JP2020184626A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】レーザーと同軸に構成されるビジョンユニットを利用して基板の偏心を測定し、レーザーの照射位置を調節することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置が開示される。基板処理装置は、基板が処理される空間を提供するチャンバー、チャンバー内部で基板を支持する支持ユニット、基板のエッジ領域にレーザーを照射するレーザーユニット、基板のエッジ領域を撮像して基板のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定するビジョンユニット及び基板のオフセット値に基づいてレーザーの照射位置を調節する調節ユニットを含む。【選択図】図２

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関り、より詳細には基板のエッジ領域を蝕刻する基板処理装置及び基板処理方法に係る。
半導体素子又は液晶ディスプレーを製造するために、基板にフォトリソグラフィー、蝕刻、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、及び洗浄等の多様な工程が遂行される。この中で蝕刻工程は基板上に形成された薄膜の中で不必要な領域を除去する工程で、薄膜に対する高い選択比及び高蝕刻率が要求される。
従来には基板を蝕刻するために、基板を回転させながら、基板で反射される光量を測定して基板のエッジ領域を算出した後、算出された基板のエッジ領域にレーザーを照射するか、又はケミカルが処理して基板のエッジ領域に対する蝕刻工程を遂行したが、基板のエッジ領域を算出した後、再び基板の静電チャックに安着させて蝕刻工程を遂行して処理時間が長くなり、チャンバーで処理される基板の直径に微細な差があっても補正するのが困難な問題があった。
日本国特許公開第２０１９−５０６７３０号公報
本発明の目的はレーザーと同軸に構成されるビジョンユニットを利用して基板の偏心を測定し、レーザーの照射位置を調節することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
上述した目的を達成するための本発明の一実施形態による基板処理装置は、基板が処理される空間を提供するチャンバー、前記チャンバー内部で基板を支持する支持ユニット、前記基板のエッジ領域にレーザーを照射するレーザーユニット、前記基板のエッジ領域を撮像して前記基板のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定するビジョンユニット、及び前記基板のオフセット値に基づいて前記レーザーの照射位置を調節する調節ユニットを含む。
ここで、前記調節ユニットは、ボディー、前記ボディー内に提供され、前記レーザーの照射方向及び前記ビジョンユニットの撮像方向を同軸に変更する光反射部及び前記ボディーを駆動して前記レーザーの照射位置を調節する制御部を含むことができる。
ここで、前記制御部は、前記ボディーの勾配を調節して前記レーザーの照射位置を変更することができる。
ここで、前記制御部は、前記ビジョンユニットで撮像された映像で既設定された基準点及び前記基板の端部の間の最短距離を前記基板のオフセット値として算出し、前記オフセット値及び前記ボディーと前記基板との間の距離に基づいて前記ボディーの勾配を調節することができる。
また、前記制御部は、前記ボディーの位置を変更して前記レーザーの照射位置を変更することができる。
ここで、前記制御部は、前記ボディーの位置を前記基板のオフセット値に対応される距離ぐらい移動させることができる。
また、前記支持ユニットは、前記基板を回転させるスピンヘッドを含み、前記調節ユニットは、前記基板のオフセット値に基づいて前記スピンヘッドと同期制御されることができる。
ここで、前記調節ユニットは、前記基板の回転角度に対応されるオフセット値に対するプロファイルを生成し、前記プロファイルに応じて前記レーザーの照射位置を調節することができる。
一方、本発明の一実施形態による基板処理方法は、本発明の基板処理装置を利用して基板のエッジ領域にレーザーを照射する基板処理方法において、基板を回転させながら、前記基板のエッジ領域を撮像する段階、前記基板のエッジ領域で基板の回転角度に応じる基板のオフセット値に関するプロファイルを生成する段階、前記基板のオフセット値に関するプロファイルに基づいて前記レーザーの照射位置を調節する段階、及び前記レーザーを照射して基板を処理する段階を含む。
ここで、前記レーザーの照射位置を調節する段階は、前記調節ユニットの勾配を調節して前記レーザーの照射位置を変更する段階を含むことができる。
ここで、前記基板のオフセット値に関するプロファイルを生成する段階は、前記ビジョンユニットで撮像された映像で既設定された基準点及び前記基板の端部の間の最短距離を前記基板のオフセット値として算出する段階を含み、前記レーザーの照射位置を変更する段階は、前記オフセット値及び前記調節ユニットと前記基板との間の距離に基づいて前記調節ユニットの勾配を調節することができる。
また、前記レーザーの照射位置を調節する段階は、前記調節ユニットの位置を変更して前記レーザーの照射位置を変更する段階を含むことができる。
ここで、前記レーザーの照射位置を変更する段階は、前記調節ユニットの位置を前記基板のオフセット値に対応される距離ぐらい移動させることができる。
以上のような本発明の多様な実施形態によれば、基板の偏心を測定し、測定された偏心に基づいてレーザーの照射位置を調節して、蝕刻工程の処理時間を減らすことができ、基板の直径差が発生する場合にも蝕刻工程の正確性を向上させることができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態による基板処理設備を示す平面図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるレーザーユニット、ビジョンユニット、及び調節ユニットの構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるビジョンユニットで撮像される映像の一例を示す図面である。 本発明の一実施形態によるボディーの勾配を調節してレーザーの照射位置を変更する方法を説明するための図面である。 本発明の一実施形態によるボディーの勾配を調節してレーザーの照射位置を変更する方法を説明するための図面である。 本発明の一実施形態によるボディーの勾配を調節してレーザーの照射位置を変更する方法を説明するための図面である。 本発明の一実施形態によるボディーの位置を変更してレーザーの照射位置を変更する方法を説明するための図面である。 本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
図１は本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。図１を参照すれば、基板処理設備１０はインデックスモジュール１００と工程処理モジュール２００を有する。インデックスモジュール１００はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００が配列された方向を第１の方向１２とし、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４がとし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面と垂直である方向を第３方向１６とする。
ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が安着される。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２００の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板がＷを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
工程処理モジュール２００はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、及び工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂを有する。移送チャンバー２４０はその横方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバー２４０の両側には各々工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂが配置される。移送チャンバー２４０の一側及び他側で工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂは移送チャンバー２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー２４０の一側には複数の工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂが提供される。工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂの中で一部は移送チャンバー２４０の横方向に沿って配置される。また、工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂの中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂがＡＸＢの配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂの数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂの数である。移送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂが４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂは２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂの数は増加するか、又は減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂは移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂは移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。
バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は互いにとの間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と対向する面及び移送チャンバー２４０と対向する面が開放される。
移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその横方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２００からキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０から工程処理モジュール２００に基板Ｗを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。
移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂとの間に、そして工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂとの間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその横方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、本体２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは本体２４４ｂに結合され、これは本体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。
工程チャンバー２６０ａ、２６０ｂは、洗浄処理チャンバー２６０ａとエッジ処理チャンバー２６０ｂを含むことができる。洗浄処理チャンバー２６０ａは基板Ｗに対して洗浄工程を遂行することができる。洗浄処理チャンバー２６０ａは回転する基板Ｗの中心領域に洗浄液を供給して洗浄工程を遂行することができる。洗浄処理チャンバー２６０ａは種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、洗浄処理チャンバー２６０ａは同一な構造を有することができる。選択的に洗浄処理チャンバー２６０ａは複数のグループに区分されて、同一なグループに属する洗浄処理チャンバー２６０ａは互いに同一な構造を有し、互いに異なるグループに属する洗浄処理チャンバー２６０ａは互いに異なる構造を有することができる。
エッジ処理チャンバー２６０ｂは基板Ｗのエッジ領域を処理することができる。エッジ処理チャンバー２６０ｂは種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、エッジ処理チャンバー２６０ｂは同一な構造を有することができる。選択的にエッジ処理チャンバー２６０ｂは複数のグループに区分されて、同一なグループに属するエッジ処理チャンバー２６０ｂは互いに同一な構造を有し、互いに異なるグループに属するエッジ処理チャンバー２６０ｂは互いに異なる構造を有することができる。エッジ処理チャンバー２６０ｂには基板Ｗのエッジ領域に対する処理工程を遂行する基板処理装置３００が提供される。
図２は本発明の一実施形態による基板処理装置を示す断面図である。図２を参照すれば、基板処理装置３００は支持ユニット３１０、処理容器３２０、昇降ユニット３３０、レーザーユニット３４０、ビジョンユニット３５０、調節ユニット３６０、及び排出ユニット４００を含むことができる。
支持ユニット３１０は基板Ｗを支持及び回転させる。支持ユニット３１０は支持プレート３１２及び回転駆動部材３１３を含む。支持プレート３１２は基板Ｗを支持する。支持プレート３１２は円形の板形状を有するように提供されることができる。支持プレート３１２は基板Ｗより小さい直径を有することができる。支持プレート３１２の支持面には吸着ホール３１６が形成され、吸着ホール３１６には陰圧が提供されることができる。基板Ｗは陰圧によって支持面に真空吸着されることができる。
回転駆動部材３１３は支持プレート３１２を回転させる。一例として、回転駆動部材３１３はスピンヘッドで提供されることができる。回転駆動部材３１３は回転軸３１４及び駆動器３１５を含む。回転軸３１４はその横方向が上下方向に向かう筒形状を有するように提供される。回転軸３１４は支持プレート３１２の底面に結合される。駆動器３１５は回転軸３１４に回転力を伝達する。回転軸３１４は駆動器３１５から提供された回転力によって中心軸を中心に回転可能である。支持プレート３１２は回転軸３１４と共に回転可能である。回転軸３１４は駆動器３１５によってその回転速度が調節されて基板Ｗの回転速度を調節可能である。例えば、駆動器３１５はモーターである。
処理容器３２０は内部に処理空間３２２を提供する。処理容器３２０は上部が開放されたカップ形状を有するように提供される。処理容器３２０は支持ユニット３１０を囲むように提供されることができる。処理容器３２０は底部３２４、側面部３２６、及び上面部３２８を含む。底部３２４は中空を有する円板形状に提供される。
底部３２４には回収ライン３２５が形成される。回収ライン３２５は処理空間３２２を通じて回収された処理液を外部の液再生システム（図示せず）に提供することができる。側面部３２６は中空を有する円筒形状に提供される。側面部３２６は底部３２４の側端から垂直になる方向に延長される。側面部３２６は底部３２４から上に延長される。上面部３２８は側面部３２６の上端から延長される。上面部３２８は支持ユニット３１０に近くなるほど、上方に傾いた方向に向かう。
昇降ユニット３３０は支持ユニット３１０と処理容器３２０との間に相対高さを調節する。昇降ユニット３３０は処理容器３２０を昇降移動させる。昇降ユニット３３０はブラケット３３２、移動軸３３４、及び駆動部材３３６を含む。駆動部材３３６はモーターである。ブラケット３３２は処理容器３２０の側面部３２６に固定結合される。移動軸３３４はブラケット３３２を支持する。移動軸３３４はその横方向が上下方向に向かうように提供される。駆動部材３３６は移動軸３３４を上下方向に移動させる。したがって、ブラケット３３２と処理容器３２０は上下方向に移動可能である。
レーザーユニット３４０は基板のエッジ領域にレーザーを照射する。ビジョンユニット３５０は基板のエッジ領域を撮像して基板のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定する。調節ユニット３６０はビジョンユニット３５０で測定される基板のオフセット値に基づいてレーザーの照射位置を調節することができる。図３を参照すれば、調節ユニット３６０はボディー３６１、光反射部３６２、光スプリッタ３６３、制御部３６４、及び照明部３６５を含むことができる。ボディー３６１の内部には光反射部３６２が提供されてレーザーユニット３４０で照射されるレーザーの照射方向及びビジョンユニット３５０の撮像方向を同軸に変更することができる。光反射部３６２は複数に提供されて、レーザーの照射方向をより精密に制御することができる。光スプリッタ３６３は特定波長の光を透過させ、他の波長の光は反射させることができる。一例として、光スプリッタ３６３はレーザーユニット３４０で照射されるレーザーを透過させて光反射部３６２に提供し、基板のエッジ領域の反射光を反射させてビジョンユニット３６２に提供することができる。ボディー３６１の下部には照明部３６５が提供されて基板のエッジ領域に光を照射することができる。ビジョンユニット３６２は照明部３６５で照射された光が基板で反射される反射光を数光して基板のエッジ領域を撮像することができる。照明部３６５は発光ダイオードＬＥＤで提供されることができるが、これに限定されない。一例として、照明部３６５は中央に光を集積させるためのレンズが配置しレンズの周辺に複数の発光ダイオードが配置されることができる。制御部３６４はボディー３６１を駆動してレーザーの照射位置を調節する。制御部３６４はボディー３６１の勾配を変更するか、又はボディー３６１の位置を移動させることができる。また、制御部３６４は光反射部３６２を調節してレーザーの照射位置を調節してもよい。以下、図４乃至図８を参照して、本発明の調節ユニット３６０がレーザーの照射位置を調節する方法を詳細に説明する。
図４を参照すれば、ビジョンユニット３５０は基板のエッジ領域を撮像して映像５００を獲得することができ、基板の端部と既設定された基準点５１０との間の距離を測定して基板のオフセット値を算出することができる。ここで、基準点５１０の映像５００の中央地点であり、オフセット値は基板の端部と基準点５１０との間の最短距離である。基板のオフセット値が獲得されれば、制御部３６４は図５のように、ボディー３６１の勾配を調節してレーザーの照射位置を変更することができる。この時、ボディー３６１の勾配は基板のオフセット値及び基板と調節ユニット３６０との間の距離Ｗｄを利用して算出することができる。即ち、図６のように、ボディー３６１の勾配は基板と調節ユニット３６０との間の距離Ｗｄを底辺とし、基板のオフセット値を高さにする直角三角形の直角内角であるので、三角関数を利用して算出することができる。ビジョンユニット３５０は基板の回転に応じて基板のエッジ領域を撮像して基板のすべてのエッジ領域で基板のオフセット値を獲得することができる。また、獲得された基板のオフセット値及び基板と調節ユニット３６０との間の距離Ｗｄを利用して基板のすべてのエッジ領域でボディー３６１の勾配を算出することができる。一例として、図７のように基板の回転角度に応じる基板のオフセット値及びボディー３６１の勾配が算出されることができる。即ち、本発明は基板のすべてのエッジ領域で基板のオフセット値を獲得した後、獲得された基板のオフセット値に対応されるボディー３６１の勾配を算出して基板のエッジ領域に対する精密な蝕刻工程を遂行することができる。また、調節ユニット３６０は基板のオフセット値に基づいてスピンヘッド３１３と同期制御されることができ、基板の回転角度に対応される基板のオフセット値に対するプロファイルを生成し、生成されたプロファイルにしたがってレーザーの照射位置を調節することができる。また、図８のように、ビジョンユニット３５０で基板のオフセット値が獲得されれば、調節ユニット３６０はボディー３６１を基板のオフセット値に対応される距離ぐらい移動させてレーザー照射位置を変更してもよい。
図９は本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
図９を参照すれば、まず、基板を回転させながら、基板のエッジ領域を撮像する（Ｓ９１０）。続いて、基板のエッジ領域で基板の回転角度に応じる基板のオフセット値に関するプロファイルを生成する（Ｓ９２０）。具体的に、ビジョンユニットで撮像された映像で既設定された基準点及び基板の端部の間の最短距離を基板のオフセット値として算出することができる。
続いて、基板のオフセット値に関するプロファイルに基づいてレーザーの照射位置を調節する（Ｓ９３０）。一例として、調節ユニットの勾配を調節してレーザーの照射位置を変更することができる。この場合、基板のオフセット値及び調節ユニットと基板との間の距離に基づいて調節ユニットの勾配を算出することができる。他の例として、調節ユニットの位置を変更してレーザーの照射位置を変更することができる。この場合、調節ユニットの位置を基板のオフセット値に対応される距離ぐらい移動させてレーザーの照射位置を変更することができる。
続いて、レーザーを照射して基板を処理する（Ｓ９４０）。
以上のような本発明の多様な実施形態によれば、基板のオフセット値を測定し、測定されたオフセット値に基づいてレーザーの照射位置を調節するので、蝕刻工程の処理時間を減らすことができ、基板の直径差が発生する場合にも蝕刻工程の正確性を向上させることができる。
以上の実施形態は本発明の理解を助けるために提示されたことと、本発明の範囲を制限しなく、これから多様な変形可能な実施形態も本発明の範囲に属することであることを理解しなければならない。本発明の技術的保護範囲は特許請求範囲の技術的思想によって定められなければならないものであり、本発明の技術的保護範囲は特許請求範囲の文言的記載そのものに限定されることではなく、実質的には技術的価値が均等な範疇の発明に対してまで及ぶことであるを理解しなければならない。
１０ 基板処理設備
３００ 基板処理装置
３１０ 支持ユニット
３４０ レーザーユニット
３５０ ビジョンユニット
３６０ 調節ユニット
３６１ ボディー
３６２ 光反射部
３６３ 制御部

Claims (13)

  1. 基板が処理される空間を提供するチャンバーと、
    前記チャンバー内部で基板を支持する支持ユニットと、
    前記基板のエッジ領域にレーザーを照射するレーザーユニットと、
    前記基板のエッジ領域を撮像して前記基板のオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）値を測定するビジョンユニットと、
    前記基板のオフセット値に基づいて前記レーザーの照射位置を調節する調節ユニットと、を含む基板処理装置。
  2. 前記調節ユニットは、
    ボディーと、
    前記ボディー内に提供され、前記レーザーの照射方向及び前記ビジョンユニットの撮像方向を同軸に変更する光反射部と、
    前記ボディーを駆動して前記レーザーの照射位置を調節する制御部と、を含む請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記ボディーの勾配を調節して前記レーザーの照射位置を変更する請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、
    前記ビジョンユニットで撮像された映像で既設定された基準点及び前記基板の端部の間の最短距離を前記基板のオフセット値として算出し、前記オフセット値及び前記ボディーと前記基板との間の距離に基づいて前記ボディーの勾配を調節する請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、
    前記ボディーの位置を変更して前記レーザーの照射位置を変更する請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記ボディーの位置を前記基板のオフセット値に対応される距離ぐらい移動させる請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記支持ユニットは、前記基板を回転させるスピンヘッドを含み、
    前記調節ユニットは、
    前記基板のオフセット値に基づいて前記スピンヘッドと同期制御される基板請求項１乃至請求項６のいずれかの一項に記載の処理装置。
  8. 前記調節ユニットは、
    前記基板の回転角度に対応されるオフセット値に対するプロファイルを生成し、前記プロファイルに応じて前記レーザーの照射位置を調節する請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 請求項１の基板処理装置を利用して基板のエッジ領域にレーザーを照射する基板処理方法において、
    基板を回転させながら前記基板のエッジ領域を撮像する段階と、
    前記基板のエッジ領域で基板の回転角度に応じる基板のオフセット値に関するプロファイルを生成する段階と、
    前記基板のオフセット値に関するプロファイルに基づいて前記レーザーの照射位置を調節する段階と、
    前記レーザーを照射して基板を処理する段階と、を含む基板処理方法。
  10. 前記レーザーの照射位置を調節する段階は、
    前記調節ユニットの勾配を調節して前記レーザーの照射位置を変更する段階を含む請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記基板のオフセット値に関するプロファイルを生成する段階は、
    前記ビジョンユニットで撮像された映像で既設定された基準点及び前記基板の端部の間の最短距離を前記基板のオフセット値として算出する段階を含み、
    前記レーザーの照射位置を変更する段階は、
    前記オフセット値及び前記調節ユニットと前記基板との間の距離に基づいて前記調節ユニットの勾配を調節する請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記レーザーの照射位置を調節する段階は、
    前記調節ユニットの位置を変更して前記レーザーの照射位置を変更する段階を含む請求項９に記載の基板処理方法。
  13. 前記レーザーの照射位置を変更する段階は、
    前記調節ユニットの位置を前記基板のオフセット値に対応される距離ぐらい移動させる請求項１２に記載の基板処理方法。
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