CN111848624A - 一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、oled器件及其制备方法和应用 - Google Patents
一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、oled器件及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111848624A CN111848624A CN201910364194.6A CN201910364194A CN111848624A CN 111848624 A CN111848624 A CN 111848624A CN 201910364194 A CN201910364194 A CN 201910364194A CN 111848624 A CN111848624 A CN 111848624A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substituted
- compound
- unsubstituted
- group
- benzodiimidazole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 87
- 238000002347 injection Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000007924 injection Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 22
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 21
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- CRHWEIDCXNDTMO-UHFFFAOYSA-N ditert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)PC(C)(C)C CRHWEIDCXNDTMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical group [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 claims description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 12
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 7
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 13
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 20
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 10
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 10
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 10
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- -1 bis-pyrazole benzodiimidazole compound Chemical class 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 5
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 150000008282 halocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical class 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical class N* 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Chemical class 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical class C* 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 125000004209 (C1-C8) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 150000001361 allenes Chemical class 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KYPOHTVBFVELTG-UHFFFAOYSA-N but-2-enedinitrile Chemical group N#CC=CC#N KYPOHTVBFVELTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- MWPIIMNHWGOFBL-UHFFFAOYSA-N dichloromethane;toluene Chemical compound ClCCl.CC1=CC=CC=C1 MWPIIMNHWGOFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical compound CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
- C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
- C07D487/04—Ortho-condensed systems
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
Abstract
本发明提供了一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用，所述苯并二咪唑类的化合物具有如式I所示的结构；本发明提供的苯并二咪唑类的化合物，通过苯并二咪唑具有的母环结构，使得化合物具有良好的交叉超共轭特性，同时引入取代基团，赋予化合物分子较强的还原电位，具有较低的LUMO能级，一般在‑5.2eV～‑5.5eV之间，提升了化合物的稳定性，无需掺入其他物质，非常适用于作为有机电致发光器件的空穴注入材料，能够赋予材料良好的空穴注入性能，在半导体材料领域具有良好的应用前景，应用价值较高。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料领域，涉及一种苯并二咪唑类化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用。
背景技术
能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，以经典的有有机电致发光器件为例，其层叠结构包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，一般使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。
当然，将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求，一般而言，主体材料的HOMO能级需要与客体材料的LUMO能级接近，这样一来，HOMO能级的电子就能更跳跃至掺杂剂的LUMO能级，从而使的空穴传输层形成自由空穴，实现器件电导率的提升。同时，掺杂还可以使界面能带发生弯曲，空穴就能够以穿隧的方式注入。对于掺杂剂的选择，路易酸型金属络合物、卤素、轴烯以及醌类都是比较常见的，金属络合物以及卤素在器件加工时会存在不稳定等缺点。而轴烯类化合物在合成中步骤较多，成本较高。
CN105646500A公开了一种二咪唑并吡嗪衍生物及其应用，其结构如下所示：
其中Ar为芳香基团，R为氢、烷基或芳香基团，此化合物有较高的玻璃化转变温度及高载流子迁移率，可用于OLED器件的电子传输层，所应用的器件能明显的降低驱动电压，提高电流效率。此化合物并不适用于空穴注入材料。
CN105693726A公开了一种吡啶基侨联双吡唑苯并二咪唑化合物及其合成方法，其结构如下所示：
取代基R为甲基，取代基R'为氢或甲基。此化合物具有苯并二咪唑的母环结构，但是此发明中该化合物主要的用途是用于合成高效的双金属催化剂，并没有公开具有苯并二咪唑母环结构的化合物可以提升空穴注入材料的还原电位的效果。
CN104362261A公开了一种基于磷光发光主题材料的有机电致发光器件，其结构如下：
其中R1、R2、R3和R4分别独立地选自氢、C1-C8的烷基；L选自苯基、被C1-C4烷基取代的苯基、萘基、被C1-C4烷基取代的萘基、联苯基、被C1-C4烷基取代的联苯基；Ar选自被C1-C4烷基取代或未取代的下列芳基：Ar1-Ar10中任意一个为其余的为氢，其中A选自O、S。由此结构可以看出，其是苯并咪唑的结构，并且结构复杂，空穴注入性能较差。
目前，现有的空穴注入材料通常会掺杂其他物质，并且在加工中存在不稳定问题，成本较高，不利于实际生产和应用。如何开发一种能够在加工时具有良好的空穴注入性能对于其应用具有重要意义。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用，以解决现有的材料存在掺杂其他物质使得成本较高、LUMO能级较高造成的空穴注入能力较差的问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种苯并二咪唑类的化合物，所述苯并二咪唑类的化合物具有如式I所示的结构：
其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6不同时为氢原子。
本发明提供的苯并二咪唑类的化合物，通过苯并二咪唑具有的母环结构，使得化合物具有良好的交叉超共轭特性，同时引入取代基团，赋予化合物分子较强的还原电位，具有较低的LUMO能级，一般在-5.2eV～-5.5eV之间，提升了化合物的稳定性，无需掺入其他物质，非常适用于作为有机电致发光器件的空穴注入材料，能够赋予材料良好的空穴注入性能。
本发明所述烷基可以是直链烷基或支链烷基，可以是带有手性的烷基也可以是无手性的烷基，更具体地可以是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正庚基、十八烷基、二十烷基等等，一般优选为无手性的烷基。
本发明所述烯基可以是乙烯基、丙烯基、1,3-丁二烯基等，取代的烯基可以是氰基乙烯基、二氰基乙烯基等等。炔基可以是乙炔、丙炔等等。
本发明所述烷氧基可以是直链的烷氧基或支链的烷氧基，例如可以是甲氧基、乙氧基、异丙氧基等等。
本发明所述芳基可以是苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基等等；杂芳基可以是吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基等等；芳氧基可以是苯氧基、萘氧基等等。
本发明所述取代指的是可以以任意取代基将烷基、芳基等基团取代，其中取代基可以是卤素原子、氰基、炔基、芳基、杂芳基、芳氧基、卤代烃基、烯基或氰基取代的烯基、磺酸基、氨基等等；较为优选的是氰基、卤代烃基、卤素原子或氰基取代的烯基；其中卤代烃基可以是三氟甲基等等基团。
优选地，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地选自卤素原子、氰基、取代的烷基、取代的烯基、取代的芳基、取代的烷氧基、取代的杂芳基或取代的芳氧基中的任意一种。
优选地，所述卤素原子为氟原子。
优选地，所述取代的取代基为氟原子、氰基或三氟甲基中的任意一种。
本发明中，苯并咪唑环上的取代基主要会影响化合物的空穴注入效果。式I中，R1～R6的位置可以全部取代、部分取代或者无取代，取代时可以均匀取代也可以无规则的取代，取代基的选择可以相同也可以不同。
取代基优选强吸电子基团，例如氰基、二氰基乙烯、氟基、三氟甲基等等基团，由于这些基团的强吸电性，能够赋予分子较强的还原电位，进一步提升空穴注入效果，从而辅助空穴传输层高效地进行空穴注入。
取代基如果是烷基等不具有强吸电性的基团，会使得化合物制备成的材料LUMO能级升高，影响材料的空穴注入性能。此外，取代基一般不选择较为活泼的基团。例如，当芴环上的取代基为氯原子时，由于其性质活泼，容易产生自由基，这样最终会影响到器件的性能。
在本发明中，咪唑环上的氮原子和碳原子的取代也是有差异的，一般来说，在氮原子上进行取代相比于碳原子上的取代的效果稍好，空穴注入性更好。而且，由于碳原子上进行取代时，取代反应较难进行，不适合工业化生产，因此优选在咪唑环上的氮原子进行取代。
在本发明中，苯并二咪唑类的化合物的取代基的特定选择，不仅可以赋予分子较强的还原电位，氧化性较强，提升空穴注入效果，还可以提升分子的稳定性。
优选地，所述苯并二咪唑类的化合物包括
中的任意一种。
优选地，所述苯并二咪唑类的化合物为
中的任意一种。
第二方面，本发明提供了一种如第一方面所述的苯并二咪唑类的化合物的制备方法，所述制备方法包括：化合物a与取代试剂在钯催化剂和强碱存在下反应得到具有式I所示的结构的苯并二咪唑类的化合物；
其中化合物a的结构为
取代试剂为卤素单质或R-X，R选自氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种，R1、R4独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种，X为Br、Cl或I中的任意一种。
本发明所述取代试剂指的是能够与苯并二咪唑的咪唑环上氢原子发生反应的试剂。
在本发明中，式I所示化合物中咪唑环上如果均为氢原子时，化合物可直接由市面购买得到。对于式I所示化合物中咪唑环上的取代，可通过控制取代试剂的摩尔用量和取代试剂的活性(如溴化物或者氯化物中Br与Cl的活性差异)，实现选择性的取代，达到部分取代或者全部取代的目的。
优选地，所述钯催化剂为三(二亚苄基丙酮)二钯。
优选地，所述强碱包括叔丁醇钠、叔丁醇钾或碳酸铯中的任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述反应在二叔丁基膦存在下进行。
在本发明中，本领域技术人员可根据反应的实际情况选择二叔丁基膦的用量。
优选地，所述化合物a、取代试剂、钯催化剂和强碱的摩尔比为1：(1.2～4)：(0.01～0.1)：(2～8)，例如可以是1:1.2:0.01:2、1:2:0.03:5、1:3:0.05:6或1:4:0.1:8等等。
优选地，所述反应的溶剂为甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷中的任意一种或至少两种的组合；优选为甲苯。
优选地，所述反应的温度为40～120℃，例如可以是40℃、45℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃或120℃等。
优选地，所述反应的时间为10～60h，例如可以是10h、20h、30h、40h、50h或60h等。
第三方面，本发明提供了一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括如第一方面所述的苯并二咪唑类的化合物。
本发明提供的空穴注入材料，是苯并二咪唑类的化合物与其他空穴传输材料混合制备成的空穴注入材料。
第四方面，本发明提供了一种OLED器件，所述OLED器件的空穴注入层包括如第三方面所述的空穴注入材料。
第五方面，本发明提供了一种如第一方面所述的苯并二咪唑类的化合物、第三方面所述的空穴注入材料、第四方面所述的OLED器件在制备半导体器件中的应用。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的苯并二咪唑类的化合物，通过苯并二咪唑具有的母环结构，使得化合物具有良好的交叉超共轭特性，同时引入取代基团，赋予化合物分子较强的还原电位，具有较低的LUMO能级，一般在-5.2eV～-5.5eV之间，提升了化合物的稳定性，无需掺入其他物质，非常适用于作为有机电致发光器件的空穴注入材料，能够赋予材料良好的空穴注入性能，在半导体材料领域具有良好的应用前景。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明以下实施例中所用的原料、试剂等均可直接从市场购买得到或者按照已知方法合成得到。
实施例1
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物a-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(200mL)溶解后，加取代试剂(7.24g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钠(5.77g、60mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物a-2。
MS：360.11；
13C-NMR：(2C,112.0),(2C,115.4),(2C,116.5),(4C,121.7),(4C,130.4),(4C,132.9),(2C,141.0),(2C,141.5)。
实施例2
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物b-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(200mL)溶解后，加取代试剂(8.96g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钠(5.77g、60mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物b-2。
MS：446.10；
13C-NMR：(2C,115.4),(2C,119.3),(4C,121.3),(4C,126.2),(4C,130.4),(2C,130.5),(2C,140.0),(2C,141.5)。
实施例3
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物c-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(200mL)溶解后，加取代试剂(11.76g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钠(5.77g、60mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物c-2。
MS：586.17；
13C-NMR：(2C,58.2),(4C,110.5),(2C,115.4),(4C,116.5),(4C,129.6),(4C,130.4),(8C,131.4),(4C,137.2),(2C,141.5),(4C,146.2)。
实施例4
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物d-1(3.88g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(250mL)溶解后，加取代试剂(7.24g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.92g、1mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钠(6.73g、70mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物d-2。
MS：396.09；
13C-NMR：(2C,112.0),(2C,116.5),(4C,119.0),(4C,121.7),(4C,132.9),(2C,141.0),(2C,141.5),(2C,144.6)。
实施例5
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物e-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(200mL)溶解后，加取代试剂(6.28g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钾(6.73g、70mmo1)在110℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物e-2。
MS：310.07；
13C-NMR：(2C,66.8),(2C,115.4),(4C,117.2),(4C,130.4),(2C,141.5),(2C,158.0)。
实施例6
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物g-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(150mL)溶解后，加取代试剂(4.20g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钠(5.77g、60mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物g-2。
MS：208.05；
13C-NMR：(2C,115.4),(2C,118.0),(4C,130.4),(2C,141.5)。
实施例7
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物h-1(4.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(150mL)溶解后，加取代试剂(4.20g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.20g、1mmo1)、叔丁醇钠(5.77g、60mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物h-2。
MS：258.04；
13C-NMR：(2C,103.7),(2C,116.5),(2C,118.0),(4C,134.6),(2C,141.5)。
实施例8
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物k-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(250mL)溶解后，加取代试剂(7.84g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.16g、0.8mmo1)、碳酸铯(26.07g、80mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物k-2。
MS：294.03；
13C-NMR：(2C,115.4),(4C,130.4),(2C,141.5),(2C,146.3)。
实施例9
本实施例提供了苯并二咪唑类的化合物，具体反应式如下：
将化合物l-1(3.16g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(250mL)溶解后，加取代试剂(6.32g、40mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.55g、0.60mmo1)、二叔丁基膦(0.2g、1mmo1)、叔丁醇钠(5.77g、60mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物l-2。
MS：312.11；
13C-NMR：(2C,115.4),(4C,116.1),(4C,130.4),(2C,141.5),(2C,143.9),(4C,150.7)。
对比例1
本对比例的结构为化合物a-1。
对比例2
本对比例提供了一种苯并咪唑结构的化合物，具体反应式如下：
将化合物m-1(2.37g、20mmo1)放入圆底烧瓶内，用甲苯(150mL)溶解后，加取代试剂(4.00g、22mmo1)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.37g、0.40mmo1)、二叔丁基膦(0.12g、0.6mmo1)、叔丁醇钠(2.89g、30mmo1)在100℃下搅拌。等反应结束后，用二氯甲烷和水提取，并用硫酸镁干燥浓缩有机物层，再对粗产品进行硅胶柱层析及再结晶，得到产物m-2。
MS：219.08；
13C-NMR：(1C,112.0),(2C,115.4),(1C,116.5),(2C,121.7),(2C,122.9),(2C,132.9),(2C,137.9),(1C,141.0),(1C,141.5)。
本发明提供的OLED器件按以下方法制备：
将透明阳极电极ITO基板在异丙醇中超声清洗10min，并暴露在紫外光下30min，再用等离子体处理10min。随后将处理后的ITO基板放入蒸镀设备。首先混合蒸镀一层50nm的NPB以及化合物(实施例1～9提供的化合物，化合物和NPB的摩尔比为1:33.3)，作为空穴注入层，接着在该混合膜层上蒸镀膜厚为30nm的NPB
作为空穴传输层，然后混合蒸镀CBP
以及5％的Ir(ppy)3 
膜厚为30nm，作为绿色发光层，随后蒸镀30nm的Alq3(8-羟基喹啉铝
)作为电子传输层，然后再蒸镀2nm LiF，作为电子注入层，最后蒸镀150nm的金属Al，形成金属阴极，制作有机发光元件。
将上述实施例1-9和对比例1-2提供的苯并咪唑类的化合物进行空穴注入性能测试(LUMO能级测试步骤：通过UV可见光测试仪获得材料的能隙Eg(Eg＝1240/带边吸收)；通过紫外光电子谱(UPS)获得材料的HOMO能级；根据HOMO、LUMO以及Eg之间的关系计算出LUMO值，具体为：LUMO＝HOMO+Eg)和热稳定性测试(TGA测试步骤：样品质量2-5mg，测试温度范围50-600℃，升温速度：10℃/min，取0.5％的重量损失代表材料的热稳定性)。
得到的具体结果如表1所示。
表1
| 样品 | LUMO能级(eV) | 热稳定性(℃) |
| 实施例1 | -5.3 | 446 |
| 实施例2 | -5.2 | 472 |
| 实施例3 | -5.4 | 493 |
| 实施例4 | -5.4 | 452 |
| 实施例5 | -5.4 | 429 |
| 实施例6 | -5.2 | 379 |
| 实施例7 | -5.3 | 386 |
| 实施例8 | -5.1 | 399 |
| 实施例9 | -5.2 | 406 |
| 对比例1 | -4.9 | 356 |
| 对比例2 | -5.1 | 394 |
通过表1中的数据分析可得到的结论是：
由实施例1-5与实施例6-8的对比可知，增加化合物分子的共轭程度并提升分子量，分子的空穴注入性能及热稳定性提高。
由实施例1-5与对比例1、对比例2的对比可知，如果化合物的结构是未进行取代的苯并二咪唑结构或者苯并咪唑的结构，其空穴注入性能和热稳定性较差。
由实施例6与实施例7的对比可知，适当增加分子中强吸电子基团的数量，化合物分子会具有较强的还原电位，较低的LUMO能级。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (10)
1.一种苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述苯并二咪唑类的化合物具有如式I所示的结构：
其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6不同时为氢原子。
2.根据权利要求1所述的苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地选自卤素原子、氰基、取代的烷基、取代的烯基、取代的芳基、取代的烷氧基、取代的杂芳基或取代的芳氧基中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述卤素原子为氟原子；
优选地，所述取代的取代基为氟原子、氰基或三氟甲基中的任意一种。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述苯并二咪唑类的化合物包括
中的任意一种；
优选地，所述苯并二咪唑类的化合物为
中的任意一种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的苯并二咪唑类的化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：化合物a与取代试剂在钯催化剂和强碱存在下反应得到具有式I所示的结构的苯并二咪唑类的化合物；
其中化合物a的结构为
取代试剂为卤素单质或R-X，R选自氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种，R1、R4与权利要求1限定的范围相同，X为Br、Cl或I中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钯催化剂为三(二亚苄基丙酮)二钯；
优选地，所述强碱包括叔丁醇钠、叔丁醇钾或碳酸铯中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述反应在二叔丁基膦存在下进行；
优选地，所述化合物a、取代试剂、钯催化剂和强碱的摩尔比为1：(1.2～4)：(0.01～0.1)：(2～8)。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述反应的溶剂为甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷中的任意一种或至少两种的组合；优选为甲苯；
优选地，所述反应的温度为40～120℃；
优选地，所述反应的时间为10～60h。
8.一种空穴注入材料，其特征在于，所述空穴注入材料包括如权利要求1-4中任一项所述的苯并二咪唑类的化合物。
9.一种OLED器件，其特征在于，所述OLED器件的空穴注入层包括如权利要求8所述的空穴注入材料。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的苯并二咪唑类的化合物、权利要求8所述的空穴注入材料、权利要求9所述的OLED器件在制备半导体器件中的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910364194.6A CN111848624A (zh) | 2019-04-30 | 2019-04-30 | 一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、oled器件及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910364194.6A CN111848624A (zh) | 2019-04-30 | 2019-04-30 | 一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、oled器件及其制备方法和应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111848624A true CN111848624A (zh) | 2020-10-30 |
Family
ID=72966629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910364194.6A Pending CN111848624A (zh) | 2019-04-30 | 2019-04-30 | 一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、oled器件及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111848624A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113461693A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机化合物、空穴注入材料及其应用 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0355927A2 (en) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A precursor of a low thermal stress polyimide and a photopolymerizable composition containing a polyimide precursor |
| JPH10340786A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008063286A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Kitasato Gakuen | 有機発光性化合物及びその化合物を含有する発光層 |
| CN101208405A (zh) * | 2005-06-23 | 2008-06-25 | 葛来西雅帝史派有限公司 | 电致发光材料用有机金属化合物的前体 |
| US20080300380A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-12-04 | National Sun Yat-Sen University | Solid polymer electrolyte, method for manufacturing the same and use thereof |
| CN102532546A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-07-04 | 浙江工业大学 | 一类羟基改性聚对亚苯基苯并二咪唑树脂的制备与应用 |
| JP2012188551A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toyobo Co Ltd | 発光性化合物 |
| CN103508965A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-15 | 天津大学 | 一种二苯西平类衍生物的合成方法 |
| CN104673160A (zh) * | 2014-06-30 | 2015-06-03 | 广东丹邦科技有限公司 | 填充表面改性碳化硅各向同性导热胶黏剂及制备方法 |
| CN108148062A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-12 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种2-(溴代吡啶基)苯并双咪唑化合物的制备方法及其应用 |
-
2019
- 2019-04-30 CN CN201910364194.6A patent/CN111848624A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0355927A2 (en) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A precursor of a low thermal stress polyimide and a photopolymerizable composition containing a polyimide precursor |
| JPH10340786A (ja) * | 1997-06-09 | 1998-12-22 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN101208405A (zh) * | 2005-06-23 | 2008-06-25 | 葛来西雅帝史派有限公司 | 电致发光材料用有机金属化合物的前体 |
| JP2008063286A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Kitasato Gakuen | 有機発光性化合物及びその化合物を含有する発光層 |
| US20080300380A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-12-04 | National Sun Yat-Sen University | Solid polymer electrolyte, method for manufacturing the same and use thereof |
| JP2012188551A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toyobo Co Ltd | 発光性化合物 |
| CN102532546A (zh) * | 2011-11-11 | 2012-07-04 | 浙江工业大学 | 一类羟基改性聚对亚苯基苯并二咪唑树脂的制备与应用 |
| CN103508965A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-15 | 天津大学 | 一种二苯西平类衍生物的合成方法 |
| CN104673160A (zh) * | 2014-06-30 | 2015-06-03 | 广东丹邦科技有限公司 | 填充表面改性碳化硅各向同性导热胶黏剂及制备方法 |
| CN108148062A (zh) * | 2016-12-09 | 2018-06-12 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种2-(溴代吡啶基)苯并双咪唑化合物的制备方法及其应用 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ANDREW J. BOYDSTON等，: ""Modular Fluorescent Benzobis(imidazolium) Salts:Syntheses, Photophysical Analyses, and Applications"", 《J. AM. CHEM. SOC.》 * |
| 周春隆，穆振义编著, 华南理工大学出版社 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113461693A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-01 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机化合物、空穴注入材料及其应用 |
| CN113461693B (zh) * | 2021-06-30 | 2023-03-24 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机化合物、空穴注入材料及其应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109804009B (zh) | 有机发光二极管 | |
| EP3431467B1 (en) | Carbazole derivative and organic light emitting element using same | |
| EP2952511A1 (en) | Organic compound, organic optoelectronic device and display device | |
| CN110156612B (zh) | 一种具有高迁移率的有机化合物及其应用 | |
| CN111556866B (zh) | 多环化合物及包含其的有机电子元件 | |
| CN107954884B (zh) | 高玻璃化转变温度空穴注入材料及其制备与应用 | |
| CN114773286B (zh) | 一种含氮杂环有机化合物及其有机发光器件 | |
| CN111662258A (zh) | 一种含芘的有机化合物及其在oled上的应用 | |
| CN111943941B (zh) | 一种以杂蒽酮为核心的化合物及其应用 | |
| CN111362813A (zh) | 一种以三芳胺为核心的化合物及其应用 | |
| CN112409314A (zh) | 一种有机电致发光化合物及其制备方法和应用 | |
| CN111848619A (zh) | 一种有机光电材料及其制备方法和应用 | |
| CN113372289A (zh) | 一种含有菲并唑类化合物的有机电子材料及其制备方法和应用 | |
| CN111848624A (zh) | 一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、oled器件及其制备方法和应用 | |
| CN114920656B (zh) | 一种有机电致发光化合物及其应用 | |
| CN113801117B (zh) | 一种有机化合物及其电致发光的应用 | |
| CN113429397B (zh) | 化合物、显示面板及显示装置 | |
| CN111662306B (zh) | 一种oled有机电致发光化合物及发光层的主体材料 | |
| CN112479905B (zh) | 一种含苯并蒽芴和二芳胺的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用 | |
| CN112661771A (zh) | 一种基于咔唑不对称稠环的星型荧光材料及其制备方法与应用 | |
| CN111825600A (zh) | 一种含有c60稠环的有机光电材料及其制备方法和应用 | |
| CN114315816B (zh) | 一种有机电致发光的化合物及其应用 | |
| CN112661701B (zh) | 蝶烯类电子传输材料及其制备方法和有机电致发光器件 | |
| CN112358476B (zh) | 一种用于有机发光的化合物及其应用 | |
| KR102561761B1 (ko) | 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20201030 |