CN111970828A - 一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法 - Google Patents

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孙志鹏
黄生荣
胡玉春
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Abstract

本发明公开了一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，包括以下步骤：首先将原有wire bonding pad的直角位置增加辅助图形P；然后对增加辅助图形P之后的wire bonding pad绘制菲林；对绘制菲林之后的图形进行贴抗蚀干膜操作；对贴抗蚀干膜之后的图形进行曝光操作；对进行曝光操作之后的图形进行显影操作；对进行显影操作之后的图形进行蚀刻操作；对进行蚀刻操作之后的图形进行退膜操作，本发明通过在wire bonding pad的直角位置增加辅助图形，使得线路尖端蚀刻位置比其他位置大，从而保证了在蚀刻时wire bonding pad图形的完整性，同时在进行wire bonding工艺时，能够保证金线精确的打在wire bonding pad上面，进而提高了wire bonding工艺加工窗口的精确度，同时还保证了信号传输的完整性。

Description

一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法
技术领域
本发明属于5G光模块领域，具体为一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法。
背景技术
现有生活中，随着科学技术的进步，5G技术逐渐完善，而5G也逐渐普及到人们的生活中了，目前的5G光模块产品，一般都有wire bonding设计，而在制作有wire bonding的5G光模块产品，wire bonding pad是一种高精密图形，一般设计宽度是4mil，但是通过传统的加大线路补偿方法，经过蚀刻工艺流程后，线路形状会发生突变，导致一边大一边小，从而严重的影响了wire bonding工艺，导致金线偏移，更严重是影响信号传输。
发明内容：
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，解决了背景技术中提到的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种技术方案：
一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，包括以下步骤：
S1、首先将原有wire bonding pad的直角位置增加辅助图形P；
S2、然后对增加辅助图形P之后的wire bonding pad绘制菲林；
S3、对绘制菲林之后的图形进行贴抗蚀干膜操作；
S4、对贴抗蚀干膜之后的图形进行曝光操作；
S5、对进行曝光操作之后的图形进行显影操作；
S6、对进行显影操作之后的图形进行蚀刻操作；
S7、对进行蚀刻操作之后的图形进行退膜操作，即可得到完整的有wire bondingpad的图形。
作为优选，所述wire bonding pad尺寸宽度要求为s1，而s2＝4mil。
作为优选，所述步骤S2中采用光绘机进行菲林绘制。
作为优选，所述步骤S3中的贴抗蚀干膜操作采用贴膜机进行操作。
作为优选，所述步骤S5中的显影操作、步骤S6中的蚀刻操作与步骤S7中的退膜操作均采用DES设备进行操作。
作为优选，所述步骤S4中采用汞灯进行曝光，持续380s。
作为优选，所述步骤S4中进行曝光之后需要静置30min以上在进行下一部操作。
作为优选，所述步骤S7中通过丙酮等或其他有机溶液进行退膜操作。
本发明的有益效果是：本发明通过在wire bonding pad的直角位置增加辅助图形，使得线路尖端蚀刻位置比其他位置大，从而保证了在蚀刻时wire bonding pad图形的完整性，同时在进行wire bonding工艺时，能够保证金线精确的打在wire bonding pad上面，进而提高了wire bonding工艺加工窗口的精确度，同时还保证了信号传输的完整性。
附图说明：
为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。
图1是本发明5G光模块Wire bonding pad增加辅助图形步骤示意图；
图2是本发明5G光模块Wire bonding pad贴抗蚀干膜步骤示意图；
图3是本发明5G光模块Wire bonding pad曝光步骤示意图；
图4是本发明5G光模块Wire bonding pad显影步骤示意图。
图5是本发明5G光模块Wire bonding pad蚀刻步骤示意图；
图6是本发明5G光模块Wire bonding pad退膜步骤示意图；
图7是本发明5G光模块Wire bonding pad蚀刻完成后示意图；
图8是本发明传统5G光模块Wire bonding pad实物图；
图9是本发明传统5G光模块Wire bonding pad结构示意图；
图10是本发明传统5G光模块Wire bonding pad线路补偿示意图；
图11是本发明传统5G光模块Wire bonding pad实际蚀刻后形状示意图。
具体实施方式：
如图1-11所示，本具体实施方式采用以下技术方案：
实施例：
一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，包括以下步骤：
S1、首先将原有wire bonding pad的直角位置增加辅助图形P；
S2、然后对增加辅助图形P之后的wire bonding pad绘制菲林；
S3、对绘制菲林之后的图形进行贴抗蚀干膜操作；
S4、对贴抗蚀干膜之后的图形进行曝光操作；
S5、对进行曝光操作之后的图形进行显影操作；
S6、对进行显影操作之后的图形进行蚀刻操作；
S7、对进行蚀刻操作之后的图形进行退膜操作，即可得到完整的有wire bondingpad的图形。
其中，所述wire bonding pad尺寸宽度要求为s1，而s2＝4mil，便于更好的配合传统的设备进行使用。
其中，所述步骤S2中采用光绘机进行菲林绘制，通过光绘机便于更好的对图形完成菲林绘制操作。
其中，所述步骤S3中的贴抗蚀干膜操作采用贴膜机进行操作，通过贴膜机便于更好的对图形完成贴抗蚀干膜操作。
其中，所述步骤S5中的显影操作、步骤S6中的蚀刻操作与步骤S7中的退膜操作均采用DES设备进行操作，通过DES设备便于更好的对图形完成蚀刻操作与退膜操作。
其中，所述步骤S4中采用汞灯进行曝光，持续380s，便于更好的增加曝光效果。
其中，所述步骤S4中进行曝光之后需要静置30min以上在进行下一部操作，便于更好的进行后续的显影操作。
其中，所述步骤S7中通过丙酮等或其他有机溶液进行退膜操作。
本发明的使用状态为：
步骤一、首先将原有wire bonding pad的直角位置增加辅助图形P，如图1所示；
步骤二、然后对增加辅助图形P之后的wire bonding pad采用光绘机进行菲林绘制，如图1所示；
步骤三、对绘制菲林之后的图形采用贴膜机进行贴抗蚀干膜操作，如图2所示；
步骤四、对贴抗蚀干膜之后的图形采用汞灯进行曝光操作，持续380s，如图3所示；
步骤五、对进行曝光操作之后的图形静置30min以上，然后采用DES设备进行显影操作，如图4所示；
步骤六、对进行显影操作之后的图形采用DES设备进行蚀刻操作，如图5所示；
步骤七、对进行蚀刻操作之后的图形采用DES设备进行退膜操作，如图6所示，即可得到完整的有wire bonding pad的图形，如图7所示。
同时wire bonding pad尺寸宽度要求为s1，而s2＝4mil，便于更好的配合传统的设备进行使用，如图8与图9所示，而传统的线路补偿方案，补偿后宽度为s1+a，实际蚀刻后线宽为s2，形状发生了改变，s2≠s1。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、首先将原有wire bonding pad的直角位置增加辅助图形P；
S2、然后对增加辅助图形P之后的wire bonding pad绘制菲林；
S3、对绘制菲林之后的图形进行贴抗蚀干膜操作；
S4、对贴抗蚀干膜之后的图形进行曝光操作；
S5、对进行曝光操作之后的图形进行显影操作；
S6、对进行显影操作之后的图形进行蚀刻操作；
S7、对进行蚀刻操作之后的图形进行退膜操作，即可得到完整的有wire bonding pad的图形。
2.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述wire bonding pad尺寸宽度要求为s1，而s2＝4mil。
3.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述步骤S2中采用光绘机进行菲林绘制。
4.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述步骤S3中的贴抗蚀干膜操作采用贴膜机进行操作。
5.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述步骤S5中的显影操作、步骤S6中的蚀刻操作与步骤S7中的退膜操作均采用DES设备进行操作。
6.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述步骤S4中采用汞灯进行曝光，持续380s。
7.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述步骤S4中进行曝光之后需要静置30min以上在进行下一部操作。
8.根据权利要求1所述的一种5G光模块Wire bonding pad完整性蚀刻设计方法，其特征在于，所述步骤S7中通过丙酮等或其他有机溶液进行退膜操作。
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