CN112091432A - 用于处理基板的方法和装置 - Google Patents

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CN112091432A CN202010530098.7A CN202010530098A CN112091432A CN 112091432 A CN112091432 A CN 112091432A CN 202010530098 A CN202010530098 A CN 202010530098A CN 112091432 A CN112091432 A CN 112091432A
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权五烈
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朴修永
李廷焕
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Abstract

本发明构思提供了一种用于处理基板的方法和装置。所述方法包括：通过将脉冲激光施用至旋转的基板来去除所述基板上的膜，其中，测量要去除的膜的厚度，并基于测量的膜的厚度来选择脉冲激光的脉冲能量。

Description

用于处理基板的方法和装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月17日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0071352的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的方法和装置。
背景技术
实施诸如涂覆、光刻、沉积、灰化、蚀刻和离子注入等各种工艺，以处理基板，例如用于制造平板显示器的半导体晶圆或玻璃板。当在基板上实施处理工艺时，将固化的薄膜施用至基板的表面、或沉积在基板的表面上。需要边缘珠粒(edge bead)去除工艺，以提高基板边缘处的产品收得率(production yield)。在边缘珠粒去除工艺中，从基板的边缘区域去除不需要的薄膜和附着的副产物聚合物。
图1是示出了在常规基板处理装置中实施边缘珠粒去除工艺的状态的视图。参照图1，常规基板处理装置1具有旋转卡盘2和喷嘴4。旋转卡盘2支承并旋转基板W。喷嘴4将化学品C分配到基板W的边缘区域上。喷嘴4设置在基板W的上方和下方，并将化学品C分配到基板W的顶侧和底侧上。分配的化学品C将基板W的边缘区域上的薄膜F去除。然而，在使用化学品C实施边缘珠粒去除工艺的情况下，没有适当地实施从基板W的边缘区域去除薄膜F。例如，如图2所示，基板W的边缘区域上的薄膜F可以去除从而沿着基板W的径向方向向下倾斜。这是因为液体化学品C是在旋转基板W的情况下而被分配的。当没有适当地实施从基板W的边缘区域去除薄膜F时，制造工艺的收得率降低。此外，在工艺之后，在基板W的表面上形成针状痕迹(pin mark)，而引起额外的污染。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于改进去除基板上的膜的效率。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于通过将脉冲激光施用至基板上的膜来改进膜去除效率。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于通过将脉冲激光施用至基板上的膜来使膜去除区域精细(area fine)。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于通过允许依据基板上的膜的厚度完全去除基板上的膜，来改进基板处理效率。
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理方法和装置，用于在去除基板上的膜的情况下，使得由于过度蚀刻导致的对基板的损坏、或由于蚀刻不足导致的膜的不恰当去除最小化。
本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方案，用于处理基板的方法包括：通过将脉冲激光施用至旋转的基板来去除基板上的膜，其中，测量要去除的膜的厚度，并基于测量的膜的厚度来选择脉冲激光的脉冲能量。
根据实施方案，依据膜的厚度，可以基于将膜完全去除的烧蚀能量(ablationenergy)来选择脉冲能量。
根据实施方案，脉冲能量可以对应于烧蚀能量。
根据实施方案，膜可以包括第一膜和与第一膜不同的第二膜，并且第一膜和第二膜可以彼此堆叠。在去除第一膜时，依据第一膜的厚度，可以基于将第一膜完全去除的第一烧蚀能量来选择脉冲能量；并且在去除第二膜时，依据第二膜的厚度，可以基于将第二膜完全去除的第二烧蚀能量来选择脉冲能量。
根据实施方案，在去除第一膜时，可以选择与第一烧蚀能量相对应的脉冲能量；并且在去除第二膜时，可以选择与第二烧蚀能量相对应的脉冲能量。
根据实施方案，可以通过控制脉冲激光的输出功率和/或脉冲激光的重复频率(repetition rate)来调节脉冲能量。
根据实施方案，脉冲激光施用到的区域可以是基板的边缘区域。
根据实施方案，测量膜的厚度的区域可以是基板的边缘区域。
根据实施方案，可以依序实施膜的厚度的测量和脉冲激光的施用。
根据实施方案，可以同时实施膜的厚度的测量和脉冲激光的施用。
根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：壳体，其具有内部空间；支承单元，其支承并旋转内部空间中的基板；激光单元，其施用脉冲激光以去除支承在支承单元上的基板上的膜；测量单元，其测量基板上的膜的厚度；和控制器，其控制激光单元和测量单元。控制器包括：配方存储单元(recipe memory unit)，在其中记录有用于去除基板上的膜的处理条件；和执行单元，其从配方存储单元读取处理条件，并基于读取的处理条件输出控制信号以控制脉冲激光的脉冲能量。执行单元依据由测量单元测量的膜的厚度从配方存储单元读取处理条件，并基于从配方存储单元读取的处理条件来输出控制信号以控制脉冲能量。
根据实施方案，执行单元在依据处理条件中，可以依据由测量单元测量的膜的厚度，从配方存储单元读取将膜完全去除的烧蚀能量；并且可以基于从配方存储单元读取的烧蚀能量、来输出控制信号以控制脉冲能量。
根据实施方案，执行单元可以输出控制信号，使得脉冲能量具有与烧蚀能量相对应的能量。
根据实施方案，膜可以包括第一膜和与第一膜不同的第二膜，并且第一膜和第二膜可以彼此堆叠。执行单元在去除第一膜时，在处理条件中，可以依据由测量单元测量的第一膜的厚度，从配方存储单元读取将第一膜完全去除的第一烧蚀能量；并且可以基于从配方存储单元读取的第一烧蚀能量来输出控制信号以控制脉冲能量。执行单元在去除第二膜时，在处理条件中，可以依据由测量单元测量的第二膜的厚度，从配方存储单元读取将第二膜完全去除的第二烧蚀能量；并且可以基于从配方存储单元读取的第二烧蚀能量来输出控制信号以控制脉冲能量。
根据实施方案，执行单元在去除第一膜时，可以输出控制信号，使得脉冲能量具有与第一烧蚀能量相对应的能量。执行单元在去除第二膜时，可以输出控制信号，使得脉冲能量具有与第二烧蚀能量相对应的能量。
根据实施方案，执行单元可以通过输出控制信号以控制脉冲激光的输出功率和/或脉冲激光的重复频率来调节脉冲能量。
根据实施方案，控制器可以控制激光单元以将脉冲激光施用至基板的边缘区域。
根据实施方案，控制器可以控制测量单元，使得测量膜的厚度的区域对应于基板的边缘区域。
根据实施方案，控制器可以控制激光单元和测量单元，使得依序实施膜的厚度的测量和脉冲激光的施用。
根据实施方案，控制器可以控制激光单元和测量单元，使得同时实施膜的厚度的测量和脉冲激光的施用。
根据实施方案，激光单元可以包括：激光源，该激光源发射脉冲激光；视觉构件，该视觉构件摄取基板的边缘区域的图像以测量照射位置(illuminated position)和脉冲激光的设定位置之间的偏移值；和调节单元，该调节单元基于偏移值改变照射位置。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：
图1是示出了在常规基板处理装置中实施边缘珠粒去除工艺的状态的视图；
图2是示出了图1中的区域A的放大视图；
图3是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的平面图；
图4是示出了图3的基板处理装置的截面图；
图5是示出图4的测量单元测量基板上的膜的厚度的状态的视图；
图6是示出了图4的激光单元的截面图；
图7是示出了由图6的视觉构件摄取的基板边缘区域图像的一个实施例的视图；
图8是示出了图4的控制器的配置的视图；
图9是示出了根据本发明构思的实施方案的处理条件的一个实施例的表格；
图10是描绘了脉冲激光的脉冲能量与基板上膜的蚀刻深度之间关系的图；
图11是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图；
图12和图13是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的视图；
图14至图16是示出了根据本发明构思的另一实施方案的基板处理方法的视图；并且
图17是示出了根据本发明构思的另一实施方案的基板处理方法的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施方案，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实行本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，且不限于本文中描述的实施方案。此外，在描述本发明构思的实施方式中，当与已知功能或配置有关的详细描述可能使得使本发明构思的主题不必要地模糊时，省略该详细描述。另外，贯穿附图，实施相似功能和操作的组件设置有相同的附图标记。
说明书中的术语“包括(include)”和“包括(comprise)”为“开放式”表述，仅为了说明相应组件存在，并且除非另有相反的特别描述，否则不排除但可能包括额外的组件。特别地，应当理解的是，术语“包括(include)”、“包括(comprise)”和“具有(have)”，在本文中使用时，特指存在所述特征、整数、步骤、操作、组件和/或部件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、组件、部件和/或其组。
除非另有特指，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了说明的清楚，组件的形状和尺寸可能被夸大。
在下文中，将参照图3至图17详细描述本发明构思的实施方式。
图3是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的平面图。
参照图3，基板处理设备10具有索引模块100和工艺模块200。索引模块100具有装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和工艺模块200依序地布置成排。在下文中，装载端口120、传送框架140和处理模块200布置的方向被称为第一方向12，从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
具有接收在其中的基板W的载体130坐落在装载端口120上。设置多个装载端口120。装载端口120沿第二方向14设置成排。装载端口120的数量可以依据工艺模块200的工艺效率和占地面积情况来增加或减少。载体130具有形成于其中的多个槽(未示出)，其中，基板W被接收在相对于地面的水平位置中。前开式传送晶圆盒(front opening unifiedpod,FOUP)可以用作载体130。
工艺模块200包括缓冲单元220、传送腔室240、液体处理腔室260和激光处理腔室280。传送腔室240设置成使得其长度方向平行于第一方向12。液体处理腔室260和激光处理腔室280设置在传送腔室240的相对侧上。在传送腔室240的相对侧上，液体处理腔室260和激光处理腔室280设置为相对于传送腔室240彼此对称。多个液体处理腔室260设置在传送腔室240的一侧上。一些液体处理腔室260沿传送腔室240的纵向方向设置。此外，其他液体处理腔室260在彼此上方堆叠。即，液体处理腔室260可以以A×B阵列设置在传送腔室240的一侧上。此处，“A”表示沿第一方向12设置成排的液体处理腔室260的数量，而“B”表示沿第三方向16设置成列的液体处理腔室260的数量。当在传送腔室240的一侧上设置四个或六个液体处理腔室260时，液体处理腔室260可以设置成2×2或3×2阵列。液体处理腔室260的数量可以增加或减少。此外，与液体处理腔室260类似地，多个激光处理腔室280可以设置在传送腔室240的相对侧上。与以上描述不同，可以以各种方式修改液体处理腔室260和激光处理腔室280的布置。例如，液体处理腔室260和激光处理腔室280可以仅设置在传送腔室240的一侧上。可替代地，液体处理腔室260和激光处理腔室280可以在传送腔室240的相对侧上设置在单层中。
缓冲单元220设置在传送框架140和传送腔室240之间。缓冲单元220提供基板W在传送腔室240和传送框架140之间传送之前、基板W停留的空间。缓冲单元220具有槽(未示出)，基板W放置在该槽中。槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220在面向传送框架140的一侧处、以及在面向传送腔室240的相对侧处是开放的。
传送框架140在坐落于装载端口120上的载体130和缓冲单元220之间传送基板W。索引轨道142和索引机械手144设置在传送框架140中。索引轨道142设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上，并沿着索引轨道142在第二方向14上直线移动。索引机械手144具有基部144a、主体144b和索引臂144c。基部144a安装成使得沿索引轨道142为可移动的。主体144b耦合至基部144a。主体144b在基部144a上沿第三方向16为可移动的。此外，主体144b在基部144a上为可旋转的。索引臂144c耦合至主体144b，并且相对于主体144b是向前和向后可移动的。设置多个索引臂144c。索引臂144c可以独立地驱动。索引臂144c沿第三方向16在彼此之上堆叠，其间具有间隔间隙。一些索引臂144c可以用于将基板W从工艺模块200传送至载体130，且其他索引臂144c可以用于将基板W从载体130传送至工艺模块200。因此，可以防止从待处理的基板W产生的颗粒，在索引机械手144在载体130和工艺模块200之间传送基板W的过程中，粘附至处理的基板W。
传送腔室240在缓冲单元220与液体处理腔室260之间、在缓冲单元220与激光处理腔室280之间、在液体处理腔室260之间、在激光处理腔室280之间、以及在液体处理腔室260与激光处理腔室280之间传送基板W。即，传送腔室240用作传送基板W的传送单元。导轨242和主机械手244设置在传送腔室240中。导轨242设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。主机械手244安装在导轨242上，并沿第一方向12在导轨242上直线移动。主机械手244具有基部244a、主体244b和主臂244c。基部244a被安装成沿导轨242为可移动的。主体244b耦合至基部244a。主体244b在基部244a上沿第三方向16为可移动的。此外，主体244b在基部244a上为可旋转的。主臂244c耦合至主体244b，并且相对于主体244b是向前和向后可移动的。设置多个主臂224c。主臂244c单独驱动。主臂244c沿第三方向16在彼此之上堆叠，其间具有间隔间隙。
各液体处理腔室260通过将处理液分配到基板W上来实施液体处理基板W的工艺。处理液可以包括化学品、清洗溶液和有机溶剂。化学品可以是具有酸性或碱性的液体。化学品可以包括硫酸(H2SO4)、磷酸(P2O5)、氢氟酸(HF)和氢氧化铵(NH4OH)。化学品可以是稀硫酸过氧化物(diluted sulfuric acid peroxide,DSP)混合物。清洗溶液可以是去离子水(H2O)。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。
液体处理腔室260可以实施清洁工艺。设置在液体处理腔室260中的基板处理装置可以依据实施的清洁工艺的类型而具有不同的结构。可替代地，设置在液体处理腔室260中的基板处理装置可以具有相同的结构。可选地，液体处理腔室260可以被分成多个组。属于相同组的液体处理腔室260中的基板处理装置可以具有相同的结构，而属于不同组的液体处理腔室260中的基板处理装置可以具有不同的结构。另外，液体处理腔室260可以实施诸如光刻、灰化和蚀刻等各种工艺。
激光处理腔室280可以通过将激光施用至基板W来实施处理基板W的工艺。基板处理装置300可以分别设置在激光处理腔室280中。各基板处理装置300可以将激光施用至基板W。基板处理装置300可以将激光施用至基板W的边缘区域。基板处理装置300可以通过将激光施用至基板W的边缘区域来实施去除基板W上的膜的工艺。
在下文中，将详细描述设置在各激光处理腔室280中的基板处理装置300。图4是示出了图3的基板处理装置的截面图。参照图4，基板处理装置300可以包括壳体310、支承单元320、测量单元330、激光单元400和控制器600。
壳体310具有内部空间312。内部空间312可以用作在其中处理基板W的空间。在壳体310的一侧中形成有开口(未示出)。该开口用作入口开口/出口开口，通过该开口，将基板W放置在壳体310中或从壳体310取出。在开口中安装有门(未示出)。该门打开或关闭该开口。当实施基板处理工艺时，该门将开口关闭以从外部密封壳体310的内部空间312。壳体310的底部中形成有排放孔314。排放孔314与排放管线316连接。因此，在在内部空间312中处理基板W时生成的副产物可以被释放到基板处理装置300的外部。此外，气体供应管线(未示出)可以连接到壳体310以将气体供应到内部空间312中。该气体可以是惰性气体，例如氮气。由气体供应管线供应的气体可以在内部空间312中形成气流。在内部空间312中形成的气流使得基板W的处理期间生成的副产物能够更有效地被释放。
支承单元320支承并旋转基板W。支承单元320可以包括支承板322和旋转轴326。支承板322支承基板W。支承板322具有圆板形状。支承板322的上表面可以具有比支承板322的下表面更大的直径。连接支承板322的上表面和下表面的支承板322的侧表面可以朝向支承板322的中心轴线向下倾斜。支承板322的上表面用作座表面(seating surface)，基板W坐落在该座表面上。座表面具有比基板W更小的面积。根据实施方案，座表面的直径可以小于基板W的半径。座表面支承基板W的中心区域。座表面中形成有多个抽吸孔323。抽吸孔323可以是通过该孔将真空压力施用到座表面上的基板W以夹持基板W的孔。真空构件325连接至抽吸孔323。真空构件325可以是用于排空(evacuate)抽吸孔323的泵。然而，不限于此，真空构件325可以包括用于将真空压力施用到抽吸空323的各种公知的部件。
旋转轴326具有圆柱形状，其纵向方向定向在垂直方向中。旋转轴326耦合到支承板322的下表面。致动器(未示出)将扭矩传递到旋转轴326。通过从致动器传递的扭矩，旋转轴326绕其中心轴线为可旋转的。支承板322与旋转轴326一起为可旋转的。致动器可以调节旋转轴326的旋转速度，以调节基板W的旋转速度。例如，致动器可以是电动机。然而，不限于此，致动器可以包括将扭矩施用到旋转轴326的各种公知的部件。
测量单元330可以测量基板W上的膜F的厚度。例如，测量单元330可以测量基板W的边缘区域上的膜F的厚度。测量单元330可以测量基板W上的膜F的厚度，并且可以将测量的膜F的厚度值传送至控制器600，控制器600将在下面进行描述。测量单元330可以设置在支承于支承单元320上的基板W上方。例如，测量单元330可以设置在支承于支承单元320上的基板W的边缘区域上方。此外，可以不同地改变设置测量单元330的位置。例如，可以在水平方向和/或垂直方向上不同地改变测量单元330的位置。
图5是示出了图4测量单元测量基板上的膜厚度的状态的视图。参照图5，测量单元330可以设置在基板W的边缘区域上方。测量单元330可以将具有设定波长的光发射到基板W的边缘区域。测量单元330可以基于发射到基板W的边缘区域的光被反射的程度，测量基板W上的膜F的厚度。此外，当测量单元330测量基板W上边缘区域的膜F的厚度时，支承单元320可以旋转基板W。因此，测量单元330可以在不改变测量单元330的位置的情况下，测量基板W上边缘区域的整个膜F的厚度。另外，除了膜F的厚度值之外，测量单元330还可以测量膜F的类型。
在上述实施方案中，已经示例了测量单元330通过将具有设定波长的光发射到基板W的边缘区域来测量基板W上的膜F的厚度。然而，本发明构思不限于此。例如，测量单元330可以包括用于测量基板W上膜F厚度的各种公知的部件。
图6是示出了图4的激光单元的截面图。参照图6，激光单元400可以将激光施用至支承在支承单元320上的基板W。激光单元400可以将脉冲激光施用到基板W。此外，激光单元400可以将脉冲激光施用到基板W的边缘区域。由激光单元400施用的脉冲激光可以用于去除基板W的边缘区域上的膜F。激光单元400可以包括激光源410、调节单元420和视觉构件430。
激光源410可以发射脉冲激光L。激光源410可以是被施用到基板W的脉冲激光L的来源。此外，激光源410可以不同地改变脉冲激光L的波长。例如，激光源410可以改变脉冲激光L的波长，使得脉冲激光L具有150nm至1200nm的波长。这是因为，当脉冲激光L具有150nm以下的波长时、基板W以及基板W上的膜F被蚀刻，而当脉冲激光L具有1200nm以上的波长时、基板W上的膜F未被去除。
由激光源410发射的脉冲激光L可以是超短脉冲激光。例如，脉冲激光L可以是具有数十ns至数百fs的脉冲宽度的激光。当通过非加热和非接触工艺将超短脉冲激光施用到基板W上的膜F时，立即烧蚀现象可能会发生在膜F上。因此，可以从基板W的边缘区域的不必要部分去除膜F。
此外，激光源410可以改变脉冲激光L的形状。例如，激光源410可以进行改变，使得脉冲激光L具有圆形形状。可替代地，激光源410可以进行改变，使得从激光源410发射的脉冲激光L具有四边形形状。四边形形状可以是正方形形状或矩形形状。在另一种情况下，激光源410可以进行改变，使得脉冲激光L具有带圆角的四边形的形状。
调节单元420可以改变从激光源410发射的脉冲激光L施用到的位置。调节单元420可以基于由视觉构件430测量的偏移值来改变脉冲激光L施用到的位置，该视觉构件430将在下面进行描述。调节单元420可以包括主体421、光反射器422、分光器(light splitter)423、驱动构件424和照明单元425。
光反射器422可以设置在主体421的内部。光反射器422可以改变从激光源410发射的脉冲激光L被施用到的位置。例如，光反射器422可以改变脉冲激光L被施用的方向，使得从激光源410发射的脉冲激光L被施用的方向和视觉构件430摄取图像的方向彼此平行，并且脉冲激光L被施用到基板W的位置与视觉构件430摄取图像的基板W的区域重叠。
此外，可以设置多个光反射器422。光反射器422可以更精确地控制脉冲激光L被施用的方向。例如，光反射器422可以包括第一光反射器422-1和第二光反射器422-2。第一光反射器422-1可以接收从激光源410发射的脉冲激光L。由第一光反射器422-1接收的脉冲激光L可以通过由第一光反射器422-1反射而递送到第二光反射器422-2。由第二光反射器422-2接收的脉冲激光L可以通过被第二光反射器422-2反射而施用到基板W的边缘区域。
分光器423可以传送具有特定波长的光，并且可以反射具有不同波长的光。例如，分光器423可以传递从激光源410发射的脉冲激光L，并且可以将脉冲激光L递送到光反射器422。
照明单元425可以设置在主体421的底部上。照明单元425可以将光B发射到基板W的边缘区域。照明单元425可以用发光二极管(LED)来实现。然而，不限于此，照明单元425可以包括用于发射光B的各种公知的部件。此外，透镜426可以设置在照明单元425的中心以聚焦光B。照明单元425可以具有环形，并且可以围绕透镜426的外围。
从照明单元425发射的光B可以通过与基板W碰撞而被反射。从基板W反射的光B可以递送到光反射器422。递送到光反射器422的光B可以递送到分光器423。从照明单元425发射的光B可以具有波长，通过该波长光B被分光器423反射。因此，递送到分光器423的光可以递送到视觉构件430。
图7是示出了由图6的视觉构件摄取的基板的边缘区域的图像V的一个实施例的视图。参照图6和图7，视觉构件430可以接收从照明单元425发射的光B。如上所述，从照明单元425发射的光B可以依序地递送到光反射器422和分光器423。递送到分光器423的光B可以递送到视觉构件430。因此，视觉构件430可以摄取基板W的边缘区域的图像。此外，视觉构件430可以测量照射位置P1和设定位置P2之间的偏移值。照射位置P1是指由激光源410发射的脉冲激光L施用到的位置，而设定位置P2是指脉冲激光L需要施用到的位置。即，视觉构件430可以测量照射位置P1和设定位置P2之间的偏移值，并且可以将测量的偏移值发送到控制器600。当偏移值被发送到控制器600时，控制器600可以输出控制信号以控制驱动构件424。接收控制信号的驱动构件424可以移位主体421的位置。此外，接收控制信号的驱动构件424可以改变主体421的斜率。因此，驱动构件424可以允许照射位置P1和设定位置P2彼此重合。当照射位置P1和设定位置P2彼此重合时，激光单元400可以将脉冲激光L施用到基板W。
再次参照图4，控制器600可以控制基板处理设备10。例如，控制器600可以实施控制，使得基板W在液体处理腔室260之间、激光处理腔室280之间、以及液体处理腔室260与激光处理腔室280之间传送。此外，控制器600可以控制基板处理装置300。例如，控制器600可以控制支承单元320、测量单元330和激光单元400。此外，控制器600可以控制激光单元400以将脉冲激光L施用到基板W的边缘区域。此外，控制器600可以控制测量单元330以测量基板W的边缘区域上的膜F的厚度。另外，控制器600可以控制基板处理装置300以实施将在下面描述的膜去除方法或基板处理方法。
图8是示出了图4的控制器600配置的视图。参照图8，控制器600可以包括配方存储单元610和执行单元620。
如图9所示，用于去除基板W上的膜F的处理条件可以记录在配方存储单元610中。例如，记录在配方存储单元610中的处理条件可以包括取决于膜F的类型和膜F的厚度值的烧蚀能量的大小。这里，烧蚀能量可以是指依据膜F的类型和膜F的厚度值完全去除膜F所需的能量。例如，当基板W上的膜F是第一膜F1并且第一膜F1具有第一厚度D1时，完全去除第一膜F1所需的烧蚀能量可以是烧蚀能量1-1E11。在另一实施例中，当基板W上的膜F是第二膜F2并且第二膜F2具有第三厚度D3时，完全去除第二膜F2所需的烧蚀能量可以是烧蚀能量2-3E23。此外，记录在配方存储单元610中的烧蚀能量值可以是基于多个实验而预先记录在配方存储单元610中的处理条件。
执行单元620可以输出控制信号。由执行单元620输出的控制信号可以用于控制基板处理装置300的组件。此外，执行单元620可以从配方存储单元610读取处理条件，并且可以基于读取的处理条件输出控制信号以控制基板处理装置300。
在下文中，将描述执行单元620输出控制信号的一个实施例。当测量单元330测量基板W上的膜F的类型和膜F的厚度时，测量单元330可以将测量值发送到控制器600。当由测量单元330测量的测量值被发送到控制器600时，执行单元620可以在配方存储单元610中记录的处理条件中读取适当的处理条件。执行单元620可以输出与处理条件相对应的控制信号。例如，当测量单元330测量到膜F的类型为第一膜F1、并测量到第一膜F1的厚度测量为第一厚度D1时，执行单元620可以在配方存储单元610中记录的处理条件中读取烧蚀能量1-1E11。此后，执行单元620可以控制激光单元400，使得由激光单元400发射的脉冲激光具有与烧蚀能量1-1E11相对应的脉冲能量。通过执行单元620输出控制信号不限于上述实施例，并且可以依据基板W上的膜F的类型和膜F的厚度而进行不同地修改。
在下文中，将详细描述通过由执行单元620输出的控制信号来控制脉冲能量的方法。图10是描绘脉冲激光的脉冲能量与基板上的膜的蚀刻深度之间的关系的图。参照图10，随着施用到基板W的脉冲激光的脉冲能量的增加，基板W上的膜F的蚀刻深度增加。即，施用至基板W的脉冲激光的脉冲能量必须随着要被去除的膜F的厚度的增加而增加。
脉冲能量、脉冲激光的输出功率和脉冲激光的重复频率之间的关系如下。
脉冲能量
Figure BDA0002534892680000121
即，执行单元620可以输出控制信号，以在要被从基板W去除的膜F的厚度增加时增加脉冲能量。例如，为了增加脉冲激光的脉冲能量，执行单元620可以输出控制信号以增加脉冲激光的输出功率。此外，为了增加脉冲激光的脉冲能量，执行单元620可以输出控制信号以减小脉冲激光的重复频率。另外，执行单元620可以通过输出控制信号以控制脉冲激光的输出功率和脉冲激光的重复频率来调节脉冲激光的脉冲能量。
在下文中，将详细描述根据本发明构思的实施方案的基板处理方法。基板处理方法可以是通过将多个单元脉冲激光施用到基板W的边缘区域来去除基板W上的膜F的方法。基板W上的膜F可以是通过沉积工艺形成的膜。例如，基板W上的膜可以是TiN、SiN、SiO2、钨或氧化物等。然而，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法不限于去除膜的方法，并且可以类似地应用于通过将激光施用到基板W来处理基板W的各种处理方法。
图11是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的流程图，而图12和图13是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理方法的视图。参照图11至图13，根据本发明构思的实施方案的基板处理方法可以包括膜厚度测量步骤S10、配方读取步骤S20和激光施用步骤S30。可以依序实施膜厚度测量步骤S10、配方读取步骤S20和激光施用步骤S30。
膜厚度测量步骤S10是测量基板W上的膜F的厚度的步骤。例如，在膜厚度测量步骤S10中，如图12所示，测量单元330可以位于基板W的边缘区域上方。在膜厚度测量步骤S10中，测量单元330可以通过将具有设定波长的光发射到基板W来测量基板W上的膜F的厚度。此外，在膜厚度测量步骤S10中，支承单元320可以旋转基板W。另外，在膜厚度测量步骤S10中，可以检测基板W上的膜F的类型。
配方读取步骤S20是基于在膜厚度测量步骤S10中测量的测量值，来读取适合于处理基板W的处理条件的步骤。例如，在配方读取步骤S20中，依据在膜厚度测量步骤S10中测量的膜F的厚度值，可以从配方存储单元610读取完全去除膜F所需的烧蚀能量的条件。
激光施用步骤S30是基于在配方读取步骤S20中从配方存储单元610读取的处理条件，将脉冲激光施用到基板W的步骤。在激光施用步骤S30中，可以基于在配方读取步骤S20中从配方存储单元610读取的烧蚀能量来选择脉冲激光的脉冲能量。例如，在激光施用步骤S30中，可以选择与在配方读取步骤S20中从配方存储单元610读取的烧蚀能量相对应的脉冲能量。在激光施用步骤S30中，如图13所示，激光单元400可以位于基板W的边缘区域上方。在激光施用步骤S30中，支承单元320可以在脉冲激光L被施用到基板W的边缘区域的情况下旋转基板W。此外，在激光施用步骤S30中，可以沿着基板W的径向方向改变脉冲激光L施用到的位置。因此，可以改变膜F被去除的基板W的边缘区域(例如，增大或减小)。
通常，在通过将化学品分配到基板的边缘区域上来去除膜的情况下，可能无法适当地去除膜。例如，可以去除基板上的膜以便沿着基板的径向方向向下倾斜。这是由用于去除膜的化学品的不均匀选择性而引起的。当没有适当地去除膜时，半导体元件的产品收得率降低。此外，在基板的表面上形成针状痕迹(pin mark)，而引起额外的污染。然而，根据本发明构思的实施方案，将脉冲激光施用到基板W以去除基板W上的膜F。因此，可能发生在基板W上的膜F的立即烧蚀，并因此可以在均匀且高选择性下去除膜F。此外，根据本发明构思的实施方案，在通过使用脉冲激光去除基板W上的膜F时，可以不同地改变从基板W去除膜F的区域。另外，可以使从基板W去除膜F的区域更精细。不同地改变从基板W去除膜F的区域以及使该区域更精细，与减小从基板的边缘区域去除膜的区域的最近趋势(recenttendency)相一致。
在通过将脉冲激光施用到基板W来去除基板W上的膜F的情况下，可能会发生过度蚀刻现象或蚀刻不足现象。过度蚀刻现象是基板W通过与膜F一起被蚀刻而损坏的现象。当施用到基板W的脉冲激光的脉冲能量超过烧蚀能量时，过度蚀刻现象发生。蚀刻不足现象是基板W上的膜F残留在基板W上而未被完全去除的现象。当施用到基板W的脉冲激光的脉冲能量小于烧蚀能量时，蚀刻不足现象发生。即，过度蚀刻现象或蚀刻不足现象可能损坏基板W，或者可能降低处理基板W的效率。然而，根据本发明构思的实施方案，基于通过测量基板W上的膜F的厚度而获得的测量值，来选择脉冲激光的脉冲能量。即，在将具有与烧蚀能量相对应的脉冲能量的脉冲激光施用到基板W时，可以使过度蚀刻现象或蚀刻不足现象最小化。
在下文中，将描述根据本发明构思的另一实施方案的基板处理方法。以下描述将聚焦于该实施方案与本发明构思的另一实施方案之间的差异，并且将省略相同或相似项目的描述。图14至图16是示出了根据本发明构思的另一实施方案的基板处理方法的视图。参照图14至图16，基板W上的膜F可以包括第一膜F1和第二膜F2。第一膜F1和第二膜F2可以是不同的膜。第一膜F1和第二膜F2可以在彼此之上堆叠。在根据本发明构思的另一实施方案的基板处理方法中，测量单元330可以通过将光发射到基板W的边缘区域来测量第一膜F1和第二膜F2的厚度。此外，测量单元330可以检测第一膜F1和第二膜F2的类型。当测量单元330测量或检测到关于第一膜F1和第二膜F2的信息时，测量单元330可以将所测量或检测到的信息发送到控制器600。当去除第一膜F1时，控制器600可以输出控制信号，使得由激光单元400施用的脉冲激光L1具有与第一烧蚀能量相对应的脉冲能量。第一烧蚀能量是指依据第一膜F1的厚度值完全去除第一膜F1所需的能量。此外，当去除第二膜F2时，控制器600可以输出控制信号，使得由激光单元400施用的脉冲激光L2具有与第二烧蚀能量相对应的脉冲能量。第二烧蚀能量是指依据第二膜F2的厚度值完全去除第二膜F2所需的能量。根据本发明构思的另一实施方案，即使基板W上设置有不同类型的膜F，也可以施用适当的脉冲激光以去除膜F，并因此可以改进基板处理效率。
在上述实施方案中，已经示例了依序实施膜厚度测量步骤S10、配方读取步骤S20和激光施用步骤S30。然而，本发明构思不限于此。例如，如图17所示，可以同时实施膜厚度测量步骤S10、配方读取步骤S20和激光施用步骤S30。
在上述实施方案中，已经示例了测量单元330和激光单元400设置在激光处理腔室280中。然而，本发明构思不限于此。例如，测量单元330和激光单元400可以设置在液体处理腔室260中。在这种情况下，可以在液体处理腔室260中在基板W上一起实施液体处理和激光处理，并因此可以使基板处理设备1的占地面积最小化。
如上所述，根据本发明构思的实施方案，基板处理方法和装置可以使去除基板上的膜的效率最大化。
此外，根据本发明构思的实施方案，基板处理方法和装置可以通过将多个单元脉冲激光施用到基板上的膜来改进膜去除效率。
此外，根据本发明构思的实施方案，基板处理方法和装置可以使膜去除区域精细，并且可以不同地修改膜去除区域。
此外，根据本发明构思的实施方案，基板处理方法和装置可以通过允许依据基板上的膜的厚度完全去除基板上的膜，来改进基板处理效率。
另外，根据本发明构思的实施方案，基板处理方法和装置可以在去除基板上的膜的情况下，使得由于过度蚀刻导致的对基板的损坏、或由于蚀刻不足导致的膜的不恰当去除最小化。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。即，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当解释的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域的技术人员来说将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
通过将脉冲激光施用至旋转的基板来去除所述基板上的膜，
其中，测量要去除的所述膜的厚度，并基于测量的所述膜的厚度来选择所述脉冲激光的脉冲能量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，依据所述膜的厚度，基于将所述膜完全去除的烧蚀能量来选择所述脉冲能量。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述脉冲能量对应于所述烧蚀能量。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述膜包括第一膜和与所述第一膜不同的第二膜，
其中，所述第一膜和所述第二膜彼此堆叠，
其中，在去除所述第一膜时，依据所述第一膜的厚度，基于将所述第一膜完全去除的第一烧蚀能量来选择所述脉冲能量，并且
其中，在去除所述第二膜时，依据所述第二膜的厚度，基于将所述第二膜完全去除的第二烧蚀能量来选择所述脉冲能量。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在去除所述第一膜时，选择与所述第一烧蚀能量相对应的所述脉冲能量，并且
其中，在去除所述第二膜时，选择与所述第二烧蚀能量相对应的所述脉冲能量。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，通过控制所述脉冲激光的输出功率和/或所述脉冲激光的重复频率来调节所述脉冲能量。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，将所述脉冲激光施用到的区域是所述基板的边缘区域。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，测量所述膜的厚度的区域是所述基板的边缘区域。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，依序实施所述膜的厚度的测量和所述脉冲激光的施用。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，同时实施所述膜的厚度的测量和所述脉冲激光的施用。
11.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
壳体，其具有内部空间；
支承单元，其配置为支承并旋转所述内部空间中的所述基板；
激光单元，其配置为施用脉冲激光以去除支承在所述支承单元上的所述基板上的膜；
测量单元，其配置为测量所述基板上的所述膜的厚度；和
控制器，其配置为控制所述激光单元和所述测量单元，
其中，所述控制器包括：
配方存储单元，在其中记录有用于去除所述基板上的所述膜的处理条件；和
执行单元，其配置为从所述配方存储单元读取所述处理条件，并基于读取的所述处理条件输出控制信号以控制所述脉冲激光的脉冲能量，并且
其中，所述执行单元：
依据由所述测量单元测量的所述膜的厚度，从所述配方存储单元读取所述处理条件；并且
基于从所述配方存储单元读取的所述处理条件，来输出所述控制信号以控制所述脉冲能量。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述执行单元：
在所述处理条件中，依据由所述测量单元测量的所述膜的厚度，从所述配方存储单元读取将膜完全去除的烧蚀能量；并且
基于从所述配方存储单元读取的所述烧蚀能量，来输出所述控制信号以控制所述脉冲能量。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述执行单元输出所述控制信号，使得所述脉冲能量具有与所述烧蚀能量相对应的能量。
14.根据权利要求11所述的装置，其中，所述膜包括第一膜和与所述第一膜不同的第二膜，
其中，所述第一膜和所述第二膜彼此堆叠，并且
其中，所述执行单元：
在去除所述第一膜时，在所述处理条件中，依据由所述测量单元测量的所述第一膜的厚度，从所述配方存储单元读取将所述第一膜完全去除的第一烧蚀能量；并基于从所述配方存储单元读取的所述第一烧蚀能量，来输出所述控制信号以控制所述脉冲能量；并且
在去除所述第二膜时，在所述处理条件中，依据由所述测量单元测量的所述第二膜的厚度，从所述配方存储单元读取将所述第二膜完全去除的第二烧蚀能量；并基于从所述配方存储单元读取的所述第二烧蚀能量，来输出所述控制信号以控制所述脉冲能量。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，所述执行单元：
在去除所述第一膜时，输出所述控制信号，使得所述脉冲能量具有与所述第一烧蚀能量相对应的能量；并且
在去除所述第二膜时，输出所述控制信号，使得所述脉冲能量具有与所述第二烧蚀能量相对应的能量。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的装置，其中，所述执行单元通过输出控制信号以控制所述脉冲激光的输出功率和/或所述脉冲激光的重复频率来调节所述脉冲能量。
17.根据权利要求11至15中任一项所述的装置，其中，所述控制器控制所述激光单元以将所述脉冲激光施用至所述基板的边缘区域。
18.根据权利要求11至15中任一项所述的装置，其中，所述控制器控制所述测量单元，使得测量所述膜的厚度的区域对应于所述基板的边缘区域。
19.根据权利要求11至15中任一项所述的装置，其中，所述控制器控制所述激光单元和所述测量单元，使得依序实施所述膜的厚度的测量和所述脉冲激光的施用。
20.根据权利要求11至15中任一项所述的装置，其中，所述控制器控制所述激光单元和所述测量单元，使得同时实施所述膜的厚度的测量和所述脉冲激光的施用。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114589419A (zh) * 2022-05-07 2022-06-07 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 晶圆的切割方法和激光切割装置
TWI825554B (zh) * 2021-03-22 2023-12-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11939665B2 (en) * 2020-03-10 2024-03-26 Tokyo Electron Limted Film thickness measuring apparatus and film thickness measuring method, and film forming system and film forming method
CN114985944A (zh) * 2022-04-26 2022-09-02 西安中科微精光子科技股份有限公司 一种自适应激光刻型方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07307314A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Rikagaku Kenkyusho パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法
CN1550283A (zh) * 2003-04-24 2004-12-01 肖特・格拉斯 去除涂覆至基板层边缘且涂布基板的方法与装置及一基板
JP2008110401A (ja) * 2006-10-06 2008-05-15 Sony Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板
CN101647126A (zh) * 2007-03-30 2010-02-10 奥尔利康贸易股份公司（特吕巴赫） 用于激光刻蚀太阳能电池的方法
CN102339899A (zh) * 2010-07-14 2012-02-01 应用材料股份有限公司 用于薄膜太阳能模块的多程激光边缘去除工艺
KR20120120670A (ko) * 2011-04-25 2012-11-02 위아코퍼레이션 주식회사 레이저 분할빔을 이용한 선택적 박막 제거장치
CN102995019A (zh) * 2011-09-15 2013-03-27 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种钛合金化铣刻型工艺
CN107437513A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 细美事有限公司 传送单元及用于处理基板的装置和方法
CN108962743A (zh) * 2017-05-17 2018-12-07 细美事有限公司 基板处理装置和基板处理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11135726A (ja) 1997-10-31 1999-05-21 Toyota Motor Corp レーザトリミング方法及びレーザトリミング装置
KR100310943B1 (ko) * 2001-02-26 2001-10-12 정명세 초전도 소자의 포토리소그라피 방법
KR20040061442A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법
KR100719367B1 (ko) * 2005-06-24 2007-05-17 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 웨이퍼 가공 방법
WO2010003186A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 Bt Imaging Pty Ltd Thin film imaging method and apparatus
KR20110077246A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 엘지디스플레이 주식회사 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법
KR101144481B1 (ko) * 2010-01-19 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 기판의 에지 비드 제거장치 및 방법
JP5479253B2 (ja) * 2010-07-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US20110147350A1 (en) 2010-12-03 2011-06-23 Uvtech Systems Inc. Modular apparatus for wafer edge processing
CN103170746A (zh) * 2011-12-26 2013-06-26 富泰华工业（深圳）有限公司 涂层去除装置及其去除涂层的方法
KR101557586B1 (ko) 2014-05-19 2015-10-05 주식회사 아이엠티 웨이퍼 에지 세정 방법 및 장치
JP2015233064A (ja) 2014-06-09 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及びベベルエッチング装置
US10948825B2 (en) * 2015-12-23 2021-03-16 Asml Netherlands B.V. Method for removing photosensitive material on a substrate
JP6896771B2 (ja) 2016-06-13 2021-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板上のターゲット構造の位置を決定するための方法及び装置、並びに、基板の位置を決定するための方法及び装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07307314A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Rikagaku Kenkyusho パルス・レーザによる基板表面薄膜の除去方法
CN1550283A (zh) * 2003-04-24 2004-12-01 肖特・格拉斯 去除涂覆至基板层边缘且涂布基板的方法与装置及一基板
JP2008110401A (ja) * 2006-10-06 2008-05-15 Sony Corp レーザ加工装置、レーザ加工方法、配線基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び配線基板
CN101647126A (zh) * 2007-03-30 2010-02-10 奥尔利康贸易股份公司（特吕巴赫） 用于激光刻蚀太阳能电池的方法
CN102339899A (zh) * 2010-07-14 2012-02-01 应用材料股份有限公司 用于薄膜太阳能模块的多程激光边缘去除工艺
KR20120120670A (ko) * 2011-04-25 2012-11-02 위아코퍼레이션 주식회사 레이저 분할빔을 이용한 선택적 박막 제거장치
CN102995019A (zh) * 2011-09-15 2013-03-27 沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司 一种钛合金化铣刻型工艺
CN107437513A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 细美事有限公司 传送单元及用于处理基板的装置和方法
CN108962743A (zh) * 2017-05-17 2018-12-07 细美事有限公司 基板处理装置和基板处理方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI825554B (zh) * 2021-03-22 2023-12-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN114589419A (zh) * 2022-05-07 2022-06-07 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 晶圆的切割方法和激光切割装置

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