CN111668277A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示装置，包括：阵列基板，具有衬底基板以及位于衬底基板上的薄膜晶体管；设置在阵列基板一侧的发光层，包括多个像素单元，像素单元与薄膜晶体管连接；设置在发光层远离所述阵列基板一侧的滤光层；设置在像素单元远离阵列基板一侧的触控电极，所述触控电极与像素单元不交叠；触控电极完全位于滤光层内，或至少部分触控电极位于滤光层远离所述发光层的一侧。在发光层远离阵列基板的一侧设置有触控电极，可以在显示装置中集成触控功能。通过优化触控电极的电极图形以及在显示装置的层间位置，可以进一步降低触控电极的负载以及触控电极与像素单元之间的相互串扰问题，提高触控和显示质量。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及电子设备技术领域，更具体的说，涉及一种显示装置。

背景技术

随着科学技术的不断进步，越来越多的显示装置被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

目前，人们对显示装置的功能需求也越来越高，不仅局限于其基础的图像显示功能，为了实现更高的智能化需求，便于显示装置的人机交互，需要在显示装置中集成触控功能。

故如何在显示装置中集成触控功能是显示装置技术领域，一个亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种显示装置，方案如下：

本发明提供了一种显示装置，所述显示装置包括：

阵列基板，所述阵列基板具有衬底基板以及位于所述衬底基板上的薄膜晶体管；

设置在所述阵列基板一侧的发光层，所述发光层包括多个像素单元，所述像素单元与所述薄膜晶体管连接；

设置在所述发光层远离所述阵列基板一侧的滤光层；

设置在所述像素单元远离所述阵列基板一侧的触控电极，所述触控电极与所述像素单元不交叠；

其中，所述触控电极完全位于所述滤光层内，或，至少部分所述触控电极位于所述滤光层远离所述发光层的一侧。

通过上述描述可知，本发明技术方案提供的显示装置中，在所述发光层远离所述阵列基板的一侧设置有触控电极，可以在显示装置中集成触控功能。通过优化触控电极的电极图形以及在显示装置的层间位置，可以进一步降低触控电极的负载以及触控电极与像素单元之间的相互串扰问题，提高触控和显示质量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。

图1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图14为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图15为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图16为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图18为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图19为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图20为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图21为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图22为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图23为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图24为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图25为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；

图26为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1所示，图1为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，所述显示装置包括阵列基板11以及设置在所述阵列基板11上的发光层，所述发光层包括多个像素单元14。阵列基板11的表面具有与像素单元14一一对应的阳极12，且阵列基板11的表面设置有像素定义层13，像素定义层13具有露出所述阳极12的像素开口，像素单元14位于所述像素开口内，与所述阳极12电接触。发光层远离阵列基板11的一侧设置有公共阴极(图1中未示出)，公共阴极与像素单元14电接触。在公共阴极远离发光层的一侧设有封装层15，封装层15上设置有滤光层16。其中，封装层15可以为多层交替排布的有机膜层和无机膜层，封装层15的层数可以基于需求设定，如可以设置为三层结构，本发明实施例对此不做具体限定。

如图2所示，图2为本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图，为了实现触控显示功能，图2所示方式在图1所示方式基础上增加了触控电极17，触控电极17设置在滤光层16的下方。所述触控电极17为透明电极，可以在一定程度上消除其可见性，但是为了更好的降低其可见性，在图2所示方式中，将触控电极17设置在滤光层16的下方，通过滤光层16中的黑色矩阵遮挡触控电极17，在显示装置中集成触控功能的同时，可以在一定程度上消除触控电极17的可见性。

发明人研究发现，图2所示显示装置会导致触控功能与显示功能之间的相互串扰问题，影响触控功能和显示功能的质量。原因在于：由于触控电极距离下方公共阴极距离较近，二者之间会形成较大的耦合电容，二者的阻容负载(RC loading)较大，从而使得触控功能和显示功能相互干扰，影响触控功能和显示功能的质量，而且由于触控电极17远离显示装置外侧，导致其检测灵敏度较低。

如图3所示，图3为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，该方式与图2所示方式不同在于，设置触控电极17位于滤光层16远离发光层的一侧。这样，一方面可以增加触控电极17和公共阴极的距离，从而减小二者之间的相互干扰问题，还可以使得触控电极17靠近显示装置的外侧，能够提高触控检测的灵敏度。但是这样会导致触控电极的可见性增大，而且由于透明的触控电极17自身阻抗较大，其对容抗负载的降低效果有限。

为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括：

阵列基板，所述阵列基板具有衬底基板以及位于所述衬底基板上的薄膜晶体管；

设置在所述阵列基板一侧的发光层，所述发光层包括多个像素单元，所述像素单元与所述薄膜晶体管连接；

设置在所述发光层远离所述阵列基板一侧的滤光层；

设置在所述像素单元远离所述阵列基板一侧的触控电极，所述触控电极与所述像素单元不交叠；

其中，所述触控电极完全位于所述滤光层内，或，至少部分所述触控电极位于所述滤光层远离所述发光层的一侧。

本发明实施例中，触控电极的设置位置包括如下两种方式：

方式一：触控电极完全位于滤光层内，该方式相对于图2所示方案，虽然触控电极相对于公共阴极的距离没有缩小，但是由于触控电极与像素单元不交叠，降低了触控电极与公共阴极的交叠面积，可以降低二者之间的阻容负载，避免触控功能和显示功能相互干扰，提高触控功能和显示功能的质量，而且由于触控电极位于滤光层内，缩小了其与显示装置外侧的距离，能够提高触控检测的灵敏度。

方式二：至少部分触控电极位于滤光层远离发光层的一侧，该方式相对于图2所示方案，一方面，同方式一，降低了触控电极与公共阴极的交叠面积，可以降低二者之间的阻容负载，避免触控功能和显示功能相互干扰，提高触控功能和显示功能的质量，另一方面，增加了触控电极与公共阴极之间的距离，进一步降低了二者之间的阻容负载，更好的避免了触控功能和显示功能相互干扰，进一步提高了触控功能和显示功能的质量，而且相对于方式一，触控电极更加靠近显示装置的外侧，触控检测的灵敏度更好。

特别的，由于两种方式中触控电极均与像素单元不交叠，故无需采用透明电极材料，可以采用导电性较好的金属电极，可以大幅度降低触控电极的阻抗，以大幅度降低阻容负载。

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。

如图4所示，图4为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，所示显示装置包括：阵列基板21，所述阵列基板21具有衬底基板以及位于所述衬底基板上的薄膜晶体管；设置在所述阵列基板21一侧的发光层22，所述发光层22包括多个像素单元221，所述像素单元221与所述薄膜晶体管连接；设置在所述发光层22远离所述阵列基板21一侧的滤光层25；设置在所述像素单元221远离所述阵列基板21一侧的触控电极26，所述触控电极26与所述像素单元221不交叠。

像素单元221为OLED像素，阵列基板21的表面设置有像素定义层23，像素单元221位于像素定义层23的像素开口内。OLED像素具有下方具有位于像素开口内的单独的阳极，发光层22上方设置有电接触的公共阴极。图4中未示出阳极以及公共阴极。OLED像素的结构与以后OLED像素结构相同，本发明实施例对此不做具体限定。可选的，可以在滤光层25与发光层22之间设置封装层24。公共阴极位于发光层22与封装层25之间。

在图4所示方式中，所述触控电极26完全位于所述滤光层25内。图4中未示出所述衬底基板以及所述薄膜晶体管，阵列基板21的具体结构可以为已有阵列基板，本发明实施例对此不做具体限定。

在图4所示方式中，触控电极26为网格结构，与像素单元221不交叠，能够降低其与像素单元221的公共阴极的交叠面积，从而降低二者之间的阻容负载。触控电极26为金属电极，相对于ITO等透明氧化物电极，阻抗更小，能够进一步降低阻容负载。而且，由于所述触控电极26位于所述滤光层25内，更加靠近显示装置的外侧，能够提高触控检测的灵敏度。

如图5所示，图5为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，该方式与图4所示方式不同在于，图5所示方式中，所述触控电极26完全位于所述滤光层25远离所述发光层22的一侧。可选的，可以在滤光层25远离发光层22的一侧设置保护层27，所述触控电极26位于所述保护层27内。与上述实施方式相同，图5所示方式可以降低阻容负载，并提高触控检测的灵敏度。保护层27为透明介质层。

如图6所示，图6为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，该方式与图5所示方式不同在于，图6所示方式中，部分所述触控电极26位于所述滤光层25远离所述发光层22的一侧，部分所述触控电极26位于所述滤光层25内。两部分所述触控电极26通过过孔连接。与上述实施方式相同，图6所示方式可以降低阻容负载，并提高触控检测的灵敏度。

在本发明实施例所述显示装置中，如图4和图5所示，所述触控电极26可以为自电容式触控电极，所述触控电极26位于同一层金属层。

或，如图6所示，所述触控电极26可以为互电容式触控电极，所述触控电极26包括：位于第一导电层的触控电极线261以及位于第二导电层的跨桥线262，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述发光层的一侧，所述跨桥线262与所述触控电极线261通过通孔263连接。触控电极线261位于滤光层25内，跨桥线262位于滤光层25远离发光层22的一侧，通孔263位于滤光层25内，连接跨桥线262和触控电极线261。该方式中，将数量较多的触控电极线261设置在滤光层25内，将数量较小的跨桥线262设置在滤光层25远离发光层22的一侧，可以降低触控电极26的可见性。

如果所述触控电极26为互电容式触控触控电极，触控电极线261包括触控驱动电极TX和触控检测电极RX，实现原理可以与现有互电容式触控电极方案相同，本发明实施例对此不做具体限定。如果所述触控电极26为互电容式触控触控电极，如图7所示，所述触控电极26也可以完全设置在所述滤光层25远离所述发光层22的一侧。

如图7所示，图7为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，图7所示方式中，触控电极线261、跨桥线262和通孔263均位于滤光层25远离发光层22的一侧。触控电极线261与跨桥线262之间具有透明的绝缘介质层264。触控电极线261位于绝缘介质层264内，跨桥线262位于绝缘介质层264远离滤光层25的一侧，位于保护层27内。

如果至少部分所述触控电极26位于所述滤光层25远离所述发光层22的一侧，如图8-图11所示，可以设置所述触控电极26远离所述发光层22的一侧设置有遮蔽结构28，所述遮蔽结构28用于降低所述触控电极26的可见性。

如图8所示，图8为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，图8所示方式中，所述遮蔽结构28为不透光的遮光层281，所述遮光层281完全覆盖位于所述滤光层25远离所述发光层22一侧的所述触控电极26，且所述遮光层281与所述像素单元221不交叠。

其中，所述遮光层281可以为油墨层，制作工艺简单，制作成本低。该方式直接通过不透光的遮光层281实现触控电极26的完全遮挡，避免其可见。

如图9所示，图9为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，图9所示方式中，所述遮蔽结构28为透光的减反膜282，所述减反膜282完全覆盖位于所述滤光层25远离所述发光层22一侧的所述触控电极26，且与所述像素单元221不交叠。

其中，所述减反膜282包括多层交替层叠的高折率介质层和低折射率介质层，利用光线在折射率不同的介质层界面的干涉原理消除触控电极26对显示装置外部环境光的反射，以降低其可见性。

如图10所示，图10为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，图10所示方式中，所述遮蔽结构28包括第一微透镜30和位于所述第一微透镜30远离所述阵列基板21一侧的保护层31，所述第一微透镜30与所述保护层31的交界面为弧形，所述弧形朝向所述保护层31凸起，所述保护层31的折射率小于所述微透镜30的折射率。

其中，在所述第一微透镜30和所述触控电极26之间还具有光学调整层29，触控电极26位于光学调整层29内。所述光学调整层可以为SiO、ZrO和NbO等氧化物，或是SiN。该方式中，由于第一微透镜30为高折射率，保护层31为低折射率，故触控电极26向外反射的光在高低折射率交界面处能够形成全反射，从而降低触控电极26反射光线的强度，降低其可见性。而且可以通过触控电极26与第一微透镜30之间光学调整层29的厚度，调节第一微透镜30焦点的位置，使得其焦点位于触控电极26与第一微透镜30之间，从而使得外部入射环境光在焦点位置汇聚后再发散，降低直接入射到触控电极26表面光线数量，从而可以降低触控电极26反射光线的强度，降低其可见性。

如图11所示，图11为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，图11所示方式中，所述遮蔽结构28包括多个柱体32，所述柱体32位于所述触控电极26远离所述发光层22的一侧，且相邻所述柱体32之间具有间隙；所述滤光层25远离所述发光层22的一侧具有保护层33，所述柱体32位于所述保护层33内，所述柱体32沿平行于所述衬底基板所在平面排布，即所述柱体32在图11中水平方向上依次排布，所述柱体32的延伸方向垂直于所述阵列基板21，即所述柱体32在图11中竖直方向上延伸。

其中，在所述柱体32于所述触控电极26之间还具有光学调整层29，触控电极26位于光学调整层29内。所述柱体32为无机材料，所述保护层33为有机材料，无机材料制作精度高，可以制作横向尺寸较小的柱体32，有机材料制作精度低，用于横向尺寸较大的保护层33，可以降低制作成本。，所述保护层33为透光材料。所述保护层33与所述柱体32具有不同的折射率，和/或，所述保护层33的透光性大于所述柱体32的透光性。该方式中，相当于在所述触控电极26上方形成一光栅结构，通过光栅的衍射作用降低触控电极26反射光线的强度，从而降低其可见性。可以设置所述柱体32的上端和保护层33的上表面齐平，并设置其下端和保护层33的下表面齐平，以便于所述柱体32的制备。

在上述图8-图11所示方式中，以所述触控电极26为单层金属层，且完全位于所述滤光层25远离所述发光层22的一侧为例进行说明，其他方式中也可以设置触控电极26为双层结构层，部分触控电极26位于滤光层25内，部分触控电极26位于滤光层25位于所述滤光层25远离所述发光层22的一侧。

本发明实施例所述显示装置中，如图12-图15所示，可以设置所述滤光层25包括黑色矩阵251，所述黑色矩阵251具有与所述像素单元221一一对应的开口，所述开口用于露出所对应的所述像素单元221；至少部分位于所述开口内的滤色器252；所述黑色矩阵251与所述像素单元221不交叠。

本发明实施例中，所述滤色器252与所述像素单元221一一对应，所述滤色器252允许透过光线的颜色与其下方像素单元221发射光线的颜色相同，并遮挡其他颜色光线的通过。如红色像素单元对应设置有红色滤色器r，绿色像素单元对应设置绿色滤色器g，蓝色像素单元对应设置蓝色滤色器b。

如图12所示，图12为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，基于图4所示方式，图12所示方式中，触控电极26完全位于黑色军阵251内。触控电极26为自电容式触控电极，位于同一金属层。

如图13所示，图13为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，基于图5所示方式，图13所示方式中，触控电极26完全位于黑色矩阵251远离发光层22的一侧。触控电极26为自电容式触控电极，位于同一金属层。

如图14所示，图14为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，基于图6所示方式，图14所示方式中，触控电极26一部分位于所述黑色矩阵251内，另一部分位于黑色矩阵251远离发光层22的一侧。触控电极26为互电容式触控电极，具有位于第一导电层的触控电极线261以及位于第二导电层的跨桥线262，二者通过通孔263连接。触控电极线261位于黑色矩阵251内，跨桥线262位于黑色矩阵251远离发光层22的一侧。跨桥线262位于保护层27内。该方式复用黑色矩阵251作为触控电极线261和跨桥线262之间的绝缘介质层，无需单独设置绝缘介质层。

如图15所示，图15为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，基于图7所示方式，图15所示方式中，图15所示方式中，触控电极26完全位于黑色矩阵251远离发光层22的一侧。触控电极26为互电容式触控电极，具有位于第一导电层的触控电极线261以及位于第二导电层的跨桥线262，二者之间具有绝缘介质层264，通过通孔263连接。触控电极线261位于黑色矩阵251与跨桥线262之间，且位于绝缘介质层264内。

在本发明实施例所述显示装置中，如图12和图13所示，所述触控电极26可以为自电容式触控电极，所述触控电极26位于同一层金属层。或，如图14所示，所述触控电极26可以为互电容式触控电极，所述触控电极26包括：位于第一导电层的触控电极线以及位于第二导电层的跨桥线，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述像素单元的一侧，所述跨桥线与所述触控电极线通过通孔连接。

在图12-图15所示方式中，也可以基于前述实施例方式设置遮蔽结构，实现原理可以参考上述实施例描述，在此不再赘述。

在本发明实施例所述显示装置中，如果所述触控电极26为自电容式触控电极，所述触控电极26位于同一金属层，如图13所示，可以设置触控电极26位于所述黑色矩阵251远离发光层22的一侧，或者，如图12所示，所述发光层22和所述滤光层25之间具有封装层24，所述触控电极层26位于所述封装层24表面，且完全位于所述黑色矩阵251内。

在本发明实施例所述显示装置中，如果所述触控电极26为互电容式触控电极，所述触控电极26包括：位于第一导电层的触控电极线261以及位于第二导电层的跨桥线262，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述发光层22的一侧，所述跨桥线262与所述触控电极线261通过通孔263连接，如图15所示，所述触控电极线261位于所述黑色矩阵251远离所述发光层22的一侧，所述触控电极线261与所述跨桥线262之间具有绝缘介质层263；或，如图14所示，所述发光层22与所述滤光层25之间具有封装层24，所述触控电极线251位于所述封装层24表面，且位于所述黑色矩阵251内，所述跨桥线262位于所述黑色矩阵261远离所述发光层的一侧。

如图12-图15所示方式中，所述黑色矩阵251具有露出所述像素单元221的开口，所述滤色器252完全位于所述黑色矩阵251对应所述像素单元221的开口内。

如图16所示，图16为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，该方式中，所述滤色器25包括：第一部分252a，位于所述黑色矩阵251对应所述像素单元221的开口内；第二部分252b，延伸至所述开口的外部；其中，所述触控电极26完全位于所述第二部分252b远离所述发光层22的一侧。图16以触控电极26为单层金属层的自电容式触控电极。

如图17所示，图17为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，与图16所示方式相同，图17所示方式中所述触控电极26完全位于所述第二部分252b远离所述发光层22的一侧。与图16所示方式不同在于，图17方式中触控电极26为双层的互电容式触控电极，具有触控电极线261、跨桥线262和连接二者的通孔263。触控电极线261与跨桥线262之间具有绝缘介质层264。

如图18和图19所示，如果采用互电容式触控电极，可以设置所述触控电极线261位于所述封装层24与所述黑色矩阵251之间，所述跨桥线262位于所述黑色矩阵251远离所述触控电极线261的一侧，至少复用所述黑色矩阵251作为所述触控电极线261与所述跨桥线262之间的绝缘介质层，无需单独设置绝缘介质层。

如图18所示，图18为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，基于图17所示方式，图18所示方式中，触控电极线261位于塑封层24表面，且位于黑色矩阵251内，跨桥线262位于第二部分252b远离发光层22的一侧，复用黑色矩阵251和第二部分252b作为所述触控电极线261与所述跨桥线262之间的绝缘介质层。该方式中，触控电极线261位于黑矩阵251内，不可见，而跨桥线262位于滤色器252和黑矩阵251交叠部分远离发光层22的一侧，可以通过遮蔽结构降低跨桥线252的可见性。

如图19所示，图19为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，与图18所示方式不同在于，图19所示方式中，跨桥线262位于第二部分252b内，位于黑色矩阵251表面，复用黑色矩阵251作为所述触控电极线261与所述跨桥线262之间的绝缘介质层。该方式中，触控电极线261位于黑矩阵251内，不可见。跨桥线262位于黑矩阵251远离发光层22的一侧，其表面覆盖有滤色器252，能够复用滤色器252延伸至黑矩阵251中开口外部的部分作为遮蔽结构，降低跨桥线262的可见性。为了更好的降低跨桥线262的可见性，设置相邻两个滤色器252在二者之间的黑矩阵251具有交叠部分，跨桥线262位于该交叠部分与黑矩阵251之间，该交叠部分作为遮蔽结构。如红色滤色器r和绿色滤色器g在二者之间的黑矩阵251具有交叠部分，环境光入射该交叠部分时，由于红色滤色器r只能通过红光，绿色滤色器g只能通过绿光，所以环境光如法入射到该交叠部分下方的跨桥线262，从而完全消除其对环境光的反射，避免其可见。

本发明实施例所述显示装置中，如果所述触控电极26为互电容式触控电极，如图19所示，可以设置所述跨桥线262位于所述第二部分252b内，或，如图18所示，设置所述跨桥线262位于所述第二部分252b远离所述黑色矩阵251的一侧。

如图20所示，图20为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，该方式与图19所示方式不同在于，触控电极26为单层的自电容式触控电极，位于黑色矩阵251表面，且位于第二部分252b内。

本发明实施例所述显示装置中，如果设置所述滤色器252包括：第一部分252a，位于所对应的所述开口内；第二部分252b，延伸至所述开口的外部，如图19-图20所示，可以设置所述第二部分252b位于所述触控电极26远离所述黑色矩阵251的一侧，复用所述第二部分252b作为所述遮蔽结构，以消除触控电极26的可见性，这样无需单独设置遮蔽结构。

如图21所示，图21为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，图21所示显示装置还包括透明介质层41，所述透明介质层41位于所述滤光层25以及所述触控电极25远离所述发光层22的一侧；第二微透镜42，所述第二微透镜42位于所述透明介质层41远离所述滤光层25的一侧，且与所述像素单元221正对设置；其中，所述第二微透镜42与所述透明介质层41的交界面为弧形，所述弧形朝向所述透明介质层41凸起，所述第二微透镜42的折射率小于所述透明介质层的折射率。

显示装置具有多个阵列排布的像素单元221，每个像素单元221对应设置一个第二微透镜42，形成微透镜阵列(micro lens pattern，简称MLP)，能够提升光效20％以上。

图21以触控电极26位于滤光层25内为例进行说明，该方式也适用于触控电极26至少部分位于所述滤光层25远离发光层22的一侧的实现方式，也适用于具有遮蔽结构的实现方式，也适用于双层的互电容式触控电极的实现方式，实现原理与上述实施例相同，在此不再赘述。

如图22所示，图22为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，所述滤光层25包括与所述像素单元221一一对应的滤色器252。所述像素单元221包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。对于OLED像素，由于绿色像素G、红色像素R和蓝色像素B的发光效率依次降低，为了使得不同颜色像素出光均匀，设置对应所述绿色像素G的滤色器g的厚度最大，对应所述蓝色像素b的滤色器b的厚度最小，对应红色像素R的滤色器r的厚度居中。

图22以触控电极26完全位于滤光层25远离发光层22的一侧为例进行说明，该方式也适用于触控电极26至少部分位于所述滤光层25远离发光层22的一侧的实现方式，也适用于具有遮蔽结构的实现方式，也适用于双层的互电容式触控电极的实现方式，实现原理与上述实施例相同，在此不再赘述。

如果所述滤色器252包括：第一部分252a，位于所对应的像素单元221的正上方；第二部分252b，延伸至所对应像素单元221的像素间隙上方。由于同一滤色器252中位于像素单元221正上方的第一部分252a和位于像素间隙上方的第二部分252b是同时在制备的，故第一部分252a和第二部分252b厚度相同。

如图23所示，图23为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，为了较好的降低阻容负载，该方式中，设置所述触控电极26完全位于所述滤光层25远离所述发光层22的一侧，且位于对应所述绿色像素G的滤色器g和/或所述红色像素R的滤色器r的第二部分上方，由于滤色器g和滤色器r相对于滤色器b具有较大的厚度，故二者的第二部分252b较大，从热可以使得触控电极26和公共阴极之间具有较大的距离，能够更好的降低阻容负载。

在图23所示方式中，以单层自电容式触控电极为例进行说明，也适用于具有遮蔽结构的实现方式，也适用于双层的互电容式触控电极的实现方式，实现原理与上述实施例相同，在此不再赘述。

如图24所示，图24为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，相邻所述滤色器252之间无间隙，所述触控电极26远离所述滤光层25的一侧覆盖有遮光层50，所述遮光层50与所述像素单元221不交叠，复用所述触控电极26及所述遮光层50作为黑色矩阵。该方式中，滤光层25仅包括滤色器252，不包括黑色矩阵，无需单独制备黑色矩阵。

在图24所示方式中，以单层自电容式触控电极为例进行说明，也适用于双层的互电容式触控电极的实现方式，也适用于不同颜色滤色器的厚度不同的实现方式，实现原理与上述实施例相同，在此不再赘述。

如图25所示，图25为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，该方式中，由于绿色像素G、红色像素R和蓝色像素B的发光效率依次减小，为了使得不同颜色像素出光均匀，设置绿色像素G、红色像素R和蓝色像素B各自滤色器252的厚度依次增大，即绿色滤色器g、红色滤色器r和蓝色滤色器b厚度逐渐减小。设置绿色滤色器g与相邻的蓝色滤色器b和红色滤色器r均在像素间隙均具有交叠部分，设置触控电极26位于该交叠部分远离发光层22的一侧，这样可以使得触控电极26和公共阴极之间具有较大的距离，从而更大程度的降低触控电极26与公共阴极的阻容负载。在本发明实施例所述显示装置中，为了增加触控电极26表面其他层结构在触控电极26表面的附着力，同时降低触控电极26反射光线的强度，以降低其可见性，设置所述触控电极26远离所述发光层22的表面具有多个凸起微结构和凹陷微结构。可以通过等离子轰击或是刻蚀等方式，在所述触控电极26表面形成有多个凸起微结构和凹陷微结构。

如图26所示，图26为本发明实施例提供的又一种显示装置的结构示意图，所示显示装置为全面屏手机，其他方式中也可以为平板电脑、笔记本电脑以及智能穿戴设备等具有触控与显示功能的电子设备。

本发明实施例所述显示装置，保护层可以为低温有机膜层(OC)，为有机材料，防止其下方触控电极被刮伤；保护层还可以为消影层，为氧化硅、氮化硅或是二氧化钛等透明膜层，用于消除不同结构的色差，能够降低触控电极的可见性；保护层还可以为低温有机膜层与消影层的复合膜层，不仅可以用于防止触控电极被刮伤，还可以消除不同结构的色差，能够降低触控电极的可见性。

如果所述触控电极为单层的自电容式触控电极，则所述触控电极可以不透光的金属电极，具有较低的阻抗，从而可以进一步提高其触控检测的灵敏度以及进一步降低阻容负载。

如果所述触控电机为双层的互电容式触控电极，具有触控电极线和跨桥线，触控电极线位于跨桥线和发光层之间，至少设置触控电极线所在的导电层为阻抗较小的金属层，金属层不透光可以，由于触控电极线位于下方，通过本发明实施例技术方案，可以遮蔽触控电极线，避免其可见。跨桥线所在的导电层可以为不透光的金属层，如果跨桥线位于滤光层远离发光层的一侧，可以通过设置遮蔽结构以降低其可见性，还可以设置跨桥线所在的导电层为透明的金属层或是透明的金属氧化物，从而无需设置完全遮光的遮蔽结构，也可以降低其可见性。

本发明实施例所述显示装置，可以用于可折叠的OLED显示装置，能够降低触控电极和公共阴极之间的阻容负载，提高显示和触控质量，同时提高触控检测的灵敏度。

本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

需要说明的是，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (19)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：

阵列基板，所述阵列基板具有衬底基板以及位于所述衬底基板上的薄膜晶体管；

设置在所述阵列基板一侧的发光层，所述发光层包括多个像素单元，所述像素单元与所述薄膜晶体管连接；

设置在所述发光层远离所述阵列基板一侧的滤光层；

设置在所述像素单元远离所述阵列基板一侧的触控电极，所述触控电极与所述像素单元不交叠；

其中，所述触控电极完全位于所述滤光层内，或，至少部分所述触控电极位于所述滤光层远离所述发光层的一侧。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，至少部分所述触控电极位于所述滤光层远离所述发光层的一侧；

所述触控电极远离所述发光层的一侧设置有遮蔽结构，用于降低所述触控电极的可见性。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述遮蔽结构为不透光的遮光层，所述遮光层完全覆盖位于所述滤光层远离所述发光层一侧的所述触控电极，且与所述像素单元不交叠。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述遮蔽结构为透光的减反膜，覆盖所述触控电极。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述遮蔽结构包括第一微透镜和位于所述第一微透镜远离所述阵列基板一侧的保护层，所述第一微透镜与所述保护层的交界面为弧形，所述弧形朝向所述保护层凸起，所述保护层的折射率小于所述微透镜的折射率。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述遮蔽结构包括多个柱体，所述柱体位于所述触控电极远离所述发光层的一侧，且相邻所述柱体之间具有间隙；

所述滤光层远离所述发光层的一侧具有保护层，所述柱体位于所述保护层内，所述柱体沿平行于所述阵列基板所在平面排布，所述柱体的延伸方向垂直于所述阵列基板。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述柱体为无机材料，所述保护层为有机材料。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述滤光层包括黑色矩阵，所述黑色矩阵具有与所述像素单元一一对应的开口，所述开口用于露出所对应的所述像素单元；至少部分位于所述开口内的滤色器；所述黑色矩阵与所述像素单元不交叠。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述触控电极为自电容式触控电极，所述触控电极位于同一金属层；

所述触控电极位于所述黑色矩阵远离所述发光层的一侧；

或，所述发光层与所述滤光层之间具有封装层，所述触控电极位于封装层表面，且完全位于所述黑色矩阵内。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述触控电极为互电容式触控电极，所述触控电极包括：位于第一导电层的触控电极线以及位于第二导电层的跨桥线，所述第二导电层位于所述第一导电层远离所述发光层的一侧，所述跨桥线与所述触控电极线通过通孔连接；

其中，

所述触控电极线位于所述黑色矩阵远离所述发光层的一侧，所述触控电极线与所述跨桥线之间具有绝缘介质层；

或，所述发光层与所述滤光层之间具有封装层，所述触控电极线位于所述封装层表面，且位于所述黑色矩阵内，所述跨桥线位于所述黑色矩阵远离所述像发光层的一侧。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述滤色器完全位于所述黑色矩阵对应所述像素单元的开口内。

12.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述滤色器包括：第一部分，位于所述黑色矩阵对应所述像素单元的开口内；第二部分，延伸至所述开口的外部；

其中，

所述触控电极完全位于所述第二部分远离所述发光层的一侧；

或，所述像素单元与所述滤光层之间具有封装层，所述触控电极包括：位于第一导电层的触控电极线以及位于第二导电层的跨桥线，所述跨桥线与所述触控电极线通过通孔连接，所述触控电极线位于所述封装层与所述黑色矩阵之间，所述跨桥线位于所述黑色矩阵远离所述触控电极线的一侧，至少复用所述黑色矩阵作为所述触控电极线与所述跨桥线之间的绝缘介质层。

13.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述跨桥线位于所述第二部分内，或，所述跨桥线位于所述第二部分远离所述黑色矩阵的一侧。

14.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述滤色器包括：第一部分，位于所对应的所述开口内；第二部分，延伸至所述开口的外部；

其中，所述第二部分位于所述触控电极远离所述黑色矩阵的一侧，复用所述第二部分作为所述遮蔽结构。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：透明介质层，所述透明介质层位于所述滤光层以及所述触控电极远离所述发光层的一侧；第二微透镜，所述第二微透镜位于所述透明介质层远离所述滤光层的一侧，且与所述像素单元正对设置；

其中，所述第二微透镜与所述透明介质层的交界面为弧形，所述弧形朝向所述透明介质层凸起，所述第二微透镜的折射率小于所述透明介质层的折射率。

16.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述滤光层包括与所述像素单元一一对应的滤色器；

所述像素单元包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，对应所述绿色像素的滤色器的厚度最大，对应所述蓝色像素的滤色器的厚度最小。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述滤色器包括：第一部分，位于所对应的像素单元的正上方；第二部分，延伸至所对应像素单元的像素间隙上方；

所述触控电极完全位于所述滤光层远离所述发光层的一侧，且位于对应所述绿色像素的滤色器和/或所述红色像素的滤色器的第二部分上方。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，相邻所述滤色器之间无间隙，所述触控电极远离所述滤光层的一侧覆盖有遮光层，所述遮光层与所述像素单元不交叠，复用所述触控电极及所述遮光层作为黑色矩阵。

19.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述触控电极远离所述发光层的表面具有多个凸起微结构和凹陷微结构。

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