CN111727496B - 检查装置及检查装置的动作方法 - Google Patents

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Abstract

一种检查装置，其能够对被检查体进行高温检查及低温检查，所述检查装置包括：检查室，进行所述被检查体的检查；干空气供给部，经由第一阀与所述检查室连接，并向所述检查室内供给干空气；露点计，经由第二阀与所述检查室连接，并对所述检查室内的露点进行测定；以及旁通配管，经由第三阀将所述干空气供给部与所述露点计连接。

Description

检查装置及检查装置的动作方法
技术领域
本发明涉及一种检查装置及检查装置的动作方法。
背景技术
传统上，已知一种具有探针器(prober)室的检查装置，该探针器室将被放置在载置台上的被检查体调节至低温区域的预定温度，以对被检查体进行电特性检查(例如参见专利文献1)。在该检查装置中，为了不在探针器室内产生结露，通过持续地向探针器室内供给干空气，并利用在探针器室内设置的露点计对探针器室内的露点进行监视，从而将探针器室内维持在适合低温检查的露点。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1：(日本)特开2010-87090号公报
发明内容
<本发明要解决的问题>
然而，在上述装置中，由于持续地向探针器室内供给干空气，因此干空气的消耗量较多。
因此，本发明的一个实施方式的目的在于提供一种检查装置，其能够抑制干空气的消耗量。
<用于解决问题的手段>
为了实现上述目的，在本发明的一个实施方式中，提供一种检查装置，其能够对被检查体进行高温检查及低温检查，所述检查装置包括：检查室，进行所述被检查体的检查；干空气供给部，经由第一阀与所述检查室连接，并向所述检查室内供给干空气；露点计，经由第二阀与所述检查室连接，并对所述检查室内的露点进行测定；以及旁通配管，经由第三阀将所述干空气供给部与所述露点计连接。
<发明的效果>
根据公开的检查装置，能够抑制干空气的消耗量。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施方式的探针器装置的一个示例的概要图。
图2是进行常温或高温检查时的探针器装置的状态的说明图。
图3是从常温或高温检查切换至低温检查时的探针器装置的状态的说明图。
图4是进行低温检查时的探针器装置的状态的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，在本说明书及附图中，对于实质上相同的构成赋予相同的符号并省略重复的说明。
[探针器装置]
以探针器装置为例对根据本发明的实施方式的检查装置进行说明。图1是示出根据本发明的实施方式的探针器装置的一个示例的概要图。
如图1所示，根据本发明的实施方式的探针器装置1具有检查室10、干空气供给部20、露点计30、旁通配管40、以及控制装置100。
检查室10是在内部收容作为被检查体的半导体晶圆，以对半导体晶圆进行电特性检查的腔室。检查室10具有保持气密的构造。电特性检查包括低温检查、常温检查及高温检查。低温检查是指将检查室10内的温度调节至小于20℃的温度(例如-60℃或-70℃的低温)以对半导体晶圆的电特性进行测定的检查。常温检查是指将检查室10内的温度调节至20℃以上且小于50℃的温度以对半导体晶圆的电特性进行测定的检查。高温检查是指将检查室10内的温度调节至50℃以上的温度以对半导体晶圆的电特性进行测定的检查。
在检查室10内设置有用于放置半导体晶圆的载置台、布置在载置台上方且具有多个探针(probe)的探针卡、以及进行载置台上的半导体晶圆的多个电极垫与多个探针的对准的对准机构。检查室10被构成为：在控制装置100的控制下，载置台和对准机构协同作用，并进行半导体晶圆的多个电极垫与探针卡的多个探针的对准之后，进行半导体晶圆的各器件的电特性检查。
干空气供给部20经由配管22与检查室10连接，并向检查室10内供给干空气。在配管22上插设有作为第一阀的阀V1。阀V1例如是电磁阀，通过控制装置100来控制开闭动作。例如，当阀V1被控制为开启状态时，干空气供给部20与检查室10内连通，干空气从干空气供给部20被供给至检查室10内。另一方面，当阀V1被控制为关闭状态时，干空气供给部20与检查室10内之间的连通被阻断，干空气从干空气供给部20向检查室10内的供给被停止。
露点计30经由配管32与检查室10连接，并对检查室10内的露点进行测定。在配管32上插设有作为第二阀的阀V2。阀V2例如是电磁阀，通过控制装置100来控制开闭动作。例如，当阀V2被控制为开启状态时，露点计30与检查室10内连通，检查室10内的气体被供给至露点计30，因此能够利用露点计30对检查室10内的露点进行测定。另一方面，当阀V2被控制为关闭状态时，露点计30与检查室10内之间的连通被阻断，气体从检查室10内向露点计30的供给被停止。露点计30例如可以是电容式露点计、镜面冷却式露点计。
旁通配管40是不经由检查室10而将干空气供给部20与露点计30直接连接的旁通管线。旁通配管40例如具有比配管22及配管32小的直径。在旁通配管40上插设有作为第三阀的阀V3。阀V3例如是电磁阀，通过控制装置100来控制开闭动作。例如，当阀V3被控制为开启状态时，干空气供给部20与露点计30连通，干空气以不经由检查室10的方式从干空气供给部20被供给至露点计30。另一方面，当阀V3被控制为关闭状态时，干空气供给部20与露点计30之间的连通被阻断，干空气从干空气供给部20向露点计30的供给被停止。
控制装置100对探针器装置1的各部的动作进行控制。例如，控制装置100根据在检查室10内对半导体晶圆进行的检查的种类(例如低温检查、常温检查、高温检查)对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。具体地，例如在检查室10内对半导体晶圆进行常温检查或高温检查的情况下，不会在检查室10内产生结露。由此，控制装置100以不从干空气供给部20向检查室10内供给干空气，而是从干空气供给部20经由旁通配管40向露点计30供给干空气的方式，对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。另外，例如在从在检查室10内能够对半导体晶圆进行常温检查或高温检查的状态切换至能够进行低温检查的情况下，以向检查室10内供给干空气直到检查室10内的露点稳定至在检查室10内不产生结露的程度为止，并在检查室10内的露点稳定之后，向与检查室10连接的露点计30供给被供给至检查室10内的干空气的方式，对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。另外，例如在检查室10内对半导体晶圆进行低温检查的情况下，控制装置100以从干空气供给部20经由检查室10内向露点计30供给干空气的方式，对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。
需要说明的是，虽然在图1中以在配管22、配管32及旁通配管40上分别插设阀V1、V2、V3的情况为例进行了说明，但是例如也可以利用一个阀来构成阀V2、V3。在以一个阀来构成两个阀的情况下，例如可以使用三通阀。
[探针器装置的动作]
对根据本发明的实施方式的探针器装置1的动作的一个示例进行说明。下述的探针器装置1的动作是通过控制装置100来控制。
首先，参照图2，对在外部气体露点为+8.0℃的环境下在检查室10内进行常温检查或高温检查的情况进行说明。需要说明的是，从干空气供给部20被供给的干空气的露点例如为-75℃。图2是进行常温或高温检查时的探针器装置1的状态的说明图。
在检查室10内对半导体晶圆进行常温检查或高温检查的情况下，控制装置100以不从干空气供给部20向检查室10内供给干空气，而是从干空气供给部20经由旁通配管40向露点计30供给干空气的方式，对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。在本实施方式中，控制装置100将阀V1控制为关闭状态，将阀V2控制为关闭状态，将阀V3控制为开启状态。由此，干空气供给部20与检查室10内之间的连通被阻断，检查室10内与露点计30之间的连通被阻断，干空气供给部20与露点计30之间连通。因此，干空气以不经由检查室10内而是经由旁通配管40的方式从干空气供给部20被供给至露点计30(参见图2的箭头A3)。
此时，由于旁通配管40的容量与检查室10的容量相比较小，因此能够抑制干空气的消耗量。另外，由于向露点计30从干空气供给部20持续地供给露点较低(例如-75℃)的干空气，因此露点计30维持干燥状态。另一方面，由于在检查室10内未从干空气供给部20供给干空气，因此检查室10内的露点随着时间的经过因自然泄漏等而逐渐变高，有时会达到外部气体露点。即使在此情况下，也由于进行常温检查或高温检查时的检查室10内的温度高于外部气体露点，因此能够以不使检查室10内结露的方式进行检查。
接着，参照图3及图4，对在外部气体露点为+8.0℃的环境下从在检查室10内能够对半导体晶圆进行常温检查或高温检查的状态切换至能够进行低温检查的状态的情况进行说明。另外，从干空气供给部20被供给的干空气的露点例如为-75℃。图3是从常温或高温检查切换至低温检查时的探针器装置1的状态的说明图。
在从在检查室10内能够对半导体晶圆进行常温检查或高温检查的状态切换至能够进行低温检查的状态的情况下，控制装置100向检查室10内供给干空气直到检查室10内的露点稳定至在检查室10内不产生结露的程度为止。在检查室10内的露点稳定之后，控制装置100以向与检查室10连接的露点计30供给被供给至检查室10内的干空气的方式，对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。在本实施方式中，首先，控制装置100在将阀V2维持在关闭状态并将阀V3维持在开启状态的状态下，将阀V1从关闭状态切换至开启状态。由此，在干空气从干空气供给部20经由旁通配管40被供给至露点计30的状态下(参见图3的箭头A3)，干空气从干空气供给部20被供给至检查室10内(参见图3的箭头A1)。接着，在检查室10内的露点稳定之后，控制装置100将阀V2切换至开启状态，将阀V3切换至关闭状态。由此，从干空气供给部20被供给至检查室10内的干空气被供给至露点计30(参见图4的箭头A1、A2)。关于检查室10内的露点是否稳定，例如可以基于自将阀V1从关闭状态切换至开启状态起是否经过了预定时间来判断。预定时间例如可以通过预先计算出自将阀V1从关闭状态切换至开启状态起的经过时间与检查室10内的露点的关系来决定。另外，关于检查室10内的露点是否稳定，也可以除了露点计30以外另外设置能够对检查室10内的露点进行测定的露点计，并基于利用该另外设置的露点计所测定出的露点来判断。
这样一来，由于在检查室10内的露点稳定之后将检查室10内的干空气供给至露点计30，因此能够抑制当从能够进行常温检查或高温检查的状态切换至能够进行低温检查的状态时露点计30结露的情况。
接着，参照图4，对在外部气体露点为+8.0℃的环境下在检查室10内进行低温检查的情况进行说明。另外，从干空气供给部20被供给的干空气的露点例如为-75℃。图4是进行低温检查时的探针器装置1的状态的说明图。
在检查室10内对半导体晶圆进行低温检查的情况下，控制装置100以从干空气供给部20经由检查室10内向露点计30供给干空气的方式，对阀V1、V2、V3的开闭动作进行控制。在本实施方式中，控制装置100将阀V1控制为开启状态，将阀V2控制为开启状态，将阀V3控制为关闭状态。由此，干空气从干空气供给部20被供给至检查室10内(参见图4的箭头A1)，检查室10内的干空气被供给至露点计30(参见图4的箭头A2)。因此，能够通过露点计30对检查室10内的露点进行测定。
另外，作为露点计30，从便宜且尺寸小的理由来看，多数情况下使用电容式露点计。然而，电容式露点计具有因其测定原理而容易引起水分附着、且难以进行分离的特性，因此在对高露点(例如+20℃)的气体进行测定之后对低露点(例如-50℃)的气体进行测定的情况下，至能够测定出正确的露点为止需要较长的时间(例如数日)。
然而，在本发明的实施方式中，不仅在进行低温检查的情况下，即使在进行常温检查或高温检查的情况下，也会持续地向露点计30供给低露点的干空气。因此，即使在使用电容式露点计的情况下，也能够从在检查室10内能够对半导体晶圆进行常温检查或高温检查的状态切换至能够进行低温检查的状态之后，在短时间内进行低温检查。
如上所述，在根据本发明的实施方式的检查装置中，露点计30经由插设有阀V2的配管32与检查室10连接，并且经由插设有阀V3的旁通配管40与干空气供给部20连接。由此，在进行常温检查或高温检查的情况下，通过经由旁通配管40向露点计30持续地供给干空气，从而能够使露点计30为待机状态，并且能够仅在进行低温测定的情况下向检查室10内供给干空气。在传统的装置中，由于即使在进行常温检查或高温检查的情况下也向检查室10供给干空气，并且经由配管32向露点计30供给干空气并将露点计30设为待机状态，因此会消耗大量的干空气，然而，在根据本发明的实施方式的检查装置中，能够大幅地抑制干空气的消耗量。
虽然以上对本发明的实施方式进行了说明，但是上述内容不对发明的内容进行限定，可以在本发明的范围内进行各种变形及改善。
本国际申请以2018年2月26日提交的日本发明专利申请第2018-032363号作为要求优先权的基础，本国际申请援引该申请的全部内容。
符号说明
1 探针器装置，
10 检查室，
20 干空气供给部，
22 配管，
30 露点计，
32 配管，
40 旁通配管，
100 控制装置，
V1 阀，
V2 阀，
V3 阀。

Claims (5)

1.一种检查装置，其能够对被检查体进行高温检查及低温检查，所述检查装置包括：
检查室，进行所述被检查体的检查；
干空气供给部，经由第一阀与所述检查室连接，并向所述检查室内供给干空气；
露点计，经由第二阀与所述检查室连接，并对所述检查室内的露点进行测定；
旁通配管，经由第三阀将所述干空气供给部与所述露点计连接；以及
控制装置，根据在所述检查室中对所述被检查体进行的检查的种类，对所述第一阀、所述第二阀及所述第三阀的开闭动作进行控制。
2.根据权利要求1所述的检查装置，其中，
在所述检查室中对所述被检查体进行高温检查的情况下，所述控制装置以不从所述干空气供给部向所述检查室内供给干空气，而是从所述干空气供给部经由所述旁通配管向所述露点计供给干空气的方式，对所述第一阀、所述第二阀及所述第三阀的开闭动作进行控制。
3.根据权利要求1所述的检查装置，其中，
在所述检查室中对所述被检查体进行低温检查的情况下，所述控制装置以从所述干空气供给部经由所述检查室内向所述露点计供给干空气的方式，对所述第一阀、所述第二阀及所述第三阀的开闭动作进行控制。
4.根据权利要求1所述的检查装置，其中，
在从在所述检查室中能够对所述被检查体进行高温检查的状态切换至能够进行低温检查的状态的情况下，所述控制装置以向所述检查室内供给干空气直到所述检查室内的露点稳定至在所述检查室内不产生结露的程度为止，并在所述检查室的露点稳定之后，向与所述检查室连接的露点计供给被供给至所述检查室内的所述干空气的方式，对所述第一阀、所述第二阀及所述第三阀的开闭动作进行控制。
5.一种检查装置的动作方法，所述检查装置具有：进行被检查体的检查的检查室；与所述检查室连接并向所述检查室内供给干空气的干空气供给部；与所述检查室连接并对所述检查室内的露点进行测定的露点计；以及将所述干空气供给部与所述露点计连接的旁通配管，其中，
在对所述被检查体进行高温检查的情况下，不从所述干空气供给部向所述检查室供给干空气，而是从所述干空气供给部经由所述旁通配管向所述露点计供给干空气，
在从对所述被检查体进行所述高温检查的状态切换至进行低温检查的状态的情况下，向所述检查室内供给干空气直到所述检查室内的露点稳定至在所述检查室内不产生结露的程度为止，并在所述检查室的露点稳定之后，向与所述检查室连接的露点计供给被供给至所述检查室内的所述干空气，
在所述检查室中对所述被检查体进行所述低温检查的情况下，从所述干空气供给部经由所述检查室内向所述露点计供给干空气。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220080393A (ko) 2020-12-07 2022-06-14 삼성전자주식회사 테스트 장치 및 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298225A (ja) * 1996-05-09 1997-11-18 Tokyo Electron Ltd 低温試験装置
JP2000097890A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Sony Corp ガス中の水分量測定装置およびクライオポンプ再生終了時の検知方法
JP2000294606A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Nec Corp 半導体ウエハの検査装置
TW200300993A (en) * 2001-12-13 2003-06-16 Tokyo Electron Ltd Probe system
CN1647246A (zh) * 2002-04-15 2005-07-27 Ers电子有限公司 调节半导体晶片和/或混合波导联结的方法和装置
KR100789699B1 (ko) * 2006-10-10 2008-01-02 (주) 쎄믹스 고온 및 저온의 테스트 가능한 웨이퍼 프로버 장치
CN101132113A (zh) * 2004-05-26 2008-02-27 夏普株式会社 氮化物半导体激光器件
JP2010087090A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
CN104699147A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 金汉一 干燥室的露点温度控制装置及方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231777A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Orion Mach Co Ltd 半導体ウェーハ用検査装置
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
JP2004273967A (ja) * 2003-03-12 2004-09-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd チャンバ温度制御方式
JP4653588B2 (ja) * 2005-08-12 2011-03-16 株式会社オーク製作所 露光装置および露光方法
JP4867786B2 (ja) * 2007-05-18 2012-02-01 株式会社日立プラントテクノロジー 低露点圧縮空気製造装置
JP2009105339A (ja) * 2007-10-25 2009-05-14 Mitsumi Electric Co Ltd 検査装置及び検査方法
KR20130032647A (ko) * 2011-09-23 2013-04-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 테스트 장치
US9389129B2 (en) * 2011-11-25 2016-07-12 Kamal Mahajan Device feedback sensor testing methodology for humidity and temperature probes
US9267875B2 (en) * 2013-11-21 2016-02-23 Medtronic Minimed, Inc. Accelerated life testing device and method
JP6500498B2 (ja) * 2015-02-27 2019-04-17 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室及び搬送室のケミカルフィルタの湿度管理方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298225A (ja) * 1996-05-09 1997-11-18 Tokyo Electron Ltd 低温試験装置
JP2000097890A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Sony Corp ガス中の水分量測定装置およびクライオポンプ再生終了時の検知方法
JP2000294606A (ja) * 1999-04-07 2000-10-20 Nec Corp 半導体ウエハの検査装置
TW200300993A (en) * 2001-12-13 2003-06-16 Tokyo Electron Ltd Probe system
CN1647246A (zh) * 2002-04-15 2005-07-27 Ers电子有限公司 调节半导体晶片和/或混合波导联结的方法和装置
CN101132113A (zh) * 2004-05-26 2008-02-27 夏普株式会社 氮化物半导体激光器件
KR100789699B1 (ko) * 2006-10-10 2008-01-02 (주) 쎄믹스 고온 및 저온의 테스트 가능한 웨이퍼 프로버 장치
JP2010087090A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
CN101714517A (zh) * 2008-09-30 2010-05-26 东京毅力科创株式会社 检查装置和检查方法
CN104699147A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 金汉一 干燥室的露点温度控制装置及方法

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