CN111863879A - 显示设备及制造所述显示设备的方法 - Google Patents

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李濬九
金载益
李娟和
文灿昊
丁世勳
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Abstract

本申请涉及显示设备以及制造所述显示设备的方法，其中所述显示设备可以包括：第一衬底和显示单元，其中所述显示单元包括显示区和透射区，所述显示单元进一步包括：与所述透射区对应地设置的辅助层；以及与所述显示区、和所述透射区的至少一部分对应地设置的第二电极，或者仅与所述显示区对应地设置的第二电极，所述辅助层包含第一材料，所述第二电极包含第二材料，并且所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：<不等式1>ST2‑ST1>0mJ/m2其中，在不等式1中，ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。

Description

显示设备及制造所述显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求向韩国知识产权局于2019年4月24日提交的第10-2019-0048029号韩国专利申请和于2020年2月20日提交的第10-2020-0021136号韩国专利申请的权益，所述专利申请的公开内容通过援引整体并入本文。
技术领域
一个或多于一个的实施方案涉及显示设备及制造所述显示设备的方法，并且更具体地，涉及具有透射区的显示设备及制造所述具有透射区的显示设备的方法。
背景技术
近来，显示设备已经用于各种目的。此外，显示设备已经变得更薄并且更轻，并且因此其使用的范围变得更宽。
作为实例，正在进行研究以在显示设备中实现透射性和透明度。具体地，已经进行尝试通过使显示设备内部的薄膜晶体管或显示面板透明来形成透明的显示设备。
为了实现此类透明的显示设备，需要优化各种材料(包括衬底、电极、绝缘膜、覆盖膜等)的各种参数，例如组成、布置、厚度等。例如，在有机发光显示设备的情况下，堆叠各自包含不同材料的多个导电膜和绝缘膜。在这方面，最佳的特性降低，使得可能不容易获得期望的透射性或透明度。
发明内容
一个或多于一个的实施方案包括具有高的外部光的透射率的显示设备以及制造所述显示设备的方法。本公开内容的实施方案可以提供其中在透射区中基本上不形成公共电极的显示设备。
待通过本公开内容解决的技术问题不限于以上提及的技术问题，并且本领域技术人员通过参考本公开内容的描述可以清楚地理解未提及的其他技术问题。
其他方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地将从所述描述中变得显而易见，或者可以通过呈现的实施方案的实践而获悉。
根据实施方案，显示设备包括：第一衬底和显示单元，
其中所述显示单元包括显示区和透射区，
所述显示单元进一步包括：与所述透射区对应地设置的辅助层；以及仅与所述显示区对应地设置的第二电极，
所述辅助层包含第一材料，
所述第二电极包含第二材料，以及
所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
其中，在不等式1中，
ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。
在一个实施方案中，所述第二电极可以不存在于所述透射区。
在一个实施方案中，ST1可以大于约0mJ/m2并且为约30mJ/m2或小于30mJ/m2。
在一个实施方案中，所述第一材料可以包含20at％或大于20at％的氟。
在一个实施方案中，所述第一材料可以包括含氟的硅烷化合物、基于氟的聚合物化合物或其任意组合。
在一个实施方案中，所述第二材料可以包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钙(Ca)、铟(In)或其任意组合。
在一个或多于一个的实施方案中，所述显示设备可以包括：第一衬底和显示单元，
其中所述显示单元包括显示区和透射区，
所述显示单元进一步包括：与所述透射区对应地设置的辅助层；以及与所述显示区、和所述透射区的至少一部分对应地设置的第二电极，
所述辅助层包含第一材料，
所述第二电极包含第二材料，以及
所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
其中，在不等式1中，
ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。
在一个实施方案中，所述第二电极可以与所述显示区和全部的所述透射区对应地设置，
所述第二电极的第一部分可以与所述显示区对应地设置，
所述第二电极的第二部分可以与所述透射区对应地设置，以及
所述第一部分的厚度(T1)和所述第二部分的厚度(T2)可以各自满足以下不等式2：
<不等式2>
T1>T2。
在一个实施方案中，T2可以大于约0nm并且为约1nm或小于1nm。
在一个实施方案中，所述第二电极可以与所述显示区、和所述透射区的一部分对应地设置，
与所述透射区的所述一部分对应地设置的所述第二电极的一部分可以包含含有所述第二材料的多个颗粒。
在一个实施方案中，与所述显示区对应地设置的所述第二电极的所述一部分的厚度可以大于所述多个颗粒的平均直径。
在一个实施方案中，ST1可以大于约0mJ/m2并且为约30mJ/m2或小于30mJ/m2。
在一个实施方案中，所述第一材料可以包含20at％或大于20at％的氟。
在一个实施方案中，所述第一材料可以包括含氟的硅烷化合物、基于氟的聚合物化合物或其任意组合。
在一个实施方案中，所述第二材料可以包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钙(Ca)、铟(In)或其任意组合。
在一个实施方案中，所述显示设备可以进一步包括第一电极和中间层，以及
所述中间层可以设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
在一个实施方案中，制造显示设备的方法包括：提供第一衬底；以及
在所述第一衬底上提供显示单元，其中所述显示单元包括显示区和透射区，
其中所述提供所述显示单元包括：仅在所述透射区上提供辅助层；以及在所述显示区上或在所述显示区和所述透射区两者上提供第二电极，
所述辅助层包含第一材料，
所述第二电极包含第二材料，以及
所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
其中，在不等式1中，
ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。
在一个实施方案中，可以通过使用开口掩模沉积所述第二材料来提供所述第二电极。
在一个实施方案中，所述显示设备可以进一步包括第一电极和中间层，
可以在所述第一电极上提供所述中间层，
可以仅在所述透射区上提供所述辅助层，以及然后，
可以在所述中间层上或在所述中间层和所述辅助层两者上提供所述第二电极。
在一个实施方案中，所述显示设备进一步包括第一电极和中间层，其中可以仅在所述透射区上提供所述辅助层，以及然后，
可以在所述第一电极上提供所述中间层，以及可以在所述中间层上或在所述中间层和所述辅助层两者上提供所述第二电极。
附图说明
根据实施方案的以下描述，结合附图，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解，在所述附图中：
图1是示意性地例示根据实施方案的显示设备的结构视图；
图2和图3各自是示意性地例示根据实施方案的显示设备的横截面视图和平面视图；
图4是示意性地例示根据另一个实施方案的图2的显示设备的横截面视图；
图5是详细地例示图4的显示设备的显示单元的横截面视图；
图6和图7各自是示意性地例示根据另一个实施方案的显示设备的横截面视图和平面视图；
图8是示意性地例示根据另一个实施方案的图6的显示设备的横截面视图；
图9至图14各自是例示制造根据实施方案的显示设备的方法的横截面视图；
图15和图16各自是例示制造根据另一个实施方案的显示设备的方法的横截面视图；
图17是示意性地例示根据实施方案的电子装置的配置的框图；
图18A和图18B各自是示意性地例示根据实施方案的电子装置的透视图；
图19是示出实施例1以及比较例1和比较例2中的波长依赖性透射率的图；
图20是示出实施例2和比较例3中的波长依赖性透射率的图；
图21A是实施例2的透射电子显微镜(TEM)图像；
图21B是比较例3的TEM图像；以及
图21C是图21A的局部放大视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方案，所述实施方案的实例例示在附图中，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这方面，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为受到本文阐述的描述限制。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释目前的描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列要素之前时，修饰整列的要素并且不修饰该列的单个要素。术语“at％”是指原子百分数，除非另外指明。
由于实施方案允许各种改变和许多实施方案，将在附图中例示并且在书面描述中详细地描述示例性实施方案。参考以下详细地描述的实例连同附图，本公开内容的效果和特征以及实现所述效果和所述特征的方法将是显而易见的。然而，本公开内容可以以许多不同的形式实施并且不应解释为受到本文阐述的实例限制。
在下文，将通过参考附图解释实例来详细地描述本公开内容。在此，在不同的附图中，相同的参考数字可以表示相同或相应的元件，并且将省略其冗余的描述。
在以下实例中，如“第一”、“第二”等的此类术语可以用于描述各种组件，此类组件不应受到以上术语限制。以上术语仅用于区分一个组件与另一个。
在以下实例中，以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非在上下文中具有明显不同的含义。
在以下实例中，应理解，诸如“包括(including)”、“具有(having)”和“包含(comprising)”的术语旨在表示说明书中公开的特征或组件的存在，而不旨在排除可以存在或可以增添一个或多于一个的其他特征或组件的可能性。
在以下实例中，应理解，当层、区或组件被称为“形成在”另一个层、区或组件“上”时，它可以直接地或间接地形成在其他层、区或组件上。即，例如，可以存在介于中间的层、区或组件。
为了便于解释，可以放大附图中的组件的尺寸。换言之，由于附图中的组件的尺寸和厚度为了便于解释被任意地例示，以下实施方案不限于此。
当可以不同地实现某些实施方案时，可以与描述的顺序不同地进行具体的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。
在以下实例中，应理解，当层、区或组件连接、连结或联接时，层、区或组件可以直接地连接、连结或联接。此外，层、区或组件可以间接地连接、连结或联接至其他介于中间的层、区或组件。例如，应理解，当层、区或组件电连接、连结或联接时，层、区或组件可以与层、区或组件直接地电接触。此外，层、区或组件可以与其他介于中间的层、区或组件间接地电接触。
图1是示意性地例示根据实施方案的显示设备的横截面视图。
参考图1，根据实施方案的显示设备1包括第一衬底10和显示单元20。显示单元20可以包括其中实现图像的显示区100和通过其透射外部光的透射区200。在显示设备1中，外部光穿过第一衬底10和显示单元20，并且然后入射。
显示单元20通过显示区100实现图像，并且外部光穿过透射区200。使用者U可以能够通过透射区200看到外部图像。即，显示设备1可以实现其中显示区100的透射率与透射区200的透射率不同的显示。
在一个实施方案中，顶部发射型显示设备描述为实例，其中，位于其中实现图像的一侧的使用者U可以观察第一衬底10的外部图像。然而，本公开内容的显示设备1不限于此。在一个或多于一个的实施方案中，本公开内容的显示设备1可以是底部发射型显示设备，其中从显示单元20在第一衬底10的方向上实现图像。
通过在透射区200上不提供薄膜晶体管、电容器等，可以增加透射区200的外部光透射率。因此，可以增加显示设备1的外部光透射率，并且可以避免由与薄膜晶体管、电容器等的干扰引起的透射图像的失真的发生。
显示设备1可以进一步包括面向第一衬底10的第二衬底30。在这种实施方案中，显示单元20可以在第一衬底10与第二衬底30(参见图14)之间。
第二衬底30可以形成为透明玻璃衬底或塑料衬底，以便能够实现来自显示单元20的图像并且防止外部空气和水分渗透进入显示单元20中。第一衬底10和第二衬底30的边缘可以通过密封剂彼此结合，使得第一衬底10与第二衬底30之间的空间也可以被密封。在该空间中，可以放置水分吸收剂或填充剂。在一个实施方案中，显示单元20可以通过形成第二衬底30来密封，所述第二衬底30是在第一衬底10和显示单元20两者上的薄膜。在这种情况下，第一衬底10和第二衬底30可以两者均以柔性形式提供。
在下文，有机发光显示设备将描述为根据本公开内容的实施方案的显示设备1的实例。然而，显示设备1不限于此。在一个或多于一个的实施方案中，可以使用各种类型的显示设备，例如无机发光显示设备、量子点发光显示设备等。
图2和图3各自是示意性地示出根据实施方案的显示设备1A的横截面视图和平面视图。详细地，图3是例示包括例如第一红色像素Pr、第一绿色像素Pg和第一蓝色像素Pb的第一像素PX1的平面视图，并且图2是沿图3中的A-A'线截取的横截面视图。
参考图2，显示单元20可以包括其中实现图像的显示区100和通过其透射外部光的与显示区100相邻的透射区200。在此，外部光区别于通过第一像素PX1的发光装置EL1发射的光。外部光可以是环境光或通过其他电子装置发射的光。
在透射区200上，没有设置包含不透明材料的装置，并且可以基本上仅设置透明辅助层、绝缘膜等。显示设备1A外侧的图像可以原样透射。
第一外部光61和第二外部光62可以穿过透射区200。第一外部光61可以是从显示单元20的外侧在第一衬底10的外方向上透射的光。第二外部光62可以是从第一衬底10的外部在显示单元20的外方向上透射的光。装置和布线可以以迂回方式围绕透射区200设置，使得装置和布线可以不布置在透射区200上。在透射区200上，可以不提供至少第四绝缘膜15。在透射区200上提供的第三绝缘膜14可以包含透明绝缘材料。
显示区100可以包括发射区102和电路区101。在显示区100上，可以设置第一像素PX1。在发射区102上，可以设置第一像素PX1的发光装置EL1。在电路区101上，可以设置第一像素PX1的像素电路，其中像素电路电连接至发光装置EL1并且包括薄膜晶体管TR1。电路区101和发射区102不重叠，并且因此，发光装置EL1和像素电路可以彼此相邻设置，以便彼此不重叠。如附图中例示，电路区101不限于其中设置一个薄膜晶体管TR1的电路区。电路区101可以包括多个薄膜晶体管和电容器，并且可以进一步包括连接至多个薄膜晶体管和电容器的布线，例如扫描线、数据线、电源线等。
薄膜晶体管TR1可以包括在缓冲膜11上的半导体层111、栅极电极112、源极电极113和漏极电极114。半导体层111与栅极电极112之间的第一绝缘膜12可以起到栅极绝缘膜的作用，并且栅极电极112与源极电极113之间和栅极电极112与漏极电极114之间的第二绝缘膜13可以起到层间绝缘膜的作用。
发光装置EL1可以包括在覆盖薄膜晶体管TR1的第三绝缘膜14上的第一电极116、面向第一电极116的第二电极130，以及第一电极116与第二电极130之间的中间层117。
第一电极116的两个边缘可以被第四绝缘膜15覆盖，并且第一电极116的中心部分可以被暴露。可以提供第四绝缘膜15以覆盖显示区100，而不必覆盖整个显示区100。相反，第四绝缘膜15足以覆盖第一电极116的至少一部分，特别是第一电极116的边缘。
可以在与通过第四绝缘膜15暴露的透射区200对应的第三绝缘膜14上提供辅助层118。即，可以设置辅助层118，以便不与中间层117重叠。
在此，辅助层118的厚度可以为约1nm至约2,000nm。详细地，辅助层118的厚度可以为约1nm至约50nm，但本公开内容的实施方案不限于此。当厚度满足在以上范围内时，透射区200的透射率可以固定在相对高的水平，同时可以充分地获得使第二电极130图案化的效果。
辅助层118可以包含第一材料。
可以在中间层117上提供第二电极130。第二电极130可以仅与显示区100对应地设置，并且可以不设置在透射区200上。
第二电极130可以包含第二材料。
第一材料和第二材料可以各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
在不等式1中，
ST1是第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是第二材料在25℃下的表面能。
可以通过干法工艺(例如，使用精细金属掩模的工艺)与透射区200对应地沉积第一材料。在一个或多于一个的实施方案中，可以通过湿法工艺与透射区200对应地沉积第一材料。然后，可以通过使用开口掩模在显示区100和透射区200两者上沉积第二材料。在此，通过不同地控制第一材料和第二材料的表面能，第二材料可以被控制成基本上不沉积在其中沉积第一材料的区域上。即，第二材料可以相对良好地沉积在中间层117上，但可以不相对良好地沉积在包含第一材料的辅助层118上。因此，当与透射区200对应地沉积包含第一材料的辅助层118时，包含第二材料的第二电极130基本上不提供在透射区200中，并且而是可以仅与显示区100对应地提供。如图2和图3中示出，辅助层118设置在其中不应设置第二电极130的区域上，并且辅助层118不设置在其中应设置第二电极130的区域上。在这方面，当设置第二材料时，即使通过使用开口掩模在所有像素的显示区100和透射区200两者上均沉积第二材料，第二材料基本上仅沉积在中间层117的暴露表面上，并且基本上不沉积在辅助层118的表面上，从而获得使第二电极130图案化的效果。
为了增加透射区200的透射率，第二电极130基本上不应设置在透射区200上。为此，当使用精细金属掩模形成仅设置在显示区100上的第二电极130时，沉积温度是显著高的，使得在长期使用期间在精细金属掩模中可以发生变形。因此，可能导致过程中非常不稳定的因素，例如阴影现象等。然而，根据本公开内容的实施方案的显示设备1可以自动地获得如以上描述的第二电极130的图案化效果。因此，根据本公开内容的实施方案的显示设备1在该过程方面可以是有利的。
此外，由于第二电极130基本上不设置在透射区200上，可以改善透射区200的透射率。换言之，第二电极130可以仅与显示区100对应地设置，并且由于透射区200中不存在第二电极130，可以改善透射区200的透射率。
例如，ST2-ST1可以是约30mJ/m2或大于30mJ/m2，并且例如，可以是约50mJ/m2或大于50mJ/m2。当ST2-ST1满足在以上范围内时，第二材料可以基本上不沉积在第一材料上。
例如，ST1可以大于约0mJ/m2并且为30mJ/m2或小于30mJ/m2。当ST1满足在以上范围内时，第二材料可以基本上不沉积在第一材料上。详细地，ST1可以是20mJ/m2或小于20mJ/m2，但本公开内容的实施方案不限于此。
在一个实施方案中，第一材料可以由有机化合物构成。在一个或多于一个的实施方案中，第一材料可以由含氟的有机化合物构成。在一个或多于一个的实施方案中，第一材料可以是含有相对量的氟的有机化合物。
例如，第一材料可以含有20at％或大于20at％的氟。当氟的量满足在以上范围内时，可以降低第一材料的表面能，使得第二材料可以基本上不沉积在第一材料上。可以通过使用X射线光电子能谱(XPS)分析第一材料获得第一材料中含有的氟的量。详细地，第一材料可以含有50at％或大于50at％的氟，但本公开内容的实施方案不限于此。
例如，如以上描述，第一材料可以由有机化合物构成，并且第一材料可以包括含氟的硅烷化合物、基于氟的聚合物化合物及其组合。
含氟的硅烷化合物的实例包括三氯(1H,1H,2H,2H-全氟癸基)硅烷、三氯(1H,1H,2H,2H-全氟-正辛基)硅烷、三乙氧基-1H,1H,2H,2H-全氟癸基硅烷、1H,1H,2H,2H-九氟己基三乙氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-十三氟-正辛基三乙氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-十七氟癸基三甲氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-九氟己基三甲氧基硅烷、三甲氧基(1H,1H,2H,2H-全氟-正辛基)硅烷、1,1,1-三氟-3-(三甲氧基甲硅烷基)丙烷、(三乙基甲硅烷基)三氟甲烷、三乙氧基[5,5,6,6,7,7,7-七氟-4,4-双(三氟甲基)庚基]硅烷、三氯(3,3,3-三氟丙基)硅烷、二甲氧基(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷和二氯(甲基)(3,3,3-三氟丙基)硅烷，但本公开内容的实施方案不限于此。
基于氟的化合物的实例包括聚(六氟环氧丙烷)、聚(四氟乙烯-共-六氟丙烯)、聚(十氟辛基丙烯酸酯)、聚(四氟-3-(七氟丙氧基)丙基丙烯酸酯)、聚(四氟-3-(七氟乙氧基)丙基丙烯酸酯)、聚(四氟乙烯)、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯三元共聚物、聚(十一氟己基丙烯酸酯)、聚(九氟戊基丙烯酸酯)、聚(四氟-3-(三氟甲氧基)丙基丙烯酸酯)、聚(五氟乙烯基丙酸酯)、聚(七氟丁基丙烯酸酯)、聚(三氟乙烯基乙酸酯)、聚(1,1,1,3,3,3-六氟异丙基丙烯酸酯)、聚(八氟戊基丙烯酸酯)、聚(甲基3,3,3-三氟丙基硅氧烷)、聚(2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基甲基丙烯酸酯)、聚(五氟丙基丙烯酸酯)、聚(2,2,3,3,3-五氟丙基丙烯酸酯)、聚(2-七氟丁氧基)乙基丙烯酸酯、聚(氯三氟乙烯)和聚(1,1,1,3,3,3-六氟异丙基甲基丙烯酸酯)，但本公开内容的实施方案不限于此。
当ST2与ST1之间的差较大时，第二材料可以不太可能基本上沉积在第一材料上。为了实现这一点，ST2可以大于30mJ/m2。在一个实施方案中，ST2可以是100mJ/m2或大于100mJ/m2，但本公开内容的实施方案不限于此。
在一个实施方案中，第二材料可以由无机化合物构成。详细地，第二材料可以由含金属的无机化合物构成。
例如，第二材料可以包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、锂(Li)、钙(Ca)、铟(In)及其组合。详细地，第二材料可以包含Mg、Ag、Al及其组合。
第一像素PX1可以是例如第一红色像素Pr、第一绿色像素Pg和第一蓝色像素Pb。然而，本公开内容不限于此，并且只要可以通过组合来实现白色光，颜色的任意组合均是可能的。
图4是示意性地例示图2的显示设备1B的另一个实施方案的横截面视图。图5是具体地例示图4的显示单元20的横截面视图。
在一个实施方案中，可以通过使用用于图案化的精细金属掩模仅在透射区200上设置辅助层118。在一个或多于一个的实施方案中，与图2中的显示设备不同，第二电极130可以与显示区100、和透射区200的至少一部分对应地设置。即，第二电极130可以与透射区200的全部或至少一部分对应地设置。
在下文，将详细地描述其中第二电极130与显示区100和透射区200的全部对应地设置的实施方案。
如图5中示出，当用开口掩模沉积第二材料时，第二电极130的第一部分130a可以设置在与显示区100对应的中间层117上，并且第二电极130的第二部分130b可以设置在与透射区200对应的辅助层118上。第一部分130a的厚度T1和第二部分130b的厚度T2各自独立地满足以下不等式2：
<不等式2>
T1>T2。
通过满足以上不等式2，可以防止由于第二部分130b的透射率的降低。
在此，T1表示所有第一部分中的第二电极130的厚度的平均值，并且T2表示所有第二部分中的第二电极130的厚度的平均值。在此，其中用开口掩模沉积第二材料的区域由所有第一部分和所有第二部分的总和构成。
然而，以上描述不排除其中通过在透射区200的一部分上的团聚形成第二电极130的情况。即，第二电极130可以以岛的形式形成在透射区200上。
详细地，T2可以大于约0nm并且为约1nm或小于1nm。进一步详细地，T2可以大于0nm并且为约0.1nm或小于0.1nm。当T2满足在以上范围内时，第二电极130可以基本上不设置在透射区200上。
在下文中，将详细地描述其中第二电极130与显示区100、和透射区200的至少一部分对应地设置的实施方案。即，第二电极130可以不与透射区200的至少一部分对应地设置。
与透射区的至少一部分对应地设置的第二电极130的一部分可以包含含有第二材料的多个颗粒。
在一些实施方案中，与显示区100对应地设置的第二电极130的一部分的厚度可以大于多个颗粒的平均直径。在一些实施方案中，与显示区100对应地设置的第二电极130的一部分的厚度(TE)和与透射区200的至少一部分对应地设置的多个颗粒的平均直径(DM)的比率(R)可以是0.9或小于0.9。在一些实施方案中，R可以是0.01或大于0.01、0.1或大于0.1、0.8或小于0.8、0.7或小于0.7、0.6或小于0.6、或者0.5或小于0.5，但实施方案不限于此。当R在这些范围的任一个内时，显示设备1可以具有期望的透射率的水平：
R＝{与显示区100对应地设置的第二电极130的一部分的厚度(TE)}/{与透射区200的至少一部分对应地设置的多个颗粒的平均直径(DM)}
例如，当TE为约10nm时，DM可以为约5nm或小于5nm，或者例如，当TE为约20nm时，DM可以为约10nm或小于10nm。
每一个组件与图2和图3的实施方案的相应的组件在功能上相同或相似，并且因此，将省略每一个组件的详细描述。
图6和图7各自是示意性地例示根据另一个实施方案的显示设备2A的横截面视图和平面视图。详细地，图7是例示彼此相邻的第一像素PX1(例如第一红色像素Pr、第一绿色像素Pg和第一蓝色像素Pb)的平面视图，并且图6是沿图7中的A-A'线截取的横截面视图。
与图2和图3中例示的显示设备1A不同，在图6和图7中例示的显示设备2A中，可以布置在显示区100中包括的电路区101和发射区102以便在平面上彼此重叠。
此外，多个第一像素PX1(例如第一红色像素Pr、第一绿色像素Pg和第一蓝色像素Pb)的相邻的透射区可以彼此连接以形成公共透射区200。在这种情况下，得到的公共透射区200可以比图2和图3的实施方案的透射区200更宽。因此，显示设备2A可以具有增加的透射率。
每一个组件与图2和图3的实施方案的相应的组件在功能上相同或相似，并且因此，将省略每一个组件的详细描述。
图8是示意性地例示根据图6的显示设备2A的另一个实施方案的显示设备2B的横截面视图。
在一个实施方案中，可以通过使用用于图案化的精细金属掩模仅在透射区200上设置辅助层118。在一个或多于一个的实施方案中，与图6中的显示设备不同，第二电极130可以与显示区100、和透射区200的至少一部分对应地设置。即，第二电极130可以与透射区200的全部或至少一部分对应地设置。
在下文，将详细地描述其中第二电极130与显示区100和透射区200的全部对应地设置的实施方案。
当用开口掩模沉积第二材料时，第二电极130的第一部分130a可以设置在与显示区100对应的中间层117上，并且第二电极130的第二部分130b可以设置在与透射区200对应的辅助层118上。第一部分130a的厚度表示为第一厚度(T1)，并且第二部分130b的厚度表示为第二厚度(T2)，其中T1和T2各自独立地满足以下不等式2：
<不等式2>
T1>T2。
在不等式2中，
T1表示在显示区100上的第二电极130的厚度；以及
T2表示在透射区200上的第二电极130的厚度。
通过满足以上不等式2，可以防止由于第二部分130b导致的透射率的降低。
详细地，T2可以大于约0nm并且为约1nm或小于1nm。进一步详细地，T2可以大于0nm并且为约0.1nm或小于0.1nm。当T2满足在以上范围内时，第二电极130可以基本上不设置在透射区200上。
在下文，将详细地描述其中第二电极130与显示区100、和透射区200的至少一部分对应地设置的实施方案。即，第二电极130可以不与透射区200的至少一部分对应地设置。
与透射区的至少一部分对应地设置的第二电极130的一部分可以包含含有第二材料的多个颗粒。
在一些实施方案中，与显示区100对应地设置的第二电极130的一部分的厚度可以大于多个颗粒的平均直径。在一些实施方案中，与显示区100对应地设置的第二电极130的一部分的厚度(TE)和与透射区200的至少一部分对应地设置的多个颗粒的平均直径(DM)的比率(R)可以是0.9或小于0.9。在一些实施方案中，R可以是0.01或大于0.01、0.1或大于0.1、0.8或小于0.8、0.7或小于0.7、0.6或小于0.6、或者0.5或小于0.5，但实施方案不限于此。当R在这些范围的任一个内时，显示设备1可以具有期望的透射率的水平：
R＝{与显示区100对应地设置的第二电极130的一部分的厚度(TE)}/{与透射区200的至少一部分对应地设置的多个颗粒的平均直径(DM)}
例如，当TE是10nm时，DM可以是约5nm或小于5nm，或者例如，当TE是20nm时，DM可以是约10nm或小于10nm。
每一个组件与图2至图3的实施方案的相应的组件在功能上相同或相似，并且因此，将省略每一个组件的详细描述。
图9至图14各自是例示制备根据实施方案的显示设备1A的方法的横截面视图。
参考图9至图14，制备根据本公开内容的实施方案的显示设备1A的方法包括：提供第一衬底并且在第一衬底上提供显示单元，其中显示单元包括显示区和透射区，其中提供显示单元包括：仅在透射区上提供辅助层；以及在显示区上或在显示区和透射区两者上提供第二电极，辅助层包含第一材料，并且第二电极包含第二材料，其中第一材料和第二材料的描述与以上描述的相同。
在下文，将参考附图详细地描述制备根据实施方案的显示设备1A的方法。
参考图9，在第一衬底10上提供缓冲膜11，并且在缓冲膜11上提供包括薄膜晶体管TR1的像素电路。
第一衬底10可以包含玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、塑料材料或具有柔性或可弯曲性质的材料。
缓冲膜11防止杂质元素通过第一衬底10渗透，起到使表面平坦化的作用，并且由诸如硅氮化物(SiNx)和/或硅氧化物(SiOx)的无机材料以单个层或多个层形成。可以省略缓冲膜11的使用。
在缓冲膜11上，可以提供显示设备1A的第一像素PX1的半导体层111。半导体层111可以包含各种材料。例如，半导体层111可以包含无机半导体材料，例如无定形硅或晶体硅。在一个或多于一个的实施方案中，半导体层111可以包含氧化物半导体或有机半导体材料。
可以在缓冲膜11上提供第一绝缘膜12以便覆盖半导体层111，并且可以在第一绝缘膜12上提供第一像素PX1的栅极电极112。
第一绝缘膜12可以由选自SiO2、硅氮化物、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT中的至少一种以单个层或多个层形成。第一绝缘膜12可以是无机绝缘膜。
栅极电极112可以由各种导电材料形成。例如，栅极电极112可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种以单个层或多个层形成。例如，栅极电极112可以以Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti的三层结构形成。
可以在第一绝缘膜12上提供第二绝缘膜13以覆盖栅极电极112。可以在第二绝缘膜13上提供第一像素PX1的源极电极113和漏极电极114，使得源极电极113和漏极电极114中的每一个均可以通过接触孔电连接至半导体层111。
第二绝缘膜13可以是无机绝缘膜。第二绝缘膜13可以由选自SiO2、硅氮化物、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT中的至少一种以单个层或多个层形成。在一个或多于一个的实施方案中，第二绝缘膜13可以是有机绝缘膜。
源极电极113和漏极电极114可以由各种导电材料形成。例如，源极电极113和漏极电极114可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种以单个层或多个层形成。例如，源极电极113和漏极电极114可以以两个层或多于两个层形成。
薄膜晶体管TR1的结构不限于本文中例示的结构，并且可以应用薄膜晶体管的各种结构。
可以提供第三绝缘膜14以覆盖第一像素PX1的薄膜晶体管TR1。
第三绝缘膜14可以由具有平坦化顶表面的有机绝缘膜以单个层或多个层形成。第三绝缘膜14可以包含通用聚合物(例如，PMMA、PS等)、包含酚基团的聚合物衍生物、基于丙烯酰基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其共混物。例如，第三绝缘膜14可以包含聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂等。
通常，在第三绝缘膜14中包含的化合物的表面能为100mJ/m2或大于100mJ/m2。因此，当通过使用开口掩模将第二材料直接沉积在显示区100和透射区200两者上而没有在透射区200上形成辅助层118时，在第三绝缘膜14中包含的化合物的表面能可以等于或类似于第二材料的表面能。因此，根本不能获得使第二电极130图案化的效果。
在第三绝缘膜14上，可以提供与第一像素PX1的薄膜晶体管TR1电连接的发光装置EL1的第一电极116。可以与显示区100对应地提供第一电极116。
当发光装置EL1是顶部发射型发光装置时，第一电极116可以形成为反射电极。此类反射电极可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层，以及在反射层上的透明或半透明的电极层。当发光装置EL1是底部发射型发光装置时，第一电极116可以包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明材料，并且可以形成为透明或半透明的电极。
如图9中例示，可以各自提供缓冲膜11、第一绝缘膜12、第二绝缘膜13和第三绝缘膜14以覆盖显示区100和透射区200两者。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且选自缓冲膜11、第一绝缘膜12、第二绝缘膜13和第三绝缘膜14中的至少一个可以包括位于与透射区200对应的位置处的开口(未示出)，从而增加透射区200的外部光的透射率。
外部光穿过透射区200，并且然后被使用者识别。因此，仅透明绝缘膜等可以设置在透射区200上。此外，可以通过使设置在透射区200上的膜的干涉处产生的反射最小化来增加透射区200的透射率。
随着彼此接触的膜之间的折射率差变大，界面反射可以变大。在一个实施方案中，缓冲膜11、第一绝缘膜12、第二绝缘膜13和第三绝缘膜14可以全部均是具有基本上相同的折射率的单个膜。当设置在透射区200上的缓冲膜11、第一绝缘膜12、第二绝缘膜13和第三绝缘膜14的折射率全部均相同时，可以通过使膜之间的界面反射最小化来增加透射区200的透射率。
参考图10，可以在第三绝缘膜14上提供覆盖第一电极116的边缘的第四绝缘膜15。第四绝缘膜15可以是以上描述的各自以单个层或多个层形成的无机绝缘膜或有机绝缘膜。
可以提供第四绝缘膜15以覆盖显示设备1A的显示区100，并且不必覆盖整个显示区100。相反，第四绝缘膜15足以覆盖第一像素PX1的第一电极116的至少一部分，特别是第一像素PX1的第一电极116的边缘。
第四绝缘膜15可以提供有暴露第一像素PX1的第一电极116的至少一部分的第一开口15a和位于与透射区200对应的位置处的第二开口15b。由于第四绝缘膜15不位于透射区200上，可以进一步增加透射区200的外部光的透射效率。
参考图11，可以在通过第一像素PX1的第一开口15a暴露的第一电极116上提供中间层117。
中间层117可以包括发射光的发射层，并且可以进一步包括选自空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个功能层。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且各种功能层可以进一步设置在第一电极116上。
发射层可以是红色发射层、绿色发射层或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有其中堆叠红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层以便发射白色光的多层结构，或者可以具有包含红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料的单层结构。
在一个实施方案中，可以通过使用具有与显示设备1A的发射区102(参见图2)对应的开口M11的掩模(例如，精细金属掩模(FMM))仅在发射区102上提供中间层117。
在一个或多于一个的实施方案中，可以通过使用具有与显示设备1A的发射区102对应的开口M11的FMM仅在发射区102上提供中间层117中的发射层，并且可以通过使用开口掩模在第一衬底10的正表面上提供其他功能层。
在一个实施方案中，至少发射层不提供在显示设备1A的透射区200上。
参考图12，可以在通过第二开口15b暴露的第三绝缘膜14上提供辅助层118。
在一个实施方案中，可以仅根据干法工艺(例如，使用具有与透射区200对应的开口M21的FMM的工艺)在透射区200上提供辅助层118。
在一个或多于一个的实施方案中，可以通过使用湿法工艺仅在透射区200上涂覆辅助层118。
参考图13，在一个实施方案中，可以在中间层117上或者在中间层117和辅助层118两者上提供第二电极130。
可以通过使用开口掩模沉积第二材料来提供第二电极130。在此，不同地控制辅助层118的第一材料和第二电极130的第二材料的表面能，使得在提供了第一材料的透射区200上可以基本上不提供第二材料。即，第二材料可以良好地沉积在中间层117上，但可以不良好地沉积在包含第一材料的辅助层118上。因此，由于包含第一材料的辅助层118与透射区200对应地设置，在透射区200上可以基本上不提供包含第二材料的第二电极130，并且可以仅与显示区100对应地设置。
参考图14，在第一衬底10上额外地对齐第二衬底30之后，可以联接第一衬底10和第二衬底30。
第二衬底30可以包含玻璃材料、陶瓷材料、金属材料、塑料材料或具有柔性或可弯曲性质的材料。
在第二衬底30的面向第一衬底10的表面上，可以设置黑色矩阵(BM)和滤色器(CF)。CF可以与显示设备1A的发射区102对应地设置。BM可以与除了显示设备1A的发射区102和透射区200之外的区域对应地设置。即，BM不设置在显示设备1A的透射区200上。
尽管未例示，但在第二衬底30联接至第一衬底10之前，可以在第二电极130上进一步设置辅助层。辅助层可以是无机膜和/或有机膜的单个层或多个层。
此外，尽管未例示，但可以在第二衬底30上进一步提供各种功能层。例如，功能层可以是使第二衬底30的正表面的反射最小化的抗反射层、用于防止诸如手印(例如，指纹)的污染物的防污染层。
在一个或多于一个的实施方案中，薄膜封装层，而不是以上描述的第二衬底30，可以设置在第一衬底10上。薄膜封装层可以包括由至少一种无机材料构成的无机封装层和由至少一种有机材料构成的有机封装层。在一个实施方案中，薄膜封装层可以提供为第一无机封装层/有机封装层/第二无机封装层的堆叠结构。
图15和图16各自是例示制备根据另一个实施方案的显示设备的方法的横截面视图。
在一个或多于一个的实施方案中，在图10中示出的过程之后，随后进行图15中示出的过程和图16中示出的过程。然后，如图13中例示，在中间层117和辅助层118上，第二电极130可以提供为第一衬底10的正表面上的公共电极。详细地，在图10中例示的过程之后，如图15中示出，可以在通过第二开口15b暴露的第三绝缘膜14上提供辅助层118。然后，如图16中示出，可以在通过第一像素PX1的第一开口15a暴露的第一电极116上提供中间层117。
只要在形成辅助层118之后形成第二电极130，过程中的各种修改是可能的。
显示设备1可以实现为电子装置1000，例如移动电话、视频电话、智能电话、智能平板、智能手表、台式PC、笔记本电脑、计算机监视器、电视、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、头戴式显示器(HMD)、汽车导航等。
图17是示意性地例示根据实施方案的电子装置的配置的框图。图18A和图18B各自是示意性地例示根据实施方案的电子装置的透视图。
参考图17，电子装置1000可以包括处理器1010、内存1020、存储器1030、输入/输出装置1040、电源1050和显示器1060。在此，显示器1060可以对应于图1的显示设备1。电子装置1000可以与显卡、声卡、内存卡、USB装置等通信，或可以进一步包括可以与其他系统通信的各种端口。
在一个实施方案中，如图18A中示出，电子装置1000可以实现为电视。在一个或多于一个的实施方案中，如图18B中示出，电子装置1000可以实现为智能电话。然而，本公开内容的实施方案是示例性实施方案，并且电子装置1000不限于此。
然后，参考图19和图20，将描述根据存在或不存在辅助层118的第二电极130的形成。在300nm至1,000nm的波长处测量比较例1至比较例3和实施例1和实施例2中的每一个的透射率。
比较例1中指示的图是样品1的透射率的图。样品1是具有0.5mm的厚度的玻璃衬底。比较例2中指示的图是样品2的透射率的图。样品2是其上通过在具有0.5mm的厚度的玻璃衬底上沉积AgMg(重量比＝10:1)形成具有9nm的厚度的AgMg薄膜的衬底。实施例1中指示的图是样品3的透射率的图。样品3是通过在玻璃衬底上形成辅助层至10nm的厚度并且在辅助层上沉积AgMg所制备的衬底。越接近于比较例1的透射率图意味着未形成第二电极。
参考图19，确认了与比较例2的图相比，实施例1的图明显更接近于比较例1的图。因此，确认了通过形成辅助层基本上没有形成第二电极。
如比较例3示出的图是样品4的透射率图。样品4是通过在具有0.5mm的厚度的玻璃衬底上形成具有36nm的厚度的混合电子传输层并且然后形成具有1.3nm的厚度的Yb薄膜制备的衬底。如实施例2示出的图是样品5的透射率图。样品5是通过在具有0.5mm的厚度的玻璃衬底上形成具有36nm的厚度的混合电子传输层、具有10nm的厚度的辅助层以及具有1.3nm的厚度的Yb薄膜，并且然后沉积AgMg(重量比＝10:1)制备的衬底。越接近于比较例3的透射率图意味着没有形成第二电极。
参考图20，确认了实施例2的图明显更接近于比较例3的图。因此，确认了通过形成辅助层基本上没有形成第二电极。此外，实施例2的平均透射率为87.15％，这与比较例3的平均透射率(即，87.45％)非常类似。
然后，参考图21A，发现在实施例2中的辅助层上形成的第二电极具有颗粒形状。图21C是图21A的局部放大视图。
根据本公开内容的各种实施方案，当在透射区上基本上没有形成公共电极时，可以提供具有相对高的透射率的显示设备以及制备所述显示设备的方法。
应理解，本文中描述的实施方案应被考虑仅是描述性含义，而非出于限制的目的。每一个实施方案中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方案中的其他类似的特征或方面。
尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离如所附权利要求限定的主旨和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节的各种改变。

Claims (20)

1.显示设备，包括：第一衬底和显示单元，
其中所述显示单元包括显示区和透射区，
所述显示单元进一步包括：与所述透射区对应地设置的辅助层；以及仅与所述显示区对应地设置的第二电极，
所述辅助层包含第一材料，
所述第二电极包含第二材料，以及
所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
其中，在不等式1中，
ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。
2.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二电极不存在于所述透射区。
3.如权利要求1所述的显示设备，其中ST1大于0mJ/m2并且为30mJ/m2或小于30mJ/m2。
4.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一材料包含20at％或大于20at％的氟。
5.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第一材料包括含氟的硅烷化合物、基于氟的聚合物化合物或其任意组合。
6.如权利要求1所述的显示设备，其中所述第二材料包含镁、银、铝、锂、钙、铟或其任意组合。
7.显示设备，包括：第一衬底和显示单元，
其中所述显示单元包括显示区和透射区，
所述显示单元进一步包括：与所述透射区对应地设置的辅助层；以及与所述显示区、和所述透射区的至少一部分对应地设置的第二电极，
所述辅助层包含第一材料，
所述第二电极包含第二材料，以及
所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
其中，在不等式1中，
ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。
8.如权利要求7所述的显示设备，其中所述第二电极与所述显示区和全部的所述透射区对应地设置，
所述第二电极的第一部分与所述显示区对应地设置，
所述第二电极的第二部分与所述透射区对应地设置，以及
所述第一部分的厚度(T1)和所述第二部分的厚度(T2)各自满足以下不等式2：
<不等式2>
T1>T2。
9.如权利要求8所述的显示设备，其中T2大于0nm并且为1nm或小于1nm。
10.如权利要求7所述的显示设备，其中所述第二电极与所述显示区、和所述透射区的一部分对应地设置，
其中与所述透射区的所述一部分对应地设置的所述第二电极的一部分包含含有所述第二材料的多个颗粒。
11.如权利要求10所述的显示设备，其中与所述显示区对应地设置的所述第二电极的所述一部分的厚度大于所述多个颗粒的平均直径。
12.如权利要求7所述的显示设备，其中ST1大于0mJ/m2并且为30mJ/m2或小于30mJ/m2。
13.如权利要求7所述的显示设备，其中所述第一材料包含20at％或大于20at％的氟。
14.如权利要求7所述的显示设备，其中所述第一材料包括含氟的硅烷化合物、基于氟的聚合物化合物或其任意组合。
15.如权利要求7所述的显示设备，其中所述第二材料包含镁、银、铝、锂、钙、铟或其任意组合。
16.如权利要求7所述的显示设备，其中所述显示设备进一步包括第一电极和中间层，以及
所述中间层设置在所述第一电极与所述第二电极之间。
17.制造显示设备的方法，所述方法包括：
提供第一衬底；以及
在所述第一衬底上提供显示单元，其中所述显示单元包括显示区和透射区，
其中所述提供所述显示单元包括：仅在所述透射区上提供辅助层；以及在所述显示区上或在所述显示区和所述透射区两者上提供第二电极，
所述辅助层包含第一材料，
所述第二电极包含第二材料，
所述第一材料和所述第二材料各自满足以下不等式1：
<不等式1>
ST2-ST1>0mJ/m2
其中，在不等式1中，
ST1是所述第一材料在25℃下的表面能，以及
ST2是所述第二材料在25℃下的表面能。
18.如权利要求17所述的方法，其中通过使用开口掩模沉积所述第二材料来提供所述第二电极。
19.如权利要求17所述的方法，其中所述显示设备进一步包括第一电极和中间层，
在所述第一电极上提供所述中间层，
仅在所述透射区上提供所述辅助层，以及然后，
在所述中间层上或在所述中间层和所述辅助层两者上提供所述第二电极。
20.如权利要求17所述的方法，其中所述显示设备进一步包括第一电极和中间层，
其中仅在所述透射区上提供所述辅助层，以及然后，在所述第一电极上提供所述中间层，以及在所述中间层上或在所述中间层和所述辅助层两者上提供所述第二电极。
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