CN111752015A - 光调制器及使用了该光调制器的光发送装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光调制器及使用了该光调制器的光发送装置。在具备中继基板的光调制器中，有效地抑制与传输率的高速化相伴的中继基板上的信号导体图案间的串扰增加，实现良好的光调制特性。光调制器具备：光调制元件，具备多个信号电极；多个信号输入端子，输入向信号电极的电信号；中继基板，形成有将各个信号输入端子与各个信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案；及外壳，收容光调制元件及中继基板，其中，中继基板在相邻的信号导体图案间形成的至少一个接地导体图案具有从信号输入端子连接于信号导体图案的信号输入边延伸的至少一个槽，该槽形成为从信号输入边延伸的长度比在信号导体图案上延伸的信号输入端子的长度长。

Description

光调制器及使用了该光调制器的光发送装置

技术领域

本发明涉及具备对信号输入端子与光调制元件电极之间的电信号的传播进行中继的中继基板的光调制器及使用了该光调制器的光传输装置。

背景技术

在高速/大容量光纤通信系统中，多使用装入有波导型的光调制元件的光调制器。其中，将具有电光效应的LiNbO₃(以下，也称为LN)使用于基板的光调制元件由于光的损失少并能实现宽带的光调制特性，因此在高速/大容量光纤通信系统中被广泛使用。

在该使用了LN基板的光调制元件中，设有马赫-曾德尔型光波导和用于向该光波导施加作为调制信号的高频电信号的信号电极。并且，设置于光调制元件的这些信号电极经由在收容该光调制元件的光调制器的外壳内设置的中继基板，与设置于该外壳的作为信号输入端子的管脚或连接器连接。这些信号输入端子即上述管脚或连接器连接于搭载有用于使光调制器进行调制动作的电子电路的电路基板，由此从该电子电路输出的电信号经由上述中继基板向上述光调制元件的信号电极施加。

光纤通信系统中的调制方式受到近年来的传输容量的增大化的潮流，QPSK(Quadrature Phase Shift Keying，四比特相位偏移调制)或DP-QPSK(DualPolarization-Quadrature Phase Shift Keying，双极化四相相移键控)等多值调制，或在多值调制中取入了偏振复用的传输制式成为主流，除了在主干光传输网络中使用之外，也正在向城域网导入。

进行QPSK调制的光调制器(QPSK光调制器)或进行DP-QPSK调制的光调制器(DP-QPSK光调制器)具备成为被称作所谓套匣型的嵌套构造的多个马赫-曾德尔型光波导，这多个马赫-曾德尔型光波导分别具备至少一个信号电极。因此，这些光调制器具备多个信号电极，向这些信号电极复用的高频电信号协作而进行上述DP-QPSK调制动作。

并且，在向这样的多个信号电极分别赋予的高频电信号协作的光调制器中，需要将全部的高频电信号不受杂音等的影响地向光调制元件的信号电极输入。然而，另一方面，对于光调制器的小型化的要求不变，伴随着光调制器的外壳的小型化而中继基板的小型化进展。其结果是，多个不同的高频信号向窄的中继基板接近集中地传播，形成在中继基板上的高频信号线路间的电气性的串扰逐渐无法忽视。

另外，商用的DP-QPSK调制器目前多在100Gb/s的传输率下使用，但是用于将该传输率向400Gb/s扩大的开发也不断进展。今后，如果扩大传输率，则在上述中继基板中产生的高频信号线路间的串扰的问题会成为更深刻的课题。

作为抑制上述串扰的方法，可考虑扩大相邻的高频信号线路间的距离的情况，但是该方法违反上述那样的对于光调制器的小型化的要求，难以采用。因此，采用例如在设置于高频信号线路间的接地电极设置导孔而连接于中继基板背面的接地层，由此对该接地电极进行强化而提高上述高频信号线路间的屏蔽效果的方法等(例如，参照专利文献1)。

然而，在400Gb/s或超过400Gb/s的高传输率的DP-QPSK调制器中，仅仅是上述那样的导孔的话，会产生无法充分地抑制掉串扰的问题。

根据本申请发明的发明者仔细进行的实验，在上述那样的高传输率的DP-QPSK调制器中，可知上述串扰不仅是接近的高频信号线路间的直接的信号能量的交接，而且与在中继基板的主要是高频信号的输入部(信号输入部)产生信号传播模式的转换(以下，传播模式转换)的情况相伴的、该输入部的高频信号的漏泄的影响也无法忽视。

即，在向光调制器的高频信号输入中通常使用连接器或管脚等，因此向中继基板输入之前的高频信号以同轴模式传播。相对于此，在光调制元件基板或中继基板设置的高频信号线路通常为共面线路，该线路中的传播模式为共面模式(以下，称为CPW模式)。

因此，在中继基板的信号输入部中，产生从同轴模式向CPW模式的传播模式转换(即，异种模式转换)，以同轴模式传播的高频信号的能量的一部分向中继基板的内部或外部(空中)成为放射模式地放出。并且，这样的向中继基板的内部或外部(空中)放出的高频信号能量的一部分对上述串扰的发生附加性地发挥作用。

【在先技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2012-156947号公报

发明内容

【发明要解决的课题】

从上述背景出发，在具备将光调制元件的各个信号电极与各个信号输入端子进行电连接的中继基板的光调制器中，要求有效地抑制与传输率的高速化相伴的中继基板上的信号导体图案间的串扰增加，实现良好的光调制特性。

【用于解决课题的方案】

本发明的一个方式涉及一种光调制器，具备：光调制元件，具备多个信号电极；多个信号输入端子，输入向各个所述信号电极施加的电信号；中继基板，形成有将各个所述信号输入端子与各个所述信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案；及外壳，收容所述光调制元件及所述中继基板，其中，在所述中继基板的信号输入边，所述信号输入端子以从该信号输入边延伸到所述信号导体图案上的方式配置，所述信号输入边是来自所述信号输入端子的电信号向所述信号导体图案输入的边，所述中继基板中，在形成有所述信号导体图案的表面上，在形成于相邻的所述信号导体图案之间的至少一个所述接地导体图案具有从所述信号输入边延伸的至少一个槽，所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比所述信号输入端子从所述信号输入边延伸的长度长。

根据本发明的另一方式，所述槽延伸至所述中继基板的信号输出边，所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。

根据本发明的另一方式，所述槽形成为所述信号输入边处的从所述表面测量的所述槽的端部的深度比在所述槽的另一个端部处从所述表面测量的槽的深度深。

根据本发明的另一方式，所述槽形成为从所述表面测量的深度随着从所述槽的另一个端部靠近所述信号输入边而呈阶梯状或连续地变深。

根据本发明的另一方式，所述槽在所述信号输入边形成至所述中继基板的与所述表面相对的背面，或者在距所述信号输入边为规定距离的范围内形成至所述中继基板的与所述表面相对的背面。

根据本发明的另一方式，在所述槽的内侧面、或者在所述槽的内侧面和底面形成有金属膜。

根据本发明的另一方式，在所述槽的内侧面及底面形成有金属膜，在所述中继基板的与所述表面相对的背面形成有接地用导体，在所述槽的所述底面形成有将该底面的所述金属膜与所述背面的所述接地用导体连接的导孔。

根据本发明的另一方式，所述槽未延伸至所述中继基板的信号输出边，且该槽的整体贯通至所述中继基板的与所述表面相对的背面地形成，所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。

根据本发明的另一方式，在所述槽的内侧面形成有金属膜。

根据本发明的另一方式，所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比沿着与该延伸的方向正交的方向测量的宽度长。

本发明的另一方式涉及一种光发送装置，具备：上述任一光调制器；及电子电路，输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号。

【发明效果】

根据本发明，在具备中继基板的光调制器中，有效地抑制与传输率的高速化相伴的中继基板上的信号导体图案间的串扰的增加，能够实现良好的光调制特性。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的光调制器的俯视图。

图2是图1所示的光调制器的侧视图。

图3是图1所示的光调制器的A部详细图。

图4是图1所示的光调制器使用的中继基板的表面的从配置信号输入端子的一侧观察的立体图。

图5是表示第一实施方式的光调制器使用的中继基板的第一变形例的图。

图6是表示第一实施方式的光调制器使用的中继基板的第二变形例的图。

图7是表示第一实施方式的光调制器使用的中继基板的第三变形例的图。

图8是表示第一实施方式的光调制器使用的中继基板的第四变形例的图。

图9是表示第一实施方式的光调制器使用的中继基板的第五变形例的图。

图10是表示本发明的第二实施方式的光发送装置的结构的图。

标号说明

100、1002…光调制器，102…光调制元件，104…外壳，108…输入光纤，110…输出光纤，112a、112b、112c、112d…信号电极，114a…壳体，114b…罩，116a、116b、116c、116d…电连接器，118、518、618、718、818、918…中继基板，120…终端器，122a、122b、122c、122d…接地电极，124a、124b、124c、124d…信号输入端子，126…导体引线，330a、330b、330c、330d，930a、930b、930c、930d…信号导体图案，340a、340b、340c、340d、340e、940a、940b、940c、940d、940e…接地导体图案，350a、350b、350c、350d、350e、550a、550b、550c、550d、550e、650a、650b、650c、650d、650e、750a、750b、750c、750d、750e、850a、850b、850c、850d、850e、950a、950b、950c、950d、950e…槽，418a…信号输入边，418b…输入侧侧面，418c…信号输出边，418d…输出侧侧面，418e…表面，418f…背面，418g…右侧面，418h…左侧面，840…接地用导体，860…导孔。

具体实施方式

以下所示的实施方式及其变形例为了解决上述的课题，不违反光调制器的小型化的要求，以与以往相同程度或其以下的成本，且也考虑制造容易性，并抑制与传输率的高速化相伴的中继基板上的相邻的信号导体图案间的串扰的增加。具体而言，同时抑制伴随着高频在中继基板上的信号导体图案中传播而沿着该信号导体图案产生的放射模式(以下，称为传播放射微波)、及伴随着信号输入端子与信号导体图案的连接点处的异种模式转换而产生的放射模式(以下，称为连接点放射微波)这2个放射微波在中继基板内传播的情况，抑制相邻的信号导体图案间的高频能量的交接的发生。

以下，参照附图，说明本发明的实施方式。

〔第一实施方式〕

首先，说明本发明的第一实施方式。图1及图2是表示本发明的第一实施方式的光调制器100的结构的图。在此，图1、图2分别是本光调制器100的俯视图及侧视图。

本光调制器100具备光调制元件102、收容光调制元件102的外壳104、用于使光向光调制元件102入射的输入光纤108、将从光调制元件102输出的光向外壳104的外部引导的输出光纤110。

光调制元件102是进行例如400Gb/s的光调制的DP-QPSK调制器，具备例如设置在LN基板上的4个马赫-曾德尔型光波导。在4个马赫-曾德尔型光波导设有对于在该马赫-曾德尔型光波导中传播的光波分别进行调制的4个信号电极112a、112b、112c、112d。而且，如作为现有技术已知那样，在光调制元件102的LN基板的表面，在上述4个信号电极112a、112b、112c、112d分别以例如构成共面线路(CPW，Coplanar Waveguide)的方式设置接地电极122a、122b、122c、122d、122e(参照图3。在图1中未图示)。

具体而言，上述接地电极122a、122b、122c、122d、122e在LN基板表面的面内以分别夹持信号电极112a、112b、112c、112d的方式配置，与4个信号电极112a、112b、112c、112d一起构成在规定的动作频率下具有规定的特性阻抗的共面线路。

4个高频的电信号(调制信号)分别向4个信号电极112a、112b、112c、112d输入。这些高频电信号协作而控制上述4个马赫-曾德尔型光波导中的光波的传播，作为整体而进行400Gb/s的DP-QPSK调制的动作。

从光调制元件102输出的2个光例如由透镜光学系(未图示)进行偏振合成，经由输出光纤110向外壳104的外部引导。

外壳104由将光调制元件102固定的壳体114a和罩114b构成。此外，为了便于理解外壳104内部的结构，在图1中，在图示左方仅示出罩114b的一部分，但是实际上，罩114b以覆盖箱状的壳体114a的整体的方式配置而对外壳104的内部进行气密封固。壳体114a由金属或例如镀金的陶瓷等构成，电气性地作为导电体发挥功能。而且，在外壳104通常设置有DC控制用等的多个引脚，但是在本附图中省略。

壳体114a设有具备信号输入端子124a、124b、124c、124d的电连接器116a、116b、116c、116d，信号输入端子124a、124b、124c、124d输入向光调制元件102的各个信号电极112a、112b、112c、112d施加的高频的电信号。而且，在外壳104的内部还收容有中继基板118。在中继基板118上，如后所述，形成有将各个信号输入端子124a、124b、124c、124d与光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d的各自的一端电连接的信号导体图案330a、330b、330c、330d；接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e。

光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d的另一端通过具有规定的阻抗的终端器120而形成终端。由此，向信号电极112a、112b、112c、112d的各自的一端输入的电信号作为行波而在信号电极112a、112b、112c、112d内传播。

电连接器116a、116b、116c、116d分别为例如推接型的同轴连接器的插口。上述的电连接器116a、116b、116c、116d的圆柱状的接地导体被电连接并固定于壳体114a。因此，壳体114a对应于与接地电位连接的构造物。此外，信号输入端子124a、124b、124c、124d由例如在作为电连接器116a、116b、116c、116d的各个连接器插口中沿着上述接地导体的圆柱形状的中心线延伸的中心导体(芯线)构成。

图3是图1中的A部的部分详细图，是表示中继基板118及其周围的结构的图。而且，图4是中继基板118单体的表面418e(图1及图3中的图示的面)的从配置信号输入端子124a等的一侧观察的立体图。

在中继基板118的表面418e设有信号导体图案330a、330b、330c、330d和接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e。

上述的接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e以将信号导体图案330a、330b、330c、330d分别在中继基板118的表面418e的面内夹持的方式设置。由此，信号导体图案330a、330b、330c、330d分别与接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e一起构成共面线路。

如图3所示，光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d分别通过例如使用了导体引线126的引线接合而与中继基板118的信号导体图案330a、330b、330c、330d的一端电连接。在此，导体引线126可以设为例如金引线。

另外，在光调制元件102中与信号电极112a、112b、112c、112d一起构成共面线路的接地电极122a、122b、122c、122d、122e分别与上述同样地通过例如使用了导体引线126的引线接合而与中继基板118的接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e的一端电连接。此外，上述的使用了导体引线126的引线接合为一例，并不局限于此。也可以取代导体引线126的引线接合而使用例如使用了金带等导体带的带接合。

如图3、图4所示，在外壳104的壳体114a配置的电连接器116a、116b、116c、116d的信号输入端子124a、124b、124c、124d分别被固定并电连接于中继基板118的信号导体图案330a、330b、330c、330d的另一端。上述的固定及电连接可以通过例如焊料、钎料或导电性粘结剂进行。

在此，在中继基板118，将分别连接信号导体图案330a、330b、330c、330d与信号输入端子124a、124b、124c、124d的一侧的边称为信号输入边418a，将以信号输入边418a为1边的中继基板118的侧面称为输入侧侧面418b。而且，在中继基板118，将连接于信号输入边418a相对的边，即，信号导体图案330a、330b、330c、330d与光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d的一侧的边称为信号输出边418c，将以信号输出边418c为1边的中继基板118的侧面称为输出侧侧面418d。而且，在图3中，在中继基板118，将与输入侧侧面418b正交的图示右侧的侧面称为右侧面418g，将图示左侧的侧面称为左侧面418h。此外，将中继基板118的与表面418e相对的面称为背面418f。

在中继基板118的信号导体图案330a、330b、330c、330d上，如图3所示，电连接器116a、116b、116c、116d的信号输入端子124a、124b、124c、124d以距信号输入边418a为规定的长度L1地延伸的方式配置。在此，将在信号输入边418a及其附近而信号导体图案330a、330b、330c、330d与信号输入端子124a、124b、124c、124d连接的各个部分称为输入连接点。

特别是本实施方式的光调制器100的中继基板118在形成有信号导体图案330a、330b、330c、330d的表面418e中，在接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e分别设有从信号输入边418a(或输入侧侧面418b)延伸的槽350a、350b、350c、350d、350e。而且，槽350a、350b、350c、350d、350e距中继基板118单体的表面418e具有(未贯通中继基板118)的规定的深度。在此，在本实施方式中，作为一例，槽350a、350b、350c、350d、350e相互以相同尺寸构成。

以下，也将光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d总称为信号电极112，也将接地电极122a、122b、122c、122d、122e总称为接地电极122。而且，也将电连接器116a、116b、116c、116d总称为电连接器116，也将信号输入端子124a、124b、124c、124d总称为信号输入端子124。而且，也将中继基板118的信号导体图案330a、330b、330c、330d总称为信号导体图案330，也将接地导体图案340a、340b、340c、340d、340e总称为接地导体图案340。此外，也将槽350a、350b、350c、350d、350e总称为槽350。

在此，4个信号输入端子124如上所述是作为同轴连接器的4个电连接器116的中心导体，因此在该信号输入端子124中传播的高频电信号的传播模式为同轴模式。而且，如上所述，中继基板118上的信号导体图案330分别与6个接地导体图案340一起构成共面线路，使高频电信号以共面模式(CPW模式)传播。

因此，在信号导体图案330与信号输入端子124连接的输入连接点处，产生从同轴模式向CPW模式的传播模式的转换(异种模式转换)。因此，分别在上述输入连接点处，伴随着异种模式转换而产生连接点放射微波，在中继基板118的内部传播。

另外，中继基板118的信号导体图案330在高频电信号沿着以上述输入连接点为起点的长度方向传播时产生传播放射微波，该传播放射微波能在中继基板118内传播。此外，该传播放射微波从信号导体图案330的长度方向的各部会产生，其产生强度通常例如在输入连接点处具有最大强度，随着从信号输入边418a分离而减少。

具有上述的结构的光调制器100在接地导体图案340分别设有从信号输入边418a延伸的槽350，因此在上述输入连接点处产生的连接点放射微波、及在信号导体图案330的输入连接点附近产生的传播放射微波分别由槽350形成的空气壁来阻止中继基板118内部的传播。

即，在光调制器100中，分别经由连接放射微波及传播放射微波的的信号导体图案330间的高频能量的交接由于槽350的存在而被抑制。

其结果是，在光调制器100中，即使在以400Gb/s以上的传输率动作的情况下，也不会扩大信号导体图案330彼此的间隔(因此不会导致中继基板118及光调制器100的尺寸增加)，且以与以往相同程度或其以下的成本，有效地减少信号导体图案330间的串扰，能够实现良好的光调制特性。

在此，根据本申请发明的发明者的见解，槽350的尺寸在信号输入端子124分别从信号输入边418a在信号导体图案330上延伸的长度为L1，该槽350从信号输入边418a延伸的长度为L2，沿着与该长度方向正交的方向测量的宽度为W时(参照图3)，优选具有以下的任一个关系。在此，长度L1是如上所述信号输入端子124分别从信号输入边418a在信号导体图案330上延伸的长度。以下，将长度L1称为端子延伸长度L1。

L2>L1 (1)

L2>W (2)

此外，长度L2是槽350从信号输入边418a沿槽350延伸的长度，要留意的是，不是信号输入边418a与槽350的端部之间的与信号输入边418a正交的方向分量的距离。例如，在槽350不为直线而形成为曲线状的情况下，是沿着该曲线测量的长度(例如，槽350的宽度方向中心线延伸的长度)。而且，宽度W在沿着槽350的延伸方向发生变动的情况下，可以设为各部的宽度的平均值或最大值。

式(1)表示从信号输入边418a延伸的槽350的长度L2比信号输入端子124从信号输入边418a延伸的端子延伸长度L1长。在此，优选为L2>L1是因为，在输入连接点处，连接点放射微波遍及端子延伸长度L1的范围地产生，因此如果槽的长度L2比端子延伸长度L1短，则对于该连接点放射微波的传播抑制效果下降。

另外，式(2)表示槽350形成为从信号输入边418a延伸的长度L2比沿着与该延伸的方向正交的方向测量的宽度W长。在此，优选为L2>W是因为，如果槽350的长度L2比宽度W短，则有时无法充分抑制从信号输入边418a附近的信号导体图案330产生的传播放射微波，而且是因为，如果W>L2，则会不必要地增大槽350的宽度，会成为中继基板118的机械强度下降的结果。

此外，在图3中，以信号输入端子124a及槽350a为例，示出了上述端子延伸长度L1以及槽350的长度L2及宽度W，但是它们在其他的槽350b、350c、350d、350e中也能同样定义。而且，在本实施方式中，5个槽350相互以相同尺寸形成，但是并不局限于此。在各个槽350中，只要满足式(1)或式(2)的关系即可，槽350也可以由互不相同的尺寸构成。而且，上述的端子延伸长度L1、槽350的长度L2及宽度W、以及式(1)或式(2)所示的优选的条件在后述的第一至第五变形例中也能同样地定义及适用。

此外，如果在槽350的内表面形成有金属膜(如果实施金属化)，则能够进一步提高上述连接点放射微波及传播放射微波的向中继基板118内的传播抑制效果。上述的金属膜优选至少设置在槽350的内表面中的在信号输入边418a的方向上相对的2个内侧面。在此基础上，如果在槽350的底面(与表面418e平行的面)及/或端面(与输入侧侧面418b平行的面)也形成有金属膜，则更优选。

此外，在本实施方式中，在5个接地导体图案340分别设置一个槽350，但是并不局限于此。从减少相邻的信号输入端子124间及/或相邻的信号导体图案330间的串扰的观点出发，只要至少在形成于相邻的信号导体图案330之间的接地导体图案340(即，在本实施方式中，为接地导体图案340b、340c、340d)上具有至少一个槽350即可。

但是，如果像本实施方式那样在相邻的信号导体图案330之间未夹持的接地导体图案340a、340e上也形成槽350，则也能够减少例如从位于最外侧的信号导体图案330a、330d的输入连接点产生而向与中继基板118的输入侧侧面418b正交的右侧面418g及左侧面418h传播并反射的连接点放射微波及传播放射微波的传播。由此，例如，能够减少从信号导体图案330a、330d产生而返回自身的连接点放射微波及传播放射微波，能够减少以该返回的反射微波为起因而在该信号导体图案330a、330d产生的噪音。

另外，在本实施方式中，在相邻的信号导体图案330之间分别设置一个接地导体图案340，但是并不局限于此。在相邻的信号导体图案330之间设置的接地导体图案340可以为多个。这种情况下，可以在相邻的信号导体图案330之间设置的至少一个接地导体图案340上形成与槽350同样的槽。或者，与槽350同样的槽可以分别设置于在相邻的信号导体图案330之间设置的多个接地导体图案340中的与信号导体图案330分别相邻(与各个信号导体图案330最接近)的接地导体图案340。

另外，在本实施方式中，信号导体图案330分别作为一例而以沿着与信号输入边418a正交的方向延伸的直线形状形成，但是并不局限于此。信号导体图案330可以根据信号输入端子124的间隔、光调制元件102中的信号电极112的间隔、或其他的电气的要求条件，以与信号输入边418a不正交的直线或曲线形成。

另外，在图3中，信号导体图案330与接地导体图案340的图案间隔描绘为大致恒定，但是并不局限于此。上述图案间隔可以按照现有技术，为了使信号导体图案330和接地导体图案340形成的共面线路的分布阻抗在光调制元件102的动作频率的范围内成为规定的值的范围，而在例如距形成有槽350的信号输入边418a为长度L2的范围的部分和除此以外的部分以不同的间隔形成。

接下来，说明第一实施方式的光调制器100可以使用的中继基板118的变形例。

<第一变形例>

图5是表示第一变形例的中继基板518的结构的图。该中继基板518在图1所示的光调制器100中可以取代中继基板118使用。在图5中，关于与图4所示的中继基板118相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，并援引上述的关于图4的说明。

图5所示的中继基板518具有与图4所示的中继基板118同样的结构，但是在取代槽350a、350b、350c、350d、350e而设置槽550a、550b、550c、550d、550e的点上不同。槽550a、550b、550c、550d、550e具有与槽350a、350b、350c、350d、350e同样的结构，但是不同点为：未延伸至中继基板518的电信号从信号导体图案330向光调制元件102的信号电极112输出的信号输出边418c，槽550a、550b、550c、550d、550e的各自的整体从中继基板518的表面418e贯通至与该表面418e相对的背面418f地形成。

另外，槽550a、550b、550c、550d、550e在分别具有的3个内侧面形成金属膜(实施金属化)的点与槽350a、350b、350c、350d、350e不同。以下，也将槽550a、550b、550c、550d、550e总称为槽550。

具有上述的结构的中继基板518在中继基板518的表面418e处从信号输入边418a延伸的槽550的各自的整体贯通至中继基板518的背面418f地形成。因此，与图4所示的中继基板118的情况相比能进一步抑制在输入连接点及其附近产生的2个连接点放射微波及传播放射微波的在中继基板518内部的传播。而且，在本变形例中，在全部3个槽550的内侧面形成有金属膜，因此连接点放射微波及传播放射微波的传播抑制效果比中继基板118进一步强化。由此，经由连接点放射微波及传播放射微波的信号导体图案330间的高频能量交接的减少效果比中继基板118的情况进一步强化。

<第二变形例>

图6是表示第二变形例的中继基板618的结构的图。该中继基板618在图1所示的光调制器100中可以取代中继基板118使用。在图6中，关于与图4所示的中继基板118相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的关于图4的说明。

图6所示的中继基板618具有与图4所示的中继基板118同样的结构，但是取代槽350a、350b、350c、350d、350e而设置槽650a、650b、650c、650d、650e的点不同。槽650a、650b、650c、650d、650e具有与槽350a、350b、350c、350d、350e局部性同样的结构，但是从中继基板618的信号输入边418a延伸至中继基板618的电信号从信号导体图案330向光调制元件102的信号电极112输出的信号输出边418c的点不同。

换言之，本变形例相当于在图3所示的中继基板118，将槽350的长度L2设定为与中继基板118的宽度Ws(参照图3)相同的值的情况(L2＝Ws)。以下，也将槽650a、650b、650c、650d、650e总称为槽650。此外，本例为一例，不会成为槽350不为直线的情况(L2＝Ws)。

在具有上述的结构的中继基板618中，从信号导体图案330的长度方向的各部产生的传播放射微波的向中继基板618内部的传播由槽650从信号输入边418a至信号输出边418c连续地抑制，因此与图4的中继基板118相比，能进一步减少信号导体图案330间的高频能量的交接。而且，通过这样以从信号输入边418a到达信号输出边418c的方式形成槽650，中继基板618的构造简单化，因此与图4的中继基板118相比制造变得容易。

此外，上述的高频能量交接的减少效果通过在各个槽650的2个内侧面(即，在中继基板618的信号输入边418a的方向上相对的2个内侧面)形成金属膜而被强化。此外，如果在各个槽650的底面(与表面418e平行的面)上也形成有金属膜，则也能减少在中继基板618内传播而从该底面向空中放射的微波的能量，能够进一步减少上述信号导体图案330间的串扰。

在此，在槽650的上述底面形成有金属膜的情况下，在使用焊料或钎料将中继基板618向外壳104固定时，从中继基板618的背面418f露出的上述焊料或钎料到达槽650的底面的金属膜，存在顺着该槽650的上述内侧面的金属膜而到达接地导体图案340的情况。这样的到达了接地导体图案340的焊料或钎料在例如光调制元件102的接地电极122与接地导体图案340之间的引线接合时，接地导体图案340中的引线熔敷变得困难。因此，在这样的经由该槽650的金属膜的焊料或钎料的向接地导体图案340的到达产生的情况下，例如，在信号输出边418c附近，可以在槽650的底面不形成金属膜。

此外，在本变形例中，将槽650设置至信号输出边418c，因此在信号导体图案330的高频信号的闭入强度弱时或信号输出边418c的信号输出点(信号导体图案330与信号电极112的连接点)处的传播模式的匹配性存在差异时等，在信号输出边418c的信号输出点处，有时会产生以槽650的存在为起因的传播模式的紊乱(高频电信号的反射或放射等)。因此，本变形例特别是在能充分确保信号导体图案330的高频信号的闭入强度的设计中，在简化中继基板618的构造而使其制造容易并想要进一步减少信号导体图案330间的串扰这样的情况下可以说是优选的结构。

<第三变形例>

图7是表示第三变形例的中继基板718的结构的图。该中继基板718可以在图1所示的光调制器100中取代中继基板118使用。图7不同于图4，不是使用立体图而是使用三面图来表示中继基板718的结构。在图7中，关于与图4所示的中继基板118相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的关于图4的说明。

图7所示的中继基板718具有与图4所示的中继基板118同样的结构，但是取代槽350a、350b、350c、350d、350e而设置槽750a、750b、750c、750d、750e的点不同。

槽750a、750b、750c、750d、750e与槽350不同，在信号输入边418a处从表面418e测量的上述的槽750a、750b、750c、750d、750e的端部的深度形成得比在上述的槽750a、750b、750c、750d、750e的另一个端部处从表面418e测量的上述的槽750a、750b、750c、750d、750e的深度深。具体而言，槽750a、750b、750c、750d、750e的底面形成为阶梯状，在距信号输入边418a为规定距离L3(e<b)的范围内，贯通至中继基板518的背面418f地形成。

即，槽750a、750b、750c、750d、750e形成为其深度呈阶梯状(在本变形例中为2个等级)地变深，且在距信号输入边418a为规定距离L3处到达背面418f。反而言之，槽750a、750b、750c、750d、750e形成为其深度随着靠近信号输出边418c而呈阶梯状地变浅。以下，也将槽750a、750b、750c、750d、750e总称为槽750。

在具有上述的结构的中继基板718中，槽750中的距信号输入边418a为规定距离L3的范围的部分贯通至背面418f地设置，因此与变形例1的情况同样，能有效地抑制输入连接点及其附近的连接点放射微波及传播放射微波的向中继基板718内的传播。

另外，在中继基板718中，槽750形成为朝向信号输出边418c比中继基板118的槽350延伸得长且深度呈阶梯状地变浅。因此，以槽750的存在为起因而产生的信号导体图案330中的传播模式的紊乱随着靠近信号输出边418c而逐级减少，在信号输出边418c处不会产生。另一方面，从信号导体图案330的长度方向各部产生的传播放射微波随着靠近信号输出边418c而逐级减少，因此即使槽750的深度随着靠近信号输出边418c而逐级减少，从信号导体图案330的各部产生而在中继基板718内传播的传播放射微波的量也能沿信号导体图案330的长度方向被抑制成大致恒定的值。

因此，在中继基板718中，将因槽750的存在而导致的信号导体图案330的传播模式的紊乱随着靠近信号输出边418c而顺畅地解消，并能够有效地减少经由上述连接点放射微波及传播放射微波的信号导体图案330间的高频能量交接。

在此，在本变形例中，槽750延伸至中继基板718的背面418f的部分的规定距离L3出于与中继基板118上的长度L2同样的理由(上述的连接点放射微波及传播放射微波的传播抑制)而优选满足以下的任一个。

L3>L1 (3)

L3>W (4)

在式(3)(4)中，L1及W分别是与上述的中继基板118的例子同样地定义的端子延伸长度及槽750的宽度。

此外，在本变形例中，将槽750的深度呈两个等级变深地形成至背面418f，但是该等级的个数并不局限于2。例如，该等级的个数可以为1个等级。即，槽750的深度可以从规定距离L3的位置至该槽750的端部为恒定。或者，上述等级的个数可以为3个以上。

另外，或者，槽750的深度可以从槽750的上述端部连续变深。这种情况下，槽750的底面在信号输入边418a处也可以到达背面418f(即，可以设为L3＝0)。

另外，在本变形例中，槽750至少在信号输入边418a处到达背面418f，但是并不局限于此。槽750只要在信号输入边418a处从表面418e测量的深度比在上述的槽750的端部处从表面418e测量的深度形成得深即可。例如，槽750在信号输入边418a处可以不必到达背面418f，也能够起到与上述同样的效果。

另外，在本变形例中，与中继基板118、518、618同样，在槽750的2个内侧面或该2个内侧面和槽750的底面形成有金属膜，由此能够强化上述的高频能量交接的减少效果。

<第四变形例>

图8是表示第四变形例的中继基板818的结构的图。该中继基板818在图1所示的光调制器100中可以取代中继基板118使用。在图8中，关于与图4所示的中继基板118相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的关于图4的说明。

图8所示的中继基板818具有与图4所示的中继基板118同样的结构，但是在背面418f上设置于外壳104相接而成为接地电位的接地用导体840的点不同。而且，中继基板818在取代槽350a、350b、350c、350d、350e而设置槽850a、850b、850c、850d、850e的点上与中继基板118不同。以下，也将槽850a、850b、850c、850d、850e总称为槽850。

槽850具有与槽350同样的结构，但是在它们的底面及2个内侧面上形成金属膜并在它们的底面上分别设置6个导孔860的点与槽350不同。此外，在图8中，为了有助于理解，仅对槽850的图示右端的导孔标注标号860，但是应理解为在标注有标号860的导孔的左侧，通过与该导孔为相同直径的圆描绘的5个导孔也是导孔860。

这些导孔860将槽850的底面的金属膜与在中继基板818的背面418f形成的接地用导体840电连接。由此，背面418f的接地用导体840经由导孔860和在槽850的底面及2个内侧面设置的金属膜而与表面418e的接地导体图案340电连接。

具有上述的结构的中继基板818由于形成有将槽850的底面的金属膜与中继基板818的背面418f的接地用导体840连接的导孔860，因此能够阻止上述的2个放射微波(连接点放射微波及传播放射微波)中的在槽850的下方穿过而要在中继基板818的内部传播的放射微波。因此，在中继基板818中，能够进一步抑制经由上述2个放射微波的信号导体图案330间的高频能量交接。

另外，通过长度比中继基板818的厚度短的导孔860将表面418e的接地导体图案340与背面418f的接地用导体840连接，因此与中继基板118相比能够得到更高的接地效果(接地电位分布的均匀化等)。此外，在本实施例中，例示了导孔的个数设为6个的情况，但是没有限定于此。而且，导孔的外径设为全部相同的结构，但是只要是起到上述效果的范围即可，可以设为不同的外径。特别是在信号输入端子与信号导体图案的连接点侧的导孔的外径比其他的导孔的外径大的情况下，能够在维持基板的机械强度的状态下，在上述2个放射微波容易产生的信号输入端子与信号导体图案的连接点处能够得到更高的接地效果(接地电位分布的均匀化等)。

<第五变形例>

图9是表示第五变形例的中继基板918的结构的图。该中继基板918在图1所示的光调制器100中可以取代中继基板118使用。在图9中，关于与图4所示的中继基板118相同的构成要素，使用与图4中的标号相同的标号，援引上述的关于图4的说明。

图9所示的中继基板918具有与图4所示的中继基板118同样的结构，但是取代信号导体图案330a、330b、330c、330d而设置信号导体图案930a、930b、930c、930d。以下，也将信号导体图案930a、930b、930c、930d总称为信号导体图案930。

信号导体图案930a、930b、930c、930d分别具有与信号导体图案330a、330b、330c、330d同样的结构，但是中继基板918上的平面形状与信号导体图案330a、330b、330c、330d不同。

即，信号导体图案330a、330b、330c、330d分别形成为沿着与信号输入边418a正交的方向延伸的直线形状，相对于此，信号导体图案930a及930d包含沿着与和信号输入边418a正交的方向不同的方向具有角度地延伸的直线而构成。而且，信号导体图案930b及930c分别包含曲线部分而构成。

由此，中继基板918在信号输入边418a处，信号导体图案930a及930b的端部在图示右侧相邻配置而构成一个组，信号导体图案930c及930d的端部在图示左侧相邻配置而构成另一个组。这样的信号输入边418a的信号导体图案930的端部的组化在例如光调制元件102为DP-QPSK调制器等小型、集成化的调制器时，可采用于对2个正交偏波光分别调制的2个套匣型马赫-曾德尔调制器分别输入高频电信号的2个组的情况。

中继基板918而且在取代接地导体图案340a、340b、340c、340d而设置接地导体图案940a、940b、940c、940d的点与中继基板118不同。以下，也将接地导体图案940a、940b、940c、940d总称为接地导体图案940。

接地导体图案940具有与接地导体图案340同样的结构，但是为了对应于信号导体图案930的形状地构成共面线路而与信号导体图案930相邻的接地导体图案940的边缘由直线及/或曲线形成的点不同。

中继基板918还在取代槽350a、350b、350c、350d、350e而设置槽950a、950b、950c、950d、950e的点上与中继基板118不同。以下，也将槽950a、950b、950c、950d、950e总称为槽950。

在此，槽950a、950b、950c、950d、950e具有与槽350a、350b、350c、350d、350e同样的结构，但是以下的点与槽350a、350b、350c、350d、350e不同。

首先，在图4的中继基板118，在接地导体图案340分别设置一个槽350，相对于此，在图9的中继基板918，在未由相邻的信号导体图案930夹持的接地导体图案940a、940e未设置槽。在中继基板918中，从信号导体图案930a、930d分别朝向中继基板918的右侧面418g及左侧面418h传播的传播放射微波未直接到达其他的信号导体图案930，因此几乎不会有助于信号导体图案930间的串扰。

另外，在中继基板918中，信号导体图案930b、930c的信号输入边418a的端部分离成相互之间不产生有意的串扰地形成。因此，在中继基板918中，在由信号导体图案930b、930c夹持的接地导体图案940c也未设置槽。

并且，在中继基板918中，在由信号导体图案930a、930b夹持的接地导体图案940b，以沿着信号导体图案930a、930b的各自的形状的方式设有分别由直线及曲线构成的2个槽950a、950b。而且，在中继基板918中，在由信号导体图案930c、930d夹持的接地导体图案940d，以沿着信号导体图案930c、930d的各自的形状的方式设置分别由曲线及直线构成的2个槽950c、950d。

具有上述的结构的中继基板918对应于信号导体图案930的形状而确定在接地导体图案940设置的槽的个数或形状。即，在实质上不有助于相邻的信号导体图案330间的串扰发生的放射微波的传播路径(在本变形例中，为中继基板918中的形成有接地导体图案940a、940c、940d的基板部分)未设置槽。因此，中继基板918能简化加工工序，能容易且廉价地制造。

另外，在中继基板918中，在由2个信号导体图案930夹持而在该信号导体图案930间会产生串扰的2个放射微波(连接点放射微波及传播放射微波)的传播路径(在本变形例中，为形成有接地导体图案940b、940d的基板部分)中，在与具有曲线部分的各个信号导体图案930相邻的位置设有沿着该信号导体图案930的形状而包含直线部分或曲线部分的槽950。

由此，在中继基板918中，能够阻止上述2个放射微波在相邻的信号导体图案930间的中继基板918内传播的情况，并且也能够抑制从信号导体图案930的曲线部分放射的不必要的微波的传播。

此外，在本变形例中，在分别作为一个接地导体图案而构成的接地导体图案940b、940d分别设置2个槽950a、950b及槽950c、950d，但是并不局限于此。例如，将接地导体图案940b在图示左右分割成2个，在该分割的图示右侧的部分形成槽950a，在该分割的图示左侧的部分设置槽950b。同样，可以将接地导体图案940d在图示左右分割成2个，在该分割的图示右侧的部分形成槽950c，在该分割的图示左侧的部分设置槽950d。

〔第二实施方式〕

接下来，说明本发明的第二实施方式。本实施方式是搭载有第一实施方式的光调制器100、及关于第一实施方式的具备第一至第五变形例的中继基板518、618、718、818、918的光调制器100中的任一个光调制器的光发送装置。

图10是表示本实施方式的光发送装置的结构的图。本光发送装置1000具有光调制器1002、使光向光调制器1002入射的光源1004、调制信号生成部1006、调制数据生成部1008。

光调制器1002可以设为上述的第一实施方式的光调制器100、及具备关于第一实施方式的第一至第五变形例的中继基板518、618、718、818、918的光调制器100中的任一个光调制器。在此，为了避免冗长的记载而便于理解，以下，光调制器1002设为具备中继基板118的光调制器100。

调制数据生成部1008接收从外部赋予的发送数据，生成用于发送该发送数据的调制数据(例如，将发送数据转换或加工成规定的数据制式的数据)，将该生成的调制数据向调制信号生成部1006输出。

调制信号生成部1006是输出用于使光调制器1002进行调制动作的电信号的电子电路(驱动电路)，基于调制数据生成部1008输出的调制数据，生成用于使光调制器1002进行符合该调制数据的光调制动作的高频信号即调制信号，向光调制器1002输入。该调制信号由与光调制器1002具备的光调制元件102的4个信号电极112a、112b、112c、112d对应的4个高频电信号构成。

该4个高频电信号从光调制器1002的电连接器116a、116b、116c、116d的各自的信号输入端子124a、124b、124c、124d向中继基板118的信号导体图案330a、330b、330c、330d输入，经由这些信号导体图案330a等，向光调制元件102的信号电极112a、112b、112c、112d输入。

由此，从光源1004输出的光由光调制器1002进行例如DP-QPSK调制，成为调制光而从光发送装置1000输出。

特别是在光发送装置1000中，使用第一实施方式的光调制器100、及具备关于第一实施方式的第一至第五变形例的中继基板518、618、718、818、918的光调制器100中的任一个光调制器作为光调制器1002。因此，在光发送装置1000中，有效地减少对光调制元件102进行驱动的多个高频电信号间的与传输率的高速化相伴的串扰增加，能够确保稳定且良好的光调制特性，因此，能够实现稳定且良好的传输特性。

此外，本发明并不局限于上述实施方式及其变形例的结构，在不脱离其主旨的范围内能够以各种形态实施。

例如，在上述的实施方式及变形例中，在中继基板118的说明中示出的关于槽350的式(1)(2)表示的优选的尺寸的条件关于中继基板518、618、718、818、918中的槽550、650、750、850、950也同样能适用。这种情况下，槽的长度L2被定义作为该槽延伸的长度，因此应留意的是在槽950的例子中，成为沿着由直线或曲线构成的槽950的形状测量的长度。

另外，例如，即使将上述的实施方式及变形例所示的中继基板118、518、618、718、818、918的特征部分组合而构成一个中继基板，也能够得到与上述的各变形例等所示的效果同样的效果。例如，可以设为分别具有与槽350、550、650、750、850、950同样的结构的多个槽混杂于多个接地导体图案，在形成于表面418e的至少一个接地导体图案上分别设置至少一个的情况。

或者，可以在中继基板618、718、918中，在槽650、750、950的内表面整体设置金属膜并在背面418f设置金属膜，且设置于中继基板818同样的导孔。而且，或者，可以在中继基板618中，与中继基板718同样地槽650的深度呈阶梯状或连续地变化。这种情况下，槽650例如在未到达背面418f的范围内，可以构成为其深度呈阶梯状或连续地变化。

如以上说明所述，上述的光调制器100具备：光调制元件102，具备多个信号电极112；多个信号输入端子124，输入向各个信号电极112施加的电信号；及中继基板118，形成有将各个信号输入端子124与各个信号电极112电连接的多个信号导体图案330及多个接地导体图案340。而且，光调制器100具备收容上述光调制元件102和中继基板118的外壳104。在中继基板118的来自信号输入端子124的电信号向信号导体图案330输入的信号输入边418a处，信号输入端子124以从该信号输入边418a延伸到信号导体图案330上的方式配置。中继基板118在形成有信号导体图案330的表面418e中，在形成于相邻的信号导体图案330之间的至少一个接地导体图案340具有从信号输入边418a延伸的至少一个槽350。并且，槽350形成为从信号输入边418a延伸的长度比信号输入端子124从信号输入边418a延伸的长度长。

根据该结构，通过设置于中继基板118的槽350，抑制伴随着高频信号的传播而从输入连接点附近的信号导体图案330产生的放射模式(传播放射微波)、及伴随着信号输入端子124与信号导体图案330的连接点处的异种模式转换而产生的放射模式(连接点放射微波)这2个放射微波在中继基板118内传播的情况，能够抑制相邻的信号导体图案330间的高频能量的交接的发生。即，在光调制器100中，通过设置于中继基板118的简单的结构的槽350来抑制上述高频能量的交接，因此不会违反光调制器100的小型化的要求，不会伴随成本的增加，并且，能够确保制造容易性，并有效地抑制与传输率的高速化相伴的信号导体图案330间的串扰增加，能够实现良好的光调制特性。

另外，光调制器100可以使用设有与槽350不同的槽650的中继基板618。槽650以延伸至中继基板118的信号输出边418c的方式形成，该信号输出边418c是电信号从信号导体图案330向光调制元件102的信号电极112输出的边。

根据该结构，从信号导体图案330的长度方向的各部产生的传播放射微波的向中继基板618内部的传播通过槽650从信号输入边418a至信号输出边418c连续抑制。因此，与中继基板118相比，能进一步减少信号导体图案330间的高频能量的交接。而且，通过这样从信号输入边418a至信号输出边418c形成槽650，中继基板618能简化构造，因此制造变得容易。

另外，在光调制器100可以使用设有与槽350不同的槽750的中继基板718。槽750形成为信号输入边418a处的从中继基板718的表面418e测量的槽750的端部的深度比在该槽750的另一个端部处从表面418e测量的该槽750的深度深。

根据该结构，槽750的深度形成为随着从信号输入边418a分离而变浅，因此以槽750的存在为起因而产生的信号导体图案330的传播模式的紊乱随着靠近信号输出边418c而减少。而且，传播模式的紊乱大的部分对应于槽750形成得更深的部分，因此该紊乱大而传播放射微波较多地产生的部分通过更深的槽部分能有效地抑制其传播。因此，在中继基板718中，将以槽750的存在为起因的信号导体图案330的传播模式的紊乱随着靠近信号输出边418c而顺畅地解消，并能够将经由连接点放射微波及传播放射微波的信号导体图案330间的高频能量交接沿着信号导体图案330的长度方向抑制成一定水平以下。

另外，在中继基板718中，槽750能够形成为从中继基板718的表面418e测量的深度随着从槽750的上述另一个端部靠近信号输入边418a而呈阶梯状或连续地变深。根据该结构，能够以简单的结构形成深度变化的槽。

另外，在中继基板718中，槽750在信号输入边418a处形成至与中继基板718的表面418e相对的背面418f，或者在距信号输入边418a为规定距离L3的范围内形成至与中继基板718的表面418e相对的背面418f。

根据该结构，在连接点放射微波及传播放射微波最容易产生的信号输入边418a或其附近，能够强化对于该连接点放射微波及传播放射微波的在中继基板718内的传播抑制效果。

另外，可以在中继基板118、618、718、918的槽350、650、750、950的内侧面形成有金属膜。根据该结构，能够强化由这些槽产生的在上述中继基板内的连接点放射微波及传播放射微波的传播抑制效果。

另外，在中继基板118、618、718、918的槽350、650、750、950，可以还在它们的底面形成有金属膜。根据该结构，能够抑制在上述中继基板内传播的连接点放射微波及传播放射微波从这些槽的底面向空中的放射，能够进一步提高信号导体图案330间的串扰抑制效果。

另外，光调制器100可以使用设有与槽350不同的槽850的中继基板818。在中继基板818的与表面418e相对的背面418f形成有接地用导体840，在槽850的底面形成有将该底面的金属膜与中继基板818的背面418f的接地用导体840连接的导孔860。

根据该结构，由于形成有将槽850的底面的金属膜与中继基板818的背面418f的接地用导体840连接的导孔860，因此能够进一步阻止上述的连接点放射微波及传播放射微波中的在槽850的下方穿过而要在中继基板818的内部传播的放射微波。因此，在中继基板818中，能够进一步抑制经由连接点放射微波及传播放射微波的信号导体图案330间的高频能量交接。

另外，光调制器100可以使用设有与槽350不同的槽550的中继基板518。槽550未延伸至中继基板518的电信号从信号导体图案330向光调制元件102的信号电极112输出的信号输出边418c，该槽550的整体贯通至中继基板518的与表面418e相对的背面418f地形成。

根据该结构，槽550的各自的整体贯通至中继基板518的与表面418e相对的背面418f，因此能进一步抑制在输入连接点及其附近产生的连接点放射微波及传播放射微波的在中继基板518内部的传播。

另外，中继基板518在从表面418e贯通至背面418f形成的槽550，还在其内侧面形成有金属膜。根据该结构，由于在槽550的内侧面形成有金属膜，因此能进一步强化连接点放射微波及传播放射微波的传播抑制效果，因此能进一步强化经由上述的放射微波的信号导体图案330间的高频能量交接的减少效果。

另外，在光调制器100的中继基板118、518、618、718、818、918中，槽350、550、650、750、850、950以从信号输入边418a延伸的长度L2比沿着与延伸的方向正交的方向测量的宽度W长的方式形成。根据该结构，能够有效地抑制伴随着高频信号的传播而从信号导体图案330的长度方向的各部产生的连接点放射微波及传播放射微波在上述中继基板的内部的传播。

另外，具备上述的中继基板118、518、618、718、818、918中的任一个的光调制器100与输出用于使该光调制器100进行调制动作的电信号的电子电路即调制信号生成部1006等一起构成光发送装置1000。根据该结构，能够进一步减少与传输率的高速化相伴的对光调制元件102进行驱动的多个高频电信号间的串扰，能够实现稳定且良好的传输特性。

Claims (11)

1.一种光调制器，具备：

光调制元件，具备多个信号电极；

多个信号输入端子，输入向各个所述信号电极施加的电信号；

中继基板，形成有将各个所述信号输入端子与各个所述信号电极电连接的多个信号导体图案及多个接地导体图案；及

外壳，收容所述光调制元件及所述中继基板，其中，

在所述中继基板的信号输入边，所述信号输入端子以从该信号输入边延伸到所述信号导体图案上的方式配置，所述信号输入边是来自所述信号输入端子的电信号向所述信号导体图案输入的边，

所述中继基板中，在形成有所述信号导体图案的表面上，在形成于相邻的所述信号导体图案之间的至少一个所述接地导体图案具有从所述信号输入边延伸的至少一个槽，

所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比所述信号输入端子从所述信号输入边延伸的长度长。

2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述槽延伸至所述中继基板的信号输出边，所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。

3.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述槽形成为所述信号输入边处的从所述表面测量的所述槽的端部的深度比在所述槽的另一个端部处从所述表面测量的槽的深度深。

4.根据权利要求3所述的光调制器，其中，

所述槽形成为从所述表面测量的深度随着从所述槽的另一个端部靠近所述信号输入边而呈阶梯状或连续地变深。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的光调制器，其中，

所述槽在所述信号输入边形成至所述中继基板的与所述表面相对的背面，或者在距所述信号输入边为规定距离的范围内形成至所述中继基板的与所述表面相对的背面。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的光调制器，其中，

在所述槽的内侧面、或者在所述槽的内侧面和底面形成有金属膜。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的光调制器，其中，

在所述槽的内侧面及底面形成有金属膜，

在所述中继基板的与所述表面相对的背面形成有接地用导体，

在所述槽的所述底面形成有将该底面的所述金属膜与所述背面的所述接地用导体连接的导孔。

8.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述槽未延伸至所述中继基板的信号输出边，且该槽的整体贯通至所述中继基板的与所述表面相对的背面地形成，所述信号输出边是电信号从所述信号导体图案向所述光调制元件的所述信号电极输出的边。

9.根据权利要求8所述的光调制器，其中，

在所述槽的内侧面形成有金属膜。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的光调制器，其中，

所述槽形成为从所述信号输入边延伸的长度比沿着与该延伸的方向正交的方向测量的宽度长。

11.一种光发送装置，具备：

权利要求1～10中任一项所述的光调制器；及

电子电路，输出用于使该光调制器进行调制动作的电信号。

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