CN111902855A - 显示装置的制造方法以及显示装置 - Google Patents

Abstract

在形成由第一金属层构成的多个控制线(G)的工序中，形成将相邻的控制线彼此局部连接的第一金属层分支线(Ga)。在形成由第二金属层构成的多个电源线(P)的工序中，形成经由第一绝缘膜(18)的通孔而使电源线与第一金属层分支线连接的第二金属层连接部(Pb)。将控制线/电源线与显示区域(55)外的电路元件(57)连接，使第一金属层分支线/第二金属层连接部切割。

Description

显示装置的制造方法以及显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置的制造方法以及显示装置。

背景技术

构成显示装置的有源矩阵基板的制造工序包括容易产生静电的工序。所产生的静电使有源矩阵基板内的各种布线的一部分带电，从而使绝缘的布线之间产生高电压。若上述高电压变得比使布线之间绝缘的绝缘膜的绝缘耐压高，则产生静电放电(ElectrostaticDischarge。以下称为“ESD”。)。若产生ESD，则布线之间的绝缘膜被破坏，造成这些布线之间短路，其结果无法使显示装置正常动作。

在专利文献1公开有使用氧化物半导体膜的技术作为针对ESD的对策。在该技术中，通过导体的氧化物半导体膜使最终应该绝缘的布线之间短路至制造工序的中途阶段为止。其后，通过对用于保护氧化物半导体膜的钝化膜进行退火，从而使氧化物半导体膜由导体变化为半导体，使上述布线之间绝缘。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开专利公报“WO2017/170219A1(2017年10月5日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于提供基于与使用氧化物半导体膜的上述对策不同的方法的针对显示装置的ESD的对策。

解决问题的方案

对于本发明的实施的一方式所涉及的显示装置的制造方法而言，上述显示装置具备：

显示区域；

边框区域，其位于上述显示区域的周边；

从上述显示区域至上述边框区域设置的多个控制线、与上述多个控制线平行的多个电源线以及与上述多个控制线交叉的多个数据信号线；

控制电路，其配置为在上述边框区域中沿与上述多个控制线垂直的方向上成为长边方向，并对上述多个控制线输入控制信号；以及

分别依次层叠的基底绝缘膜、形成上述多个控制线的第一金属层、第一绝缘膜、形成上述多个电源线的第二金属层、第二绝缘膜以及形成上述多个数据信号线的第三金属层，

上述多个控制线在上述边框区域中经由上述第二金属层或者第三金属层而与上述控制电路电连接，

在上述显示装置的制造方法中，包括：

基底绝缘膜工序，形成上述基底绝缘膜；

第一金属层工序，通过使上述第一金属层成膜并对该第一金属层进行图案化，从而形成上述多个控制线，并且在上述控制电路以及上述显示区域各自的形成位置的间隙中，形成从各控制线朝向邻接的控制线分支的第一金属层分支线；

第一绝缘膜工序，通过使上述第一绝缘膜成膜并对该第一绝缘膜进行图案化，从而以与上述第一金属层分支线重叠的方式在上述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第一开口部；

第二金属层工序，通过使上述第二金属层成膜并对该第二金属层进行图案化，从而形成上述多个电源线，并且在上述间隙中，形成从各电源线分支的第二金属层分支线以及经由上述第一绝缘膜第一开口部而与上述第一金属层分支线连接的第二金属层连接部；

第二绝缘膜工序，通过使上述第二绝缘膜成膜并对该第二绝缘膜进行图案化，从而以使上述第一绝缘膜第一开口部、上述第二金属层分支线的一部分以及上述第二金属层连接部的一部分露出的方式在上述第二绝缘膜形成第二绝缘膜第一开口部；

以及第三金属层工序，使上述第三金属层成膜并对该第三金属层进行图案化，并且对形成于上述第一绝缘膜第一开口部的第一金属层分支线、形成于上述第二绝缘膜第一开口部的第二金属层分支线以及上述第二金属层连接部进行蚀刻。

另外，本发明的实施的一方式所涉及的显示装置具备：

显示区域；

边框区域，其位于上述显示区域的周边；

从上述显示区域至上述边框区域设置的多个控制线、与上述多个控制线平行的多个电源线以及与上述多个控制线交叉的多个数据信号线；

控制电路，其配置为在上述边框区域中与上述多个控制线垂直的方向作为长边方向，并对上述多个控制线输入控制信号；以及

分别依次层叠的基底绝缘膜、形成上述多个控制线的第一金属层、第一绝缘膜、形成上述多个电源线的第二金属层、第二绝缘膜以及形成上述多个数据信号线的第三金属层，

上述多个控制线在上述边框区域中经由上述第二金属层或者第三金属层而与上述控制电路电连接，

在上述显示装置中，

在上述控制电路与上述显示区域之间的间隙中，且在上述多个控制线形成有从彼此相邻的控制线中的一方的控制线向另一方的控制线分叉的第一金属层第一分支线以及从上述另一方的控制线向上述一方的控制线分叉的第一金属层第二分支线，

上述第一金属层第一分支线和上述第一金属层第二分支线隔着形成于上述第一绝缘膜的第一绝缘膜第一开口部而对置，

在上述一方的控制线与上述另一方的控制线之间具备上述电源线，在上述一方的控制线与上述电源线之间，并且以与上述第一金属层第一分支线以及上述第一金属层第二分支线交叉的方式形成有在上述第二金属层形成的第二金属层交叉部，

在上述第二绝缘膜以包括上述第一绝缘膜第一开口部的方式形成有第二绝缘膜第一开口部，上述第二金属层交叉部形成为包围上述第一绝缘膜第一开口部以及上述第二绝缘膜第一开口部。

发明效果

在上述显示装置的制造方法以及显示装置中，在至控制线经由第二金属层或者第三金属层而与控制电路电连接为止的期间，能够成为多个控制线以及多个电源线电连接的状态。因此，与多个控制线以及多个电源线分别电绝缘而形成的状态比较，能够减少绝缘膜的破坏的风险。

附图说明

图1是表示本发明的实施的一方式所涉及的显示装置的制造方法的流程图。

图2是表示上述显示装置的显示区域的结构的剖视图。

图3是更详细地示出图1的流程图的一部分工序的流程图。

图4是上述显示装置的俯视图。

图5是在构成上述显示装置的有源矩阵基板的一形式(第一实施方式)中，针对该有源矩阵基板的一部分(控制电路以及显示区域各自的形成位置的间隙的一部分。)，示出其制造的中途阶段的结构的俯视图。

图6是表示图5的A-A'线以及B-B'线的剖面的剖视图。

图7是针对上述有源矩阵基板的一部分，示出比图5的阶段靠后段的结构的俯视图。

图8是表示图7的A-A'线以及B-B'线的剖面的剖视图。

图9是与上述有源矩阵基板的变形例相关的与图5对应的俯视图。

图10是与上述有源矩阵基板的变形例相关的与图6对应的剖视图。

图11是与上述有源矩阵基板的变形例相关的与图7对应的俯视图。

图12是与上述有源矩阵基板的变形例相关的与图8对应的剖视图。

图13是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)相关的与图5对应的俯视图。

图14是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)相关的与图6对应的剖视图。

图15是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)相关的与图7对应的俯视图。

图16是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)相关的与图8对应的剖视图。

图17是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)的变形例相关的与图5对应的俯视图。

图18是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)的变形例相关的与图6对应的剖视图。

图19是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)的变形例相关的与图7对应的俯视图。

图20是与上述有源矩阵基板的其他形式(第二实施方式)的变形例相关的与图8对应的剖视图。

具体实施方式

[显示装置的基本形式]

1.显示装置的制造工艺和显示区域的剖面结构

以下，“同层”是指在同一工艺(成膜工序)中形成，“下层”是指在相较于比较对象的层之前的工艺中形成，“上层”是指在相较于比较对象的层之后的工艺中形成。

图1是表示显示装置(显示设备)的制造方法的一个例子的流程图。图2是表示显示装置的显示区域的结构的剖视图。此外，在以下中，假定柔性显示装置进行说明，但本发明不限定于柔性显示装置。

在制造柔性显示装置的情况下，如图1以及图2所示，首先，在透光性的支承基板(例如，母玻璃)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成势垒层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发光型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6上粘贴上表面膜(步骤S6)。

接着，通过激光照射等使支承基板从树脂层12剥离(步骤S7)。接着，在树脂层12的下表面粘贴下表面膜10(步骤S8)。接着，将包括下表面膜10、树脂层12、基底绝缘膜3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体切割，得到多个单片(步骤S9)。接着，在所得到的单片上粘贴功能膜39(步骤S10)。接着，在比形成有多个子像素的显示区域更靠外侧(非显示区域、边框区域)的一部分(端子部)安装电子电路基板(例如，IC芯片以及FPC)(步骤S11)。此外，步骤S1～S11由显示装置制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)进行。

作为树脂层12的材料，例如可举出聚酰亚胺等。树脂层12的部分还能够通过两层树脂膜(例如聚酰亚胺膜)以及由它们夹着的无机绝缘膜取代。

基底绝缘膜3是防止水、氧气等异物侵入TFT层4以及发光元件层5的层，例如能够由通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜、或者这些膜的层叠膜构成。

TFT层4包括：半导体层15、比半导体层15靠上层的栅极绝缘膜(无机绝缘膜)16、比栅极绝缘膜16靠上层的第一金属层(栅电极GE以及栅极布线GH)、比第一金属层靠上层的第一绝缘膜(无机绝缘膜)18、比第一绝缘膜18靠上层的第二金属层(电源线(图2中未示出)以及电容电极CE)、比第二金属层靠上层的第二绝缘膜(无机绝缘膜)20、比第二绝缘膜20靠上层的第三金属层(数据信号线(源极布线)SH)、比第三金属层靠上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。

半导体层15例如由低温多晶硅(LTPS)或者氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系的半导体)构成，并以包括半导体层15以及栅电极GE的方式构成晶体管(TFT)。图2中，晶体管以顶栅构造示出，但也可以是底栅构造。

栅电极GE、栅极布线GH、电容电极CE以及源极布线SH例如由包括铝、钨、钼、钽、铬、钛、铜的至少一种的金属单层膜或层叠膜构成。图2的TFT层4包括一层半导体层以及三层金属层。

栅极绝缘膜16、第一绝缘膜18以及第二绝缘膜20例如能够由通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或者这些膜的层叠膜构成。平坦化膜21能够由例如聚酰亚胺、丙烯酸等能够涂覆的有机材料构成。

发光元件层5包括：比平坦化膜21靠上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23靠上层的EL(电致发光)层24、比EL层24靠上层的阴极25。边缘罩23例如通过在涂覆了聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料后利用光刻进行图案化而形成。

对于每个子像素，发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)形成于发光元件层5，该发光元件ES包括岛状的阳极22、EL层24以及阴极25，控制发光元件ES的子像素电路形成于TFT层4。

EL层24例如通过从下层侧依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法，在边缘罩23的开口(对每个子像素)以岛状形成。其他层以岛状或实体状(共用层)形成。另外，也能够构成为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一个以上的层。

在对OLED的发光层进行蒸镀形成的情况下，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有许多开口的片材(例如，殷钢材料制)，并通过经过了一个开口的有机物质而形成岛状的发光层(与一个子像素对应)。

QLED的发光层例如通过对使量子点扩散的溶剂进行喷墨涂覆，从而能够形成岛状的发光层(与一个子像素对应)。

阳极(阳极)22由例如ITO(Indium Tin Oxide)和包括Ag(银)或Ag的合金的层叠构成，并具有光反射性。阴极(阴极)25能够由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(Indium zincOxide)等透光性的导电材料构成。

在发光元件ES为OLED的情况下，通过阳极22以及阴极25之间的驱动电流使空穴和电子在发光层内再结合，由此产生的激子向基态转变的过程中放出光。阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，因此从EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发光。

在发光元件ES为QLED的情况下，通过阳极22以及阴极25之间的驱动电流使空穴和电子在发光层内再结合，由此产生的激子从量子点的导带能级(conduction band)向价带能级(valence band)转变的过程中放出光(荧光)。

也可以在发光元件层5形成除上述的OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。

密封层6是透光性的，且包括覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26靠上层的有机缓冲膜27、比有机缓冲膜27靠上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧气等异物向发光元件层5的浸透。

无机密封膜26以及无机密封膜28分别是无机绝缘膜，例如能够由通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者这些的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，能够由丙烯酸等能够涂覆的有机材料构成。有机缓冲膜27例如能够通过喷墨涂覆形成，但也可以将用于阻挡液滴的堤部设置于非显示区域。

下表面膜10是用于通过在剥离了支承基板后粘贴于树脂层12的下表面而实现柔软性优异的显示装置的例如PET膜。功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能的至少一个。

以上对柔性显示装置进行了说明，但在制造非柔性显示装置的情况下，通常不需要树脂层的形成、基材的替换等，因此例如在玻璃基板上进行步骤S2～S5的层叠工序，之后转移至步骤S9。

2.有源矩阵基板的制造工艺

基于图3所示的流程图(一并参照图2的剖视图)，对构成显示装置的有源矩阵基板的制造工艺进行说明。

此外，图3的流程图更详细地示出图1的流程图的步骤S1～S3所含的工序以及步骤S4所含的工序的一部分。另外，图3中，“沉积”是指基于沉积作用即沉积的膜形成。并且，图3中，“光刻”表示通过与下一个工序的“图案化”的组合而进行光刻。

首先，基于图3的(a)，对晶体管成为顶栅构造的有源矩阵基板的制造工艺进行说明。

通过在支承基板上涂覆聚酰亚胺并沉积缓冲无机膜再进一步涂覆聚酰亚胺而形成树脂层12(步骤S101～S103)。

以下，在针对进行涂覆、沉积的情况下的基底没有明确记载的情况下，使通过至其前段为止形成的膜、层而形成的表面成为基底。

沉积底涂层，形成基底绝缘膜3(步骤S104)。

沉积半导体层，进行光刻，形成图案化后的半导体层15(步骤S105～S107)。

沉积无机绝缘膜，形成栅极绝缘膜16(步骤S108)。

沉积第一金属层，进行光刻，通过第一金属层的图案化形成栅电极GE/栅极布线GH(步骤S109～S111)。

通过沉积无机绝缘膜并进行光刻而形成在规定位置设置有接触孔的第一绝缘膜18(步骤S112～S114)。

沉积第二金属层并进行光刻，利用第二金属层的图案化形成电源线/电容电极CE(步骤S115～S117)。

通过沉积无机绝缘膜并进行光刻而形成在规定位置设置有接触孔的第二绝缘膜20(步骤S118～S120)。此外，步骤S119/S120的接触孔的形成也对栅极绝缘膜16以及第一绝缘膜18实施。

通过蚀刻去除除沉积于折弯部54(参照后述的图4。)的无机绝缘膜(步骤S121)。

涂覆平坦化膜，进行光刻，形成图案化后的平坦化膜(步骤S122～S124)。此外，该平坦化膜在图2的结构中省略。

沉积第三金属层，进行光刻，利用第三金属层的图案化形成源极布线SH(步骤S125～S127)。

涂覆平坦化膜，进行光刻，形成图案化后的平坦化膜21(步骤S128～S130)。

沉积反射电极层，进行光刻，利用反射电极层的图案化形成阳极22(步骤S131～S133)。

涂覆堤部，进行光刻，形成图案化后的堤部(步骤S134～S136)。

另一方面，晶体管成为双栅极构造的有源矩阵基板的制造工艺如图3的(b)所示那样，在图3的(a)的步骤S104和步骤S105之间，通过底栅用金属层的沉积、光刻、图案化形成底栅金属层，然后进行底栅绝缘膜的沉积即可(步骤(S104.1～S104.4)。

3.显示装置的平面结构

基于图4所示的显示装置的俯视图，对显示装置的平面结构进行说明。此外，图4图示柔性显示装置。

在矩形的柔性基板51(由下表面膜10、树脂层12等构成。)，沿着其一端(图4中右端。)形成有端子部52。从端子部52将引绕布线53朝向柔性基板51的中央侧引绕。在引绕布线53的中途形成有折弯部54。通过在该折弯部54中将柔性基板51折弯，从而端子部52配置于显示装置的背面侧。

在引绕布线53的前端侧形成有显示区域55以及包围显示区域55的边框区域56。此外，有时包括端子部52、折弯部54的也称为边框区域56。

从显示区域55至边框区域56设置有以下的布线。

·由第一金属层形成，并由栅极布线GH、发光控制线等构成的许多控制线G。

·由第二金属层形成，与控制线G平行地配置，并由初始化电源线、高压电源线ELVDD等构成的许多电源线P。

·由第三金属层形成，并配置为与控制线G交叉的许多数据信号线SH、高压电源线ELVDD。

此外，第二金属层的高电源电压线ELVDD和第三金属层的高电压电源线ELVDD彼此交叉，在交叉部中电连接。

另外，高压电源线ELVDD以及初始化电源线彼此通过在端部(控制电路57以及显示区域55各自的形成位置的间隙。)中的由不同层构成的源极层的引绕而相互连接。此外，初始化电源线彼此也可以不进行基于上述源极层的引绕而保持第二金属层原样连接多个初始化电源线彼此。

分别形成于第一金属层、第二金属层以及第三金属层的布线的种类不局限于上述，能够适当地变更。例如，也可以是，作为第一金属层而形成栅极布线GH、初始化电源线，作为第二金属层而形成高电压电源线ELVDD、发光控制线。换句话说，本发明的构造能够在由第一金属层或者第二金属层形成且在显示区域55内的电独立的布线中应用。

在边框区域56以沿与控制线G垂直的方向作为长边方向的方式配置有控制电路(栅极信号控制电路)57。控制电路57对控制线G输入控制信号。另外，在相对于控制电路57而隔着沟槽58的外侧，以沿着控制电路57的方式配置有发光控制电路59。发光控制电路59对发光控制线输入控制信号。此外，实际上也配置有对其他布线输入信号、电力的电路，针对这些，图4中省略图示。

以包围以显示区域55、沟槽58、控制电路57、发光控制电路59为首的各种电路的方式形成有用于阻挡喷墨涂覆时的液滴的第一堤部60以及第二堤部61。在第一堤部60以及第二堤部61的上方，去除引绕布线53的配置区域之外，以沿着第一堤部60以及第二堤部61的方式形成有由与数据信号线SH相同层构成的金属层62。

4.针对ESD的对策

以下，对针对以上述的显示装置为前提的新的ESD的对策进行说明。若对作为前提的显示装置的与本对策相关的基本结构进行总结，则如以下那样。

即，对于本显示装置而言，

·具备显示区域55和位于显示区域55的周边的边框区域56。

·具备：从显示区域55至边框区域56设置的多个控制线G、与多个控制线G平行的多个电源线P以及与多个控制线G交叉的多个数据信号线SH。

·具备控制电路57，上述控制电路57在边框区域56中以沿与多个控制线G垂直的方向作为长边方向的方式配置，并对多个控制线G输入控制信号。

·具备分别依次层叠的基底绝缘膜(防湿层)3、形成多个控制线G的第一金属层(栅极层)、第一绝缘膜18、形成多个电源线P的第二金属层(M3)、第二绝缘膜20以及形成多个数据信号线SH的第三金属层(源极层)。

·多个控制线G在边框区域56中经由第二金属层或者第三金属层与控制电路57电连接。

如图4所示那样，在构成本显示装置的有源矩阵基板形成有许多布线彼此经由绝缘膜而重叠的位置(以下，称为“重叠位置”。)。特别是，对于发光元件ES为OLED、QLED的有源矩阵基板而言，与LCD(液晶)用的有源矩阵基板相比，画素内的布线密度高，而且TFT的数量也多，因此重叠位置多。

若存在重叠位置，则由于在有源矩阵基板的制造工序中产生的ESD，使重叠位置处的绝缘膜破坏，产生由布线之间的短路引起的电流泄漏的风险。特别是，对于重叠位置的数量多的OLED、QLED用的有源矩阵基板而言，上述风险也高，这成为成品率降低的要因。

作为针对ESD的对策，也考虑在有源矩阵基板的外周区域设置短路环的结构。其中，在该结构中，利用将第三金属层图案化而第一次形成的短路环。显示区域55内的由第一金属层、第二金属层形成的独立的布线(例如控制线、电源线)经由第三金属层而电连接。作为其结果，上述布线在外周区域中与短路环连接。换句话说，在上述结构中，将第三金属层图案化而第一次完成针对ESD的对策，此前的工序中没有针对ESD的对策。此外，在基板的切割工序中，上述短路环电切割。

如上述那样，在本显示装置中，多个控制线G在边框区域56中经由第二金属层或者第三金属层与控制电路57电连接。这是因为需要在显示区域55的周边配置有扫描信号线的驱动器(GDM)、高电源电压线(ELVDD)、低电源电压线(ELVSS)等共用布线，并避开这些而将多个控制线G和控制电路57连接。

因此，至完成上述连接为止，控制电路57之间的域内的多个控制线G通常成为分别独立的岛状布线。当在这样的岛状布线产生了静电的情况下，无法使电荷从该岛状布线逸出，该岛状布线相对于其他布线等的电位差容易变大。作为其结果，这样的岛状布线容易引起上述绝缘膜的破坏。

并且，电独立的控制线G的工序为初期，且在形成后不实施使用真空装置的绝缘膜的成膜工序，所以在形成后容易产生静电。

此外，针对电源线P，由于在比控制线G靠后的工序中形成，所以虽存在程度之差但也产生与和绝缘膜的破坏相关的上述相同的问题。并且，若通过第二金属层在显示区域55内形成独立的布线则产生相同的问题。换句话说，本发明能够用于显示区域55内的第一金属层或者第二金属层的岛状布线。

因此，在本实施方式中，采取以下示出概要的针对ESD的对策。

·在形成多个控制线G时，分别设置将彼此相邻的控制线G彼此连结的连结部。

·在形成多个电源线P时，设置从各电源线P延伸至与上述连结部重叠的区域的分支部。而且，经由形成于第一绝缘膜18的通孔将电源线P的分支部与控制线G的连结部连接。

通过这些，能够成为多个控制线G以及多个电源线P全部电连接的状态，但通过在其一部分设置电阻值相对高的部分，从而使通过在该部分由于静电而产生的电流短路。作为其结果，能够抑制各布线与其他布线等之间的电位差变大，能够减少绝缘膜的破坏的风险。

此外，以下，将上述对策称为“ESD对策”。

另一方面，多个控制线G以及多个电源线P最终必需电独立。因此，在本实施方式中，还采取以下的措施。

·在形成多个数据信号线SH时的图案化中，使电源线P的分支部与控制线G的连结部的连接切割，并且使连结控制线G彼此的连结部切割。

这能够通过在用于形成数据信号线SH的图案的蚀刻中实施过蚀刻而实现。

此外，以下，将上述措施称为“切割措施”。

另外，在实施切割措施时，通过形成数据信号线SH的第三金属层形成短路环，因此能够实现基于该短路环的针对ESD的对策。换句话说，上述“ESD对策”在至第三金属层的图案化为止的期间特别有效。

以下，对ESD对策的更具体的结构进行说明。

[第一实施方式]

图5以及图6分别是表示图3的流程图中的步骤S125，即第三金属层成膜的工序的紧前的有源矩阵基板的状态的俯视图以及剖视图。此外，图6的(a)以及(b)分别是图5的A-A'线剖视图以及B-B'线剖视图。

在本实施方式中，省略与平坦化膜相关的步骤S122～S124。在形成平坦化膜的情况下，在图6的剖面中以与第二绝缘膜20相同的方式图案化即可。

在至本第一实施方式的有源矩阵基板达到图5以及图6的状态为止所经过的工序中，若以特征的工序为中心进行说明则如以下那样。

·基底绝缘膜工序(步骤S104)：形成基底绝缘膜3。

·第一金属层工序(步骤S109～S111)：通过使第一金属层成膜，并对该第一金属层进行图案化，从而形成多个控制线G，并且在之后形成的控制电路57以及显示区域55各自的形成位置的间隙，形成从各控制线G朝向彼此相邻的控制线G分叉的第一金属层分支线Ga。

此外，彼此相邻的多个控制线G共用第一金属层分支线Ga。另外，第一金属层分支线Ga的布线宽度形成为比控制线G的布线宽度小。由此，第一金属层分支线Ga比控制线G电阻大，即便在至第二金属层成膜为止产生了静电的情况下，也能够使作为实际的信号的布线没有贡献的第一金属层分支线Ga中产生短路。此外，虽未图示，但针对第一金属层分支线Ga，若将与电源线P重叠的区域和不与电源线P重叠的区域进行比较，则优选为不与电源线P重叠的区域的布线宽度更小(参照后述的第三变形例(图9))。由此，当在第一金属层分支线Ga中产生了短路的情况下，能够抑制对后面成膜的电源线P的影响。

·第一绝缘膜工序(步骤S112～S114)：通过使第一绝缘膜18成膜并对该第一绝缘膜18进行图案化，由此以与第一金属层分支线Ga重叠的方式在第一绝缘膜18形成第一绝缘膜第一开口部18a。由此，在第一绝缘膜第一开口部18a中使第一金属层分支线Ga露出。

此外，第一绝缘膜第一开口部18a需要比从第一绝缘膜第一开口部18a露出的第一金属层分支线Ga的线宽更宽地形成。这是为了如后述那样，与第三金属层的图案化同时，切断彼此相邻的控制线G的电连接。

·第二金属层工序(步骤S115～S117)：通过使第二金属层成膜，并对该第二金属层进行图案化，由此形成多个电源线P，并且在上述间隙中，形成从各电源线P分叉的第二金属层分支线Pa以及经由第一绝缘膜第一开口部18a而与第一金属层分支线Ga连接的第二金属层连接部Pb。此外，图5中赋予了剖面线的部分表示在第一绝缘膜第一开口部18a露出的第一金属层分支线Ga和第二金属层连接部Pb所接触的部分。

此外，也可以是，在第二金属层工序中，在从第二金属层分支线Pa至第二金属层连接部Pb的一部分形成颈部Pc，即形成第二金属层分支线Pa或者第二金属层连接部Pb的宽度局部变窄的部分。该颈部Pc以使电流在电源线P与控制线G之间流动时的电流路径的截面积局部变小的方式形成。

·第二绝缘膜工序(步骤S118～S120)：通过使第二绝缘膜20成膜，并对该第二绝缘膜20进行图案化，由此以包括第一绝缘膜第一开口部18a的方式在第二绝缘膜20形成第二绝缘膜第一开口部20a。而且，在第二绝缘膜第一开口部20a中，使第二金属层连接部Pb露出。

此外，在图5的俯视图中，省略第一绝缘膜18以及第二绝缘膜20，并且分别通过双点划线以及单点划线图示第一绝缘膜第一开口部18a以及第二绝缘膜第一开口部20a的区域。

根据以上内容，在至采取上述的“切割措施”为止的期间，能够实现上述的“ESD对策”。

此外，形成有颈部Pc的部分电阻值相对变高。而且，在特定的控制线G以及电源线P中，由于因静电的电荷而产生的大电流而在颈部Pc部分产生断线(静电破坏)。由此，能够牺牲不作为实质的布线发挥功能的颈部Pc而保护布线。

即便不形成颈部Pc，但若从第二金属层分支线Pa至第二金属层连接部Pb的线宽比控制线G以及电源线P的线宽小地形成，则能够得到与上述相同的效果。

图7以及图8是分别表示图3的流程图中的步骤S127即对第三金属层进行图案化的工序结束的阶段中的有源矩阵基板的状态的俯视图以及剖视图。但是，在图7以及图8所图示的范围没有形成第三金属层。此外，图8的(a)以及(b)分别是图7的A-A'线剖视图以及B-B'线剖视图。

此外，图7中，为了明确第二金属层分支线Pa、第二金属层连接部Pb以及颈部Pc中的后述的通过蚀刻去除的部分与没有通过蚀刻去除的部分(由第二绝缘膜20覆盖的部分。)之间的区别，对后者填充点图案。另外，图8的(a)以及(b)分别是图7的A-A'线剖视图以及B-B'线剖视图。

该有源矩阵基板至达到图7以及图8的状态为止，经由以下的工序。

·第三金属层工序(步骤S125～127)：使第三金属层成膜，对该第三金属层进行图案化，并且对形成于第一绝缘膜第一开口部18a的第一金属层分支线Ga和形成于第二绝缘膜第一开口部20a的第二金属层连接部Pb进行蚀刻。

通过进行上述蚀刻，能够使电源线P与控制线G之间的电连接切断，并且能够使彼此相邻的控制线G的电连接切断。

另外，若将第三金属层图案化，则电源线P、控制线G经由第三金属层与形成于边框区域56的短路环电连接。

上述蚀刻能够通过在用于对第三金属层图案化的蚀刻中进行过腐蚀来实现。

此外，形成于第一绝缘膜第一开口部18a的第一金属层分支线Ga以及形成于第二绝缘膜第一开口部20a的第二金属层连接部Pb的去除也能够在用于对形成在平坦化膜21上的阳极22进行图案化的蚀刻中进行。例如，在阳极22包括银(Ag)、第一金属层以及第二金属层包括钼(Mo)的情况下，银的蚀刻剂也蚀刻钼，因此能够执行上述去除。在这种情况下，也在平坦化膜21设置与第二绝缘膜20相同形状的开口部即可。

通过经由上述工序，此前彼此电连接的各控制线G以及各电源线P以分别电独立的方式切割。由此，能够执行上述的“切割措施”。

根据以上内容作成的本第一实施方式的有源矩阵基板具备以下的结构。

·在控制电路57与显示区域55之间的间隙，且在多个控制线G，形成有从彼此相邻的控制线G中的一方的控制线G向另一方的控制线G分叉的第一金属层第一分支线Ga，以及从另一方的控制线G向一方的控制线G分叉的第一金属层第二分支线Ga。

·第一金属层第一分支线Ga和第一金属层第二分支线Ga隔着形成于第一绝缘膜18的第一绝缘膜第一开口部18a而对置。

·电源线P位于上述一方的控制线G与上述另一方的控制线G之间。

·在上述一方的控制线G和上述电源线P之间，并且以与第一金属层第一分支线Ga以及第一金属层第二分支线Ga交叉的方式形成有在第二金属层形成的第二金属层交叉部。

·在第二绝缘膜以包括第一绝缘膜第一开口部18a的方式形成有第二绝缘膜第一开口部20a。

·第二金属层交叉部形成为包围第一绝缘膜第一开口部18a以及第二绝缘膜第一开口部20a。

·形成有从电源线P分叉并向第二金属层交叉部连接的第二金属层分支线Pa。第二金属层交叉部也可以具有包围第一绝缘膜第一开口部18a以及第二绝缘膜第一开口部20a的环状部。

·第二金属层分支线Pa也可以在上述环状部与从电源线P起的分支点之间具有颈部Pc。

[第一实施方式变形例]

图9～图12表示上述第一实施方式的变形例，分别与上述第一实施方式的图5～图8对应。此外，图9中赋予剖面线的部分表示在第一绝缘膜第一开口部18a/第一绝缘膜第二开口部18b露出的第一金属层分支线Ga和第二金属层连接部Pb/岛状第二金属层Pd接触的部分。另外，图10的(a)以及(b)分别是图9的A-A'线剖视图以及B-B'线剖视图，图12的(a)以及(b)分别是图11的A-A'线剖视图以及B-B'线剖视图。另外，图11中赋予点图案的部分表示第二金属层分支线Pa、第二金属层连接部Pb以及颈部Pc/岛状第二金属层Pd中的没有通过蚀刻去除的部分。

在第一变形例中，上述第二绝缘膜工序以及第三金属层工序分别如以下那样变形。

·第二绝缘膜工序(参照图9、10)：除了第一绝缘膜第一开口部18a之外，还在从第二金属层分支线Pa至第二金属层连接部Pb的一部分以包含其线宽的方式形成第二绝缘膜第一开口部20a。也可以以包括颈部Pc的方式形成第二绝缘膜第一开口部20a。此外，图9、图10中，集中一个形成第二绝缘膜第一开口部20a，但也可以分开形成以包括颈部Pc的方式形成的开口部和以包括第一绝缘膜第一开口部18a的方式形成的开口部。

·第三金属层工序(参照图11、图12)：将第二金属层分支线Pa和第二金属层连接部Pb切割。也可以如图11那样形成有颈部Pc的部分也通过进行蚀刻而切割。

根据第一变形例，通过使第二金属层连接部Pb浮起，能够减少控制线G以及电源线P的寄生电容。另外，形成有颈部Pc的部分也一并去除，由此能够去除存在被静电破坏的可能性的部分。

在第二变形例中，上述第一绝缘膜工序、第二金属层工序、第二绝缘膜工序以及第三金属层工序分别如以下那样变形。

·第一绝缘膜工序：以与第一金属层分支线Ga重叠的方式在第一绝缘膜18形成第一绝缘膜第二开口部18b。由此，在第一绝缘膜第二开口部18b中，使第一金属层分支线Ga露出。

·第二金属层工序：以包括第一绝缘膜第二开口部18b的方式形成岛状第二金属层Pd。因为若没有形成岛状第二金属层Pd，则在对第二金属层进行了图案化的时刻在第一绝缘膜第二开口部18b的部分露出的第一金属层分支线Ga被蚀刻，导致彼此相邻的控制线G的电连接切割。

·第二绝缘膜工序：以包括第一绝缘膜第二开口部18b并被岛状第二金属层Pd包围的方式在第二绝缘膜20形成第二绝缘膜第二开口部20b。由此，在第二绝缘膜第二开口部20b中，使岛状第二金属层Pd露出。

·第三金属层工序：使第三金属层成膜，对第三金属层进行图案化，并且对形成于第一绝缘膜第二开口部18b的第一金属层分支线Ga以及形成于第二绝缘膜第二开口部20b的岛状第二金属层Pd进行蚀刻。由此，得到以包围第一绝缘膜第二开口部18b以及第二绝缘膜第二开口部20b的方式形成为与第一金属层分支线Ga重叠的环状的岛状第二金属层Pd。

根据第二变形例，通过使第一金属层分支线Ga的与电源线P重叠的部分浮起，从而能够减少控制线G以及电源线P的寄生电容。

在第三变形例中，第二变形例的上述第一金属层工序如以下那样变形。

·第一金属层工序：在第一金属层分支线Ga的一部分形成颈部Gb。

根据第三变形例，在特定的控制线G以及电源线P中，由于因静电的电荷产生的大电流而在颈部Gb部分中产生断线(静电破坏)。由此，能够牺牲该颈部Gb而保护布线。

此外，也可以与第二变形例相同，在颈部Gb部分设置第一绝缘膜第二开口部18b、岛状第二金属层Pd、第二绝缘膜第二开口部20b，通过第二变形例的第三金属层工序的蚀刻，也一并去除形成有颈部Gb的部分。在第二变形例和第三变形例的情况下，根据上述结构，彼此相邻的控制线G的电连接切割，因此也可以在第一绝缘膜第一开口部18a内的开口整体存在第一金属层分支线Ga。并且，若组合第一变形例和第二变形例或者第三变形例，则即便没有第一绝缘膜第一开口部18a的开口，彼此相邻的控制线G的电连接也切割，而且根据变形例1的结构，彼此相邻的控制线G与电源线P之间的电连接切割。

根据上述第二变形例作成的有源矩阵基板具备以下的结构。

·根据第三金属层工序，控制线G形成最初的第一金属层分支线Ga在两个位置(第一绝缘膜第一开口部18a的位置以及第一绝缘膜第二开口部18b的位置。)切割。

·在与所切割的第一金属层分支线Ga中的一方的控制线G连接的部分(第一金属层第一分支线)和与另一方的控制线G连接的部分(第一金属层第二分支线)之间，具有经由第一绝缘膜18而与电源线P重叠并在第一金属层形成的岛状第一金属层。

·上述第一金属层第一分支线和上述岛状第一金属层隔着第一绝缘膜第一开口部18a对置，上述第一金属层第二分支线和上述岛状第一金属层隔着第一绝缘膜第二开口部18b对置。

[第二实施方式]

图13～图16表示第二实施方式的结构，分别与上述第一实施方式的图5～图8对应。第二实施方式通过利用使用了半导体层的结构代替上述第一实施方式的颈部Pc的功能而实现。

此外，图13中赋予剖面线的部分表示在第一绝缘膜第一开口部18a/两层绝缘膜第一开口部16a/两层绝缘膜第二开口部16b露出的第一金属层分支线Ga/第一岛状半导体层15a和第二金属层连接部Pb接触的部分。另外，图14是图13的B-B'线剖视图，图16是图15的B-B'线剖视图。另外，图15中赋予点图案的部分表示第二金属层分支线Pa以及第二金属层连接部Pb中的没有通过蚀刻去除的部分。

在本第二实施方式的有源矩阵基板至达到图13以及图14的状态为止所经过的工序中，若以特征的工序为中心进行说明则如以下那样(参照图13、14)。

·半导体层工序(步骤S105～S107)：在跨后面形成的第二金属层分支线Pa和第二金属层连接部Pb的位置形成在半导体层15形成的第一岛状半导体层15a。

·第一金属层工序(步骤S109～S111)：形成控制线G、第一金属层分支线Ga、栅电极。此外，在底栅的情况下，依次实施第一金属层工序、栅极绝缘膜工序、半导体层工序。

·栅极绝缘膜工序(S108)：使栅极绝缘膜16成膜。

·第一绝缘膜工序：在栅极绝缘膜16以及第一绝缘膜18中，在与第一岛状半导体层15a重叠并且分别与后面形成的第二金属层分支线Pa以及第二金属层连接部Pb重叠的位置形成两层绝缘膜第一开口部16a以及两层绝缘膜第二开口部16b。由此，在两层绝缘膜第一开口部16a以及两层绝缘膜第二开口部16b中，使第一岛状半导体层15a露出。

·第二金属层工序：将第二金属层分支线Pa和第二金属层连接部Pb切割而形成。另外，第二金属层分支线Pa经由两层绝缘膜第一开口部16a而与第一岛状半导体层15a连接。并且，第二金属层连接部Pb经由两层绝缘膜第二开口部16b而与第一岛状半导体层15a连接。由此，经由第一岛状半导体层15a而将第二金属层分支线Pa和第二金属层连接部Pb电连接。

·第二绝缘膜工序：以包括两层绝缘膜第一开口部16a以及两层绝缘膜第二开口部16b的方式形成第二绝缘膜第一开口部20a。由此，在第二绝缘膜第一开口部20a中，使第二金属层分支线Pa以及第二金属层连接部Pb露出。

·第三金属层工序：使第三金属层成膜，对该第三金属层进行图案化，并且对在第二绝缘膜第一开口部20a露出的第二金属层分支线Pa以及第二金属层连接部Pb进行蚀刻，使第二金属层分支线Pa与第二金属层连接部Pb之间的电连接切割。

此外，也可以在第一绝缘膜第一开口部18a(第一组)、两层绝缘膜第一开口部16a以及两层绝缘膜第二开口部16b(第二组)分别形成有第二绝缘膜第一开口部20a/第二绝缘膜第一分离开口部，也可以在第一绝缘膜第一开口部18a、两层绝缘膜第一开口部16a、两层绝缘膜第二开口部16b分别单独形成有第二绝缘膜第一开口部20a/第二绝缘膜第一分离开口部/第二绝缘膜第一分离开口部。另外，若针对两层绝缘膜第一开口部16a以及两层绝缘膜第二开口部16b，在至少一个形成有第二绝缘膜第一开口部20a或者第二绝缘膜第一分离开口部，则在第三金属层工序中，在第二绝缘膜第一分离开口部露出的第二金属层分支线Pa或者第二金属层连接部Pb被蚀刻，第二金属层分支线Pa与第二金属层连接部Pb之间的电连接切割。

根据以上的结构，第一岛状半导体层15a的电阻值比第二金属层高，因此在从电源线P经由第二金属层分支线Pa、第二金属层连接部Pb以及第一金属层分支线Ga至控制线G的路径中，第一岛状半导体层15a的部分比其他路径电阻高。而且，在特定的控制线G以及电源线P中，由于因静电的电荷产生的大电流，在两层绝缘膜第一开口部16a与两层绝缘膜第二开口部16b之间的第一岛状半导体层15a部分中产生断线(静电破坏)。

由此，能够保护布线。

其后，如图15、图16所示那样，在第三金属层工序中，第一金属层分支线Ga与第二金属层分支线Pa切割，并且第一岛状半导体层15a与第二金属层分支线Pa/第二金属层连接部Pb切割。

此外，第一岛状半导体层15a例如也可以是低温多晶硅(LTPS)，也可以是氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系的半导体)。但是，需要第一岛状半导体层15a导体化。在低温多晶硅的情况下通过掺杂能够实现导体化，另外，在氧化物半导体的情况下通过进行导体化处理(等离子体处理。例如可举出氢等离子体处理、He等离子体处理等。)，能够实现导体化。第一岛状半导体层15a比金属电阻高，因此不需要设置第一实施方式的颈部Pc。

通过本第二实施方式作成的有源矩阵基板具备以下的结构。

·从电源线P分叉而形成有第二金属层分支线Pa，并具备以跨上述第二金属层交叉部和第二金属层分支线Pa的方式在半导体层15形成的第一岛状半导体层15a。

[第二实施方式变形例]

图17～图20表示上述第二实施方式的变形例，分别与上述第二实施方式的图13～图16对应。

此外，图17中赋予剖面线的部分表示在第一绝缘膜第一开口部18a/第一绝缘膜第三开口部18c/第一绝缘膜第四开口部18d/两层绝缘膜第一开口部16a/两层绝缘膜第二开口部16b/两层绝缘膜第三开口部16c/两层绝缘膜第四开口部16d露出的第一金属层分支线Ga/第一岛状半导体层15a/第二岛状半导体层15b和第二金属层连接部Pb/第一岛状第二金属层Pe/第二岛状第二金属层Pf接触的部分。另外，图18是图17的C-C'线剖视图，图20是图19的C-C'线剖视图。另外，图19中赋予点图案的部分表示第二金属层分支线Pa、第二金属层连接部Pb/第一岛状第二金属层Pe/第二岛状第二金属层Pf中的没有通过蚀刻去除的部分。

在本变形例的有源矩阵基板直至达到图17以及图18的状态为止所经过的工序中，若以特征性工序为中心进行说明则如下所示(参照图17、图18)。

·半导体层工序：在后面形成的第一金属层第一分支线Ga1与第一金属层第二分支线Ga2之间的位置，形成在半导体层15形成的第二岛状半导体层15b。

·第一金属层工序：作为第一金属层分支线Ga，形成从彼此相邻的控制线G中的一方的控制线G朝向另一方的控制线G分叉的第一金属层第一分支线Ga1和从另一方的控制线G朝向一方的控制线G分叉的第一金属层第二分支线Ga2。此外，成为第二岛状半导体层15b位于第一金属层第一分支线Ga1与第一金属层第二分支线Ga2之间那样的配置关系。

·第一绝缘膜工序：以与第一金属层第一分支线Ga1重叠的方式在第一绝缘膜18形成第一绝缘膜第三开口部18c，以与第一金属层第二分支线Ga2重叠的方式在第一绝缘膜18形成第一绝缘膜第四开口部18d，以与第二岛状半导体层15b重叠的方式在栅极绝缘膜16以及第一绝缘膜18形成两层绝缘膜第三开口部16c以及两层绝缘膜第四开口部16d。

·第二金属层工序：以跨第一金属层第一分支线Ga1和第二岛状半导体层15b的方式形成第一岛状第二金属层Pe，以跨第一金属层第二分支线Ga2和第二岛状半导体层15b的方式形成第二岛状第二金属层Pf。另外，第一金属层第一分支线Ga1和第一岛状第二金属层Pe经由第一绝缘膜第三开口部18c而连接，第一金属层第二分支线Ga2和第二岛状第二金属层Pf经由第一绝缘膜第四开口部18d而连接。并且，第二岛状半导体层15b和第一岛状第二金属层Pe经由两层绝缘膜第三开口部16c而连接，第二岛状半导体层15b和第二岛状第二金属层Pf经由两层绝缘膜第四开口部16d而连接。由此，第一金属层第一分支线Ga1和第一金属层第二分支线Ga2(换句话说，彼此相邻的控制线G。)经由第一岛状第二金属层Pe、第二岛状半导体层15b、第二岛状第二金属层Pf而电连接。

·第二绝缘膜工序：以包括第一绝缘膜第三开口部18c、第一绝缘膜第四开口部18d、两层绝缘膜第三开口部16c以及两层绝缘膜第四开口部16d的方式形成第二绝缘膜第三开口部20c。此外，针对第二绝缘膜第三开口部20c，也可以将第一绝缘膜第三开口部18c、第一绝缘膜第四开口部18d、两层绝缘膜第三开口部16c以及两层绝缘膜第四开口部16d分别作为单独的开口部而设置。若相对于第一绝缘膜第三开口部18c、第一绝缘膜第四开口部18d、两层绝缘膜第三开口部16c以及两层绝缘膜第四开口部16d的任一个的开口部而设置，则在第三金属工序中，由于第二绝缘膜第三开口部20c而露出的第一岛状第二金属层Pe或者第二岛状第二金属层Pf被蚀刻，第一金属层第一分支线Ga1与第一金属层第二分支线Ga2之间的电连接切割。

·第三金属层工序(参照图19、图20)：对形成于第一绝缘膜第三开口部18c的第一金属层第一分支线Ga1以及形成于第一绝缘膜第四开口部18d的第一金属层第二分支线Ga2、形成于第二绝缘膜第三开口部20c的第一岛状第二金属层Pe以及第二岛状第二金属层Pf进行蚀刻。

在本实施方式的情况下，根据上述结构，彼此相邻的控制线G的电连接切割，因此也可以在第一绝缘膜第一开口部18a内的开口整体存在第一金属层分支线Ga。并且，即便没有第一绝缘膜第一开口部18a的开口，彼此相邻的控制线G的电连接也切割，并且相邻的控制线G与电源线P之间的电连接也切割(由于第二金属层分支线Pa与第二金属层连接部Pb之间的电连接切割。)。

根据以上的结构，第二岛状半导体层15b的电阻值比第二金属层高，因此在彼此相邻的控制线G之间的路径中，第二岛状半导体层15b的部分比其他路径电阻值高。而且，在特定的控制线G以及电源线P中，由于因静电的电荷产生的大电流，在两层绝缘膜第三开口部16c与两层绝缘膜第四开口部16d之间的第二岛状半导体层15b部分中产生断线(静电破坏)。由此，能够保护布线。

通过本变形例作成的有源矩阵基板具备以下的结构。

·具备形成于上述岛状第一金属层与上述第一金属层第二分支线之间的第二岛状半导体层15b。

·具备：以一部分与上述岛状第一金属层重叠、其他一部分与上述第二岛状半导体层重叠的方式形成的第一岛状第二金属层Pe。

·具备：以一部分与上述第一金属层第二分支线重叠、其他一部分与上述第二岛状半导体层重叠的方式形成的第二岛状第二金属层Pf。

5.补充

以上，对本发明的实施的一方式进行了说明，但也能够如以下那样捕捉本发明的实施的一方式的特征点。

本发明的实施的一方式所涉及的有源矩阵基板的制造方法包括以下的工序。

·使基底绝缘膜成膜的工序。

·作为上述基底绝缘膜的上层，形成包括多个第一布线的第一布线层的工序。

·作为上述第一布线层的上层，使第一绝缘膜成膜的工序。

·作为上述第一绝缘膜的上层，形成包括多个第二布线的第二布线层的工序。

·作为上述第二布线层的上层，使第二绝缘膜成膜的工序。

·作为上述第二绝缘膜的上层，形成包括多个第三布线的第三布线层的工序。

而且，上述制造方法作为第一特征点，包括以下的特征点。

·在形成第一布线层的工序中，形成将彼此相邻的第一布线彼此局部连接的第一布线连接部。

·在形成第二布线层的工序以后，将上述多个第一布线与显示区域外的电路元件连接并且将上述第一布线连接部切割的工序。

另外，上述制造方法作为第二特征点，包括以下的特征点。

·在形成第二布线层的工序中，形成使上述多个第二布线分别经由形成于第一绝缘膜的通孔而与上述第一布线层连接的第二布线连接部。

·在使上述第二绝缘膜成膜的工序以后，将上述多个第二布线与显示区域外的电路元件连接并且将上述第二布线连接部切割的工序。

另外，上述制造方法作为第三特征点包括以下的特征点。

·在形成第二布线层的工序中，以与上述第一布线连接部连接的方式形成上述第二布线连接部。

·在相同工序中进行上述第一布线连接部的切割和上述第二布线连接部的切割。

另外，本发明的实施的一方式所涉及的有源矩阵基板包括以下的结构。

·基底绝缘膜。

·成为上述基底绝缘膜的上层，包括多个第一布线的第一布线层。

·成为上述第一布线层的上层的第一绝缘膜。

·成为上述第一绝缘膜的上层，包括多个第二布线的第二布线层。

·成为上述第二布线层的上层的第二绝缘膜。

·成为上述第二绝缘膜的上层，包括多个第三布线的第三布线层。

·成为上述第三布线层的上层的第三绝缘膜(平坦化膜)。

而且，上述有源矩阵基板作为第一特征点包括以下的特征点。

·在彼此相邻的第一布线彼此之间夹设第一绝缘膜，并且局部夹设第三绝缘膜。

另外，上述有源矩阵基板作为第二特征点包括以下的特征点。

·在第三绝缘膜中，若夹设于彼此相邻的第一布线彼此之间的部分与第一布线之间所成的界面向上层侧前进，则向与第二布线层之间所成的界面连接。

本发明不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，针对不同实施方式所分别公开的技术方案适当地组合而得到的实施方式也包括于本发明的技术范围。并且，通过组合各实施方式所分别公开的技术方案，能够形成新的技术特征。

附图标记说明

3：基底绝缘膜

5：发光元件层

6：密封层

10：下表面膜

12：树脂层

15：半导体层

15a：第一岛状半导体层

15b：第二岛状半导体层

16：栅极绝缘膜

18：第一绝缘膜

18a：第一绝缘膜第一开口部

20：第二绝缘膜

20a：第二绝缘膜第一开口部

21：平坦化膜

51：柔性基板

55：显示区域

56：边框区域

57：控制电路

58：沟槽

59：发光控制电路

G：控制线

P：电源线

SH：数据信号线

Ga：第一金属层分支线

Pa：第二金属层分支线

Pb：第二金属层连接部

Pc、Gb：颈部

Claims (16)

1.一种显示装置的制造方法，所述显示装置具备：

显示区域；

边框区域，其位于所述显示区域的周边；

从所述显示区域至所述边框区域设置的多个控制线、与所述多个控制线平行的多个电源线以及与所述多个控制线交叉的多个数据信号线；

控制电路，其配置为在所述边框区域中与所述多个控制线垂直的方向上作为长边方向，并对所述多个控制线输入控制信号；以及

分别依次层叠的基底绝缘膜、形成所述多个控制线的第一金属层、第一绝缘膜、形成所述多个电源线的第二金属层、第二绝缘膜以及形成所述多个数据信号线的第三金属层，

所述多个控制线在所述边框区域中经由所述第二金属层或者第三金属层而与所述控制电路电连接，

所述显示装置的制造方法的特征在于，包括：

基底绝缘膜工序，形成所述基底绝缘膜；

第一金属层工序，通过使所述第一金属层成膜并对该第一金属层进行图案化，从而形成所述多个控制线，并且在所述控制电路以及所述显示区域各自的形成位置的间隙中，形成从各控制线朝向邻接的控制线分叉的第一金属层分支线；

第一绝缘膜工序，通过使所述第一绝缘膜成膜并对该第一绝缘膜进行图案化，从而以与所述第一金属层分支线重叠的方式在所述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第一开口部；

第二金属层工序，通过使所述第二金属层成膜并对该第二金属层进行图案化，从而形成所述多个电源线，并且在所述间隙中，形成从各电源线分叉的第二金属层分支线以及经由所述第一绝缘膜第一开口部与所述第一金属层分支线连接的第二金属层连接部；

第二绝缘膜工序，通过使所述第二绝缘膜成膜并对该第二绝缘膜进行图案化，从而以使所述第一绝缘膜第一开口部、所述第二金属层分支线的一部分以及所述第二金属层连接部的一部分露出的方式在所述第二绝缘膜形成第二绝缘膜第一开口部；以及

第三金属层工序，使所述第三金属层成膜并对该第三金属层进行图案化，并且对形成于所述第一绝缘膜第一开口部的第一金属层分支线、形成于所述第二绝缘膜第一开口部的第二金属层分支线以及所述第二金属层连接部进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

彼此相邻的所述多个控制线共用所述第一金属层分支线。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述第一金属层分支线的与延伸的方向垂直的宽度小于第一绝缘膜第一开口部的在该方向上的宽度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述第三金属层工序中，使所述第二金属层分支线与所述第二金属层连接部切割。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二金属层工序中，在从所述第二金属层分支线至所述第二金属层连接部的一部分形成颈部。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述第三金属层工序中，也对形成有所述颈部的部分进行蚀刻。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一绝缘膜工序中，以与所述第一金属层分支线重叠的方式在所述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第二开口部，

在所述第二金属层工序中，以包括所述第一绝缘膜第二开口部的方式形成岛状第二金属层，

在所述第二绝缘膜工序中，以包括所述第一绝缘膜第二开口部并被所述岛状第二金属层包围的方式在所述第二绝缘膜形成第二绝缘膜第二开口部，

在所述第三金属层工序中，对形成于所述第一绝缘膜第二开口部的所述第一金属层分支线以及形成于所述第二绝缘膜第二开口部的所述岛状第二金属层进行蚀刻。

8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一金属层工序中，在露出于所述第一绝缘膜第二开口部的位置的所述第一金属层分支线形成颈部。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述基底绝缘膜工序和所述第一金属层工序之间包括：

半导体层工序，通过使半导体层成膜并对该半导体层进行图案化，从而形成所述半导体层；和

栅极绝缘膜工序，成膜栅极绝缘膜，

在所述半导体层工序中，在跨过所述第二金属层分支线和所述第二金属层连接部的位置形成在所述半导体层形成的第一岛状半导体层，

在所述第一绝缘膜工序中，以与所述第一岛状半导体层重叠的方式在所述栅极绝缘膜以及所述第一绝缘膜形成两层绝缘膜第一开口部以及两层绝缘膜第二开口部，

在所述第二金属层工序中，将所述第二金属层分支线和所述第二金属层连接部切割而形成，

所述第二金属层分支线经由所述两层绝缘膜第一开口部而与第一岛状半导体层连接，

所述第二金属层连接部经由所述两层绝缘膜第二开口部而与第一岛状半导体层连接，

所述第二金属层分支线和所述第二金属层连接部经由所述第一岛状半导体层而电连接，

在所述第二绝缘膜工序中，以还包括所述两层绝缘膜第一开口部以及所述两层绝缘膜第二开口部的至少一个的方式形成所述第二绝缘膜第一开口部，或者形成包括所述两层绝缘膜第一开口部以及所述两层绝缘膜第二开口部的至少一个的第二绝缘膜第一分离开口部，

在所述第三金属层工序中，对形成于所述第二绝缘膜第一分离开口部的所述第二金属层分支线或者所述第二金属层连接部进行蚀刻。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

在所述基底绝缘膜工序与所述第一金属层工序之间包括：

半导体层工序，通过使半导体层成膜并对该半导体层进行图案化，从而形成所述半导体层；和

栅极绝缘膜工序，成膜栅极绝缘膜，

在所述半导体层工序中，在第一金属层第一分支线与第一金属层第二分支线之间的位置形成在所述半导体层形成的第二岛状半导体层，

在所述第一金属层工序中，形成从彼此相邻的所述控制线中的一方的控制线向另一方的控制线分叉的所述第一金属层第一分支线和从所述另一方的控制线向所述一方的控制线分叉的所述第一金属层第二分支线作为所述第一金属层分支线，

在所述第一绝缘膜工序中，以与所述第一金属层第一分支线重叠的方式在所述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第三开口部，以与所述第一金属层第二分支线重叠的方式在所述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第四开口部，以与所述第二岛状半导体层重叠的方式在所述栅极绝缘膜以及所述第一绝缘膜形成两层绝缘膜第三开口部以及两层绝缘膜第四开口部，

在所述第二金属层工序中，以跨所述第一金属层第一分支线和所述第二岛状半导体层的方式形成第一岛状第二金属层，以跨所述第一金属层第二分支线和所述第二岛状半导体层的方式形成第二岛状第二金属层，所述第一金属层第一分支线和所述第一岛状第二金属层经由所述第一绝缘膜第三开口部而连接，所述第一金属层第二分支线和所述第二岛状第二金属层经由所述第一绝缘膜第四开口部而连接，所述第二岛状半导体层和所述第一岛状第二金属层经由所述两层绝缘膜第三开口部而连接，所述第二岛状半导体层和所述第二岛状第二金属层经由所述两层绝缘膜第四开口部而连接，

在所述第二绝缘膜工序中，以包括所述第一绝缘膜第三开口部、所述第一绝缘膜第四开口部、所述两层绝缘膜第三开口部以及所述两层绝缘膜第四开口部的中至少任一个的方式形成第二绝缘膜第三开口部，

在所述第三金属层工序中，对形成于所述第二绝缘膜第三开口部的所述第一岛状第二金属层或者所述第二岛状第二金属层进行蚀刻。

11.一种显示装置，其具备：

显示区域；

边框区域，其位于所述显示区域的周边；

从所述显示区域至所述边框区域设置的多个控制线、与所述多个控制线平行的多个电源线以及与所述多个控制线交叉的多个数据信号线；

控制电路，其配置为在所述边框区域中与所述多个控制线垂直的方向作为长边方向，并对所述多个控制线输入控制信号；以及

分别依次层叠的基底绝缘膜、形成所述多个控制线的第一金属层、第一绝缘膜、形成所述多个电源线的第二金属层、第二绝缘膜以及形成所述多个数据信号线的第三金属层，

所述多个控制线在所述边框区域中经由所述第二金属层或者第三金属层而与所述控制电路电连接，

所述显示装置的特征在于，

在所述控制电路与所述显示区域之间的间隙中，在所述多个控制线上形成有从彼此相邻的控制线中的一方的控制线向另一方的控制线分叉的第一金属层第一分支线以及从所述另一方的控制线向所述一方的控制线分叉的第一金属层第二分支线，

所述第一金属层第一分支线和所述第一金属层第二分支线隔着形成于所述第一绝缘膜的第一绝缘膜第一开口部而对置，

在所述一方的控制线与所述另一方的控制线之间具备所述电源线，在所述一方的控制线与所述电源线之间，并且以与所述第一金属层第一分支线以及所述第一金属层第二分支线交叉的方式形成有在所述第二金属层形成的第二金属层交叉部，

在所述第二绝缘膜以包括所述第一绝缘膜第一开口部的方式形成有第二绝缘膜第一开口部，所述第二金属层交叉部形成为包围所述第一绝缘膜第一开口部以及所述第二绝缘膜第一开口部。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，

形成有从所述电源线分叉并向所述第二金属层交叉部连接的第二金属层分支线，所述第二金属层交叉部具有：包围所述第一绝缘膜第一开口部以及所述第二绝缘膜第一开口部的环状部。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，

所述第二金属层分支线在所述环状部与从所述电源线起的分支点之间具有颈部。

14.根据权利要求11～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，

在所述第一金属层第一分支线与所述第一金属层第二分支线之间，具备经由所述第一绝缘膜而与所述电源线重叠的由所述第一金属层形成的岛状第一金属层，

所述第一金属层第一分支线和所述岛状第一金属层隔着第一绝缘膜第一开口部而对置，所述第一金属层第二分支线和所述岛状第一金属层隔着第一绝缘膜第二开口部而对置。

15.根据权利要求11～14中任一项所述的显示装置，其特征在于，

从所述电源线分叉而形成第二金属层分支线，并具备以跨所述第二金属层交叉部和所述第二金属层分支线的方式在半导体层形成的第一岛状半导体层。

16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，具备：

第二岛状半导体层，其形成于所述岛状第一金属层与所述第一金属层第二分支线之间；

第一岛状第二金属层，其形成为一部分与所述岛状第一金属层重叠，其他一部分与所述第二岛状半导体层重叠；以及

第二岛状第二金属层，其形成为一部分与所述第一金属层第二分支线重叠，其他一部分与所述第二岛状半导体层重叠。

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