基片，该方法包括：在含氮化铝作为主要组分的陶瓷基片素坯的至少一个面上涂敷一种金属化料浆以形成一层金属化层，其中的金属化料浆包括至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分；将一块表面粗糙度(Ra)不超过0.7μm的板放在涂敷了金属化料浆的面上；在压力下将陶瓷基片涂敷了金属化料浆的那一面压平；在一种非氧化性气氛下烧结带有光滑金属化层的陶瓷基片；在氮化铝的金属化层那一面上形成一层镍基镀层，这层镍基镀层厚度不超过2μm，表面粗糙度(Ra)也不超过2μm。如果需要，可以在镍基镀层上形成一层厚度不超过1μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm的金基镀层。
本发明方法的必要特征为：
(1)用于本发明的陶瓷基片素坯具有足够低的硬度，优选地，其洛氏硬度不超过100HRS，
(2)在涂敷有金属化料浆的表面进行压平操作；
(3)本发明所用的金属化料浆加有少量的玻璃；
(4)在基片上形成的镀层足够薄。
更详细地说，可用任何已知的方法将金属化料浆涂敷在陶瓷基片素坯上，如网板印刷或旋涂法。然后在涂敷了金属化料浆的表面上进行压平处理，使涂敷金属化料浆层的表面的粗糙度被陶瓷基片素坯的塑性形变所弥补。因为玻璃可能会增加金属化层的表面粗糙度，所以限制其向金属化料浆的添加量，并且降低镀层的厚度以减小其粗糙度，由此可以在一个平整的金属化面上形成光滑的镀层。
当压平处理的条件，金属化料浆中的玻璃含量，以及烧结条件得以优化时，得到的带有光滑镀层的金属化的氮化铝陶瓷基片的粘结强度进一步提高，并有优良的焊料润湿性。
用来压平涂敷了金属化料浆面的平板的表面粗糙度应该不超过0.7μm。如果表面粗糙度大于该上限，导致涂敷了金属化料浆的面压平不充分，因此难以得到具有光滑镀层的金属化氮化铝基片。
压平用的板的材料可以包括金属，树脂，橡胶和陶瓷。树脂和橡胶在压平工艺的温度范围内最好具有不低于50HRS的洛氏硬度。
压平处理的优选条件是：在不低于15℃的温度下，向涂有金属化料浆的面施加不小于15kg/cm2的压力。低于上述下限的温度和压力会导致金属化料浆的较差的塑性流动，及涂有金属化料浆面的压平不充分，因此导致难以得到具有光滑镀层的金属化氮化铝基片。
本发明中，在用来制造金属化氮化铝基片的方法中所用的金属化料浆包括至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分。
金属化料浆中的玻璃组分优选地不超过15重量份(相对于100重量份的钨粉和钼粉的总量)。即使金属化基片在烧结之前得到压平，在烧结期间玻璃组分的熔化和扩散，使得一度压平的金属化表面在烧结以后又变得粗糙。超过上述极限的玻璃含量导致金属化层的粗糙度明显加大，由此难以获得具有光滑镀层的金属化氮化铝基片。
金属化料浆中的玻璃组分优选地含有至少一种选自由CaO、MgO、Al2O3、SiO2、B2O3、ZnO、PbO、稀土金属氧化物，锻烧后能产生上述氧化物的化合物，及这些化合物的混合物组成的物组中的化合物。使用上述氧化物以外的玻璃组分难以得到具有足够结合强度的金属化氮化铝基片。
在非氧化气氛下的烧结温度优选地在1600℃至1950℃之间。该范围之外的温度下烧结很难获得具足够结合强度的氮化铝陶瓷基片。
在本发明使用的金属化料浆中，可以含有0.001-5重量份总量的至少一种选自由镍、铁、钴、它们的氧化物，及它们的合金组成的物组中的物质作添加剂(相对于100重量份钨粉和钼粉的总量)。当添加剂的含量超出上述范围时，难以获得具有足够粘结强度的金属化氮化铝基片。
非氧化性气氛中氢气含量最好不超过10％(体积)。超过10％(体积)的氢气含量导致钨和钼的过度晶粒生长，使金属化层的粗糙度变大。
形成在金属化层之上的镀层为镍镀层或镍镀层和形成在镍镀层之上的金镀层的结合。在仅形成镍镀层的情况下，镍镀层的厚度应该不超过2μm，其表面粗糙度(Ra)也不应超过2μm。在形成镍镀层和镍镀层之上的金镀层的情况下，要求镍镀层和金镀层的厚度分别不超过2μm和1μm，而且上面的金镀层的表面粗糙度(Ra)不超过2μm。即使形成了光滑的金属化层，大于上述上限的镀层厚度会导致镀层的表面粗糙度不合要求，因而导致难以得到具有光滑镀层的金属化的氮化铝陶瓷基片。镀层的厚度是在镀覆表面的中心部分测量的，以避免角落部分的异常沉积。
根据上述的制造方法，可获得本发明的带有光滑镀层的金属化氮化铝基片。
通过涂敷具有较低玻璃含量和较低的第二相粗颗粒含量的金属化料浆；以及形成平整的金属化层和降低镀层厚度，可制成本发明的带有光滑镀层的金属化氮化铝基片。得到的金属化基片具有优良的焊料润湿性。如上所述，根据本发明的制造方法，通过优化加入到金属化料浆中的玻璃含量以及优选烧结条件，还可以得到高的粘结强度。
本发明的带有光滑镀层的金属化陶瓷基片可优选地在运输设备的控制装置中用作安装半导体的基片，它可满足高的抗震性要求，也可用作计算机中的基片。
通过下面的实施例，对本发明进行更详细的描述。
实施例1
向平均粒径1.1μm的AlN粉末中加入3％(重量)的平均粒径0.6μm的Y2O3粉末和10％(重量)的聚丙烯酸甲酯(作有机粘合剂)，用球磨机研磨和混合上述混合物。再通过刮片法制成50mm×50mm×0.6mm的AlN素坯片。
向100重量份的平均粒径1.5μm的钨粉中加入0.5重量份平均粒径25μm的铁粉，1重量份平均粒径12μm的Ca(NO3)2，0.8重量份平均粒径4.6μm的a-Al2O3和3重量份的平均粒径18μm的SiO2，制成金属化料浆。金属化料浆中玻璃含量为4.8重量份(相对于100重量份的钨)。
金属化料浆中还含有17重量份松油醇和3.5重量份乙酸乙酯作溶剂，以及8重量份乙基纤维素作有机粘合剂(相对于100重量份钨)。
用一个200目的不锈钢网板和20μm的乳化剂厚度，通过网板印刷将上面制得的金属化料浆涂敷在AlN素坯片上。将涂有金属化料浆的AlN素坯片干燥后，再进行压平处理。
压平处理这样来进行：在素坯片的印刷表面上放上一块表面粗糙度(Ra)为0.51μm的SUS304金属板，在75℃温度下向金属板上施加30kg/cm2的压力。
使素坯片在氮气氛中，于700℃下保温3小时，以通过挥发除去有机粘合剂相，然后在氮气氛中，于1800℃下烧结3小时，得到金属化的氮化铝基片。烧结过程中气氛的露点为—56℃。
然后，通过镍—磷化学镀在金属化的AlN基片上形成镍镀层。利用荧光X射线测得的镍镀层的厚度为1.8μm。镍镀层的表面粗糙度(Ra)为0.9μm。将带有镍镀层的金属化氮化铝基片浸在230℃下的焊料中(Sn：60，Pb：40)，通过测量镀层表面被焊料润湿的比例来评价其焊料润湿性。实施例1的基片表现出优良的焊料润湿性，即100％的镀层表面被焊料润湿。
在基片浸有焊料的表面上焊接一根直径0.8mm的镀Sn的退火铜线。然后测量抗拉强度，以评价粘结强度。实施例1的基片具有足够的粘结强度，为4.3kg/mm2。下文中，“抗拉强度”就指“粘结强度”。对比实施例1
以实施例1相同方式来制备AlN金属化基片，只是不进行实施例1中在AlN片上的压平工艺。
如实施例1所述，在基片上形成厚度1.9μm，表面粗糙度(Ra)2.2μm的镍镀层。
根据实施例1所述方法，通过测量焊料润湿性和与焊接的退火铜线的粘结强度来评价这种AlN金属化基片。尽管具有足够的粘结强度(4.5kg/mm2)，对比例1的AlN金属化陶瓷基片的焊料润湿性很差，即只有38％的面积被润湿，而实施例1为100％。实施例2
根据实施例1所述方法制备金属化的AlN基片。用电镀法在每块基片上形成不同厚度的镍镀层，制得如表1所示具有不同镍镀层厚度的金属化陶瓷基片。根据实施例1所述评价步骤来评价这种金属化陶瓷基片的焊料润湿性和粘结强度。评价结果列于表1。
                             表1试样号     镍镀层的     表面粗糙度     焊料润湿     粘结强度
       厚度〔μm〕  (Ra)〔μm〕    性〔％〕    〔kgf/mm2〕1          0.3           0.5           92           3.72          0.7           0.5           95           3.83          1.0           0.6           100          4.14          1.5           0.7           100          4.85          1.8           0.9           100          4.36*        2.5           2.5           63           3.1*：对比实施例实施例3
根据实施例1所述的方法制备了带有1.8μm厚的镍镀层的金属化陶瓷基片。用电镀法在每块基片上形成了不同厚度的金镀层，因而制得了如表2所列的带有镍镀层和不同厚度的金镀层的金属化陶瓷基片。根据实施例1所述评价步骤来评价这种金属化陶瓷基片的焊料润湿性和粘结强度。评价结果列于表2。
                        表2试样号    金镀层的   表面粗糙度   焊料润湿    粘结强度
      厚度〔μm〕(Ra)〔μm〕  性〔％〕    〔kgf/mm2〕7         0.3        1.2          93           4.58         0.9        1.4          90           4.69*       1.5        2.8          58           3.3*：对比实施例实施例4
根据实施例1所述方法在AlN基片素坯上涂敷金属化料浆。在表3所示条件下进行压平处理，然后再进行烧结和镀覆，根据实施例1中所述方法评价这种金属化陶瓷基片的焊料润湿性和粘结强度。结果列于表3。
                        表3
       用于压平处理的板试样号    表面粗糙度   材料      温度    压力    焊料润湿性    粘结强度
      (Ra)                   [℃]    [kg/cm2]             [kgf/mm2]
      [μm]                                   [％]10        0.1        SUS 304**  75    30         100          4.811        0.1        氧化铝陶瓷  75    30         100          4.812        0.3        聚氨酯橡胶  75    30         100          4.7
                 (硬度60HRS)13        0.5        SUS 304**  75    30         100          4.314        0.7        钼          75    30         97           4.315        0.7        铝          75    30         95           4.216*      0.8        SUS 304**  75    30         46           4.417*      0.5        SUS 304**  10    30         65           4.518        0.5        SUS 304**  15    30         90           4.319        0.5        SUS 304**  20    30         96           4.820        0.5        SUS 304**  50    30         100          4.821        0.5        SUS 304**  75    30         100          4.322        0.5        SUS 304**  100   30         100          4.123        0.5        SUS 304**  125   30         100          4.324*      0.5        SUS 304**  75    10         53           4.425        0.5        SUS 304**  75    15         89           5.026        0.5        SUS 304**  75    20         93           4.227        0.5        SUS 304**  75    30         100          4.328        0.5        SUS 304**  75    50         100          5.029        0.5        SUS 304**  75    75         100          4.6*对比实施例**：根据JIS的钢
从表3可以清楚看到，当用于压平处理的板的表面粗糙度(Ra)不超过0.7μm，处理温度不低于15℃，处理力不低于15kg/cm2时，可获得很好的焊料润湿性和粘结强度。实施例5
改变球磨机的研磨条件，利用实施例1中所用的AlN粉末、Y2O3粉末和有机粘合剂，制备不同硬度的素坯片。
根据实施例1所述方法，将金属化料浆涂敷在每块素坯片上，再压平、烧结、镀镍，最后评价焊料润湿性和粘结强度。结果列于表4。                          表4
试样号     素坯片的硬    表面粗糙度    焊料润湿性    粘结强度
                         (Ra)                        [kgf/mm2]
           度(洛氏硬度   [μm]         [％]
           HRS)
30         80             0.8          100           4.1
31         98             0.9          100           4.3
32*       100＜          2.5          54            3.3
           (不可测量)
*：对比实施例实施例6
根据实施例1所述方法制备AlN素坯片。制备加有如表5所示各种玻璃数量的金属化料浆。根据表1所述方法进行如下步骤：将每种金属化料浆涂敷在素坯片上，干燥、压平、烧结、镀覆，再评价其焊料润湿性和粘结强度。结果列于表5。
                         表5试样号
     添加的玻璃量         焊料润湿性            粘结强度
    〔重量份〕            [％]                  [kgf/mm2]33     0.1                  100                   4.734     0.5                  100                   4.535     1.1                  100                   4.736     2.9                  100                   4.637     4.8                  100                   4.338     10.0                 98                    5.139     15.0                 91                    4.840*   20.2                 55                    4.9*：对比实施例
从表5可以清楚看到，当添加的玻璃数量不超过15重量份时，可获得很好的焊料润湿性和粘结强度。实施例7
根据实施例1所述方法制备AlN素坯片。制备如表6和表7所列各种组成的金属化料浆。根据实施例1所述方法进行如下步骤：将每种金属化料浆涂覆在素坯上，干燥、压平、烧结、镀覆，再评价焊料润湿性和粘结强度。结果列于表6和表7
                     表6试样号   Ni      Al2O3   Y2O3    SiO2
       重量份  重量份    重量份    重量份    焊料润湿性   抗拉强度
                                                          [kgf/mm2]
                                             (％)41       0.5     4         1                   100          4.142       0.5     2.5       2.5                 100          4.643       0.5     1         4                   100          5.244       0.5     3.3       1.5       0.3       100          4.345       0.5     2         2         1         100          4.7
                      表7试样号   Fe      Al2O3   MgO       SiO2
       重量份  重量份    重量份    重量份焊  料润湿性     粘结强度
                                                          [kgf/mm2]
                                             (％)46       0.5     2         2         1         100          5.147       0.5     2.5       1.5       1         100          5.048       0.5     3         1         1         100          4.749       0.5     3.5       0.5       1         100          4.550       0.5     1.5       2         1.5       100          5.351       0.5     1         2         2         100          5.152       0.5     2         2.5       0.5       100          4.853       0.5     2         0.5       2.5       100          4.554       0.5     2.5       2.3       0.3       100          4.555       0.5               2.5       2.5       100          4.356       0.5     3.5       0.8       0.8       100          4.657       0.5     1         3.5       0.5       100          4.8实施例8
根据实施例1所述的方法制备AlN素坯片。制备如表8所述添加了不同数量的金属化料浆。根据实施例1所述的方法进行如下步骤：将每种金属化料浆涂敷在素坯上，干燥、压平、烧结、镀覆，然后评价其焊料润湿性和粘结强度。结果列于表8。
                       表8
  试样号   添加的Fe量
           (重量份)        焊料润湿性       粘结强度
                           (％)             [kqf/mm2]
  58*     0.0005          76               3.6
  59       0.001           93               4.3
  60       0.01            100              5.0
  61       0.1             100              5.2
  62       0.5             100              4.9
  63       1.0             100              4.5
  64       5.0             100              4.1
  65*     10.0            100              1.9
*：对比实施例
从表8可以清楚看到，当Fe的添加量在0.001至5重量份(相对于100重量份的钨)时，可获得优良的焊料润湿性和粘结强度。
在上面的实施例中仅用钨作为金属化料浆组合物的主要组分，但根据本发明使用钨和钼的组合或使用钼代替钨也可得到类似的效果。
如上所述，根据本发明的方法，通过压平处理和对金属化料浆组成的严格控制，可以制备带有光滑镀层的金属化陶瓷基片，它具有良好的焊料润湿性和足够的粘结强度，可以比常规方法更低的成本制成。

Claims (10)

1.一种带有光滑镀层的金属化陶瓷基片，所述金属化陶瓷基片包括：
含氮化铝作为主要组分的陶瓷基片；
在上述陶瓷基片的至少一个面上形成的金属化层，它包括至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分；和
形成在上述金属化层之上的镀层，它包括镍作为主要组分，所说镍镀层厚度不超过2μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm。
2.带有光滑镀层的金属化陶瓷基片，所述金属化陶瓷基片包括：
含氮化铝作为主要组分的陶瓷基片；
在上述陶瓷基片的至少一个面上形成的金属化层，它包括至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分；
形成在上述金属化层上的包括镍作为主要组分的第一镀层，所说镍镀层的厚度不超过2μm；和
形成在上述第一镀层之上的包括金作为主要组分的第二镀层，所述金镀层的厚度不超过1μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm。
3.一种制造带有光滑镀层的金属化陶瓷基片的方法，该方法包括：
将包含至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分的金属化料浆涂敷在陶瓷基片素坯的至少一个面上，该陶瓷基片包括氮化铝作为主要组分；
将一块表面粗糙度(Ra)不超过0.7μm的板放在陶瓷基片素坯涂敷了金属化料浆的那个面上，在压力下将涂敷了金属化料浆的面压平；
在一种非氧化性气氛下烧结陶瓷基片；和
在陶瓷基片的金属化层上形成一层包含镍作为主要组分的镀层，该镀层的厚度不超过2μm，表面粗糙度(Ra)不超过2μm。
4.权利要求3的方法，其中所述的压平处理是这样来实施的，在不低于15℃的温度下，向上述陶瓷基片素坯中涂敷有金属化料浆的表面施加不低于15kg/cm2的压力。
5.权利要求3的方法，其中所说陶瓷基片素坯的洛氏硬度不超过100HRS。
6.权利要求3的方法，其中所说的金属化料浆所含的玻璃组分不超过15重量份(相对于100重量份的钨和/或钼的总量)。
7.一种制造带有光滑镀层的金属化陶瓷基片的方法，该方法包括：
将包含至少一种选自由钨和钼组成的一组中的金属作为主要组分的金属化料浆涂敷在陶瓷基片素坯的至少一个面上，该陶瓷基片包括氮化铝作为主要组分；
将一块表面粗糙度(Ra)不超过0.7μm的板放在陶瓷基片素坯涂敷了金属化料浆的那个面上，在压力下将涂敷了金属化料浆的面压平；
在一种非氧化性气氛下烧结陶瓷基片；和
在陶瓷基片的金属化层上形成一层包含镍作为主要组分的第一镀层，该第一镀层的厚度不超过2μm；和
在上述第一镀层之上形成包括金作为主要组分的第二镀层，该层厚度不超过1μm，其表面粗糙度(Ra)不超过2μm。
8.权利要求7的方法，其中所说的压平处理是这样来实施的：在不低于15°的温度下，向上述陶瓷基片的素坯中涂敷有金属化料浆的表面施加不低于15kg/cm2的压力。
9.权利要求7的方法，其中所说的陶瓷基片素坯的洛氏硬度不超过100HRS。
10.权利要求7的方法，其中所说的金属化料浆中包括的玻璃组分不超过15重量份(相对于100重量份钨和/或钼的总量)。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102045951A (zh) * 2010-11-29 2011-05-04 上海申和热磁电子有限公司 陶瓷金属化基板金属表面电镀镍金处理方法及制成的陶瓷金属化基板
CN102276152A (zh) * 2011-06-28 2011-12-14 北京科技大学 一种氧化铝陶瓷表面金属化的组合物
CN102515874A (zh) * 2011-12-26 2012-06-27 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种氮化铝陶瓷的表面金属化方法
CN107889559A (zh) * 2015-04-24 2018-04-06 阿莫善斯有限公司 陶瓷基板的制造方法及由其所制造的陶瓷基板
CN110776330A (zh) * 2018-12-31 2020-02-11 深圳硅基仿生科技有限公司 陶瓷与金属的钎焊方法
CN112874042A (zh) * 2021-01-12 2021-06-01 中国人民解放军国防科技大学 一种高强高韧耐超高温金属陶瓷的制备方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6783867B2 (en) * 1996-02-05 2004-08-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Member for semiconductor device using an aluminum nitride substrate material, and method of manufacturing the same
JP3845925B2 (ja) * 1996-02-05 2006-11-15 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム基材を用いた半導体装置用部材及びその製造方法
JPH1065294A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Toshiba Corp セラミックス配線基板およびその製造方法
EP0935286A4 (en) 1997-05-26 2008-04-09 Sumitomo Electric Industries COPPER CIRCUIT JUNCTION SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
TW487742B (en) 1999-05-10 2002-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrode for PTC thermistor, manufacture thereof, and PTC thermistor
US6641860B1 (en) * 2000-01-03 2003-11-04 T-Ink, L.L.C. Method of manufacturing printed circuit boards
CA2313438C (en) 2000-07-06 2003-03-11 B-Con Engineering Inc. High quality optical surface and method of producing same
JP3847219B2 (ja) * 2002-06-17 2006-11-22 京セラ株式会社 配線基板
JP4979944B2 (ja) * 2003-08-26 2012-07-18 株式会社トクヤマ 素子接合用基板、素子接合基板及びその製造方法
JP2005194562A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Murata Mfg Co Ltd 無電解ニッケルめっき液、及びセラミック電子部品の製造方法
US20050276992A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-15 Tung-Hsin Wu Method for metallizing a non-metallic surface and the metallized surface structure thereof
CN1301935C (zh) * 2005-07-29 2007-02-28 四川艺精长运超硬材料有限公司 一种ain陶瓷材料的制备方法
US20070180689A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Day Michael J Nonazeotropic terpineol-based spray suspensions for the deposition of electrolytes and electrodes and electrochemical cells including the same
WO2009109652A1 (de) * 2008-03-06 2009-09-11 Ceramtec Ag Metallisierte spulenkörper (induktoren) mit hohem q-wert
KR20130062898A (ko) * 2010-05-07 2013-06-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 소자 탑재용 기판 및 그 제조 방법
CN102850091B (zh) * 2011-06-28 2014-04-30 比亚迪股份有限公司 一种陶瓷表面选择性金属化方法和一种陶瓷
US11236427B2 (en) 2017-12-06 2022-02-01 Polyvision Corporation Systems and methods for in-line thermal flattening and enameling of steel sheets
JP7449768B2 (ja) * 2020-04-23 2024-03-14 新光電気工業株式会社 セラミックス基板及びその製造方法、静電チャック、基板固定装置、半導体装置用パッケージ

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE34484E (en) * 1978-09-05 1993-12-21 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gold-plated electronic components
US4567110A (en) * 1979-11-13 1986-01-28 Massachusetts Institute Of Technology High-temperature brazed ceramic joints
JPS60142547A (ja) * 1983-12-28 1985-07-27 Ngk Spark Plug Co Ltd 無電解メツキによるｉｃパツケ−ジの製造法
JPS62197379A (ja) * 1986-02-20 1987-09-01 株式会社東芝 窒化アルミニウム基板
JPS62225886A (ja) * 1986-03-27 1987-10-03 株式会社東芝 ルツボ
JPS6379781A (ja) * 1986-09-24 1988-04-09 電気化学工業株式会社 メタライズ板の製造方法
JPS63222085A (ja) * 1987-03-10 1988-09-14 三菱電機株式会社 窒化物系セラミツクスの金属化方法
US5010388A (en) * 1987-07-03 1991-04-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Connection structure between components for semiconductor apparatus
JP2525837B2 (ja) * 1987-11-11 1996-08-21 住友電気工業株式会社 金属化面を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法
DD267840A1 (de) * 1987-12-09 1989-05-10 Robotron Elektronik Verfahren zur herstellung hartloetbarer duennschichtkeramiksubstrate
JP2606716B2 (ja) * 1988-01-29 1997-05-07 株式会社トーキン 窒化アルミニウム表面に金属層を形成する方法
JPH01272183A (ja) * 1988-04-25 1989-10-31 Toshiba Corp セラミックス回路基板
JPH0679995B2 (ja) * 1988-08-18 1994-10-12 株式会社村田製作所 ＡｌＮ基板のＷメタライズ構造
JP2781017B2 (ja) * 1989-09-04 1998-07-30 新光電気工業株式会社 セラミックパッケージ
JP2760107B2 (ja) * 1989-12-07 1998-05-28 住友電気工業株式会社 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
JP2822518B2 (ja) * 1989-12-20 1998-11-11 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体への金属化層形成方法
US5132185A (en) * 1991-06-21 1992-07-21 General Electric Company Ceramic articles having heat-sealable metallic coatings
US5256609A (en) * 1991-12-18 1993-10-26 W. R. Grace & Co.-Conn. Clean burning green ceramic tape cast system using atactic polypropylene binder
JP2578283B2 (ja) * 1992-02-27 1997-02-05 川崎製鉄株式会社 窒化アルミニウム基板のメタライズ方法
US5306891A (en) * 1992-04-02 1994-04-26 Motorola, Inc. Laser welding process for attaching metal to ceramic substrate

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102045951A (zh) * 2010-11-29 2011-05-04 上海申和热磁电子有限公司 陶瓷金属化基板金属表面电镀镍金处理方法及制成的陶瓷金属化基板
CN102276152A (zh) * 2011-06-28 2011-12-14 北京科技大学 一种氧化铝陶瓷表面金属化的组合物
CN102276152B (zh) * 2011-06-28 2013-04-24 北京科技大学 一种氧化铝陶瓷表面金属化的组合物
CN102515874A (zh) * 2011-12-26 2012-06-27 中国电子科技集团公司第十二研究所 一种氮化铝陶瓷的表面金属化方法
CN107889559A (zh) * 2015-04-24 2018-04-06 阿莫善斯有限公司 陶瓷基板的制造方法及由其所制造的陶瓷基板
CN107889559B (zh) * 2015-04-24 2020-04-28 阿莫善斯有限公司 陶瓷基板的制造方法及由其所制造的陶瓷基板
CN110776330A (zh) * 2018-12-31 2020-02-11 深圳硅基仿生科技有限公司 陶瓷与金属的钎焊方法
CN112874042A (zh) * 2021-01-12 2021-06-01 中国人民解放军国防科技大学 一种高强高韧耐超高温金属陶瓷的制备方法

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