JPH09298225A - 低温試験装置 - Google Patents

低温試験装置

Info

Publication number
JPH09298225A
JPH09298225A JP13941196A JP13941196A JPH09298225A JP H09298225 A JPH09298225 A JP H09298225A JP 13941196 A JP13941196 A JP 13941196A JP 13941196 A JP13941196 A JP 13941196A JP H09298225 A JPH09298225 A JP H09298225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dew point
temperature
low
air
test
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP13941196A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3435410B2 (ja
Inventor
Minoru Tanoguchi
稔 田ノ口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP13941196A priority Critical patent/JP3435410B2/ja
Publication of JPH09298225A publication Critical patent/JPH09298225A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3435410B2 publication Critical patent/JP3435410B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 出荷時点で所定の低温下でメインチャック近
傍の露点を測定し、結露しないことを確認しているが、
ユーザー側に装置を引き渡した後はその低温試験性能を
チェックしていないため、低温試験を実施する際に装置
本体内の空気の露点が引き渡し時に設定した露点から変
動し、上昇メインチャックや被試験体に空気中の水分が
結露し、着霜することがあるので、このような結露や着
霜を未然に防止する。 【解決手段】 本プローブ装置1は、装置本体14内の
メインチャック9を所定の設定温度に冷却すると共に装
置本体14内に冷却空気を供給し、メインチャック9上
に載置された半導体ウエハWを所定の低温(例えば−1
0℃)下で電気的試験を行う場合、装置本体14内の乾
燥空気の露点を監視する露点監視装置23を設けると共
に、この露点監視装置23を介して乾燥空気の流量及び
メインチャック9の温度を制御し、メインチャック9で
の結露を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、氷点下の低温領域
で半導体ウエハ等の被試験体の電気的試験を行う低温試
験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の試験装置、例えばプロー
ブ装置は、半導体ウエハを搬送するローダ部と、ローダ
部から引き渡された半導体ウエハの電気的試験を行うプ
ローバ部とを備えて構成されている。上記ローダ部に
は、半導体ウエハをカセット単位で載置するカセット載
置部と、半導体ウエハをローダ部へ搬送するピンセット
と、ピンセットを介して半導体ウエハを搬送する過程で
そのオリフラを基準にして半導体ウエハの向きを合わせ
てプリアライメントするサブチャックとが配設されてい
る。更に、プローバ部にはピンセットからプリアライメ
ント後の半導体ウエハを受け取って載置するメインチャ
ックと、メインチャック上の半導体ウエハを正確に位置
合わせするアライメント機構と、位置合わせ後の半導体
ウエハの電極パッドと電気的に接触するプローブ針を有
するプローブカードとが配設されている。
【0003】また、上記プローバ部にはテストヘッドが
旋回可能に配設され、このテストヘッドがプローブカー
ドと電気的に接続され、テスタからの信号をテストヘッ
ド及びプローブカードを介して半導体ウエハの電極パッ
ドへ送信し、半導体ウエハに形成されたICチップの電
気的試験を行うようにしてある。
【0004】ところで、ICチップはその製品によって
はあらゆる気象条件下で使用されることを勘案する必要
がある。例えば−数10℃〜+150℃程度の厳しい温
度条件下で使用されるICチップがある。このようなI
Cチップは半導体ウエハに形成された段階で上述した厳
しい温度条件下で電気的試験を行い、不良品をスクリー
ニングするようにしている。このような温度条件下で試
験を行う場合には、プローブ装置の本体内で上述のよう
な低温領域あるいは高温領域の試験環境を作る必要があ
る。
【0005】高温領域で試験を行う場合には、プローブ
装置本体内のメインチャックを所定の設定温度に加熱
し、メインチャック上に載置された半導体ウエハをその
設定温度に加熱した状態で電気的試験を行うようにして
いる。また、低温領域で試験を行う場合には、装置本体
内のメインチャックを所定の設定温度に冷却し、メイン
チャック上に載置された半導体ウエハをその設定温度に
冷却した状態で電気的試験を行うようにしている。そし
て、プローブ装置をメーカー側からユーザー側へ引き渡
す時には、高温下あるいは低温下での検査機能を発揮す
るか否かの性能試験を行った後引き渡すようにしてい
る。特に、低温試験の場合にはメインチャック上での結
露が問題になるため、メーカー側からの出荷時点で、所
定の設定冷却温度におけるメインチャックの露点を熱電
対などの露点センサを用いて測定し、試験中にメインチ
ャックや半導体ウエハで結露を起こさないことを確認し
た後、プローブ装置を出荷するようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特に従
来の低温試験装置の場合には、上述のように出荷時点で
所定の低温下でメインチャック近傍の露点を測定し、メ
インチャックに結露しないことを確認し、そのままユー
ザー側へ引き渡すようにしているが、ユーザー側に装置
を引き渡した後はその低温試験性能をチェックしていな
いのが現状である。そのため、例えばユーザー側の受入
検査などで装置本体の一部を分解し、再組み立てした時
に、装置本体の一部の装着漏れ等の人為的なミス、ある
いは低温試験時の供給空気の湿度変動等により工場出荷
時に設定された試験条件とは違った試験環境ができ、低
温試験を実施する際に装置本体内の空気の露点が引き渡
し時に設定した露点から変動してしまい、特に露点がメ
インチャックの設定温度よりも上昇した場合にはメイン
チャックや被試験体に空気中の水分が結露し、着霜する
という課題があった。
【0007】また、従来の低温試験装置の場合には、上
述の課題の他に、メインチャックの冷却温度に対して低
露点の空気の供給流量が適合しているか否か、換言すれ
ばその低露点の空気で乾燥された装置本体内の湿度がメ
インチャックの露点以下の湿度になっているか否かを確
認する術がなく、試験の開始時期の判断はオペレータの
経験と勘に頼らざるを得ないという課題があった。ま
た、プローブ装置の本体内での結露を確実に防止するた
めに、装置本体内へ本来必要な流量よりも多くの低露点
の空気を供給し、装置本体内をメインチャックの露点以
下の湿度まで十分に下げなくてはならないという課題が
あった。
【0008】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、装置本体内の低露点の乾燥状態が変動した
り、低露点の空気の供給条件が変動しても載置台及び被
試験体に着霜することなく、被試験体の電気的試験を確
実に行うことができると共に所定の低温試験環境下で自
動的に低温試験を開始することができ、しかも低露点の
空気を節約することができる低温試験装置を提供するこ
とを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の低温試験装置は、装置本体内の載置台を所定の設定温
度に冷却すると共に上記装置本体内に低露点の空気を供
給し、上記載置台上に載置された被試験体を所定の低温
下で電気的試験を行う低温試験装置において、上記装置
本体内の空気の露点を監視する露点監視装置を設けると
共に、この露点監視装置を介して上記低露点の空気の供
給流量及び上記載置台の温度を制御し、上記載置台での
結露を防止することを特徴とするものである。
【0010】また、本発明の請求項2に記載の低温試験
装置は、装置本体内の載置台を所定の設定温度に冷却す
ると共に上記装置本体内に低露点の空気を供給し、上記
載置台上に載置された被試験体を所定の低温下で電気的
試験を行う低温試験装置において、上記装置本体内の空
気の露点を監視する露点監視装置を設けると共に、この
露点監視装置を介して上記低露点の空気の供給流量を制
御して上記装置本体内を少なくとも所定の低露点状態ま
で乾燥した後、上記載置台を所定の設定温度まで冷却
し、上記載置台での結露を防止することを特徴とするも
のである。
【0011】また、本発明の請求項3に記載の低温試験
装置は、請求項1または請求項2に記載の発明におい
て、上記露点監視装置は、上記載置台近傍の空気の露点
を検出する露点検出手段と、上記載置台の温度を検出す
る温度検出手段と、これら両者の検出信号を比較して上
記低露点の空気の供給流量及び上記載置台の温度を制御
する制御手段とを備えたことを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図4に示すプローブ
装置を例に挙げて本発明の一実施形態について説明す
る。本実施形態のプローブ装置1は、例えば図1、図2
に示すように、カセットC内に収納された半導体ウエハ
Wを載置するカセット載置部2及びこのカセット載置部
2の半導体ウエハWを搬送するピンセット3を備えたロ
ーダ部4と、このローダ部4のピンセット3を介して搬
送された半導体ウエハWの低温試験を行なうプローバ部
5と、このプローバ部5及びローダ部4を制御する制御
装置6と、この制御装置6を操作する操作パネルを兼ね
る表示装置7とを備えて構成されている。
【0013】また、上記ローダ部4にはオリフラを基準
にして半導体ウエハWをプリアライメントするサブチャ
ック8が配設されている。従って、ピンセット3はカセ
ットCから半導体ウエハWを搬送し、サブチャック8上
で半導体ウエハWをプリアライメントした後、プローバ
部5へ半導体ウエハWを搬送するようにしてある。
【0014】また、プローバ部5には、半導体ウエハW
を真空吸着して載置するメインチャック9と、このメイ
ンチャック9をX、Y、Z及びθ方向へ移動させる駆動
機構10と、この駆動機構10を駆動させてメインチャ
ック9上の半導体ウエハWを位置合わせするアライメン
ト機構11と、アライメント機構を介して位置合わせさ
れた半導体ウエハWと電気的に接触する複数のプローブ
針12Aを有するプローブカード12とが配設されてい
る。また、プローバ部5の上方にはテストヘッド13が
旋回可能に配設され、旋回によりプローバ部5上に位置
したテストヘッド13を介してプローブカード12のプ
ローブ針12Aとメインチャック9上の半導体ウエハW
のICチップの電極パッドとを電気的に接触させて順次
ICチップの電気的試験を行うようにしてある。
【0015】ところで、半導体ウエハWの低温試験は、
低露点の空気により乾燥された装置本体14内でメイン
チャック9を所定の試験温度(例えば−10℃)まで冷
却して行われる。そして、本プローブ装置1は、このよ
うな低温下でもメインチャック9に空気中の水分が結
露、着霜せず、半導体ウエハWの低温試験を確実に行え
るようにしてある。
【0016】即ち、図1に示すように本プローブ装置1
の装置本体14には空気配管15を介して低露点の空気
の空気供給源16が接続され、この空気供給源16から
装置本体14内へ例えば露点が−70℃の低露点に調整
された空気を供給するようにしてある。この空気配管1
5には例えば上流側から下流側に向けてドライヤー17
及び流量調整弁18が順次配設され、低温試験の温度に
応じてドライヤー17により低露点の空気を更に除湿、
乾燥すると共に、流量調整弁18により低露点の空気の
供給流量を調整するようにしてある。
【0017】一方、上記メインチャック9には図3に示
すように冷却装置19とペルチエ素子20が付設され、
低温試験を実施する場合にはペルチエ素子20によりメ
インチャック9の平板状のチャックトップ9Aを冷却す
ると共に冷却装置19によりメインチャック9の裏面側
を冷却し、高温試験を実施する場合などにはペルチエ素
子20に冷却時とは逆方向に電流を流してチャックトッ
プ9Aを加熱するようにしてある。
【0018】上記冷却装置19は、例えば図3に示すよ
うに、チャックトップ9Aの裏面に密着させて取り付け
られた冷却ジャケット19Aと、この冷却ジャケット1
9A内に全面に渡って渦巻状あるいは格子状に形成され
た流路19Bと配管19Cを介して接続された冷媒19
D用のタンク19Eと、このタンク19E内の冷媒19
Dを所定温度まで冷却する冷凍機19Fと、この冷凍機
19Fにより所定温度に冷却された冷媒19Dを冷却ジ
ャケット19Aに送って循環させるポンプ19Gとを備
え、チャックトップ9A全面を均等に冷却するように構
成されている。上記冷媒19Dとしては例えばフロリナ
ート等の不活性な液体を用いることができ、冷却温度に
応じて従来公知の冷媒を用いることができる。尚、図3
において、9Bは昇降ピンで、メインチャック9とサブ
チャック3との間で半導体ウエハWを授受する際に昇降
するようになっている。
【0019】また、チャックトップ9Aには例えば白金
を用いた温度センサ21が埋設され、この温度センサ2
1によりメインチャック9の温度を検出するようにして
ある。そして、冷凍機19F及び温度センサ21はそれ
ぞれチャック温度制御装置22に接続され、このチャッ
ク温度制御装置22を介してメインチャック9の冷却温
度を所定の設定温度に制御するようにしてある。
【0020】また、上記チャック温度制御装置22には
装置本体14内の空気の露点を監視する露点監視装置2
3が接続され、この露点監視装置23を介して装置本体
14内に供給される低露点の空気の流量及びメインチャ
ック9の冷却温度(例えば、−10℃)に制御するよう
にしてある。即ち、露点監視装置23は、メインチャッ
ク9の近傍で冷却空気の露点を検出する露点センサ24
と、メインチャック9の温度を検出する上記温度センサ
21と、これら両者24、21の検出信号S1、S2を比
較して低露点の空気の供給流量及びメインチャック9の
温度を制御する露点制御装置25を備えて構成されてい
る。
【0021】即ち、上記露点制御装置25は、図1、図
3に示すように、上記各検出信号S1、S2の比較結果に
基づいて開度制御信号S3(図1参照)及び温度制御信
号S4(図2参照)をそれぞれ流量調整弁18及びチャ
ック温度制御装置22へ送信し、流量調整弁18の開度
を調整すると共にチャック温度制御装置22を介してメ
インチャック9の温度を制御し、もってメインチャック
9での結露、ひいては着霜を防止するようにしてある。
また、露点制御装置25には流量センサ26が接続さ
れ、流量センサ26及び露点監視装置23を介して低露
点の空気の流量を常時把握できるようにしてある。ま
た、露点制御装置25にはプローブ装置1の制御装置6
が接続され、制御装置6から露点制御装置25に温度制
御指令信号S5を送信し、露点制御装置25は 指令信号
5に基づいて流量調整弁18へ開信号S6を送信して流
量調整弁18を開くと共にチャック温度制御装置22へ
動作開始信号S7を送信してチャック温度制御装置22
を作動させるようにしてある。また、露点制御装置25
は制御装置6からの温度制御指令信号S5を受信する
と、メインチャック9の冷却設定温度を記憶し、装置本
体14内の空気が所定の低露点に達した段階でチャック
温度制御装置22に対して温度設定信号S8を送信し、
チャック温度制御装置22が温度設定信号S8に基づい
てメインチャック9を所定の冷却温度に制御するように
してある。尚、図1では1本の信号線を複数の信号が双
方向に流れるように記載してある。
【0022】次に、動作について説明する。半導体ウエ
ハWを−10℃の低温で電気的試験を行う場合にはプロ
ーブ装置1は以下のようにして作動する。即ち、プロー
ブ装置1の制御装置6から露点監視装置23に対して温
度制御指令信号S5を送信すると、露点監視装置23で
は記憶装置(図示せず)において試験温度を−10℃と
して記憶する一方、露点制御装置25は流量調整弁18
へ開信号S6を送信する と共にチャック温度制御装置2
2へ動作開始信号S7を送信する。これにより流 量調整
弁18が開き空気配管15を介して装置本体14内へ例
えば露点が−70℃の低露点の空気を供給して装置本体
14内を乾燥させると共に、チャック温度制御装置22
が作動する。この時、露点監視装置23は装置本体14
内の露点を露点センサ24により常時監視すると共に低
露点の空気の流量を流量センサ26を介して検出してい
る。尚、低露点の空気は装置本体14内へ流入する直前
にドライヤー17を介して更に乾燥する。
【0023】その後、装置本体14内がメインチャック
9で結露しない温度までメインチャック9が冷却された
段階、即ち露点センサ24がメインチャック9近傍の露
点を少なくとも−10℃として検出すると、露点制御装
置25はその検出信号S1に基づいてチャック温度制御
装置22へ温度設定信号S7を送信する。チャック温度
制御装置22は、温度設定信号S7に基づいて冷凍機1
9Fを作動させてメインチャック9の冷却を開始する。
そして、この間温度センサ21はメインチャック9の温
度を検出し、その検出信号S2をチャック温度制御装置
22を介して露点制御装置25へ送信している。また、
この間露点制御装置25では露点センサ24と温度セン
サ21からの各検出信号S1、S2の比較結果に基づいて
低露点の空気の流量及びメインチャック9の温度を常時
制御し、メインチャック9での結露を防止している。
【0024】仮に低露点の空気に変動が生じて低露点の
空気の露点が上昇した場合には露点監視装置23が以下
のように自動的に作動し、メインチャック9での結露、
着霜を未然に防止する。即ち、例えば装置本体14内の
露点(特に、メインチャック9近傍の露点)がメインチ
ャック9の設定温度である−10℃より低く設定された
基準露点(例えば−20℃)よりも高い露点(例えば、
−19℃)になると、露点制御装置25は露点センサ2
4及び温度センサ21の検出信号S1、S2の比較結果に
基づいてチャック温度制御装置22へ温度制御信号S4
を送信し、メインチャック9内のペルチエ素子20を作
動させてチャックトップ9Aを例えば40℃まで一気に
加熱すると共に、開度制御信号S3を流量調整弁18へ
送信し、流量調整弁18を若干大きく開いて冷却空気の
流量を増やし、メインチャック9での結露、着霜を防止
する。その後、露点センサ24の検出温度が基準露点−
20℃よりも低い温度、例えば−22℃まで戻ると、露
点制御装置25は検出信号S1、S2の比較結果に基づい
てチャック温度制御装置22を作動させ、ペルチエ素子
20によりチャックトップ9Aを−10℃まで一気に冷
却すると共に冷却装置19によりにメインチャック9の
裏面側を冷却する。
【0025】上述のようにしてメインチャック9が試験
温度である−10℃になると、プローブ装置1は制御装
置6を介してローダ部4及びプローバ部5を自動的に駆
動してピンセット3を介して半導体ウエハWをカセット
Cからメインチャック9上へ搬送し、メインチャック9
において低温試験を実施する。低温試験終了後はやはり
ピンセット3を介して半導体ウエハWをメインチャック
9からカセットC内へ戻し、次の半導体ウエハWの低温
試験を実施する。このようにして1ロットの半導体ウエ
ハWについて試験が全て終了すると、このカセットCを
次のロットの半導体ウエハが収納されたカセットCにつ
いて試験を実施する。
【0026】次ロットの試験を開始する際には図4に示
すフローチャートに従って試験を実施する。即ち、1ロ
ットの半導体ウエハWの低温試験を終了すると(S
1)、露点監視装置23で装置本体14内の露点を監視
し、前ロットの低温試験環境を保持したまま、プローブ
装置1の制御装置6で次のロットの試験を直ぐに実施で
きるか否かを判断し(S2)、次ロットがカセット載置
部2内に存在し、次ロットの試験を直ぐに実施できると
判断した時には制御装置6を介してプローブ装置1が駆
動し前ロットの低温試験環境下で低温試験を実施する
(S3)。ところが、カセット載置部2内の全てのカセ
ットCについて試験が終了し、次ロットのカセットCと
入れ替える必要があると判断した時には、次ロットのカ
セットCを入れ替えるまでの経過時間を制御装置6内の
タイマーでカウントする(S4)。そして、所定の設定
時間(例えば5分)内でカセットCの入れ替えが行われ
たか否かを判断し(S5)、設定時間内にカセットCの
入れ替えが完了し、設定時間内でカセットCの入れ替え
ができると判断すれば、前ロットの低温試験環境を保持
したままS2に戻り、上述の操作を繰り返す。これによ
り次ロットのカセットCを設定時間内に入れ替えること
ができる場合には、装置本体14内のの温度を例えば室
温に戻すことなくそのまま低温試験環境を保持し、次ロ
ットの試験を直ぐに実施でき、低温試験のスループット
を向上させることができる。
【0027】S5において設定時間内にカセットCの入
れ替えができないと判断すれば、制御装置6から露点監
視装置23へ指令信号を送信し、露点監視装置23を介
してメインチャック9の温度を室温に戻す。そして、次
ロットの入れ替えが完了した時点で、制御装置6から露
点制御装置25へ温度制御指令信号S5を受信し、露点
制御装置25を介して低露点の空気を供給し装置本体1
4内及びメインチャック9を−10℃あるいは他の設定
温度まで冷却し、次ロットの試験を開始する。これによ
り次ロットのカセットCを設定時間内に入れ替えること
ができない場合には、装置本体14内の空気の湿度を一
旦周囲環境に戻すため、カセットCを入れ替える間に供
給する低露点の空気を節約することができる。
【0028】以上説明したように本実施形態によれば、
露点監視装置23を用いて低露点の空気の流量及びメイ
ンチャック9の温度を制御し、メインチャック9での結
露を防止するようにしたため、装置本体14のカバーの
付け忘れ等による装置本体14内の乾燥状態が変動した
り、低露点の空気の湿度等の供給条件が変動してもメイ
ンチャック9及び半導体ウエハWに結露して着霜するこ
とがなく、従って、結露水の氷結により半導体ウエハW
がメインチャック9から外れなくなるということもなく
半導体ウエハWの電気的試験を確実に行うことができ、
また、所定の低温試験環境下で自動的に低温試験を開始
することができ、オペレータが試験開始のタイミングを
判断する必要がない。しかも露点監視装置23により常
に低露点の空気の流量を最適制御しているため、低露点
の空気の使用量を節約することができる。
【0029】また、本実施形態によれば、露点監視装置
23を介して低露点の空気の流量を制御して装置本体1
4内の空気を露点−10℃以下(例えば、−22℃)ま
で乾燥した後、メインチャック9を所定の設定温度(例
えば、−10℃)まで冷却し、メインチャック9での結
露を防止するようにしたため、装置本体14のカバーの
付け忘れ等による装置本体14内の保冷状態が変動した
り、低露点の空気の供給条件が変動しても、低温試験の
開始段階からメインチャック9及び半導体ウエハWに結
露して着霜することなく、半導体ウエハWの電気的試験
を確実に行うことができる。
【0030】尚、本発明は上記実施形態に何等制限され
るものではなく、低温試験装置の装置本体内の空気の露
点を監視する露点監視装置を設けると共に、この露点監
視装置を介して装置本体内へ供給する低露点の空気の流
量及び載置台の温度を制御し、この載置台での結露を防
止するようにしたものであれば、全て本発明に包含され
る。また、上記露点監視装置は、上記載置台近傍の空気
の露点を検出する露点検出手段と、上記載置台の温度を
検出する温度検出手段と、これら両者の検出信号を比較
して上記低露点の空気の流量及び上記載置台の温度を制
御する制御手段とを備えたたものであれば良く、上記露
点検出手段及び温度検出手段としては種々のセンサを用
いることができる。
【0031】
【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項3に記載の発
明によれば、装置本体内の低露点の乾燥状態が変動した
り、低露点の空気の供給条件が変動しても載置台及び被
試験体に着霜することなく、被試験体の電気的試験を確
実に行うことができると共に所定の低温試験環境下で自
動的に低温試験を開始することができ、しかも低露点の
空気を節約することができる低温試験装置を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の低温試験装置の一実施形態のプローブ
装置本体及びその露点監視装置の制御系を示す構成図で
ある。
【図2】図1に示すプローブ装置のローダ部及びプロー
バ部の概要を示す平面図である。
【図3】図1に示すプローブ装置のメインチャック及び
露点監視装置との関係を示す構成図である。
【図4】ロット毎に半導体ウエハをプローブ装置内に搬
入する時の装置本体内の温度制御のフローチャートであ
る。
【符号の説明】
1 プローブ装置(低温試験装置) 9 メインチャック(載置台) 21 温度センサ(温度検出手段) 23 露点監視装置 24 露点センサ(露点検出手段) 25 露点制御装置(制御手段) W 半導体ウエハ(被試験体) S1 露点センサの検出信号 S2 温度センサ検出信号

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 装置本体内の載置台を所定の設定温度に
    冷却すると共に上記装置本体内に低露点の空気を供給
    し、上記載置台上に載置された被試験体を所定の低温下
    で電気的試験を行う低温試験装置において、上記装置本
    体内の空気の露点を監視する露点監視装置を設けると共
    に、この露点監視装置を介して上記低露点の空気の供給
    流量及び上記載置台の温度を制御し、上記載置台での結
    露を防止することを特徴とする低温試験装置。
  2. 【請求項2】 装置本体内の載置台を所定の設定温度に
    冷却すると共に上記装置本体内に低露点の空気を供給
    し、上記載置台上に載置された被試験体を所定の低温下
    で電気的試験を行う低温試験装置において、上記装置本
    体内の空気の露点を監視する露点監視装置を設けると共
    に、この露点監視装置を介して上記低露点の空気の供給
    流量を制御して上記装置本体内を少なくとも所定の低露
    点状態まで乾燥した後、上記載置台を所定の設定温度ま
    で冷却し、上記載置台での結露を防止することを特徴と
    する低温試験装置。
  3. 【請求項3】 上記露点監視装置は、上記載置台近傍の
    空気の露点を検出する露点検出手段と、上記載置台の温
    度を検出する温度検出手段と、これら両者の検出信号を
    比較して上記低露点の空気の供給流量及び上記載置台の
    温度を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする請
    求項1または請求項2に記載の低温試験装置。
JP13941196A 1996-05-09 1996-05-09 低温試験装置及び低温試験方法 Expired - Lifetime JP3435410B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13941196A JP3435410B2 (ja) 1996-05-09 1996-05-09 低温試験装置及び低温試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13941196A JP3435410B2 (ja) 1996-05-09 1996-05-09 低温試験装置及び低温試験方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09298225A true JPH09298225A (ja) 1997-11-18
JP3435410B2 JP3435410B2 (ja) 2003-08-11

Family

ID=15244621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13941196A Expired - Lifetime JP3435410B2 (ja) 1996-05-09 1996-05-09 低温試験装置及び低温試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3435410B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042864A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプロービングテスト方法
US7213441B2 (en) 2005-03-08 2007-05-08 Denso Corporation Method for adjusting sensor characteristics of humidity sensor
JP2009098006A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Espec Corp 揮発物測定装置
JP2010087090A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
US7750654B2 (en) 2002-09-02 2010-07-06 Octec Inc. Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism
US20170248973A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Cascade Microtech, Inc. Probe systems and methods including active environmental control
KR20190015135A (ko) 2017-08-03 2019-02-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 시스템
CN111727496A (zh) * 2018-02-26 2020-09-29 东京毅力科创株式会社 检查装置及检查装置的动作方法
JP2021034399A (ja) * 2019-08-14 2021-03-01 東京エレクトロン株式会社 プローバおよびプローブカードのプリクール方法
EP4060721A4 (en) * 2019-11-15 2023-08-09 Kioxia Corporation SAFEGUARD DEVICE AND CONTROL METHOD
KR20230135064A (ko) 2021-01-20 2023-09-22 에이지씨 가부시키가이샤 적층 부재 및 유리 조성물

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7750654B2 (en) 2002-09-02 2010-07-06 Octec Inc. Probe method, prober, and electrode reducing/plasma-etching processing mechanism
US7213441B2 (en) 2005-03-08 2007-05-08 Denso Corporation Method for adjusting sensor characteristics of humidity sensor
US7673493B2 (en) 2005-03-08 2010-03-09 Denso Corporation Inspection device for humidity sensor and method for adjusting sensor characteristics of humidity sensor
JP2007042864A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローバ及びプロービングテスト方法
JP2009098006A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Espec Corp 揮発物測定装置
JP2010087090A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 検査装置及び検査方法
US20170248973A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Cascade Microtech, Inc. Probe systems and methods including active environmental control
KR20190015135A (ko) 2017-08-03 2019-02-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 검사 시스템
US10823778B2 (en) 2017-08-03 2020-11-03 Tokyo Electron Limited Inspection system
CN111727496A (zh) * 2018-02-26 2020-09-29 东京毅力科创株式会社 检查装置及检查装置的动作方法
CN111727496B (zh) * 2018-02-26 2024-03-19 东京毅力科创株式会社 检查装置及检查装置的动作方法
JP2021034399A (ja) * 2019-08-14 2021-03-01 東京エレクトロン株式会社 プローバおよびプローブカードのプリクール方法
EP4060721A4 (en) * 2019-11-15 2023-08-09 Kioxia Corporation SAFEGUARD DEVICE AND CONTROL METHOD
KR20230135064A (ko) 2021-01-20 2023-09-22 에이지씨 가부시키가이샤 적층 부재 및 유리 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP3435410B2 (ja) 2003-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3435410B2 (ja) 低温試験装置及び低温試験方法
US6198273B1 (en) IC tester simultaneously testing plural ICS
US11385280B2 (en) Inspection apparatus and temperature control meihod
US20070132469A1 (en) Inspection device and method
JP2000241496A (ja) 電子部品試験装置および電子部品の試験方法
JP2000009793A (ja) 部品試験装置
KR20080053768A (ko) 웨이퍼 척, 이를 구비하는 웨이퍼의 전기적 특성을테스트하는 장치 및 테스트하는 방법
US11293814B2 (en) Temperature measurement member, inspection apparatus, and temperature measurement method
JP4917981B2 (ja) 検査方法及び検査方法を記録したプログラム記録媒体
US20200096561A1 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP3494871B2 (ja) プローブ装置及びプローブ方法
US6249132B1 (en) Inspection methods and apparatuses
JPH08335614A (ja) プロ−ブシステム
JPH06349909A (ja) プローブ検査装置
KR100789699B1 (ko) 고온 및 저온의 테스트 가능한 웨이퍼 프로버 장치
JP4065059B2 (ja) Ic試験装置
KR102619328B1 (ko) 웨이퍼 검사 공정에서 척의 온도를 제어하는 방법
JP2003028920A (ja) 電子部品コンタクト装置
JP3356019B2 (ja) 恒温槽の温度制御装置
JP2000046902A (ja) Ic試験装置
KR100349217B1 (ko) 모듈 아이씨 핸들러의 냉각 시스템
JPH05175289A (ja) プロ−ビング方法及びプロ−ブ装置
JP2915969B2 (ja) Ic試験用恒温槽装置
JP2001051012A (ja) 半導体試験システムおよび試験温度安定制御方法
KR20220158179A (ko) 기판 검사 장치 및 캘리브레이션 방법

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120606

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150606

Year of fee payment: 12

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term