CN111758148B - 处理液及处理方法 - Google Patents

处理液及处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111758148B
CN111758148B CN201880090250.5A CN201880090250A CN111758148B CN 111758148 B CN111758148 B CN 111758148B CN 201880090250 A CN201880090250 A CN 201880090250A CN 111758148 B CN111758148 B CN 111758148B
Authority
CN
China
Prior art keywords
treatment
cyclic structure
treatment liquid
halosilanes
product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880090250.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111758148A (zh
Inventor
内田健哉
福井博之
植松育生
岩本武明
权垠相
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tohoku University NUC
Toshiba Corp
Original Assignee
Tohoku University NUC
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tohoku University NUC, Toshiba Corp filed Critical Tohoku University NUC
Publication of CN111758148A publication Critical patent/CN111758148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111758148B publication Critical patent/CN111758148B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
    • A62D3/00—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances
    • A62D3/10—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by subjecting to electric or wave energy or particle or ionizing radiation
    • A62D3/13—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by subjecting to electric or wave energy or particle or ionizing radiation to sonic energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
    • A62D3/00—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances
    • A62D3/30—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by reacting with chemical agents
    • A62D3/36—Detoxification by using acid or alkaline reagents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/10—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
    • A62D2101/00—Harmful chemical substances made harmless, or less harmful, by effecting chemical change
    • A62D2101/08—Toxic combustion residues, e.g. toxic substances contained in fly ash from waste incineration
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
    • A62D2101/00—Harmful chemical substances made harmless, or less harmful, by effecting chemical change
    • A62D2101/20—Organic substances
    • A62D2101/22—Organic substances containing halogen
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
    • A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
    • A62D2101/00—Harmful chemical substances made harmless, or less harmful, by effecting chemical change
    • A62D2101/40—Inorganic substances

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Emergency Management (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Business, Economics & Management (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)

Abstract

根据一实施方式，提供一种处理液。处理液是用于对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的处理液。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。

Description

处理液及处理方法
技术领域
本发明的实施方式涉及处理液及处理方法。
背景技术
半导体硅基板作为用于形成各种电子电路的材料被广泛使用。在该半导体硅基板上，有时为了容易制作电子电路而形成含有含硅物的膜。作为用于形成这样的膜的装置，使用了外延生长装置。
外延生长装置具备反应室、与反应室连接且供给原料气体的供给管和与反应室连接且排出排气的排出管。外延生长装置通过于在不活泼气氛下被减压的反应室内设置基板，使导入至反应室内的原料气体与加热后的基板反应，从而在基板上形成含有含硅物的膜。作为原料气体，例如使用含有包含硅及氯的化合物的氢气。导入至反应室内的原料气体作为排气经由排出管向装置的外部排出。排气可能含有包含硅及氯的化合物。
其中，反应室内的温度与排出管相比为非常高温。因此，排出至排出管内的排气中所含的包含硅及氯的化合物有时在排出管内被冷却，作为副产物而析出。副产物也被称为油性硅烷，可能为粘性高的液状物质。要求通过安全性高的方法将这样的副产物无害化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-49342号公报
专利文献2：日本特开2017-54862号公报
专利文献3：日本特开2013-197474号公报
非专利文献
非专利文献1：Frank Meyer-Wegner,Andor Nadj,Michael Bolte,NorbertAuner,Matthias Wagner,Max C.Holthausen,and Hans-Wolfram W.Lerner,“ThePerchlorinated Silanes Si2Cl6 and Si3Cl8 as Sources of SiCl2”Chemistry AEuropean Journal,April 18,2011,Volume 17,Issue 17,p.4715-4719.
非专利文献2：K.V.C.Vollhardt、N.E.Schore著、古贺宪司·野依良治·村桥俊一等监译、大嶌幸一郎·小田嶋和徳·小松满男·戸部义人等译、“ボルハルト·ショアー現代有機化学第三版”、1996年4月1日、p.223-296
发明内容
发明所要解决的课题
实施方式的目的在于提供能够将通过使用包含硅及卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物用安全性高的方法来处理的处理液及处理方法。
用于解决课题的手段
根据第1实施方式，提供一种处理液，其用于对具有环状结构的卤硅烷类进行处理。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者。处理液为碱性。
根据第2实施方式，提供对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的方法。处理方法包括使具有环状结构的卤硅烷类与第1实施方式所涉及的处理液接触。
根据第3实施方式，提供对通过使用包含硅及卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物进行处理的方法。处理方法包括在不活泼气氛下使碱性的处理液与副产物接触。
根据第4实施方式，提供一种处理液，其用于对包含具有硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者的化合物的物质进行处理。处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。
附图说明
图1是概略地表示外延生长装置的一个例子的立体图。
图2是表示副产物所涉及的29Si NMR光谱的一个例子的谱图。
图3是表示副产物所涉及的质谱的一个例子的谱图。
图4是表示副产物所涉及的红外分光光谱的一个例子的谱图。
图5是表示副产物的水解产物所涉及的29Si NMR光谱的一个例子的谱图。
具体实施方式
以往，如专利文献1中记载的那样，推定上述的副产物的主要成分为氯化硅烷聚合物即氯硅烷聚合物。然而，由于副产物相对于水或氧具有高的反应性，因此未确立对副产物本身直接进行分析的方法。本发明人等进行了深入研究，结果确立了对副产物本身直接进行分析的方法，其结果发现：副产物的主要成分为具有环状结构的氯硅烷类。本发明基于该认识。
实施方式所涉及的处理液用于对具有环状结构的氯硅烷类进行处理。该处理液包含无机碱或有机碱中的至少一者。实施方式所涉及的处理液为碱性。
具有环状结构的氯硅烷类具有在热力学上稳定的结构。因此，具有环状结构的氯硅烷类在不活泼气体气氛下不会改性。然而，具有环状结构的氯硅烷类可与水或氧迅速反应而改性为爆炸性更高的物质。本发明人等发现：若将在不活泼气氛下采集的具有环状结构的氯硅烷类用碱性的处理液进行处理，则能够非常安全地无害化。
即，实施方式所涉及的处理液也可以另称为用于对通过使用包含硅及氯作为元素的气体而使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物进行处理的处理液。
若使用实施方式所涉及的处理液，则可以通过安全性高的方法将副产物无害化。
以下，对该处理液及处理方法进行详细说明。其中，作为生成副产物的装置，列举出外延生长装置为例而进行说明。
图1是概略地表示外延生长装置的一个例子的立体图。图1中所示的外延生长装置1具备装置主体10、除害装置20和连接部30。
装置主体10具备框体11、反应室12、排出管13和供给管(未图示)。反应室12、排出管13和供给管被容纳于框体11内。供给管的一端与反应室12连接。供给管的另一端与原料气体的供给装置(未图示)连接。
排出管13的一端与反应室12连接。排出管13的另一端与连接部30连接。排出管13包含配管131至135。配管131的一端与反应室12连接。配管131的另一端与配管132的一端连接。配管132包含反应室独立阀(Chamber Isolation Valve：CIV)。配管132的另一端与配管133的一端连接。配管133包含压力调整阀(Pressure Control Valve：PCV)。配管133的另一端与配管134的一端连接。配管134的另一端与配管135的一端连接。配管135的另一端与连接部30的一端连接。
连接部30包含配管31和配管32。配管31的一端与配管135的另一端连接。配管31的另一端与配管32的一端连接。配管32的另一端与除害装置20连接。
在外延生长装置1中，原料气体从原料气体的供给装置被排出，介由供给管被导入至反应室12中。原料气体为包含硅及氯的气体。包含硅及氯的气体例如为氢气与包含硅及氯的化合物的混合气体。该混合气体中的氢的浓度例如为95体积％以上。包含硅及氯的化合物例如为二氯硅烷(SiH2Cl2)、三氯硅烷(SiHCl3)、四氯硅烷(SiCl4)或它们的混合物。需要说明的是，该混合气体也可以包含单硅烷(SiH4)及氯化氢(HCl)中的至少一者。
在反应室12中，在减压下设置基板，基板被加热至与原料气体的反应温度以上。反应温度的一个例子为600℃以上，作为其他例子，为1000℃以上。若基板与原料气体发生反应，则在基板上通过热化学反应而形成单晶或多晶的含硅膜。基板例如为单晶硅基板。
从反应室12排出的排出气体经由包含排出管13及连接部30的排出经路被导入至除害装置20中。在排出气体中，可包含原料气体中所含的包含硅及氯的化合物中的未沉积于基板上的化合物、或单硅烷、氯化氢等。排出气体在除害装置20中被燃烧而无害化。
副产物可在排出管13及连接部30的一部分中析出。认为副产物是上述的排出气体中所含的成分聚合而变成固态物或液状的物质。副产物容易在排出管13中的配管134附近析出。认为在位于反应室12的附近的配管131至133中，由于排出气体的温度充分高，因此聚合物难以析出。另外，认为在位于反应室12的远处的连接部中，由于排出气体中的成为副产物的原料的成分的量少，因此难以生成副产物。
认为副产物包含环状的氯硅烷类。副产物包含环状的氯硅烷类可以通过以下的方法来推定。
首先，将外延生长装置1的排出管13解体，取出附着有副产物的配管。例如将如图1中所示的配管134那样沿着排出气体的流动方向位于压力调整阀PCV的下游并弯曲的配管取出。接着，将所取出的配管的两端闭塞。需要说明的是，该作业在氮(N2)气等不活泼气氛下进行。
接着，使所取出的配管移动至用氮气等不活泼气体吹扫后的手套箱内。接着，从配管采集副产物，分别准备用于核磁共振(NMR)光谱分析及质量(MS)分析中使用的分析试样。作为手套箱内的气氛，优选在氩气氛下、将水分浓度设定为1ppm以下、将氧浓度设定为10ppm以下。作为手套箱，例如使用VAC公司制VAC101965OMNI-LAB STCH-A。将各分析试样搬运至各个分析装置时，放入树脂制容器等中之后，将该树脂制容器以放入密闭容器的状态从手套箱内移动至各分析装置。以下，在各分析试样的准备时，注意不要使分析试样与氧及水接触。在分析装置中设置分析试样时等不得已将各分析试样暴露于空气中时，迅速地进行。
接着，对副产物利用核磁共振(NMR)法进行分析。作为分析试样，例如使用将0.2g的副产物与2mL的脱水氘代甲苯(关东化学制：制品编号21744-1A)混合并将该混合物静置4小时后的物质。接着，将该混合物分取至株式会社HARUNA制的带J.YOUNG阀的试样管(S-5-600-JY-8)中。接着，将该NMR试样管放置于NMR光谱分析装置内，测定29Si NMR光谱。作为NMR光谱分析装置，例如可以使用日本电子株式会社制JNM-ECA800。在29Si NMR光谱的测定时，例如将累积次数设定为3500次，将测定范围设定为-500ppm以上且500ppm以下。
接着，对副产物利用质量(MS)分析进行分析，得到质谱。作为分析试样，例如使用将副产物溶解于实施了脱气及脱水处理的甲苯中而得到的物质。该溶解液中的副产物的浓度设定为5质量％，水分设定为0.6ppm以下。在甲苯的脱气及脱水处理时，例如使用VAC公司制的精制装置VAC SOLVENT PURIFIER 103991。作为质量分析装置，例如使用BrukerDaltonics公司制solariX 9.4T。作为离子化法，使用APCI(Atmospheric PressureChemical Ionization)法。在质谱的测定时，例如将累积次数设定为300次，将测定范围设定为100m/z以上且2000m/z以下。
由这些分析结果可以推定：在同时达成以下的必要条件(1)及(2)时，副产物包含具有环状结构的氯硅烷类。
必要条件(1)：在29Si NMR光谱中，相对强度最大的信号出现在-0.4ppm的位置。
对于满足必要条件(1)的29Si NMR光谱，参照图2进行说明。图2是表示副产物所涉及的29Si NMR光谱的一个例子的谱图。在图2中，横轴表示化学位移(ppm)，纵轴表示相对强度。在图2中所示的29Si NMR光谱中，在-0.4ppm的位置检测到相对强度最大的信号。另外，在-80ppm以上且-40ppm以下的范围内未检测到信号。由非专利文献1中记载的数据推定：出现在-0.4ppm的位置的信号归属于SiCl3单元或SiCl2单元。
必要条件(2)：在质谱中，归属于(SiCl2)n的信号在质荷比为0m/z～1500m/z左右的范围被检测到。
对于满足必要条件(2)的质谱，参照图3进行说明。图3是表示副产物所涉及的质谱的一个例子的谱图。图3中，横轴表示质荷比(m/z)，纵轴表示相对强度(％)。图3中，右上所示的部分是将质谱的高质荷比的部分沿纵轴方向放大而表示的放大图。在图3中所示的质谱中，归属于(SiCl2)n的信号在391m/z以上且1545m/z以下的范围内被检测到。
即，由(1)的必要条件认为：副产物包含分子骨架由SiCl2单元及SiCl3单元构成的物质作为主要成分。另外，由(2)的必要条件认为：副产物包含硅与氯的质量比为1：2的物质。这样的物质的组成式被认为是(SiCl2)n，认为n为3以上且15以下。(SiCl2)n例如以Si6Cl12、Si14Cl28及Si15Cl30表示。作为具有这样的质量比的化合物，考虑具有Si＝Si键的化合物和具有环状结构的化合物。然而，由于Si＝Si键为非常不稳定的键，在室温下立即分解，因此认为具有该质量比的物质不是具有Si＝Si键的物质。因此，认为具有该质量比的物质具有环状结构。
认为环状结构的氯硅烷类以以下所示的结构式(a)至(d)中的任一者表示。
[化学式1]
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
认为副产物为上述结构式(a)至(d)所表示的具有环状结构的氯硅烷类的混合物。上述结构式中所示的环状结构的氯硅烷类在热力学上稳定。然而，上述具有环状结构的氯硅烷类具有Si-Si键及Si-Cl键。这些键相对于水及氧显示出高反应性。因此，认为具有环状结构的氯硅烷类在大气气氛下迅速与水或氧发生反应。认为这样的氯硅烷类与水及氧进一步反应而产生具有爆炸性的物质。
认为不具有环状结构的氯硅烷类例如为链状的氯硅烷类。
认为具有爆炸性的物质例如为甲硅烷基醚类、硅氧烷类、硅烷醇类或它们的混合物。
副产物除了包含具有环状结构的氯硅烷类以外，还可包含硅氧烷类、链状的氯硅烷类及二氧化硅等。硅氧烷类包含Si-O键或Si-O-Si键。
副产物包含硅氧烷类可以通过傅里叶变换红外(FT-IR)光谱分析来确认。即，在副产物的红外分光光谱中，在检测到归属于Si-O-Si的峰的情况下，可以推定副产物包含硅氧烷类。在红外分光光谱中，归属于Si-O-Si的峰例如在900cm-1以上且1700cm-1以下的范围内被检测到，作为其他例子，在900cm-1以上且1300cm-1以下的范围内被检测到。
具体而言，首先，通过与上述同样的方法采集副产物。接着，对于该副产物，通过1次反射型ATR(Attenuated Total Reflection)法得到红外分光光谱。在红外光谱分析时，在经氮置换的手套箱内设置红外光谱分析装置而进行。作为红外光谱分析装置，例如使用Bruker Optics公司制的ALPHA。作为ATR晶体，使用锗(Ge)。作为分析条件，例如入射角设定为45°，累积次数设定为512次，测定范围设定为500cm-1以上且4000cm-1以下，分辨率设定为4cm-1。
图4是表示副产物所涉及的红外分光光谱的一个例子的谱图。图4中，横轴表示波数(cm-1)，纵轴表示吸光度。在图4中所示的红外分光光谱中，归属于Si-O-Si伸缩的峰在900cm-1以上且1700cm-1以下的范围内被检测到。
若使具有环状结构的氯硅烷类与碱性的处理液接触，则能够不产生具有爆炸性的物质地将具有环状结构的氯硅烷类分解。这是由于，通过使具有环状结构的氯硅烷类与碱性的处理液反应，具有环状结构的氯硅烷类中的Si-Si键及Si-Cl键被切断。因此，在该反应后的处理液中，基本不含具有爆炸性或燃烧性的物质。另外，在该反应处理时，可能产生氯化氢(HCl)。因此，在该反应处理时，处理液的pH容易变低。通过使用碱性的处理液，由于可以将该氯化氢中和，因此能够抑制处理液的pH降低。因此，若使用碱性的处理液，则能够将反应后的处理液安全地处置。
与此相对，在使包含具有环状结构的氯硅烷类的副产物与中性的水溶液反应的情况下，可能产生具有爆炸性或燃烧性的物质。认为这是由于，在使副产物与中性的水溶液反应的情况下，仅副产物的表面被水解，存在于其内部的氯硅烷类没有被分解。或者认为是由于，若使副产物与水反应，则通过水解而副产物中的Si-Cl键可被切断，但生成具有Si-Si键、Si-O-Si键及Si-OH键中的至少一者的产物。另外，在使用中性或酸性的水溶液的情况下，由于无法将氯化氢中和，因此反应处理后的处理液的pH变得非常低，可能具有腐蚀性。由于以上的情况，若使用中性或酸性的水溶液，则与使用碱性的水溶液的方法相比，难以能够以安全性高的状态进行副产物的无害化。
需要说明的是，该处理方法也可以分成两个阶段来进行。即，首先，进行使包含具有环状结构的氯硅烷类的副产物与水反应的前处理，得到混合液。接着，在该混合液中混合无机碱或有机碱中的至少一者。通过该方法，也能够将副产物无害化。
为了使包含具有环状结构的氯硅烷类的副产物与处理液反应，优选在不活泼气氛下采集副产物，另外，为了将副产物维持在不活泼气氛下直至即将反应之前，优选在不活泼气氛下使副产物与处理液反应。通过在不活泼气氛下管理副产物，不仅能够防止在副产物的块的内部、而且能够防止在表面与水或氧发生反应。不活泼气体例如为氮气、氩气或它们的混合气体。优选在不活泼气氛下，露点为-50℃以下，氧的浓度为10ppm以下。
需要说明的是，若使副产物与处理液反应，则可产生氢(H2)气。因此，该处理优选在具备气体排气装置的设备内进行。另外，优选将副产物与处理液的混合物供于使用了超声波洗涤机的超声波处理。即，通过利用超声波使副产物及处理液振动，能够不使用搅拌棒等而提高副产物在处理液中的分散性。超声波的频率优选设定为20kHz以上。
其中，副产物可在配管上作为高粘度的液状物质而沉积。因此，认为在副产物的沉积物中，由存在于其表面的具有环状结构的氯硅烷类，与水或氧反应而分解成不具有环状结构的物质。其另一方面，认为存在于副产物的沉积物的内部的具有环状结构的氯硅烷类由于难以与水或氧接触，因此即使是在大气气氛下，也维持其环状结构。因此，使用了碱性的处理液的副产物的处理在大气气氛下也是有效的。
接着，对该处理方法中可利用的处理液进行说明。
处理液为包含无机碱或有机碱中的至少一者的碱性的水溶液。在处理液中，无机碱及有机碱的浓度例如设定为0.01质量％以上且30质量％以下，优选设定为0.1质量％以上且10质量％以下。
作为无机碱，例如使用选自由金属氢氧化物、碱金属、碳酸盐、碳酸氢盐及金属氧化物构成的组中的至少1种。
金属氢氧化物例如为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯、氢氧化钙、氢氧化镁、氢氧化铜、氢氧化铁、氢氧化锌、氢氧化铝或它们的混合物。
碱金属例如为钾的单质金属、锂的单质金属、钠的单质金属或它们的混合物。
碳酸盐例如为碳酸钠、碳酸钾、碳酸铵、碳酸钾、碳酸锂、碳酸钡、碳酸镁或它们的混合物。
碳酸氢盐例如为碳酸氢钠、碳酸氢铵、碳酸氢钾、碳酸氢钙或它们的混合物。
金属氧化物例如为氧化钙、氧化镁、氧化钠或它们的混合物。
无机碱例如包含选自由碱金属元素的氢氧化物、碱金属元素的碳酸盐、碱金属元素的碳酸氢盐、碱土类金属元素的氢氧化物、碱土类金属元素的碳酸盐及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的至少1种。
另外，无机碱优选为选自由氢氧化钠(NaOH)、氢氧化钾(KOH)、碳酸钠(Na2CO3)、氢氧化钙(Ca(OH)2)、氢氧化锂(LiOH)、碳酸氢钠(NaHCO3)及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的至少1种。这样的无机碱由于毒性低，因此若使用这样的无机碱，则能够更安全地将副产物进行处理。
另外，无机碱更优选为选自由氢氧化钾(KOH)、碳酸钠(Na2CO3)、氢氧化锂(LiOH)、碳酸氢钠(NaHCO3)及氢氧化铵(NH4OH)构成的组中的至少1种。若使用这样的无机碱，则由于反应温和地进行，因此能够更安全地进行处理。
作为有机碱，例如使用选自由烷基氢氧化铵类、有机金属化合物、金属醇盐、胺及杂环式胺构成的组中的至少1种。
烷基氢氧化铵类例如为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、氢氧化胆碱或它们的混合物。
有机金属化合物例如为有机锂、有机镁或它们的混合物。有机锂例如为丁基锂、甲基锂或它们的混合物。有机镁例如为丁基镁、甲基镁或它们的混合物。
金属醇盐例如为乙醇钠、丁醇钠、乙醇钾、丁醇钾、苯酚钠、苯酚锂、乙醇钠或它们的混合物。
胺为甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、三乙基胺、乙二胺、二乙基胺、苯胺或它们的混合物。
杂环式胺为吡啶、吡咯烷、咪唑、哌啶或它们的混合物。
有机碱优选为选自由苯酚钠(C6H5ONa)、2-羟基乙基三甲基氢氧化铵(氢氧化胆碱)及四甲基氢氧化铵(TMAH)构成的组中的至少1种。
作为处理液的溶剂，使用水。水也可以使用纯水、离子交换水、精制水或自来水，或者也可以使用它们的混合物。
处理液的pH优选在处理前后为8以上且14以下。另外，处理前的处理液的pH优选为9以上且14以下，更优选为10以上且14以下。
处理液除了包含无机碱及有机碱以外，也可以包含表面活性剂或pH缓冲剂等任意成分。
表面活性剂会提高副产物在处理液中的分散性、提高处理速度。处理液中的表面活性剂的浓度例如设定为0.01质量％以上且10质量％以下，优选设定为0.1质量％以上且1质量％以下。
表面活性剂例如包含选自由阴离子性表面活性剂、阳离子性表面活性剂、两性表面活性剂及非离子性表面活性剂构成的组中的至少1种。
阴离子性表面活性剂例如为月桂酸钠、硬脂酸钠、月桂基硫酸钠、1-己烷磺酸钠、月桂基磷酸或它们的混合物。
阳离子性表面活性剂例如为四甲基氯化铵、苯扎氯铵、辛基三甲基氯化铵、单甲基胺盐酸盐、丁基氯化吡啶鎓或它们的混合物。
两性表面活性剂例如为月桂基二甲基氨基醋酸甜菜碱、椰油酰胺丙基甜菜碱、月桂酰谷氨酸钠、月桂基二甲基胺N-氧化物或它们的混合物。
非离子性表面活性剂例如为月桂酸甘油酯、五乙二醇单十二烷基醚、聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯、月桂酸二乙醇酰胺、辛基葡糖苷、鲸蜡醇或它们的混合物。
表面活性剂优选包含苯扎氯铵及月桂酸钠中的至少一者，更优选使用苯扎氯铵。
pH缓冲剂在副产物的处理中发挥将处理液的pH保持恒定的作用。通过使用pH缓冲剂，能够抑制副产物分解处理后的溶液的pH变得过高或变得过低。因此，若使用pH缓冲剂，则能够更安全地将副产物无害化。
处理液中的pH缓冲剂的浓度例如设定为0.01质量％以上且30质量％以下，优选设定为0.1质量％以上且10质量％以下。
作为pH缓冲剂，可以使用弱酸与其共轭碱的混合物、或弱碱与其共轭酸的混合物。作为pH缓冲剂，例如包含醋酸(CH3COOH)与醋酸钠(CH3COONa)的混合物、柠檬酸与柠檬酸钠的混合物、或三羟基甲基氨基甲烷(THAM)与乙二胺四醋酸(EDTA)的混合物。
以上说明的实施方式所涉及的处理液为碱性。因此，若使用实施方式所涉及的处理液，则能够将包含具有环状结构的氯硅烷类的副产物安全地无害化。
这里，列举出外延生长法为例进行了说明，上述的处理方法及处理液也可以适用于外延生长法以外的化学气相蒸镀(Chemical Vapor Deposition：CVD)法中产生的副产物。另外，该处理方法及处理液也可以适用于通过CVD法以外的使用包含硅及氯的气体来合成含硅物的方法而产生的副产物。作为这样的方法，例如可列举出使用了利用包含三氯硅烷的氢气的还原的多晶硅的制造。
另外，这里，列举出包含具有环状结构的氯硅烷类的副产物为例进行了说明，但副产物可包含含有氯以外的卤族元素的具有环状结构的卤硅烷类。
即，氟(F)、溴(Br)及碘(I)与氯(Cl)同样为属于17族的卤族元素。一般已知同族的元素具有类似的性质。因此，氯以外的卤族元素也与氯同样地可与硅反应而生成具有环状结构的卤硅烷类。具有环状结构的卤硅烷类可包含选自由Si-Cl键、Si-Br键、Si-F键及Si-I键构成的组中的至少1种键和Si-Si键。另外，副产物中可包含的具有环状结构的卤硅烷类可包含SiXy基及Xy基中的至少一者。其中，y为1以上且3以下，X为选自由Cl、F、Br及I构成的组中的至少1种。
具有环状结构的卤硅烷类例如可包含于通过使用包含硅及卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物中。对于包含具有环状结构的卤硅烷类的副产物的生成法，以下，列举出参照图1进行说明的外延生长法为例进行说明。
在图1中所示的外延生长装置1中，导入至反应室12的原料气体中也可包含氯以外的卤族元素。即，原料气体可为氢气与包含硅及氯以外的卤族元素的化合物的混合气体。包含硅及氯以外的卤族元素的化合物例如为包含硅及溴的化合物。包含硅及溴的化合物例如为二溴硅烷(SiH2Br2)、三溴硅烷(SiHBr3)、四溴硅烷(SiBr4)或它们的混合物。需要说明的是，该混合气体也可以包含单硅烷(SiH4)及溴化氢(HBr)中的至少一者。
在使用像这样含有包含硅及氯以外的卤族元素的化合物的原料气体的情况下，与使用含有包含硅及氯的化合物的原料气体的情况同样地可以在基板上形成含硅膜。另外，在外延生长装置1的排出管13及连接部30处可析出的副产物中，可包含具有环状结构且包含氯以外的卤素的卤硅烷类、例如具有环状结构的溴硅烷类。
另外，上述混合气体也可以为包含氯以外的卤族元素的化合物及氯以外的卤素气体中的至少一者、包含硅及氯的化合物与氢气的混合气体。包含氯以外的卤族元素的化合物可以包含硅，也可以不包含硅。另外，上述混合气体也可以为包含氯的化合物及氯气中的至少一者、包含硅及氯以外的卤族元素的化合物与氢气的混合气体。包含氯的化合物可以包含硅，也可以不包含硅。
在使用像这样包含氯元素和氯以外的卤族元素的原料气体的情况下，在可析出的副产物中，可包含选自由具有环状结构的氯硅烷类、具有环状结构且包含氯以外的卤素的卤硅烷类及具有环状结构且包含氯及氯以外的卤族元素的卤硅烷类构成的组中的至少1种化合物。
需要说明的是，在反应室12内，可不可避免地导入氯以外的卤族元素。即，设置于反应室12中的基板可以为在硅基板的表面上形成有包含氯以外的卤族元素的膜的基板。在使用这样的基板的情况下，形成于硅基板的表面上的膜中所含的卤族元素与原料气体中所含的硅可反应而生成卤硅烷类。该卤硅烷类在反应室12内气化，与排出气体一起向排出管13排出。而且，在排出管13或连接部30中，通过卤硅烷类彼此进行聚合、或卤硅烷类与排出气体中所含的其他成分进行聚合，可生成副产物。该副产物可包含选自由具有环状结构的氯硅烷类、具有环状结构且包含氯以外的卤素的卤硅烷类及具有环状结构且包含氯及氯以外的卤族元素的卤硅烷类构成的组中的至少1种化合物。
或者，在设置于反应室12内的基板的表面，有时残留有氯以外的卤族元素。例如在硅基板等基板的洗涤中有时使用氢氟酸(HF)。另外，基板有时通过包含卤族元素的气体而实施蚀刻等表面处理。在这种情况下，可能在基板的表面残留氢氟酸等包含氯以外的卤族元素的化合物。通过像这样操作而不可避免地导入至反应室12内的卤族元素与硅发生反应，生成上述的卤硅烷类，其结果是，可生成包含具有环状结构的卤硅烷类的副产物。
类推像这样操作而可生成的包含氯以外的卤素的卤硅烷类及具有环状结构且包含氯及氯以外的卤族元素的卤硅烷类具有与上述的具有环状结构的氯硅烷类同样的性质。因此，具有环状结构的卤硅烷类优选实施与上述的具有环状结构的氯硅烷类同样的无害化处理。认为通过使实施方式所涉及的处理液与这些具有环状结构的卤硅烷类接触，能够将这些具有环状结构的卤硅烷类安全地无害化。
认为具有环状结构的卤硅烷类以以下所示的结构式(e)至(h)中的任一者表示。在结构式(e)至(h)中，X为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种元素。以下所示的具有环状结构的卤硅烷类的结构可以通过使用上述的核磁共振(MNR)光谱分析及质量(MS)分析等对副产物进行分析来推定。
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
需要说明的是，副产物除了包含具有环状结构的卤硅烷类以外，还可包含硅氧烷类、链状的卤硅烷类及二氧化硅等。
其中，具有环状结构的卤硅烷类如下述结构式(1)至(21)所示的那样可具有4元环结构、5元环结构、结构式(e)至(h)以外的6元环结构、7元环结构、8元环结构、多元环结构等。在下述结构式(1)至(21)中，X为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种元素。需要说明的是，下述结构式(1-1)至(21-1)分别表示结构式(1)至(21)中的元素X为氯的氯硅烷类。
[化学式9]
[化学式10]
[化学式11]
[化学式12]
[化学式13]
[化学式14]
副产物中所含的具有环状结构的卤硅烷类如上述结构式(1)至(21)中所示的那样，可为具有仅由硅构成的硅环的同素环式化合物。另外，如上述结构式(1)至(21)中所示的那样，可为不含碳的无机环式化合物。副产物也可以包含由硅及氧构成的杂环式化合物。
另外，副产物中可包含的具有链状结构的卤硅烷类例如以下述结构式(22)及(23)表示。在下述结构式(22)中，N例如为0以上且15以下的正整数。在下述结构式(22)及(23)中，X为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种元素。需要说明的是，下述结构式(22-1)及(23-1)分别表示结构式(22)及(23)中的元素X为氯的氯硅烷类。
[化学式15]
具有链状结构的卤硅烷类如上述结构式(22)中所示的那样，可为无支链的直链化合物。另外，具有链状结构的卤硅烷类如结构式(23)中所示的那样，可为具有支链的链式化合物。副产物包含具有链状结构的卤硅烷类可以通过质量分析来推定。
实施方式所涉及的处理液可以作为用于对包含具有硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者的化合物的物质进行处理的处理液而使用。作为包含具有硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者的化合物的物质，可列举出具有环状结构的卤硅烷类的水解产物。即，实施方式所涉及的处理液也可以作为通过使用包含硅及卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物的水解产物的处理液来使用。
水解产物通过使水与包含具有环状结构的卤硅烷类的副产物接触而获得。水解产物可为固体状。水解产物可以为块状，也可以为微粒状。
水解产物可包含具有硅氧烷键(Si-O-Si、O-Si-O)及硅烷醇基(-Si-OH)中的至少一者的化合物。另外，水解产物可包含氢硅烷醇基(-Si(H)OH)。水解产物具有硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者可以通过以下说明的核磁共振光谱分析来推定。
首先，通过与上述同样的方法采集副产物。在大气气氛下的通风室内，在包含副产物的浅盘内添加纯水，得到副产物与纯水的混合物。纯水的量例如相对于50mg的副产物设定为1mL。需要说明的是，所谓纯水是比电阻为18.2MΩ·cm以上的水。将混合物用氟树脂制的刮刀等搅拌后，在浅盘上盖上盖子，将混合物静置1小时以上。之后，取下浅盘的盖子，在常温下将混合物静置24小时以上，使水从混合物挥发。将像这样操作而得到的固态物使用氟树脂制的刮刀等进行粉碎而得到粉末。将该粉末用真空泵在5Pa以下的减压下干燥2小时以上，得到测定试样。
接着，将该测定试样分取至日本电子株式会社制3.2mm二氧化锆试样管(708239971)。将该NMR试样管放置于NMR光谱分析装置内，测定29Si NMR光谱。作为NMR光谱分析装置，例如可以使用日本电子株式会社制JNM-ECA800。在29Si NMR光谱的测定时，例如，将累积次数设定为4096次，将测定范围设定为-250ppm以上且250ppm以下。
在像这样操作而得到的水解产物所涉及的29Si NMR光谱中，认为在-120ppm以上且10ppm以下的范围内出现的峰来源于硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者。因此，在该范围内具有峰的情况下，可以推定水解产物具有硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者。
图5是表示副产物的水解产物所涉及的29Si NMR光谱的一个例子的谱图。在图5中，横轴表示化学位移(ppm)，纵轴表示相对强度。在图5中所示的29Si NMR光谱中，在-70ppm的位置检测到相对强度最大的峰。
进而，通过将像这样操作而得到的核磁共振光谱分析的分析结果与元素分析的结果组合，可以推定水解产物的结构式。
在元素分析时，进行副产物中所含的碳(C)、氢(H)、氮(N)、卤族元素及硫(S)的定量分析。卤族元素为氟(F)、氯(Cl)及溴(Br)。在碳、氢及氮的分析时例如使用J-SCIENCELAB公司制的JM-11。在卤素及硫的分析时例如使用Yanaco公司制的YHS-11。
在对于水解产物得到的元素分析结果中，在氢的存在比为1质量％以上且10质量％以下，且卤族元素的存在比为20质量％以下的情况下，可以说通过水解而副产物中的卤素量减少，氢量增加。氢的存在比也可以为1质量％以上且4质量％以下，卤族元素的存在比也可以为1.5质量％以下。另外，由上述的29Si NMR光谱的结果认为，所增加的氢来源于Si-OH键。因此，认为通过副产物的水解而副产物中的卤素被羟基取代。进而，由于氢的存在比为上述的范围内，因此推定仅由硅、氧及氢构成的水解产物的结构式为下述(24)至(29)。
[化学式16]
上述结构式(24)至(29)所表示的化合物具有硅氧烷键及硅烷醇基这两者。另外，上述结构式(24)至(29)所表示的化合物为具有2个以上硅烷醇基的聚硅烷醇。
在结构式(24)的化合物中，氢的存在比为2.961质量％。在结构式(25)的化合物中，氢的存在比为3.82质量％，氧的存在比为60.67质量％，硅的存在比为35.50质量％。在结构式(26)的化合物中，氢的存在比为2.88质量％，氧的存在比为57.06质量％，硅的存在比为40.07质量％。在结构式(27)的化合物中，氢的存在比为1.65质量％，氧的存在比为52.38质量％，硅的存在比为45.97质量％。在结构式(28)的化合物中，氢的存在比为2.63质量％，氧的存在比为48.61质量％，硅的存在比为48.76质量％。在结构式(29)中，氢的存在比为2.63质量％，氧的存在比为48.61质量％，硅的存在比为48.76质量％。
副产物的水解产物中所含的硅氧烷键、Si-Si键可能成为爆炸性或燃烧性的原因。特别是上述结构式(26)至(29)中所含的环状的硅氧烷键、结构式(28)及(29)中所含的环状的硅环在键被切断时，可放出巨大的能量。因此，认为包含这些环的化合物显示出燃烧性。
若使这样的副产物的水解产物与实施方式所涉及的碱性的处理液接触，则能够将硅氧烷键及Si-Si键切断，因此能够将副产物的水解产物安全地无害化。
以上说明的实施方式所涉及的处理液为碱性。因此，若使用实施方式所涉及的处理液，则能够将包含具有环状结构的卤硅烷类的副产物安全地无害化。
实施例
以下，对实施例进行说明。
<实施例1>
首先，将原料气体导入至外延生长装置中，在800℃的温度下与硅基板反应而在硅基板上形成单晶硅膜。作为原料气体，使用了在氢气中混合二氯硅烷和氯化氢而得到的混合气体。混合气体中的氢的浓度为95体积％以上。
接着，在氮气氛下将外延生长装置的配管分解，采集副产物。副产物为白色的膏状液体。接着，将所采集的副产物通过上述的方法进行分析，结果确认包含认为符合上述结构式(a)至(d)、(1-1)、(2-1)、(12-1)及(14-1)中的任一者的具有环状结构的氯硅烷类。
接着，在经氩置换的手套箱内，将50mg的副产物量取至浅盘中。接着，将该浅盘放入气密容器中，移动至大气气氛下的通风室。通风室的温度为26.4℃，湿度为55％。
接着，制备处理液。作为处理液，使用了在水中溶解碳酸氢钠(NaHCO3)而得到的溶液。在处理液中，碳酸氢钠的浓度为10质量％。以下，将该处理液称为处理液TS1。
接着，从气密容器中取出浅盘，在该浅盘内添加1.0mL的处理液TS1，使副产物与处理液TS1反应。其结果是，确认到来自副产物的细微发泡。该处理一边使用温度计测定处理液中的温度一边进行。
<实施例2>
除了使用处理液TS2来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS2，使用了将碳酸氢钠与pH缓冲剂混合而得到的水溶液。作为pH缓冲剂，使用了醋酸钠(CH3COONa)与醋酸(CH3COOH)的混合物。在处理液TS2中，碳酸氢钠的浓度为10质量％，醋酸钠的浓度为1质量％，醋酸的浓度为1质量％。
<实施例3>
除了使用处理液TS3来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。其结果是，确认到来自副产物的剧烈发泡。作为处理液TS3，使用了在水中溶解氢氧化钠(NaOH)而得到的溶液。在处理液TS3中，氢氧化钠的浓度为10质量％。
<实施例4>
除了使用处理液TS4来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS4，使用了在水中溶解苯酚钠(Sodium Phenoxide：C6H5ONa)而得到的溶液。在处理液TS4中，苯酚钠的浓度为10质量％。
<实施例5>
除了使用处理液TS5来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS5，使用了在水中分散氢氧化钙(Ca(OH)2)而得到的溶液。在处理液TS5中，氢氧化钙的浓度为10质量％。
<实施例6>
除了使用处理液TS6来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。其结果是，副产物分散于处理液中。作为处理液TS6，使用了将氢氧化钠与表面活性剂混合而得到的水溶液。作为表面活性剂，使用了苯扎氯铵。在处理液TS6中，氢氧化钠的浓度为10质量％，苯扎氯铵的浓度为1质量％。
<实施例7>
为了防止使副产物与氧及水接触，在不活泼气体气氛下进行操作，除此以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。
<实施例8>
为了防止使副产物与氧及水接触，在不活泼气体气氛下进行操作，除此以外，通过与实施例6中记载的同样的方法处理副产物。
<实施例9>
为了防止使副产物与氧及水接触，在不活泼气体气氛下进行操作，除此以外，通过与实施例2中记载的同样的方法处理副产物。
<比较例1>
除了使用水来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。
<比较例2>
除了使用处理液TS7来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS7，使用了在水中溶解过氧化氢(H2O2)而得到的溶液。在处理液TS7中，过氧化氢的浓度为10质量％。
<比较例3>
在浅盘内添加水之后，将浅盘的底面用加热器按照成为50℃的方式进行加热，除此以外，通过与比较例1中记载的同样的方法处理副产物。
<比较例4>
在浅盘内添加水之后，使用超声波洗涤机进行了超声波处理，除此以外，通过与比较例1中记载的同样的方法处理副产物。超声波处理以28kHz的频率进行。
<比较例5>
在浅盘内添加水之后，将浅盘上的副产物的块用刮刀进行粉碎，除此以外，通过与比较例1中记载的同样的方法处理副产物。
<比较例6>
除了使用处理液TS8来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS8，使用了在水中溶解苯扎氯铵而得到的溶液。其结果是，副产物分散于处理液中。
<实施例10>
在浅盘内添加处理液TS1之后，使用超声波洗涤机进行了超声波处理，除此以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。超声波处理以28kHz的频率进行。
<实施例11>
在浅盘内添加处理液TS5之后，使用超声波洗涤机进行了超声波处理，除此以外，通过与实施例5中记载的同样的方法处理副产物。超声波处理以28kHz的频率进行。
<实施例12>
除了使用处理液TS9来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS9，使用了在水中溶解四甲基氢氧化铵(TMAH)而得到的溶液。在处理液TS9中，TMAH的浓度为25质量％。
<实施例13>
首先，通过与实施例1中记载的同样的方法，将50mg的副产物量取至浅盘内。接着，在该浅盘内滴加1.0mL的水，静置1小时。接着，在该浅盘内滴加1.0mL的处理液TS9。像这样操作而处理副产物。通过后述的方法进行了副产物的元素分析和水处理后并且利用处理液TS9的处理前的副产物即水解产物的元素分析。
<实施例14>
除了使用处理液TS10来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS10，使用了在水中溶解四甲基氢氧化铵(TMAH)而得到的溶液。在处理液TS10中，TMAH的浓度为5质量％。
<实施例15>
除了使用处理液TS11来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS11，使用了在水中溶解四甲基氢氧化铵(TMAH)而得到的溶液。在处理液TS11中，TMAH的浓度为0.26质量％。其结果是，将副产物处理中的处理液的温度没有上升。
<实施例16>
除了使用处理液TS12来代替处理液TS1以外，通过与实施例1中记载的同样的方法处理副产物。作为处理液TS12，使用了在水中溶解氢氧化胆碱而得到的溶液。在处理液TS12中，氢氧化胆碱的浓度为4质量％。
(pH测定)
使用pH试验纸测定副产物的处理前及处理后的处理液的pH。将其结果示于表1中。
(摩擦感度试验及火焰感度试验)
通过以下的方法，确认在将副产物处理后的处理液中是否包含可燃性固体。
首先，将各试验后的处理液在排气室内充分干燥。接着，将残留在浅盘上的固态物少量分取至SUS制的容器中。接着，在将SUS制的刮刀按压于固态物的状态下，在浅盘上移动。此时，通过目视来确认固态物是否着火。
另外，对分取至SUS制的容器的固态物，使用便携点火装置来接触火焰，通过目视来确认是否着火。需要说明的是，便携点火装置的气体使用了丁烷气体。另外，火焰的温度大概为500℃。
将试验结果汇总于以下的表1中。
在上述表1中，在“处理液”这一标题的下方的列且标记为“盐/酸”的列中，记载了处理液中所含的盐或酸的种类。另外，在标记为“浓度(mass％)”的列中，记载了处理液中所含的盐或酸的浓度。另外，在标记为“表面活性剂”的列中，记载了处理液中所含的表面活性剂的种类。另外，在标记为“pH缓冲剂”的列中，记载了处理液中所含的pH缓冲剂的种类。另外，在标记为“pH”的列中，记载了将副产物处理前的处理液的pH。
另外，在上述表1中，在“处理中”这一标题的下方的列且标记为“最高温度(℃)”的列中，记载了将副产物处理中的处理液所达到的最高的温度。另外，在“处理后”这一标题的下方的列且标记为“pH”的列中，记载了将副产物处理后的处理液的pH。另外，在“处理方法”这一标题的下方的列中，记载了处理方法的特征。
另外，在上述表1中，在“评价”这一标题的下方的列且标记为“摩擦感度试验”的列中，记载了在对固态物加以摩擦时固态物是否着火。另外，在标记为“火焰感度试验”的列中，记载了在使火焰靠近固态物时固态物是否着火。
如上述表1中所示的那样，根据实施例1至16的方法，处理后的处理液的pH为7以上，在使处理后的处理液干燥而得到的固态物中未见到燃烧性及爆炸性。与此相对，根据比较例1至6所涉及的处理方法，处理后的处理液的pH为1以下。另外，根据比较例1及3至6所涉及的处理方法，在使处理后的处理液干燥而得到的固态物中见到燃烧性。
另外，如表1中所示的那样，与使用包含NaOH的处理液TS3及包含Ca(OH)2的处理液TS5相比，使用包含NaHCO3的处理液TS1或包含C6H5ONa的处理液TS4由于处理中的最高温度也低，处理后的pH也接近中性，因此可以说安全性更高。
(元素分析)
对于实施例中得到的副产物及实施例13中得到的副产物的水解产物，通过上述的方法进行了元素分析。将其结果示于表2中。
表2
由上述表2获知，通过使副产物与水接触而进行水解，副产物中的氯减少，氢增加。需要说明的是，如表2中所示的那样，由水解产物检测到微量的氟及氯。认为该氟为不可避免地导入的杂质来源的元素。另外，认为氯为附着于水解产物的表面的氯化氢来源的元素。
<实施例17>
首先，除了将反应温度由800℃变更为1000℃以外，以与实施例1中记载的相同的条件形成了单晶硅膜。接着，在氮气氛下将外延生长装置的配管分解，采集副产物。副产物为淡黄色的油状体。将所采集的副产物通过上述的方法进行分析，结果推定包含认为符合上述结构式(a)至(d)、(1-1)、(2-1)、(12-1)及(14-1)中的任一者的具有环状结构的氯硅烷类和认为符合上述结构式(22-1)及(23-1)中的任一者的具有链状结构的氯硅烷类。
接着，在经氩置换的手套箱内，将50mg的副产物量取至浅盘中。将该浅盘放入气密容器中，移动至大气气氛下的通风室。通风室的温度为25.3℃，湿度为50％。
接着，从气密容器中取出浅盘，在该浅盘内添加1.0mL的处理液TS1，使副产物与处理液TS1反应。其结果是，确认到来自副产物的细微发泡。该处理一边使用温度计测定处理液中的温度一边进行。
另外，使用pH试验纸测定副产物的处理前及处理后的处理液的pH。另外，对于处理后的固态物，通过与上述同样的方法进行了摩擦感度试验及火焰感度试验。将其结果示于表3中。
如由上述表3表明的那样，关于认为具有链状结构的氯硅烷类，也与认为具有环状结构的氯硅烷类同样地可以使用实施方式所涉及的处理液而无害化。
根据以上说明的至少一个实施方式，可提供用于对具有环状结构的氯硅烷类等具有环状结构的卤硅烷类进行处理的处理液。该处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。因此，若使用该处理液，则可以将通过使用包含硅及氯等卤素的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物中所含的具有环状结构的氯硅烷类等具有环状结构的卤硅烷类通过安全性高的方法进行处理。
说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式可以以其他的各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式或其变形例包含在发明的范围或主旨内，同时包含在权利要求书中记载的发明和其均等的范围内。
以下，附上在先申请的原始权利要求书中记载的发明。
[1]一种处理液，其是用于对具有环状结构的氯硅烷类进行处理的处理液，所述处理液包含无机碱及有机碱中的至少一者，且为碱性。
[2]根据[1]所述的处理液，其包含上述无机碱，上述无机碱包含选自由金属氢氧化物、碱金属、碳酸盐、碳酸氢盐及金属氧化物构成的组中的至少1种。
[3]根据[1]所述的处理液，其包含上述有机碱，上述有机碱包含选自由烷基氢氧化铵类、有机金属化合物、金属醇盐、胺及杂环式胺构成的组中的至少1种。
[4]根据[1]至[3]中任一项所述的处理液，其pH值为8以上且14以下。
[5]根据[1]至[4]中任一项所述的处理液，其进一步包含表面活性剂。
[6]根据[1]至[5]中任一项所述的处理液，其进一步包含pH缓冲剂。
[7]一种处理方法，其是对具有环状结构的氯硅烷类进行处理的方法，所述处理方法包括使上述具有环状结构的氯硅烷类与[1]至[6]中任一项所述的处理液接触。
[8]根据[7]所述的处理方法，其包括：在使上述具有环状结构的氯硅烷类与上述处理液接触之后，对所得到的混合物进行超声波处理。
[9]一种处理方法，其是对通过使用包含硅及氯的气体使含硅物在基材上沉积的方法而产生的副产物进行处理的方法，所述处理方法包括使上述副产物在不活泼气氛下与碱性的处理液接触。需要说明的是，基材可包含基板。

Claims (16)

1.一种处理液，其是用于包含使具有环状结构的卤硅烷类与处理液进行接触的处理方法的处理液，其中，所述处理液包含选自由烷基氢氧化铵类、有机金属化合物、金属醇盐、胺及杂环式胺构成的组中的至少1种有机碱，且为碱性。
2.根据权利要求1所述的处理液，其进一步包含无机碱，所述无机碱包含选自由金属氢氧化物、碱金属、碳酸盐、碳酸氢盐及金属氧化物构成的组中的至少1种。
3.根据权利要求1所述的处理液，所述有机碱包含选自由烷基氢氧化铵类、胺及杂环式胺构成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其pH值为8以上且14以下。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其进一步包含表面活性剂。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其进一步包含pH缓冲剂。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其中，所述具有环状结构的卤硅烷类包含具有环状结构的氯硅烷类。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的处理液，其对所述具有环状结构的卤硅烷类及具有链状结构的卤硅烷类这两者进行处理。
9.一种处理方法，其是对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的方法，其中，包括使所述具有环状结构的卤硅烷类与权利要求1至8中任一项所述的处理液接触。
10.根据权利要求9所述的处理方法，其包括：在使所述具有环状结构的卤硅烷类与所述处理液接触之后，对所得到的混合物进行超声波处理。
11.根据权利要求9或10所述的处理方法，其中，所述具有环状结构的卤硅烷类包含具有环状结构的氯硅烷类。
12.一种处理方法，其是对具有环状结构的卤硅烷类进行处理的方法，其中，所述处理方法包括：
使所述具有环状结构的卤硅烷类与水接触而得到混合物；和
使所述混合物与权利要求1至8中任一项所述的处理液接触。
13.根据权利要求12所述的处理方法，其中，所述具有环状结构的卤硅烷类包含具有环状结构的氯硅烷类。
14.根据权利要求12所述的处理方法，其中，所述混合物包含具有硅氧烷键及硅烷醇基中的至少一者的化合物。
15.一种处理方法，其是对通过使用包含硅及卤素的气体来合成含硅物的方法而产生的包含具有环状结构的卤硅烷类的副产物进行处理的方法，其中，所述处理方法包括使所述副产物在不活泼气氛下与碱性的处理液接触，所述碱性的处理液包含选自由烷基氢氧化铵类、有机金属化合物、金属醇盐、胺及杂环式胺构成的组中的至少1种有机碱。
16.根据权利要求15所述的处理方法，其中，所述气体的所述卤素包含氯。
CN201880090250.5A 2018-03-23 2018-10-25 处理液及处理方法 Active CN111758148B (zh)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-055615 2018-03-23
JP2018055698 2018-03-23
JP2018-055698 2018-03-23
JP2018055615 2018-03-23
JP2018-144515 2018-07-31
JP2018144521 2018-07-31
JP2018-144521 2018-07-31
JP2018144515 2018-07-31
PCT/JP2018/039731 WO2019181044A1 (ja) 2018-03-23 2018-10-25 処理液及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111758148A CN111758148A (zh) 2020-10-09
CN111758148B true CN111758148B (zh) 2024-05-03

Family

ID=67987589

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880090262.8A Active CN111758149B (zh) 2018-03-23 2018-10-25 处理液及处理方法
CN201880090250.5A Active CN111758148B (zh) 2018-03-23 2018-10-25 处理液及处理方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880090262.8A Active CN111758149B (zh) 2018-03-23 2018-10-25 处理液及处理方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20210008399A1 (zh)
EP (2) EP3770948A4 (zh)
JP (4) JP6739777B2 (zh)
KR (4) KR102418894B1 (zh)
CN (2) CN111758149B (zh)
TW (4) TWI730260B (zh)
WO (2) WO2019181045A1 (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01257119A (ja) * 1988-04-05 1989-10-13 Denki Kagaku Kogyo Kk ポリクロロシラン類の処理方法
JPH08208844A (ja) * 1994-10-07 1996-08-13 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリシランの製造方法
JPH0945658A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Lg Semicon Co Ltd ジェットノズルを用いた半導体基板洗浄装置
JP2007214290A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Fujifilm Corp 半導体集積回路の製造方法
JP2009279567A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Toagosei Co Ltd クロロポリシランを含む廃ガスの処理方法及びその処理装置
TW201418270A (zh) * 2012-07-04 2014-05-16 Nippon Catalytic Chem Ind 環狀矽烷化合物或其鹽之製造方法及環己矽烷類之製造方法
WO2014197808A1 (en) * 2013-06-06 2014-12-11 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
JP2016013965A (ja) * 2014-06-11 2016-01-28 三菱マテリアル株式会社 固体クロロシランポリマーの無害化方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5545291A (en) * 1993-12-17 1996-08-13 The Regents Of The University Of California Method for fabricating self-assembling microstructures
JPH1060656A (ja) * 1996-08-23 1998-03-03 Canon Inc 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
US5876609A (en) * 1997-03-28 1999-03-02 General Electric Company Process for treating methylchlorosilanes by-products
JP2004335572A (ja) * 2003-05-01 2004-11-25 Seiko Epson Corp 塗布装置、薄膜形成装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置、並びに電子機器
JP2006086166A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Canon Inc シリコン含有物の除去方法および除去装置
KR20090083937A (ko) * 2006-11-20 2009-08-04 셀 인터나쵸나아레 레사아치 마아츠샤피 비이부이 담체 처리방법, 촉매 제조방법, 촉매, 및 이 촉매의 용도
US20110023908A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for process abatement with recovery and reuse of abatement effluent
JP2012049342A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および基板処理方法
JP5622200B2 (ja) * 2011-02-01 2014-11-12 株式会社アルバック ポリシラン類の処理方法
JP5877702B2 (ja) * 2011-12-14 2016-03-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
JP2013197474A (ja) 2012-03-22 2013-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法と半導体装置の製造方法、および基板処理装置
KR101395275B1 (ko) * 2013-08-28 2014-05-16 한화케미칼 주식회사 폐가스의 정제방법 및 정제장치
JP6368465B2 (ja) * 2013-09-06 2018-08-01 株式会社日本触媒 排ガス処理方法
WO2015182699A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 株式会社 荏原製作所 真空排気システム
US20170053783A1 (en) * 2015-08-21 2017-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor apparatus and cleaning method for the semiconductor apparatus
JP6342370B2 (ja) 2015-09-07 2018-06-13 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置
KR20170044968A (ko) * 2015-10-16 2017-04-26 삼성전자주식회사 기판의 세정 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
JP2017172004A (ja) * 2016-03-24 2017-09-28 株式会社Adeka 銅系層用エッチング液組成物及びエッチング方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01257119A (ja) * 1988-04-05 1989-10-13 Denki Kagaku Kogyo Kk ポリクロロシラン類の処理方法
JPH08208844A (ja) * 1994-10-07 1996-08-13 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリシランの製造方法
JPH0945658A (ja) * 1995-07-26 1997-02-14 Lg Semicon Co Ltd ジェットノズルを用いた半導体基板洗浄装置
JP2007214290A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Fujifilm Corp 半導体集積回路の製造方法
JP2009279567A (ja) * 2008-05-26 2009-12-03 Toagosei Co Ltd クロロポリシランを含む廃ガスの処理方法及びその処理装置
TW201418270A (zh) * 2012-07-04 2014-05-16 Nippon Catalytic Chem Ind 環狀矽烷化合物或其鹽之製造方法及環己矽烷類之製造方法
WO2014197808A1 (en) * 2013-06-06 2014-12-11 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
JP2016013965A (ja) * 2014-06-11 2016-01-28 三菱マテリアル株式会社 固体クロロシランポリマーの無害化方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201940732A (zh) 2019-10-16
EP3770949A4 (en) 2021-12-29
CN111758148A (zh) 2020-10-09
JP2020145455A (ja) 2020-09-10
TW202132608A (zh) 2021-09-01
WO2019181045A1 (ja) 2019-09-26
US20210008399A1 (en) 2021-01-14
KR20220100732A (ko) 2022-07-15
JPWO2019181044A1 (ja) 2020-04-30
EP3770949A1 (en) 2021-01-27
KR20200110386A (ko) 2020-09-23
KR102525323B1 (ko) 2023-04-25
TWI794817B (zh) 2023-03-01
CN111758149A (zh) 2020-10-09
KR102524745B1 (ko) 2023-04-25
WO2019181044A1 (ja) 2019-09-26
KR102419099B1 (ko) 2022-07-11
KR20200110385A (ko) 2020-09-23
JP6799740B2 (ja) 2020-12-16
TWI730260B (zh) 2021-06-11
TWI794815B (zh) 2023-03-01
US20210002760A1 (en) 2021-01-07
TWI730259B (zh) 2021-06-11
JP6969759B2 (ja) 2021-11-24
JP6739777B2 (ja) 2020-08-12
TW202134466A (zh) 2021-09-16
KR20220101751A (ko) 2022-07-19
TW201940731A (zh) 2019-10-16
KR102418894B1 (ko) 2022-07-11
EP3770948A1 (en) 2021-01-27
JP6969758B2 (ja) 2021-11-24
JP2020145456A (ja) 2020-09-10
EP3770948A4 (en) 2021-12-29
CN111758149B (zh) 2024-05-03
JPWO2019181045A1 (ja) 2020-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150091296A (ko) 실리콘 옥사이드 박막의 고온 원자층 증착
JP6655599B2 (ja) モノ−、ポリ−および／またはオリゴシランにおけるケイ素−ケイ素結合および／またはケイ素−塩素結合の開裂方法
JP7360116B2 (ja) 判定方法及び処理方法
CN111758148B (zh) 处理液及处理方法
WO2023140255A1 (ja) 処理方法
US20230041322A1 (en) Increasing the molecular weight of low molecular weight a,w-polysiloxanediols
JP2014076976A (ja) アルコキシトリハロシランの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant