CN102163608B - 电光装置用基板、电光装置以及电子设备 - Google Patents
电光装置用基板、电光装置以及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102163608B CN102163608B CN201110035092.3A CN201110035092A CN102163608B CN 102163608 B CN102163608 B CN 102163608B CN 201110035092 A CN201110035092 A CN 201110035092A CN 102163608 B CN102163608 B CN 102163608B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- aforementioned
- substrate
- transistor
- connecting line
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- -1 methyl cyclohexylamine hydrocarbon Chemical class 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N Hexylbenzene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1 LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZILCZKGXMQEQR-UHFFFAOYSA-N decyl-Benzene Chemical compound CCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 UZILCZKGXMQEQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical class CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBNXAWYDQUGHGX-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylheptane Chemical compound CCCCCCCC1=CC=CC=C1 LBNXAWYDQUGHGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 235000010489 acacia gum Nutrition 0.000 description 1
- 239000001785 acacia senegal l. willd gum Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LIXVMPBOGDCSRM-UHFFFAOYSA-N nonylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 LIXVMPBOGDCSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- JZALLXAUNPOCEU-UHFFFAOYSA-N tetradecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 JZALLXAUNPOCEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- MCVUKOYZUCWLQQ-UHFFFAOYSA-N tridecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 MCVUKOYZUCWLQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBEADGFTLHRJRB-UHFFFAOYSA-N undecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 XBEADGFTLHRJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/37—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/165—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
- G02F1/166—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
- G02F1/167—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field characterised by the electro-optical or magneto-optical effect by electrophoresis
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供电光装置用基板、电光装置以及电子设备。电光装置具备:基板;按每一像素设置的像素电极;与像素电极相比隔着层间绝缘膜靠下层侧按每一像素设置、与像素电极连接的像素晶体管;设置于周边区域的周边晶体管;在不形成像素晶体管及周边晶体管的栅绝缘膜及层间绝缘膜的区域内与像素电极由同一膜形成、与周边晶体管连接的连接线。
Description
技术领域
本发明涉及电光装置用基板、具备该电光装置用基板的电光装置以及具备该电光装置的电子设备的技术领域。
背景技术
作为这种电光装置用基板的一例,例如有下述有源矩阵基板:用于有源矩阵驱动方式的电泳显示装置等电光装置,在基板上具备像素电极、用于进行该像素电极的选择驱动的扫描线、数据线以及作为像素开关元件的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)。以上的构成要素,在基板上成为层叠结构而形成。各构成要素通过层间绝缘膜划分为各层而配置,并且经由形成于层间绝缘膜的接触孔(或也称为“通孔”)适宜电连接。
此外,用于这种电光装置的基板,从以往的缺乏柔软性的(即硬的)玻璃基板变化为轻量且柔软性优异的(即柔性的)塑料基板。因此,期望具备与基板的柔软性对应的TFT的电光装置用基板。
例如在专利文献1中,公开了通过使用印刷法在应该成膜的区域限定性地涂敷材料来制造有机薄膜晶体管的技术。根据这样的技术,能够减少用于形成接触孔的蚀刻工序。
【专利文献1】特开2009-38337号公报
但是,在上述的专利文献1中,由于栅绝缘膜遍及基板整面而形成,所以会产生以下的问题。第1问题点是:由于栅绝缘膜在基板整面形成,所以在使用塑料基板时基板会因膜内的应力而挠曲。第2问题点是:由于栅绝缘膜遍及基板整面而存在,所以需要对栅绝缘膜进行栅电极与外部电路的连接用或基板上的保护二极管等电路的制作用的接触孔的开孔的工序,制造工序变得繁杂。第3问题点是:由于遍及基板整面形成栅绝缘膜,所以违背了省资源、低成本的要求。
已知:若基板存在大的应力则不仅最终产品的形状会变形,而且若在工序过程中也产生基板的挠曲则不能够进行输送,极端时基板会成为卷状,在后续的工序中将不能够进行处理。进而,还已知:由于应力与重复制膜一同变大,所以工序越往后则问题越大。这些问题在如上所述使用塑料基板时变得更加显著。
发明内容
本发明是例如鉴于上述的问题之中的至少1个而实现的,其目的在于提供能够适应于省资源以及低成本的要求且抑制基板的挠曲的电光装置用基板、电光装置以及电子设备。
本发明的电光装置用基板,为了解决上述问题,是具有排列有多个像素的显示区域的电光装置用基板,其具备:基板;像素电极,其在前述基板上按前述每一像素而设置;像素晶体管,其在前述基板上、比前述像素电极靠下层侧按前述每一像素而设置,包含选择性地设置于前述基板上的预定的区域的栅绝缘膜,且其与前述像素电极电连接;层间绝缘膜,其配置于前述像素电极与前述像素晶体管之间,选择性地设置于前述基板上的预定的区域;周边晶体管,其在前述基板上设置在位于前述显示区域的周边的周边区域;以及连接线,其在不形成构成前述像素晶体管及前述周边晶体管的栅绝缘膜及前述层间绝缘膜的区域内,与前述像素电极由同一膜形成,且其与前述周边晶体管电连接。
根据本发明的电光装置用基板,例如在矩阵状地排列有多个像素的显示区域(适宜地,也称为像素区域或图像显示区域),通过对按每一像素设置的像素电极施加图像信号,可以实现由所谓的有源矩阵方式实现的图像显示。
本发明的“像素晶体管”,按每一像素设置,与像素电极电连接。像素晶体管,例如排列于矩阵状地配置有多个像素的显示区域,其通过作为各像素的开关元件起作用,可以进行例如由所谓的有源矩阵方式实现的图像显示。即,通过使与像素电极电连接的像素晶体管以预定的定时导通或截止,来控制对于像素电极的图像信号的施加定时。像素电极是例如由ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)等透明导电材料构成的透明电极或金属等不透明电极。
此外,像素晶体管比像素电极靠下层侧形成。换言之,在像素晶体管与像素电极间存在层间绝缘膜,像素晶体管以及像素电极,经由在层间绝缘膜开设的接触孔相互电连接,由此对像素电极进行来自像素晶体管的图像信号的导通截止控制并进行供给。而且,用于将像素晶体管与像素电极电连接的接触孔,也可以通过在除了应该形成该接触孔的区域之外的区域涂敷绝缘材料而形成。
像素晶体管,包含选择性地设置于基板上的预定的区域的栅绝缘膜。在此,所谓“选择性地设置于基板上的预定的区域”,意味着仅设置于基板上的预定的区域,换言之,意味着仅设置于基板上的区域之中的一部分区域。例如,栅绝缘膜,通过利用喷墨法等涂敷法,在基板上的适当的区域涂敷绝缘材料而形成。这样选择性地设置的栅绝缘膜,与通过在遍及基板整面层叠绝缘材料之后进行图案形成而形成的情况比较,在其形成过程中不会产生浪费的材料。因此,能够适应于省资源以及低成本的要求。此外,由于不在基板整面进行栅绝缘膜的制膜,所以能够抑制基板的应力。
本发明的“层间绝缘膜”,配置于像素电极与像素晶体管之间,选择性地设置于基板上的预定的区域。该层间绝缘膜也与上述的栅绝缘膜同样,选择性地设置。因此,关于层间绝缘膜,也能够适应于省资源以及低成本的要求,并且能够抑制基板的应力。
本发明的“周边晶体管”,在周边区域形成。在此,所谓周边区域,是位于基板上的显示区域的周边的区域。周边晶体管例如作为用于构成驱动电路的电路元件而使用,该驱动电路是进行驱动频率高的驱动方式下的比较高速的开关工作和/或进而电流放大工作或电流控制工作、整流工作、电压保持工作等的驱动电路(即X驱动电路和/或Y驱动电路)。而且,作为周边晶体管的用途,只要与该电光装置的电光工作有关,就不进行任何限定。
而且,像素晶体管以及周边晶体管,既可以是栅电极在基板上的层叠结构中比半导体层靠上层侧配置的顶栅型,也可以是栅电极在基板上的层叠结构中比半导体层靠下层侧配置的底栅型,进而也可以是栅电极配置于半导体层的上层侧以及下层侧双方的双栅型。
本发明的“连接线”,在不形成构成像素晶体管以及周边晶体管的栅绝缘膜以及层间绝缘膜的区域内形成。连接线,是用于将周边晶体管电连接于其他的导电层、例如在基板上形成的用于实现电光工作的各种布线和/或元件等的布线,其例如由铝等导电性材料形成。由于形成连接线的区域不形成栅绝缘膜以及层间绝缘膜,所以成为作为连接线的连接对象的各种布线和/或元件等部分地露出的状态。连接线,通过形成于这样部分地露出的连接对象上,来与连接对象进行电连接。即,连接线通过不经由接触孔,而以与连接对象直接(即,在与连接对象之间不隔着其他的层叠结构)接触的方式形成,来实现电连接。这样的连接,与经由接触孔电连接的情况相比,由于不需要对栅绝缘膜和/或层间绝缘膜通过蚀刻等进行开孔的工序,所以能够以更少的工序数实现电连接。此外,在本发明中,在将连接线电连接于连接对象时,由于不需要如形成接触孔的情况那样遍及基板整面形成绝缘膜,所以也可以有效地抑制完成的电光装置用基板的挠曲(即结构的变形)。
本发明的“连接线”,与像素电极由同一膜形成。在此,所谓“同一膜”,意味着通过同一成膜工序形成的膜,而不是仅意味着像素电极与连接线完全是同一膜。像素电极与连接线可以不相互电连接,也可以其厚度等各种条件相不同。连接线与像素电极,既可以通过对同一导电膜同时进行图案形成而形成,也可以用涂敷法同时形成。在涂敷法的情况下,连接线在要形成的区域选择性地形成。特别地,由于像素电极成为TFT制造工序的基本最终工序,所以其在应力累积的状态下形成。因此,优选用不在整面进行材料的制膜的涂敷法形成。通过与电连接于像素晶体管的像素电极由同一膜形成连接线,能够在同一工序中形成像素电极和连接线。因此,能够削减工序数,能够削减制造成本。
如以上说明的那样,根据本发明,能够实现可以适应于省资源以及低成本的要求且抑制基板的挠曲的电光装置用基板。
在本发明的电光装置用基板的一种方式中,前述栅绝缘膜及前述层间绝缘膜,通过在应该形成前述栅绝缘膜及前述层间绝缘膜的区域选择性地涂敷绝缘材料而形成。
根据该方式,通过利用例如喷墨法等涂敷法,在基板上的适当的区域涂敷绝缘材料而形成栅绝缘膜以及层间绝缘膜。在此,所谓“选择性地涂敷”,意味着仅设置于基板上的预定的区域,换言之,意味着仅设置于基板上的区域之中的一部分区域。这样,由于不是在基板整面形成一个膜之后进行图案形成而形成栅绝缘膜及前述层间绝缘膜,而是通过选择性地涂敷材料而形成栅绝缘膜及前述层间绝缘膜,所以在其形成过程中不会产生浪费的材料。也就是说,可以实现更加适应于省资源以及低成本的要求的电光装置用基板。进而,由于不使用蚀刻工序所以也可以削减工序。此外,由于不在基板整面进行绝缘材料的制膜地可以形成栅绝缘膜及前述层间绝缘膜,所以能够抑制基板的应力。特别地,由于层间绝缘膜存在膜厚变厚的倾向,所以能够通过选择性地涂敷来形成层间绝缘膜,由此有效地减小应力。
在本发明的电光装置用基板的其他方式中,前述像素电极和前述连接线,通过在应该形成前述像素电极及前述连接线的区域选择性地涂敷导电材料而形成。
根据该方式,与上述的栅绝缘膜以及层间绝缘膜同样,关于作为导电层而形成的像素电极和连接线,也能够通过选择性地涂敷材料来形成,由此实现可以适应于省资源以及低成本的要求且抑制基板的挠曲的电光装置用基板。
在本发明的电光装置用基板的其他方式中,前述连接线,以将前述周边晶体管连接为二极管的方式形成。
在该方式中,例如通过以将周边晶体管的源与栅之间电连接的方式形成连接线,能够使用周边晶体管在周边区域形成二极管电路。
在本发明的电光装置用基板的其他方式中,前述周边晶体管,设置有多个;该多个周边晶体管,通过前述连接线相互连接,由此构成倒相器电路。
根据该方式,能够例如使用多个周边晶体管而形成例如静电保护电路等周边电路。
本发明的电光装置,为了解决上述问题,具备上述的本发明的电光装置用基板(也包含其各种方式)。
根据本发明的电光装置,由于具备上述的本发明的电光装置用基板,所以能够实现例如可以进行高品质的显示的例如电泳显示装置、液晶显示装置、有机EL(Electro-Luminescence,电致发光)显示装置等各种显示装置。
本发明的电子设备,为了解决上述问题,具备上述的本发明的电光装置(包含其各种方式)。
本发明的电子设备,由于具备上述的本发明的电光装置,所以可以实现例如可进行高品质的图像显示的例如电子纸等电泳装置、场致发射装置(场发射显示器以及传导电子发射显示器)、作为使用了这些电泳装置、场致发射装置的装置的DLP(Digital Light Processing,数字变亮处理)等。此外,作为本发明的电子设备,还能够实现投影型显示装置、电视机、便携电话机、电子记事簿、文字处理机、取景器型或监控器直视型的录像机、工作站、电视电话、POS终端、触摸面板、在人工皮肤的表面形成的传感器等各种电子设备。
本发明的作用以及其他的优点可从接着说明的具体实施方式中得以明确。
附图说明
图1是表示第1实施方式的电泳显示面板的整体结构的框图。
图2是图1的H-H’剖面图。
图3是表示第1实施方式的电泳显示面板所具备的静电保护用电路的电结构的框图。
图4是表示第1实施方式的电泳显示面板所具备的静电保护用电路的电结构的其他例子的框图。
图5是第1实施方式的电泳显示面板的图像显示区域的像素的放大俯视图。
图6是图5的A-A’线剖面图。
图7是第1实施方式的电泳显示面板的静电保护用电路的放大俯视图。
图8是图7的B-B’线剖面图。
图9是第1实施方式的电泳显示面板的第1晶体管具有顶栅结构的情况的剖面图。
图10是表示第2实施方式的电泳显示面板的设置于周边区域的倒相器电路的电结构的电路图。
图11是表示第2实施方式的电泳显示面板的倒相器电路的放大俯视图。
图12是表示制造第1实施方式的电泳显示面板的一系列制造工序的工序剖面图。
图13是表示应用了本发明的电泳显示面板的电子纸的结构的立体图。
图14是表示应用了本发明的电泳显示面板的电子记事簿的结构的立体图。
符号说明
6...数据线,9...像素电极,10...元件基板,10a...图像显示区域,11...扫描线,20...对置基板,21...对置电极,30...TFT,14、114...层间绝缘膜,50...电泳元件,101...数据线驱动电路,102...外部电路连接端子,104...扫描线驱动电路,130...第1晶体管,140...第2晶体管,132、133、135、136...连接线。
具体实施方式
以下,关于本发明的实施方式参照附图进行说明。在以下的实施方式中,以作为本发明的电光装置的一例的TFT有源矩阵驱动方式的电泳显示面板为例,该电泳显示面板具备作为本发明的电光装置用基板的一例的有源矩阵基板。
<电泳显示面板>
<第1实施方式>
首先,关于本实施方式的电泳显示面板的整体结构,参照图1及图2进行说明。
图1是表示本实施方式的电泳显示面板的整体结构的框图。在以下,只要没有特别说明,TFT便是n沟道型。
在图1中,本实施方式的电泳显示面板1具有m行×n列的像素60排列为矩阵状(二维平面)的图像显示区域10a。在图像显示区域10a,m条扫描线11(即扫描线Y1、Y2、...、Ym)与n条数据线6(即数据线X1、X2、...、Xn)以相互交差的方式设置。m条扫描线11在行方向(即X方向)延伸,n条数据线6在列方向(即Y方向)延伸。像素60以对应于m条扫描线11与n条数据线6的交差处的方式配置。
电泳显示面板1具备用于提供为了驱动这些像素60而所需的扫描信号以及图像信号的扫描线驱动电路104以及数据线驱动电路101。
扫描线驱动电路104脉冲式地依次对扫描线Y1、Y2、...、Ym的各个供给扫描信号。另一方面,数据线驱动电路101,以与来自扫描线驱动电路104的扫描信号的供给定时同步的方式,对数据线X1、X2、...、Xn提供图像信号。图像信号,取高电位电平(以下称为“高电平”,例如15V)或者低电位电平(以下称为“低电平”,例如-15V)这2值的电平。作为其他电压的例子,扫描线11也可以施加25V而作为选择电压,施加-10V作为非选择电压,向对置电极21施加0V。
而且,在本实施方式中,采用了将扫描线驱动电路104以及数据线驱动电路101内置于电泳显示面板1的方式,但是也可以将其作为贴附于COF(Chip on Film,覆晶薄膜)等的外装的IC,而设置在外部。
扫描线11以及数据线6,在位于图像显示区域10a的周围的周边区域与静电保护用电路80电连接。静电保护用电路80防止高电压脉冲(所谓的ESD浪涌)输入至电路。具体地,静电保护用电路80,例如使对电路内部输入的ESD浪涌流向高电位电源线91以及低电位电源线92。因此,ESD浪涌不会流至电路内部。而且,关于静电保护用电路80的具体的结构,后面进行详述。
未图示的电源电路,对高电位电源线91供给高电位电源电位Vdd,对低电位电源线92供给低电位电源电位Vss。
图2是本实施方式的电泳显示面板1的图像显示区域10a的一个像素60的电路图。
在图2中,像素60,通过在像素电极9以及对置电极21之间夹持电泳元件50,构成为可以进行灰度等级显示,该像素电极9以及对置电极21分别形成于以相互相对的方式配置的一对基板(即后述的元件基板以及对置基板)的表面。
在此,电泳元件50包括多个微囊,该多个微囊分别包含电泳微粒而形成。微囊,例如通过在被膜的内部封入分散剂、多个白色微粒、多个黑色微粒而构成。被膜作为微囊的外壳发挥作用,由聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯等丙烯酸树脂、尿素树脂、阿拉伯胶等具有透光性的高分子树脂形成。分散剂是使白色微粒以及黑色微粒分散在微囊内(换句话说,被膜内)的媒介,其可以单独或者混合使用以下物质:水;甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纤剂等醇类溶剂;醋酸乙酯、醋酸丁酯等各种酯类;丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮等酮类;戊烷、己烷、辛烷等脂肪族烃;环己胺、甲基环己胺等脂环式烃;苯、甲苯和/或二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等具有长链烷基的苯类等芳香族烃;二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、1,2二氯乙烷等卤代烃;羟酸盐;其他的油类等。此外,在分散剂中,也可以混合表面活性剂。白色微粒是包含例如二氧化钛、锌华(氧化锌)、三氧化锑等白色颜料的微粒(高分子或者胶体),其例如带负电。黑色微粒是包含例如苯胺黑、炭黑等黑色颜料的微粒(高分子或者胶体),其例如带正电。因此,白色微粒以及黑色微粒,靠因像素电极9与对置电极21之间的电位差产生的电场的作用,能够在分散剂中移动。
而且,在这些颜料中,根据需要,能够添加包含电解质、表面活性剂、金属皂、树脂、橡胶、油、清漆、化合物等的微粒的电荷控制剂、钛类偶联剂、铝类偶联剂、硅烷类偶联剂等分散剂、润滑剂、稳定剂等。
各个像素60具备像素开关用的TFT30和保持电容70。
TFT30,其栅电连接于扫描线11,其源电连接于数据线6,其漏电连接于像素电极9。TFT30在与从扫描线驱动电路104(参照图1)经由扫描线11脉冲式地提供的扫描信号相应的定时,对像素电极9输出从数据线驱动电路101(参照图1)经由数据线6提供的图像信号。
保持电容70通过在一对电极之间夹持电容绝缘膜而构成。在此,一对电极之中的一个电极(具体地,后述的中继层8)与TFT30的漏以及像素电极9电连接,另一个电极(具体地,后述的电容电极71)与保持为预定的电位的共用电位线300电连接。在此,共用电位线300的电位既可以是固定值,也可以以固定或不定的周期变化,其从未图示的电源电路被供给电压。这样,通过相对于像素60并列地设置保持电容70,能够使像素电极9的对于图像信号的保持特性提高。而且,在即使没有保持电容70也可以充分确保像素的保持特性的情况下,也可以不设置保持电容70。
接着,关于在周边区域形成的静电保护用电路80的具体的结构,参照图3进行说明。图3是表示本实施方式的电泳显示面板1所具备的静电保护用电路80的电结构的框图。
静电保护用电路80具备连接为二极管的第1晶体管130以及第2晶体管140而构成。
第1晶体管130的源,电连接于数据线6,第1晶体管130的栅以及漏相互地电短路。第1晶体管130的栅以及漏通过电连接于低电位电源线92而保持为电位VSS,源电连接于源线6。另一方面,第2晶体管140的源,电连接于高电位电源线91、保持为电位Vdd,第2晶体管140的栅以及漏相互地电短路,并且电连接于源线6。这样,通过使连接为二极管的第1晶体管130以及第2晶体管140在相反方向偏置,能够在不产生静电时抑制泄漏电流。并且,在通过静电放电(ESD)而产生的ESD浪涌施加于数据线6、其电位超过了2条电源线91、92的情况下,能够经由第1晶体管130以及第2晶体管140使ESD浪涌迅速地释放至2条电源线91、92。因此,静电保护用电路80能够防止由于ESD浪涌施加于数据线6而使内部电路(例如图像显示区域10a的TFT等电路元件和/或周边区域的数据线驱动电路101)被静电破坏的情况。而且,电连接于扫描线40的静电保护用电路80,也与上述的电连接于数据线6的静电保护用电路80同样,能够防止由于ESD浪涌施加于扫描线40而使内部电路(例如图像显示区域10a的TFT等电路元件和/或周边区域的扫描线驱动电路104)被静电破坏的情况。
而且,静电保护用电路80,也可以具有图4所示的电路结构。图4是表示本实施方式的电泳显示面板1所具备的静电保护用电路80的电结构的其他例子的框图。图4的静电保护用电路80具有2个连接端子,一个连接端子连接于数据线6或扫描线11,另一个连接端子连接于共用线(未图示)。例如在图1、3的结构中将高电位电源线91作为共用线,代替二极管140而使用图4的电路。此时,也可以不使用低电位电源线92。对共用线施加共用电位,例如0V。
接着,关于本实施方式的电泳显示面板1的图像显示区域10a的具体的结构,参照图5以及图6进行说明。
图5是本实施方式的电泳显示面板1的图像显示区域10a的像素60的放大俯视图。图6是图5的A-A’线剖面图。而且,在图5以及图6中,为了使各层、各部件在附图上成为可以识别的程度的大小,按各层、各部件使比例尺不同。
在元件基板10上形成有TFT30。TFT30按每一像素部60(参照图1)而配置。TFT30包括半导体层30a、栅电极30b以及栅绝缘膜30c。而且,本实施方式中的TFT30,是从下层侧开始顺序层叠栅电极30b、栅绝缘膜30c以及半导体层30a而成的所谓底栅型的TFT。而且,TFT30是本发明的“像素晶体管”的一例。
栅电极30b以隔着栅绝缘膜30c与半导体层30a相对的方式形成。如图5所示,栅电极30b作为在元件基板10上形成的扫描线11的一部分而形成。在本实施方式中,在主要沿着X方向形成的扫描线11之中、在元件基板10上方俯视地观察的情况下与半导体层30a重叠的一个区域,以在Y方向部分地突出的方式形成的扫描线11的部分作为栅电极30b而起作用。在栅电极30b的上层侧,设置栅绝缘膜30c。栅绝缘膜30c仅选择性地设置于TFT30的形成区域以及其周围的一定范围内的区域。
在元件基板10上方俯视地观察,半导体层30a之中与栅电极30b重叠的区域作为沟道区域起作用。另一方面,除了作为沟道区域起作用的区域之外的区域,作为源区域以及漏区域起作用,分别电连接于数据线6以及中继层8。
此外,在元件基板10上,形成有扫描线11。在扫描线11与数据线6的交点处,在扫描线11的上层侧,选择性地形成有栅绝缘膜30c,在栅绝缘膜30c的上层侧形成有数据线6。即,栅绝缘膜30c在元件基板10上,兼具使数据线6以及扫描线11之间电绝缘的功能。
中继层8,其一端连接于半导体层30a,另一端经由在层叠于中继层8的上层侧的层间绝缘膜14中设置的接触孔40电连接于像素电极9。也就是说,中继层8将半导体层30a与像素电极9之间电中继连接。层叠结构被形成为:在对栅电极30b供给扫描信号的定时(即TFT30被设定为导通状态的定时),通过从半导体层30a输出图像信号,经由中继层8对像素电极9施加图像信号。而且,像素电极9是本发明的“像素电极”的一例。在形成接触孔40的区域,均不形成栅绝缘膜30c、层间绝缘膜14。
此外,中继层8与隔着电容绝缘膜72而形成于下层侧的电容电极71一起形成保持电容70。电容电极71基于从未图示的电源电路供给的电位,保持为预定的电位。由此,能够使TFT30的保持特性有效地提高。
接着,关于本实施方式的电泳显示面板1的周边区域的静电保护用电路80的具体结构,参照图7以及图8进行说明。图7是本实施方式的电泳显示面板1的静电保护用电路80的放大俯视图。图8是图7的B-B’线剖面图。而且,在图7以及图8中,为了使各层、各部件在附图上成为可以识别的程度的大小,按各层、各部件使比例尺不同。
第1晶体管130通过使栅电极130b以隔着栅绝缘膜130c与半导体层130a相对的方式配置而构成。第1晶体管130的源电连接于第1连接线131。第1连接线131进一步以第2连接线132为中继,电连接于低电位电源线92。另一方面,第1晶体管130的栅以及漏共同电连接于数据线6。特别地,栅经由第3连接线133电连接于数据线6。第2以及第3连接线是本发明的“连接线”的一例。
第2晶体管140通过使栅电极140b以隔着栅绝缘膜140c与半导体层140a相对的方式配置而构成。第2晶体管140的源电连接于第4连接线141。第4连接线141进一步以第5连接线142为中继,电连接于高电位电源线91。另一方面,第2晶体管140的栅以及漏共同电连接于数据线6。特别地,栅经由第6连接线143电连接于数据线6。第5以及第6连接线是本发明的“连接线”的一例。
如图8所示,第1晶体管130在元件基板10上隔着基底膜12而形成。第1晶体管130通过从下层侧开始顺序设置栅线130b、栅绝缘膜130c以及半导体层130a而构成,具有所谓的底栅型的结构。在第1晶体管130的源电连接着第1连接线131,在第1晶体管130的漏电连接着数据线6。
在第1晶体管130上形成有层间绝缘膜114。层间绝缘膜114,以下述方式形成:当在元件基板10上方俯视地观察的情况下,第1连接线131以及数据线6的各自的端部与层间绝缘膜114重叠。即,层间绝缘膜114以下述方式形成:当在元件基板10上从上方俯视地观察的情况下,第1连接线131以及数据线6的各自的端部从层间绝缘膜114部分地露出。具体地,如图7所示,层间绝缘膜114,仅在虚线114′包围的区域形成。因此,第2连接线132以及第3连接线133在从层间绝缘膜114露出的部分(即第1连接线131以及数据线6的端部)上形成。其结果,为了使第2连接线132与第1连接线131直接接触,不经由接触孔便实现了第1连接线131与第2连接线132间的电连接。此外,为了使第3连接线133与数据线6直接接触,不经由接触孔便实现了第3连接线133与数据线6间的电连接。
而且,虽然在此主要关于第1晶体管130的附近的剖面结构进行了说明,但是由于第2晶体管140的附近的剖面结构也是同样的,所以在此省略图示以及说明。
而且,虽然在本实施方式中关于在周边区域形成的第1晶体管130具有底栅结构的情况进行了说明,但是也可以如图9所示具有顶栅结构。图9是本实施方式的电泳显示面板1的第1晶体管130具有顶栅结构的情况的剖面图。在此情况下,由于俯视结构与上述同样,所以省略详细的说明。
而且,虽然上述使用了连接线这样的表述,但与像素电极同时形成的连接线是第2、第3、第5、第6连接线132、133、142、143。其他的第1、第4连接线131、141与源线6同时形成。
<第2实施方式>
接着,参照图10以及图11关于第2实施方式的电泳显示面板进行说明。在上述的第一实施方式中,例示了在周边区域具备静电保护用电路80、该静电保护用电路80具有连接为二极管的晶体管的情况,但是在本实施方式中,在周边区域具有倒相器电路这一点不同。而且,由于关于图像显示区域10a的结构等其他的要素与第1实施方式相同,所以在此省略详细的说明。
首先,参照图10,关于本实施方式的电泳显示面板的设置于周边区域的倒相器电路210的电结构进行说明。图10是表示实施方式的电泳显示面板的设置于周边区域的倒相器电路210的电结构的电路图。而且,虽然在图10中图示了多个同样的倒相器电路连接起来的形态,但是以下仅关于一个倒相器电路210代表性地进行说明,关于其他的倒相器电路省略说明。
图10中由虚线包围的电路,是一个倒相器电路210。倒相器电路210包括第1晶体管230以及第2晶体管240。
第1晶体管230是N沟道型晶体管,第2晶体管240是P沟道型晶体管。
第1晶体管230的源电连接于低电位电源线92。另一方面,第2晶体管240的源电连接于高电位电源线91。第1晶体管230的栅以及漏,与第2晶体管240的栅以及漏电短路,并且电连接于输出线16。
接着,关于本实施方式的电泳显示面板的倒相器电路210的具体的结构,参照图11进行说明。图11是本实施方式的电泳显示面板的倒相器电路210的放大俯视图。而且,在图11中,为了使各层、各部件在附图上成为可以识别的程度的大小,按各层、各部件使比例尺不同。
第1晶体管230通过使栅电极130b以隔着栅绝缘膜230c与半导体层230a相对的方式配置而构成。第2晶体管240通过使栅电极240b以隔着栅绝缘膜240c与半导体层240a相对的方式配置而构成。
第1晶体管230的源电连接于第1连接线231。第1连接线231进一步以第2连接线232为中继,电连接于低电位电源线92。第1晶体管230的漏经由第3连接线233与第2晶体管240的漏电短路。第1晶体管230的栅经由第4连接线234与第2晶体管240的栅电短路,并且电连接于输出线16。第2晶体管240的源电连接于第5连接线235。第5连接线235进一步以第6连接线236为中继,电连接于高电位电源线91。而且,第2连接线、第4连接线以及第6连接线是本发明的“连接线”的一例。其他连接线与源线6同时形成。
第2连接线232、第4连接线234以及第6连接线236,在元件基板10上俯视地观察,配置于未形成层间绝缘膜214的区域(图11中由一点划线包围的区域214′)。即,层间绝缘膜214,通过在除了由一点划线214′包围的区域之外的区域广泛地涂敷而形成。因此,在形成第2连接线232、第4连接线234以及第6连接线236的区域,形成为:由于连接对象从层间绝缘膜214露出,所以将第2连接线232、第4连接线234以及第6连接线236电连接于连接对象。即,为了使第2连接线232、第4连接线234以及第6连接线236与连接对象直接接触,不经由接触孔便实现了电连接。
<制造方法>
接着,关于第1实施方式的电泳显示面板1的制造方法,参照图12进行说明。
图12是表示制造本实施方式的电泳显示面板1的一系列制造工序的工序剖面图。而且,在图12中,为了容易理解地表示图像显示区域10a的剖面(参照图6)与周边区域的剖面图(参照图8)的对应关系,使相互的比例尺一致而进行表示。
首先,如图12(a)所示,准备例如以厚度0.5mm的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板为基体的元件基板10。接着,用喷墨法形成由厚度500nm的银膏构成的栅电极130b、30b以及电容电极71。接着,用喷墨法形成由厚度500nm的聚酰亚胺构成的栅绝缘膜130c、30c。进而,用喷墨法形成由厚度250nm的丙烯酸树脂构成的电容绝缘膜72。此后,用喷墨法形成由厚度50nm的并五苯构成的半导体层130a、30a。栅绝缘膜130c、30c和电容绝缘膜72仅选择性地形成于需要的区域。在图像显示区域10a的保持电容70中,在电容电极71上形成电容绝缘膜72。在图像区域10a和周边区域的TFT中,形成栅电极、栅绝缘膜、半导体层的层叠。
接着,如图12(b)所示,用喷墨法形成由厚度300nm的银膏构成的数据线6、中继层8、第1连接线131。在图像显示区域10a,以与半导体层30a的源以及漏电连接的方式形成数据线6以及中继层8。在此,中继层8以通过覆盖电容绝缘膜72而形成存储电容70的方式形成。另一方面,在周边区域,以与半导体层130a的源以及漏电连接的方式分别形成第2连接线132以及数据线6。在本实施方式中,特别地,数据线6、中继层8以及第1连接线131可以由同一膜形成。在该情况下,由于在同一工序中能够同时形成该各种布线,所以能够实现制造工序的削减以及低成本化。
接着,如图12(c)所示,用丝网印刷法形成由厚度700nm的丙烯酸树脂构成的层间绝缘膜114。该层不在基板整面形成,而选择性地形成于需要的区域。层间绝缘膜114在图像显示区域10a、在不形成接触孔40的区域形成。
另一方面,在周边区域,在第1晶体管130上形成层间绝缘膜114。在此,层间绝缘膜114,以当在元件基板10上方俯视地观察的情况下,第1连接线131以及数据线6的各自的端部与层间绝缘膜114不重叠的方式形成。即,以第1连接线131以及数据线6的各自的端部从层间绝缘膜114部分地露出的方式形成层间绝缘膜114。
接着,如图12(d)所示,用喷墨法形成由厚度100nm的铜膏构成的像素电极9、第2连接线132、第3连接线133。
像素电极9,在图像显示区域10a,以埋入于在层间绝缘膜114开设的接触孔40的方式形成,由此与在接触孔40的底部部分地露出的中继层8电连接。
另一方面,在周边区域,以与部分地从层间绝缘膜114露出的第1连接线131以及数据线6的端部直接接触的方式,形成第2连接线132以及第3连接线133。这样,第2连接线132以及第3连接线133,成膜于从层间绝缘膜114看这样处于露出的状态的连接对象、即第1连接线131以及数据线6上,由此能够实现电连接。
在本实施方式中,特别地,图像显示区域10a的像素电极9与周边区域的第2连接线132以及第3连接线133由同一膜形成。在该情况下,由于能够在同一工序中同时形成像素电极9、第2连接线132以及第3连接线133,所以能够实现制造工序的削减以及低成本化。
虽然未图示,但是对于连接扫描线11与数据线6和/或与它们在同层形成的外部电路的安装端子,也不设置栅绝缘膜和/或层间绝缘膜。此外,这里在像素电极形成工序中,也可以形成与像素电极相同的材料,用作为进行安装连接的材料。
能够在另一由厚度0.5mm的PET基板构成的基板上,粘接在由厚度50nm的ITO构成的透明电极上保持有微囊型的电泳材料的对置基板,并安装驱动用IC而制成电光装置。
在以上的制造方法中,像素电极、连接线、布线材料也可以使用其他的膏、有机、无机导电材料、金属。半导体层也可以使用其他的有机半导体材料和/或无机半导体材料。绝缘膜也可以使用其他的有机绝缘膜和/或无机绝缘膜。基板也可以使用其他的有机材料和/或薄的无机材料。薄膜的形成方法也可以使用其他的印刷方法和/或涂敷方法。
根据以上说明的制造方法,能够制造如上所述构成的本实施方式的电泳显示装置。
<电子设备>
接着,关于应用了上述的电泳显示装置的电子设备,参照图13以及图14进行说明。以下,以将上述的电泳显示装置应用于电子纸以及电子记事簿的情况为例。
图13是表示电子纸1400的结构的立体图。
如图13所示,电子纸1400具有上述的实施方式的电泳显示装置作为显示部1401。电子纸1400具有挠性,其具备主体1402而构成,该主体1402由具有与以往的纸同样的质感以及柔软性的、可改写的片构成。
图14是表示电子记事簿1500的结构的立体图。
如图14所示,电子记事簿1500,是装订多张图13中所示的电子纸1400并由封面1501将之夹持起来的结构。封面1501,例如具备用于输入从外部的装置传送来的显示数据的显示数据输入单元(未图示)。由此,与该显示数据相应地,电子纸以被装订着的状态不变,能够进行显示内容的改变、更新等。
上述的电子纸1400以及电子记事簿1500,因为具备上述的实施方式的电泳显示装置,所以功耗小,并且能够进行高品质的图像显示。
而且,除了这些之外,对于手表、移动电话、便携用音频设备等电子设备的显示部,也能够应用上述的本实施方式的电泳显示装置。
此外,本发明除了在上述的实施方式中所说明的电泳显示面板以外,还可以应用于液晶显示器(LCD)、等离子体显示器(PDP)、场致发射型显示器(FED、SED)、有机EL显示器、数字微镜器件(DMD)等。
本发明并不限于上述的实施方式,而是可以在不违背从权利要求以及说明书全体所获知的发明的主旨或者思想的范围内进行适宜改变,伴随着这样的改变的电光装置用基板、电光装置以及电子设备也包含在本发明的技术范围内。
Claims (7)
1.一种电光装置用基板,其具有排列有多个像素的显示区域,其特征在于,具备:
基板;
像素电极,其在前述基板上按前述每一像素而设置;
像素晶体管,其在前述基板上、比前述像素电极靠下层侧按前述每一像素而设置,包含选择性地设置于前述基板上的预定的区域的栅绝缘膜,且其与前述像素电极电连接;
层间绝缘膜,其配置于前述像素电极与前述像素晶体管之间,选择性地设置于前述基板上的预定的区域;
周边晶体管,其在前述基板上设置在位于前述显示区域的周边的周边区域;以及
连接线,其在不形成构成前述像素晶体管及前述周边晶体管的栅绝缘膜及前述层间绝缘膜的区域内,与前述像素电极由同一膜形成,且其与前述周边晶体管电连接。
2.根据权利要求1所述的电光装置用基板,其特征在于:
前述栅绝缘膜及前述层间绝缘膜,通过在应该形成前述栅绝缘膜及前述层间绝缘膜的区域选择性地涂敷绝缘材料而形成。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板,其特征在于:
前述像素电极和前述连接线,通过在应该形成前述像素电极及前述连接线的区域选择性地涂敷导电材料而形成。
4.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板,其特征在于:
前述连接线,以将前述周边晶体管连接为二极管的方式形成。
5.根据权利要求1或2所述的电光装置用基板,其特征在于:
前述周边晶体管,设置有多个;
该多个周边晶体管,通过前述连接线相互连接,由此构成倒相器电路。
6.一种电光装置,其特征在于:具备权利要求1~5中的任意一项所述的电光装置用基板。
7.一种电子设备,其特征在于:具备权利要求6所述的电光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010023306A JP5370189B2 (ja) | 2010-02-04 | 2010-02-04 | 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器 |
JP023306/2010 | 2010-02-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102163608A CN102163608A (zh) | 2011-08-24 |
CN102163608B true CN102163608B (zh) | 2015-05-06 |
Family
ID=44341443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110035092.3A Active CN102163608B (zh) | 2010-02-04 | 2011-02-09 | 电光装置用基板、电光装置以及电子设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8228585B2 (zh) |
JP (1) | JP5370189B2 (zh) |
CN (1) | CN102163608B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4718677B2 (ja) | 2000-12-06 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
US9829520B2 (en) * | 2011-08-22 | 2017-11-28 | Keithley Instruments, Llc | Low frequency impedance measurement with source measure units |
US20140049808A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Bo-Ru Yang | Portable projector utilizing electrophoretic displays |
TWI611566B (zh) * | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
TWI595296B (zh) | 2014-09-23 | 2017-08-11 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1386255A (zh) * | 2000-06-08 | 2002-12-18 | 索尼公司 | 显示装置及使用该装置的便携式终端装置 |
CN101079432A (zh) * | 2006-05-25 | 2007-11-28 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1881062B (zh) | 1995-10-03 | 2013-11-20 | 精工爱普生株式会社 | 有源矩阵基板的制造方法和薄膜元件的制造方法 |
JP2003050570A (ja) * | 2001-06-01 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | 平面表示装置 |
WO2004086487A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | 半導体装置およびその作製方法 |
US8053171B2 (en) * | 2004-01-16 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate having film pattern and manufacturing method of the same, manufacturing method of semiconductor device, liquid crystal television, and EL television |
JP5025107B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2012-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4169071B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2008-10-22 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP5277675B2 (ja) | 2007-07-11 | 2013-08-28 | 株式会社リコー | 有機薄膜トランジスタの製造方法 |
US20090014716A1 (en) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Takumi Yamaga | Organic thin-film transistor and method of manufacturing the same |
JP2009244300A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
-
2010
- 2010-02-04 JP JP2010023306A patent/JP5370189B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-25 US US13/013,372 patent/US8228585B2/en active Active
- 2011-02-09 CN CN201110035092.3A patent/CN102163608B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1386255A (zh) * | 2000-06-08 | 2002-12-18 | 索尼公司 | 显示装置及使用该装置的便携式终端装置 |
CN101079432A (zh) * | 2006-05-25 | 2007-11-28 | 索尼株式会社 | 显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5370189B2 (ja) | 2013-12-18 |
CN102163608A (zh) | 2011-08-24 |
JP2011164139A (ja) | 2011-08-25 |
US20110188111A1 (en) | 2011-08-04 |
US8228585B2 (en) | 2012-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101995714B1 (ko) | 표시장치 | |
CN101515103B (zh) | 电泳显示装置及电泳显示装置的制造方法 | |
CN109427817A (zh) | 薄膜晶体管基板以及显示器 | |
CN101498876B (zh) | 电泳显示装置 | |
CN101276122B (zh) | 电泳显示装置以及电子设备 | |
CN103718231A (zh) | 显示装置 | |
CN102163608B (zh) | 电光装置用基板、电光装置以及电子设备 | |
US8355195B2 (en) | Electrophoretic display device and electronic apparatus | |
CN102654713A (zh) | 电装置 | |
KR20080061039A (ko) | 전자영동 표시장치 및 이의 제조방법 | |
CN102163607A (zh) | 电光学装置用基板、电光学装置以及电子设备 | |
JP2023083429A (ja) | 表示装置 | |
US20090303228A1 (en) | Electrophoretic display device, electronic apparatus, and method of driving electrophoretic display device | |
CN101770131B (zh) | 有源矩阵基板、电泳显示装置及电子设备 | |
CN102655148A (zh) | Tft基板及其制备方法、液晶显示装置、及电子纸显示装置 | |
CN113534551B (zh) | 一种显示基板和显示面板 | |
CN104795027A (zh) | 电泳显示装置、电泳显示装置的驱动方法以及电子设备 | |
JP2009300771A (ja) | 電気泳動表示装置 | |
CN116645927A (zh) | 像素驱动电路、电子纸显示面板和电子纸显示器 | |
JP2011237627A (ja) | 電気泳動表示装置および電子機器 | |
JP2018092089A (ja) | 電気泳動装置、電子機器、および電気泳動装置の駆動方法 | |
JP2009139577A (ja) | 電気泳動表示装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180930 Address after: Massachusetts, USA Patentee after: E Ink Corp. Address before: Tokyo, Japan, Japan Patentee before: Seiko Epson Corp. |
|
TR01 | Transfer of patent right |