CN111653514B - 晶圆载置装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶圆载置装置。静电卡盘加热器(10)具备：在上表面具有晶圆载置面(20a)且内置有加热电极(22)及静电电极(25)的陶瓷板(20)；以及配置于陶瓷板(20)的与晶圆载置面(20a)相反的一侧的下表面(20b)，且冷却陶瓷板(20)的冷却板(40)，在冷却板(40)，遍及配置有陶瓷板(20)的整个区域设有制冷剂流路(50)，制冷剂流路(50)为上层流路(52)与下层流路(58)的两层构造。

Description

晶圆载置装置
技术领域
本发明涉及晶圆载置装置。
背景技术
作为晶圆载置装置，已知如下的装置，其具备在上表面具有晶圆载置面的陶瓷板、和配置于陶瓷板的与晶圆载置面相反的一侧的下表面且具有制冷剂流路的冷却板。冷却板内的制冷剂流路通常为单层。作为制冷剂流路不是单层的技术，例如，在专利文献1公开了如下静电卡盘：陶瓷板具有静电电极及加热电极，冷却板具有加热用的护套电极和在其上下设置的制冷剂流路。在该静电卡盘中，在使晶圆升温时，使护套电极发热，使制冷剂流通于下层的制冷剂流路，从而适度地进行静电卡盘的散热，实现静电卡盘整体的温度的稳定化。另一方面，在使晶圆降温时，使护套电极的发热停止，使制冷剂流通于上层的制冷剂流路，从而能够迅速冷却晶圆，提高降温特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018－6768号公报
发明内容
但是，在制冷剂流路为单层的情况下，由于在入口侧和出口侧制冷剂存在温度差等，因此有时晶圆的均热性低。另外，在专利文献1中，冷却板具有比冷却板主体热传导性低的护套电极，因此有时冷却效率低。另外，由于具有护套电极的部分和不具有护套电极的部分的散热差异，有时晶圆的均热性低。
本发明为了解决这样的课题而做成，其主要目的在于提高晶圆的均热性及冷却效率。
本发明的晶圆载置装置具备：
陶瓷板，其在上表面具有晶圆载置面，内置有静电电极及加热电极的至少一方；以及
冷却板，其配置于上述陶瓷板的与上述晶圆载置面相反的一侧的下表面，且冷却上述陶瓷板，
在上述冷却板设有制冷剂流路，上述制冷剂流路的至少一部分为相距上述晶圆载置面的距离不同的上下两层以上的多层构造。
在该晶圆载置装置中，设于冷却板的制冷剂流路的至少一部分为上下两层以上的多层构造，因此相比单层的情况，流路配置的变化更丰富，对于仅利用一层不能充分冷却的部分的冷却能够通过另一层补充。另外，冷却板并非使陶瓷板升温，而是进行冷却，因此，无需引用文献1那样的护套电极。因此，能够提高晶圆的均热性及冷却效率。
此外，在本说明书中，“上”“下”并非表示绝对的位置关系，而是表示相对的位置关系。因此，根据晶圆载置装置的朝向，“上”“下”成为“左”、“右”，或者成为“前”、“后”。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层的流路间距离、流路宽度以及流路截面积中的一个以上相比远离上述陶瓷板的层更小。制冷剂流路中的靠近陶瓷板的层容易影响晶圆的温度，因此适于温度的微调整。因此，如果缩小靠近陶瓷板的层的制冷剂流路的流路间距离、流路宽度、流路截面积中的一个以上，则能够容易地对温度进行微调整，进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层独立设置于将上述冷却板分割成多个而得到的每个区。若制冷剂流路在每个区独立设置，则能够对每个区分别地调整温度。特别是由于适于温度的微调整的靠近陶瓷板的层的制冷剂流路在每个区独立，因此容易对温度进行微调整，能够进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，上述冷却板具有沿上下方向贯通的贯通孔，在上述贯通孔的周边，上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层设置为相比远离上述陶瓷板的层更靠近上述贯通孔。冷却板中的贯通孔的周边与其它部分散热存在较大差异，因此难以进行温度的微调整，但若适于温度的微调整的靠近陶瓷板的层的制冷剂流路位于贯通孔的附近，则能够容易对温度进行微调整，进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，在俯视时，上述制冷剂流路的靠近上述陶瓷板的层和远离上述陶瓷板的层交替排列。这样的话，能够在某层不具有制冷剂流路的部分的冷却通过另一层的制冷剂流路补充，因此能够进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，就上述制冷剂流路而言，在将上述冷却板分割成多个而得到的区的边界，位于隔着上述边界的一方的靠近上述陶瓷板的层和位于隔着上述边界的另一方的远离上述陶瓷板的层通过第一连通部连通，并且位于隔着上述边界的一方的远离上述陶瓷板的层和位于隔着上述边界的另一方的靠近上述陶瓷板的层通过第二连通部连通，从而调换层的上下。在制冷剂流路中的靠近陶瓷板的层中，相比远离陶瓷板的层，来自陶瓷板侧的供热更大，因此制冷剂的温度分布容易变大。在将制冷剂流路的层的上下在途中调换的情况下，这样的大的供热分散到多个流路。因此，虽然远离陶瓷板的层的制冷剂的温度分布相比不调换层的上下的情况变大，但是容易影响晶圆的温度的靠近陶瓷板的层的制冷剂的温度分布变小，能够进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，就上述制冷剂流路而言，在俯视上述冷却板时，在靠近上述陶瓷板的层的入口侧具有远离上述陶瓷板的层的出口，在靠近上述陶瓷板的层的出口侧具有远离上述陶瓷板的层的入口。制冷剂流路内的制冷剂的温度倾向于，从入口朝向出口，接受来自陶瓷板侧的供热而变高。因此，例如，在靠近陶瓷板的层的入口位于外周部且出口位于中央部的情况下，在靠近陶瓷板的层中，制冷剂的中央部比外周部热，基于制冷剂得到的散热在中央部变差。因此，在远离陶瓷板的层中，将出入口颠倒，相比外周部，使中央部的散热更良好，由此能够抵消靠近陶瓷板的层的中央部的散热的变差。另一方面，在远离陶瓷板的层的外周部的散热的变差能够通过在靠近陶瓷板的层的外周部的散热的良好抵消。因此，能够进一步提高晶圆的均热性。
在本发明的晶圆载置装置中，也可以是，上述冷却板不具有加热器。这样，能够抑制由加热器用的部件带来的冷却效率、均热性的降低。
附图说明
图1是静电卡盘加热器10的立体图。
图2是图1的A－A剖视图。
图3是俯视制冷剂流路50时的说明图。
图4是静电卡盘加热器10的另一例的A－A剖视图。
图5是俯视上层流路52的另一例时的说明图。
图6是说明贯通孔27c周边的制冷剂流路50的配置的说明图。
图7是俯视制冷剂流路50的另一例时的说明图。
图8是静电卡盘加热器10的另一例的A－A剖视图。
图9是俯视第一流路61时的说明图。
图10是俯视上层流路52的另一例时的说明图。
符号说明
10—静电卡盘加热器，20—陶瓷板，20a—晶圆载置面，20b—下表面，22—加热电极，25—静电电极，27～29—孔，27c～29c—贯通孔，30—粘接片，40—冷却板，40b—下表面，40d—边界，50—制冷剂流路，52—上层流路，52a—分支点，52b—合流点，52i—入口，52o—出口，53—内侧流路，53i—入口，53o—出口，54—外侧流路，54i—入口，54o—出口，58—下层流路，58i—入口，58o—出口，61—第一流路，61c—第一连通部，61i—入口，61o—出口，61l—下层，61u—上层，62—第二流路，62l—下层，62u—上层，Z1—内侧区，Z2—外侧区。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的优选的实施方式。图1是静电卡盘加热器10的立体图，图2是图1的A－A剖视图，图3是俯视制冷剂流路50时的说明图。
静电卡盘加热器10具备在上表面具有晶圆载置面20a的陶瓷板20、和配置于陶瓷板20的与晶圆载置面20a相反的一侧的下表面20b的冷却板40。陶瓷板20和冷却板40经由绝缘性的粘接片30接合。在静电卡盘加热器10设有沿上下方向贯通的孔27。通过使插入该孔27的顶针上突，可以将载置于陶瓷板20的晶圆载置面20a的晶圆W顶起。孔27中的贯通冷却板40的贯通孔27c的表面被未图示的绝缘材覆盖。
陶瓷板20为由以氮化铝、氧化铝等为代表的陶瓷材料构成的圆盘状的板。在陶瓷板20内置有加热电极22和静电电极25。加热电极22例如由以钼、钨或碳化钨为主成分的绕阻线或印刷图案制作，以遍布圆盘状的陶瓷板20整体的方式以一笔划线的要领从一端到另一端配线。加热电极22的一端和另一端连接于从在冷却板40的下表面40b开口的孔28插入的未图示的一对供电棒。静电电极25例如由以钼、钨或碳化钨为主成分的网状物或板制作，且设置为与陶瓷板20的晶圆载置面20a平行。静电电极25连接于插入于孔29的未图示的供电棒。孔28、29是从陶瓷板20的下表面20b的开口到加热电极22或静电电极25的有底孔、贯通粘接片30的贯通孔以及将冷却板40沿上下方向贯通的贯通孔28c、29c连通而成的孔。孔28、29中的贯通冷却板40的贯通孔28c、29c的表面被未图示的绝缘材覆盖。
冷却板40是由以铝、铝合金等为代表的金属构成的圆盘状的板，在内部横贯配置有陶瓷板20的整个区域设有制冷剂流路50。制冷剂流路50是具有上层流路52和比上层流路52相距晶圆载置面20a的距离更远的下层流路58的多层构造。
上层流路52以遍布于配置有陶瓷板20的整个区域的方式以一笔划线的要领设置。具体而言，上层流路52从设于外周部的入口52i到设于中央部的出口52o设置成旋涡状(参照图3)。入口52i及出口52o连接于未图示的上层制冷剂冷却装置，从出口52o排出的制冷剂在上层制冷剂冷却装置进行温度调整后，再次返回入口52i，供给至上层流路52内。
下层流路58以遍布于配置有陶瓷板20的整个区域的方式以一笔划线的要领设置。具体而言，下层流路58从设于中央部的入口58i到设于外周部的出口58o设置成旋涡状(参照图3)。下层流路58除了构成为入口58i、出口58o与上层流路52的入口52i、出口52o不干涉以外，还配置成，流路截面与上层流路52为同形状，俯视时与上层流路52重合。下层流路58的入口58i及出口58o连接于未图示的下层制冷剂冷却装置，从出口58o排出的制冷剂在下层制冷剂冷却装置进行温度调整后，再次返回入口58i，供给至下层流路58内。
接下来，对本实施方式的静电卡盘加热器10的使用例进行说明。首先，在静电卡盘加热器10的晶圆载置面20a载置晶圆W，对静电电极25施加电压，由此通过静电的力将晶圆W吸附于陶瓷板20。该状态下，对晶圆W实施等离子CVD成膜、等离子蚀刻等处理。此时，对加热电极22施加电压加热晶圆W、或在冷却板40的制冷剂流路50循环水等制冷剂冷却晶圆W，由此控制晶圆W的温度。此外，制冷剂流路50中的上层流路52和下层流路58分别连接于不同的作为制冷剂冷却装置的上层制冷剂冷却装置及下层制冷剂冷却装置，在各流路52、58循环的制冷剂的温度被独立控制。晶圆W的处理结束后，将静电电极25与晶圆W之间的电压设为零，使静电的力消失，使插入于孔29的未图示的顶针上突，将晶圆W从陶瓷板20的晶圆载置面20a向上方用顶针顶起。被顶针顶起的晶圆W由未图示的搬送装置搬送到其它场所。
根据以上说明的本实施方式的静电卡盘加热器10，设于冷却板40的制冷剂流路50为上下两层的多层构造。因此，相比单层的情况，流路配置的变化更丰富，对于仅由一层不能充分冷却的部分的冷却能够利用另一层进行补充。另外，冷却板40并非使陶瓷板20升温而是进行冷却，因此无需加热用的护套电极等。因此，能够将多层构造的制冷剂流路50设于一体构造的冷却板40内，均热性良好，进一步地，能够提高晶圆W的均热性及冷却效率。
另外，就制冷剂流路50而言，在俯视冷却板40时，在上层流路52的入口52i侧(外周部)具有下层流路58的出口58o，在上层流路52的出口52o侧(中央部)具有下层流路58的入口58i。制冷剂流路内的制冷剂的温度倾向于，从入口朝向出口，接受来自陶瓷板20侧的供热(对晶圆W进行等离子处理时产生的热、通过对加热电极22的通电而产生的热)而变高。因此，在上层流路52中，就制冷剂而言，相比外周部，中央部变热，由制冷剂带来的散热在中央部变差。因此，在下层流路58中，使出入口与上层流路52相反，相比外周部，使中央部的散热更良好，由此能够抵消上层流路52的中央部的散热的变差。另一方面，下层流路58的在外周部的散热的变差度能够由上层流路52的在外周部的散热的良好度抵消。这样，能够进一步提高冷却板40的面内方向的均热性，因此能够进一步提高晶圆W的均热性。进一步地，上层流路52及下层流路58以俯视时重合的方式配置，上层流路52和下层流路58的制冷剂的朝向遍及整个区域为相反朝向，因此，遍及流路整体，能够起到这样的效果。
此外，本发明丝毫不限于上述的实施方式，只要属于本发明的技术性范围，当然可以以各种方式实施。
例如，在上述的实施方式中，上层流路52与下层流路58的流路截面为同形状且流路间距离及流路宽度相同，但是不限于此。例如，也可以如图4所示地，上层流路52相比下层流路58，流路间距离、流路宽度以及流路截面积全部更小。上层流路52相比下层流路58更容易影响晶圆W的温度，因此适合于温度的微调整。因此，若使上层流路52的流路间距离、流路宽度、流路截面积比下层流路58更小，则容易微调整温度，能够进一步提高晶圆W的均热性。图4中，上层流路52的流路间距离及流路宽度双方比下层流路58更小，以遍布配置有陶瓷板20的整个区域的方式精细地配置。因此，容易遍及配置有陶瓷板20的整个区域微调整温度。另外，在图4中，在贯通孔27c的周边，上层流路52相比下层流路58，流路间距离更小，设置于贯通孔27c的附近。冷却板40中的贯通孔27c的周边相比其它部分散热变差的情况较多，但容易影响晶圆W的温度的上层流路52位于贯通孔27c的附近，能够高效地冷却贯通孔27c的周边，因此容易微调整温度。对于贯通孔28c、29c也同样。另外，在图4中，在贯通孔27c的周边，上层流路52相比下层流路58，流路宽度更小。冷却板40中的贯通孔27c的周边和其它部分散热存在较大差异，因此难以进行温度的微调整，但适于温度的微调整的上层流路52的流路宽度小，且能够进行局部的冷却，因此容易对温度进行微调整。对于贯通孔28c、29c也同样。另外，在图4中，上层流路52相比下层流路58，流路截面积更小，因此，利用下层流路58进行主冷却，利用上层流路52进行副冷却，从而容易对温度进行微调整。上层流路52相比下层流路58也可以流路间距离、流路宽度以及流路截面积中的一个以上更小。
在上述的实施方式中，上层流路52也可以对将冷却板40分割成多个而得到的每个区独立设置。例如，也可以如图5所示，在圆形的内侧区Z1(图5的边界40d的内侧)设有内侧流路53，在包围内侧区Z1的环状的外侧区Z2(图5的边界40d的外侧)设有外侧流路54。内侧区Z1是中心与冷却板40相同且直径比冷却板40小的圆形的区。内侧流路53以遍布内侧区Z1的整个区域的方式以一笔划线的要领设置。具体而言，内侧流路53从外周侧的入口53i到中央部的出口53o设置成旋涡状。另外，外侧流路54以遍布外侧区Z2的整个区域的方式以一笔划线的要领设置。具体而言，外侧流路54从外周侧的入口54i到内周侧的出口54o设置成旋涡状。内侧流路53的入口53i及出口53o和外侧流路54的入口54i及出口54o分别连接于不同的制冷剂冷却装置，在各流路53、54循环的制冷剂的温度可被独立控制。因此，能够对每个区分别地调整温度。特别地，适于温度的微调整的上层流路52在每个区独立，因此容易对温度进行微调整，能够进一步提高晶圆W的均热性。此外，图5中，将冷却板40分割成内侧区Z1和外侧区Z2这两个，在各区Z1、Z2配置有各流路53、54，但也可以将冷却板40分割成三个以上，在每个区配置流路。另外，区的形状没有特别限定，除了圆形、环状，也可以采用半圆形、扇形、圆弧状等。另外，与上层流路52同样地，对于下层流路58也可以在将冷却板40分割成多个而得到的每个区独立设置。此外，如果使适于温度的微调整的上层流路52的区数量m(m≥1)比下层流路58的区数量n(n≥1)多，则能够更精细地微调整晶圆W的温度。
在上述的实施方式中，如图6所示，上层流路52也可以在贯通孔27c的跟前的分支点52a分支成两个，且在贯通孔27c的里部的合流点52b合流成一个。图6中，不仅贯通孔27c的两侧，能够遍及全周地使上层流路52比下层流路58更靠近贯通孔27c。冷却板40中的贯通孔27c的周边与其它部分散热存在较大差异，因此难以进行温度的微调整，但是，如果上层流路52位于贯通孔27c的附近，则容易对温度进行微调整，能够进一步提高晶圆W的均热性。特别地，在图6中，以包围贯通孔27c的全周的方式配置有上层流路52，因此能够进一步提高贯通孔27c周边的均热性。对于贯通孔28c、29c也同样。此外，下层流路58也可以与上层流路52同样地在贯通孔的跟前的分支点分支成两个，在贯通孔的里部的合流点合流成一个。
在上述的实施方式中，上层流路52及下层流路58在俯视时重合，但不限定于此。例如，也可以如图7所示地，在俯视时，上层流路52和下层流路58交替排列。能够将不存在上层流路52的部分的冷却利用下层流路58补充，将不存在下层流路58的部分的冷却利用上层流路52补充，因此能够提高晶圆的均热性。
在上述的实施方式中，制冷剂流路50具有接近陶瓷板20的上层流路52和远离陶瓷板20的下层流路58，流路的上下不变，但流路的上下也可以在途中调换。例如，如图8所示，也可以是，制冷剂流路50具有第一流路61和第二流路62，在内侧区Z1与外侧区Z2的边界40d，第一流路61和第二流路62的上下调换。第一流路61在外侧区Z2配置于陶瓷板20的附近(上层61u)，在内侧区Z1远离陶瓷板20配置(下层61l)。如图9所示，第一流路61从外周侧的入口61i到中央部的出口61o设置成旋涡状。上层61u以俯视时与图5的外侧流路54相同的方式配置，下层61l以俯视时与图5的内侧流路53相同的方式配置，上层61u的内周侧的端和下层61l的外周侧的端通过第一连通部61c连通。此外，在图9中，下层61l用深半色调网点表示，连通部61c用浅半色调网点表示，上层61u用白色表示。第二流路62在外侧区Z2远离陶瓷板20配置(下层62l)，在内侧区Z1配置于陶瓷板20的附近(上层62u)。第二流路62从中央部的入口到外周侧的出口设置成旋涡状。上层62u以俯视时与第一流路61的下层61l相同的方式配置，下层62l以俯视时与第一流路61的上层61u相同的方式配置，上层62u的外周侧的端和下层62l的内周侧的端通过第二连通部连通(省略图示)。第二连通部以与第一连通部61c不干涉的方式，例如，绕过第一连通部61c的方式配置。第一流路61和第二流路62分别连接于不同的作为制冷剂冷却装置的第一制冷剂冷却装置及第二制冷剂冷却装置，在各流路61、62循环的制冷剂的温度可独立控制。在制冷剂流路50中的接近陶瓷板20的层中，相比远离陶瓷板20的层，来自陶瓷板20侧的供热更大，因此流路内的制冷剂的温度分布容易变大。在如图8所示地将制冷剂流路50的层的上下在途中调换的情况下，这样的大的供热分散到多个流路。因此，虽然在下层61l、62l整体的制冷剂的温度分布比将层的上下比调换的情况大，但是在容易影响晶圆W的温度的上层61u、62u整体的制冷剂的温度分布变小，能够进一步提高晶圆W的均热性。此外，在图8中，第一流路61和第二流路62的流路截面积相同，但也可以不同。这样，能够使流路61、62的各流路截面积大致恒定，保证制冷剂的流动顺滑，并且在容易影响晶圆W的温度的上层的制冷剂流路中，能够改变内侧区Z1和外侧区Z2的流路截面积。另外，也可以将上层流路52更换为上层61u、62u，将下层流路58更换为下层61l、62l来应用本说明书的各种方案。
在上述的实施方式中，冷却板40的制造方法不特别限定，例如，可以如下进行。首先，准备金属制(例如，铝制)的下板及中板。下板及中板均在平面状的上表面设有槽，下表面为平面。然后，以堵塞下板的槽的方式，将下板的上表面和中板的下表面通过扩散接合法、焊锡接合法等接合。由此，形成由下板的槽和中板的下表面包围而成的下层流路58。然后，准备金属制(例如，铝制)的上板。上板的上表面及下表面为平面。然后，以堵塞中板的槽的方式，将中板的上表面和上板的下表面通过扩散接合法、焊锡接合法等结合，得到一体构造的接合体。由此，形成由中板的槽和上板的下表面包围而成的上层流路52。最后，从接合体的下表面朝向上层流路52、下层流路58穿通设置入口52i、58i、出口52o、58o，并且形成沿上下方向贯通的贯通孔27c～29c，得到一体构造的冷却板40。在该制造方法中，不使用树脂等热传导差的材料而形成一体构造，由此可得到均热性、冷却效率良好的冷却板40。此外，在此，接合下板和中板后接合上板，但接合顺序不特别限定，也可以一次接合全部的板。陶瓷板20的制造方法例如也可以如下。首先，将造粒得到的陶瓷材料颗粒(例如，氧化铝颗粒)以成为预定的厚度的方式铺满金属模具进行成形，进行烧成，得到平板。在得到的平板之上通过印刷形成静电电极25，在其之上铺满与之前同样的陶瓷材料颗粒进行成形，进行烧成而得到电极内置平板。在得到的电极内置平板之上通过配置或印刷形成加热电极22，在其之上铺满与之前同样的陶瓷材料颗粒进行成形，进行烧成而得到陶瓷板20。静电卡盘加热器10也可以通过在这样得到的陶瓷板20与冷却板40之间夹着粘接片30，根据需要进行加热、加压，粘接陶瓷板20和冷却板40制造。
在上述的实施方式中，上层流路52的入口52i位于外周部，出口52o位于中央部，但也可以使入口和出口相反。另外，如图10所示，也可以是，在外周部并列配置入口52i和出口52o，入口侧的流路和出口侧的流路并行至位于中央部的折回部。另外，上层流路52形成为旋涡状，但也可以不是旋涡状，也可以设为锯齿状等。下层流路5第一、二流路61、62也同样。
在上述的实施方式中，制冷剂流路50遍及配置有陶瓷板20的整个区域为上下两层的多层构造，但也可以局部为单层构造。例如，也可以仅外周部为多层构造，也可以仅中央部为多层构造。另外，也可以为上下三层以上的多层构造。
在上述的实施方式中，各制冷剂流路也可以在流路的途中(入口与出口之间)截面积、截面形状变化。例如，在想要使散热良好的部分，若通过增大流路截面积等使制冷剂容易流动，则制冷剂的流速加快，因此散热良好。
在上述的实施方式中，也可以在陶瓷板20针对将陶瓷板20分割成多个而得到的每个区埋设加热电极22。该区也可以与冷却板40的区相同。这样，能够进行适于陶瓷板20的各区的冷却。
在上述的实施方式中，在陶瓷板20内置有加热电极22和静电电极25，但只要内置静电电极及加热电极的至少一方即可。另外，也可以在陶瓷板20内置有RF电极。
在上述的实施方式中，冷却板40作为贯通孔具备贯通孔27c～29c，但也可以省略它们中的一个以上。另外，作为贯通孔，也可以具备向陶瓷板20的表面供给He气体等的气孔、对陶瓷板20进行测温的传感器的插入孔等。
本申请基于2019年3月4日申请的日本国专利申请第2019－038891号主张优先权，并将其内容通过引用并入本说明书。
生产上的可利用性
本发明可用于半导体的制造装置等。

Claims (7)

1.一种晶圆载置装置，其特征在于，具备：
陶瓷板，其在上表面具有晶圆载置面，内置有静电电极及加热电极的至少一方；以及
冷却板，其配置于上述陶瓷板的与上述晶圆载置面相反的一侧的下表面，且冷却上述陶瓷板，
在上述冷却板设有制冷剂流路，上述制冷剂流路的至少一部分为相距上述晶圆载置面的距离不同的上下两层以上的多层构造，
就上述制冷剂流路而言，在将上述冷却板分割成多个而得到的区的边界，位于隔着上述边界的一方的靠近上述陶瓷板的层和位于隔着上述边界的另一方的远离上述陶瓷板的层通过第一连通部连通，并且位于隔着上述边界的一方的远离上述陶瓷板的层和位于隔着上述边界的另一方的靠近上述陶瓷板的层通过第二连通部连通，从而调换层的上下。
2.根据权利要求1所述的晶圆载置装置，其特征在于，
上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层的流路间距离、流路宽度以及流路截面积中的一个以上相比远离上述陶瓷板的层更小。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆载置装置，其特征在于，
上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层独立设置于将上述冷却板分割成多个而得到的每个区。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆载置装置，其特征在于，
上述冷却板具有沿上下方向贯通的贯通孔，在上述贯通孔的周边，上述制冷剂流路中的靠近上述陶瓷板的层设置为相比远离上述陶瓷板的层更靠近上述贯通孔。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆载置装置，其特征在于，
在俯视时，上述制冷剂流路的靠近上述陶瓷板的层和远离上述陶瓷板的层交替排列。
6.根据权利要求1或2所述的晶圆载置装置，其特征在于，
就上述制冷剂流路而言，在俯视上述冷却板时，在靠近上述陶瓷板的层的入口侧具有远离上述陶瓷板的层的出口，在靠近上述陶瓷板的层的出口侧具有远离上述陶瓷板的层的入口。
7.根据权利要求1或2所述的晶圆载置装置，其特征在于，
上述冷却板不具有加热器。
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