CN111916480B - 显示装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

显示装置和电子设备。本发明的显示装置具有：基板；透镜层，其包含透镜；像素电极，其配置于所述基板与所述透镜层之间；以及滤色器，其配置于所述像素电极与所述透镜层之间，所述滤色器具有在所述基板与所述透镜层之间在俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠的着色部，所述像素电极设置于显示图像的显示区域，所述透镜在所述俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠，在所述俯视观察时，所述像素电极的中心与所述显示区域的显示中心之间的距离比所述透镜的中心与所述显示中心之间的距离短。

Description

显示装置和电子设备
技术领域
本发明涉及显示装置和电子设备。
背景技术
公知有使用有机EL(场致发光)元件的有机EL显示装置等显示装置。在专利文献1中公开了一种有机EL装置，该有机EL装置包括具有像素电极的有机EL元件、以及使规定波段的光透过的滤色器。
专利文献1：日本特开2015-153607号公报
发明内容
发明要解决的课题
关于专利文献1这样的具有滤色器的显示装置，期望视场角特性的提高或发射角的扩大。
用于解决课题的手段
本发明的显示装置的一个方式具有：基板；透镜层，其包含透镜；像素电极，其配置于所述基板与所述透镜层之间；以及滤色器，其配置于所述像素电极与所述透镜层之间，所述滤色器具有在所述基板与所述透镜层之间在俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠的着色部，所述像素电极设置于显示图像的显示区域，所述透镜在所述俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠，在所述俯视观察时，所述像素电极的中心与所述显示区域的显示中心之间的距离比所述透镜的中心与所述显示中心之间的距离短。
附图说明
图1是示出第1实施方式中的显示装置的俯视图。
图2是第1实施方式中的子像素的等效电路图。
图3是示出第1实施方式中的显示装置的部分截面的图。
图4是示出第1实施方式中的像素电极的俯视图。
图5是示出第1实施方式中的滤色器的一部分的俯视图。
图6是示出第1实施方式中的透镜层的一部分的俯视图。
图7是用于说明第1实施方式中的像素电极、透镜和着色部的配置的图。
图8是用于说明第1实施方式中的光路的图。
图9是用于说明第1实施方式中的光路的图。
图10是第1实施方式中的显示装置的制造方法的流程。
图11是用于说明第1实施方式中的透镜层形成工序的图。
图12是用于说明第1实施方式中的透镜层形成工序的图。
图13是用于说明第1实施方式中的透镜层形成工序的图。
图14是用于说明第1实施方式中的透镜层形成工序的图。
图15是用于说明第1实施方式中的透光层形成工序的图。
图16是示意地示出第2实施方式中的显示装置的图。
图17是示意地示出第2实施方式中的显示装置的图。
图18是示意地示出第3实施方式中的显示装置的图。
图19是用于说明第3实施方式中的显示装置的制造方法的图。
图20是示意地示出第4实施方式中的显示装置的图。
图21是示出像素电极和透镜的变形例的俯视图。
图22是示出着色部和透镜的变形例的剖视图。
图23是示出着色部和透镜的变形例的剖视图。
图24是示出滤色器的变形例的俯视图。
图25是示出像素电极、透镜和着色部的变形例的俯视图。
图26是示出像素电极、透镜和着色部的变形例的俯视图。
图27是示出像素电极、透镜和着色部的变形例的俯视图。
图28是示出像素电极、透镜和着色部的变形例的俯视图。
图29是示意地示出虚像显示装置的内部构造的一部分的图。
标号说明
1：元件基板；2：元件部；4：保护层；5：滤色器；7：平坦化层；9：透光性基板；10：基板；13：扫描线；14：数据线；15：馈电线；16：馈电线；20：有机EL元件；21：反射层；22：绝缘层；23：像素电极；23B：像素电极；23G：像素电极；23R：像素电极；23x：第1像素电极；23y：第2像素电极；23z：基准像素电极；24：功能层；25：公共电极；30：像素电路；31：开关用晶体管；32：驱动用晶体管；33：保持电容；41：第1层；42：第2层；43：第3层；51：着色部；51B：着色部；51G：着色部；51R：着色部；51x：第1着色部；51y：第2着色部；51z：基准着色部；61：透镜层；61a：透镜材料层；62：透光层；62a：堆积层；71：平坦面；80：黑矩阵；90：目镜；100：显示装置；100a：显示装置；100b：显示装置；100c：显示装置；101：数据线驱动电路；102：扫描线驱动电路；103：控制电路；104：外部端子；210：反射部；221：第1绝缘膜；222：第2绝缘膜；223：第3绝缘膜；224：第4绝缘膜；240：发光层；245：开口；246：开口；247：开口；519B：重复部；519G：重复部；610：透镜；610x：第1透镜；610y：第2透镜；610z：基准透镜；611：透镜面；611a：透镜用凸部；612a：透镜用覆膜；900：虚像显示装置；A1：主光线；A10：显示区域；A20：周边区域；D2x：距离；D2y：距离；D6x：距离；D6y：距离；Dx：距离；Dy：距离；EY：眼睛；L：影像光；L0：光学距离；LL：光束；LL0：光束；M1：掩模；M11：图案部；M12：凸部；O1：显示中心；O2：中心；O5：中心；O6：中心；P：像素；P0：子像素；PB：子像素；PG：子像素；PR：子像素；T6：高度；a：角度；a1：法线；dx：距离；dy：距离；θ：发射角；θ1：视场角；θa：倾斜角度；W2：宽度；W5：宽度；W6：宽度。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。另外，在附图中，各部的尺寸、比例尺与实际情况适当不同，还存在为了容易理解而示意地示出的部分。此外，关于本发明的范围，只要在以下的说明中没有特意限定本发明的意思的记载，则不限于这些方式。
1.第1实施方式
1A.显示装置100
图1是示出第1实施方式中的显示装置100的俯视图。下面，为了便于说明，适当使用图1所示的相互正交的x轴、y轴和z轴进行说明。后述的显示装置100具有的元件基板1与x-y平面平行。此外，“俯视观察”是从-z方向观察。后述的透光性基板9和元件基板1重叠的方向是与-z方向平行的方向。后述元件基板1的厚度方向是与-z方向平行的方向。此外，在以下的说明中，透光性意味着针对可见光的透过性，优选是指可见光的透过率为50％以上。
显示装置100是显示全彩色图像的有机EL(场致发光)显示装置。在图像中包含仅显示字符信息的部分。显示装置100具有元件基板1、以及位于元件基板1的+z轴侧的具有透光性的透光性基板9。显示装置100是所谓的顶发射构造。显示装置100从透光性基板9射出光。透光性基板9是保护元件基板1的罩。
元件基板1具有显示图像的显示区域A10和在俯视观察时包围显示区域A10的周边区域A20。另外，显示区域A10的俯视观察形状为四边形，但是不限于此，也可以是其他多边形。此外，显示区域A10的俯视观察形状也可以不完全是四边形，也可以具有带圆角的角，还可以缺失一部分。此外，元件基板1具有多个像素P、数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102、控制电路103和多个外部端子104。
显示区域A10由多个像素P构成。各像素P是图像显示中的最小单位。像素P配置成沿着+x方向和+y方向的矩阵状。各像素P具有得到蓝色的波段的光的子像素PB、得到绿色的波段的光的子像素PG、以及得到红色的波段的光的子像素PR。子像素PB、PG和PR各自的俯视观察时的形状大致为四边形。子像素PB、子像素PG和子像素PR沿着+x方向排列相同色，并且沿着+y方向按顺序反复排列蓝色、绿色和红色。另外，在不区分子像素PB、子像素PG和子像素PR的情况下，标记为子像素P0。子像素P0是构成像素P的要素。子像素P0是要显示的图像的最小单位即单位电路的一例，通过子像素PB、子像素PG、子像素PR表现彩色图像的1个像素。子像素P0独立于其他子像素P0而被控制。
在元件基板1的周边区域A20配置有数据线驱动电路101、扫描线驱动电路102、控制电路103和多个外部端子104。数据线驱动电路101和扫描线驱动电路102是对构成多个子像素P0的各部的驱动进行控制的周边电路。控制电路103对图像的显示进行控制。从未图示的上位电路向控制电路103供给图像数据等。控制电路103将基于该图像数据的各种信号供给到数据线驱动电路101和扫描线驱动电路102。用于实现与未图示的上位电路的电连接的FPC(Flexible printed circuits)基板等连接于外部端子104。此外，未图示的电源电路与元件基板1电连接。
图2是第1实施方式中的子像素P0的等效电路图。如图2所示，在元件基板1上设置有扫描线13和数据线14。扫描线13沿着+y方向延伸。数据线14沿着+x方向延伸。另外，扫描线13和数据线14为多个。多个扫描线13和多个数据线14呈格子状排列。多个扫描线13与图1所示的扫描线驱动电路102连接。多个数据线14与图1所示的数据线驱动电路101连接。与多个扫描线13和多个数据线14的各交叉处对应地设置有子像素P0。这里，像素电极23设置于各子像素P0。像素电极23能够独立于其它像素电极23而设定成相互不同。更具体而言，可以以流过不同电流的方式设定像素电极23，也可以对像素电极23设定不同电压。
各子像素P0包含有机EL元件20和对有机EL元件20的驱动进行控制的像素电路30。有机EL元件20具有像素电极23、公共电极25、以及配置于它们之间的功能层24。像素电极23作为阳极发挥功能。公共电极25作为阴极发挥功能。在该有机EL元件20中，从像素电极23供给的空穴和从公共电极25供给的电子在功能层24中复合，由此，功能层24产生光。另外，馈电线16与公共电极25电连接。从未图示的电源电路向馈电线16供给低位侧的电源电位Vct。
像素电路30具有开关用晶体管31、驱动用晶体管32和保持电容33。开关用晶体管31的栅极与扫描线13电连接。此外，开关用晶体管31的源极或漏极中的一方与数据线14电连接，另一方与驱动用晶体管32的栅极电连接。此外，驱动用晶体管32的源极或漏极中的一方与馈电线15电连接，另一方与像素电极23电连接。另外，从未图示的电源电路向馈电线15供给高位侧的电源电位Vel。此外，保持电容33的一个电极与驱动用晶体管32的栅极连接，另一个电极与馈电线15连接。
当扫描线驱动电路102激活扫描信号而选择扫描线13后，设置于被选择的子像素P0的开关用晶体管31导通。于是，从数据线14向与被选择的扫描线13对应的驱动用晶体管32供给数据信号。驱动用晶体管32对有机EL元件20供给与被供给的数据信号的电位即栅极和源极间的电位差对应的电流。然后，有机EL元件20以与从驱动用晶体管32供给的电流的大小对应的亮度进行发光。此外，在扫描线驱动电路102解除扫描线13的选择而使开关用晶体管31截止的情况下，驱动用晶体管32的栅极的电位由保持电容33保持。因此，有机EL元件20在开关用晶体管31截止后也能够发光。
另外，所述的像素电路30的结构不限于图示的结构。例如，像素电路30也可以还具有对像素电极23与驱动用晶体管32之间的导通进行控制的晶体管。
图3是示出第1实施方式中的显示装置100的部分截面的图，是与图1中的显示装置100的A-A线截面相当的图。在图3中示出显示区域A10中的外缘附近的部分截面。
如图3所示，元件基板1具有基板10、反射层21、绝缘层22、元件部2、保护层4、滤色器5、透镜层61和透光层62。反射层21具有多个反射部210。元件部2具有多个像素电极23、功能层24和公共电极25。即，元件部2具有所述多个有机EL元件20。滤色器5具有多个着色部51。透镜层61具有多个透镜610。此外，反射层21、绝缘层22、元件部2、保护层4、滤色器5、透镜层61和透光层62按照该顺序从基板10朝向透光性基板9排列。
在1个子像素P0中设置有1个反射部210、1个像素电极23、1个着色部51和1个透镜610。另外，下面，将设置于子像素PB的像素电极23设为“像素电极23B”，将设置于子像素PG的像素电极23设为“像素电极23G”，将设置于子像素PR的像素电极23设为“像素电极23R”。另外，在不区分这些像素电极23B、23G和23R的情况下，标记为像素电极23。同样，将设置于子像素PB的着色部51设为“着色部51B”，将设置于子像素PG的着色部51设为“着色部51G”，将设置于子像素PR的着色部51设为“着色部51R”。另外，在不区分这些着色部51B、51G和51R的情况下，标记为着色部51。下面，依次对显示装置100的各部进行说明。
基板10例如是在由硅基板构成的基材上形成有所述像素电路30的布线基板。另外，该基材可以由玻璃、树脂或陶瓷等构成。在本实施方式中，显示装置100为顶发射型，因此，该基材也可以不具有透光性。此外，像素电路30所具有的开关用晶体管31和驱动用晶体管32分别可以是具有激活层的MOS型晶体管，例如激活层可以由硅基板构成。像素电路30所具有的开关用晶体管31和驱动用晶体管32可以是薄膜晶体管，也可以是场效应晶体管。作为构成像素电路30的各部和各种布线的构成材料，例如可举出多晶硅、金属、金属硅化物和金属化合物等导电材料。
在基板10上设置有具有光反射性的反射层21。反射层21具有的多个反射部210例如在俯视观察时呈矩阵状配置。1个反射部210与1个像素电极23对应地配置。即，反射部210和像素电极23一对一地配置。此外，各反射部210在俯视观察时与像素电极23重叠。该各反射部210反射由功能层24具有的发光层240产生的光。因此，各反射部210具有光反射性。
作为反射层21的构成材料，例如可举出Al(铝)和Ag(银)等金属、或这些金属的合金。另外，反射层21也可以具有作为与像素电路30电连接的布线的功能。
在反射层21上配置有具有绝缘性的绝缘层22。绝缘层22具有第1绝缘膜221、第2绝缘膜222、第3绝缘膜223和第4绝缘膜224。覆盖反射层21而配置有第1绝缘膜221。第1绝缘膜221在子像素PB、PG和PR的范围内共同形成。第1绝缘膜221在俯视观察时与像素电极23B、23G以及23R重叠。在第1绝缘膜221上配置有第2绝缘膜222。第2绝缘膜222在俯视观察时与像素电极23R重叠，并且在俯视观察时不与像素电极23B以及23G重叠。覆盖第2绝缘膜222而配置有第3绝缘膜223。第3绝缘膜223在俯视观察时与像素电极23R以及23G重叠，并且在俯视观察时不与像素电极23B重叠。第4绝缘膜224覆盖像素电极23B、23G和23R的各外缘。
绝缘层22对反射部210与后述公共电极25之间的光学距离即光学距离L0进行调整。光学距离L0按照每个发光色而不同。子像素PB中的光学距离L0与蓝色的波段的光对应地设定。子像素PG中的光学距离L0与绿色的波段的光对应地设定。子像素PR中的光学距离L0与红色的波段的光对应地设定。在本实施方式中，在子像素PB、PG和PR中，绝缘层22的厚度不同，因此，光学距离L0按照每个发光色而不同。
作为构成绝缘层22的各层的构成材料，例如可举出氧化硅和氮化硅等硅系无机材料。另外，绝缘层22的结构不限于图3所示的结构。在图3中，在第2绝缘膜222上配置有第3绝缘膜223，但是，例如，也可以在第3绝缘膜223上配置有第2绝缘膜222。
在绝缘层22上配置有多个像素电极23。多个像素电极23配置于基板10与后述透镜层61之间。此外，像素电极23具有透光性。作为像素电极23的构成材料，可举出ITO(IndiumTin Oxide)和IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电材料。多个像素电极23通过绝缘层22而相互电绝缘。像素电极23B配置于第1绝缘膜221的+z轴侧的面。此外，像素电极23G配置于第2绝缘膜222的+z轴侧的面。像素电极23R配置于第3绝缘膜223的+z轴侧的面。
图4是示出第1实施方式中的像素电极23B、23G和23R的俯视图。像素电极23B、23G和23R的各俯视观察时的形状没有特别限定，但是，在图4所示的例子中，大致为四边形。第4绝缘膜224具有在俯视观察时与像素电极23B重叠的开口245、在俯视观察时与像素电极23G重叠的开口246和在俯视观察时与像素电极23R重叠的开口247。开口245、246和247分别是形成于第4绝缘膜224的孔。
如图3所示，像素电极23B、23G和23R的除了各外缘以外的部分露出，并且与功能层24接触。由此，作为像素电极23B实质发挥功能的部分是图4所示的在俯视观察时与开口245重叠的部分。同样，作为像素电极23G实质发挥功能的部分是在俯视观察时与开口246重叠的部分。作为像素电极23R实质发挥功能的部分是在俯视观察时与开口247重叠的部分。这些与开口245、开口246、开口247重叠的部分是有助于发光的发光部分。元件部2中的在俯视观察时与发光部分重叠的部分是发光的发光区域。
在本实施方式中，多个像素电极23的俯视面积相互相等，但是，也可以相互不同。此外，多个像素电极23的宽度W2相互相等，但是，也可以相互不同。另外，宽度W2是沿着+y方向的长度。
功能层24共同地配置于子像素PB、PG和PR。功能层24包含发光层240，该发光层240包含有机发光材料。有机发光材料是发光性的有机化合物。此外，功能层24除了包含发光层240以外，例如还包含空穴注入层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层等。功能层24包含得到蓝色、绿色和红色的各发光色的发光层240而实现白色发光。另外，功能层24的结构不特别限定于所述结构，能够应用公知的结构。
在功能层24上配置有公共电极25。换言之，公共电极25配置于多个像素电极23与后述透镜层61之间。公共电极25共同地配置于子像素PB、PG和PR。公共电极25具有光反射性和透光性。作为公共电极25的构成材料，例如可举出MgAg等包含Ag的合金等各种金属。
公共电极25使由发光层240产生的光在该公共电极25与反射层21之间谐振。通过具有公共电极25和反射层21，构成能够按照每个子像素PB、PG和PR取出期望的谐振波长的光的光谐振构造。通过构成该光谐振构造，可得到在与各发光色对应的谐振波长下强调了亮度的发光。谐振波长由所述光学距离L0决定。在设规定波段的光的光谱的峰值波长为λ0时，以下这种关系式[1]成立。Φ(弧度)表示反射部210与公共电极25之间的透过和反射时产生的相移的总和。
{(2×L0)/λ0+Φ}/(2π)＝m0(m0为整数)·····[1]
以希望取出的波段的光的峰值波长成为λ0的方式设定光学距离L0。根据希望取出的波段的光对光学距离L0进行调整，由此，规定波段的光被增强，能够实现该光的高强度化和该光的光谱的窄宽度化。
另外，在本实施方式中，如上所述，按照每个子像素PB、PG和PR使绝缘层22的厚度不同，由此，对光学距离L0进行调整。但是，例如，也可以按照每个子像素PB、PG和PR使像素电极23的厚度不同，由此，对光学距离L0进行调整。此外，鉴于构成绝缘层22的各层的构成材料具有的折射率，设定绝缘层22的厚度。
在公共电极25上形成有具有透光性的保护层4。保护层4保护有机EL元件20等。保护层4也可以保护各有机EL元件20不受外部的水分或氧等的影响。即，保护层4具有阻气性。因此，与不具有保护层4的情况相比，能够提高显示装置100的可靠性。保护层4包含第1层41、第2层42和第3层43。第1层41、第2层42和第3层43从公共电极25起按照该顺序在+z方向上层叠。
作为第1层41和第3层43的构成材料，分别例如可举出氮氧化硅和氮化硅等包含氮的硅系无机材料。第1层41以包含氮的硅系无机材料作为主体，由此，与以氧化硅作为主体的情况相比，能够提高第1层41中的阻气性。另外，第3层43也同样。
作为第2层42的构成材料，例如可举出环氧树脂等树脂材料。所述第1层41的+z轴侧的面的凹凸受到公共电极25的+z轴侧的面的凹凸的影响。因此，通过具有由树脂材料构成的第2层42，能够良好地缓和第1层41的+z轴侧的面的凹凸。由此，能够使保护层4的+z轴侧的面变得平坦。此外，第2层42的构成材料例如也可以是二氧化硅等氧化硅和氧化铝等无机材料。通过具有由该无机材料构成的第2层42，即使在制造时在第1层41中产生针孔等缺陷，也能够弥补该缺陷。因此，能够特别有效地抑制大气中的水分等将第1层41中可能产生的针孔等缺陷作为通路而传递到功能层24。
另外，在第1层41、第2层42和第3层43中，也可以以不降低各层的功能的程度包含上述构成材料以外的其他材料。此外，保护层4不限于具有第1层41、第2层42和第3层43的结构，也可以还具有除此以外的层。此外，也可以省略第1层41、第2层42和第3层43中的任意2个以上。
在保护层4上配置有滤色器5。滤色器5配置于像素电极23与透镜层61之间。滤色器5使规定波段的光选择性地透过。通过具有滤色器5，与不具有滤色器5的情况相比，能够提高从显示装置100出射的光的色纯度。滤色器5例如由包含色材的丙烯酸系感光性树脂材料等树脂材料构成。使光选择性地透过的规定波段包含由光学距离L0决定的峰值波长λ0。
滤色器5具有使蓝色波段的光透过的着色部51B、使绿色波段的光透过的着色部51G和使红色波段的光透过的着色部51R。此外，着色部51B遮挡绿色波段的光和红色波段的光，着色部51G遮挡蓝色波段的光和红色波段的光，着色部51R遮挡蓝色波段的光和绿色波段的光。
图5是示出第1实施方式中的滤色器5的一部分的俯视图。着色部51的俯视观察时的形状没有特别限定，但是，在图5所示的例子中为四边形。在本实施方式中，1个着色部51与1个像素电极23对应地配置。即，着色部51和像素电极23一对一地配置。此外，各着色部51相对于对应的像素电极23在俯视观察时偏移配置。图5所示的着色部51在俯视观察时与对应的像素电极23的一部分重叠。此外，在俯视观察时，着色部51的中心O5不与像素电极23的中心O2重叠。在后面详细叙述，但是，在俯视观察时，中心O5位于比中心O2更靠显示区域A10的外缘。此外，着色部51的俯视面积比像素电极23的俯视面积大，但是，也可以是像素电极23的俯视面积以下。着色部51与像素电极23中的发光区域的一部分在俯视观察时重叠。换言之，着色部51与开口245、开口246、开口247中的任意一方的一部分在俯视观察时重叠。此外，着色部51的俯视面积比像素电极23中的发光部分的俯视面积大。着色部51的一部分也可以配置于像素电极23与透镜层61之间。
多个着色部51的俯视面积相互相等，但是，也可以相互不同。此外，多个着色部51的宽度W5相互相等，但是，也可以相互不同。另外，宽度W5是沿着+y方向的长度。
如图3所示，在滤色器5上配置有具有透光性的透镜层61。透镜层61具有多个透镜610。在1个子像素P0上设置有1个透镜610。透镜610从滤色器5朝向透光性基板9突出。透镜610是具有透镜面611的微透镜。透镜面611是凸面。另外，透镜610可以是所谓的球面透镜，也可以是所谓的非球面透镜。
多个透镜610的高度T6相互相等，但是，也可以相互不同。另外，高度T6是沿着+z方向的最大长度。
图6是示出第1实施方式中的透镜层61的一部分的俯视图。透镜610的俯视观察时的形状没有特别限定，但是，在图6所示的例子中为圆角的四边形。相邻的2个透镜610彼此的俯视观察时的外缘彼此连接。
1个透镜610与1个像素电极23对应地配置。即，透镜610和像素电极23一对一地配置。此外，各透镜610相对于对应的像素电极23在俯视观察时偏移配置。在俯视观察时，透镜610与对应的像素电极23的一部分重叠。此外，在俯视观察时，透镜610的中心O6不与像素电极23的中心O2重叠。在后面详细叙述，但是，在俯视观察时，中心O6位于比中心O2更靠显示区域A10的外缘。1个透镜610与1个发光区域对应地配置。透镜610在俯视观察时与发光区域重叠。换言之，透镜610在俯视观察时与开口245、开口246、开口247中的任意一方重叠。
另外，如图3所示，优选透镜610在俯视观察时与对应的着色部51以及像素电极23重叠。透镜610和着色部51的重叠也可以是一部分。此外，透镜610和像素电极23的重叠也可以是一部分。优选设置于子像素的像素电极23、着色部51和透镜610按照该顺序排成一列进行配置。设置于子像素的像素电极23的一部分、着色部51的一部分和透镜610的一部分位于一条直线上。
透镜610的俯视面积比像素电极23的俯视面积大，但是，也可以是像素电极23的俯视面积以下。此外，透镜610的俯视面积比像素电极23中的发光部分的俯视面积大。此外，多个透镜610的俯视面积相互相等，但是，也可以相互不同。多个透镜610的宽度W6相互相等，但是，也可以相互不同。另外，宽度W6是沿着+y方向的长度。
如图6所示，1个透镜610与1个着色部51对应地配置。此外，透镜610在俯视观察时与对应的着色部51重叠。在本实施方式中，在俯视观察时，透镜610的中心O6与着色部51的中心O5重叠。另外，在本实施方式中，透镜610的全部与着色部51重叠，但是，也可以是，仅透镜610的一部分与着色部51重叠。此外，在本实施方式中，透镜610的俯视面积与着色部51的俯视面积相等，但是，也可以比着色部51的俯视面积大或小。
作为透镜610的构成材料，可举出具有透光性和绝缘性的材料。具体而言，例如，作为透镜610的构成材料，可举出氧化硅等硅系无机材料和丙烯酸树脂等树脂材料等。
透镜610的构成材料的折射率比后述透光层62的构成材料的折射率低。具体而言，例如，对于波长550nm的可见光，透镜610的构成材料的折射率为1.3以上且1.6以下。
如图3所示，在透镜层61上配置有具有透光性和绝缘性的透光层62。透光层62与多个透镜面611接触。此外，透光层62中的与透光性基板9接触的面是平坦的。
作为透光层62的构成材料，可举出具有透光性和绝缘性的材料。具体而言，例如，作为透光层62的构成材料，可举出环氧树脂等树脂材料。通过使用树脂材料，以涂敷多个透镜面611的方式形成透光层62，由此，容易使透光层62的+z轴侧的面变得平坦。此外，透光层62的构成材料也可以是氧化铝和氮氧化硅等硅系无机材料。
透光层62的构成材料的折射率比透镜610的构成材料的折射率高。例如，对于波长550nm的可见光，透光层62的构成材料的折射率为1.5以上且1.8以下。
此外，如上所述，透镜面611是凸面，但是，透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率低。因此，透镜610发挥作为一般的凹透镜的功能。即，透镜610扩展从对应的有机EL元件20发射的光。在后面详细叙述光的扩展。
在透光层62上配置有具有透光性的透光性基板9。在所述透光层62具有粘接性的情况下，透光性基板9通过透光层62与元件基板1贴合。另外，在透光层62不具有粘接性的情况下，也可以在透光层62与透光性基板9之间配置具有粘接性的部件。
在本实施方式中，透光性基板9的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率低。透光性基板9例如由玻璃基板或石英基板构成。透光性基板9的构成材料的折射率没有特别限定，例如，对于波长550nm的可见光，为1.4以上且1.6以下。另外，透光性基板9的构成材料的折射率也可以比透光层62的构成材料的折射率高，也可以与透光层62的构成材料的折射率相等。
图7是用于说明第1实施方式中的像素电极23、透镜610和着色部51的配置的图。如图7所示，根据显示区域A10中的部位，俯视观察时的透镜610以及着色部51相对于像素电极23的配置关系不同。另外，在图7中，为了容易理解各配置关系，夸大了像素电极23、透镜610和着色部51的图示。
在图7中，显示中心O1在俯视观察时位于显示区域A10的中心。在图7中，将在俯视观察时与显示中心O1重叠的像素电极23设为“基准像素电极23z”，将与基准像素电极23z对应的透镜610设为“基准透镜610z”。将与基准像素电极23z在俯视观察时重叠的着色部51设为“基准着色部51z”。此外，将在俯视观察时位于比显示中心O1更靠外侧的像素电极23设为“第1像素电极23x”，将与第1像素电极23x对应的透镜610设为“第1透镜610x”。将与第1像素电极23x在俯视观察时重叠的着色部51设为“第1着色部51x”。此外，将在俯视观察时位于比第1像素电极23x更靠外侧的像素电极23设为“第2像素电极23y”，将与第2像素电极23y对应的透镜610设为“第2透镜610y”。将与第2像素电极23y在俯视观察时重叠的着色部51设为“第2着色部51y”。另外，如果不存在与显示中心O1重叠的像素电极23，则将最接近显示中心O1的像素电极23设为“基准像素电极23z”。
如图7所示，基准透镜610z以外的透镜610在俯视观察时位于比对应的像素电极23更靠显示区域A10的外侧。具体而言，例如，第1透镜610x在俯视观察时位于比第1像素电极23x更靠外侧。因此，在俯视观察时，第1像素电极23x的中心O2与显示中心O1之间的距离D2x比第1透镜610x的中心O6与显示中心O1之间的距离D6x短。同样，第2透镜610y在俯视观察时位于比第2像素电极23y更靠外侧。因此，在俯视观察时，第2像素电极23y的中心O2与显示中心O1之间的距离D2y比第2透镜610y的中心O6与显示中心O1之间的距离D6y短。
此外，在俯视观察时，第1像素电极23x的中心O2与第1透镜610x的中心O6之间的距离Dx比第2像素电极23y的中心O2与第2透镜610y的中心O6之间的距离Dy短。此外，在本实施方式中，在俯视观察时，透镜610随着比显示中心O1朝向外侧而相对于像素电极23向外侧偏移。由此，俯视观察时的像素电极23的中心O2与透镜610的中心O6之间的距离随着从显示中心O1朝向外侧而增大。
同样，在俯视观察时，第1像素电极23x的中心O2与第1着色部51x的中心O5之间的距离dx比第2像素电极23y的中心O2与第2透镜610y的中心O6之间的距离dy短。此外，在本实施方式中，在俯视观察时，着色部51随着比显示中心O1朝向外侧而相对于像素电极23向外侧偏移。由此，俯视观察时的像素电极23的中心O2与着色部51的中心O5之间的距离随着从显示中心O1朝向外侧而增大。
接着，对从有机EL元件20发射的光的光路进行说明。图8是用于说明第1实施方式中的光路的图。在图8中，示意地示出显示中心O1附近。如图8所示，从有机EL元件20发射的光在从透光性基板9向外部射出时，以发射角θ进行发射。图8示出从设置于1个子像素P0的有机EL元件20的一点发射的光的光束LL。发射角θ是光束LL中的立体角，是以光的强度的峰值即主光线A1为中心的光的扩展角度。
如上所述，透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率低。因此，透镜面611中的折射角比入射角大。因此，光束LL在透镜面611进行折射，由此，比虚线所示的光束LL0更向外侧扩展。光束LL0是不具有透镜面611、透镜层61由与透光层62相同的材料构成的情况下的光束。这样，通过具有透镜610，与不具有该透镜610的情况相比，能够扩展子像素P0中的发射角θ。进而，外部的空气的折射率比透光性基板9的构成材料的折射率小。因此，在透镜面611进行折射的光的光束LL在透光性基板9的表面进行折射，由此，比光束LL0更向外侧扩展。由此，与不具有透光性基板9的情况相比，能够进一步扩展发射角θ。
图9是用于说明第1实施方式中的光路的图。在图9中，示意地示出显示区域A10中的外缘附近。如上所述，在显示区域A10中的外缘附近，相对于像素电极23，与其对应的着色部51位于外侧。因此，如图9所示，能够使主光线A1相对于像素电极23的法线a1倾斜。即，主光线A1的倾斜角度θa增大。倾斜角度θa是像素电极23的法线a1和主光线A1所成的角度。另外，主光线A1向与显示中心O1相反的一侧倾斜。然后，在主光线A1倾斜的状态下，通过透镜610，使光束LL比光束LL0更向外侧扩展。进而，使在透镜面611进行折射的光的光束LL在透光性基板9的表面进行折射，由此，能够比光束LL0更向外侧扩展。
如以上说明的那样，显示装置100包括基板10、具有透镜610的透镜层61、像素电极23和具有着色部51的滤色器5。而且，着色部51在俯视观察时与像素电极23的一部分重叠。此外，如上所述，着色部51在俯视观察时相对于显示中心O1位于比像素电极23更靠外侧。因此，如上所述，能够使主光线A1向外侧倾斜。由此，能够提高视场角特性。
进而，针对1个子像素P0设置有1个像素电极23和1个透镜610。具体而言，1个透镜610与1个像素电极23对应地配置，与对应的像素电极23的一部分在俯视观察时重叠。通过按照每个子像素P0设置透镜610，能够扩展从各子像素P0出射的光的发射角θ。而且，透镜610在俯视观察时相对于显示中心O1位于比对应的像素电极23更靠外侧。因此，在主光线A1向外侧倾斜的结构中，能够扩展发射角θ。因此，能够进一步提高显示装置100的视场角特性。即，可扩大能够没有色偏差等画质变化地观察的视场角的范围。
此外，相对于滤色器5在+z轴侧配置有透镜610。因此，通过透镜610，主光线A1向外侧倾斜，并且，能够扩展透过了滤色器5的色纯度较高的光的发射角θ。因此，与相对于滤色器5在-z轴侧配置有透镜610的情况相比，能够进一步提高视场角特性。
此外，在本实施方式中，在全部子像素P0中设置有透镜610。因此，显示装置100的视场角特性特别优异。另外，也可以不在全部子像素P0中的若干个子像素P0设置透镜610。
此外，着色部51在俯视观察时与透镜610重叠。因此，能够使透过了滤色器5的光高效地入射到透镜610。由此，在主光线A1向外侧倾斜的结构中，能够有效地扩展发射角θ。
此外，如图7所示，第1像素电极23x的中心O2与第1着色部51x的中心O5之间的距离dx比第2像素电极23y的中心O2与第2着色部51y的中心O6之间的距离dy短。因此，能够使从位于显示区域A10的外侧的有机EL元件20出射的光的主光线A1比从位于比其更靠内侧的有机EL元件20出射的光的主光线A1更向外侧倾斜。进而，第1像素电极23x的中心O2与第1透镜610x的中心O6之间的距离Dx比第2像素电极23y的中心O2与第2透镜610y的中心O6之间的距离Dy短。由此，在越是位于外侧的光则主光线A1越向外侧倾斜的结构中，能够扩展发射角θ。因此，能够进一步提高视场角特性。
进而，在本实施方式中，在俯视观察时，着色部51随着比显示中心O1朝向外侧而相对于像素电极23向外侧偏移。同样，在俯视观察时，透镜610随着比显示中心O1朝向外侧而相对于像素电极23向外侧偏移。因此，随着在俯视观察时位于比显示中心O1更靠外侧，能够增大主光线A1的倾斜角度θa。由此，能够减少亮度和色度由于观察显示装置100的角度而变化。
此外，如上所述，透镜610具有凸面的透镜面611。因此，如上所述，能够在透镜面611扩展光束LL。此外，透镜610的形状为凸状，由此，与凹状的情况相比，容易形成透镜610。另外，在后面详细叙述其形成方法。
此外，如上所述，透镜610具有的透镜面611为凸面，但是，透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率低。因此，如图8和图9所示，能够在透镜面611扩展光束LL。
此外，如上所述，透镜层61配置于基板10与透光层62之间。通过按照该顺序配置，在以从基板10侧起进行层叠的方式形成各层的情况下，容易在滤色器5上形成凸状的透镜610。
进而，透镜层61与滤色器5接触。透镜层61与滤色器5接触，由此，与在透镜层61与滤色器5之间配置其他部件的情况相比，能够使透过了滤色器5的光高效地入射到透镜610。由此，能够提高透过了滤色器5的光的利用效率。
另外，也可以在滤色器5、透镜层61、透光层62和透光性基板9各自之间配置其他部件。但是，优选它们被层叠。通过被层叠，能够使透过了滤色器5的光高效地入射到透镜610，并且，能够使透过了透镜610的光高效地向外部出射。
此外，如图6所示，优选透镜610的俯视面积比像素电极23的俯视面积大。通过采用该结构，能够使从有机EL元件20产生的光高效地入射到透镜610。因此，能够实现明亮且发射角θ较宽的显示装置100。
此外，本实施方式中的显示装置100具有有机EL元件20。即，显示装置100还具有像素电极23、公共电极25、以及配置于像素电极23与公共电极25之间的发光层240。显示装置100具有有机EL元件20，由此构成有机EL显示装置。由此，通过具有透镜610和透光层62，能够实现视场角特性优异的有机EL显示装置。
进而，显示装置100具有光谐振构造。通过具有光谐振器构造，实现光的高强度化和该光的光谱的窄宽度化。因此，具有光谐振构造的显示装置100具有透镜610，由此，特别良好地发挥基于透镜面611的发射角θ的扩大效果，视场角特性更加良好。
此外，如上所述，当主光线A1相对于法线a1向外侧倾斜时，光学距离L0变长，谐振条件向短波长侧偏移。因此，通过将着色部51和透镜610的配置变更为外侧，能够成为和主光线A1与法线a1平行的情况下的谐振条件近似的条件。由此，能够抑制谐振条件向短波长侧偏移。其结果，能够减少色不均等。
1B.显示装置100的制造方法
图10是第1实施方式中的显示装置100的制造方法的流程。如图10所示，显示装置100的制造方法包含元件基板准备工序S11、绝缘层形成工序S12、元件部形成工序S13、保护层形成工序S14、滤色器形成工序S15、透镜层形成工序S16、透光层形成工序S17。通过按照该顺序进行这些工序，制造显示装置100。
在元件基板准备工序S11中，形成所述基板10和反射层21。在绝缘层形成工序S12中，形成绝缘层22。在元件部形成工序S13中，在绝缘层22上形成元件部2。即，形成多个有机EL元件20。此外，在保护层形成工序S14中，形成保护层4。在滤色器形成工序S15中，形成滤色器5。元件基板1、反射层21、元件部2、保护层4和滤色器5通过公知技术来形成。
图11、图12、图13和图14分别是用于说明第1实施方式中的透镜层形成工序S16的图。首先，如图11所示，在滤色器5上堆积透镜形成用组成物而形成透镜材料层61a。透镜形成用组成物例如是氧化硅等硅系无机材料和丙烯酸树脂等树脂材料等。在透镜材料层61a的形成中，例如使用CVD法。接着，在透镜材料层61a上形成掩模M1。掩模M1具有多个图案部M11。各图案部M11对应于形成透镜610的位置。掩模M1例如使用通过显影而去除曝光部分的正型感光性抗蚀剂来形成。多个图案部M11通过基于光刻技术的构图来形成。
接着，通过对掩模M1实施回流处理等加热处理，使掩模M1熔融。掩模M1被熔融而成为流动状态，表面由于表面张力的作用而变形为曲面状。通过变形，如图12所示，在透镜材料层61a上形成多个凸部M12。从1个图案部M11形成1个凸部M12。凸部M12的形状大致为半球面状。
接着，对凸部M12和透镜材料层61a实施例如干式蚀刻等各向异性蚀刻。由此，去除凸部M12，伴随着凸部M12的去除，对透镜材料层61a的露出的部分进行蚀刻。其结果，在透镜材料层61a上转印凸部M12的形状，如图13所示，形成多个透镜用凸部611a。接着，与透镜材料层61a即透镜用凸部611a相同的材料例如使用CVD法堆积在透镜用凸部611a上。其结果，如图14所示，在多个透镜用凸部611a上形成透镜用覆膜612a。由此，形成由多个透镜用凸部611a和透镜用覆膜612a构成的透镜层61。
另外，作为从掩模M1加工凸部M12的形状的方法，例如可以采用使用灰度掩模等进行曝光的方法、或进行多阶段曝光的方法等。另外，上述使用了掩模，但是，也可以使用光刻技术由丙烯酸树脂等树脂材料直接形成透镜610。
图15是用于说明第1实施方式中的透光层形成工序S17的图。如图15所示，在透光层形成工序S17中，在透镜层61上堆积透光层形成用组成物而形成透光层62。透光层形成用组成物具有比所述透镜形成用组成物的折射率高的折射率。
例如，在透光层形成用组成物是具有粘接性的粘接剂的情况下，在透镜层61上堆积透光层形成用组成物。然后，在被堆积的透光层形成用组成物上按压透光性基板9，透光层形成用组成物被固化。根据该方法，形成透光层62，并且，透光性基板9与元件基板1贴合。另外，在透光层62不具有粘接性的情况下，在透光层62与透光性基板9之间设置有贴合它们的粘接层。
根据以上方法，能够简单且迅速地形成显示装置100。此外，透镜610的形状为凸状，由此，如上所述，容易使用光刻技术等形成透镜610。因此，与透镜610的形状为凹状的情况相比，能够容易且高精度地形成透镜层61。此外，在透镜层61的构成材料为无机材料的情况下，也容易使用光刻技术等形成凸状的透镜610。此外，透镜层61形成在滤色器5上，由此，能够特别简单地进行着色部51和透镜610的位置对齐。进而，通过在像素电极23上隔着具有透光性的保护层4形成滤色器5，能够良好地进行像素电极23和着色部51的位置对齐。
2.第2实施方式
接着，对本发明的第2实施方式进行说明。图16和图17分别是示意地示出第2实施方式中的显示装置100a的图。在图16中，示意地示出显示中心O1附近。在图17中，示意地示出显示区域A10中的外缘附近。本实施方式与第1实施方式的不同之处在于透镜610的构成材料的折射率和透光层62的构成材料的折射率的关系。另外，在第2实施方式中，针对与第1实施方式相同的事项，沿用第1实施方式的说明中使用的标号并适当省略各自的详细说明。
在本实施方式中，图16所示的透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率高。具体而言，例如，对于波长550nm的可见光，透镜610的构成材料的折射率为1.5以上且1.8以下。另一方面，例如，对于波长550nm的可见光，透光层62的构成材料的折射率为1.3以上且1.6以下。
作为透镜610的构成材料，可举出具有透光性和绝缘性的材料。具体而言，作为透镜610的构成材料，例如可举出环氧树脂等树脂材料。此外，透镜610的构成材料也可以是氧化铝和氮氧化硅等硅系无机材料等无机材料。另一方面，作为透光层62的构成材料，例如可举出氧化硅等硅系无机材料和丙烯酸树脂等树脂材料等。通过使用树脂材料，以涂敷多个透镜面611的方式形成透光层62，由此，容易使透光层62的+z轴侧的面变得平坦。
如上所述，透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率高。因此，透镜面611中的折射角比入射角小。因此，光束LL在透镜面611进行折射，由此，比虚线所示的光束LL0更向内侧收敛。此外，在本实施方式中，透镜610的靠透光性基板9侧的焦点位于透光性基板9的内部。因此，图16所示的光束LL透过透镜610而收敛的位置PL位于透光性基板9的内部。即，光束LL在透光性基板9的内部收敛。然后，光束LL在透光性基板9的内部再次扩展。此外，在透镜面611进行了折射的光的光束LL在透光性基板9的表面进行折射，由此，比光束LL0更向外侧扩展。
此外，如上所述，在显示区域A10中的外缘附近，相对于像素电极23，与其对应的着色部51位于外侧。因此，如图17所示，能够使主光线A1相对于像素电极23的法线a1倾斜。而且，在主光线A1倾斜的状态下，通过透镜610，与光束LL0相比，能够使光束LL最终更向外侧扩展。由此，在本实施方式中，也能够提高显示装置100的视场角特性。
另外，透镜610的靠透光性基板9侧的焦点也可以不在透光性基板9的内部而位于显示装置100的外部。该情况下，例如，在后述虚像显示装置900中，通过在光束LL收敛后再次扩展的部位配置目镜90，能够扩展视场角θ1。
3.第3实施方式
接着，对本发明的第3实施方式进行说明。图18是示意地示出第3实施方式中的显示装置100b的图。图19是用于说明第3实施方式中的显示装置100b的制造方法的图。本实施方式与第1实施方式的不同之处在于透镜层61和透光层62的配置不同，并且具有黑矩阵80。另外，在第3实施方式中，针对与第1实施方式相同的事项，沿用第1实施方式的说明中使用的标号并适当省略各自的详细说明。
在图18所示的显示装置100b中，透光层62和透镜层61按照该顺序从滤色器5朝向透光性基板9排列。换言之，透光层62配置于基板10与透镜层61之间。此外，透镜610从透光性基板9朝向滤色器5侧突出。此外，在本实施方式中，也与第1实施方式同样，透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率低。通过图18所示的透光层62和透镜层61的配置，透镜面611也扩展光束LL。由此，在本实施方式中，也与第1实施方式同样，通过具有透镜610，与不具有该透镜610的情况相比，能够扩展发射角θ。因此，能够提高显示装置100的视场角特性。进而，通过具有透光性基板9，能够进一步扩展发射角θ。
此外，在透镜610彼此之间配置有具有遮光性的所谓的黑矩阵80。通过配置黑矩阵80，能够抑制或防止透过了设置于某个子像素P0的着色部51的光入射到设置于与该子像素P0相邻的子像素P0的透镜610。另外，为了防止相邻的着色部51彼此的混色，也可以在着色部51彼此之间配置与黑矩阵80不同的其他黑矩阵。
如图19所示，在显示装置100b的制造中，在透光性基板9上形成透镜层61。另外，在形成透镜层61之前，在透光性基板9的表面形成黑矩阵80。此外，作为透镜层61的形成方法，使用与第1实施方式中说明的方法相同的方法。在形成透镜层61之后，在透镜层61上形成由透光层形成用组成物构成的堆积层62a。然后，通过使透光性基板9向箭头A9方向移动，向滤色器5按压堆积层62a。然后，在按压的状态下，堆积层62a被固化。通过堆积层62a固化，在滤色器5贴合透光层62。另外，在透光层62不具有粘接性的情况下，在透光层62与滤色器5之间设置有贴合它们的粘接层。
根据该方法，通过在透光性基板9的表面形成透镜层61，能够使用光刻技术等在透光性基板9上容易且高精度地形成凸状的多个透镜610。此外，针对透光性基板9形成透镜层61，因此，即使在缺乏耐热性的有机EL元件20，也能够减少热等对有机EL元件20的影响。
此外，在本实施方式中，透镜610的构成材料的折射率比透光层62的构成材料的折射率低，但是，透镜610的构成材料的折射率也可以比透光层62的构成材料的折射率高。该情况下，也与第2实施方式同样，最终能够扩展发射角θ，因此，能够提高显示装置100的视场角特性。
4.第4实施方式
接着，对本发明的第4实施方式进行说明。图20是示出第4实施方式中的显示装置100c的图。本实施方式与第1实施方式的不同之处在于着色部51B、51G和51R的各厚度不同，并且具有平坦化层7。另外，在第4实施方式中，针对与第1实施方式相同的事项，沿用第1实施方式的说明中使用的标号并适当省略各自的详细说明。
在图20所示的显示装置100c中，着色部51B、51G和51R的各厚度相互不同。例如，调整各厚度以得到适当的色度等。这里，在具有平坦表面的保护层4上形成厚度相互不同的着色部51B、51G和51R，由此，滤色器5的+z轴侧的面具有凹凸。因此，很难在滤色器5的+z轴侧的面形成透镜层61。因此，在本实施方式中的显示装置100c中，在滤色器5上配置具有透光性的平坦化层7。换言之，平坦化层7配置于滤色器5与透镜层61之间。
平坦化层7的+z轴侧的面是平坦面71。平坦面71与透镜层61接触。平坦化层7缓和滤色器5的凹凸。由此，通过具有平坦化层7，能够形成透镜层61而不受滤色器5的+z轴侧的面中的凹凸的影响。
平坦化层7例如通过由无机材料构成的无机层、由有机材料构成的有机层、或无机层和有机层的层叠来构成。
5.变形例
以上例示的各方式能够进行多种变形。下面，例示能够应用于所述各方式的具体的变形方式。从以下例示中任意选择出的2个以上的方式能够在相互不矛盾的范围内适当合并。
5-1.第1变形例
在所述各实施方式中，有机EL元件20具备具有按照每个色而不同的谐振长度的光谐振构造，但是，也可以不具有光谐振构造。元件部2例如也可以具有按照每个有机EL元件20分隔功能层24的分隔壁。此外，像素电极23也可以具有光反射性。该情况下，可以省略反射层21。此外，公共电极25在多个有机EL元件20中是共通的，但是，也可以按照每个有机EL元件20设置单独的阴极。
5-2.第2变形例
像素电极23、透镜610和滤色器5的各俯视观察时的形状不限于所述各实施方式中的形状。图21是用于说明像素电极23和透镜610的变形例的图。图21所示的像素电极23和透镜610的各俯视观察时的形状也可以是长方形。沿着+x方向的长度和沿着+y方向的长度也可以不同。图22是用于说明着色部51和透镜610的变形例的图，对应于图21所示的B-B线截面。图23是用于说明着色部51和透镜610的变形例的图，对应于图21所示的C-C线截面。如图22和图23所示，透镜610的俯视观察时的形状根据发光部分的俯视观察时的形状而适当设定。由此，透镜610的形状也可以对应于图21所示的像素电极23的俯视观察时的形状。另外，着色部51的形状也同样。此外，如图22和图23所示，相邻的透镜610彼此也可以分开。
图24是示出滤色器5的变形例的俯视图。如图24所示，着色部51也可以与多个像素电极23对应地配置。具体而言，着色部51B跟与蓝色对应的多个像素电极23B重叠。着色部51G跟与绿色对应的多个像素电极23G重叠。着色部51R跟与红色对应的多个像素电极23R重叠。在图24所示的例子中，着色部51B、51G和51R呈条状排列。此外，着色部51B、51G和51R也可以在俯视观察时相互重叠。在图24中，着色部51B具有在俯视观察时与着色部51G重叠的重复部519B。着色部51G具有在俯视观察时与着色部51R重叠的重复部519G。
图25、图26、图27和图28分别是示出像素电极23、透镜610和着色部51的变形例的俯视图。在图25、图26和图27中，图示了1个像素P中的像素电极23、透镜610和着色部51。在图28中，粗线包围的部分相当于1个像素P。
如图25所示，多个像素电极23的各俯视观察时的形状也可以相互不同。透镜610和着色部51的各俯视观察时的形状也可以与发光部分的形状一致。由此，透镜610和着色部51的各俯视观察时的形状也可以对应于像素电极23的俯视观察时的形状。因此，如图25所示，多个透镜610的各俯视观察时的形状也可以相互不同。多个着色部51的各俯视观察时的形状也可以相互不同。
如图26所示，着色部51B、51G和51R的排列也可以是所谓的矩形排列。着色部51B、51G和51R也可以不在+y方向上排列。如图26所示，像素电极23和透镜610的各排列与着色部51的排列对应地配置。
如图27所示，着色部51B、51G和51R的排列也可以是所谓的拜耳排列。1个像素P也可以具有同色的多个着色部51。在图27中，1个像素P具有2个着色部51B。
如图28所示，着色部51B、51G和51R的排列也可以是所谓的三角形排列。1个像素P的俯视观察时的形状也可以不是四边形。另外，像素电极23、透镜610和着色部51的各俯视观察时的形状也不限于四边形，例如可以是六边形等四边形以外的多边形，也可以是圆形。
5-3.第3变形例
相对于基准像素电极23z，在俯视观察时，基准着色部51z和第1像素电极23x也可以偏移配置。
6.电子设备
所述实施方式的显示装置100能够应用于各种电子设备。
6A.虚像显示装置900
图29是示意地示出本发明的电子设备的一例即虚像显示装置900的内部构造的一部分的图。图29所示的虚像显示装置900是佩戴在人的头部而进行图像显示的HMD(头戴显示器)。虚像显示装置900具有上述的显示装置100和目镜90。显示装置100中显示的图像作为影像光L而出射。在图29中，作为影像光L，图示了进入眼睛EY的光。
从显示装置100出射的影像光L通过聚光透镜即目镜90被放大。然后，通过目镜90被放大的影像光L被导入人的眼睛EY，由此，人能够看到由影像光L形成的虚像。另外，也可以在目镜90与眼睛EY之间设置有其他各种透镜和导光板等。
在虚像显示装置900中，为了得到较大的虚像，需要增大视场角θ1。为了增大视场角θ1，需要增大目镜90。为了使用俯视面积比目镜90的俯视面积小的显示装置100来增大视场角θ1，需要增大相对于像素电极23的表面的法线a1向外侧扩展的角度a。
虚像显示装置900具有上述的显示装置100。根据显示装置100，能够按照每个子像素P0扩展发射角θ。因此，与现有的装置相比，能够增大角度a。因此，即使使用俯视面积比目镜90的俯视面积小的显示装置100，也能够扩展视场角θ1。由此，即使使用比现有的装置更加小型的显示装置100，人也能够观察与使用现有装置的情况相同大小的虚像。即，能够使用比以往更加小型的显示装置100形成较大的虚像。通过使用这种显示装置100，能够实现虚像显示装置900的小型化。
此外，各子像素P0中的发射角θ扩展，由此，从各子像素P0出射的光到达眼睛EY的光的范围扩大。因此，从上述的各子像素P0出射的光束LL重叠的范围扩大。由此，能够看到虚像的眼睛EY的位置的容许范围扩大。因此，例如能够良好地应对双眼间隔较窄的人、该间隔较宽的人、眼睛EY较大的人和眼睛EY较小的人等个人差异。
另外，作为具有显示装置100的“电子设备”，除了图29中例示的虚像显示装置900以外，还可举出电子实时取景器和电子双筒望远镜等具有目镜的设备。此外，作为“电子设备”，可举出具有显示装置100作为显示部的个人电脑、智能手机和数字照相机等设备。
以上根据图示的实施方式说明了本发明，但是，本发明不限于此。此外，本发明的各部的结构能够置换为发挥上述实施方式的相同功能的任意结构的部件，此外，还能够附加任意结构。此外，本发明也可以彼此组合上述各实施方式的任意结构。
“显示装置”不限于有机EL显示装置，也可以是使用无机材料的EL显示装置、具有液晶的液晶显示装置、具有LED阵列的装置。
“显示装置”不限于显示全彩色图像的装置，也可以是仅显示单色图像的装置。例如，“显示装置”也可以是显示用绿色表现的图像的装置、或显示用橙色表现的图像的装置。
也可以将像素电极23中的与功能层24接触的部分理解为“像素电极”。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，其具有：
基板；
透镜层，其包含透镜，所述透镜具有透镜面；
像素电极，其配置于所述基板与所述透镜层之间；
滤色器，其具有在俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠的着色部；以及
透光层，其与所述透镜面接触且具有透光性，
所述像素电极设置于显示图像的显示区域，
所述透镜在所述俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠，
在所述俯视观察时，所述透镜的中心相对于所述像素电极的中心向外侧偏移，所述透镜面为凸面，
所述透镜的构成材料的折射率比所述透光层的构成材料的折射率低。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述透镜与所述着色部重叠。
3.一种显示装置，其特征在于，其具有：
基板；
透镜层，其包含透镜，所述透镜具有透镜面；
像素电极，其配置于所述基板与所述透镜层之间；
滤色器，其具有在俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠的着色部；以及
透光层，其与所述透镜面接触且具有透光性，
所述像素电极设置于显示图像的显示区域，
所述透镜在所述俯视观察时与所述像素电极的一部分重叠，
在所述俯视观察时，所述透镜的中心相对于所述像素电极的中心向外侧偏移，所述透镜面为凸面，
所述透镜的构成材料的折射率比所述透光层的构成材料的折射率高。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具有：
公共电极，其配置于所述像素电极与所述透镜层之间；以及
发光层，其配置于所述像素电极与所述公共电极之间，包含有机发光材料。
5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的显示装置，其中，
在所述俯视观察时，所述像素电极的中心与所述显示区域的显示中心之间的距离比所述着色部的中心与所述显示中心之间的距离短。
6.根据权利要求1～3中的任意一项所述的显示装置，其中，
所述像素电极是第1像素电极，
所述透镜是第1透镜，
所述着色部是第1着色部，
所述显示装置还具有第2像素电极，该第2像素电极配置于所述基板与所述透镜层之间，
所述滤色器具有在所述俯视观察时与所述第2像素电极的一部分重叠的第2着色部，
在所述俯视观察时，所述第2着色部的中心相对于所述第2像素电极的中心向外侧偏移，
所述透镜层具有在所述俯视观察时与所述第2像素电极的一部分重叠的第2透镜，
在所述俯视观察时，所述第2透镜的中心比所述第2像素电极的中心向外侧偏移，
在所述俯视观察时，所述第1像素电极的中心与所述第1着色部的中心之间的距离比所述第2像素电极的中心与所述第2着色部的中心之间的距离短，
在所述俯视观察时，所述第1像素电极的中心与所述第1透镜的中心之间的距离比所述第2像素电极的中心与所述第2透镜的中心之间的距离短。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置具有：
基板；
透镜层，其包含第1透镜和第2透镜；
第1像素电极和第2像素电极，它们配置于所述基板与所述透镜层之间，设置于显示图像的显示区域；
透光层，其配置在所述第1像素电极及所述第2像素电极与所述基板之间，与所述第1透镜及所述第2透镜接触；以及
滤色器，其包含配置于所述第1像素电极与所述透镜层之间的第1着色部、以及配置于所述第2像素电极与所述透镜层之间的第2着色部，
所述第1着色部在所述基板与所述透镜层之间在俯视观察时与所述第1像素电极的一部分重叠，
所述第2着色部在所述基板与所述透镜层之间在所述俯视观察时与所述第2像素电极的一部分重叠，
所述第1透镜在所述俯视观察时与所述第1像素电极的一部分重叠，
所述第2透镜在所述俯视观察时与所述第2像素电极的一部分重叠，
在所述俯视观察时，所述第2像素电极的中心与所述显示区域的显示中心之间的距离比所述第2透镜的中心与所述显示中心之间的距离短，
在所述俯视观察时，所述第1像素电极与所述第1透镜之间的距离比所述第2像素电极与所述第2透镜之间的距离短，
所述第1透镜及所述第2透镜各自的构成材料的折射率比所述透光层的构成材料的折射率低，
所述第1透镜及所述第2透镜各自的透镜面朝向所述透光层突出。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
在所述俯视观察时，所述第2像素电极的中心与所述显示中心之间的距离比所述第2着色部的中心与所述显示中心之间的距离短。
9.根据权利要求7或8所述的显示装置，其中，
在所述俯视观察时，所述第1像素电极与所述第1着色部之间的距离比所述第2像素电极与所述第2着色部之间的距离短。
10.一种电子设备，其特征在于，其具有权利要求1～9中的任意一项所述的显示装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7006654B2 (ja) * 2019-05-09 2022-01-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置、および電子機器
JP7486980B2 (ja) 2020-02-28 2024-05-20 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置、露光システム、及び表示撮像装置
JP7353834B2 (ja) 2019-07-12 2023-10-02 キヤノン株式会社 表示装置および表示システム
US20210014393A1 (en) * 2019-07-12 2021-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting device, exposure system, imaging display device, imaging device, electronic device, and lighting device
WO2021176882A1 (ja) * 2020-03-03 2021-09-10 ソニーグループ株式会社 発光装置および電子機器
CN116324528A (zh) * 2020-09-27 2023-06-23 上海显耀显示科技有限公司 具有集成的离轴微透镜阵列的显示面板
JP7482076B2 (ja) 2021-04-15 2024-05-13 キヤノン株式会社 画像観察装置
KR20240023150A (ko) * 2021-07-19 2024-02-20 캐논 가부시끼가이샤 표시장치, 촬상장치 및 전자기기
CN117643195A (zh) * 2022-06-30 2024-03-01 京东方科技集团股份有限公司 显示面板与显示装置
WO2024024491A1 (ja) * 2022-07-29 2024-02-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328331A (ja) * 2002-01-23 2002-11-15 Sharp Corp ディスプレイ装置
JP2007057855A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sanyo Electric Co Ltd 画像表示モジュール及び画像表示装置
CN102208432A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 Tdk株式会社 透射式彩色有机el显示装置
JP2016224323A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764014A (ja) 1993-08-25 1995-03-10 Casio Comput Co Ltd 画像表示装置
JP3929099B2 (ja) * 1997-02-13 2007-06-13 オリンパス株式会社 映像表示装置
US6809470B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-26 Intel Corporation Flat panel color display with enhanced brightness and preferential viewing angles
JP4886162B2 (ja) * 2003-06-18 2012-02-29 キヤノン株式会社 撮像装置付き表示装置
JP2005019148A (ja) 2003-06-25 2005-01-20 Seiko Epson Corp 表示装置及びその製造方法
KR100730114B1 (ko) * 2004-04-19 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치
JP5341701B2 (ja) 2009-10-02 2013-11-13 キヤノン株式会社 表示装置およびデジタルカメラ
JP5539907B2 (ja) 2010-03-31 2014-07-02 パナソニック株式会社 表示パネル装置及び表示パネル装置の製造方法
JP2012190626A (ja) 2011-03-10 2012-10-04 Panasonic Corp 発光装置及びその製造方法
JP2013016272A (ja) 2011-06-30 2013-01-24 Canon Inc 表示装置
JP2013114772A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Canon Inc 表示装置
JP2013251173A (ja) 2012-06-01 2013-12-12 Canon Inc 表示装置の製造方法及び表示装置
JP6318676B2 (ja) 2014-02-14 2018-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器
JP2015187635A (ja) 2014-03-26 2015-10-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 色変化部材、光装置、表示装置および電子機器
JP2015216034A (ja) * 2014-05-12 2015-12-03 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置の製造方法及び画像表示装置
US10139669B2 (en) 2014-10-15 2018-11-27 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic instrument
JP6582481B2 (ja) 2015-03-25 2019-10-02 セイコーエプソン株式会社 虚像表示装置
JP2017009625A (ja) * 2015-06-16 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器
JP2017011002A (ja) * 2015-06-18 2017-01-12 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器
JP6641974B2 (ja) * 2015-12-18 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 虚像表示装置
JP6641987B2 (ja) * 2015-12-25 2020-02-05 セイコーエプソン株式会社 虚像表示装置
US10284759B2 (en) * 2017-09-28 2019-05-07 Motorola Mobility Llc Display with interspaced microlenses and corresponding devices and methods
KR20190085258A (ko) * 2018-01-10 2019-07-18 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR102480896B1 (ko) * 2018-01-12 2022-12-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7057147B2 (ja) * 2018-01-31 2022-04-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子及び表示装置
KR102508724B1 (ko) * 2018-02-14 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 지문 센싱 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6673997B2 (ja) 2018-09-28 2020-04-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光装置、表示装置および電子機器
JP7151615B2 (ja) * 2019-05-09 2022-10-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置、および電子機器
JP7006654B2 (ja) * 2019-05-09 2022-01-24 セイコーエプソン株式会社 表示装置、および電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328331A (ja) * 2002-01-23 2002-11-15 Sharp Corp ディスプレイ装置
JP2007057855A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sanyo Electric Co Ltd 画像表示モジュール及び画像表示装置
CN102208432A (zh) * 2010-03-29 2011-10-05 Tdk株式会社 透射式彩色有机el显示装置
JP2016224323A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法

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