CN1550283A - 去除涂覆至基板层边缘且涂布基板的方法与装置及一基板 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用来去除涂覆至一基板的层的边缘区域且用来(尤其以光阻层)涂布一基板的一种方法及装置。此外，本发明涉及一种基板，在该基板上涂覆一层面，该层面特别用于显微光刻(microlithographic)处理，根据本发明将该层的边缘区域去除。在该方法中，激光束成像于边缘区域里，且通过激光束将边缘区域去除。以该方式，能可靠地且精确地将边缘区域去除，而不会损坏或污染该层的未去除区域。

Description

去除涂覆至基板层边缘且涂布基板 的方法与装置及一基板
本申请案要求德国专利申请103 18 681.6号的优先权，该案的全文以引用的方式明确并入本文。
技术领域
本发明涉及用来去除涂覆至一基板的层的边缘区域且用来(尤其以光阻层)涂布一基板的一种方法及装置。此外，本发明涉及一种基板，在其上涂覆一层面，详细的说该层面为用来显微光刻处理中的光阻层，根据本发明将该层的边缘区域去除。
背景技术
在涂布基板，诸如晶片、屏蔽坯体(maskblank)、光罩或用来LCD显示器中的基板的过程中，基板的周边区域及边缘也被涂布。然而，这些区域的涂布是我们所不期望的，因为与操作工具(例如真空固持设备)的接触易于导致发生磨损(其可污染基板)。由于微电子结构的不断增加的集成密度，这些问题变得越来越严重。因此，已试图自基板的周边和/或边缘区域将涂布去除。
已知在通过旋涂以光阻来涂布半导体晶片期间，会形成增厚的边缘区域或“边缘球状物”。在旋涂期间，于快速旋转晶片的旋转轴线附近涂覆光阻小液滴；由于离心力的作用，光阻小液滴径向分布。边缘球状物于此情形中形成。在随后处理阶段期间(其中通过施加于晶片的边缘的固持或夹持介质将晶片固持于合适位置)，增厚的边缘球状物诱导在光阻层中产生力，其可导致在随后曝光中产生误差。因此，现有技术中已提出各种方法用来去除边缘球状物。
边缘球状物也出现于电镀涂布处理中。通常通过气相沉积(例如物理气相沉积(PVD))来涂覆作为起始和/或晶种层的导电金属涂布，随后于其上电镀涂覆金属层。基板边缘处的沉积率通常较大，其可导致(例如)穿过基板的不同的电流密度并可导致机械应力。
相关技术
为以一选择性方式去除此种边缘球状物，现有技术将合适溶剂或蚀刻介质选择性地涂覆于边缘区域。US 5,952,050公开了一种方法，其中通过一喷嘴将溶剂选择性地喷射至边缘上。随后通过真空经由真空连接将自边缘区域所溶解出的光阻去除。US5,362,608公开了用来溶解晶片边缘区域的溶剂及方法。
US 4,875,989公开了一种用来处理晶片的设备，其中将化学药品以环形状选择性地涂覆于即将被去除的边缘区域。
US 6,267,853公开了一种设备，其中将蚀刻介质喷射至晶片的圆周边缘区域上，以溶解金属起始和/或晶种层的边缘球状物。
WO 01/82001 A1公开了一种设备，其中光阻涂料层的边缘球状物以环形状被选择性地曝光且随后被去除。
DE 195 36 474 C2公开了一种用来清洁一待构造的经涂布工件，尤其是用来制造光罩的光坯体。为了自基板的周边区域和/或边缘去除非永久黏着的金属涂布，将相同的辐射(其也用来构造光阻)施加于周边区域和/或边缘。在辐射之后，以传统方式将周边和/或边缘区域与待构造的区域一起蚀刻。也公开了使用更高强度的辐射以去除由光阻的旋涂引起的边缘球状物。
然而，在此情形下，该辐射系用来构造或图案化周边和/或边缘区域，而不是用来通过辐射经蒸发来去除该周边和/或边缘区域。DE 199 00 910 A1公开了通过激光切除来清洁表面的设备及方法。为了在待清洁的表面上实现激光强度的更为均衡的分布，公开了激光束的圆形移动路径。然而，此方法涉及用来清洁外部表面的传统喷砂(sand-blasting)方法的替代方法，而不是关于使用用来显微光刻处理的基板的。
EP 627 277公开了一种用来圆整和/或进一步处理电子摄影成像设备中的光导滚筒的方法。为此目的，将激光束沿切线方向成像于滚筒表面上。
另一激光去除方法(其不是关于使用用来显微光刻处理的基板)被公开于DE 102 05 351 A1中，其对应于US 2003/0057192 A1。
然而，使用此方法，存在以下危险：光阻层将于随后处理阶段所需要的位置上被飞溅(splash)污染，或光阻层可吸收溶剂烟雾(solventfume)，其可对诸如敏感性、黑暗去除性、黏着性的功能特性造成不利影响。由于某些光阻相对的不溶解性，所以使用该方法无法不留痕迹的将其去除。在现有技术中，除了溶剂和/或蚀刻介质外，经常使用诸如刷洗(brushing)的机械清洁方法，这些机械清洁方法可额外损坏光阻层。
发明内容
本发明的目的在于提供用来去除涂覆至一基板的层的边缘区域且用来以一层来涂布基板的更可靠且更简单的方法，其中该基板是为用来显微光刻方法中而设计的。本发明的另一目的在于提供一对应的设备及基板，其涂布有一层，尤其是一用来显微光刻处理的光阻层，其中将该层的边缘区域可靠地去除。
根据本发明提供一种用来去除涂覆至一用来显微光刻处理中的基板的层的边缘区域的方法，在该方法中，将激光束成像于边缘区域上，且激光束通过蒸发将边缘区域去除。有利的是可非常精确地且简单地使激光束成像，使得我们可以更大的精确度指定即将被去除的边缘区域，其基本上仅由衍射效应或相关效应所限制。也有利的是可以简单方式改变激光束的各种参数(例如，激光功率、激光脉冲持续时间、焦点区域和/或边缘区域中激光束的直径)，使得根据本发明可获得许多自由度以指定边缘区域的去除质量。
详细的说，所用激光束的波长的选择提供了一个参数，可以令人惊奇的简单方式最优化的修改该参数以使其适于待自边缘区域去除的材料的特性。举例来说，可将波长调节至(或接近于)即将被去除的材料的吸收谱带或旋转谱带的最大值。
较佳地，使用成像构件(例如，透镜或透镜系统、镜面或镜面系统、或衍射光学元件)将激光束适当地聚焦于即将被去除的边缘区域，使得我们可更精确地界定即将被去除的边缘区域，并且甚至可进一步增加施加至该区域的能量密度。以点或斑点的形式便利地将激光束聚焦于边缘区域，其于焦点处实现最大密度。也可以线性形式成像激光束，使得我们可一次同时去除线性边缘区域。线性聚焦区域较佳垂直于基板的边缘被定向。可使用圆柱形透镜或圆柱形透镜的系统或伸长的中空镜面来实现该线性成像。
根据第一实施例，以如此方式使激光束成像于边缘区域上，使得激光束以一基本上垂直的方向入射于基板表面上。在此组态中，可在基本上相同的高度来回移动基板而无需考虑会干扰光学元件及其它。或者，也可以如此方式使激光束成像于边缘区域上使得激光束以一基本上平行的方向入射于基板表面所跨越的平面上。通过此组态，激光束以一基本上倾斜的(glancing)方式入射于基板表面上的光阻上且将平行于基板表面的线性区域去除。详细的说，若基板为圆形，则较佳地将激光束沿切线方向入射至诸如晶片或屏蔽坯体的圆形基板的边缘上。以此方式，仅通过旋转基板可将同心边缘区域作为一整体而去除。当然，也可以任何其它适当的组态将激光束成像于基板或边缘区域上。
较佳地，可选择激光束的参数，详细的说，激光功率、脉冲持续时间及波长，使得即将被去除的边缘区域完全蒸发或几乎完全蒸发。由于蒸气所引发的直接热膨胀，机械效应也可有助于进一步去除边缘区域。根据本发明通过改变相关的激光参数且通过实施一系列简单试验可以令人惊奇的简单方式确定去除的细节。
为了避免飞溅或烟雾污染该层的未去除区域，将用来真空清洁或吹风清洁即将被去除的边缘区域的真空设备或吹风设备较佳地配置于边缘区域的附近。
较佳地，激光束及基板相对于彼此移动，同时激光束扫描且去除边缘区域。由激光束与基板相对于彼此移动的速度提供另一参数，其可以令人惊奇的简单方式影响去除质量。可通过机械构件使激光束与基板相对于彼此移动。例如，通过机器人(robot)控制可将基板在激光束下传递或可将基板置放于一移动平台上，该移动平台以一适当的方式移置基板。或者，可通过光学构件移动激光束在基板上的位置。例如，可通过(举例来说)压电致动器移动一个或多个镜面，其用来在边缘区域上成像；或该(该等)镜面可在即将被去除的区域上扫描激光束。或者，可将激光束耦合至光纤中并导向该基板，其中光纤、及视情况相连的光聚焦元件与基板可相对于彼此移动。当然，可将机械系统与光学系统以任何适当的方式组合以使激光束与基板相对于彼此移动。
将激光束便利地轻微来回移动，同时激光束将边缘区域去除。以此方式，较容易使被引入以用来去除材料的激光功率更均匀，并可去除更大的边缘区域而无需改变聚焦。周期性地且基本上垂直于基板边缘(例如，在圆形基板情形下呈径向地)便利地执行来回移动。例如可将如上所述的机械系统和/或光学系统用来来回移动。
根据本发明，可将边缘区域极端精确地去除。因此，可基本上垂直于基板表面地将边缘区域逐步去除。即使将额外涂料层(例如，光阻层)涂覆至金属涂布(例如铬涂布)，也可在根据本发明将边缘去除之后可靠地接触安置于涂料层下的金属涂布，(例如)以用来光罩的电子束写入期间的放电。
较佳通过激光束光学扫描即将被去除的边缘区域，以修改或控制激光束的参数(详细的说，激光束的功率或脉冲持续时间)，使得将边缘区域基本上完全地去除。光学扫描可发生在边缘区域的去除期间或边缘区域的去除之后。在两种情形下，可更适当地调节影响去除质量的参数。然而，原则上，也可于一分离测试场上执行此种光学扫描，以基本上相同于即将被去除的边缘区域的方式设计或涂布该分离测试场，其既可在基板的另一位置也可远离基板。在此情形下，首先于测试场上执行测试去除，且直至发现自测试场的去除的质量令我们满意的才执行边缘区域的去除。可将入射于边缘区域和/或测试场的光线(例如，由发光二级管(LED)或激光二级管产生或成像的)的反射、散射或透射组份用来边缘区域和/或测试场的光学扫描。也可将即将被去除的边缘区域和/或测试场的微观或宏观影像用来该光学扫描；其可(举例来说)被读入至计算机并自动分析。
较佳地，使用孔径构件，其防止激光束成像于基板的待去除边缘区域以外的区域上。例如，若基板为圆形，则孔径构件可为置放于激光束光路径中的圆形碟片，该圆形碟片遮蔽或阻挡层的非待去除区域。为使即将被去除的边缘区域实现更有利的边缘特性，本实施例中可额外使用孔径构件的衍射效应。
根据本发明的另一态样，提供一种用来以一层面(详细的说，用来显微光刻处理的光阻层)涂布一基板的方法，在该方法中，将一层面涂覆至基板，并使用根据本发明的方法将所涂覆层的边缘区域去除。可将任何所要的涂布方法用来涂覆该层面，例如，旋涂、浸涂(dipcoating)、浸没(immersion)方法或喷射(spraying)。通过根据本发明的方法，可以一特别适当的方式将该边缘区域去除。根据本发明，基板可涂布有一特别均匀并无应力的层。根据本发明也提供一基板，其涂布有一层面，使用根据本发明的方法将该基板的边缘区域去除。该基板较佳地涂布有用来显微光刻方法中的光阻层。较佳地，基板为半导体基板和/或晶片。基板特定较佳为用来制造遮罩以用来显微光刻制造及曝露方法的屏蔽坯体。
本发明也提供用来去除一涂覆至一基板的层的边缘区域的装置。该装置包括一用来发射激光束的激光光源，及用来使激光束成像于基板边缘区域上的成像构件。将激光光源组态以通过蒸发利用激光束将边缘区域去除，并将该装置组态以实施根据本发明的方法。
附图说明
下面参考附图更详细描述本发明的较佳例示性实施例。图式如下：
图1展示根据本发明的第一实施例的装置的横截面图及俯视图；
图2展示根据本发明的第二实施例的装置的横截面图及俯视图；
图3展示根据本发明的第三实施例的装置的横截面图及俯视图，其用来将基本上呈矩形的基板的边缘区域去除；
图4展示根据本发明的第四实施例的装置的示意性透视图；
图5a展示机械扫描屏蔽坯体的边缘区域的结果，根据本发明已将边缘区域去除；及
图5b及5c展示机械扫描屏蔽坯体的边缘区域的结果，已通过将溶剂喷射于边缘区域上将边缘区域去除。
图式中，相同的参考数字指的是相同的元件或功能组，或指的是以基本等效的方式操作的元件或功能组。当研究上述较佳例示性实施例的描述时，所属技术领域的技术人员将明了根据本发明的额外特征、更改及目的。
具体实施方式
图1展示根据本发明的第一实施例的装置(下文中)1a的示意性横截面图及俯视图。设备1a包括固持构件5，基板2被固持于其上。固持构件5可(举例来说)为真空设备(真空夹盘)。如箭头所指，固持构件可绕旋转轴线6旋转。可设计固持构件5以用来将光阻层旋涂于基板2上，也就是：为相对快速旋转速度而设计。也可将固持构件5设计为机器臂中或用来半导体制造的生产线中的固持元件。
将层3涂覆于基板2上。如图1示意性的显示，层3的边缘区域4增厚了。如使用来本专利案中的术语“边缘区域”，总是指基板表面的区域和/或基板2的圆周边缘的前面和/或基板2之后侧。层3可由光阻、保护抗蚀剂、薄金属涂布或一个或多个电介质层组成。
通过透镜8(其代表成像构件的一实例)将激光束7成像于边缘区域4上。同时，使用透镜8聚焦激光束7。透镜8的焦点较佳地位于边缘区域4中，但也可稍微偏离而位于边缘区域的上方或下方。在焦点附近，激光束7提供基本上的Gaussian束轮廓，其长度基本由透镜前的激光束7的直径、透镜或透镜系统8及透镜和/或透镜系统8的特性而预定。较佳地可如此调节该束的轮廓使得焦点的直径在层3附近改变至最小范围。
在图1下部，焦点10相对于即将被去除的阴影边缘区域4位于径向内侧。将真空设备9(其去除已自涂布去除的蒸气及粒子)配置于基板2圆周边缘与激光焦点10附近，使得层3的非待去除区域及镀膜边缘区域的相机的光学单元未被污染。根据图1，将真空设备9配置于基板2上。原则上，也可以任何其它适当的方式来配置真空设备9，例如，包围基板2的整个边缘区域。
因为根据图1的激光束7系以基本垂直的方向入射于基板表面的，并且真空设备9被配置于基板2上，所以可在基板2的水平面上基本无障碍地操纵基板2。
原则上，可提供吹风机9’替代真空设备9，该吹风机对所去除涂布的蒸气或粒子吹风使其远离基板的边缘。
为了去除边缘区域4，向径向外侧(箭头r)移动激光束7，直至焦点10被安置于即将被去除的边缘区域4中。
其后，适当设定激光功率以通过蒸发去除激光焦点10的区域中的层3。在去除期间，继续由固持构件5旋转基板2。因此，激光束7均衡地去除基本成环形的边缘区域4。此外，可在径向上快速来回移动激光束7以去除更广阔的边缘区域。为了实现激光束7的周期性、来回移动，可(例如)使用压电致动器将一镜面(其未显示)周期性地倾斜；可将透镜8和/或透镜系统8的透镜周期性地倾斜；或可将导引激光束7的光纤(视情况具有一光学成像单元)快速来回移动。
图2展示根据本发明的第二实施例的设备1b的横截面图及俯视图。在第二实施例中，将激光束7如此成像于边缘区域4上，使得激光束7以基本平行的方向入射于由基板表面所形成的平面，并且激光束沿切线方向入射于基板边缘上。在去除边缘区域4期间，激光束7可沿径向(箭头r)快速来回移动和/或沿z-方向快速来回移动以去除更大的体积。
图3展示根据本发明的第三实施例的设备1c的横截面图及俯视图。在第三实施例中，处理一基本成矩形的基板2。根据第三实施例，将激光束7及基板2如此相对于彼此移动使得激光束7沿基板2的圆周边缘移动。总体来说，此需要激光束7与基板2于x-方向及y-方向的相对移动。举例来说，通过x-y移动平台或机器臂来固持基板2或通过导引激光束7的光纤(未显示)可实现该移动，该光纤以可移动的方式被固持。
图4展示根据本发明的第四实施例的设备1d的示意性透视图。设备1d包括孔径12，其对激光束7是不透明的并且因此防止激光束7成像于基板2的待去除边缘区域4以外的区域上。孔径12便利地被配置于与基板表面相隔一小段距离处。因此，接近于显示幕11的边缘可出现衍射效应，借此提供用来指定并去除适当体积的边缘区域4的额外自由度。
图5展示屏蔽坯体的边缘区域的机械轮廓量测的结果，根据本发明已将边缘区域去除。由石英玻璃制造的屏蔽坯体涂布有不溶解的和/或难溶解的电子束抗蚀剂(型号ZEP 7000，由Nippon Zeon制造)并于2000C的温度(烘焙温度)硬化。其后，如上所述使用激光束将电子束抗蚀剂去除。随后使用轮廓仪(型号：Dektat)量测边缘区域。在图5a中，相对于作为以微米计的长度的垂直于边缘区域的方向来绘制所量测层的厚度，该厚度以纳米(nm)计。如图5a中所示，边缘区域的层厚度在200微米的长度上自约270纳米降落至零。所涂覆抗蚀剂层的边缘连续下降，于此区域中该层无任何增厚。因此，大体上，层的厚度均衡下降且边缘外形基本上无裂痕和/或不均衡。所去除边缘区域的前面(front face)基本上没有所涂覆的抗蚀剂层，使得自该侧也可接触安置于抗蚀剂层下的层(例如)以转移电荷。
图5b及图5c通过比较展示屏蔽坯体的边缘区域的机械轮廓量测的结果，通过将溶剂喷射于边缘区域上而以传统方式将边缘区域去除。由石英玻璃制造的屏蔽坯体涂布有不溶解的光阻(型号IP3600)。因为光阻使用来这些例示性实施例中，因此所用的光阻涂料层与图5a相比是较厚的。其后，通过将可溶解光阻的溶剂喷射于边缘区域上将所涂覆的光阻去除。如第一例示性实施例的情形中，随后使用轮廓仪(型号：Dektat)量测边缘区域。于图5b及图5c中，相对于作为以微米计的长度的垂直于边缘区域的方向来绘制所量测层的厚度，该厚度以纳米计。
如自图5b所见，边缘区域的层厚度自约500纳米开始在约150微米的长度上下降得更剧烈，随后在约400微米长度上降落至零。然而，所涂覆的抗蚀剂层的边缘不是连续下降的。相反，在边缘区域中，最初在层上存在相当大的增厚，层的厚度增加至大于3000纳米。因此，大体上，层的厚度不是均衡下降的，但是边缘轮廓提供一最大值，其高度显着地超过了所涂覆抗蚀剂层的厚度。
于图5b所示的例示性实施例的情形中，用来选择性喷射溶剂的喷嘴仅被移动一次，而于图5c所示的例示性实施例的情形中，用来选择性喷射溶剂的喷嘴被移动两次。如自图5c所见，边缘区域的层厚度自约500纳米开始在约200微米的长度上下降得更剧烈，随后经约300微米的另一区域降落至零。然而，所涂覆抗蚀剂层的边缘不是连续下降的。相反，于边缘区域中，最初存在两个区域具有显着的层增厚，层的厚度分别上升至大于2000纳米及大于1600纳米。大体上，层的厚度不是均衡下降的，但是边缘轮廓提供两个最大值，其高度显着地超过了所涂覆抗蚀剂层的厚度。
在根据图5b及图5c的例示性实施例的情形中，所去除边缘区域的前面并非完全没有所涂覆的抗蚀剂层。相反，除了所观察到的层增厚外，抗蚀剂层的厚度于两个区域最初强烈下降，其后平缓。因此，安置于涂料层下的层不能自此侧接触(例如)来转移电荷，或者仅能受限制地自此侧接触。
如图中所示，基板2可提供任何所需形状的外部轮廓。然而，较佳为圆形或矩形外部轮廓。基板可为诸如晶片、玻璃或石英玻璃板的半导体基板，举例来说，可使用用来LCD显示的基板或屏蔽坯体，或用来微电子组件的微影制造中的任何其它基板，例如，其上待涂覆一光阻层的遮罩，随后将该光阻层去除。即将被去除层可为光阻层、保护抗蚀剂层、薄金属涂布或薄电介质层或包括几个薄电介质层的系统。可以一适当的方式修改激光束的参数以适于基板及待去除层的特性。
激光的相关的参数为(详细的说)激光功率、激光脉冲的平均脉冲持续时间、其重复率、激光波长及焦点区域中激光束的直径。根据本发明，区域中激光功率较佳为约50W至约100W。激光功率可直至200W，其极限基本仅由安置于待去除层3下的基板2的破坏阈值(destruction threshold)来提供。除了去除处理的外，基板2所吸收的热功率与相关联的机械应力也对基板2的破坏阈值有影响。
例如，可将CO2-激光、Nd：YAG激光、倍频(frequency-doubled)或三倍频(frequency-tripled)Nd：YAG激光、准分子激光、半导体二级管激光或二级管泵固态激光视为激光光源。修改激光波长以适于即将被去除的材料的特性且可(举例来说)将激光的波长设定至即将被去除的材料的吸收谱带或旋转谱带或者接近于此谱带。
激光束与基板相对于彼此移动的运动速度提供了另一个参数，其可确定边缘区域的去除质量。
根据本发明，可基于(例如)表中的经验值指定相关参数，或于去除过程中连续监控并修改和/或控制相关参数。根据后一选择，可光学检测并评估所去除的边缘区域或所去除的测试场，以与即将被去除的边缘区域基本相同的方式涂布于该测试场。出现于图3中的测试场13的一实例被安置在紧靠于即将被去除的边缘区域4的附近。
当然，测试场13也可被安置于远离基板2或基板2的外部的任何其他位置。若基于边缘区域4评估去除质量，则可使用紧靠于激光焦点10的附近的边缘区域，或也可使用安置于沿运动方向的激光焦点10的下游的边缘区域，该边缘区域已被去除。
通过反射、透射或基于散射光可光学扫描并评估测试场和/或已去除的边缘区域。原则上，为评估去除质量，原则上也可微观评估或通过宏观影像评估所去除的边缘区域或所去除的测试场。
较佳地通过计算机执行评估，其中评估所检测的值和/或影像并将其与先前所储存的参考值作比较。为防止发生不期望的偏差，可修改或控制一个或多个先前指定的、相关的参数直至确定边缘区域和/或测试场中的具有足够的去除质量。
通过上述方法，可将边缘区域去除至任何所需的程度，例如，直至待去除层3的一半的厚度或任何其它厚度。然而，边缘区域4的层较佳基本上被完全去除。通过相关参数的适当选择，也可适当构造或图案化边缘区域，例如使其光滑或圆整。根据本发明的方法的特征在于：可特别平缓的去除边缘区域4，而在层3的非即将被去除的其它区域上不会沉积干扰碎片或粒子。
虽然上述根据本发明的方法无需额外使用溶剂和/或蚀刻介质而操作，但该方法原则上(举例来说)在随后处理阶段也使用适当的溶剂和/或蚀刻介质。事实上，由于根据本发明的方法提供特别平缓的去除，所以此种随后处理阶段导致了涂覆于基板的层中较少的误差或不均匀性。

Claims (23)

1.一种用来去除涂覆至一基板(2)的一层(3)的边缘区域(4)的方法，该方法用于一显微光刻处理过程中，在所述方法中，一激光束(7)成像于所述边缘区域(4)上，其中所述激光束(7)通过蒸发去除所述边缘区域(4)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述激光束通过一成像构件(8)以一点或一线的形式聚焦在所述边缘区域上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述激光束(7)如此成像于所述边缘区域上，使得所述激光束在基本上垂直的方向上入射到所述基板的表面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：将所述激光束(7)如此成像于所述边缘区域上使得所述激光束以一基本上平行的方向入射到一由所述基板表面所跨越的平面上，其中所述激光束沿一切线方向入射到所述基板的一边缘上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过一真空设备或一吹风设备将所述边缘区域(4)的蒸发的碎片及粒子去除，所述真空设备或吹风设备被配置在所述边缘区域的附近。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基板(2)基本上为圆形且所述层包括一光阻的涂布。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述激光束(7)与所述基板(2)相对于彼此移动，同时所述激光束扫描所述边缘区域(4)以将后者去除。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：光学扫描被所述激光束所去除的所述边缘区域，或以基本上相同于所述边缘区域的方式涂布的一测试场(13)，以如此修改或调整所述激光束的一参数使得所述边缘区域(4)或所述测试场基本上被完全去除。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：一孔径构件(12)防止所述激光束成像于所述基板(2)的所述待去除边缘区域(4)外的区域上。
10.一种用来用一层(3)涂布一基板(2)的方法，具体地说，通过一光阻层，用于一显微光刻处理中，在所述方法中，将一层涂覆至所述基板，并通过将一激光束(7)成像于所述边缘区域(4)上来将所述所涂覆层的一边缘区域(4)去除，使得所述激光束(7)通过蒸发将所述边缘区域(4)去除。
11.一种用来去除一涂覆于一基板(2)的层(3)的一边缘区域(4)，以用于一显微光刻处理中的装置，所述装置包括一用来发射一激光束(7)的激光光源，及用来使所述激光束成像于所述基板(2)的所述边缘区域(4)上的成像构件(8)，其中修改所述激光光源以通过所述激光束(7)通过蒸发将所述边缘区域(4)去除。
12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：设计所述成像构件(8)以使所述激光束以一点或线的形式聚焦于所述边缘区域上。
13.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：设计所述成像构件(8)以使所述激光束(7)如此成像于所述边缘区域上，使得所述激光束以一基本上垂直的方向入射于所述基板的表面上。
14.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：设计所述成像构件(8)以使所述激光束(7)如此成像于所述边缘区域上，使得所述激光束以一基本上平行的方向入射于一由所述基板表面所跨越的平面上，其中所述激光束沿一切线方向入射于所述基板的一边缘上。
15.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：将一真空设备(9)或一吹风设备配置于所述边缘区域(4)的附近，以通过真空或吹风将所述层的所蒸发的碎片及粒子自所述边缘区域(4)去除。
16.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：进一步包括一用来固持一基板的固持构件(5)，所述固持构件基本上为圆形且通过旋涂将一光阻层涂覆在所述固持构件上。
17.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：将所述装置如此组态使得所述激光束(7)与所述基板(2)相对于彼此移动，同时所述激光束扫描所述边缘区域(4)以将后者去除。
18.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：还包括一用来光学扫描通过所述激光束去除的所述边缘区域或一测试场(13)中任一者的光学扫描设备，以一基本相同于所述边缘区域的方式涂布所述测试场，从而，以此方式修改或调整所述激光束的一参数，如此使得所述边缘区域(4)或所述测试场基本上被完全去除。
19.根据权利要求11所述的装置，其特征在于：还包括一孔径构件(12)以防止所述激光束成像于所述基板(2)的所述待去除边缘区域(4)外的区域上。
20.一种用来通过一层(3)涂布一基板(2)以用来一显微光刻处理中的装置，包括：
一用来将所述层涂覆于所述基板的涂布设备；
一用来发射一激光束(7)的激光光源；及
一用来使所述激光束成像于所述基板(2)的所述边缘区域(4)上的成像构件(8)，其中修改所述激光光源以通过所述激光束(7)通过蒸发将所述边缘区域(4)去除。
21.一种涂布有一层(3)以用来一显微光刻处理的基板，其中通过使一激光束(7)成像于所述边缘区域(4)上以通过蒸发将所述边缘区域(4)去除来将所述层的一边缘区域(4)去除。
22.根据权利要求21所述的基板，其特征在于：所述层包括一难溶解的光阻。
23.根据权利要求22所述的基板，其特征在于：将所述边缘区域(4)基本上均衡地去除，所述边缘区域(4)的一前表面基本上没有所述即将被去除层。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102655949A (zh) * 2009-09-22 2012-09-05 第一太阳能有限公司 用于跟踪基板的边缘及从基板的边缘去除涂层的系统和方法
CN103091995A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 上海华虹Nec电子有限公司 减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法
US9375809B2 (en) 2006-04-19 2016-06-28 Arcelormittal France Method of butt-welding a coated steel plate
TWI579089B (zh) * 2011-10-07 2017-04-21 V科技股份有限公司 玻璃基板之雷射加工裝置
CN108700815A (zh) * 2015-12-23 2018-10-23 Asml荷兰有限公司 用于去除衬底上的光敏材料的方法
CN111843218A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 细美事有限公司 基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统
CN111843194A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
CN112091432A (zh) * 2019-06-17 2020-12-18 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010011224A1 (en) * 1995-06-07 2001-08-02 Stephen James Brown Modular microprocessor-based health monitoring system
DE102005042769A1 (de) * 2005-09-08 2007-03-15 Disco Hi-Tech Europe Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Formkorrektur eines dünngeschliffenen Wafers
US7802978B2 (en) * 2006-04-03 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Imprinting of partial fields at the edge of the wafer
DE102009015712A1 (de) * 2009-03-31 2010-10-14 Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg Materialentfernung in Halbleiterbauelementen durch Verdampfen
TWI497741B (zh) * 2009-09-22 2015-08-21 First Solar Inc 用以自基板之邊緣移除塗層之系統及方法
WO2011163302A1 (en) * 2010-06-23 2011-12-29 Seidel, Inc Process for selectively removing a coating layer
CN102971110B (zh) * 2010-06-30 2015-04-15 第一太阳能有限公司 高温活化工艺
KR20140037044A (ko) 2011-01-13 2014-03-26 타마랙 사이언티픽 컴퍼니 인코포레이티드 전도성 시드 레이어를 레이저 제거하는 방법 및 장치
US9908201B2 (en) * 2014-04-22 2018-03-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Systems and methods for edge bead removal
DE102014006723B4 (de) 2014-05-07 2023-01-26 Mercedes-Benz Group AG Verfahren zum Visualisieren und Reinigen von Verunreinigungen
CN107442932A (zh) * 2016-05-31 2017-12-08 朴力美电动车辆活力株式会社 二次电池的激光焊接方法
CN106363299A (zh) * 2016-11-11 2017-02-01 西安必盛激光科技有限公司 一种超高功率的激光退镀设备及其退镀方法
WO2020060715A1 (en) * 2018-09-21 2020-03-26 Applied Materials, Inc. Portion of layer removal at substrate edge
KR102180010B1 (ko) * 2019-04-25 2020-11-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI799193B (zh) * 2021-12-27 2023-04-11 南亞科技股份有限公司 斜角蝕刻方法及半導體元件結構的製備方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4875989A (en) * 1988-12-05 1989-10-24 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus
US5362608A (en) * 1992-08-24 1994-11-08 Brewer Science, Inc. Microlithographic substrate cleaning and compositions therefor
US5418349A (en) * 1993-06-04 1995-05-23 Xerox Corporation Process for reducing thickness of a polymeric photoconductive coating on a photoreceptor with laser
DE19536474C2 (de) * 1995-09-29 1999-10-21 Siemens Ag Reinigungsverfahren für ein zu strukturierendes, beschichtetes Werkstück
JPH10513314A (ja) * 1995-11-24 1998-12-15 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 金属層を非金属基板から選択的に除去する方法
US5952050A (en) * 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
DE19833368C1 (de) * 1998-07-24 2000-02-17 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Bauteilen aus sprödbrüchigen Werkstoffen
US6267853B1 (en) * 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
DE19900910A1 (de) * 1999-01-13 2000-07-27 Clean Lasersysteme Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Oberflächen mittels Laserstrahlung
WO2001082001A1 (en) * 2000-04-26 2001-11-01 Advanced Micro Devices, Inc. Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer
US20020108938A1 (en) * 2001-02-09 2002-08-15 Patel Rajesh S. Method of laser controlled material processing
DE10128745A1 (de) * 2001-06-13 2003-01-23 Volkswagen Ag Airbageinrichtung für ein Fahrzeug, Verfahren zur Erzeugung einer Perforationslinie in einem Abdeckungs- und/oder Verkleidungsteil einer Airbageinrichtung sowie Verfahren zur Erzeugung einer durchgehenden Materialschwächung

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10626903B2 (en) 2006-04-19 2020-04-21 Arceloemittal France Steel part
US11154950B2 (en) 2006-04-19 2021-10-26 Arcelormittal France Method for creating a welded steel part with uniform microstructure
US9375809B2 (en) 2006-04-19 2016-06-28 Arcelormittal France Method of butt-welding a coated steel plate
US10626902B2 (en) 2006-04-19 2020-04-21 Arcelormittal France Steel part
US10473130B2 (en) 2006-04-19 2019-11-12 Arcelormittal France Steel part
US10480554B2 (en) 2006-04-19 2019-11-19 Arcelormittal France Steel part
CN102655949B (zh) * 2009-09-22 2014-08-06 第一太阳能有限公司 用于跟踪基板的边缘及从基板的边缘去除涂层的系统和方法
CN102655949A (zh) * 2009-09-22 2012-09-05 第一太阳能有限公司 用于跟踪基板的边缘及从基板的边缘去除涂层的系统和方法
TWI579089B (zh) * 2011-10-07 2017-04-21 V科技股份有限公司 玻璃基板之雷射加工裝置
CN103091995A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 上海华虹Nec电子有限公司 减少芯片边缘光阻斜坡区域的方法
CN108700815A (zh) * 2015-12-23 2018-10-23 Asml荷兰有限公司 用于去除衬底上的光敏材料的方法
CN108700815B (zh) * 2015-12-23 2024-03-19 Asml荷兰有限公司 用于去除衬底上的光敏材料的方法
CN111843218A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 细美事有限公司 基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统
CN111843194A (zh) * 2019-04-30 2020-10-30 细美事有限公司 用于处理基板的装置和方法
US11745291B2 (en) 2019-04-30 2023-09-05 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for processing substrate
US11869763B2 (en) 2019-04-30 2024-01-09 Semes Co., Ltd. Apparatus and system for treating substrate
CN112091432A (zh) * 2019-06-17 2020-12-18 细美事有限公司 用于处理基板的方法和装置
US11972939B2 (en) 2019-06-17 2024-04-30 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for treating substrate

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Publication number Publication date
KR20040092428A (ko) 2004-11-03
JP2004327973A (ja) 2004-11-18
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