CN112143000B - 一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法 - Google Patents

一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112143000B
CN112143000B CN202010826606.6A CN202010826606A CN112143000B CN 112143000 B CN112143000 B CN 112143000B CN 202010826606 A CN202010826606 A CN 202010826606A CN 112143000 B CN112143000 B CN 112143000B
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
preparation
composite material
pvdf
film composite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010826606.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112143000A (zh
Inventor
艾海水
李永建
刘峰
傅剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yongfeng Hangsheng Electronics Co ltd
Nanchang University
Original Assignee
Yongfeng Hangsheng Electronics Co ltd
Nanchang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yongfeng Hangsheng Electronics Co ltd, Nanchang University filed Critical Yongfeng Hangsheng Electronics Co ltd
Priority to CN202010826606.6A priority Critical patent/CN112143000B/zh
Publication of CN112143000A publication Critical patent/CN112143000A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112143000B publication Critical patent/CN112143000B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003—Preparatory processes
    • C08G73/1007—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • C08G73/101—Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines containing chain terminating or branching agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067—Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071—Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00—Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2427/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2427/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2427/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2427/16—Homopolymers or copolymers of vinylidene fluoride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本发明公开了一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其主要步骤如下：(1)将有机二酐与有机二胺溶解于有机溶剂得聚酰胺酸前驱体溶液(PAA)，然后用氨基类硅烷偶联剂反应封端。(2)全氟类硅烷偶联剂逐滴加入硅烷封端PAA溶液中，通过反应的自催化水解，进行分子间硅醇基缩合，通过化学键结合在一起。(3)用有机溶剂超声溶解不同含量的PVDF,加入到反应体系中，控制整个反应体系的固含量为15％‑20％，搅拌24小时，程序化升温至300℃，得到高介电常数、低介电损耗PI/PVDF薄膜复合材料。本发明生产工艺简单，通过在体系中引入全氟类硅烷偶联剂，实现了PVDF在反应体系中填充量的增加，同时提高了在薄膜中的分散性和稳定性，扩大了复合薄膜材料在微电子领域的应用。

Description

一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法
技术领域
本发明涉及薄膜复合材料技术领域，具体涉及一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法。
背景技术
聚酰亚胺(PI)是一种具有优异热稳定性、良好的耐化学和辐射性能、机械和电气性能的高性能材料，同时又由于其良好的柔韧性和易于加工的特点，因此可作为理想的基体材料。然而，PI的介电常数一般小于4，这限制了其在电子领域的应用，尤其是在储能和转换设备(如电容器和薄膜晶体管)中。
PVDF(聚偏氟乙烯)聚合物分子链间排列紧密，链间碳氟键中的氟原子与氢离子形成稳定牢固的结合，使其具有良好的化学稳定性、电绝缘性能，低摩擦系数、耐腐蚀性强等特点使制作的设备能满足TOCS以及阻燃要求，被广泛应用于半导体工业上高纯化学品的贮存和输送，而且在极端严酷与恶劣的环境中有很高的抗褪色性与抗紫外线性能。
PVDF(聚偏氟乙烯)由于化学结构中以碳氟化学键具有的独特极性，使PVDF具有较高的介电常数(10-14)。为了获得高介电常数，低介电损耗的高分子复合材料，因此可将PVDF用于提高聚合物的介电常数。为了获得具有上述性能的复合材料，可以采取使用聚酰亚胺(PI)作为基体，PVDF作为增强材料来制备全有机高介电复合材料，该材料可作为薄膜电容器在众多电子器件如扬声器中得到应用。
然而以聚酰亚胺为基体制备高介电常数复合薄膜材料时，高温亚胺化过程中(200℃-350℃)，会导致PVDF的不均匀分散，甚至会出现相分离，这直接影响到复合材料的成膜性和介电性能。制备高介电常数复合薄膜材料时存在的上述缺点，最终将限制其实际应用。
发明内容
本发明所要解决的问题是：PVDF和PI材料结构上差异将导致材料微结构不均一，降低材料性能。
本发明为解决上述问题所提供的技术方案为：一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，所述方法包括以下步骤，
(1)、将有机二酐与有机二胺溶解于有机溶剂中得聚酰胺酸前驱体溶液；
(2)、然后用氨基类硅烷偶联剂与聚酰胺酸前驱体溶液反应封端，其中氨基类硅烷偶联剂的质量为总质量的0.3％-3.2％；
(3)、将占总质量为0.7％-4.8％的全氟类硅烷偶联剂，逐滴加入到氨基类硅烷偶联剂封端的前驱体溶液中搅拌，通过反应的自催化水解，进行分子间硅醇基缩合，通过化学键结合在一起；
(4)、用有机溶剂超声溶解PVDF,使加入到反应体系中PVDF的含量占总固体含量的1％-30％，控制整个反应体系的固含量为15％-20％，搅拌后程序化升温至300℃，得到表面形态完整的复合材料薄膜。
优选的，所述有机二酐为4,4'-联苯醚四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟异丙基)四羧酸二酐、1,2,4,5-苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐中的一种或多种。
优选的，所述步骤(1)中溶解温度为10℃-60℃，有机二酐与有机二胺摩尔量比为(1.01-1.1):1，有机溶剂的质量为有机二酐与有机二胺的质量之和的5-8倍。
优选的，所述有机二胺为4,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基联苯、3,3'-二甲氧基联苯胺、间苯二胺和2,4-二氨基甲苯中的一种或多种。
优选的，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮或N,N-二甲基乙酰胺。
优选的，所述氨基类硅烷偶联剂为3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷、氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、二乙烯三氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷中的一种。
优选的，所述全氟类硅烷偶联剂为全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基甲基二乙氧基硅烷、全氟庚基三甲氧基硅烷等中的一种或多种。
优选的，所述步骤(3)中搅拌温度为15℃-45℃，搅拌时间为6-48小时，典型工艺为40℃下搅拌24小时。
优选的，所述步骤(4)中搅拌时间为6-48小时。
优选的，所述步骤(4)中程序化升温为从低温至300℃，典型程序为80℃，5h；100℃，1h；150℃，1h；200℃，1h；250℃，1h；300℃，1h。
本发明的优点是：
(1)、本发明工艺制备的复合薄膜材料，在保证其机械强度和热稳定性的基础上，达到了提高介电常数的目的。
(2)、本发明工艺成本低，制备方法简单，对环境友好。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
图1为复合薄膜材料的直观形貌图。
图2为薄膜复合材料随频率的变化介电性能图。
图3为在1MHz条件下，PI中填充不同含量的PVDF复合薄膜材料的介电性能图。
具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明应用含氨基类硅烷偶联剂封端，并加入全氟类硅烷偶联剂，增加PVDF与PAA的相容性，同时增加了PVDF在反应体系中的填充量及分散性。
硅烷偶联剂是一类具有特殊结构的低分子有机硅化合物，其通式为RSiX3，式中X代表能够水解的基团，R为氨基，全氟辛基、巯基、乙烯基、环氧基等基团，这些基团都有较强的反应能力和其独特的作用，由于硅烷偶联剂分子具有独特的亲有机的能力，可以把不同化学结构的分子连结在一起。当含氨基类硅烷偶联剂对PAA进行封端后，再与全氟类硅烷反应，这时在PAA中的羧基提供酸性，空气中的水分及亚胺化过程中产生的水分实现硅烷偶联剂水解过程的自催化，使硅烷各分子间的硅醇基相互缩合，使全氟硅烷偶联剂与封端PAA,通过化学键结合在一起。
实施例1
本实施例用于一种全有机PI/PVDF复合薄膜材料的制备方法，步骤如下：
将5g4,4'-联苯醚二酐和3.16g4,4'-二氨基二苯醚溶解于`46.24gN,N-二甲基乙酰胺，在室温下搅拌24小时溶解，得到PAA前驱体溶液。将0.16g的氨基丙基三乙氧基硅烷逐渐的滴加到PAA前驱体中，然后在室温下搅拌24小时，进行封端反应。0.23g3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷加入上述封端PAA溶液中,然后将占固体总质量5％的0.416gPVDF，用N,N-二甲基乙酰胺超声溶解，加入上述反应液中，控制固含量为15％，在室温下搅拌24小时。将上述溶液通过流延法转移至洁净玻璃板上，将其平铺于烘箱中，接着按如下梯度加热进行亚胺化处理，80℃，5h；100℃，1h；150℃，1h；200℃，1h；250℃，1h；300℃，1h。待烘箱冷却后，取出玻璃板，浸入去离子水中3天，即可得到PI/PVDF复合薄膜材料。其薄膜介电常数的表征结果见图2和图3。
实施例2
本实施例用于一种全有机PI/PVDF复合薄膜材料的制备方法，步骤如下：
将2g2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐和1.19g4,4'-二氨基联苯溶解于18.2gN,N-二甲基乙酰胺，在室温下搅拌24小时溶解，得到PAA前驱体溶液。将0.098g的3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷逐渐的滴加到PAA前驱体中，然后在室温下搅拌24小时，进行封端反应。将0.128g全氟癸基三乙氧基硅烷逐滴加入上述封端PAA溶液中，然后将占固体总质量10％的0.319gPVDF，用N,N-二甲基乙酰胺超声溶解，加入上述反应液中，控制固含量为15％，在室温下搅拌24小时。其他步骤同例1。其薄膜介电常数的表征结果见图2和图3。
实施例3
本实施例用于一种全有机PI/PVDF复合薄膜材料的制备方法，步骤如下：
将10g1,2,4,5-苯四酸酐和4.51g2,4-二氨基甲苯溶解于82.23gN-甲基吡咯烷酮，在室温下搅拌24小时溶解，得到PAA前驱体溶液。将0.834g的3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷逐渐的滴加到PAA前驱体中，然后在室温下搅拌24小时，进行封端反应。将2.01g全氟庚基三乙氧基硅烷逐滴加入上述封端PAA溶液中，然后将占固体总质量20％的2.9gPVDF，用N-甲基吡咯烷酮超声溶解，加入上述反应液中，控制固含量为15％，在室温下搅拌24小时。其他步骤同例1。其薄膜介电常数的表征结果见图2和图3。
实施例4
本实施例用于一种全有机PI/PVDF复合薄膜材料的制备方法，步骤如下：
将6g3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐和4.21g3,3'-二甲氧基联苯胺溶解于66.4gN,N-二甲基乙酰胺，在室温下搅拌24小时溶解，得到PAA前驱体溶液。将0.681g的氨基丙基三乙氧基硅烷逐渐的滴加到PAA前驱体中，然后在室温下搅拌24小时，进行封端反应。将1.38g全氟辛基三乙氧基硅烷逐滴加入上述封端PAA溶液中，然后将占固体总质量30％的3.063g PVDF，用N,N-二甲基乙酰胺超声溶解，加入上述反应液中，控制固含量为15％，在室温下搅拌24小时。其他步骤同例1。其薄膜介电常数的表征结果见图2和图3。
以上仅就本发明的最佳实施例作了说明，但不能理解为是对权利要求的限制。本发明不仅局限于以上实施例，其具体结构允许有变化。凡在本发明独立权利要求的保护范围内所作的各种变化均在本发明保护范围内。

Claims (10)

1.一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，
（1）、将有机二酐与有机二胺溶解于有机溶剂中得聚酰胺酸前驱体溶液；
（2）、然后用氨基类硅烷偶联剂与聚酰胺酸前驱体溶液反应封端，其中氨基类硅烷偶联剂的质量为总质量的0.3%-3.2%；
（3）、将占总质量为0.7%-4.8%的全氟类硅烷偶联剂，逐滴加入到氨基类硅烷偶联剂封端的前驱体溶液中搅拌，通过反应的自催化水解，进行分子间硅醇基缩合，通过化学键结合在一起；
（4）、用有机溶剂超声溶解PVDF,使加入到反应体系中PVDF的含量占总固体含量的1%-30%，控制整个反应体系的固含量为15%-20%，搅拌后程序化升温至300℃，得到表面形态完整的复合材料薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述有机二酐为4,4'-联苯醚四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟异丙基)四羧酸二酐、1,2,4,5-苯四羧酸二酐、 3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中溶解温度为10℃-60℃，有机二酐与有机二胺摩尔量比为（1.01-1.1）:1，有机溶剂的质量为有机二酐与有机二胺的质量之和的5-8倍。
4.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述有机二胺为4,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基联苯、3,3'-二甲氧基联苯胺、间苯二胺和2,4-二氨基甲苯中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮或N,N-二甲基乙酰胺。
6.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述氨基类硅烷偶联剂为3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷、氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基硅烷、二乙烯三氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述全氟类硅烷偶联剂为全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基甲基二乙氧基硅烷、全氟庚基三甲氧基硅烷中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中搅拌温度为15℃-45℃，搅拌时间为6-48小时。
9.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中搅拌时间为6-48小时。
10.根据权利要求1所述的一种全有机PI/PVDF薄膜复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中程序化升温为从低温至300℃，具体程序为80℃，5h；100℃，1h；150℃，1h；200℃，1h；250℃，1h；300℃，1h。
CN202010826606.6A 2020-08-17 2020-08-17 一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法 Active CN112143000B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010826606.6A CN112143000B (zh) 2020-08-17 2020-08-17 一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010826606.6A CN112143000B (zh) 2020-08-17 2020-08-17 一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112143000A CN112143000A (zh) 2020-12-29
CN112143000B true CN112143000B (zh) 2022-10-11

Family

ID=73887497

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010826606.6A Active CN112143000B (zh) 2020-08-17 2020-08-17 一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112143000B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113736258A (zh) * 2021-09-01 2021-12-03 大同共聚(西安)科技有限公司 一种聚偏氟乙烯/聚酰亚胺复合材料的制备方法
CN114736408B (zh) * 2022-03-23 2024-01-26 哈尔滨理工大学 一种高介电pi/pvdf复合薄膜的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071908A (en) * 1989-02-02 1991-12-10 Chisso Corporation Silicon polyimide precursor composition
JP2012082329A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Sony Chemical & Information Device Corp ポリアミック酸ワニス、ポリイミドワニス、それらの製造方法及び接続構造体
CN102786704A (zh) * 2012-08-06 2012-11-21 江苏南方贝昇光电材料有限公司 一种黑色聚酰亚胺薄膜的制备方法
WO2020017697A1 (ko) * 2018-07-17 2020-01-23 에스케이씨코오롱피아이 주식회사 불소-함유 실란 첨가제 및 카본 블랙을 포함하는 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2133949B1 (en) * 2007-04-02 2012-07-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Electrolyte for fuel cell, electrolyte membrane for fuel cell, binder for fuel cell, membrane electrode assembly for fuel cell, and fuel cell

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071908A (en) * 1989-02-02 1991-12-10 Chisso Corporation Silicon polyimide precursor composition
JP2012082329A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Sony Chemical & Information Device Corp ポリアミック酸ワニス、ポリイミドワニス、それらの製造方法及び接続構造体
CN102786704A (zh) * 2012-08-06 2012-11-21 江苏南方贝昇光电材料有限公司 一种黑色聚酰亚胺薄膜的制备方法
WO2020017697A1 (ko) * 2018-07-17 2020-01-23 에스케이씨코오롱피아이 주식회사 불소-함유 실란 첨가제 및 카본 블랙을 포함하는 폴리이미드 필름 및 이의 제조방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Electrospun nanofiber reinforced all-organic PVDF/PI tough composites and their dielectric permittivity";YouliangShen等;《Materials Letters》;20151231;第160卷;第515-517页 *
"聚偏氟乙烯功能膜研究进展";杨瑜珂;《信息记录材料》;20191231;第20卷(第12期);第8,9页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112143000A (zh) 2020-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112143000B (zh) 一种全有机pi/pvdf薄膜复合材料的制备方法
CN106589374B (zh) 一种聚酰亚胺薄膜的制备方法及由该方法制备得到的聚酰亚胺薄膜
CN112812341B (zh) 一种高导热四针状结构复合微粒/聚酰亚胺薄膜及其制备方法
CN108530628A (zh) 一种耐高温聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN105542459B (zh) 一种高介电系数聚酰亚胺薄膜
CN109942848B (zh) 表面结构疏水型聚酰亚胺气凝胶薄膜的制备方法
CN106750435A (zh) 一种低介电常数有序多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN108794748A (zh) 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法
CN109251334A (zh) 一种高透光和低介电氟化石墨烯/聚酰亚胺复合薄膜的制备方法
KR20130031052A (ko) 폴리아믹산-실리카 하이브리드 조성물, 폴리이미드-실리카 하이브리드 필름 및 이들의 제조방법
CN101993536B (zh) 高介电常数聚酰亚胺/石墨杂化材料及其制备方法
CN114196049A (zh) 一种强疏水聚酰亚胺薄膜的制备方法
CN114349962A (zh) 一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及制备方法
CN112646372B (zh) 一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其应用
CN113831570A (zh) 特种线缆用聚酰亚胺复合膜及其制备方法
CN111592669B (zh) 一种多交联碳纳米管接枝聚酰亚胺导热薄膜及其制备方法和应用
CN108659242A (zh) 一种耐电晕聚酰亚胺薄膜及其制备方法
WO2020238029A1 (zh) 改性的聚酰胺酸及其制备方法、复合膜层的制备方法
KR102167968B1 (ko) 나노 실리케이트 입자를 이용한 저유전률 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법
CN115558292B (zh) 一种高导热聚酰亚胺薄膜及其应用
CN116253882A (zh) 一种氨基超支化硅氧烷及其改性聚酰亚胺气凝胶材料的制备方法
CN110387041A (zh) 一种聚酰亚胺复合膜及其制备方法
KR101912459B1 (ko) 폴리이미드 나노복합체, 그 제조방법 및 이를 포함하는 복합막
KR20170012500A (ko) 폴리아믹산을 분산제로 사용하는 나노실리카 분산액 조성물
JPS6222830A (ja) 珪素含有ポリイミド樹脂の製造法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Ai Haishui

Inventor after: Li Yongjian

Inventor after: Liu Feng

Inventor after: Fu Jian

Inventor before: Ai Haishui

Inventor before: Li Yongjian

Inventor before: Liu Feng

CB03 Change of inventor or designer information
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20211208

Address after: 331500 South Industrial Park, Yongfeng County, Ji'an City, Jiangxi Province

Applicant after: YONGFENG HANGSHENG ELECTRONICS Co.,Ltd.

Applicant after: Nanchang University

Address before: 343000 Industrial Park South District, Yongfeng County, Ji'an City, Jiangxi Province

Applicant before: YONGFENG HANGSHENG ELECTRONICS Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant