CN113161388A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了显示设备。显示设备包括：显示元件；基板，包括：开口区域、邻近开口区域的显示区域以及在开口区域和显示区域之间的非显示区域；封装层，包括：在显示区域中的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，且第一无机封装层和第二无机封装层从显示区域延伸至非显示区域；以及坝部分，在非显示区域中并与边界线邻接。与边界线邻接的坝部分包括在其中非显示区域中的第一无机封装层和第二无机封装层彼此接触的多个沟槽。

Description

显示设备
本申请要求享有2020年1月2日提交的韩国专利申请第10-2020-0000486号的优先权以及由此产生的所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示设备，且更具体地，涉及一种包括具有开口区域的显示面板的显示设备。
背景技术
显示设备的使用已经多样化。此外，由于显示设备变得更轻薄，这种显示设备的使用范围已经扩宽。
当在显示设备中由显示区域占据的平面区域已经扩展时，已经添加了与显示设备组合和/或相关联的各种功能。作为增大显示区域的同时添加各种功能的方法，已经对具有用于在显示区域内添加除了诸如图像显示的功能之外的各种功能的平面区域的显示设备进行了研究。
发明内容
一个或多个实施例包括一种高度可靠的显示设备，该显示设备包括在显示区域内具有开口区域的显示面板。
附加的特征在以下描述中部分地阐述，且部分地根据该描述显而易见，或者可以通过本公开实施例的实践而习得。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括，显示元件，包括像素电极和对置电极；基板，包括：开口区域、包括显示元件并邻近开口区域的显示区域以及在开口区域和显示区域之间的非显示区域；封装层，包括：在显示区域中并各自覆盖显示元件的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，且第一无机封装层和第二无机封装层从显示区域延伸至非显示区域；以及坝部分，在非显示区域中并与将开口区域和非显示区域分隔开的边界线邻接。与边界线邻接的坝部分包括多个沟槽，在非显示区域中的第一无机封装层和第二无机封装层在多个沟槽中彼此接触。
在实施例中，多个沟槽中的每一个的宽度可以在基板的厚度方向上增大且随后减小。
在实施例中，显示设备可以进一步包括第一对置电极图案，第一对置电极图案与对置电极在同一层中并在彼此邻近的多个沟槽之间。
在实施例中，显示设备可以进一步包括第二对置电极图案，第二对置电极图案在多个沟槽中与第一对置电极图案间隔开。
在实施例中，显示元件可以进一步包括在像素电极和对置电极之间的中间层，且显示设备可以进一步包括与中间层在同一层中并在彼此邻近的多个沟槽之间的第一中间层图案。
在实施例中，显示设备可以进一步包括与第一中间层图案间隔开并在多个沟槽中的第二中间层图案。
在实施例中，显示设备可以进一步包括：包括暴露像素电极的开口的像素限定层；和在像素限定层上的间隔件。坝部分可以进一步包括：与像素限定层在同一层中的第一层；以及与间隔件在同一层中的第一辅助坝。
在实施例中，多个沟槽的底表面可以与第一层的上表面重合。
在实施例中，多个沟槽可以由第一辅助坝和第一层限定。
在实施例中，在彼此邻近的多个沟槽之间的图案部分的厚度可以小于第一辅助坝的厚度。
在实施例中，显示设备可以进一步包括在第一辅助坝上的第二辅助坝。
在实施例中，第一辅助坝可以限定上沟槽。
在实施例中，上沟槽的深度可以等于第一辅助坝的厚度。
在实施例中，基板可以限定下沟槽，下沟槽在非显示区域中，并在从开口区域至显示区域的方向上与坝部分间隔开。
在实施例中，有机封装层可以填充下沟槽。
在实施例中，显示设备可以进一步包括触摸输入层，触摸输入层包括在封装层上的绝缘层和感测电极。
在实施例中，绝缘层可以在多个沟槽内。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基板，包括开口区域、邻近开口区域并包括显示元件的显示区域、以及在开口区域和显示区域之间的非显示区域；坝部分，在非显示区域中并包括多个沟槽；封装层，覆盖显示元件；以及触摸输入层，包括在显示区域中的绝缘层和感测电极，触摸输入层面对基板，封装层在触摸输入层与基板之间。显示区域中的绝缘层从显示区域延伸至非显示区域，且在非显示区域中的绝缘层延伸至坝部分的多个沟槽中。
在实施例中，坝部分可以与将开口区域和非显示区域分隔开的边界线重合。
在实施例中，绝缘层可以包括无机层和有机层，且无机层可以填充多个沟槽。
附图说明
本公开的实施例的以上和其他特征和优点将根据结合附图的以下描述更加显而易见，其中：
图1是显示设备的实施例的示意性透视图；
图2是图1的显示设备的示意性截面图；
图3是显示面板的实施例的示意性平面图；
图4是显示面板的像素的实施例的示意性等效电路；
图5A是沿着图3的线A-A’和线B-B’截取的截面图，图5B和图5C分别是图5A的区域A和B的放大截面图；
图6A和图6B分别是沟槽的实施例的放大截面图；
图7是依据本发明的另一实施例沿着图3的线A-A’和线B-B’截取的截面图；以及
图8和图9分别是依据本发明的其他实施例沿着图3的线A-A’和线B-B’截取的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，其示例在附图中图示，其中遍及全文相同的附图标记指代相同的元件。在这点上，实施例可以具有不同形式且不应解释为限于在此所阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施例以解释本描述的特征。
本公开可以具有各种修改和实施例。在附图中图示实施例且将在具体实施方式中详细描述。本公开的优点和特征以及用于实现它们的方法将根据结合附图详细描述的以下实施例变得更显而易见。然而，本公开不限于以下实施例且可以以各种形式具体化。
下文中，将参考附图详细描述实施例。当参考附图描述实施例时，由相同附图标记标注相同或对应的元件，且将省略其冗余描述。
应该理解，尽管可以在此使用术语“第一”、“第二”等来描述各个元件，但这些元件不应受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一个。
在此使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的且并非意在限制。如在此所使用的，单数形式“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文明确给出相反指示。例如，“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文明确给出相反指示。“至少一个”不应解释为限于“一”。“或者”意指“和/或”。如在此所使用，术语“和/或”包括相关所列项的一个或多个的任意和全部组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部、或者其变形。
应该理解，在此所使用的诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语指明所述特征或元件的存在，但是并未排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
为了方便描述可以夸大附图中部件的尺寸。换言之，由于附图中元件的尺寸和厚度为了方便描述而任意图示，以下实施例不限于此。
当可以不同地实现实施例时，可以以与所述顺序不同的顺序执行工艺。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所述顺序相反的顺序执行。
在以下实施例中，将理解，当膜、层、区域、元件或部件称作与另一元件相关联例如在另一膜、层、区域、元件和部件“上”或者与其“连接”或“耦接”时，其可以直接或间接地与另一膜、层、区域、元件或部件连接或耦接。也即，例如，可以存在介于中间的膜、区域或部件。在以下实施例中，将理解，当膜、层、区域、元件或部件称作与另一元件相关联例如与另一膜、层、区域、元件或部件“电连接”或“电耦接”时，其可以直接或间接地与另一膜、层、区域、元件或部件电连接或电耦接。也即，例如，可以存在介于中间的膜、层、区域、元件或部件。相反，当层、区域或元件称作与另一元件相关联例如“直接”在另一层、区域或元件“上”、“直接”与其“连接”或“耦接”时，它们之间不存在介于中间的层、区域或元件。
进一步，可以在此使用相对术语例如“下”或“底”和“上”或“顶”以描述如附图中所示一个元件与另一个元件的关系。将理解，相对术语意在除了附图中所绘朝向之外包含装置的不同朝向。例如，如果附图中的一个装置翻转，描述为在其“下”侧的元件将随后定向在其“上”侧。示例性术语“下”可以因此取决于图的特定朝向而包含“下”和“上”两个定向。类似地，如果附图中的一个装置翻转，描述为在其“下方”或“下面”的元件将随后定向在其“上方”。示例性术语“下方”或“下面”可以因此包含上方和下方两个定向。
除非另外限定，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属技术领域普通技术人员通常所理解相同的含义。将进一步理解，诸如常用词典中所限定的那些术语应该解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，且不应以理想化或过度正式的含义解释，除非在此明确地如此限定。
在此参考作为理想化实施例的示意图示的截面图示描述示例性实施例。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可以预期图示形状之间的变化。因此，在此描述的实施例不应被解释为限于在此图示区域的特定形状，而将包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域典型地可以具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，所图示的尖角可以是圆角。因此，附图中所示的区域实际上是示意性的，并且它们的形状不意在图示区域的精确形状且不意在限制本权利要求的范围。
图1是显示设备1的实施例的示意性透视图。
参考图1，显示设备1可以包括第一区域A1以及与第一区域A1邻近(例如围绕第一区域A1)的第二区域A2。提供为多个的像素P(参见图3)(例如多个像素P)(例如像素P的阵列)可以设置在第二区域A2中。第二区域A2可以允许通过像素P的阵列的操作或控制而显示图像。第二区域A2与显示图像的显示区域相对应。第一区域A1可以在俯视图中由第二区域A2完全围绕。第一区域A1可以在作为显示区域的第二区域A2内。第一区域A1的整个平面区域可以在第二区域A2的总平面区域内。
第一区域A1可以是设置有用于向显示设备1提供各种功能的部件20(参见图2)、电路等的平面区域(例如部件区域)。在实施例中，例如，当部件20包括传感器和相机等等作为在与显示设备1组合和/或相关联的功能内使用光的功能元件时，第一区域A1与透射区域(例如透光区域)相对应，从传感器至显示设备1的外部的光和/或从显示设备1的外部朝向相机传播的光透射通过该透射区域。第一区域A1可以包括在基板100(参见图3)中的开口区域OA(参见图5A)(例如开放或闭合的开口)以便提高透光率。第一区域A1可以视为未设置像素P的非显示区域(例如第三非显示区域)。也即，在第一区域A1处不显示图像。第一区域A1可以与开口区域OA相对应。
第三区域A3可以设置在第一区域A1和第二区域A2之间。第三区域A3是未设置像素P的第一非显示区域。也即，在第三区域A3处不显示图像。绕过第一区域A1(例如在第一区域A1中排除或不布置)的线(例如信号线或导线)或坝部分可以设置在第三区域A3中。第三区域A3可以在作为显示区域的第二区域A2内。第三区域A3的整个平面区域可以在第二区域A2的总平面区域内。
类似第三区域A3，围绕第二区域A2的第四区域A4可以是未设置像素P的第二非显示区域。也即，在第四区域A4处不显示图像。用于操作和/或控制显示设备1的各种类型的线和内部电路等等可以设置在第四区域A4中。参考图1，例如，第一区域A1、第三区域A3、第二区域A2和第四区域A4可以在沿显示设备1的平面的方向上顺序设置。显示设备1的一个或多个元件可以包括与以上针对显示设备1所描述的那些相对应的第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3和/或第四区域A4。第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3和/或第四区域A3的每一个可以限定闭合形状或闭合平面形状。
提供在显示设备1中的像素P中的每一个像素P可以包括发光二极管作为产生和/或发射彩色光的显示元件。显示元件可以包括包含有机材料作为发光层220b(参见图5C)的有机发光二极管(“OLED”)。可替代地，显示元件可以包括无机发光二极管。可替代地，显示元件可以包括量子点作为发光层220b。下文中，为了方便描述，将描述显示元件包括OLED的情形。
显示设备1及其元件可以布置在由第一方向(例如x方向)和与第一方向交叉的第二方向(例如y方向)所限定的平面中。显示设备1及其元件的厚度可以沿着与第一方向和第二方向中的每一个交叉的第三方向(例如z方向或厚度方向)布置。
图1图示了第一区域A1设置在第二区域A2的沿着显示设备1的宽度方向(例如±x方向)的中心部分处，但是不限于此。在实施例中，可以设置第一区域A1以沿着显示设备1的宽度方向、基于第二区域A2的中心而向左或向右偏移。此外，第一区域A1可以设置在沿着显示设备1的长度方向(例如±y方向)的各个位置处，例如设置在第二区域A2的上部、中部或下部处。
图1图示了显示设备1包括一个第一区域A1，但是不限于此。在实施例中，显示设备1可以包括以多个提供的第一区域A1(例如多个第一区域A1)。
图2是沿着图1的线II-II’所截取的显示设备1的示意性截面图。
参考图2，显示设备1可以包括显示面板10、设置在显示面板10上的触摸输入层40(例如触摸感测层)、以及光学功能层50。可以采用窗口60覆盖显示面板10、触摸输入层40和光学功能层50中的每一个。窗口60可以通过粘合剂层OCA与下层元件例如光学功能层50结合。粘合剂层OCA可以包括光学透明粘合剂(“OCA”)。窗口60可以形成显示设备1的外表面，不限于此。窗口60可以限定显示设备1的显示表面(或显示屏)。
显示设备1可以提供在诸如移动电话、平板个人计算机(“PC”)、笔记本计算机或智能手表的各种电子设备中。
显示面板10可以包括设置在第二区域A2中的多个发光二极管。触摸输入层40可以根据外部输入例如触摸事件获取坐标信息。触摸输入层40可以包括感测电极(或触摸电极)以及与感测电极连接的迹线。触摸输入层40可以设置在显示面板10上。触摸输入层40可以以互电容方法或自电容方法感测外部输入。显示面板10可以面对窗口60，触摸输入层40在显示面板10与窗口60之间。
触摸输入层40可以直接地提供或形成在显示面板10上。可替代地，触摸输入层40可以单独地提供或形成，并随后通过粘合剂层OCA结合。在实施例中，如图2中所示，触摸输入层40可以直接地提供或形成在显示面板10上。在该情形中，粘合剂层OCA可以从触摸输入层40和显示面板10之间排除。
光学功能层50(例如光控制层)可以包括抗反射层。抗反射层可以减少通过窗口60从显示设备1的外部且朝向显示面板10入射的光(例如外部光)的反射。抗反射层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜型延迟器或液晶涂层型延迟器，且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型偏振器或液晶涂层型偏振器。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜，且液晶涂层型偏振器可以包括以一排列方式排列的液晶。延迟器和/或偏振器可以各自进一步包括保护膜。
在实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和/或滤色器的结构。可以考虑从显示面板10的每个像素P发射的光的颜色而设置滤色器。
在实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括堆叠设置例如在不同层中的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，由此减小外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的光输出效率和/或可以减少色差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层和/或可以包括具有彼此不同折射率的多个层。光学功能层50可以包括抗反射层和透镜层中的任一个或两者。
显示面板10、触摸输入层40和光学功能层50可以各自限定或包括孔(例如部件孔)。在实施例中，例如，显示面板10可以包括穿过显示面板10的顶表面和底表面(例如延伸穿过显示面板10的厚度)的第一孔10H，触摸输入层40可以包括穿过触摸输入层40的顶表面和底表面的第二孔40H，且光学功能层50可以包括穿过光学功能层50的顶表面和底表面的第三孔50H。显示面板10的第一孔10H、触摸输入层40的第二孔40H和光学功能层50的第三孔50H可以设置在第一区域A1中，且可以设置以彼此对应。第一孔10H、第二孔40H和第三孔50H可以彼此对齐以提供单个孔或单个部件孔。
当窗口60和光学功能层50之间的粘合剂层OCA包括光学透明粘合剂时，粘合剂层OCA可以不包括与第一区域A1相对应的孔，因为光可以仍然透射穿过粘合剂层OCA。
部件20可以设置在第一区域A1中。限定或对应于第一区域A1的部件20可以包括电子元件。在实施例中，例如，部件20可以是在与显示设备1组合和/或相关联的功能内使用光或声的电子元件。在实施例中，例如，电子元件可以是接收并使用光以执行与显示设备1相关的功能的传感器(例如红外传感器)，接收光并捕捉图像作为与显示设备1相关的功能的相机，输出并感测光或声以便测量距离或识别指纹作为与显示设备1相关的功能的传感器，输出光作为与显示设备1相关的功能的小灯，输出声音作为与显示设备1相关的功能的扬声器，等等。
当部件20是在与显示设备1组合和/或相关联的功能内使用光的电子元件时，部件20可以使用各种波段的光，例如可见光、红外光和紫外光。在一个或多个实施例中，第一区域A1可以是透射区域(例如透光区域)，从部件20输出的光通过该透射区域透射至显示设备1的外部，和/或从显示设备1的外部朝向电子元件传播的光透射通过该透射区域。
在实施例中，当显示设备1用作智能手表和/或车辆仪表板时，部件20可以是诸如时钟指针或指示信息(例如车速等)的指针的构件。当显示设备1包括时钟指针或在车辆仪表板内的指针时，部件20可以暴露于显示设备1的窗口60之外。在此，窗口60可以包括或限定与第一区域A1相对应的开口或孔。
部件20可以包括如上所述添加与显示设备1相关的功能的装置，或者可以包括诸如提高显示面板10的审美外观的附件的特征。
图3是显示面板10的实施例的示意性俯视图，且图4是显示面板10中像素P的实施例的示意性等效电路。
显示面板10可以包括第一区域A1、围绕第一区域A1的第二区域A2、在第一区域A1和第二区域A2之间的第三区域A3以及围绕第二区域A2的第四区域A4。可替代地，显示面板10的基板100可以包括第一区域A1、第二区域A2、第三区域A3和第四区域A4。
显示面板10可以包括设置在第二区域A2中的多个像素P。如图4中所示，像素P可以各自包括像素电路PC以及与像素电路PC连接的显示元件。显示元件可以包括例如有机发光二极管(“OLED”)。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管(“TFT”)T1、第二TFT T2以及存储电容器Cst。像素P可以各自通过OLED产生和/或发射例如红色、绿色或蓝色的光，或者可以通过OLED产生和/或发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。
第二TFT T2可以用作开关TFT，且可以连接至诸如扫描线SL和数据线DL的一条或多条信号线。开关TFT可以根据诸如从扫描线SL输入的开关电压的电子信号而向第一TFTT1传输诸如从数据线DL输入的数据信号的电子信号。存储电容器Cst可以与第二TFT T2和驱动电压线PL连接，且可以存储与从第二TFT T2接收的电压和向驱动电压线PL提供的第一电源电压ELVDD之间的差相对应的电压。
第一TFT T1可以用作驱动TFT，且可以与驱动电压线PL和存储电容器Cst连接。驱动TFT可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值而控制从驱动电压线PL流向OLED的驱动电流。OLED可以根据驱动电流产生和/或发射产生的具有相应亮度的光。OLED的对置电极(例如阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
图4图示了像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器Cst，但是不限于此。在实施例中，可以根据像素电路PC的设计而不同地改变TFT的数目和存储电容器Cst的数目。
再次参考图3，第三区域A3可以围绕第一区域A1。第三区域A3是排除或未设置诸如发射光的OLED的显示元件的平面区域。向设置在第一区域A1的外部和周围的像素P提供电信号(例如，控制信号、驱动信号、电力信号等)的信号线可以穿过第三区域A3。与像素P连接的这些信号线可以绕过第一区域A1以从第一区域A1排除。
在实施例中，第三区域A3可以包括坝部分DP(图5A)。如上所述，坝部分DP可以在显示设备1的制造期间约束或控制用于形成覆盖第二区域A2的有机封装层的有机封装层材料的流动，以便减少或有效地防止这种材料渗入第一区域A1中。此时，可以设置坝部分DP以在俯视图中围绕第一区域A1。具体地，坝部分DP可以在沿着基板100的方向上邻接第一区域A1设置。也即，坝部分DP可以邻接将第一区域A1和第三区域A3分隔开的边界线BL。
再次参考图3，各自向像素P提供扫描信号的第一扫描驱动器1100(例如第一驱动器)和第二扫描驱动器1200(例如第二驱动器)、向像素P提供数据信号的数据驱动器1300(例如第三驱动器)以及提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS的主电压线(未示出)等等可以设置在第四区域A4中。第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以设置在第四区域A4中，且可以分别设置在第二区域A2的相对侧，第二区域A2在第一扫描驱动器1100与第二扫描驱动器1200之间。也即，第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以彼此面对，第二区域A2在第一扫描驱动器1100与第二扫描驱动器1200之间。
图3图示了数据驱动器1300邻近基板100的一侧或外边缘设置，但是不限于此。在实施例中，数据驱动器1300可以设置在柔性印刷电路板(“FPCB”)上，该柔性印刷电路板是与显示面板10分离的元件且可以与显示面板10的焊盘电连接。焊盘可以邻近显示面板10的一侧或外边缘设置，例如与数据驱动器1300的区域相对应。
图5A是沿着图3的线A-A’和线B-B’截取的截面图。图5B和图5C分别是图5A的区域A和区域B的放大截面图。
参考图5A，显示设备1可以包括显示面板10和触摸输入层40。显示面板10可以包括顺序地堆叠的基板100、缓冲层101、无机绝缘层IL、第一平坦化层109、第二平坦化层111、像素限定层113和薄膜封装层300。在该情形中，无机绝缘层IL可以包括第一栅绝缘层103、第二栅绝缘层105和层间绝缘层107。此外，像素电路PC可以设置在基板100上，且OLED可以设置在像素电路PC上。OLED可以与像素电路PC电连接，且可以包括像素电极210、中间层220和对置电极230。
在实施例中，基板100可以包括开口区域OA。开口区域OA可以设置以与第一区域A1相对应。具体地，第一区域A1和开口区域OA可以彼此对齐。开口区域OA可以由作为显示区域的第二区域A2围绕。作为第一非显示区域的第三区域A3可以在沿着基板100的方向上设置在开口区域OA和第二区域A2之间。在该情形中，与将第一区域A1和第三区域A3分隔开的边界线BL邻接的坝部分DP可以设置在第三区域A3中。
基板100可以包括玻璃，或者可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。
缓冲层101可以设置在基板100上。缓冲层101可以减少或阻断异物、湿气或外部空气从基板100的底表面外渗透，且可以相对于基板100提供平坦表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机材料组合，且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。阻断外部空气渗透的阻挡层(未示出)可以进一步包括在基板100和缓冲层101之间。在一个或多个实施例中，缓冲层101可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
TFT可以布置在缓冲层101上。在该情形中，TFT可以是驱动TFT。TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。
半导体层A可以设置在缓冲层101上且可以包括多晶硅。在实施例中，半导体层A可以包括非晶硅。在实施例中，半导体层A可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。半导体层A可以包括沟道区以及各自掺杂有杂质的源区和漏区。
可以提供第一栅绝缘层103以覆盖半导体层A。第一栅绝缘层103可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。第一栅绝缘层103可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
栅电极G可以设置在第一栅绝缘层103上以便与半导体层A重叠。栅电极G可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等等，且可以是单层或多层。在实施例中，例如，栅电极G可以是Mo的单层。
可以提供第二栅绝缘层105以覆盖栅电极G。第二栅绝缘层105可以包括无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。第二栅绝缘层105可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的上电极CE2可以设置在第二栅绝缘层105上。
上电极CE2可以与设置在下方的栅电极G重叠。彼此重叠而使第二栅绝缘层105处在两者之间的栅电极G和上电极CE2可以形成存储电容器Cst。栅电极G可以是存储电容器Cst的下电极CE1。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，且可以是包括上述材料的单层或多层。
可以提供或形成层间绝缘层107以覆盖上电极CE2。层间绝缘层107可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
源电极S和漏电极D可以设置在层间绝缘层107上。源电极S和漏电极D可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)等等的导电材料，且可以各自是包括上述材料的单层或多层。在实施例中，例如，源电极S和漏电极D可以各自具有Ti/Al/Ti的多层结构。
可以设置第一平坦化层109以覆盖源电极S和漏电极D。第一平坦化层109可以具有平坦上表面。
第一平坦化层109可以是包括有机材料或无机材料的单层或多层。第一平坦化层109可以包括通用聚合物(例如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯)，具有苯酚类基团的聚合物衍生物，丙烯酸类聚合物，酰亚胺类聚合物，芳醚类聚合物，酰胺类聚合物，氟类聚合物，对二甲苯类聚合物，乙烯醇类聚合物，以及其组合。第一平坦化层109可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在该情形中，在显示设备1的制造方法中，在提供或形成第一平坦化层109之后，可以对其执行化学机械抛光以便提供平坦上表面。
连接金属CM可以设置在第一平坦化层109上。连接金属CM可以通过提供或形成在第一平坦化层109中的接触孔而接触TFT的源电极S或漏电极D从而与TFT电连接。
在沿基板100的方向上与连接金属CM(例如连接器或连接插塞)间隔开并包括与连接金属CM的材料相同的材料的线(未示出)(例如信号线或导线)可以进一步设置在第一平坦化层109上。也即，线和连接金属CM可以在设置在基板100上的层中的同一层中。如在此所使用，在同一层中可以指图案或元件是设置在基板100上的材料层中的同一单个材料层的相应部分。
第二平坦化层111可以设置在连接金属CM上。第二平坦化层111可以具有平坦上表面使得设置在其上的像素电极210被提供或形成为平坦的。
第二平坦化层111可以是包括有机材料或无机材料的单层或多层。第二平坦化层111可以包括通用聚合物(例如苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯)，具有苯酚类基团的聚合物衍生物，丙烯酸类聚合物，酰亚胺类聚合物，芳醚类聚合物，酰胺类聚合物，氟类聚合物，对二甲苯类聚合物，乙烯醇类聚合物，以及其组合。第二平坦化层111可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。在该情形中，在制造显示设备1的方法中，在提供或形成第二平坦化层111之后，可以对其执行化学机械抛光以便提供平坦上表面。
第二平坦化层111可以包括或限定暴露连接金属CM的开口或接触孔。像素电极210可以在开口处或通过开口与连接金属CM接触，以与TFT电连接。
像素电极210可以包括导电氧化物，例如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(“In2O3”)、氧化铟镓(“IGO”)或氧化铝锌(“AZO”)。在实施例中，像素电极210可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其组合的反射层。在实施例中，像素电极210可以进一步包括在反射层上方和/或下方的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在一个或多个实施例中，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层113可以设置在像素电极210上。像素限定层113可以包括或限定暴露像素电极210的上表面的开口，但是可以覆盖像素电极210的外边缘。像素限定层113可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定层113可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。可替代地，像素限定层113可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。下文中，为了方便描述，将描述像素限定层113包括有机绝缘材料的情形。
中间层220可以包括发光层220b。发光层220b可以包括例如有机材料。发光层220b可以包括发射彩色光的相对高分子量有机材料或相对低分子量有机材料。中间层220可以包括设置在发光层220b下方的第一功能层220a和/或设置在发光层220b上方的第二功能层220c。
第一功能层220a可以是单层或多层。在实施例中，例如，当第一功能层220a包括相对高分子量材料时，第一功能层220a可以是具有单层结构的空穴传输层(“HTL”)且可以包括聚-(3,4)-乙烯-二氧噻吩(“PEDOT”)或聚苯胺(“PANI”)。当第一功能层220a包括相对低分子量材料时，第一功能层220a可以包括空穴注入层(“HIL”)和HTL。
第二功能层220c可以是可选择的。在实施例中，例如，当第一功能层220a和发光层220b各自包括相对高分子量材料时，可以不提供或形成第二功能层220c。第二功能层220c可以是单层或多层。第二功能层220c可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。
中间层220的发光层220b可以在第二区域A2中针对每个像素P设置。可以设置发光层220b以与像素限定层113中的开口重叠和/或与像素电极210重叠。中间层220的第一功能层220a和第二功能层220c可以各自是从第二区域A2延伸至第三区域A3的单体以便也提供或形成在坝部分DP上。
对置电极230可以包括具有相对低功函数的导电材料。在实施例中，例如，对置电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的(半)透明层。可替代地，对置电极230可以进一步包括在包含上述材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对置电极230是单体且可以提供或形成以覆盖第二区域A2中的多于一个的像素电极210。此外，对置电极230可以从第二区域A2延伸至第三区域A3，以便也设置在坝部分DP上。在制造显示设备1的方法中，中间层220和对置电极230可以通过热蒸发而提供或形成。
间隔件115可以提供或形成在像素限定层113上。间隔件115可以包括有机绝缘材料，例如聚酰亚胺。可替代地，间隔件115可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
在实施例中，间隔件115可以包括与像素限定层113的材料不同的材料。可替代地，在实施例中，间隔件115可以包括与像素限定层113的材料相同的材料。在该情形中，在制造显示设备1的方法中，可以在使用半色调掩模等等的掩模工艺中一起提供或形成像素限定层113和间隔件115。也即，像素限定层113和间隔件115可以在彼此相同的层中。像素限定层113和间隔件115可以各自包括聚酰亚胺。
薄膜封装层300(例如封装层)可以覆盖OLED。在实施例中，薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这点上，在图5A中图示了第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
薄膜封装层300可以从第二区域A2延伸至第三区域A3。具体地，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从第二区域A2延伸至第三区域A3。在该情形中，可以由坝部分DP屏蔽有机封装层320。换言之，由于坝部分DP而可以在第一区域A1中不设置有机封装层320，且可以由于坝部分DP而在第二区域A2中以及在第三区域A3的一部分中设置有机封装层320。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以彼此交会以在坝部分DP处在第三区域A3内彼此接触。
第一无机封装层310和/或第二无机封装层330可以根据设置在下方的层的上表面形状而设置。也即，第一无机封装层310和第二无机封装层330的剖面轮廓可以遵循下方层的剖面轮廓。参考图5A，例如，可以根据对置电极230的上表面的形状设置第一无机封装层310。可以根据有机封装层320的上表面的形状设置第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以各自包括一种或多种无机绝缘材料。一种或多种无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在制造显示设备1的方法中，可以通过化学气相沉积提供或形成第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个。
有机封装层320的上表面可以提供或形成为平坦的。由于有机封装层320的下层不是平坦的，因此有机封装层320的下表面可以不是平坦的，但是有机封装层320的上表面可以如上所述是平坦的。
有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等等。在实施例中，例如，有机封装层320可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等等的丙烯酸树脂。在制造显示设备1的方法中，可以通过固化单体或施加聚合物而提供或形成有机封装层320。
触摸输入层40可以设置在第二无机封装层330上且可以包括感测电极和至少一个绝缘层。在该情形中，触摸输入层40可以从第二区域A2延伸至第三区域A3。此外，触摸输入层40可以在第三区域A3中设置在坝部分DP上。
在触摸输入层40中，可以交替地堆叠绝缘层和导电层。在实施例中，触摸输入层40可以包括第一绝缘层410、第一导电层420、第二绝缘层430、第二导电层440和第三绝缘层450。第一导电层420和第二导电层440可以在触摸输入层40内在接触孔(未示出)处彼此连接。感测电极可以包括在第一导电层420和第二导电层440中的至少一个中。
第一导电层420或第二导电层440可以包括金属材料层或透明导电材料层。金属材料层可以包括钼(Mo)、钔(Md)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或其任意合金。透明导电材料层可以包括透明导电氧化物，例如氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)或氧化铟锡锌(“ITZO”)。此外，透明导电材料层可以包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线或石墨烯等等。
第一导电层420或第二导电层440可以是单层或多层。第一导电层420的单层结构或第二导电层440的单层结构可以包括金属层或透明导电层。金属层和透明导电层的材料与以上所述相同。第一导电层420和第二导电层440中的一个可以包括单个金属层。第一导电层420和第二导电层440中的一个可以包括多层金属层。多层金属层可以包括例如钛层/铝层/钛层的三层，或者钼层/钔层的两层。可替代地，多层金属层可以包括金属层和透明导电层。
第一导电层420和第二导电层440可以具有彼此不同的堆叠结构，或者可以具有彼此相同的堆叠结构。在实施例中，例如，第一导电层420可以包括金属层且第二导电层440可以包括透明导电层。可替代地，第一导电层420和第二导电层440可以包括彼此相同的金属层。
可以考虑感测灵敏度而确定第一导电层420和/或第二导电层440的材料以及由第一导电层420的部分和第二导电层440的部分所提供的感测电极的设置。电阻-电容(“RC”)延迟可以影响感测灵敏度。由于包括金属层的感测电极具有比透明导电层的电阻小的电阻，因此可以减小RC值。因此，可以减少限定在感测电极之间的感测电容器的充电时间。与金属层相比，包括透明导电层的感测电极从触摸输入层40的外部不可见，且可以增大可施加外部输入的输入区域以增大电容和/或感测灵敏度。
第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450可以各自包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，且有机绝缘材料可以包括相对高分子量有机材料。在一个或多个实施例中，可以省略或排除第一绝缘层410。下文中，将描述第一绝缘层410和第二绝缘层430包括无机绝缘材料且第三绝缘层450包括有机绝缘材料的情形。
再次参考图5A，可以在第三区域A3中设置坝部分DP。具体地，可以邻接第一区域A1设置坝部分DP。也即，与第二区域A2相比，坝部分DP可以更靠近第一区域A1。在该情形中，可以设置坝部分DP以在俯视图中围绕第一区域A1。在实施例中，例如，可以邻接将第一区域A1与第三区域A3分隔开的边界线BL设置坝部分DP。具体地，可以设置坝部分DP使得坝部分DP的一侧包括边界线BL。也即，坝部分DP的边界可以与边界线BL重合或对齐。
坝部分DP可以控制在制造显示设备1期间形成有机封装层320的有机封装层材料的流动，以便减少或有效地防止有机封装层320的材料从第三区域A3渗透至第一区域A1中。此外，坝部分DP可以减少或有效地防止通过第一区域A1引入的外部杂质通过有机封装层320渗透至第二区域A2中。
坝部分DP可以包括第一基底层ILa、第二基底层109a、第三基底层111a、第一层113a、提供为多个的沟槽Gv(例如多个沟槽Gv)、以及第一辅助坝115D。沟槽Gv在远离基板100的方向上开放。在实施例中，分别面对第一区域A1的第二基底层109a的端部或侧表面、第三基底层111a的端部或侧表面、以及第一层113a的端部或侧表面可以包括边界线BL或者与边界线BL对齐。
第一基底层ILa、第二基底层109a和第三基底层111a可以在远离基板100的方向上(例如沿着厚度方向或z方向)顺序地堆叠在第三区域A3中。在一个或多个实施例中，第一基底层ILa可以省略。在该情形中，第三区域A3中的第一基底层ILa可以包括与第二区域A2中的无机绝缘层IL相同的材料且可以与第二区域A2中的无机绝缘层IL在同一层中，第三区域A3中的第二基底层109a可以包括与第二区域A2中的第一平坦化层109相同的材料且可以与第二区域A2中的第一平坦化层109在同一层中，且第三区域A3中的第三基底层111a可以包括与第二区域A2中的第二平坦化层111相同的材料且可以与第二区域A2中的第二平坦化层111在同一层中。在制造显示设备1的方法中，当提供或形成第二区域A2中的无机绝缘层IL、第一平坦化层109和第二平坦化层111时，可以同时地提供或形成第三区域A3中的第一基底层ILa、第二基底层109a和第三基底层111a。
第一层113a可以设置在第三基底层111a上。在该情形中，第一层113a可以包括与像素限定层113相同的材料且可以与像素限定层113在同一层中。在制造显示设备1的方法中，当在第二区域A2中提供或形成像素限定层113时可以在第三区域A3中同时地提供或形成第一层113a。
第一辅助坝115D可以设置在第一层113a上。第一辅助坝115D可以包括第一辅助层115Da(例如第一辅助坝部分)以及在第一辅助层115Da上的第二辅助层115Db(例如第二辅助坝部分)。在实施例中，第一辅助层115Da和第二辅助层115Db可以包括相同的材料且在彼此相同的层中。在该情形中，在制造显示设备1的方法中，可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起提供或形成第一辅助层115Da和第二辅助层115Db。在实施例中，第一辅助层115Da和第二辅助层115Db可以包括彼此不同的材料。下文中，为了方便描述，将描述第一辅助层115Da和第二辅助层115Db包括相同的材料且在同一层中的情形。在实施例中，第一辅助坝115D可以包括与间隔件115的材料相同的材料。
类似于坝部分DP，第一辅助坝115D可以控制形成有机封装层320的有机封装层材料的流动，以便减少或有效地防止有机封装层320的这种材料从第三区域A3渗透至第一区域A1中。此外，第一辅助坝115D可以减少或有效地防止通过第一区域A1引入的外部杂质通过有机封装层320渗透至第二区域A2中。
对置电极230、第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430可以在坝部分DP处从基板100按顺序设置，且可以具有遵循坝部分DP内第一辅助坝115D的表面形状的轮廓。在该情形中，对置电极230、第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430可以在从第二区域A2向第一区域A1的方向上沿着基板100延伸，以便沿着坝部分DP的表面形状而设置。因此，对置电极230、第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430的堆叠结构可以减少或有效地防止外部杂质通过有机封装层320而从第二基底层109a、第三基底层111a、第一层113a或第一辅助坝115D渗透至第二区域A2中。
可以在坝部分DP中提供或形成沟槽Gv。具体地，可以在第一层113a上提供或形成沟槽Gv。此外，可以在第三区域A3内在第一区域A1和第一辅助坝115D之间提供或形成沟槽Gv。可以在沟槽Gv中设置至少一个材料层的图案，第一功能层220a、第二功能层220c、对置电极230、第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450是该至少一个材料层的图案或部分。在该情形中，可以在第三区域A3中在与沟槽Gv相对应的位置处断开材料层，由该材料层提供第一功能层220a、第二功能层220c和对置电极230。以下参考图6A和图6B描述这点。
一个或多个图案部分115P可以设置在彼此邻近的沟槽Gv之间。因此，沟槽Gv可以在沿基板100的方向上彼此间隔开。在实施例中，沿着厚度方向(例如z方向)，图案部分115P的宽度可以减小至最小宽度，并随后从最小宽度增大。图案部分115P的最大厚度可以小于第一辅助坝115D的最大厚度。图案部分115P可以包括与第一辅助层115Da和/或间隔件115的材料相同的材料。在该情形中，在制造显示设备1的方法中，当提供或形成第一辅助坝115D时，可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起提供或形成图案部分115P。第三区域A3中的坝部分DP可以包含包括从第一基底层ILa至辅助坝层(例如图案部分115P加上第一辅助坝115D)在内的所有层，不限于此。显示区域和第一非显示区域中的间隔件层可以包括间隔件115、第一辅助坝115D和图案部分115P的集合。
基板100可以进一步包括或限定与第三区域A3相对应的下沟槽LGv。下沟槽LGv可以提供或形成在坝部分DP和第二区域A2之间。具体地，下沟槽LGv可以在沿基板100从第一区域A1至第二区域A2的方向上与坝部分DP间隔开。与第一区域A1和第三区域A3之间的边界相比，下沟槽LGv可以更靠近第二区域A2和第三区域A3之间的边界。
中间层220、对置电极230、第一无机封装层310和有机封装层320中的一个或多个的图案或部分可以设置在下沟槽LGv中。在该情形中，中间层220和对置电极230可以在第三区域A3中对应于下沟槽LGv的位置断开。在实施例中，中间层220和/或对置电极230可以包括或限定在朝向基板100的方向上突出至下沟槽LGv中的突起。在下沟槽LGv处，第一无机封装层310可以从下沟槽LGv的外部延伸至下沟槽LGv中并设置在下沟槽LGv的整个内表面之上。可以设置有机封装层320的一部分填充下沟槽LGv。由于第一无机封装层310和有机封装层320在下沟槽LGv内保持相连，因此可以增大基板100和薄膜封装层300之间的接触面积。因此，可以增强基板100和薄膜封装层300之间的粘合强度。
如上所述，可以邻接第一区域A1和第三区域A3之间的边界线BL设置坝部分DP，以便提高显示设备1的可靠性。在比较的显示设备中，当第三区域A3的坝部分DP与第一区域A1间隔开时，可以增大用于提供或形成第一基底层ILa、第二基底层109a、第三基底层111a和第一层113a的有机材料的刻蚀量。此外，为了在平坦表面上提供或形成触摸输入层40，可以进一步包括用于平坦化坝部分DP和第一区域A1之间的上表面的第三平坦化层。在该情形中，在制造比较的显示设备时添加提供或形成第三平坦化层的工艺。由于这种工艺的添加，制造比较的显示设备的生产效率降低或引起比较的显示设备中的缺陷。
在不同于比较的显示设备的一个或多个实施例中，屏蔽有机封装层320的材料的流动的坝部分DP延伸直至第一区域A1和第三区域A3之间的边界线BL并包括该边界线BL，且替代以上讨论的第三平坦化层的角色。因此，可以减少有机材料的刻蚀量，可以省略提供或形成第三平坦化层的工艺，且可以提高制造显示设备1的生产效率。此外，由于消除了因形成第三平坦化层的工艺引起缺陷的可能性，可以提高最终形成的显示设备1的可靠性。
下文中，将参考图6A和图6B详细描述沟槽Gv的形状。
图6A和图6B分别是由图5A中虚线框所指示沟槽Gv的实施例的相应放大截面图。在图6A和图6B中，与图5A至图5C的附图标记相同的附图标记指代相同构件，且将省略其冗余描述。
参考图6A和图6B，可以在第一层113a上设置图案部分115P和/或第一辅助层115Da。图案部分115P的侧壁面对第一辅助层115Da的侧壁。面对的侧壁和第一层113a的上表面可以一起限定沟槽Gv。第一层113a的上表面可以由第一层113a中的凹陷(图6B)或由最远离基板100的顶表面(图6A)限定。第一功能层220a、第二功能层220c、对置电极230、第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450的图案或部分可以顺序地堆叠在图案部分115P和/或第一辅助层115Da上。
在实施例中，在面对侧壁中的相应侧壁处，图案部分115P的厚度可以等于第一辅助层115Da的厚度。在实施例中，图案部分115P的厚度可以在沟槽Gv处不同于第一辅助层115Da的厚度。在实施例中，例如，第一辅助层115Da在其面对侧壁处的厚度可以大于图案部分115P在其面对侧壁处的厚度。在该情形中，提供在图案部分115P和第一辅助层115Da的面对侧壁之间并由该面对侧壁所限定的沟槽Gv可以相对于沟槽Gv中心以非对称形状设置。下文中，为了方便描述，将详细描述图案部分115P的厚度在沟槽Gv处等于第一辅助层115Da厚度的情形。
在实施例中，图案部分115P或第一辅助层115Da的侧表面(或侧壁)可以弯曲。在实施例中，例如，图案部分115P或第一辅助层115Da的宽度可以沿着厚度方向(例如z方向)减小并随后增大。也即，辅助坝层的限定沟槽Gv的侧表面可以在远离沟槽Gv的中心并分别朝向图案部分115P或第一辅助层115Da的方向上外凸。
第一中间层图案221P和第一对置电极图案231P可以顺序地设置在图案部分115P上。第一中间层图案221P可以是第一功能层220a的一部分和/或第二功能层220c的一部分。在该情形中，在第三区域A3内，多于一个的第一中间层图案221P和多于一个的第一对置电极图案231P可以在沿基板100的方向上各自彼此邻近并间隔开。此外，作为中间层220和对置电极230的断开部分的第一中间层图案221P和第一对置电极图案231P可以设置为分别与中间层220和对置电极230的其余部分间隔开。
多于一个的沟槽Gv可以设置在图案部分115P和第一辅助层115Da之间、或在彼此邻近的图案部分115P之间。
在实施例中，沟槽Gv中的每一个的宽度可以沿着厚度方向(例如z方向)增大并随后减小(例如增大和减小两者)。在实施例中，例如，辅助坝层的限定沟槽Gv的侧表面可以具有弧形形状。在一个或多个实施例中，沟槽Gv中的每一个的宽度可以沿着厚度方向(例如z方向)增大或减小。在一个或多个实施例中，沟槽Gv中的每一个的宽度可以是恒定的，也即不增大或减小。当在第一层113a上提供或形成间隔件115作为其一部分的同一材料层且随后由该同一材料层提供或形成沟槽Gv时，可以通过控制施加至这种同一材料层的刻蚀工艺的刻蚀速率和/或刻蚀时间而提供或形成上述沟槽Gv中的每一个的宽度。
在实施例中，沟槽Gv的深度H1可以等于第一辅助层115Da或图案部分115P的厚度H2。参考图6A，例如，沟槽Gv的深度H1可以等于第一辅助层115Da或图案部分115P的厚度H2。沟槽Gv可以包括最靠近基板100的底表面。第一层113a可以包括最远离基板100的上表面。在该情形中，沟槽Gv的底表面可以与第一层113a的上表面或顶表面共面。在实施例中，沟槽Gv的深度H1可以不同于第一辅助层115Da或图案部分115P的厚度H2。参考图6B，例如，沟槽Gv的深度H1可以大于第一辅助层115Da或图案部分115P的厚度H2。在该情形中，沟槽Gv可以在图案部分115P处延伸至辅助坝层中并延伸至第一层113a中。也即，沟槽Gv可以由第一层113a的侧表面与辅助坝层的侧表面一起限定。
在实施例中，沟槽Gv的深度H1可以小于第一辅助层115Da或图案部分115P的厚度H2。在该情形中，沿着基板100彼此邻近的多于一个的第一辅助层115Da和图案部分115P可以彼此连接。在此，可以单纯由辅助坝层的内表面限定沟槽Gv，且辅助坝层的一部分可以将沟槽Gv和第一层113a分离。当在第一层113a上提供或形成间隔件115是其一部分的同一材料层且随后由该同一材料层提供或形成沟槽Gv时，可以通过控制施加至这种同一材料层的刻蚀工艺的刻蚀速率或刻蚀时间而提供或形成上述沟槽Gv的深度H1。
第二中间层图案222P和第二对置电极图案232P可以设置在沟槽Gv内。在该情形中，第二中间层图案222P可以是第一功能层220a的一部分和/或第二功能层220c的一部分。具体地，第二中间层图案222P和第二对置电极图案232P可以设置在沟槽Gv的底表面上。在该情形中，作为中间层220和对置电极230的断开部分的第二中间层图案222P和第二对置电极图案232P可以设置为分别与中间层220和对置电极230的其余部分间隔开。此外，第二中间层图案222P和中间层220可以是同一材料层的相应部分，且第二对置电极图案232P和对置电极230可以是同一材料层的相应部分。因此，中间层220和对置电极230可以在与沟槽Gv相对应的位置处断开。
第二中间层图案222P和第二对置电极图案232P可以设置为分别与第一中间层图案221P和第一对置电极图案231P间隔开。在实施例中，例如，第二中间层图案222P和第一中间层图案221P可以设置以沿着厚度方向(例如z方向)彼此间隔开。此外，第二对置电极图案232P和第一对置电极图案231P可以设置以沿着厚度方向(例如z方向)彼此间隔开。
第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430可以设置在沟槽Gv中。在该情形中，第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430可以连续地设置而并未在沟槽Gv处断开。参考图6A和图6B，在沟槽Gv中的第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430各自延伸至沟槽Gv的外部以保持在沟槽Gv之间相连。
在沟槽Gv中的第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430可以在远离基板100的方向上开口以用于子开口。第三绝缘层450可以填充沟槽Gv，也即，可以填充该子开口并延伸至沟槽Gv的外部。在该情形中，可以增大触摸输入层40和坝部分DP之间的接触面积以增强两者之间的粘合强度。此外，中间层220、第一中间层图案221P和第二中间层图案222P可以彼此断开而间隔开以便减少或有效地防止外部杂质通过中间层220渗透至第二区域A2中。
图7是依据本发明的另一实施例沿着图3的线A-A’和线B-B’截取的放大截面图，与图5A至图5C中的附图标记相同的附图标记指代相同构件，且将省略其冗余描述。
参考图7，显示设备1可以包括第一区域A1、围绕第一区域A1的第二区域A2以及设置在第一区域A1和第二区域A2之间的第三区域A3。在该情形中，基板100可以包括与第一区域A1相对应的开口区域OA。作为显示元件的OLED可以包括像素电极210和对置电极230。可以设置薄膜封装层300以覆盖OLED，且第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸至第三区域A3以与包括多个沟槽Gv的坝部分DP接触。在该情形中，坝部分DP可以邻接将第一区域A1和第三区域A3分隔开的边界线BL并与该边界线BL重合。
在实施例中，坝部分DP可以包括第一辅助坝115D，且第二辅助坝117D可以设置在第一辅助坝115D上。在实施例中，第一辅助坝115D和第二辅助坝117D可以包括相同的材料和/或在彼此相同的层中。在该情形中，在制造显示设备1的方法中，第一辅助坝115D和第二辅助坝117D可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起提供或形成。在实施例中，第一辅助坝115D和第二辅助坝117D可以包括彼此不同的材料和/或在彼此不同的层中。也即，第一辅助坝115D和第二辅助坝117D可以是不同材料层的相应部分。
第一辅助层115Da、第二辅助层115Db和第二辅助坝117D可以形成台阶结构，其中第二辅助坝117D的上表面比第一辅助层115Da和第二辅助层115Db中的每一个的上表面更远离基板100。类似于坝部分DP，第一辅助坝115D和第二辅助坝117D可以控制形成有机封装层320的有机封装层材料的流动以便减少或有效地防止有机封装层320从第三区域A3渗透至第一区域A1中。此外，第一辅助坝115D和第二辅助坝117D可以减少或有效地防止通过第一区域A1引入的外部杂质通过有机封装层320渗透至第二区域A2中。
图8和图9分别是依据本发明的其他实施例沿着图3的线A-A’和线B-B’截取的放大截面图。在图8和图9中，与图5A至图5C中的附图标记相同的附图标记指代相同构件，且将省略其冗余描述。
参考图8和图9，显示设备1可以包括第一区域A1、围绕第一区域A1的第二区域A2以及设置在第一区域A1和第二区域A2之间的第三区域A3。在该情形中，基板100可以包括与第一区域A1相对应的开口区域OA。作为显示元件的OLED可以包括像素电极210和对置电极230。可以设置薄膜封装层300以覆盖OLED，且第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸至第三区域A3以与包括多个沟槽Gv的坝部分DP接触。在该情形中，坝部分DP可以邻接将第一区域A1和第三区域A3分隔开的边界线BL。
在实施例中，第一辅助坝115D可以包括上沟槽UGv。具体地，上沟槽UGv可以由第一辅助层115Da和/或第二辅助层115Db的面对侧壁限定。
在实施例中，上沟槽UGv的宽度可以沿着厚度方向(例如z方向)增大并随后减小。在一个或多个实施例中，上沟槽UGv的宽度可以沿着厚度方向(例如z方向)增大或减小。在一个或多个实施例中，上沟槽UGv的宽度可以是恒定的。在制造显示设备1的方法中，当在辅助坝层中提供或形成多个沟槽Gv时，可以同时地提供或形成如上所述的上沟槽UGv。在该情形中，当提供或形成第一辅助坝115D且随后形成上沟槽UGv时，可以通过控制辅助坝层材料的刻蚀工艺的刻蚀速率或刻蚀时间而限定上沟槽UGv的宽度。
在实施例中，由第一辅助坝115D所限定的上沟槽UGv的深度H3可以不同于第一辅助坝115D的厚度H4，其从参考表面例如最远离基板100的第一辅助坝115D的顶表面算起。参考图8，例如，上沟槽UGv的深度H3可以小于第一辅助坝115D的厚度H4。在该情形中，上沟槽UGv的底表面可以与第一辅助层115Da的最远离基板100的上表面共面。在实施例中，上沟槽UGv的深度H3可以等于第一辅助坝115D的厚度H4。参考图9，例如，由第一辅助坝115D所限定的上沟槽UGv的深度H3可以等于第一辅助坝115D的厚度H4。在该情形中，上沟槽UGv的底表面可以与第一层113a的上表面共面。
在实施例中，上沟槽UGv的深度H3可以大于第一辅助坝115D的厚度H4。在该情形中，第一层113a的侧表面可以与辅助坝层的侧表面一起形成上沟槽UGv。在该情形中，在制造显示设备1的方法中，当提供或形成第一辅助坝115D且随后提供或形成上沟槽UGv时，可以通过控制刻蚀工艺的刻蚀速度或刻蚀时间而提供上沟槽UGv的深度H3。
类似于沟槽Gv的内部，中间层图案和对置电极图案可以设置在上沟槽UGv内。第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430也可以设置在上沟槽UGv中。在该情形中，第一无机封装层310、第二无机封装层330、第一绝缘层410和第二绝缘层430可以连续地设置而并未断开，如以上参考图6A和图6B所述。第三绝缘层450可以填充上沟槽UGv。在该情形中，触摸输入层40和坝部分DP之间的接触面积可以增大以增强两者之间的粘合强度。进一步，采用上沟槽UGv，可以减少或有效地防止外部杂质通过中间层220渗透至第二区域A2中，且可以控制形成有机封装层320的有机封装层材料的流动。
如上所述，一个或多个实施例可以提供高度可靠的显示设备1，其中坝部分DP邻接将布置有部件20的开口区域OA与第一非显示区域(例如开口区域OA周围的第三区域A3)分隔开的边界线BL。
应该理解，在此所述的实施例应该仅以描述的含义考虑而非为了限制目的。在每个实施例内特征的描述应该通常视作可适用于其他实施例中其他类似特征。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，本领域普通技术人员应该理解，可以在此做出形式和细节上各种改变而并未脱离由所附权利要求所限定的精神和范围。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
显示元件，包括像素电极和对置电极；
基板，包括：开口区域、包括所述显示元件并邻近所述开口区域的显示区域以及在所述开口区域和所述显示区域之间的非显示区域；
封装层，包括：第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，在所述显示区域中且各自覆盖所述显示元件，且所述第一无机封装层和所述第二无机封装层从所述显示区域延伸至所述非显示区域；以及
坝部分，在所述非显示区域中并与将所述开口区域和所述非显示区域分隔开的边界线邻接，
其中与所述边界线邻接的所述坝部分包括多个沟槽，在所述非显示区域中的所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述多个沟槽中彼此接触。
2.根据权利要求1所述的显示设备，
其中所述对置电极包括：
在所述显示区域中的、延伸至所述非显示区域中的所述坝部分的所述对置电极；以及
在所述非显示区域中的、包括所述对置电极的彼此断开的部分的所述对置电极，且
其中所述对置电极的彼此断开的所述部分包括在彼此邻近的所述多个沟槽之间的第一对置电极图案，
其中所述对置电极的彼此断开的所述部分进一步包括在彼此邻近的所述多个沟槽中的每一个中的第二对置电极图案，且
所述第二对置电极图案与在彼此邻近的所述多个沟槽之间的所述第一对置电极图案间隔开。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
在所述显示区域中的所述显示元件进一步包括在所述像素电极和所述对置电极之间的中间层，且
其中所述中间层包括：
在所述显示区域中的、延伸至在所述非显示区域中的所述坝部分的所述中间层；以及
在所述非显示区域中的、包括所述中间层的彼此断开的部分的所述中间层，且
其中所述中间层的彼此断开的所述部分包括在彼此邻近的所述多个沟槽之间的第一中间层图案。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，
所述中间层的彼此断开的所述部分进一步包括在彼此邻近的所述多个沟槽中的每一个中的第二中间层图案，且
所述第二中间层图案与彼此邻近的所述多个沟槽之间的所述第一中间层图案间隔开。
5.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
像素限定层，在所述显示区域中并限定暴露所述像素电极的开口；以及
间隔件，在所述显示区域中并在所述显示区域中从所述像素限定层突出；且
所述坝部分包括：
第一层，在所述非显示区域中并与所述像素限定层在同一层中，所述第一层与所述显示区域中的所述像素限定层断开；以及
第一辅助坝，在所述非显示区域中并与所述间隔件在同一层中，所述第一辅助坝与所述显示区域中的所述间隔件断开。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，在所述坝部分内，所述多个沟槽包括最靠近所述基板的底表面，所述第一层包括最远离所述基板的上表面，且所述底表面比所述上表面更靠近所述基板。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述坝部分进一步包括从所述第一辅助坝突出的第二辅助坝。
8.根据权利要求5所述的显示设备，其中，在所述坝部分内的所述第一辅助坝包括上沟槽。
9.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括触摸输入层，所述触摸输入层包括在所述显示区域中的绝缘层和感测电极，所述触摸输入层面对所述基板，所述封装层在所述触摸输入层与所述基板之间，
其中在所述显示区域中的所述绝缘层从所述显示区域延伸至所述非显示区域，且
在所述非显示区域中的所述绝缘层延伸至所述坝部分的所述多个沟槽中。
10.一种显示设备，包括：
基板，包括：开口区域、邻近所述开口区域并包括显示元件的显示区域、以及所述开口区域和所述显示区域之间的非显示区域；
坝部分，在所述非显示区域中并包括多个沟槽；
封装层，覆盖所述显示元件；以及
触摸输入层，包括在所述显示区域中的绝缘层和感测电极，所述触摸输入层面对所述基板，所述封装层在所述触摸输入层和所述基板之间，
其中：
在所述显示区域中的所述绝缘层从所述显示区域延伸至所述非显示区域，且
在所述非显示区域中的所述绝缘层延伸至所述坝部分的所述多个沟槽中。
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