CN117957640A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置包含：基板保持构件，将基板保持为规定的处理姿势；聚合物膜形成构件，将含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜形成于被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面，光致产酸剂通过光的照射而生成酸；光射出构件，射出光，并对被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面的周缘部照射光；以及反射抑制构件，包含第一部分，第一部分能够配置于邻接位置，邻接位置为从所述基板的第一主表面的中心部侧邻接于被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面的周缘部中被来自所述光射出构件的光照射的照射区域的位置。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
[相关申请]
本申请主张2021年9月7日所申请的日本特许申请2021-145737的优先权，将该日本特许申请的全部的揭示内容援用于本申请。
技术领域
本发明涉及一种用以处理基板的基板处理装置以及用以处理基板的基板处理方法。成为处理的对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示设备以及有机EL(electroluminescence；电致发光)显示设备等的平面显示器(FPD；Flat Panel Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在下述专利文献1揭示了一种方法，使蚀刻液着落至距基板的周缘规定宽度的内侧的位置，利用非活性气体的气体流动将蚀刻液吹飞至基板的外侧，由此蚀刻形成于基板的上表面的多层膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2021-39959号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1所揭示的手法中，在基板的蚀刻使用蚀刻液。着落至基板的上表面的蚀刻液在基板的上表面扩展。因此，难以精密地控制基板的上表面的周缘部中被蚀刻的区域的宽度，亦即难以精密地控制蚀刻宽度。
本发明的目的之一在于提供一种能精密地控制蚀刻宽度的基板处理装置以及基板处理方法。
用以解决课题的手段
本发明的实施方式之一提供一种基板处理装置，用以处理基板，所述基板具有第一主表面以及与所述第一主表面相反侧的第二主表面。所述基板处理装置包含：基板保持构件，将基板保持为规定的处理姿势；聚合物膜形成构件，将含有光致产酸剂(photoacidgenerator)以及聚合物的聚合物膜形成于被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面，所述光致产酸剂通过光的照射而生成酸；光射出构件，射出光，并对被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的周缘部照射光；以及反射抑制构件，用以抑制光从所述反射抑制构件反射，且包含第一部分，所述第一部分能够配置于邻接位置，所述邻接位置为从所述基板的所述第一主表面的中心部侧邻接于在被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的所述周缘部中被来自所述光射出构件的光照射的照射区域的位置。
依据此种基板处理装置，利用聚合物膜形成构件在基板的第一主表面形成含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜。在基板的第一主表面形成有聚合物膜的状态下将从光射出构件射出的光照射至基板的第一主表面的周缘部，由此能在聚合物膜中生成酸。利用在聚合物膜中所生成的酸来蚀刻基板的第一主表面的周缘部。亦即，在聚合物膜中所生成的酸作为蚀刻剂发挥作用。如此，蚀刻基板的第一主表面的周缘部中被光照射的区域(照射区域)。
由于聚合物膜含有聚合物，因此能降低聚合物膜的流动性。因此，在聚合物膜中所生成的酸容易滞留于所生成的位置。因此，能精密地控制基板的第一主表面的周缘部中被蚀刻的区域(蚀刻区域)的宽度，亦即能精密地控制蚀刻宽度。蚀刻宽度相当于基板的周缘(顶端)与第一主表面的中心部侧的蚀刻区域的端部之间的距离。
依据此种基板处理装置，反射抑制构件包含：第一部分，能够配置于邻接位置，邻接位置为在从基板的第一主表面的中心部侧邻接于照射区域的位置。因此，即使在光从照射区域反射并被照射至第一部分的情形中，亦抑制光从反射抑制构件反射。因此，能抑制从照射区域反射的光照射至比反射抑制构件还接近第一主表面的中心部的位置。因此，能利用反射抑制构件更精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包含：基板旋转机构，使所述基板绕着通过被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的所述中心部的旋转轴线旋转。而且，所述光射出构件朝向在被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的所述周缘部中的绕着所述旋转轴线的旋转方向上的规定的范围射出光。
依据此种基板处理装置，从光射出构件朝向基板的第一主表面的周缘部中的旋转方向上的规定的范围射出光。一边使基板绕着旋转轴线旋转一边对基板的第一主表面的周缘部进行光的照射，由此能整周地蚀刻基板的第一主表面的周缘部。因此，由于对基板的第一主表面的周缘部上的规定的范围照射光，因此与同时将光照射至基板的第一主表面的周缘部整体的情形相比能降低照射不均。因此，能在基板的整周精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的一实施方式中，所述反射抑制构件还包含：第二部分，连接于所述第一部分，且在所述第一部分位于所述邻接位置时从所述旋转方向的至少一方邻接于所述照射区域。
依据此种基板处理装置，在第一部分位于邻接位置时，反射抑制构件的第二部分从旋转方向的至少一方邻接于照射区域。因此，即使在光从照射区域反射并被照射至第二部分的情形中，亦抑制光从反射抑制构件反射。因此，能抑制从照射区域反射的光在旋转方向上夹着反射抑制构件照射至照射区域的相反侧。因此，能利用反射抑制构件更精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的一实施方式中，所述第一部分呈具有中心轴线的环状或者圆形状，且在所述第一部分位于所述邻接位置时所述中心轴线位于所述旋转轴线上。因此，只要将第一部分配置于邻接位置，即能在旋转方向的整体总是抑制光照射至比第一部分还接近第一主表面的中心部的位置。因此，能在基板的第一主表面的整周中可靠性高地抑制从照射区域反射的光照射至比照射区域还接近第一主表面的中心部的位置。
在本发明的一实施方式中，所述邻接位置为所述第一部分遮住从所述光射出构件射出的光的一部分的遮蔽位置。因此，控制反射抑制构件的第一部分的位置，由此能控制照射区域的大小。由此，能控制蚀刻宽度。
在本发明的一实施方式中，所述第一部分具有：相向面，在所述第一部分位于所述邻接位置时，在与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面平行的状态下与所述基板的所述第一主表面相向；以及正交面，连接于所述相向面并与所述相向面正交。因此，能抑制从光射出构件射出的光被照射至第一主表面中比正交面还接近第一主表面的中心部的位置。因此，能沿着正交面来区划照射区域。因此，能精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的一实施方式中，所述第一部分具有：相向面，在所述第一部分位于所述邻接位置时，在与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面平行的状态下与所述基板的所述第一主表面相向；以及倾斜面，在所述第一部分的内部以与所述相向面呈锐角的方式连接于所述相向面并相对于所述相向面倾斜。
依据此种基板处理装置，能抑制从光射出构件射出的光照射至第一主表面中比倾斜面还接近第一主表面的中心部的位置。再者，以沿着倾斜面的方式从光射出构件射出光，由此能倾斜地蚀刻从基板的第一主表面露出的处理对象膜。由此，能将基板的第一主表面的周缘部的处理对象膜的径向外侧端作成顶端尖细的形状。结果，能抑制基板处理后的非预期的处理对象膜的剥离。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包含：腔室(chamber)，用以收容所述基板保持构件，并具有支撑壁，所述支撑壁与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面相向并支撑所述光射出构件。
依据此种基板处理装置，无须变更从光射出构件射出的光的行进方向，即能将光照射至基板的第一主表面的周缘部。因此，能省略用以变更光的行进方向的构件。
在本发明的一实施方式中，所述基板处理装置还包含：方向变更构件，以从所述光射出构件射出的光的行进方向接近与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面正交的方向的方式变更光的行进方向。
依据此种基板处理装置，即使从光射出构件射出的光的行进方向为沿着基板的第一主表面的方向，亦能将光的行进方向接近与基板的第一主表面正交的方向。因此，能谋求提升光射出构件的配置的自由度。
在本发明的一实施方式中，所述方向变更构件包含：支撑部，具有凹部，所述凹部能够收容被所述基板保持构件保持的所述基板的所述周缘部；以及反射部，设置于所述凹部的缘部，使所述光射出构件射出的光反射，在被所述基板保持构件保持的所述基板的所述周缘部被收容于所述凹部的状态下与所述基板的所述第一主表面以及所述第二主表面双方相向。
依据此种基板处理装置，能使用单一光源，不仅将光照射至基板的第一主表面，亦能将光照射至第二主表面。因此，能蚀刻第一主表面的周缘部且同时蚀刻第二主表面的周缘部。
本发明的其他的实施方式提供一种基板处理方法，用以处理基板，所述基板具有第一主表面以及与所述第一主表面相反侧的第二主表面。所述基板处理方法包含：基板保持工序，将所述基板保持为规定的处理姿势；聚合物膜形成工序，将含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜形成于所述基板的所述第一主表面，所述光致产酸剂通过光的照射而生成酸；以及光照射工序，在用以抑制光的反射的反射抑制构件与所述基板的所述第一主表面的周缘部相向的状态下，对相对于所述反射抑制构件从与所述基板的所述第一主表面的中心部相反侧与所述反射抑制构件邻接的所述基板的所述第一主表面上的区域照射光。
依据此种基板处理方法，在基板的第一主表面形成含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜。在基板的第一主表面形成有聚合物膜的状态下将光照射至基板的第一主表面的周缘部，由此能在聚合物膜中生成酸。利用在聚合物膜中所生成的酸来蚀刻基板的第一主表面的周缘部。亦即，在聚合物膜中所生成的酸作为蚀刻剂发挥作用。如此，蚀刻基板的第一主表面的周缘部中被光照射的区域(照射区域)。
由于聚合物膜含有聚合物，因此能降低聚合物膜的流动性。因此，在聚合物膜中所生成的酸容易滞留于所生成的位置。因此，能精密地控制基板的第一主表面的周缘部中被蚀刻的区域(蚀刻区域)的宽度，亦即能精密地控制蚀刻宽度。蚀刻宽度相当于基板的周缘(顶端)与基板的第一主表面的中心部侧中的蚀刻区域的端部之间的距离。
依据此种基板处理方法，在用以抑制光的反射的反射抑制构件与基板的第一主表面的周缘部相向的状态下，对相对于反射抑制构件从与基板的第一主表面的中心部相反侧与反射抑制构件邻接的基板的第一主表面上的区域照射光。因此，即使在光从照射区域反射并被照射至第一部分的情形中，亦抑制光从反射抑制构件反射。因此，能抑制从照射区域反射的光照射至比反射抑制构件还接近第一主表面的中心部的位置。因此，能利用反射抑制构件更精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的其他的实施方式中，所述聚合物膜形成工序包含下述工序：在所述基板的所述第一主表面中，不在比包含所述周缘部的周缘区域靠所述中心部侧的内侧区域形成所述聚合物膜，而是在所述周缘区域形成所述聚合物膜。
依据此种基板处理方法，能减少聚合物膜的消耗量并精密地控制基板的第一主表面的周缘部的蚀刻宽度。
在本发明的其他的实施方式中，所述基板处理装置还包含：基板旋转工序，使所述基板绕着通过所述基板的所述中心部的旋转轴线旋转。而且，在所述光照射工序中，朝向所述基板的所述第一主表面的所述周缘部中的绕着所述旋转轴线的旋转方向上的规定的范围照射光。
依据此种基板处理方法，从光射出构件朝向基板的第一主表面的周缘部中的旋转方向上的规定的范围射出光。一边使基板绕着旋转轴线旋转一边对基板的上表面的周缘部进行光的照射，由此能整周地蚀刻基板的上表面的周缘部。因此，由于对基板的第一主表面的周缘部上的规定的范围照射光，因此与同时将光照射至基板的第一主表面的周缘部的整体的情形相比能降低照射不均。因此，能在基板的整周精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的其他的实施方式中，所述基板处理方法在所述光照射工序中还包含：照射区域调整工序，将所述反射抑制构件配置于用以遮住从所述光射出构件射出的光的一部分的遮蔽位置，由此调整所述基板的所述第一主表面中被光照射的所述照射区域的大小。
依据此种基板处理方法，利用反射抑制构件遮住从光射出构件射出的光的一部分，由此能控制照射区域的大小。由此，能精密地控制蚀刻宽度。
在本发明的其他的实施方式中，交替地复数次执行所述聚合物膜形成工序以及所述光照射工序。复数个所述光照射工序包含：第一光照射工序，朝向所述基板的所述第一主表面的所述周缘部射出光；以及第二光照射工序，在所述第一光照射工序之后被执行，朝向所述基板的所述第一主表面的所述周缘部射出光。而且，所述照射区域调整工序包含下述工序：使所述反射抑制构件移动，以使在所述第一光照射工序中所述基板的所述第一主表面被光照射的第一照射区域比在所述第二光照射工序中所述基板的所述第一主表面被光照射的第二照射区域靠所述基板的所述第一主表面的所述中心部侧。
依据此种基板处理方法，以第一照射区域比第二照射区域还位于基板的第一主表面的中心部侧的方式使反射抑制构件移动。因此，基板的第一主表面的周缘部中的利用第一光照射工序而被蚀刻的区域的一部分不会被光照射。因此，以处理对象膜朝向基板的周缘(顶端)变薄的方式在处理对象膜形成段差。结果，能抑制基板处理后的非预期的处理对象膜的剥离。
附图说明
图1是用以说明本发明的第一实施方式的基板处理装置的构成例的俯视图。
图2是用以说明上述基板处理装置所具备的处理单元的构成的示意图。
图3A是沿着图2所示的IIIA-IIIA线的剖视图。
图3B是沿着图3A所示的IIIB区域的放大图。
图3C是沿着图3B所示的IIIC-IIIC线的剖视图。
图4是用以说明上述基板处理装置的电气构成的框图。
图5是用以说明利用上述基板处理装置所执行的基板处理的一例的流程图。
图6A是用以说明进行上述基板处理时的基板以及基板的周围的样子的示意图。
图6B是用以说明进行上述基板处理时的基板以及基板的周围的样子的示意图。
图6C是用以说明进行上述基板处理时的基板以及基板的周围的样子的示意图。
图7A是用以说明上述基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图7B是用以说明上述基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图7C是用以说明上述基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图7D是用以说明上述基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图8A是用以说明进行第一变化例的基板处理时的基板以及基板的周围的样子的示意图。
图8B是用以说明进行第一变化例的基板处理时的基板以及基板的周围的样子的示意图。
图8C是用以说明进行第一变化例的基板处理时的基板以及基板的周围的样子的示意图。
图9是用以说明第二变化例的基板处理的流程图。
图10A是用以说明上述第二变化例的基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图10B是用以说明上述第二变化例的基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图10C是用以说明上述第二变化例的基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图10D是用以说明上述第二变化例的基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图10E是用以说明上述第二变化例的基板处理中的基板的周缘部的变化的示意图。
图11是用以说明第一变化例的处理单元所具备的反射抑制构件的示意图。
图12是用以说明第二变化例的处理单元所具备的反射抑制构件的示意图。
图13是用以说明第三变化例的处理单元所具备的反射抑制构件的示意图。
图14是沿着图13所示的XIV-XIV线的剖视图。
图15是用以说明第二实施方式的基板处理装置所具备的处理单元的构成的示意图。
图16A是用以说明利用上述第二实施方式的基板处理装置进行基板处理时的基板的周缘部及其周围的样子的示意图。
图16B是用以说明利用上述第二实施方式的基板处理装置进行基板处理时的基板的周缘部及其周围的样子的示意图。
图17A是用以说明第二实施方式的第一变化例的处理单元的构成的示意图。
图17B是用以说明第二实施方式的第一变化例的处理单元的构成的示意图。
图18是用以说明第二实施方式的第二变化例的处理单元的构成的示意图。
图19是用以说明第二实施方式的第三变化例的处理单元的构成的示意图。
图20是用以说明第二实施方式的第四变化例的处理单元的构成的示意图。
图21是沿着图20所示的XXI-XXI线的剖视图。
图22是第二实施方式的第四变化例的处理单元所具备的方向变更构件的立体图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
[第一实施方式的基板处理装置1的构成]
图1是用以说明本发明的第一实施方式的基板处理装置1的构成例的俯视图。
基板处理装置1为用以逐片地处理基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W具有圆板状。基板W为硅晶片等基板，具有一对主表面。一对主表面包含第一主表面W1(参照后述的图2)以及第一主表面W1的相反侧的第二主表面W2(参照后述的图2)。以下，除了有特别说明的情形，说明上表面(上侧的主表面)为第一主表面W1且下表面(下侧的主表面)为第二主表面W2的例子。
基板处理装置1具备：复数个处理单元2，处理基板W；装载埠(load port))LP(收容器保持单元)，供承载器(carrier)C(收容器)载置，承载器C收容欲被处理单元2进行处理的复数片基板W；搬运机械手(第一搬运机械手IR以及第二搬运机械手CR)，在装载埠LP与处理单元2之间搬运基板W；以及控制器3，控制基板处理装置1所具备的各个构件。
第一搬运机械手IR在承载器C与第二搬运机械手CR之间搬运基板W。第二搬运机械手CR在第一搬运机械手IR与处理单元2之间搬运基板W。各个搬运机械手例如为多关节臂机械手。
复数个处理单元2沿着搬运路径TR配置于搬运路径TR的两侧且在上下方向层叠地排列，该搬运路径TR供第二搬运机械手CR搬运基板W。复数个处理单元2例如具有同样的构成。
复数个处理单元2形成四个处理塔TW，四个处理塔TW分别配置于水平地分开的四个位置。各个处理塔TW包含在上下方向层叠的复数个处理单元2。四个处理塔TW各两个地配置于搬运路径TR的两侧，该搬运路径TR从装载埠LP朝向第二搬运机械手CR延伸。
处理单元2具备：腔室4，用以在基板处理时收容基板W；以及处理罩杯(processingcup)7，配置于腔室4内；处理单元2在处理罩杯7内对基板W执行处理。腔室4包含：出入口(未图示)，该出入口用以供第二搬运机械手CR将基板W搬入至腔室4内以及从腔室4将基板W搬出；以及挡门(shutter)单元(未图示)，用以将出入口打开以及关闭。作为在腔室4内被供给至基板W的处理液，能例举聚合物含有液、去除液以及冲洗(rinse)液等，详细说明将在后述。
[第一实施方式的处理单元2的构成]
图2是用以说明处理单元2的构成的示意图。
处理单元2还包含：旋转卡盘(spin chuck)5，一边将基板W保持成规定的处理姿势一边使基板W绕着旋转轴线A1旋转；复数个处理液喷嘴(聚合物含有液喷嘴9、去除液喷嘴10以及冲洗液喷嘴11)，朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面喷出处理液；光射出构件12，朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面射出光L；以及反射抑制构件13，抑制光L的反射。
旋转卡盘5、反射抑制构件13以及复数个处理液喷嘴配置于腔室4内。光射出构件12配置于腔室4的外侧。腔室4包含：底壁4c，支撑旋转卡盘5；上壁4a，与被旋转卡盘5保持的基板W相向；以及侧壁4b，连接底壁4c以及上壁4a。利用上壁4a、底壁4c以及侧壁4b划分出腔室4的内部空间。
旋转轴线A1通过基板W的上表面的中心部CP，并与被保持成处理姿势的基板W的各个主表面正交。在本实施方式中，处理姿势为基板W的主表面成为水平面的水平姿势。水平姿势为图2所示的基板W的姿势；在处理姿势为水平姿势的情形中，旋转轴线A1铅垂地延伸。
旋转卡盘5包含：旋转基座(spin base)18，吸附基板W的下表面并将基板W保持成处理姿势；旋转轴19，沿着旋转轴线A1延伸且结合至旋转基座18；以及旋转驱动机构20，使旋转轴19绕着旋转轴线A1旋转。
旋转基座18具有：吸附面18a，吸附基板W的下表面。吸附面18a例如为旋转基座18的上表面，且为旋转轴线A1通过旋转基座18的中央部的圆形状面。吸附面18a的直径比基板W的直径还小。旋转轴19的上端部结合至旋转基座18。
在旋转基座18以及旋转轴19插入有吸引路径21。吸引路径21具有：吸引口21a，从旋转基座18的吸附面18a的中心露出。吸引路径21连接于吸引配管22。吸引配管22连接于真空泵等吸引装置24。吸引装置24可构成基板处理装置1的一部分，亦可为用以设置基板处理装置1的设施所具备的与基板处理装置1独立的装置。
在吸引配管22设置有吸引阀23，吸引阀23将吸引配管22打开以及关闭。打开吸引阀23，由此配置于旋转基座18的吸附面18a的基板W被吸引路径21的吸引口21a吸引。由此，基板W从下方被吸附至吸附面18a并被保持成处理姿势。
利用旋转驱动机构20使旋转轴19旋转，由此使旋转基座18旋转。由此，基板W与旋转基座18一起绕着旋转轴线A1旋转。旋转驱动机构20为基板旋转机构的一例，用以使被旋转基座18保持的基板W绕着旋转轴线A1旋转。
旋转基座18为基板保持构件(基板支架)的一例，用以将基板W保持成水平姿势(规定的处理姿势)。旋转卡盘5为旋转保持单元的一例，用以一边将基板W保持成水平姿势(规定的处理姿势)一边使基板W绕着旋转轴线A1旋转。旋转卡盘5亦称为吸附旋转单元，一边使吸附面18a吸附基板W一边使基板W旋转。
复数个处理液喷嘴包含：聚合物含有液喷嘴9，朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面喷出连续流动的聚合物含有液；去除液喷嘴10，朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面喷出连续流动的去除液；以及冲洗液喷嘴11，朝向被旋转卡盘5保持的基板W的上表面喷出连续流动的冲洗液。
聚合物含有液喷嘴9为聚合物含有液供给构件的一例，用以对被旋转卡盘5保持的基板W供给聚合物含有液。去除液喷嘴10为去除液供给构件的一例，用以对被旋转卡盘5保持的基板W供给去除液。冲洗液喷嘴11为冲洗液供给构件的一例，用以对被旋转卡盘5保持的基板W供给冲洗液。
复数个处理液喷嘴由复数个喷嘴驱动机构(第一喷嘴驱动机构25、第二喷嘴驱动机构26以及第三喷嘴驱动机构27)分别在沿着基板W的上表面的方向(水平方向)移动。
各个喷嘴驱动机构能使对应的喷嘴在中央位置与退避位置之间移动。中央位置为喷嘴与基板W的上表面的中央区域相向的位置。基板W的上表面的中央区域指在基板W的上表面中的包含旋转中心(中心部CP)以及旋转中心的周围的部分的区域。退避位置为喷嘴不与基板W的上表面相向的位置，且为处理罩杯7的外侧的位置。
各个喷嘴驱动机构包含：臂(未图示)，支撑对应的喷嘴；以及臂驱动机构(未图示)，使对应的臂在沿着基板W的上表面的方向(水平方向)移动。各个臂驱动机构包含电动马达、汽缸(air cylinder)等致动器(actuator)。
各个处理液喷嘴可为绕着规定的转动轴线转动的转动式喷嘴，亦可为在对应的臂所延伸的方向直线性地移动的直线动作式喷嘴。各个处理液喷嘴亦可构成为亦能在铅垂方向移动。
从聚合物含有液喷嘴9喷出的聚合物含有液含有聚合物、光致产酸剂以及溶剂。
聚合物含有液所含有的光致产酸剂具有通过光L的照射而生成酸的性质。光致产酸剂例如为锍盐(sulfonium salt)系、碘盐(iodonium salt)系或者非离子系的光致产酸剂。锍盐系的光致产酸剂是锍离子为阳离子部的鎓盐(onium salt)。碘盐系的光致产酸剂是錪离子为阳离子部的鎓盐。作为光致产酸剂的鎓盐由阳离子部以及阴离子部所构成，阳离子部吸收被照射至光致产酸剂的光L，阴离子部成为酸的产生源。
光致产酸剂例如含有N-羟基-1,8-萘二甲酰亚胺(N-hydroxy-1,8-naphthalimido)、三氟甲磺酸-1,8-萘二甲酰亚胺(trifluoromethane sulfonic acid-1,8-naphthalimido)以及三(4-甲苯基)锍三氟甲磺酸(Tris(4-methylphenyl)Sulfoniumtrifluoromethanesulfonate)中的任一种。
聚合物含有液所含有的聚合物较佳为具有提高聚合物含有液的粘度的性质的聚合物。聚合物例如含有聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone)、聚乙二醇(polyethylene glycol)以及聚丙烯酸(polyacrylic acid)系聚合物中的至少一种。聚丙烯酸系聚合物为聚丙烯酸钠(sodium polyacrylate)、聚丙烯酸或者聚丙烯酸铵(polyacrylic acid ammonium)。
聚合物含有液所含有的溶剂具有使光致产酸剂以及聚合物溶解的性质。溶剂例如为DIW(deionized water；去离子水)等冲洗液、IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)等有机溶剂或者这些液体的混合液。
冲洗液例如为DIW(去离子水)等水。然而，冲洗液并未限定于DIW。冲洗液并未限定于DIW，亦可为DIW、碳酸水、电解离子水、稀释浓度(例如1ppm以上至100ppm以下)的盐酸水、稀释浓度(例如1ppm以上至100ppm以下)的氨水或者还原水。
有机溶剂亦可包含下述种类中的至少一种类：醇(alcohol)类，为乙醇(EtOH)、异丙醇(IPA)等；乙二醇单烷基醚(ethylene glycol monoalkyl ether)类，为乙二醇一甲基醚(ethylene glycol monomethyl ether)、乙二醇单乙醚(ethylene glycol monoethylether)等；乙二醇单烷基醚醋酸酯(ethylene glycol monoalkyl ether acetate)类，为乙二醇一甲基醚乙酸酯(ethylene glycol monomethyl ether acetate)、乙二醇单乙醚醋酸酯(ethylene glycol monoethyl ether acetate)等；丙二醇单烷基醚(propylene glycolmonoalkyl ether)类，为丙二醇单甲醚(PGME；propylene glycol monomethyl ether)、丙二醇单乙醚(PGEE；Propylene glycol monoethyl ether)等；乳酸酯(lactic acid ester)类，为乳酸甲酯(methyl lactate)、乳酸乙酯(ethyl lactate)等；芳香烃(aromatichydrocarbon)类，为甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)等；酮(ketone)类，为丙酮(acetone)、甲基乙基酮(methyl ethyl ketone)、2-庚酮(2-heptanone)、环己酮(cyclohexanone)等。
在聚合物含有液喷嘴9连接有聚合物含有液配管40，聚合物含有液配管40用以将聚合物含有液导引至聚合物含有液喷嘴9。在聚合物含有液配管40设置有聚合物含有液阀50，聚合物含有液阀50用以将聚合物含有液配管40打开以及关闭。当打开聚合物含有液阀50时，从聚合物含有液喷嘴9喷出连续流动的聚合物含有液。
所谓在聚合物含有液配管40设置有聚合物含有液阀50意指聚合物含有液阀50夹设于聚合物含有液配管40。在以下所说明的其他的阀中亦相同。
虽然未图示，然而聚合物含有液阀50包含：阀本体(valve body)，在内部设置有阀座；阀体，用以将阀座打开以及关闭；以及致动器，使阀体在开放位置与关闭位置之间移动。其他的阀亦具有同样的构成。
溶剂的至少一部分从被供给至基板W的上表面的聚合物含有液蒸发，由此基板W上的聚合物含有液变化成半固体状或者固体状的聚合物膜。所谓半固体状指固体成分与液体成分混合的状态或者具有能在基板W上保持一定的形状的程度的粘度的状态。
所谓固体状指未含有液体成分且仅利用固体成分所构成的状态。将残存有溶剂的聚合物膜称为半固体膜，将溶剂完全地消失的聚合物膜称为固体膜。由于聚合物膜为半固体膜或者固体膜，因此不会在基板W的上表面上扩展而是滞留在形成时的位置。
从去除液喷嘴10喷出的去除液为用以从基板W的上表面去除聚合物膜的液体。详细而言，去除液通过聚合物膜的溶解以及分解的至少任一种从基板W的上表面去除聚合物膜。残留于基板W的上表面的聚合物膜亦可被从去除液的液流所作用的能量推出至基板W的外部，从而从基板W的上表面被去除。
从去除液喷嘴10喷出的去除液例如为DIW等冲洗液；IPA、EtOH、丙酮等有机溶剂；氢氧化四甲铵(TMAH；tetramethyl ammonium hydroxide)液体；或者这些的混合物。TMAH液体亦可为氢氧化四甲铵的水溶液，亦可为氢氧化四甲铵的甲醇溶液。
作为去除液，亦能使用作为聚合物含有液的溶剂所使用的冲洗液而列举的液体。作为去除液，亦能使用作为聚合物含有液的溶剂所使用的有机溶剂而列举的液体。亦即，作为去除液，能使用与聚合物含有液的溶剂同样的液体。
在去除液喷嘴10连接有去除液配管41，去除液配管41用以将去除液导引至去除液喷嘴10。在去除液配管41设置有去除液阀51，去除液阀51用以将去除液配管41打开以及关闭。当打开去除液阀51时，从去除液喷嘴10喷出连续流动的去除液。
从冲洗液喷嘴11喷出的冲洗液例如为DIW(去离子水)等水。作为从冲洗液喷嘴11喷出的冲洗液，能使用作为聚合物含有液的溶剂所使用的冲洗液而列举的液体。
在冲洗液喷嘴11连接有冲洗液配管42，冲洗液配管42用以将冲洗液导引至冲洗液喷嘴11。在冲洗液配管42设置有冲洗液阀52，冲洗液阀52用以将冲洗液配管42打开以及关闭。当打开冲洗液阀52时，从冲洗液喷嘴11喷出连续流动的冲洗液。
处理罩杯7包含：复数个(在图2的例子中为两个)防护罩(guard)28，接住从被旋转卡盘5保持的基板W飞散至外侧方向的处理液；复数个(在图2的例子中为两个)罩杯(cup)29，分别接住被复数个防护罩28导引至下方的处理液；以及圆筒状的外壁构件30，围绕复数个防护罩28以及复数个罩杯29。
各个防护罩28具有俯视观察时围绕旋转卡盘5的筒状的形态。各个防护罩28的上端部以朝向防护罩28的内侧的方式倾斜。各个罩杯29具有朝向上方开放的环状沟槽的形态。复数个防护罩28以及复数个罩杯29配置于同轴上。
复数个防护罩28利用防护罩升降驱动机构(未图示)而个别地升降。防护罩升降驱动机构例如包含分别用以升降驱动复数个防护罩28的复数个致动器。复数个致动器包含电动马达以及汽缸中的至少一者。
光射出构件12包含：光源60，射出光L；以及壳体(housing)61，收容光源60。光射出构件12例如被腔室4的上壁4a支撑。上壁4a例如为支撑壁的一例，与被旋转卡盘5保持的基板W的上表面相向，用以支撑光源60。壳体61安装于腔室4的上壁4a。
从光源60射出的光L通过腔室4的上壁4a以及壳体61，并照射至被腔室4内的旋转卡盘5保持的基板W的上表面的周缘部。在腔室4的上壁4a以及壳体61中，光L所通过的部分由石英等的具有光穿透性的穿透构件所构成。
从光源60射出的光L例如为具有1nm以上至400nm以下的波长的紫外线。从光源60射出的光L并未限定于紫外线，只要为照射至光致产酸剂从而产生酸的光即可。光亦可为例如红外线或者可见光。
光源60例如为激光光源，用以射出激光。激光光源例如为准分子灯(excimerlamp)，用以射出准分子激光(excimer laser)。作为准分子激光，例如能例举氟化氩(ArF)准分子激光(波长为193nm)、氟化氪(KrF)准分子激光(波长为248nm)、氯化氙(XeCl)准分子激光(波长为308nm)、氟化氙(XeF)准分子激光(波长为351nm)等。
从光源60射出的光L并未限定于激光。从光源60射出的光L较佳为具有指向性的光。光源60并未限定于准分子灯等激光光源，例如亦可为氙灯(xenon lamp)、水银灯、氘灯(deuterium lamp)、LED(light emitting diode；发光二极管)灯等。在光射出构件12连接有电源等通电单元62，从通电单元62供给电力，由此从光射出构件12射出光L。
反射抑制构件13例如由用以吸收杂散光以及散射光的光吸收材料所形成。因此，反射抑制构件13亦能称为光吸收构件。光吸收材料例如为碳性树脂。反射抑制构件13的整体无须由光吸收材料所形成，亦可为仅反射抑制构件13的表面由光吸收材料所形成。
反射抑制构件13利用反射抑制构件驱动机构31而在沿着基板W的上表面的方向(水平方向)移动。反射抑制构件驱动机构31能使反射抑制构件13在周缘位置(后述的图3A所示的位置)与退避位置之间移动。周缘位置为反射抑制构件13与基板W的上表面的周缘部相向的位置。退避位置为反射抑制构件13不与基板W的上表面相向的位置，且为处理罩杯7的外侧的位置。
反射抑制构件驱动机构31包含：臂32，支撑反射抑制构件13；以及臂驱动机构33，使反射抑制构件13在沿着基板W的上表面的方向(水平方向)移动。臂驱动机构33包含电动马达、汽缸等致动器。
反射抑制构件13可为绕着规定的转动轴线转动的转动式的反射抑制构件，亦可为在对应的臂所延伸的方向上直线性地移动的直线动作式的反射抑制构件。反射抑制构件13亦可构成为亦能在铅垂方向移动。
[反射抑制构件13的构成]
图3A是沿着图2所示的IIIA-IIIA线的剖视图。图3B是沿着图3A所示的IIIB区域的放大图。图3C是沿着图3B所示的IIIC-IIIC线的剖视图。为了容易明了，在图3A以及图3B中在基板W的上表面的周缘部中的被蚀刻的区域(蚀刻区域EA)附上双斜线，详细说明则在后述。在其他的附图中亦会有以相同的方式图示的情形。
以下会有下述情形：将从与基板W的上表面正交的方向观察时比周缘T靠内侧的基准位置作为基准，将比基准位置还接近中心部CP侧称为径向内侧。同样地，会有将比基准位置还接近周缘T侧称为径向外侧的情形。基板W的周缘T侧为与中心部CP相反侧。
光射出构件12对相对于反射抑制构件13从径向外侧与反射抑制构件13邻接的基板W的上表面上的区域(照射预定区域)照射光L。将基板W的上表面的周缘部中被来自光射出构件12的光L照射的区域称为照射区域RA。从光射出构件12射出的光L照射至基板W的上表面的周缘部中的旋转方向RD上的规定的范围。因此，照射区域RA为基板W的上表面的周缘部中的绕着旋转轴线A1的旋转方向RD上的规定的范围的区域。所谓的规定的范围的区域指不是在旋转方向RD上遍及整周而是在旋转方向RD上遍及比360°小的范围的区域。
一边使基板W绕着旋转轴线A1旋转一边从光射出构件12射出光L，由此能将光L照射至基板W的上表面的周缘部的整周。
反射抑制构件13包含：第一部分70，能够配置于邻接位置；以及一对第二部分71，连接于第一部分70，在第一部分70位于邻接位置时从旋转方向RD的两侧分别邻接于照射区域RA。在反射抑制构件13位于周缘位置时，第一部分70位于邻接位置。
邻接位置为从基板W的上表面的中心部CP侧邻接于照射区域RA的位置。换言之，邻接位置为邻接于照射区域RA且比照射区域RA接近中心部CP的位置。邻接位置例如为利用第一部分70遮住从光射出构件12射出的光L的一部分的遮蔽位置。如图3C中的双点划所示，邻接位置亦可为从光射出构件12射出的光L不会被第一部分70遮住而是光L整体照射至基板W的上表面的位置。
第一部分70具有：相向面70a，在第一部分70位于邻接位置时，在与基板W的上表面平行的状态下与基板W的上表面相向；以及正交面70b，连接于相向面70a并与相向面70a正交。
[第一实施方式的基板处理的电气构成]
图4是用以说明基板处理装置1的电气构成的框图。控制器3具备微电脑(microcomputer)，并根据规定的控制程序来控制基板处理装置1所具备的控制对象。
具体而言，控制器3包含处理器3A(CPU(Central Processing Unit；中央处理单元))以及存储有控制程序的存储器3B。控制器3构成为：处理器3A执行控制程序，由此执行基板处理用的各种控制。
尤其，控制器3被编程为控制第一搬运机械手IR、第二搬运机械手CR、旋转驱动机构20、第一喷嘴驱动机构25、第二喷嘴驱动机构36、第三喷嘴驱动机构27、反射抑制构件驱动机构31、通电单元62、吸引阀23、聚合物含有液阀50、去除液阀51以及冲洗液阀52等。
利用控制器3控制阀，由此控制是否从对应的喷嘴喷出流体以及从对应的喷嘴喷出的流体的喷出流量。
以下所示的各个工序通过控制器3控制基板处理装置1所具备的各个构件从而被执行。换言之，控制器3被编程为执行以下所示的各个工序。
此外，虽然图4图示代表性的构件，然而并不是意味着未图示的构件不被控制器3控制，控制器3能适当地控制基板处理装置1所具备的各个构件。图4亦一并图示在后述的各个变化例以及第二实施方式中所说明的构件，这些构件亦被控制器3控制。
[基板处理的一例]
图5是用以说明利用基板处理装置1所执行的基板处理的一例的流程图。图6A至图6C是用以说明进行基板处理时的基板W以及基板W的周围的样子的示意图。
例如，如图5所示，在基板处理装置1的基板处理中依序执行基板搬入工序(步骤S1)、聚合物膜形成工序(步骤S2)、光照射工序(步骤S3)、聚合物膜去除工序(步骤S4)、冲洗工序(步骤S5)、旋干(spin drying)工序(步骤S6)以及基板搬出工序(步骤S7)。以下，主要参照图2以及图5详细地说明基板处理。适当地参照图6A至图6C。
首先，未处理的基板W被第一搬运机械手IR以及第二搬运机械手CR(参照图1)从承载器C搬入至处理单元2并被传递至旋转卡盘5(基板搬入工序；步骤S1)。由此，基板W被旋转卡盘5保持成处理姿势(基板保持工序)。此时，基板W以第一主表面W1成为上表面的方式被旋转卡盘5保持。基板W被旋转卡盘5持续地保持，直至结束旋干工序(步骤S6)为止。在基板W被旋转卡盘5保持的状态下，旋转驱动机构20开始旋转基板W(基板旋转工序)。
在第二搬运机械手CR从腔室4退避后，执行聚合物膜形成工序(步骤S2)，聚合物膜形成工序(步骤S2)在基板W的上表面形成聚合物膜100(参照图6B)。
具体而言，第一喷嘴驱动机构25使聚合物含有液喷嘴9移动至处理位置。聚合物含有液喷嘴9的处理位置例如为中央位置。在聚合物含有液喷嘴9位于处理位置的状态下，打开聚合物含有液阀50。由此，如图6A所示，从聚合物含有液喷嘴9朝向基板W的上表面的中央区域供给(喷出)聚合物含有液(聚合物含有液供给工序、聚合物含有液喷出工序)。从聚合物含有液喷嘴9喷出的聚合物含有液着落至基板W的上表面的中央区域。
在对基板W的上表面供给聚合物含有液时，亦可使基板W以低速度(例如10rpm)旋转(低速旋转工序)。或者，在对基板W的上表面供给聚合物含有液时，亦可使基板W停止旋转。将基板W的旋转速度设定成低速度或者使基板W停止旋转，由此被供给至基板W的聚合物含有液滞留于基板W的上表面的中央区域。由此，与使基板W高速旋转从而使基板W的上表面上的聚合物含有液排出至基板W的外部的情形相比，能减少聚合物含有液的使用量。
在对基板W的上表面供给聚合物含有液规定的期间后，关闭聚合物含有液阀50从而使聚合物含有液喷嘴9停止喷出聚合物含有液。在关闭聚合物含有液阀50后，利用第一喷嘴驱动机构25使聚合物含有液喷嘴9移动至退避位置。
关闭聚合物含有液阀50后，以基板W的旋转速度成为规定的自旋分离速度(spinoff speed)的方式使基板W的旋转加速(旋转加速工序)。自旋分离速度例如为1500rpm。以自旋分离速度所进行的基板W的旋转例如持续30秒。
利用基板W的旋转所引起的离心力，滞留于基板W的上表面的中央区域的聚合物含有液朝向基板W的上表面的周缘部扩展从而扩展至基板W的上表面整体。基板W上的聚合物含有液的一部分从基板W的周缘部飞散至基板W的外部，从而使基板W上的聚合物含有液的液膜薄膜化(自旋分离工序)。基板W的上表面上的聚合物含有液无须飞散至基板W的外部，只要利用基板W的旋转的离心力的作用扩展至基板W的上表面整体即可。
基板W的旋转所引起的离心力不仅作用于基板W上的聚合物含有液，亦作用于接触至基板W上的聚合物含有液的气体。因此，通过离心力的作用形成有该气体从基板W的上表面的中心部CP侧朝向周缘T侧的气流。利用此种气流，与基板W上的聚合物含有液接触的气体状态的溶剂从与基板W接触的氛围(atmosphere)被排除。因此，如图6B所示，促进溶剂从基板W上的聚合物含有液蒸发(挥发)从而形成聚合物膜100(聚合物膜形成工序)。如此，聚合物含有液喷嘴9作为聚合物膜形成构件发挥作用。
由于聚合物膜100的粘度比聚合物含有液高，因此即使基板W旋转亦不会完全地从基板W上被排除而是会滞留于基板W上。在本实施方式中，利用离心力将滞留于基板W的上表面的中央区域的聚合物含有液涂布扩展至基板W的上表面整体，从而形成聚合物膜100。因此，与持续从聚合物含有液喷嘴9喷出聚合物含有液直至聚合物含有液扩展至基板W的上表面整体的情形相比能减少聚合物含有液的使用量。
此外，基板W亦可从开始供给聚合物含有液起以自旋分离速度高速旋转。
在基板W的上表面形成聚合物膜100后，执行光照射工序(步骤S3)，在光照射工序(步骤S3)中对基板W的上表面的周缘部照射光L。具体而言，反射抑制构件驱动机构31使反射抑制构件13移动至周缘位置。如图6C所示，在反射抑制构件13位于周缘位置的状态下从通电单元62对光射出构件12供给电力，由此对基板W的上表面的周缘部照射光L(照射工序)。在照射区域RA上的聚合物膜100中生成酸。利用所生成的酸来蚀刻基板W的上表面的周缘部(蚀刻工序)。亦即，在聚合物膜100中所生成的酸作为蚀刻剂发挥作用。
此外，聚合物膜100较佳为半固体膜。只要聚合物膜100为半固体膜，则属于电解质的酸容易在聚合物膜100中释放出质子(proton)。由此，能促进蚀刻。
照射区域RA为绕着旋转轴线A1的旋转方向RD上的规定的范围的区域。在光L朝基板W的上表面照射的期间，基板W被旋转。因此，能无遗漏地对基板W的上表面的周缘部的整周照射光L，从而能无遗漏地蚀刻基板W的上表面的周缘部的整周。在基板W的上表面的周缘部中被蚀刻的区域(蚀刻区域EA)俯视观察时呈环状(参照图3A)。
接着，对基板W的上表面的周缘部照射光L规定期间后，执行聚合物膜去除工序(步骤S4)，聚合物膜去除工序(步骤S4)对基板W的上表面供给去除液从而从基板W的上表面去除聚合物膜100。
具体而言，通电单元62停止朝光射出构件12供给电力且反射抑制构件13退避至退避位置。取而代之地，第二喷嘴驱动机构26使去除液喷嘴10移动至处理位置。去除液喷嘴10的处理位置例如为中央位置。在去除液喷嘴10位于处理位置的状态下打开去除液阀51。由此，从去除液喷嘴10朝向基板W的上表面的中央区域供给(喷出)去除液(去除供给工序、去除液喷出工序)。
从去除液喷嘴10喷出的去除液着落至基板W的上表面的中央区域。着落至基板W的上表面的去除液通过离心力的作用扩展至基板W的上表面整体。基板W上的去除液从基板W的周缘部飞散至基板W的外部。基板W上的聚合物膜100与去除液一起被排出至基板W的外部。
在对基板W的上表面供给去除液规定期间后，执行冲洗工序(步骤S5)，冲洗工序(步骤S5)对基板W的上表面供给冲洗液从而冲洗基板W的上表面。
具体而言，关闭去除液阀51从而停止供给去除液，且第二喷嘴驱动机构26使去除液喷嘴10退避至退避位置。取而代之地，第三喷嘴驱动机构27使冲洗液喷嘴11移动至处理位置。冲洗液喷嘴11的处理位置例如为中央位置。在冲洗液喷嘴11位于处理位置的状态下打开冲洗液阀52。由此，从冲洗液喷嘴11朝向基板W的上表面的中央区域喷出(供给)冲洗液(冲洗液供给工序、冲洗液喷出工序)。
从冲洗液喷嘴11喷出的冲洗液着落至基板W的上表面的中央区域。已着落至基板W的上表面的冲洗液通过离心力的作用扩展至基板W的上表面整体。基板W上的冲洗液从基板W的周缘部飞散至基板W的外部。由此，洗净基板W的上表面。
接着，执行旋干工序(步骤S6)，在旋干工序(步骤S6)中使基板W高速旋转从而使基板W的上表面干燥。具体而言，关闭冲洗液阀52从而停止朝基板W的上表面供给冲洗液，且第三喷嘴驱动机构27使冲洗液喷嘴11退避至退避位置。接着，旋转驱动机构20加速基板W的旋转，从而使基板W高速旋转(例如1500rpm)。由此，大的离心力作用至附着于基板W的冲洗液，从而冲洗液被甩离至基板W的周围。
在旋干工序(步骤S6)之后，旋转驱动机构20使基板W停止旋转。之后，第二搬运机械手CR进入至处理单元2，从旋转卡盘5接取处理完毕的基板W并朝处理单元2的外部搬出(基板搬出工序；步骤S7)。该基板W从第二搬运机械手CR传递至第一搬运机械手IR，并被第一搬运机械手IR收纳至承载器C。
[基板处理中的基板W的上表面的周缘部的变化]
图7A至图7E是用以说明基板处理中的基板W的上表面的周缘部的变化的示意图。
图7A表示开始基板处理之前的基板W的周缘部的状态。亦将基板W的周缘部称为斜面(bevel)部。基板W的上表面的周缘部亦为斜面部的上表面，基板W的下表面的周缘部亦为斜面部的下表面。
如图7A所示，基板W例如包含半导体层101以及形成于半导体层101上的处理对象膜102。处理对象膜102至少在基板W的上表面的周缘部处露出。处理对象膜102亦可在基板W的整个上表面中露出。处理对象膜102例如由SiN(氮化硅)、TiN(氮化钛)、SiO2(氧化硅)、W(钨)等所构成。
与本实施方式不同，亦可取代半导体层101，设置有由半导体层、绝缘体层、金属层中的至少任一者所构成的层叠构造，亦可设置有半导体层、绝缘体层或者金属层的单层构造。
图7B表示聚合物膜形成工序(步骤S2)后的基板W的上表面的周缘部的状态。如图7B所示，执行聚合物膜形成工序，由此在基板W的上表面形成聚合物膜100。在此种基板处理中，聚合物膜100形成于基板W的上表面整体。在聚合物膜形成工序中被供给至基板W的上表面的聚合物含有液经由基板W的周缘T(顶端)移动至基板W的下表面的周缘部。因此，如图7B所示，聚合物膜100亦形成于基板W的下表面的周缘部。
图7C表示光照射工序(步骤S3)执行期间的基板W的周缘部的状态。图7C表示在光照射工序中反射抑制构件13位于遮蔽位置的状态。将反射抑制构件13配置于遮蔽位置，由此与将反射抑制构件13配置于未利用反射抑制构件13遮住光L的一部分的位置的情形相比，能缩小照射区域RA。亦即，能调整照射区域RA的大小(照射区域调整工序)。
图7D表示基板处理后的基板W的周缘部的状态。利用对基板W的上表面的周缘部照射光L而在聚合物膜100中所生成的酸来溶解(蚀刻)处理对象膜102的至少一部分。因此，利用在照射光后供给至基板W的上表面的去除液，被蚀刻的处理对象膜102与聚合物膜100一起排出至基板W的外部。结果，如图7D所示，从基板W的上表面的周缘部中被光L照射的区域(蚀刻区域EA)去除处理对象膜102。
[第一实施方式的汇总]
依据本发明的第一实施方式，利用聚合物含有液喷嘴9在基板W的上表面形成有聚合物膜100。在基板W的上表面形成有聚合物膜100的状态下将从光射出构件12射出的光L照射至基板W的上表面的周缘部，由此能在聚合物膜100中生成酸。利用在聚合物膜100中所生成的酸来蚀刻基板W的上表面的周缘部。如此，蚀刻基板W的上表面的周缘部中被光L照射的区域(照射区域RA)。
由于聚合物膜100含有聚合物，因此能降低聚合物膜100的流动性。因此，在聚合物膜100中所生成的酸容易滞留于所生成的位置。因此，能精密地控制基板W的上表面的周缘部中被蚀刻的区域(蚀刻区域EA)的宽度，亦即能精密地控制蚀刻宽度EW(参照图3A)。蚀刻宽度EW相当于周缘T(顶端)与蚀刻区域EA的中心部CP侧的端部(中心侧端部)之间的距离。蚀刻宽度EW例如为0.5mm以上至5mm以下。
依据第一实施方式，反射抑制构件13包含：第一部分70，能够配置于邻接位置，该邻接位置为从基板W的上表面的中心部CP侧邻接于照射区域RA的位置。因此，即使在光L从照射区域RA反射并被照射至第一部分70的情形中，亦抑制光L从反射抑制构件13反射。因此，能抑制从照射区域RA反射的光L照射至基板W的上表面中的比反射抑制构件13接近上表面的中心部CP的位置。因此，能利用反射抑制构件13更精密地控制蚀刻宽度EW。
依据第一实施方式，从光射出构件12朝向基板W的上表面的周缘部中的旋转方向RD上的规定的范围射出光L。一边使基板W旋转一边对基板W的上表面的周缘部进行光L的照射，由此能整周地蚀刻基板W的上表面的周缘部。因此，由于对基板W的上表面的周缘部上的规定的范围照射光L，因此与同时将光L照射至基板W的上表面的整个周缘部的情形相比能降低照射不均。因此，能在基板W的整周精密地控制蚀刻宽度EA。
在第一实施方式中，利用光L的照射进行蚀刻。与第一实施方式不同，在使用了连续流动的蚀刻液的蚀刻中，蚀刻液在着落至基板W的上表面后迅速地在基板W的上表面扩展。此外，与第一实施方式不同，在利用加热所进行的蚀刻中，难以仅加热基板W的上表面的周缘部的一部分的区域。
另一方面，在第一实施方式中，使用反射抑制构件13，由此能抑制从基板W的上表面的周缘部反射的光L照射至比反射抑制构件13中的第一部分70还接近中心部CP的位置。因此，与连续流动的蚀刻液所进行的蚀刻以及加热所进行的蚀刻相比，能精密地抑制蚀刻宽度EW。此外，只要使用用以射出具有指向性的激光的构成的光射出构件作为光射出构件12，即能精密地控制蚀刻宽度EW。
在此，进行基板处理，由此在基板W的上表面的周缘部露出半导体层101。因此，在基板处理装置1的基板处理后所执行的干蚀刻时，会有在基板W的上表面的周缘部中露出半导体层101的露出区域EX(参照图7D)受到损伤的疑虑。会有因为损伤而在露出区域EX产生凹凸从而导致微粒等进入至构成凹凸的凹部的内部的疑虑。
依据第一实施方式，由于能利用光L的照射精密地控制蚀刻宽度EW，因此能缩小露出区域EX的宽度。因此，能缩小因为干蚀刻而受到损伤的区域。从而，能抑制微粒的产生。此外，露出区域EX的宽度相当于基板W的周缘T与露出区域EX的径向内侧端之间的距离。
依据第一实施方式，在第一部分70位于邻接位置时，一对第二部分71从旋转方向RD的两侧分别邻接于照射区域RA。因此，即使在光L从照射区域RA反射并被照射至第二部分71的情形中，亦抑制光L从反射抑制构件13反射。因此，能抑制从照射区域RA反射的光L照射至在旋转方向RD上夹着反射抑制构件13照射至照射区域RA的相反侧。因此，能利用反射抑制构件13更精密地控制蚀刻宽度EW。
依据第一实施方式，反射抑制构件13的第一部分70的邻接位置为第一部分70遮住从光射出构件12射出的光L的一部分的遮蔽位置。因此，控制第一部分70的位置，由此能控制照射区域RA的大小。由此，能控制蚀刻宽度EW。
依据第一实施方式，反射抑制构件13的第一部分70具有：相向面70a，在第一部分70位于邻接位置时，在与基板W的上表面平行的状态下与基板W的上表面相向；以及正交面70b，连接于相向面70a并与相向面70a正交。因此，能抑制从光射出构件12射出的光L被照射至比正交面70b还接近基板W的上表面的中心部CP的位置。因此，能沿着正交面70b来区划照射区域RA。因此，能精密地控制蚀刻宽度EW。
依据第一实施方式，光源60被与基板W的上表面相对的上壁4a支撑。因此，无须变更从光源60射出的光L的行进方向，即能将光L照射至基板W的上表面的周缘部。因此，能省略用以变更光L的行进方向的构件。
[第一变化例的基板处理]
图8A至图8C是用以说明第一变化例的基板处理的示意图。
图8A至图8C所示的第一变化例的基板处理与图5所示的基板处理的差异点在于：在第一变化例的基板处理中，不是在基板W的上表面中的比周缘区域PA靠中心部CP侧的内侧区域IA形成聚合物膜100，而是在周缘区域PA形成聚合物膜100。基板W的上表面中的周缘区域PA为包含基板W的上表面的周缘部及其周边的环状的区域。内侧区域IA为中央区域CA与周缘区域PA之间的环状的区域。
以下，详细地说明第一变化例的基板处理。如图8A所示，在第一变化例的基板处理中，第一喷嘴驱动机构25使聚合物含有液喷嘴9移动至与基板W的上表面的周缘区域PA相向的周缘位置。在聚合物含有液喷嘴9位于周缘位置的状态下打开聚合物含有液阀50。由此，如图8A所示，从聚合物含有液喷嘴9朝向基板W的上表面的周缘区域PA供给(喷出)聚合物含有液(聚合物含有液供给工序、聚合物含有液喷出工序)。被供给至基板W的上表面的周缘区域PA的聚合物含有液朝向基板W的周缘T侧移动。
关闭聚合物含有液阀50后，以基板W的旋转速度成为规定的自旋分离速度的方式使基板W的旋转加速(旋转加速工序)。自旋分离速度例如为1500rpm。以自旋分离速度所进行的基板W的旋转例如持续30秒。基板W上的聚合物含有液的一部分从基板W的周缘部飞散至基板W的外侧，从而使基板W上的聚合物含有液的液膜薄膜化(自旋分离工序)。基板W的上表面上的聚合物含有液无须飞散至基板W的外侧，只要利用基板W的旋转的离心力的作用扩展至基板W的上表面的周缘部整体即可。
通过基板W的旋转所引起的离心力的作用，形成有与基板W上的聚合物含有液接触的气体从基板W的上表面的中心部CP侧朝向外侧的气流。利用此种气流，与基板W上的聚合物含有液接触的气体状态的溶剂从与基板W接触的氛围被排除。因此，如图8B所示，促进溶剂从基板W上的聚合物含有液蒸发(挥发)，从而形成有聚合物膜100(聚合物膜形成工序)。聚合物膜100俯视观察时呈圆环状。
之后，与图5所示的基板处理同样地，如图8C所示执行光照射工序(步骤S3)，在光照射工序(步骤S3)中对基板W的上表面的周缘部照射光L。聚合物膜100较佳为比照射区域RA靠基板W的中心部CP侧。换言之，较佳为聚合物膜100的径向内侧端位于比照射区域RA的径向内侧端靠中心部CP侧。
在光照射工序(步骤S3)之后，执行聚合物膜去除工序(步骤S4)至基板搬出工序(步骤S7)。
通过执行第一变化例的基板处理，能减少聚合物膜100的消耗量，并能精密地控制基板W的上表面的周缘部的蚀刻宽度EW。
[第二变化例的基板处理]
图9是用以说明第二变化例的基板处理的流程图。图10A至图10E是用以说明第二变化例的基板处理中的基板W的上表面的周缘部的变化的示意图。
图9至图10E所示的第二变化例的基板处理与图5所示的基板处理的差异点在于：在第二变化例的基板处理中复数次地执行聚合物膜形成工序(步骤S2)至冲洗工序(步骤S5)。将复数次地执行聚合物膜形成工序(步骤S2)至冲洗工序(步骤S5)的动作称为循环蚀刻。在循环蚀刻中复数次地交替执行聚合物膜形成工序以及光照射工序。
以下，说明执行三次循环蚀刻的例子。将最初的光照射工序称为第一光照射工序，将在第一光照射工序之后被执行的光照射工序称为第二光照射工序。并且，将最后的光照射工序称为第三光照射工序。
图10A表示执行第一光照射工序(步骤S3)时的基板W的上表面的周缘部的状态。将第一光照射工序中的反射抑制构件13的位置称为第一邻接位置。第一邻接位置可为遮蔽位置，亦可为不会遮住从光射出构件12射出的光L的位置。从光射出构件12射出的光L被照射至基板W的上表面的周缘部。将在第一光照射工序中被光L照射的基板W上的区域称为第一照射区域RA1。
在第一光照射工序(步骤S3)之后执行聚合物膜去除工序(步骤S4)，由此如图10B所示去除处理对象膜102中的在第一光照射工序中被蚀刻的部分。因此，以处理对象膜102朝向基板W的周缘T(顶端)变薄的方式在处理对象膜102形成段差104。
在执行冲洗工序(步骤S5)以及聚合物膜形成工序(步骤S2)后再执行第二光照射工序(步骤S3)。
图10C表示执行第二光照射工序(步骤S3)时的基板W的上表面的周缘部的状态。将第二光照射工序中的反射抑制构件13的位置称为第二邻接位置。
第二邻接位置为遮蔽位置。第二邻接位置为比第一邻接位置靠径向外侧的位置。换言之，第二邻接位置为比第一邻接位置更接近周缘T的位置。从光射出构件12射出的光L的一部分被反射抑制构件13遮住。将在第二光照射工序中被光L照射的基板W上的区域称为第二照射区域RA2。
第一照射区域RA1的径向内侧端比第二照射区域RA2的径向内侧端靠基板W的上表面的中心部CP侧(径向内侧)。换言之，第一照射区域RA1比第二照射区域RA2还靠径向内侧。
如此，在第二变化例的基板处理中执行照射区域调整工序，在照射区域调整工序中，使反射抑制构件13移动并调整照射区域RA的大小。具体而言，以第一照射区域RA1比第二照射区域RA2靠径向内侧的方式使反射抑制构件13移动。更具体而言，在第一光照射工序之后，位于第一邻接位置的反射抑制构件13移动至退避位置，且在第二光照射工序中移动至第二邻接位置。
在第二光照射工序(步骤S3)之后执行聚合物膜去除工序(步骤S4)，由此如图10D所示，去除处理对象膜102中的在第二光照射工序中被蚀刻的部分。由于第一照射区域RA1比第二照射区域RA2靠径向内侧，因此在基板W的上表面的周缘部中的利用第一光照射工序被蚀刻的区域的一部分不会作为区域。因此，以处理对象膜102朝向基板W的周缘T(顶端)变薄的方式在处理对象膜102形成有另外一个段差104。
再者，之后，执行聚合物膜形成工序(步骤S2)、第三光照射工序(步骤S3)以及聚合物膜去除工序(步骤S4)，由此从基板W的周缘T(顶端)去除规定的距离之间的处理对象膜102。由此，再形成另一个段差104且露出半导体层101，从而形成露出区域EX。复数个段差104位于处理对象膜102的外周端。
如此，执行第二变化例的基板处理，由此以处理对象膜102朝向基板W的周缘T变薄的方式在处理对象膜102的外周端形成有复数个段差104。结果，能抑制基板处理后非预期的处理对象膜102的剥离。
如图10A至图10E所示，虽然说明执行三次循环蚀刻的例子，然而循环蚀刻亦可执行四次以上，亦可执行两次。在所有的情形中，以处理对象膜102朝向基板W的周缘T变薄且露出半导体层101的方式在处理对象膜102形成有复数个段差104。因此，能抑制非预期的处理对象膜102的剥离。
[处理单元2的变化例]
接着，参照图11至图14说明第一变化例至第三变化例的处理单元2。
图11是用以说明第一变化例的处理单元2所具备的反射抑制构件13的示意图。
第一变化例的反射抑制构件13构成为能够调整第一部分70的宽度L1。第一部分70包含本体部72以及调整部73，调整部73被固定于在一对第二部分71之间接触至本体部72的位置。因此，即使在未设置有反射抑制构件驱动机构31(参照图2)的情形中或者反射抑制构件驱动机构31所进行的朝沿着基板W的上表面的方向(水平方向)的移动的精度不充分的情形中，亦能精度佳地调整照射区域RA的大小。
图12是用以说明第二变化例的处理单元2所具备的反射抑制构件13的示意图。第二变化例的反射抑制构件13未设置有一对第二部分71，反射抑制构件13包含俯视观察时四边形状的第一部分70。只要反射抑制构件13具有能够配置于邻接位置的第一部分70，即能抑制从照射区域RA反射的光L照射至比反射抑制构件13还接近基板W的上表面的中心部CR的位置。亦即，不一定需要第二部分71。与图3A以及图12不同，亦可仅设置有一方的第二部分71，且采用单一的第二部分71从旋转方向RD的一方邻接于照射区域RA的构成。
图13是用以说明第三变化例的处理单元2所具备的反射抑制构件13的示意图。图14是沿着图13所示的XIV-XIV线的剖视图。与第二变化例的反射抑制构件13同样地，第三变化例的反射抑制构件13未设置有一对第二部分71。此外，第三变化例的反射抑制构件13包含俯视观察时为圆形状的第一部分70。详细而言，反射抑制构件13具有中心轴线A2，在第一部分70位于邻接位置时中心轴线A2位于旋转轴线A1上。
因此，只要将第一部分70配置于邻接位置，则第一部分70即能在整个旋转方向RD上总是抑制光L照射至比第一部分70还接近基板W的上表面的中心部CP的位置。因此，能在基板W的上表面的整周可靠性高地抑制从照射区域RA反射的光L照射至比照射区域RA还接近基板W的上表面的中心部CP的位置。
与第三变化例不同，第一部分70亦可为俯视观察时具有圆环状。此外，第一部分70亦可为俯视观察时呈圆环状或者圆形状，且设置有第二部分71，第二部分71从旋转方向RD的至少一方邻接于照射区域RA。例如，反射抑制构件13亦可构成为将照射区域RA除外能与基板W的上表面整体相向。
[第二实施方式的基板处理装置1A的构成]
图15是用以说明第二实施方式的基板处理装置1A所具备的处理单元2的构成的示意图。在图15中，针对与上述图1至图14所示的构成相等的构成附上与图1等相同的参照附图标记并省略说明。针对后述的图16A以及图16亦相同。
第二实施方式的基板处理装置1A与第一实施方式的基板处理装置1的主要差异点在于：处理单元2还包含方向变更构件14，方向变更构件14以接近与基板W的第一主表面正交的方向(例如铅垂方向)的方式变更光L的行进方向。
第二实施方式的处理单元2所具备的光射出构件12被支撑于腔室4的侧壁4b。壳体61从腔室4的外侧安装于侧壁4b。因此，从光射出构件12射出的光L在与铅垂方向交叉的方向行进。从光源60射出的光通过腔室4的侧壁4b以及壳体61，利用方向变更构件14变更行进方向并被照射至被腔室4内的旋转卡盘5保持的基板W的上表面的周缘部。在腔室4的侧壁4b以及壳体61中供光L通过的部分由石英等的具有光穿透性的穿透构件所构成。
方向变更构件14例如包含用以使光L反射的反射镜。与方向变更构件14相关连地，处理单元2包含：旋转支撑轴80，能够旋转地支撑方向变更构件14；以及旋转支撑轴驱动机构81，经由旋转支撑轴80使方向变更构件14旋转。旋转支撑轴驱动机构81包含电动马达、汽缸等致动器。旋转支撑轴80在能够旋转的状态下被固定于腔室4。旋转支撑轴80亦可固定于侧壁4b，亦可固定于上壁4a。
只要使用第二实施方式的基板处理装置1A，即能执行与第一实施方式的基板处理相同的基板处理(例如图5所示的基板处理以及图9所示的基板处理)。当然亦能够执行图8A至图8C所示的基板处理。
图16A以及图16B是用以说明利用第二实施方式的基板处理装置1A进行基板处理时的基板W的周缘部及其周围的样子的示意图。
如图16A所示，在第二实施方式的基板处理装置1A所进行的基板处理的光照射工序(步骤S2)中，利用方向变更构件14变更从光射出构件12射出的光L的行进方向。利用方向变更构件14变更了行进方向的光L被照射至基板W的上表面的周缘部(照射工序)。如图16B所示，从基板W的上表面中的被光L照射的区域(蚀刻区域EA)去除处理对象膜102。
依据第二实施方式，即使从光射出构件12射出的光L的行进方向为沿着基板W的上表面的方向(例如水平方向)，亦能使光L的行进方向接近与基板W的上表面正交的方向(例如铅垂方向)。因此，谋求提升光射出构件12的配置的自由度。此外，利用使旋转支撑轴80旋转，能调整基板W上的照射区域RA的位置。
[第二实施方式的变化例的处理单元2的构成]
接着，参照图17A至图22说明第二实施方式的第一变化例至第四变化例的处理单元2。
图17A以及图17B是用以说明第二实施方式的第一变化例的处理单元2的构成的示意图。
如图17A所示，第二实施方式的第一变化例的反射抑制构件13的第一部分70具有：相向面70a；以及倾斜面70c，在第一部分70的内部以与相向面70a呈锐角的方式连接于相向面70a，并相对于相向面70a倾斜。
依据第二实施方式的第一变化例，能抑制从光射出构件12射出的光L被照射至比倾斜面70c还接近中心部CP的位置。再者，如图17A所示，以沿着倾斜面70c的方式从光射出构件12射出光L，由此能在基板W的上表面上倾斜地蚀刻处理对象膜102。由此，如图17B所示，能将基板W的上表面的周缘部的处理对象膜102的径向外侧端作成顶端尖细的剖面形状。结果，能在基板处理后抑制处理对象膜102的剥离。
图18是用以说明第二实施方式的第二变化例的处理单元2的构成的示意图。如图18所示，第二实施方式的第二变化例的方向变更构件14亦可被臂32支撑。因此，方向变更构件14亦可与反射抑制构件13一起相对于基板W移动。
图19是用以说明第二实施方式的第三变化例的处理单元2的构成的示意图。如图19所示，第二实施方式的第三变化例的处理单元2包含下侧光射出构件15、下侧反射抑制构件16以及下侧方向变更构件17。
下侧光射出构件15射出光L从而将光L照射至基板W的下表面的周缘部。下侧方向变更构件17变更从下侧光射出构件15射出的光L的行进方向，并以接近与基板W的第一主表面正交的方向(例如铅垂方向)的方式变更光L的行进方向。下侧反射抑制构件16与基板W的下表面相向，抑制光L从下侧反射抑制构件16反射。
下侧光射出构件15例如包含：下侧光源64，射出光L；以及下侧壳体65，收容下侧光源64。下侧光射出构件15例如被腔室4的侧壁4b支撑。下侧光射出构件15配置于腔室4的外侧。下侧壳体65从腔室4的外侧安装于侧壁4b。
作为下侧光源64，能采用与光源60同样的构成的光源。因此，省略下侧光源64的详细说明。从下侧光源64射出的光L通过腔室4的侧壁4b以及下侧壳体65，最终被照射至被腔室4内的旋转卡盘5保持的基板W的上表面的周缘部。在腔室4的侧壁4b以及下侧壳体65中被光L通过的部分由石英等的具有光穿透性的穿透构件所构成。
在下侧光射出构件15连接有电源等的下侧通电单元66，从下侧通电单元66供给电力，由此从下侧光射出构件15射出光L。
下侧方向变更构件17例如包含用以使光L反射的反射镜。与下侧方向变更构件17相关连地，处理单元2包含：下侧旋转支撑轴82，能够旋转地支撑下侧方向变更构件17；以及下侧旋转支撑轴驱动机构83，经由下侧旋转支撑轴82使下侧方向变更构件17旋转。下侧旋转支撑轴驱动机构83包含电动马达、汽缸等致动器。
下侧反射抑制构件16能采用与反射抑制构件13同样的构成的反射抑制构件。因此，省略下侧反射抑制构件16的详细说明。下侧反射抑制构件16亦可配置于腔室4内，且例如被固定于与基板W的下表面相向的位置。
依据第二实施方式的第三变化例，光L被照射至基板W的上表面的周缘部以及基板W的下表面的周缘部双方。例如，在处理对象膜102遍及至基板W的下表面的周缘部的情形中，需要对基板W的双面(上表面以及下表面)的周缘部照射光L。在此种情形中采用第二实施方式的第三变化例的构成，由此能削减为了光L的照射所需的构件的数量。
图20是用以说明第二实施方式的第四变化例的处理单元2的构成的示意图。图21是沿着图20所示的XXI-XXI线的剖视图。图22是第二实施方式的第四变化例的处理单元2所具备的方向变更构件14的立体图。
第四变化例的处理单元2所具备的方向变更构件14包含：支撑部91，具有能够收容基板W的周缘部的凹部90；以及反射部92，设置于凹部90的缘部，用以使光L反射。
反射部92在基板W的周缘部被收容至凹部90的状态下与基板W的上表面以及下表面双方相向。反射部92使从光射出构件12射出的光L反射，从而从光射出构件12射出的光L被照射至基板W的上表面以及下表面双方。适当地设置方向变更构件14的反射部92与光源60(光射出构件12)之间的相对性的配置，由此方向变更构件14的反射部92构成为将来自光源60的光L朝向基板W的上表面以及下表面反射。具体而言，如图22所示，亦可以下述方式来设计光源60与方向变更构件14之间的相对配置：光L从与旋转轴线A1以及方向变更构件14相相向的径向交叉的水平方向射入至用以构成反射部92的反射面。
此外，方向变更构件14亦可为由石英等光穿透构件所构成的棱镜。在此种情形中，来自安装于腔室4的内侧的4b的光源60的光亦可射入至方向变更构件14的射入面(与光源60相向的端面)，在反射部92被内面反射或者折射并射入至基板W的上表面以及下表面。
方向变更构件14利用方向变更构件驱动机构93在沿着基板W的上表面的方向(水平方向)移动。方向变更构件驱动机构93能使方向变更构件14在收容位置(图22所示的位置)与退避位置之间移动。收容位置为基板W的周缘部被收容于支撑部91的凹部90的位置。退避位置为基板W的周缘部从凹部90脱离的位置。在方向变更构件14位于收容位置时，方向变更构件14位于一对第二部分71之间(参照图21)。
方向变更构件驱动机构93包含：臂94，支撑方向变更构件14；以及臂驱动机构95，使方向变更构件14在沿着基板W的上表面的方向(水平方向)移动。臂驱动机构95包含电动马达、汽缸等致动器。
方向变更构件14可为绕着规定的转动轴线转动的转动式的方向变更构件，亦可为在对应的臂所延伸的方向上直线性地移动的直线动作式的方向变更构件。方向变更构件14亦可构成为亦能在铅垂方向移动。
依据第二实施方式的第四变化例，光L照射至基板W的上表面的周缘部以及基板W的下表面的周缘部双方。因此，能从基板W的上表面的周缘部以及基板W的下表面的周缘部双方去除处理对象膜102。再者，能使用单一光源60以及单一方向变更构件14将光L照射至基板W的双面的周缘部。因此，在需要将光L照射至基板W的双面的周缘部的情形中，利用采用第二实施方式的第四变化例的构成，能削减为了光L的照射所需的构件的数量。
[其他的实施方式]
本发明并未限定于以上所说明的实施方式，能进一步地以其他的方式来实施。
(1)在上述各个实施方式中，构成为从复数个处理液喷嘴喷出复数个处理液。然而，处理液的喷出方式并未限定于上述各个实施方式。例如，与上述实施方式不同，亦可构成为从在腔室4内的位置被固定的固定喷嘴喷出处理液，亦可构成为从单一喷嘴喷出所有的处理液。
(2)在上述各个实施方式中，对基板W的上表面供给连续流动的聚合物含有液，并利用离心力将聚合物含有液扩展，由此形成聚合物膜100。聚合物含有液的供给方法并未限定于图6A以及图6B所示的方法。例如，亦可不变更基板W的旋转速度地对基板W的上表面供给连续流动的聚合物含有液。此外，亦可一边对基板W的上表面供给聚合物含有液，一边使聚合物含有液喷嘴9在沿着基板W的上表面的方向移动。
再者，与上述实施方式不同，亦可将聚合物含有液涂布至基板W的上表面，由此将聚合物膜100形成于基板W的上表面。详细而言，亦可一边使在表面附着有聚合物含有液的棒状的涂布构件接触至基板W的上表面一边沿着基板W的上表面移动，由此形成聚合物膜100。
(3)在上述各个实施方式中，从光射出构件12射出的光L被照射至基板W的上表面的周缘部中的旋转方向RD上的规定的范围。然而，从光照射构件12射出的光L亦可一次性地被照射至基板W的上表面整体。在此种情形中，为了精密地控制蚀刻宽度EW，较佳为使用包含图13以及图14所示的圆形状的第一部分70的反射抑制构件13。
(4)在上述各个实施方式中，说明了在基板W的上表面形成聚合物膜100并对基板W的上表面的周缘部照射光L的构成。然而，亦可在基板W的下表面形成有聚合物膜100并对基板W的下表面的周缘部照射光L。在此种情形中，基板W的下表面相当于第一主表面W1，基板W的上表面相当于第二主表面W2。
(5)在上述各个实施方式中，在聚合物膜去除工序(步骤S4)之后执行冲洗工序(步骤S5)。然而，在使用冲洗液作为去除液的情形中，变成在冲洗工序中亦将相同种类的液体供给至基板W的上表面。因此，亦能够省略冲洗工序。
(6)亦可设置有：挡门(未图示)，阻隔从光源60射出的光L；以及挡门开闭机构(未图示)，将挡门打开以及关闭。挡门在关闭位置(阻隔位置)与开放位置(照射位置)之间移动，关闭位置(阻隔位置)为阻隔从光源60射出的光L的位置，开放位置(照射位置)为从光源60射出光L的位置。针对下侧光源64亦相同。
(7)如图2中的双点划线所示，光射出构件12亦可配置于腔室4内。此外，亦可构成为光源60配置于腔室4的外部，且用以使从光源60射出的光L通过的光纤(未图示)的顶端配置于腔室4的内部。虽然未图示，然而在第二实施方式中亦能将光源60配置于腔室4的内部，且亦能使用光纤。针对下侧光射出构件15亦相同。
(8)光射出构件12相对于腔室4的上壁4a或者侧壁4b的位置无须被固定，亦可构成为光射出构件12能够相对于腔室4移动。针对下侧光射出构件15亦相同。
(9)亦可在光射出构件12与基板W的第一主表面的周缘部之间设置有聚光透镜(未图示)，该聚光透镜用以将从光射出构件12射出的光L汇聚于一方向。能利用聚光透镜缩小照射区域RA。此外，能使用偏光板(未图示)缩窄从光射出构件12射出的光L通过偏光板的宽度，由此能调整照射区域RA的大小。
(10)在上述各个实施方式中，控制器3控制基板处理装置1的整体。然而，用以控制基板处理装置1的各个构件的控制器亦可分散于复数个部位。此外，控制器3无须直接控制各个构件，从控制器3输出的信号亦可被用以控制基板处理装置1的各个构件的副控制器(slave controller)接收。
(11)与上述各个实施方式不同，基板W并不一定需要被旋转卡盘5以水平姿势被保持，亦可以铅垂姿势被保持，或者亦可以基板W的主表面相对于水平方向倾斜的姿势被保持。
(12)此外，在上述实施方式中，基板处理装置1、1A具备搬运机械手(第一搬运机械手IR以及第二搬运机械手CR)、控制器3以及复数个处理单元2。然而，基板处理装置1、1A可不包含搬运机械手，而是利用单一处理单元2以及控制器3所构成。或者，基板处理装置1、1A亦可仅利用单一处理单元2所构成。换言之，处理单元2亦可为基板处理装置的一例。
(13)此外，在上述实施方式中，虽然使用“沿着”、“水平”、“铅垂”、“圆筒”这种表现，然而不需要严格地为“沿着”、“水平”、“铅垂”、“圆筒”。亦即，这些各种表现容许制造精度、设置精度等的偏差。
(14)此外，虽然会有以方块示意性地表示各个构成的情形，然而各个方块的形状、大小以及位置关系并非是用来表示各个构成的形状、大小以及位置关系。
虽然已经详细地说明本发明的实施方式，然而这些实施方式仅为用以明了本发明的技术内容的具体例，本发明不应被解释成限定在这些具体例，本发明仅被权利要求书所限定。
【附图标记的说明】
1：基板处理装置
1A：基板处理装置
4：腔室
4a：上壁(支撑壁)
9：聚合物含有液喷嘴(聚合物膜形成构件)
12：光射出构件
13：反射抑制构件
14：方向变更构件
18：旋转基座(基板保持构件)
20：旋转驱动机构(基板旋转机构)
70：第一部分
70a：相向面
70b：正交面
70c：倾斜面
71：第二部分
90：凹部
91：支撑部
92：反射部
100：聚合物膜
A1：旋转轴线
A2：中心轴线
CP：中心部
IA：内侧区域
L：光
PA：周缘区域
RA：照射区域
RA1：第一照射区域
RA2：第二照射区域
RD：旋转方向
W：基板
W1：第一主表面
W2：第二主表面。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，用以处理基板，所述基板具有第一主表面以及与所述第一主表面相反侧的第二主表面；其中，
所述基板处理装置包含：
基板保持构件，将基板保持为规定的处理姿势；
聚合物膜形成构件，将含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜形成于被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面，所述光致产酸剂通过光的照射而生成酸；
光射出构件，射出光，并对被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的周缘部照射光；以及
反射抑制构件，用以抑制光从所述反射抑制构件反射，且包含第一部分，所述第一部分能够配置于邻接位置，所述邻接位置为从所述基板的所述第一主表面的中心部侧邻接于被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的所述周缘部中被来自所述光射出构件的光照射的照射区域的位置。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
还包含：基板旋转机构，使所述基板绕着通过被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的所述中心部的旋转轴线旋转；
所述光射出构件朝向被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面的所述周缘部中绕着所述旋转轴线的旋转方向上的规定的范围射出光。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述反射抑制构件还包含：第二部分，连接于所述第一部分，且在所述第一部分位于所述邻接位置时从所述旋转方向的至少一方邻接于所述照射区域。
4.如权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，
所述第一部分呈具有中心轴线的环状或者圆形状，且在所述第一部分位于所述邻接位置时所述中心轴线位于所述旋转轴线上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述邻接位置为所述第一部分遮住从所述光射出构件射出的光的一部分的遮蔽位置。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一部分具有：
相向面，在所述第一部分位于所述邻接位置时，在与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面平行的状态下与所述基板的所述第一主表面相向；以及
正交面，连接于所述相向面并与所述相向面正交。
7.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一部分具有：
相向面，在所述第一部分位于所述邻接位置时，在与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面平行的状态下与所述基板的所述第一主表面相向；以及
倾斜面，在所述第一部分的内部以与所述相向面呈锐角的方式连接于所述相向面并相对于所述相向面倾斜。
8.如权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，其中，
还包含：腔室，用以收容所述基板保持构件，并具有支撑壁，所述支撑壁与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面相向并支撑所述光射出构件。
9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，
还包含：方向变更构件，以从所述光射出构件射出的光的行进方向接近与被所述基板保持构件保持的所述基板的所述第一主表面正交的正交方向的方式变更光的行进方向。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述方向变更构件包含：
支撑部，具有凹部，所述凹部能够收容被所述基板保持构件保持的所述基板的所述周缘部；以及
反射部，设置于所述凹部的缘部，使从所述光射出构件射出的光反射，在被所述基板保持构件保持的所述基板的所述周缘部被收容于所述凹部的状态下与所述基板的所述第一主表面以及所述第二主表面双方相向。
11.一种基板处理方法，用以处理基板，所述基板具有第一主表面以及与所述第一主表面相反侧的第二主表面；其中，
所述基板处理方法包含：
基板保持工序，将所述基板保持为规定的处理姿势；
聚合物膜形成工序，将含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜形成于所述基板的所述第一主表面，所述光致产酸剂通过光的照射而生成酸；以及
光照射工序，在用以抑制光的反射的反射抑制构件与所述基板的所述第一主表面的周缘部相向的状态下，对相对于所述反射抑制构件从与所述基板的所述第一主表面的中心部相反侧与所述反射抑制构件邻接的所述基板的所述第一主表面上的区域照射光。
12.如权利要求11所述的基板处理方法，其中，
所述聚合物膜形成工序包含下述工序：在所述基板的所述第一主表面中，不在比包含所述周缘部的周缘区域靠所述中心部侧的内侧区域形成所述聚合物膜，而是在所述周缘区域形成所述聚合物膜。
13.如权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，
还包含：基板旋转工序，使所述基板绕着通过所述基板的所述中心部的旋转轴线旋转；
在所述光照射工序中，朝向所述基板的所述第一主表面的所述周缘部中绕着所述旋转轴线的旋转方向上的规定的范围照射光。
14.如权利要求11至13中任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述光照射工序中还包含：照射区域调整工序，将所述反射抑制构件配置于用以遮住从所述光射出构件射出的光的一部分的遮蔽位置，由此调整所述基板的所述第一主表面上的被光照射的所述照射区域的大小。
15.如权利要求14所述的基板处理方法，其中，
交替地复数次执行所述聚合物膜形成工序以及所述光照射工序；
复数个所述光照射工序包含：
第一光照射工序，朝向所述基板的所述第一主表面的所述周缘部射出光；以及
第二光照射工序，在所述第一光照射工序之后被执行，朝向所述基板的所述第一主表面的所述周缘部射出光；
所述照射区域调整工序包含下述工序：使所述反射抑制构件移动，以使在所述第一光照射工序中所述基板的所述第一主表面被光照射的第一照射区域比在所述第二光照射工序中所述基板的所述第一主表面被光照射的第二照射区域靠所述基板的所述第一主表面的所述中心部侧。
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