CN104795027A - 电泳显示装置、电泳显示装置的驱动方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电泳显示装置、电泳显示装置的驱动方法以及电子设备。该电泳显示装置具备：一对基板；电泳层，其被夹持在一对基板之间，包括分隔壁和在由分隔壁划分出的多个区域的每个配置的电泳微粒；包含多个像素的显示部；形成于多个像素的像素电极；隔着电泳层与多个像素电极相对的对置电极；第1控制线以及第2控制线，其与像素电极电连接，分别具有俯视不重叠于分隔壁的部分；和屏蔽层，其配置在第1控制线以及第2控制线与电泳层之间，俯视与第1控制线以及第2控制线重叠、且可被输入电位。

Description

电泳显示装置、电泳显示装置的驱动方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及电泳显示装置、电泳显示装置的驱动方法以及电子设备。
背景技术
以往，作为电泳显示装置，已知按每个像素具备开关元件、存储电路和开关电路的电泳显示装置，其中，所述开关电路根据存储电路的输出信号而开关以切换像素电极与第1或第2控制线的连接状态(例如参照下记专利文献1)。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2010－256919号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在上述现有技术的电泳显示装置中，第1或第2控制线设置为所有像素所共用，因此第1以及第2控制线中的至少一部分不会被其他布线遮挡，隔着电泳元件与对置电极相对而配置。因此，若反复进行图像显示则电泳微粒逐渐在控制线部分堆积，因此显示用的电泳微粒减少，存在发生显示不均这一问题。
本发明的一个方式是为解决上述课题而完成的，其目的之一在于提供通过使电泳微粒的堆积得到抑制而能够得到良好的显示品质的电泳显示装置、电泳表示装置的驱动方法以及电子设备。
用于解决课题的技术方案
根据本发明的第1方式提供一种电泳显示装置，其特征在于，具备：一对基板；电泳层，其被夹持在所述一对基板之间，包括分隔壁和在由所述分隔壁划分出的多个区域配置的电泳微粒；包括多个像素的显示部；按所述多个像素的每一个而形成像素电极；对置电极，其隔着所述电泳层与多个所述像素电极相对；第1控制线以及第2控制线，其与所述像素电极电连接且分别具有俯视不与所述分隔壁重叠的部分；和屏蔽层，其配置在所述第1控制线以及所述第2控制线与所述电泳层之间，俯视与所述第1控制线以及所述第2控制线重叠，且可被输入电位。
根据第1方式涉及的电泳显示装置，设有与第1控制线以及所述第2控制线重叠的屏蔽层，由此，在第1控制线以及第2控制线与对置电极之间产生的电位被屏蔽。因此，在第1控制线以及第2控制线与对置电极之间不会产生电场。由此，电泳微粒不会偏置地滞留在与第1控制线以及第2控制线相对应的部分。因此，使电泳微粒的堆积得到抑制，由此能够得到无显示不均的良好显示品质。
在上述第1方式中，优选，所述屏蔽层被输入不同于所述像素电极的电位。
根据该结构，屏蔽层被输入不同于像素电极的电位(例如，以像素电极的电位为基准的正负极性的电位)，因此屏蔽层的电位与像素电极相对应地变化，因此堆积于屏蔽层的电泳微粒因斥力而移开。因此，使电泳微粒的堆积得到抑制。
在上述第1方式中，优选，与所述对置电极被输入电位的定时同步地，所述屏蔽层被输入与所述对置电极相同的电位。
根据该结构，同一电位能够同步输入对置电极和屏蔽层。由此，屏蔽层和对置电极一齐改变电位，因此使电泳微粒在与屏蔽层相对应的部分的堆积得到抑制。
在上述第1方式中，优选，与所述对置电极被输入电位的定时同步地，所述屏蔽层被输入电位，使得该屏蔽层与所述对置电极之间电位差比所述对置电极与所述像素电极之间的电位差小。
根据该结构，屏蔽层与对置电极之间的电位差比对置电极与像素电极之间的电位差小，由此能够使电泳微粒移动到对置电极侧。
在上述第1方式中，优选，按所述显示部被写入图像的每个一定期间，所述屏蔽层被输入相对于对置电极的电位反相的电位。
根据该结构，按每1帧期间屏蔽层被输入反相电位，因此能够使电泳微粒良好地产生斥力，使电泳微粒向与屏蔽层相对应的部分的堆积得到抑制。
在上述第1方式中，优选，在针对所述显示部写入图像的图像写入工作期间，所述屏蔽层被输入电位。
根据该结构，能够伴随图像写入工作而抑制电泳微粒的堆积。
在上述第1方式中，优选，所述屏蔽层与所述像素电极形成在同一层。
根据该结构，能够在同一工序形成像素电极和屏蔽层。由此，制造工序简化，能够降低制造成本。
在上述第1方式中，优选，所述屏蔽层形成在所述像素电极与所述第1控制线以及所述第2控制线之间的层。
根据该结构，能够在有别于像素电极的工序形成屏蔽层，因此能够形成俯视可靠地覆盖第1控制线以及第2控制线的状态的屏蔽层。
在上述第1方式中，优选，所述屏蔽层形成为在俯视的状态下重叠于所述像素电极的端部。
根据该结构，防止在俯视状态下在像素电极与屏蔽层之间出现间隙。由此，防止在该间隙中在第1或第2控制线与对置电极之间产生电场。
在上述第1方式中，优选，所述屏蔽层与所述像素电极形成为一体。
根据该结构，能够利用像素电极的一部分构成屏蔽层。由此，不需要另行形成屏蔽层，能够降低制造成本。
根据本发明的第2方式提供一种电泳显示装置的驱动方法，其特征在于，所述电泳显示装置具备：一对基板；电泳层，其被夹持在所述一对基板之间，包括分隔壁和在由所述分隔壁划分出的多个区域配置的电泳微粒；包括多个像素的显示部；按所述多个像素的每一个而形成像素电极；对置电极，其隔着所述电泳层与多个所述像素电极相对；第1控制线以及第2控制线，其与所述像素电极电连接且分别具有俯视不与所述分隔壁重叠的部分；和屏蔽层，其配置在所述第1控制线以及所述第2控制线与所述电泳层之间，俯视与所述第1控制线以及所述第2控制线重叠，所述电泳显示装置的驱动方法包括对所述屏蔽层输入不同于所述像素电极电位的电位输入步骤。
根据第2方式涉及的电泳显示装置的驱动方法，与第1控制线以及所述第2控制线重叠的屏蔽层被输入不同于像素电极的电位，因此在第1控制线以及第2控制线与对置电极之间产生的电位被屏蔽。由此，在第1控制线以及第2控制线与对置电极之间不会产生电场。由此，电泳微粒不会偏置地滞留在与第1控制线以及第2控制线相对应的部分，使电泳微粒的堆积得到抑制，因此能够得到无显示不均的良好显示品质。另外，屏蔽层被输入与像素电极不同的电位(例如，与像素电极的电位为基准的正负极性的电位)，因此屏蔽层的电位与像素电极相对应地变化，由此，堆积于屏蔽层的电泳微粒因斥力而移开。
在上述第2方式中，优选，在所述电位输入步骤中，与所述对置电极被输入电位的定时同步地，所述屏蔽层被输入与对所述对置电极所输入的电位相同的电位。
根据该结构，同一电位能够同步输入对置电极和屏蔽层。由此，屏蔽层和对置电极一齐改变电位，因此使电泳微粒在与屏蔽层相对应的部分的堆积得到抑制。
在上述第2方式中，优选，与所述对置电极被输入电位的定时同步地，所述屏蔽层被输入电位，使得该屏蔽层与所述对置电极之间的电位差比所述对置电极与所述像素电极之间的电位差小。
根据该结构，屏蔽层与对置电极之间的电位差比对置电极与像素电极之间的电位差小，因此能够使电泳微粒移动到对置电极侧。
在上述第2方式中，优选，所述电位输入步骤按所述显示部被写入图像的每1帧期间执行，并且在每1帧期间被输入所述屏蔽层的电位的极性反相。
根据该结构，按每1帧期间屏蔽层被输入极性反相的电位，因此能够使电泳微粒良好地产生斥力，使电泳微粒向与屏蔽层相对应的部分的堆积得到抑制。
在上述第2方式中，优选，所述电位输入步骤在针对所述显示部的图像写入工作期间执行。
根据该结构，能够伴随图像写入工作而抑制电泳微粒的堆积。
根据本发明的第3方式，提供一种具备上述第1方式涉及的电泳显示装置的电子设备。
根据第3方式涉及的电子设备，因为具备无显示不均的电泳显示装置，所以电子设备本身也成为具有良好显示品质的高附加值的设备。
附图说明
图1是表示电泳显示装置的概略构成的俯视图。
图2是表示像素的电路构成的图。
图3是电泳显示装置的概略截面构成图。
图4是电泳元件的工作说明图。
图5是表示1个量的像素的构成的图。
图6是表示3个量的像素的构成的图。
图7是表示关注1个像素的驱动方法的一例的定时图。
图8是用于说明在像素中产生的现象的图。
图9是表示静电屏蔽层、对置电极以及像素电极的输入电位的关系的图。
图10是静电屏蔽层所起的作用的说明图。
图11是将像素电极的一部分用作静电屏蔽层的情况下的像素的俯视图。
图12是具备别的像素电路的电泳显示装置的电路图。
图13是表示涉及电子设备的一例的构成的图。
附图标记说明
1…元件基板(一对基板)、2…对置基板(一对基板)、
3…显示部、10…分隔壁、21…像素电极、22…对置电极、
50…数据线、75…第1控制线、76…第2控制线、
80…电泳层、82…白色微粒(电泳微粒)、
83…黑色微粒(电泳微粒)、90…静电屏蔽层(屏蔽层)、
100，101…电泳显示装置、400…电子书(电子设备)、
500…手表(电子设备)、600…电子纸(电子设备)
具体实施方式
以下，关于本发明的一个实施方式，一边参照附图一边进行说明。本实施方式中，以通过有源矩阵方式被驱动的电泳显示装置为例进行说明。此外，以下的附图中，为使各构成易于理解，使各结构的比例尺和/或数量等与实际结构不同。
图1是表示本实施方式涉及的电泳显示装置的概略构成的俯视图。电泳显示装置100具备排列有多个像素20的显示部3、扫描线驱动电路60和数据线驱动电路70。
在显示部3形成有从扫描线驱动电路60延伸出的多条扫描线40(Y1、Y2、…、Ym)和从数据线驱动电路70延伸出的多条数据线50(X1、X2、…、Xn)。像素20与扫描线40和数据线50的交叉部相对应而配置，各像素20分别连接于扫描线40以及数据线50。
此外，在显示部3的周边，除扫描线驱动电路60、数据线驱动电路70外，还配置有共用电源调制电路(省略图示)和/或控制器(省略图示)。该控制器基于从上位装置所供给的图像数据和/或同步信号，综合地控制所述各电路。
另外，在各个像素20，除扫描线40、数据线50外，还分别从共用电源调制电路连接有高电位电源线78、低电位电源线77、第1控制线75、第2控制线76。共用电源调制电路，在控制器的控制下生成用于对上述布线分别供给的各种信号，另一方面进行这些各布线的电连接以及切断(高阻抗化)。
图2是表示像素20的电路构成的图。
如图2所示，在像素20中具备像素开关元件24、锁存电路(存储电路)25、电位控制用的开关电路SW、电泳元件23。电泳元件23包括像素电极21、对置电极22、在像素电极21与对置电极22之间配置的电泳层80。开关电路SW包括传输门(transfer gate)TG1、TG2。
像素开关元件24是场效应型的N型晶体管。在像素开关元件24的栅端子连接有扫描线40，在源端子连接有数据线50，在漏端子连接有锁存电路25的输入端子N1。像素开关元件24用于：在从扫描线驱动电路60经由扫描线40被输入选择信号的期间中、通过使数据线50与锁存电路25连接而使从数据线驱动电路70经由数据线50所输入的图像信号输入锁存电路25。
锁存电路25包括2个P型晶体管32、34以及2个N型晶体管31、33。在P型晶体管32、34的源侧连接有高电位电源线78，在N型晶体管31、33的源侧连接有低电位电源线77。因此，P型晶体管32、34的源侧是锁存电路25的高电位电源端子PH，N型晶体管31、33的源侧是锁存电路25的低电位电源端子PL。
锁存电路25具备与像素开关元件24的漏测相连接的输入端子N1、与开关电路SW相连接的第1输出端子N2以及第2输出端子N3。
锁存电路25的P型晶体管34的漏测以及N型晶体管33的漏测，作为锁存电路25的输入端子N1发挥作用。输入端子N1与像素开关元件24的漏测相连接，并且与锁存电路25的第2输出端子N3(P型晶体管32的栅部以及N型晶体管31的栅部)相连接。
而且，第2输出端子N3连接于传输门TG1、TG2。
锁存电路25的P型晶体管32的漏测以及N型晶体管31的漏测，作为锁存电路25的第1输出端子N2发挥作用。
第1输出端子N2与P型晶体管34的栅部以及N型晶体管33的栅部相连接，并且连接于传输门TG1、TG2。
锁存电路25是与SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)单元相应的电路。锁存电路25用于保持从像素开关元件24发送来的图像信号并且将图像信号输入开关电路SW。开关电路SW作为基于从锁存电路25输入的图像信号择一地选择第1控制线75以及第2控制线76中的任一控制线并使其与像素电极21连接的选择器发挥作用。此时，传输门TG1、TG2与图像信号的电平相应地仅一方工作。
传输门TG1具备场效应型的P型晶体管T11和场效应型的N型晶体管T12。P型晶体管T11的源端子与N型晶体管T12的源端子相连接，它们连接于第1控制线75。P型晶体管T11的漏端子与N型晶体管T12的漏端子相连接，它们连接于像素电极21。P型晶体管T11的栅端子连接于锁存电路25的输入端子N1，N型晶体管T12的栅端子连接于锁存电路25的第1输出端子N2。
传输门TG2具备场效应型的P型晶体管T21和场效应型的N型晶体管T22。P型晶体管T21的源端子与N型晶体管T22的源端子相连接，它们连接于第2控制线76。P型晶体管T21的漏端子与N型晶体管T22的漏端子相连接，它们连接于像素电极21。
另外，P型晶体管T21的栅端子与传输门TG1的N型晶体管T12的栅端子一并连接于锁存电路25的输出端子N2，N型晶体管T22的栅端子与传输门TG1的P型晶体管T11的栅端子一并连接于锁存电路25的输入端子N1。另外，各像素20中，第1控制线75和第2控制线76平行地配置。
例如，若作为图像信号对锁存电路25的输入端子N1输入低电平(L：与近低电位电源线77的电位的电位)，则从第1输出端子N2输出高电平(H：接近高电位电源线78的电位的电位)，因此连接于第1输出端子N2的N型晶体管T12工作，并且，与第2输出端子N3(输入端子N1)相连接的P型晶体管T11工作以驱动传输门TG1。因此，第1控制线75与像素电极21电连接。
另一方面，若作为图像信号对锁存电路25的输入端子N1输入高电平(H)，则从第1输出端子N2输出低电平(L)，因此连接于第1输出端子N2的P型晶体管T21工作，另外与第2输出端子N3(输入端子N1)相连接的N型晶体管T22工作以驱动传输门TG2。因此，第2控制线76与像素电极21电连接。
而且，经由工作的一方的传输门，第1控制线75或第2控制线76与像素电极21电接通，对像素电极21输入电位。
图3是表示本实施方式涉及的电泳显示装置100的概略构成的剖视图。如图3所示，电泳显示装置100具备元件基板1、对置基板2、配置在该元件基板1与对置基板2之间的电泳层80。
元件基板1包括基材1A、在基材1A的电泳层11侧设置的像素电极21、覆盖像素电极21的第1绝缘膜7。基材1A是包含玻璃和/或塑料等的基板，因其配置在与图像显示面相反一侧，所以也可以不透明。像素电极21是由在Cu箔上依次层叠有镍镀层和金镀层而成的物质和/或、Al、ITO(铟锡氧化物)等形成的电极。虽省略了图示，但在像素电极21与基材1A之间仍形成有扫描线40、数据线50以及像素开关元件24等。
对置基板2包含玻璃和/或塑料等的透明基材，并配置在图像显示侧。在对置基板2的电泳层80侧形成有与多个像素电极21相对的对置电极22。对置电极22的整个面被第2绝缘膜8所覆盖。对置电极22是由MgAg、ITO、IZO(铟·锌氧化物)等形成的透明电极。
电泳层80填充于多个空间(区域)，所述多个空间是由在元件基板1的内面侧设置的第1绝缘膜7、在对置基板2的内面侧设置的第2绝缘膜8和在该第1绝缘膜7与第2绝缘膜8之间配置的分隔壁10分隔出来的。本实施方式中，分隔壁10与划分出的多个(本实施方式中例如为3个)像素20的大小相应，包含透光性材料(丙烯酸树脂和/或环氧树脂等)。
分隔壁10的厚度例如为30μm。此外，在分隔壁10的上部与第2绝缘膜8之间设置有接合层4。接合层4用于将对置基板2与形成有分隔壁10的元件基板1相接合。接合层4例如包含透明树脂，使接合层4啮入分隔壁10的上部。接合层4的厚度，只要为不妨碍电场的程度即可，例如，优选设为2μm～6μm左右。另外，接合层4向分隔壁10的啮入量，例如，优选设为0.5μm～1μm。
电泳层80包括分散在分散介质81中的多个电泳微粒。本实施方式中，电泳微粒例如包括白色微粒82以及黑色微粒83。
白色微粒82，例如，为包含二氧化钛、氧化锌、三氧化锑等的白色颜料的微粒(高分子或者无机)，例如带负电而使用。黑色微粒83，例如，为包含苯胺黑、炭黑等的黑色颜料的微粒(高分子或者无机)，例如带正电而使用。根据需要，可以在这些颜料中添加电解质，表面活性剂，包含金属皂、树脂、橡胶、油、清漆、复合物等的微粒的带电控制剂，钛类偶联剂、铝类偶联剂、硅烷类偶联剂等的分散剂，润滑剂，稳定剂等。
另外，作为白色微粒82以及黑色微粒83，例如也可以使用红色、绿色、蓝色等的颜料。根据该结构，能够提供能够通过显示红色、绿色、蓝色等而进行彩色显示的电泳显示装置100。
作为分散介质81的材质，能够例示水，醇类溶剂(甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纤剂等)，酯类(乙酸乙酯、乙酸丁酯等)，酮类(丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等)，脂族烃(戊烷、己烷、辛烷等)，脂环式烃(环己烷、甲基环己烷等)，芳族烃(苯、甲苯、二甲苯、具有长链烷基的苯类(己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))，卤代烃(二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷等)，硅油等，也可以是其他油类。这些物质可以单独或作为混合物使用，而且也可以配合羧酸盐这样的表面活性剂等。
基于这样的构成，电泳显示装置100中，例如，若对像素电极21与对置电极22之间输入电压，则因在它们之间所产生的电场，如后所述电泳微粒(白色微粒82以及黑色微粒83)向任一电极(像素电极21、对置电极22)泳动。
图4是电泳元件(白色微粒82以及黑色微粒83)的工作说明图。图4(a)表示在像素20进行白显示的情况，图4(b)表示在像素20进行黑显示的情况。在本实施方式中，使得白色微粒82带正电而黑色微粒83带负电。
在图4(a)所示的白显示的情况下，对置电极22被保持在相对低电位，像素电极21被保持在相对高电位。由此，带正电的白色微粒82被吸引到置电极22，另一方面带负电的黑色微粒83被吸引到像素电极21。其结果，若从成为显示面侧的对置电极22侧观察该像素20，则被识别为白色(W)。
另一方面，在图4(b)所示的黑显示的情况下，对置电极22被保持在相对高电位，像素电极21被保持在相对低电位。由此，带负电的黑色微粒83被吸引到对置电极22，另一方面带正电的白色微粒82被吸引到像素电极21。其结果，若从对置电极22侧观察该像素，则被识别为黑色(B)。
图5是具体地表示本实施方式涉及的电泳显示装置100中的1个像素20的电路构成的俯视图。此外，图5中，为易于读图而省略了静电屏蔽层90的图示。
像素20为层叠构造。如图5所示，在最下层的第1层F1(参照图6(b))设置有半导体层。另外，在该第1层的上一层即第2层F2(参照图6(b))以及该第2层的上一层即第3层F3(图6(b)参照)形成有各种布线。另外，在第3层的上一层即第4层F4(参照图6(b))形成有后述的静电屏蔽层90。另外，在第5层F5(参照图6(b))形成有像素电极21。各层通过未图示的绝缘层而绝缘。
首先，关于在像素20的外周设置的布线进行说明。在像素20的外周设置有扫描线40、数据线50、高电位电源线78、低电位电源线77、第1控制线75以及第2控制线76。这些布线跨多个像素20而形成。第1控制线75以及第2控制线76具有至少一部分与分隔壁10俯视不重叠的部分。其中，扫描线40与数据线50在像素20的图中右上角部相垂直。
另外，高电位电源线78和低电位电源线77在像素20的图中上下平行地配置。第1控制线75和第2控制线76在像素20的图中左右相对地配置。这些布线之中，扫描线40、低电位电源线77以及高电位电源线78形成于同一层(第2层)，数据线50、第1控制线75以及第2控制线76比上述第2层F2靠上一层(第3层F3)地形成于同一层。
接着，说明在像素20内设置的布线以及半导体层的构成。在像素20内的最下层即第1层F1形成有半导体层41、51、52、61、62。这些半导体层均包含硅等半导体材料。此外，当然，用不同材料构成各半导体层也是可以的。
本实施方式中，半导体层51包括第1半导体层51a以及第2半导体层51b。半导体层52包括第1半导体层52a以及第2半导体层52b。半导体层61包括第1半导体层61a以及第2半导体层61b。半导体层62包括第1半导体层62a以及第2半导体层62b。半导体层41、51、52、61、62形成为相互分离的岛状。
在该第1层的上一层即第2层形成有布线56、57、58以及63。这些布线含有例如铜、铝、银等高导电性金属。
布线56包括：设置成俯视与第1半导体层61a重叠的分支部分56a；和设置成俯视与第2半导体层61b重叠的分支部分56b。由第1半导体层61a、分支部分56a和在第1半导体层61a与分支部分56a之间配置的栅绝缘层构成P型晶体管T11，由第2半导体层61b、分支部分56b和在第2半导体层61b与分支部分56b之间配置的栅绝缘层构成N型晶体管T22。
布线57包括：设置成俯视与第1半导体层62a重叠的分支部分57a；设置成俯视与第2半导体层62b重叠的分支部分57b；设置成俯视与第1半导体层52a重叠的分支部分57c；和设置成俯视与第2半导体层52b重叠的分支部分57d。由第1半导体层62a、分支部分57a和在第1半导体层62a与分支部分57a之间配置的栅绝缘层构成P型晶体管T21，由第2半导体层62b、分支部分57b和在第2半导体层62b、分支部分57b之间配置的栅绝缘层由构成N型晶体管T12。
布线58包括：设置成俯视与第1半导体层51a重叠的分支部分58a；和设置成俯视与第2半导体层51b重叠的分支部分58b。由半导体层51、52和布线57、58构成锁存电路25。
布线63构成用于连接第1控制线75与晶体管T11、T12的布线的一部分。布线63经由接触孔与第1控制线75相连接。
在第2层的上一层即第3层形成有布线42、43、53、54、55、64、65以及66。这些布线与在第2层形成的布线同样地，含有例如铜、铝、银等高导电性金属。
布线42是从数据线50向像素20内向图中左方向突出的部分，经由接触孔与半导体层41的一方端部相连接。
布线43经由接触孔将半导体层41的另一方的端部与布线58的端部相连接。另外，经由接触孔将半导体层41的另一方的端部与布线56相连接。
布线53包括：将高电位电源线78与第1半导体层51a连接的布线53a；和将高电位电源线78与第1半导体层52a连接的布线53b。布线53经由接触孔连接于第1半导体层51a以及52a。
布线54是将低电位电源线77、第2半导体层52b与第2半导体层51b连接的布线。布线54经由接触孔与第2半导体层51b以及52b相连接。
布线55经由接触孔分别与第1半导体层51a、第2半导体层51b、布线57相连接。
布线64是将第1半导体层61a、第2半导体层62b、布线63连接的布线。布线64经由接触孔分别与第1半导体层61a、第2半导体层62b、布线63相连接。布线65包括：连接第2控制线76与晶体管(N型晶体管)T22的布线65a；和连接第2控制线76与晶体管(P型晶体管)T21的布线65b。布线65a、65b分别经由接触孔与第2半导体层61b、第1半导体层62a相连接。
布线66经由接触孔分别与第1半导体层61a、62a以及第2半导体层61b、62b相连接。而且，布线66经由接触孔连接于与在上一层(5层)所形成的像素电极21。
通过这样构成各层，由半导体层61、62、布线56、57、64、66以及第1层与第2层之间的未图示的绝缘层构成传输门TG1、TG2。
另外，半导体层41中俯视与扫描线40的一部分重叠的部分成为沟道区域，经由布线42而连接于数据线50的部分成为源区域，连接于布线43的部分成为漏区域。扫描线40中俯视与半导体层41重叠的部分(延伸部分)构成像素开关元件24的栅电极。
另外，以半导体层51以及52、布线53、55、57、58以及57为主体构成锁存电路25。由半导体层51构成锁存电路25的N型晶体管31和P型晶体管32，由半导体层52构成锁存电路25的N型晶体管33和P型晶体管34，但是并未图示。
而且，以第1半导体层61a为主体构成场效应型的P型晶体管T11，以第2半导体层62b为主体构成场效应型的N型晶体管T12。以第2半导体层61b为主体构成场效应型的N型晶体管T22，以第1半导体层62a为主体构成场效应型的P型晶体管T21。即，通过第1半导体层61a、第2半导体层62b、布线56、57、64、66构成传输门TG1、TG2。
形成这样的像素20的情况下，只要从第1层到第4层依次层叠即可。
图6(a)是具体地表示本实施方式涉及的电泳显示装置100中的3个像素20的构成的俯视图，图6(b)是图6(a)中的A－A线向视的剖视图。
本实施方式中，如图6(a)所示，采用在相邻的像素20A与像素20B之间共用第2控制线76的结构。在图6所示的构成中，像素20A内的构造与像素20B内的结构相对于第2控制线76为线对称的关系。通过这样配置，不大幅改变像素内的布线的实质配置就能够省略第2控制线76的条数。因此，能够与该量相应地确保相邻的像素20A与像素20B的空间，能够使在像素20A以及像素20B内形成的布线之间的距离有余裕。
另外，本实施方式中，具备俯视与第1控制线75以及第2控制线76重叠的静电屏蔽层(屏蔽层)90。静电屏蔽层90跨多个像素20形成为条纹状。静电屏蔽层90由在Cu箔上依次层叠有镍镀层和金镀层的物质和/或、Al、ITO(铟锡氧化物)等形成。能够通过未图示的控制器对静电屏蔽层90输入电位。
如图6(b)所述，本实施方式中，静电屏蔽层90配置在第2控制线76与像素电极21之间。此外，虽省略了图示，但静电屏蔽层90配置在第1控制线75与像素电极21之间。
另外，静电屏蔽层90具有俯视与相邻的像素20之间的像素电极21的两端部重叠的大小。静电屏蔽层90如后所述具有屏蔽在第1控制线75以及第2控制线76与对置电极22之间产生电场的功能。
接下来，为说明静电屏蔽层90的效果，就在没有设置静电屏蔽层90的情况下所产生的问题进行说明。图7是表示关注电泳显示装置中的1个像素20的驱动方法的一例的定时图。
如图7所示，电泳显示装置100中，各像素20依次经历图像信号输入期间ST1以及图像写入期间ST2而生成图像。
图像信号输入期间ST1中，从数据线50对锁存电路25输入图像数据。具体而言，在具有上述构成的像素20中，若从数据线50经由像素开关元件24对锁存电路25输入低电平的图像数据，则如上所述锁存电路25的端子N1变为低电平。
于是，传输门TG1导通，像素电极21电连接于第1控制线75。因此，能够对像素电极21输入与第1控制线75相对应的电位。即，从第1控制线75对像素电极21输入低电平即例如0V的电位(L)作为控制信号S1。
另一方面，若从数据线50经由像素开关元件24对锁存电路25输入高电平的图像数据，则传输门TG2导通，像素电极21电连接于第2控制线76。因此，能够对像素电极21输入与第2控制线76相对应的电位。即，从第2控制线76对像素电极21输入高电平即例如15V的电位(H)作为控制信号S2。
电泳显示装置100能够通过从根据上述图像信号输入期间ST1所选择的第1控制线75或第2控制线76将预定电位输入像素电极21而使像素20显示图像。
接着，就图像写入期间ST2进行说明。如图7所示，图像写入期间ST2包括前半部ST2a和后半部ST2b。
图像写入期间ST2的前半部ST2a中，对对置电极22输入与低电平的信号相对应的例如0V的电位Vcom。该情况下，在从第1控制线75被输入0V的电位(L)的像素电极21与对置电极22之间不产生电位差。因此，电泳微粒(白色微粒82以及黑色微粒83)不动。
另一方面，从第2控制线76被输入15V的电位(H)的像素电极21，相对于对置电极22具有15V的电位差，因此带正电的白色微粒82向对置电极22侧移动、带负电的黑色微粒83向像素电极21侧移动，由此，若从成为显示面的对置电极22侧观察该像素，则被识别为白色(W)(参照图4(a))。
图像写入期间ST2的后半部ST2b中，对对置电极22输入与高电平的信号相对应的例如15V的电位Vcom。该情况下，在从第2控制线76被输入15V的电位(H)的像素电极21与对置电极22之间不产生电位差。另一方面，从第1控制线75被输入0V的电位(L)的像素电极21，相对于对置电极22具有－15V的电位差，因此带正电的白色微粒82向像素电极21侧移动，带负电的黑色微粒83向对置电极22侧移动，由此，若从成为显示面的对置电极22侧观察该像素，则被识别为黑色(B)(参照图4(b))。
以上那样，从第1控制线75被输入0V的电位(L)的像素电极21的像素20变为黑色，从第2控制线76被输入15V的电位(H)的像素电极21的像素20变为白色。因此，在图7中，将被输入进行黑显示的像素20的像素电极21的电位设为“黑”，将被输入进行白显示的像素20的像素电极21的电位设为“白”。
但是，第1控制线75以及第2控制线76跨多个像素20共用地形成。因此，在图像写入期间ST2之中，第1控制线75始终被输入0V的电位(L)，第2控制线76始终被输入15V的电位(H)。
根据以上内容，在没有设置静电屏蔽层90的情况下，会发生图8所示的现象。图8表示每个像素20的截面与白色微粒82、黑色微粒83的运动。此外，图8中，简化了图示，仅示出了像素电极21、对置电极22、第1控制线75以及第2控制线76。
图8(a)与在某一个像素20中从黑色表示向白色表示切换时的图像写入期间ST2的前半部ST2a相对应，图8(b)与相继于图8(a)的图像写入期间ST2的后半部ST2b相对应。另外，图8(c)与在某一个像素20中从白色表示向黑色表示切换时的图像写入期间ST2的前半部ST2a相对应，图8(d)与相继于图8(c)的图像写入期间ST2的后半部ST2b相对应。
在将像素20从黑显示向白显示切换的情况下，在图像写入期间ST2的前半部ST2a，像素电极21被输入15V(H)的电位，对置电极22被输入0V(L)的电位。此时，如图8(a)所示，黑色微粒83被向相对于对置电极22而言相对为高电位的像素电极21以及第2控制线76(与像素电极21电位相同)吸引。此外，白色微粒82被向对置电极22吸引。
另外，在图像写入期间ST2的后半部ST2b，像素电极21被输入15V的电位并且对置电极22被输入15V(H)的电位Vcom，因此对置电极22、像素电极21以及第2控制线76均为相同电位。因此，在像素电极21以及第2控制线76与对置电极22之间不会产生电场，如图8(b)所示，电泳微粒(白色微粒82以及黑色微粒83)不从像素电极21、对置电极22以及第2控制线76上移开。
另一方面，在将像素20从白显示向黑显示切换的情况下，在图像写入期间ST2的前半部ST2a，从第1控制线75对像素电极21输入0V(L)的电位，对对置电极22输入0V(L)的电位。此时，第2控制线76的电位为15V(H)，因此如图8(c)所示，黑色微粒83被向相对于对置电极22而言电位相对较高的第2控制线76吸引。
另外，在图像写入期间ST2的后半部ST2b，对置电极被22输入15V(H)的电位Vcom。因此，相对于像素电极21，第2控制线76以及对置电极22变为电位相对较高的状态。因此，如图8(d)所示，带负电的黑色微粒83从像素电极21上向对置电极22移动。另外，黑色微粒83也从像素电极21上向第2控制线76侧移动。此外，带正电的白色微粒82向对置电极22侧移动。
即、黑色微粒83逐渐在与第2控制线76俯视重叠的部分(像素电极21之间的间隙)堆积。第2控制线76从结构上看只能得到0V(例如，电源断开时等图像写入期间ST以外的期间)或+15V的电位，因此堆积的黑色微粒83会持续存在于第2控制线76上和/或其附近。在第2控制线76与对置电极22之间配置有分隔壁10的区域(第2控制线76与分隔壁10俯视重叠的区域)，这样的举动某种程度得被抑制，但是在第2控制线76与对置电极22之间未配置分隔壁10的区域(即、具有第2控制线76与分隔壁10俯视不重叠的部分时)，电泳微粒的堆积变得显著。
所以，如果黑色微粒83的堆积量超过预定的阈值，则能够有助于显示的微粒的数量变少，会引发显示不均和/或在最糟糕的情况下会无法显示之类的问题。此外，图8中，为使说明变得简单而省略了图示，但是，关于第1控制线75也会发生与第2控制线76同样的现象，白色微粒82历时地发生堆积。
本实施方式中，为防止这样的电泳微粒(白色微粒82以及黑色微粒83)的堆积，设置有图6所示的上述静电屏蔽层90。另外，静电屏蔽层90能够被输入电位。静电屏蔽层90被输入不同于像素电极21的电位。
图9是表示被输入静电屏蔽层90、对置电极22以及像素电极21(黑显示的像素20以及白显示的像素20)的电位的关系的图。图9中，将被输入静电屏蔽层90的电位示为E1。
如图9所示，本实施方式中，与对置电极22被输入电位的定时同步地，对静电屏蔽层90输入与对置电极22相同的电位。即、静电屏蔽层90，在图像写入期间ST2的前半部ST2a被输入与对对置电极22所输入的电位Vcom相同的电位即0V(L)的电位，在图像写入期间ST2的后半部ST2b被输入与对对置电极22所输入的电位Vcom相同的电位即15V(H)的电位。这样在本实施方式中，在对显示部3的像素20写入图像的写入工作期间，对静电屏蔽层90进行电位的输入。
一般认为由于静电屏蔽层90而产生图10所示的作用。图10表示本实施方式中的、每个像素20的截面和白色微粒82以及黑色微粒83的移动。图10(a)与某一像素20中从黑色表示向白色表示切换时的图像写入期间ST2的前半部ST2a相对应，图10(b)与相继于图10(a)的图像写入期间ST2的后半部ST2b相对应。另外，图10(c)与某一像素20中从白色表示向黑色表示切换时的图像写入期间ST2的前半部ST2a相对应，图10(d)与相继于图10(c)的图像写入期间ST2的后半部ST2b相对应。
在将从像素20从黑显示向白显示切换的情况下，在图像写入期间ST2的前半部ST2a，像素电极21被输入15V(H)的电位，对置电极22以及静电屏蔽层90被输入0V(L)的电位。静电屏蔽层90屏蔽相对于对置电极22而言相对为高电位的第2控制线76。因此，不会在第2控制线76与对置电极22之间产生电场。另外，静电屏蔽层90为与对置电极22相同的电位。因此，如图10(a)所示，黑色微粒83从静电屏蔽层90受到斥力，因而仅被吸引到相对于对置电极22而相对为高电位的像素电极21。此外，白色微粒82被吸引到对置电极22。
另外，在图像写入期间ST2的后半部ST2b，像素电极21被输入15V(H)的电位，并且对置电极22以及静电屏蔽层90也被输入15V(H)的电位。因此，对置电极22、像素电极21以及静电屏蔽层90均变为相同的电位。因此，在像素电极21以及第2控制线76与对置电极22之间不会产生电场，如图10(b)所示，电泳微粒(白色微粒82以及黑色微粒83)不从像素电极21以及对置电极22上移开。
另一方面，在将像素20从白显示向黑显示切换的情况下，在图像写入期间ST2的前半部ST2a，像素电极21从第1控制线75被输入0V(L)的电位，对置电极22以及静电屏蔽层90被输入0V(L)的电位。此外，第2控制线76的电位被保持为15V(H)。静电屏蔽层90屏蔽相对于对置电极22而言相对为高电位的第2控制线76。因此，不会在第2控制线76与对置电极22之间产生电场。另外，静电屏蔽层90为与对置电极22相同的电位。因此，如图10(c)所示，黑色微粒83不会被向相对于对置电极22而言电位相对较高的第2控制线76吸引。
另外，在图像写入期间ST2的后半部ST2b，对置电极22以及静电屏蔽层90被输入15V(H)的电位。因此，相对于像素电极21，静电屏蔽层90以及对置电极22变为电位相对较高的状态。因此，如图10(d)所示，带负电的黑色微粒83从像素电极21上向对置电极22移动。此外，带正电的白色微粒82向对置电极22侧移动。
在此，黑色微粒83也会从像素电极21上移动到静电屏蔽层90上暂时堆积。但是，在这样的情况下，在再次从黑显示向白显示切换时，也如图10(a)所示，静电屏蔽层90对黑色微粒83产生斥力，因此暂时堆积于静电屏蔽层90的黑色微粒83被释放。
另外，也可以对静电屏蔽层90输入电位，使得和对置电极22与像素电极21之间的电位差(绝对值)相比静电屏蔽层90与对置电极22之间的电位差(绝对值)变小。具体而言，也可以，如图9的单点划线所示，在图像写入期间ST2的前半部ST2a使向静电屏蔽层90输入的输入电位比0V稍高，在图像写入期间ST2的后半部ST2b使向静电屏蔽层90输入的输入电位比15V稍小。
这样一来，静电屏蔽层90与对置电极22之间的电位差变得比对置电极22与像素电极21之间的电位差小，因此能够使在图10(d)所示的静电屏蔽层90上堆积的黑色微粒83积极地向对置电极22侧移动。
如以上所述，根据本实施方式涉及的电泳显示装置100，与第1控制线75以及第2控制线76重叠的静电屏蔽层90被输入不同于像素电极21的电位，所以在第1控制线75以及第2控制线76与对置电极22之间产生的电位被屏蔽。
因此，在第1控制线75以及第2控制线76与对置电极22之间不会产生电场。由此，白色微粒82以及黑色微粒83不会偏置地滞留在与第1控制线75以及第2控制线76相对应的部分。
因此，使电泳微粒的堆积得到抑制，因此能够得到无显示不均的良好显示品质。
另外，本实施方式中，与向对置电极22的电位输入同步地，静电屏蔽层90被输入与向该对置电极22的输入电位相同的电位。因此，静电屏蔽层90的电位就会与对置电极22相对应地变化，由此如图10所示能够用斥力使暂时堆积于静电屏蔽层90的电泳微粒离开。
另外，本实施方式中，静电屏蔽层90形成为在俯视状态下与像素电极21的端部重叠，因此能够防止俯视在像素电极21与静电屏蔽层90之间产生间隙。因此，防止通过该间隙而在第1控制线75以及第2控制线76与对置电极22之间产生电场的情况。
此外，本实施方式中，举了在向显示部3的像素20写入图像的写入工作期间对静电屏蔽层90输入电位的情况为例，但是本发明不限定于此。例如，也可以在图像的写入工作结束的定时对静电屏蔽层90输入电位。即、也可以使得按对显示部3的像素20完成图像的写入的每一帧来进行向静电屏蔽层90的电位输入。在此，利用扫描线驱动电路60和数据线驱动电路70来执行向像素20的图像信号输入，将所有的扫描线40依次都选择1次的期间为1帧(1帧期间)。
在该情况下，也可以对静电屏蔽层90输入脉冲状电位。该脉冲的极性与在图像写入期间像素电极21被输入的电位相反。例如，在图像写入期间像素电极21被输入低电平(L)的电位的情况下，对静电屏蔽层90输入高电平(H)的电位即可。由此，静电屏蔽层90被输入反极性的电位，因此即使在电泳微粒滞留在静电屏蔽层90附近的情况下也能够通过斥力将将排除。
另外，也可以使得被输入静电屏蔽层90的电位按每一帧而反相。即、也可以将对对置电极22所输入的电位的反相电位输入静电屏蔽层90。在持续显示同一图像的像素中，对置电极22和像素电极21被保持为同一电位。因此，电泳微粒有可能堆积在与静电屏蔽层90相对应的部分。
相对于此，如上述那样被输入与对置电极22反相的反相电位，则在像素电极21与静电屏蔽层90之间会产生电位差，因此能够通过斥力使堆积于该静电屏蔽层90的电泳微粒离开。
另外，上述实施方式中，举了静电屏蔽层90设置在第1控制线75以及第2控制线76与像素电极21之间的层的情况为例，但是本发明不限定于此。例如，静电屏蔽层90也可以与像素电极21形成在同一层。该情况下，静电屏蔽层90例如包括在像素电极21之间引绕的布线层等。根据该结构，静电屏蔽层90与像素电极21配置在同一层，因此用于设置静电屏蔽层90的层就少要1层。由此，能够将层叠结构减少1层，能够使电泳显示装置100的层叠结构变薄。
或者，静电屏蔽层也可以由像素电极21的一部分构成。图11是表示将像素电极21的一部分用作静电屏蔽层时的像素20的俯视结构的图。如图11所示，像素电极21呈俯视覆盖第1控制线75和第2控制线76中的某一方的形状。
在该结构中，在第1控制线75以及第2控制线76与对置电极22之间也无电场，由此能够消除从对置电极22向第1控制线75以及第2控制线76泳动的电泳微粒。因此，不会有电泳微粒堆积于第1控制线75以及第2控制线76的情况，也不会产生发生表示不良这一的问题。
另外，上述实施方式中，举了像素20作为像素电路而具备像素开关元件24、锁存电路25、开关电路SW、连接于开关电路SW的第1控制线75以及第2控制线76的结构为例，但是本发明不限定于此。本发明中，只要是在图像显示时将被施加一定电位的2条以上的控制线(含电源线)中的任一条与像素电极电连接以驱动电泳元件的结构即可，像素电路的结构不受限定。例如，也可以在具备图12所示那样的像素电路的电泳显示装置101中应用本发明。此外，在图12中示出了第1行1列的像素20中的像素电路110。各像素电路110的结构相同，因此在此作为代表对第1行1列的像素电路110进行说明，关于其他的像素电路110省略说明。
像素电路110具备TFT131(第1晶体管)、TFT132(第2晶体管)、TFT133(第3晶体管)以及TFT134(第4晶体管)。TFT133的栅连接于扫描线40，TFT133的源连接于第1数据线50A。TFT134的栅连接于扫描线40，TFT134的源连接于第2数据线50B。
TFT131的栅连接于TFT133的漏，由第1控制线175对TFT131的源输入第1电位Ve1。TFT132的栅连接于TFT134的漏，由第2控制线176对TFT132的源输入第2电位Ve2。另外，TFT131的漏与TFT132的漏连接于像素电极21。
接着，就使像素20进行黑显示的情况下的驱动方法和使像素20进行白显示的情况下的驱动方法进行说明。在使像素29显示图像时，对置电极22被输入电位Vcom。在此，第1电位Ve1是高于电位Vcom的电位，第2电位Ve2是低于电位Vcom的电位。
例如，在使1行1列的像素20变白的情况下，数据线驱动电路(未图示)将H电平的数据信号供给到第1列的第1数据线50A并且将L电平的数据信号供给到第1列的第2数据线50B。如果在TFT133导通的状态下第1数据线50A变为H电平，则TFT131的栅变为H电平而使TFT131变为导通。另外，如果在TFT134导通的状态下第2数据线50B变为L电平，则TFT132的栅变为L电平而使TFT132变为截止。如果TFT131变为导通、TFT132变为截止，则由第1控制线175对像素电极21输入第1电位Ve1。在此，像素电极21的电位比被输入对置电极22的电位Vcom高，因此在电泳层80，带正电的白电泳微粒移动到对置电极22侧、带负电的黑电泳微粒移动到像素电极21侧。
另一方面，例如在使第1行1列的像素变黑的情况下，数据线驱动电路(未图示)，在第1行的扫描线40为H电平的期间、将L电平的数据信号供给到第1列的第1数据线50A并且将H电平的数据信号供给到第1列的第2数据线50B。如果在扫描线40变为H电平而TFT133导通的状态下第1数据线50A变为L电平，则TFT131的栅变为L电平而使TFT131变为截止。另外，如果在扫描线40变为H电平而TFT134导通的状态下第2数据线50B变为H电平，则TFT132的栅变为H电平而使TFT132变为导通。如果TFT131变为截止、TFT132变为导通，则由第2控制线176对像素电极21供给第2电位Ve2。在此，像素电极21的电位变为比被输入对置电极22的电位Vcom低，因此在电泳层80，带负电的黑电泳微粒移动到像素电极21侧、带正电的白电泳微粒移动到对置电极22侧。
根据图12所述的像素电路110，在改变像素20的显示时向像素电极21的电压施加一次即完成，因此能够抑制能耗。另外，能够按每一个像素20使施加于像素电极21的电压不同，因此通过选择一次扫描线40，针对同一行像素20，能够使某些像素变更为黑显示而使其他像素变更为白显示。另外，不按每一个像素设置存储器，因此与按每一个像素设置存储电路(锁存电路)的构成相比较、能够实现高精细化。
本发明中，上述像素电路110中，通过以与连接于各像素20的像素电极21的第1控制线75以及第2控制线176俯视重叠的方式设置静电屏蔽层90，能够防止电泳微粒在与第1控制线75以及第2控制线176相对应的部分堆积。
(电子设备)
接下来，关于将上述各实施方式的电泳显示装置应用于电子设备的情况进行说明。
图13是说明应用了本发明的电泳显示装置的电子设备的具体例的立体图。
图13(a)是表示作为电子设备的一例的电子书的立体图。该电子书(电子设备)400具备书形状的框架401、相对于该框架401旋转自如地设置的(可开闭)的盖402、操作部403和包括本发明的电泳显示装置的显示部404。
图13(b)是表示作为电子设备的一例的手表的立体图。该手表(电子设备)500具备包括本发明的电泳显示装置的显示部501。
图13(c)是表示作为电子设备的一例的电子纸的立体图。该电子纸(电子设备)600具备：由具有与纸相同的质感以及柔软性的可重写片构成的主体部601；和包括本发明的电泳显示装置的显示部602。
例如电子书和/或电子纸等，被设想在空白的背景上反复写入文字的用途，因此需要消除显示不均。
此外，能够应用本发明的电泳显示装置的电子设备的范围不限定于此，广泛地包括利用了与带电微粒的移动相伴的视觉上的色调变化的装置。
根据以上的电子书400、手表500以及电子纸600，因为采用了本发明涉及的电泳显示装置，因此成为通过抑制显示不均而能够得到高品质表示特性的、可靠性优异的高品位的电子设备。
此外，上述的电子设备例示出本发明涉及的电子设备，不限定本发明的技术范围。例如，本发明涉及的电泳显示装置还能够很好地应用在移动电话机、移动用音频设备等电子设备的显示部和/或、手动等业务用板、教科书、习题集、信息板等中。

Claims (16)

1.一种电泳显示装置，其特征在于，具备：
一对基板；
电泳层，其被夹持在所述一对基板之间，包括分隔壁和在由所述分隔壁划分出的多个区域配置的电泳微粒；
包括多个像素的显示部；
形成于所述多个像素的像素电极；
对置电极，其隔着所述电泳层与多个所述像素电极相对；
第1控制线以及第2控制线，其与所述像素电极电连接且具有俯视不与所述分隔壁重叠的部分；和
屏蔽层，其配置在所述第1控制线以及所述第2控制线与所述电泳层之间，俯视与所述第1控制线以及所述第2控制线重叠，且可被输入电位。
2.根据权利要求1所述的电泳显示装置，其中，
所述屏蔽层被输入不同于所述像素电极的电位。
3.根据权利要求1或2所述的电泳显示装置，其中，
在图像写入期间，所述屏蔽层被输入与对所述对置电极所输入的电位相同的电位。
4.根据权利要求1或2所述的电泳显示装置，其中，
在图像写入期间，所述屏蔽层被输入电位，使得该屏蔽层与所述对置电极之间的电位差比所述对置电极与所述像素电极之间的电位差小。
5.根据权利要求1、2或4所述的电泳显示装置，其中，
在所述显示部被图像写入的一定期间，所述屏蔽层被输入相对于所述对置电极的电位反相的电位。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电泳显示装置，其中，
在针对所述显示部的图像写入工作期间，所述屏蔽层被输入电位。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电泳显示装置，其中，
所述屏蔽层与所述像素电极形成在同一层。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的电泳显示装置，其中，
所述屏蔽层形成于所述像素电极与所述第1控制线以及所述第2控制线之间的层。
9.根据权利要求8所述的电泳显示装置，其中，
所述屏蔽层形成为在俯视的状态下重叠于所述像素电极的端部。
10.根据权利要求1所述的电泳显示装置，其中，
所述屏蔽层与所述像素电极形成为一体。
11.一种电泳显示装置的驱动方法，其特征在于，
所述电泳显示装置具备：
一对基板；
电泳层，其被夹持在所述一对基板之间，包括分隔壁和在由所述分隔壁划分出的多个区域配置的电泳微粒；
包括多个像素的显示部；
形成于所述多个像素的像素电极；
对置电极，其隔着所述电泳层与多个所述像素电极相对；
第1控制线以及第2控制线，其与所述像素电极电连接且具有俯视不与所述分隔壁重叠的部分；和
屏蔽层，其配置在所述第1控制线以及所述第2控制线与所述电泳层之间，俯视与所述第1控制线以及所述第2控制线重叠，
所述电泳显示装置的驱动方法包括对所述屏蔽层输入不同于所述像素电极电位的电位输入步骤。
12.根据权利要求11所述的电泳显示装置的驱动方法，其中，
在所述电位输入步骤中，所述屏蔽层被输入与对所述对置电极所输入的电位相同的电位。
13.根据权利要求11所述的电泳显示装置的驱动方法，其中，
在所述电位输入步骤中，所述屏蔽层被输入电位，使得该屏蔽层与所述对置电极之间的电位差比所述对置电极与所述像素电极之间的电位差小。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的电泳显示装置的驱动方法，其中，
所述电位输入步骤按所述显示部被写入图像的1帧期间执行，并且被输入所述屏蔽层的电位的极性按帧期间而反相。
15.根据权利要求11至13中任一项所述的电泳显示装置的驱动方法，其中，
所述电位输入步骤在针对所述显示部的图像写入工作期间执行。
16.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1至10中任一项所述的电泳显示装置。
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