CN115985743A - 晶片载放台 - Google Patents

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CN115985743A CN202210678777.8A CN202210678777A CN115985743A CN 115985743 A CN115985743 A CN 115985743A CN 202210678777 A CN202210678777 A CN 202210678777A CN 115985743 A CN115985743 A CN 115985743A
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井上靖也
久野达也
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

本发明提供一种晶片载放台，其抑制晶片产生热点。晶片载放台(10)具备：陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、以及多个孔(例如气体孔(44)、端子孔(51))。陶瓷基材(20)在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面(22a)，且内置有晶片吸附用电极(26)。冷却基材(30)与陶瓷基材(20)的下表面接合，且具有冷媒流路(32)。气体孔(44)、端子孔(51)沿着上下方向贯穿冷却基材(30)。在这些孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路(32)的冷媒与载放于晶片载放面(22a)的晶片(W)之间的热交换的热交换促进部(例如流路变细的部分(32a))。

Description

晶片载放台
技术领域
本发明涉及晶片载放台。
背景技术
以往，已知一种晶片载放台，该晶片载放台具备：陶瓷基材，其具有晶片载放面且内置有电极；冷却基材，其具有冷媒流路；以及接合层，其将陶瓷基材和冷却基材接合。例如，专利文献1、2中记载有如下内容，即，上述晶片载放台中，作为冷却基材，采用由线热膨胀系数与陶瓷基材为相同程度的金属基复合材料制作的部件。另外，记载有如下内容，即，在晶片载放台设置供用于向电极供电的供电端子插穿的端子孔、用于向晶片的背面供给He气体的气体孔、或者供将晶片自晶片载放面抬起的升降销插穿的升降销孔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5666748号公报
专利文献2：日本特许第5666749号公报
发明内容
然而，在端子孔、气体孔或者升降销孔的周边，排热能力差，因此，晶片的上述孔的正上方周边与其他部分相比，有时变成温度升高的所谓热点。
本发明是为了解决像这样的课题而实施的，其主要目的在于，抑制晶片产生热点。
本发明的晶片载放台具备：
陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；
冷却基材，该冷却基材与所述陶瓷基材的下表面接合，且具有冷媒流路；
多个孔，该多个孔沿着上下方向贯穿所述冷却基材；以及
热交换促进部，该热交换促进部设置于所述多个孔中的至少1个孔的周边区域，促进流通于所述冷媒流路的冷媒与载放于所述晶片载放面的晶片之间的热交换。
该晶片载放台中，在多个孔中的至少1个孔的周边区域设置有促进流通于冷媒流路的冷媒与载放于晶片载放面的晶片之间的热交换的热交换促进部。通常，晶片的上述孔的正上方周边容易成为热点，不过，本发明中，由于在上述孔的周边区域设置有热交换促进部，所以，孔的周边区域的排热得以促进。因此，能够抑制晶片产生热点。
本发明的晶片载放台可以为：所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，所述冷媒流路变细。流通于冷媒流路变细的部分的冷媒与流通于冷媒流路未变细的部分的情形相比，流速变快。因此，孔的周边区域的排热得以促进。例如，所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，俯视所述冷媒流路时，所述冷媒流路的宽度可以变窄。冷媒流路变细的部分的流路截面积优选为未变细的部分的流路截面积的60～90％。
本发明的晶片载放台可以为：所述热交换促进部中，在所述冷媒流路的内表面设置有翅片。流通于在冷媒流路设置有翅片的部分的冷媒与流通于未设置有翅片的部分的情形相比，容易变成湍流。因此，孔的周边区域的排热得以促进。在冷媒流路设置有翅片的部分的流路截面积优选为未设置有翅片的部分的流路截面积的60～90％。
本发明的晶片载放台可以为：所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，从所述晶片至所述冷媒流路的顶面的距离变短。流通于从晶片至冷媒流路的顶面的距离较短的部分的冷媒与流通于从晶片至冷媒流路的顶面的距离未变短的部分的情形相比，冷媒与晶片之间的热阻减小。因此，孔的周边区域的排热得以促进。热交换促进部中的从晶片至冷媒流路的顶面的距离优选为热交换促进部以外的从晶片至冷媒流路的顶面的距离的50～90％。
本发明的晶片载放台可以在所述晶片载放面的基准面具有以顶面对晶片的下表面进行支撑的多个小突起，所述多个小突起的顶面可以在同一平面上，所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，所述小突起的面积率可以增大，或者所述基准面可以提高。“小突起的面积率”是指：小突起的顶面的总面积在单位面积中所占据的比例。小突起为陶瓷，陶瓷与空隙相比，热传导率良好。小突起的面积率较大的部分与小突起的面积率不大的部分相比，平面方向上陶瓷所占据的比例较高，因此，晶片与冷媒之间的热交换得以促进，从而排热得以促进。自孔的中心起算半径25mm以内存在的小突起的面积率优选为除此以外的部位的2倍以上。另外，基准面提高的部分与基准面未提高的部分相比，基准面与晶片之间的空隙的厚度变薄。基准面提高的部分与基准面未提高的部分相比，厚度方向上陶瓷所占据的比例较高，因此，晶片与冷媒之间的热交换得以促进，从而排热得以促进。应予说明，热交换促进部中可以为，与偏离孔的周边区域的区域相比，小突起的面积率较大且基准面提高。
本发明的晶片载放台中，所述孔可以为供电部件插穿孔、升降销孔及气体孔中的至少1者，该供电部件插穿孔自所述晶片载放台中的所述电极朝向下方设置且供向所述电极供电的供电部件插穿，该升降销孔沿着上下方向贯穿所述晶片载放台且供升降销插穿，该气体孔沿着上下方向贯穿所述晶片载放面且向所述晶片载放面供给气体。通常，晶片中的供电部件插穿孔、升降销孔及气体孔的正上方区域容易成为热点。因此，应用本发明的意义重大。
附图说明
图1是设置于腔室94的晶片载放台10的纵截面图。
图2是晶片载放台10的平面图。
图3是以从冷媒流路32通过的水平面将晶片载放台10切断时的截面图。
图4是表示冷媒流路32的主要部分的放大截面图。
图5是晶片载放台10的制造工序图。
图6是表示冷媒流路32的另一例的主要部分的放大截面图。
图7是表示冷媒流路32的另一例的主要部分的放大截面图。
图8是表示冷媒流路32的另一例的主要部分的放大截面图。
图9是表示晶片载放面22a的另一例的主要部分的放大截面图。
图10是表示图9的晶片载放面22a的主要部分的平面图。
图11是表示晶片载放面22a的另一例的主要部分的平面图。
符号说明
10晶片载放台、20陶瓷基材、22中央部、22a晶片载放面、22b密封环带、22c、22f、22g、22h小突起、22d、22e基准面、24外周部、24a聚焦环载放面、26晶片吸附用电极、30冷却基材、32冷媒流路、32a冷媒流路的从孔的周边区域通过的部分、32b翅片、32p入口、32q出口、34凸缘部、40金属接合层、42绝缘膜、44气体孔、46气体供给源、48升降销孔、51端子孔、52晶片吸附用直流电源、53低通滤波器(LPF)、54供电端子、55绝缘管、62RF电源、63高通滤波器(HPF)、64供电端子、70紧固部件、70a内周台阶面、72螺栓、78聚焦环、94腔室、96设置板、98喷头、110接合体、120陶瓷烧结体、130MMC块、131MMC圆板部件、132沟、135金属接合层、136MMC圆板部件、144a气体孔上部、144b气体孔中间部、144c气体孔下部、151a端子孔上部、151b端子孔中间部、151c端子孔下部、d1、d2距离、W晶片。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。图1是设置于腔室94的晶片载放台10的纵截面图(以包括晶片载放台10的中心轴在内的面进行切断时的截面图)，图2是晶片载放台10的平面图，图3是以从冷媒流路32通过的水平面将晶片载放台10切断时的截面图，图4是表示冷媒流路32的主要部分的放大截面图。
晶片载放台10为利用等离子体对晶片W进行CVD、蚀刻等时所采用的部件，其固定于在半导体工艺用的腔室94的内部所设置的设置板96。晶片载放台10具备：陶瓷基材20、冷却基材30、以及金属接合层40。
陶瓷基材20在具有圆形的晶片载放面22a的中央部22的外周具备具有环状的聚焦环载放面24a的外周部24。以下，聚焦环有时简称为“FR”。在晶片载放面22a载放有晶片W，在FR载放面24a载放有聚焦环78。陶瓷基材20由氧化铝、氮化铝等所代表的陶瓷材料形成。FR载放面24a相对于晶片载放面22a而言降低一级。
陶瓷基材20的中央部22在靠近晶片载放面22a一侧内置有晶片吸附用电极26。晶片吸附用电极26由含有例如W、Mo、WC、MoC等的材料形成。晶片吸附用电极26为圆板状或网状的单极型的静电吸附用电极。陶瓷基材20中的比晶片吸附用电极26更靠上侧的层作为电介质层发挥作用。在晶片吸附用电极26借助供电端子54(相当于本发明的供电部件)连接有晶片吸附用直流电源52。供电端子54插穿于在晶片载放台10中的晶片吸附用电极26的下表面与冷却基材30的下表面之间所设置的端子孔51。供电端子54设置成：从在端子孔51中的沿着上下方向贯穿冷却基材30及金属接合层40的贯通孔所配置的绝缘管55通过，并从陶瓷基材20的下表面到达至晶片吸附用电极26。在晶片吸附用直流电源52与晶片吸附用电极26之间设置有低通滤波器(LPF)53。
如图2所示，在晶片载放面22a沿着外缘形成有密封环带22b，且在整面形成有多个小突起22c。密封环带22b及多个小突起22c形成于晶片载放面22a的基准面22d。小突起22c在本实施方式中为扁平的圆柱突起。密封环带22b的顶面及多个小突起22c的顶面位于同一平面上。密封环带22b及小突起22c的高度(亦即，从基准面22d至它们的顶面的距离)为数μm～数10μm。晶片W以与密封环带22b的顶面及多个小突起22c的顶面相接触的状态载放于晶片载放面22a。
冷却基材30为金属基复合材料(Metal-Matrix Composite(MMC))制的圆板部件。冷却基材30在内部具备可供冷媒循环的冷媒流路32。该冷媒流路32与未图示的冷媒供给路及冷媒排出路连接，从冷媒排出路排出的冷媒调整温度后，再次返回冷媒供给路。作为MMC，可以举出：包含Si、SiC及Ti的材料、使Al和/或Si含浸于SiC多孔质体得到的材料等。将包含Si、SiC及Ti的材料称为SiSiCTi，将使Al含浸于SiC多孔质体得到的材料称为AlSiC，将使Si含浸于SiC多孔质体得到的材料称为SiSiC。陶瓷基材20为氧化铝基材的情况下，作为用于冷却基材30的MMC，优选为热膨胀系数与氧化铝接近的AlSiC、SiSiCTi等。冷却基材30借助供电端子64而与RF电源62连接。在冷却基材30与RF电源62之间配置有高通滤波器(HPF)63。冷却基材30在下表面侧具有用于将晶片载放台10紧固于设置板96的凸缘部34。
金属接合层40将陶瓷基材20的下表面和冷却基材30的上表面接合。金属接合层40可以为例如由焊料或金属钎料形成的层。金属接合层40利用例如TCB(Thermalcompression bonding)形成。TCB是指：将金属接合材料夹入于待接合的2个部件之间，在加热到金属接合材料的固相线温度以下的温度的状态下将2个部件进行加压接合的公知方法。
陶瓷基材20的外周部24的侧面、金属接合层40的外周及冷却基材30的侧面由绝缘膜42被覆。作为绝缘膜42，例如可以举出：氧化铝、三氧化二钇等的喷镀膜。
晶片载放台10具有多个沿着上下方向贯穿晶片载放台10的孔。作为上述孔，如图2所示，有在晶片载放面22a的基准面22d呈开口的多个气体孔44、供使晶片W相对于晶片载放面22a上下移动的升降销插穿的升降销孔48。俯视晶片载放面22a时，气体孔44在基准面22d的适当位置设置有多个(本实施方式中为3个)。从外部的气体供给源46(参照图1)向气体孔44供给像He气体这样的热传导气体。如果以在晶片载放面22a载放有晶片W的状态向气体孔44供给热传导气体，则由晶片W、密封环带22b、小突起22c以及基准面22d包围的空间通过热传导气体进行填充。热传导气体与真空相比，热传导率较高，因此，发挥出使晶片W与陶瓷基材20之间的热传导变得良好的作用。俯视晶片载放面22a时，升降销孔48沿着晶片载放面22a的同心圆以等间隔设置有多个(本实施方式中为3个)。
对于在冷却基材30的内部所设置的冷媒流路32，如图3所示，从上方观察将冷媒流路32以水平面切断的截面时，在冷却基材30的除凸缘部34以外的区域整体，从入口32p至出口32q以一笔画的要领形成冷媒流路32。本实施方式中，冷媒流路32形成为旋涡状。冷媒流路32的从端子孔51的周边区域(图2及图3中以双点划线包围的区域)、气体孔44的周边区域及升降销孔48的周边区域通过的部分32a形成为：与这些孔的周边区域以外的部分相比，宽度变窄(流路变细)。即，冷媒流路32中的上述部分32a与除此以外的部分相比，流路截面积变小。因此，流通于冷媒流路32中的上述部分32a的冷媒与流通于除此以外的部分的情形相比，流速变快。冷媒流路32的部分32a相当于本发明的热交换促进部。冷媒流路32从上述孔51、44、48的左右两侧通过，不过，本实施方式中，使孔51、44、48的单侧变细。
对于上述晶片载放台10，采用紧固部件70，安装于在腔室94的内部所设置的设置板96。紧固部件70为截面呈大致倒L字状的环状部件，其具有内周台阶面70a。晶片载放台10和设置板96通过紧固部件70而实现一体化。在晶片载放台10的冷却基材30的凸缘部34载放有紧固部件70的内周台阶面70a的状态下，从紧固部件70的上表面插入螺栓72，旋合于在设置板96的上表面所设置的螺孔。螺栓72安装于沿着紧固部件70的圆周方向以等间隔设置的多处(例如8处、12处)。紧固部件70、螺栓72可以由绝缘材料制作，也可以由导电材料(金属等)制作。
接下来，采用图5，对晶片载放台10的制造例进行说明。图5是晶片载放台10的制造工序图。首先，对陶瓷粉末的成型体进行热压烧成，由此制作成为陶瓷基材20的基础的圆板状的陶瓷烧结体120(图5(A))。陶瓷烧结体120内置有晶片吸附用电极26。接下来，在陶瓷烧结体120的下表面至晶片吸附用电极26之间形成端子孔上部151a，并且，在规定位置设置沿着上下方向贯穿陶瓷烧结体120的气体孔上部144a及升降销孔上部(未图示)(图5(B))。然后，向端子孔上部151a中插入供电端子54，将供电端子54和晶片吸附用电极26进行接合(图5(C))。
与此同时，制作2个MMC圆板部件131、136(图5(D))。然后，在两个MMC圆板部件131、136设置沿着上下方向贯通的多个孔，并且，在上侧的MMC圆板部件131的下表面形成最终成为冷媒流路32的沟132(图5(E))。具体而言，在上侧的MMC圆板部件131设置端子孔中间部151b、气体孔中间部144b及升降销孔中间部(未图示)。另外，在下侧的MMC圆板部件136设置端子孔下部151c、气体孔下部144c及升降销孔下部(未图示)。对于沟132的与冷媒流路32的宽度较窄的部分32a相对应的部分132a，使沟宽度变窄。陶瓷烧结体120为氧化铝制的情况下，MMC圆板部件131、136优选为SiSiCTi制或AlSiC制。这是因为：氧化铝的热膨胀系数和SiSiCTi、AlSiC的热膨胀系数大致相同。
SiSiCTi制的圆板部件例如可以如下制作。首先，将碳化硅、金属Si以及金属Ti进行混合，制作粉体混合物。接下来，将得到的粉体混合物利用单轴加压成形制作圆板状的成型体，使该成型体在非活性气氛下进行热压烧结，由此得到SiSiCTi制的圆板部件。
接下来，在上侧的MMC圆板部件131的下表面与下侧的MMC圆板部件136的上表面之间配置金属接合材料，并且，在上侧的MMC圆板部件131的上表面配置金属接合材料。在各金属接合材料的与各孔对置的位置预先设置贯通孔。然后，将陶瓷烧结体120的供电端子54插入于端子孔中间部151b及端子孔下部151c，并将陶瓷烧结体120载放于在上侧的MMC圆板部件131的上表面所配置的金属接合材料之上。据此，得到将下侧的MMC圆板部件136、金属接合材料、上侧的MMC圆板部件131、金属接合材料以及陶瓷烧结体120自下侧开始依次层叠得到的层叠体。对该层叠体一边加热一边加压(TCB)，由此得到接合体110(图5(F))。接合体110是在成为冷却基材30的基础的MMC块130的上表面借助金属接合层40接合陶瓷烧结体120而得到的。MMC块130是上侧的MMC圆板部件131和下侧的MMC圆板部件136借助金属接合层135进行接合而得到的。MMC块130在内部具有冷媒流路32、端子孔51、气体孔44及升降销孔(未图示)。冷媒流路32的从各孔的周边区域通过的部分32a的宽度变窄。端子孔51为端子孔上部151a、端子孔中间部151b以及端子孔下部151c连结而成的孔，气体孔44为气体孔上部144a、气体孔中间部144b以及气体孔下部144c连结而成的孔。升降销孔未图示，不过，其为升降销孔上部、升降销孔中间部以及升降销孔下部连结而成的孔。
TCB例如如下进行。即，于金属接合材料的固相线温度以下(例如、固相线温度减去20℃得到的温度以上且固相线温度以下)的温度，将层叠体进行加压而接合，然后返回室温。据此，金属接合材料成为金属接合层。作为此时的金属接合材料，可以使用Al-Mg系接合材料、Al-Si-Mg系接合材料。例如，采用Al-Si-Mg系接合材料进行TCB的情况下，以在真空气氛下进行加热的状态将层叠体进行加压。金属接合材料优选采用厚度为100μm左右的金属接合材料。
接下来，对陶瓷烧结体120的外周进行切削，形成台阶，由此制成具备中央部22和外周部24的陶瓷基材20。另外，对MMC块130的外周进行切削形成台阶，由此制成具备凸缘部34的冷却基材30。另外，在端子孔51的从陶瓷基材20的下表面至冷却基材30的下表面配置供供电端子54插穿的绝缘管55。进而，采用陶瓷粉末对陶瓷基材20的外周部24的侧面、金属接合层40的周围及冷却基材30的侧面进行喷镀，由此形成绝缘膜42(图5(G))。利用例如喷砂加工形成密封环带22b及小突起22c。据此，得到晶片载放台10。
应予说明，图1的冷却基材30记载为一体产品，不过，也可以为如图5(G)所示2个部件以金属接合层进行接合得到的结构，还可以为3个以上的部件以金属接合层进行接合得到的结构。
接下来，采用图1，对晶片载放台10的使用例进行说明。如上所述，晶片载放台10通过紧固部件70而固定于腔室94的设置板96。在腔室94的顶面配置有将工艺气体从许多气体喷射孔向腔室94的内部释放的喷头98。
在晶片载放台10的FR载放面24a载放有聚焦环78，在晶片载放面22a载放有圆盘状的晶片W。聚焦环78沿着上端部的内周具备台阶，以使其不会与晶片W发生干扰。在该状态下，向晶片吸附用电极26施加晶片吸附用直流电源52的直流电压，使晶片W吸附于晶片载放面22a。然后，将腔室94的内部设定为规定的真空气氛(或减压气氛)，一边从喷头98供给工艺气体，一边向冷却基材30施加来自RF电源62的RF电压。于是，在晶片W与喷头98之间产生等离子体。然后，利用该等离子体，对晶片W实施CVD成膜或者蚀刻。应予说明，随着晶片W的等离子体处理，聚焦环78也有所消耗，不过，由于聚焦环78比晶片W厚，所以，将多块晶片W进行处理之后进行聚焦环78的更换。
以高功率等离子体对晶片W进行处理的情况下，需要将晶片W高效地冷却。晶片载放台10中，作为陶瓷基材20与冷却基材30的接合层，采用热传导率高的金属接合层40，而不是热传导率低的树脂层。因此，从晶片W带走热量的能力(排热能力)较高。另外，由于陶瓷基材20与冷却基材30之间的热膨胀差较小，所以，即便金属接合层40的应力缓和性较低，也不易产生问题。此外，由于冷媒流路32的从各孔的周边区域通过的部分32a变细，所以，流通于该部分32a的冷媒的流速比除此以外的部分快，晶片W与冷媒之间的热交换得以促进。
以上说明的本实施方式的晶片载放台10中，在孔(端子孔51、气体孔44或升降销孔48)的周边区域设置有促进流通于冷媒流路32的冷媒与载放于晶片载放面22a的晶片W之间的热交换的热交换促进部(冷媒流路32中的变细的部分32a)。通常，晶片W中的上述孔的正上方周边容易成为热点，不过，本实施方式中，由于在上述孔的周边区域设置有热交换促进部，所以，孔的周边区域的排热得以促进。因此，能够抑制晶片W产生热点。
另外，通常，晶片W中的端子孔51、气体孔44或升降销孔48的正上方区域容易成为热点。因此，在这些孔的周边区域应用热交换促进部(冷媒流路32中的变细的部分32a)的意义重大。
应予说明，本发明不受上述实施方式的任何限定，当然只要属于本发明的技术范围则能够以各种方案进行实施。
上述实施方式中，在从端子孔51的左右两侧通过的冷媒流路32中的一者设置有变细的部分32a，但不特别限定于此。例如，如图6的放大截面图所示，可以在从端子孔51的左右两侧通过的冷媒流路32中的两者设置较细的部分32a。据此，更容易防止端子孔51的周边区域成为热点。从气体孔44或升降销孔48的左右两侧通过的冷媒流路32也可以采用与此同样的结构。
上述实施方式中，在从端子孔51的周边区域通过的冷媒流路32设置有冷媒流路32变细的部分32a作为热交换促进部，但不特别限定于此。例如，如图7的放大截面图所示，可以在从端子孔51的周边区域通过的冷媒流路32的内表面设置翅片32b作为热交换促进部。流通于在冷媒流路32设置有翅片32b的部分的冷媒与流通于未设置翅片的部分的情况相比，容易成为湍流。因此，端子孔51的周边区域的排热得以促进。应予说明，翅片32b的数量、长度根据所希望的排热量进行适当设定即可。从气体孔44或升降销孔48的周边区域通过的冷媒流路32也可以采用与此同样的结构。
或者，如图8的放大截面图所示，可以使端子孔51的周边区域中的晶片W至冷媒流路32的顶面的距离d1比偏离端子孔51的周边区域的区域中的晶片W至冷媒流路32的顶面的距离d2短。流通于晶片W至冷媒流路32的顶面的距离较短的部分(距离d1的部分)的冷媒与流通于晶片W至冷媒流路32的顶面的距离未变短的部分(距离d2的部分)的情形相比，冷媒与晶片W之间的热阻变小。因此，端子孔51的周边区域的排热得以促进。应予说明，图8中，对于晶片W至冷媒流路32的顶面的距离较短的部分，使冷媒流路32的上下方向上的长度比其他的部分长，不过，可以为与其他部分相同的长度。气体孔44或升降销孔48的周边区域也可以采用与此同样的结构。
或者，如图9的放大截面图及图10的平面图所示，可以将晶片载放面22a的在端子孔51的周边区域X所形成的基准面22e与在偏离端子孔51的周边区域X的区域所形成的基准面22d相比进行了提高。据此，支撑于小突起22c的晶片W与基准面22e之间的空隙的厚度比晶片W与基准面22d之间的空隙的厚度薄。晶片载放面22a的形成有提高了的基准面22e的端子孔51的周边区域X与偏离端子孔51的周边区域X的区域(形成有基准面22d的区域)相比，由于厚度方向上陶瓷占据的比例较高，所以，晶片W与冷媒之间的热交换得以促进，从而排热得以促进。气体孔44或升降销孔48的周边区域也可以采用与此同样的结构。
或者，如图11(A)～(D)所示，可以使端子孔51的周边区域X与偏离端子孔51的周边区域X的区域相比，小突起的面积率变大。图11(A)～(D)是表示晶片载放面22a的另一例的主要部分(相当于图2中以单点划线包围的部分)的平面图。小突起的面积率是指：小突起的顶面的总面积在单位面积中所占据的比例。例如，图11(A)中，端子孔51的周边区域X与偏离端子孔51的周边区域X的区域相比，使小突起22c的配置密度提高。图11(B)中，在端子孔51的周边区域X配置有顶面的面积比小突起22c大的小突起22f。图11(C)中，端子孔51的周边区域X与偏离端子孔51的周边区域X的区域相比，较密地配置有顶面的面积比小突起22c大的小突起22g。图11(D)中，在端子孔51的周边区域X配置有1个具备将该周边区域X大致覆盖的面积的小突起22h。任一种情况下都是，端子孔51的周边区域X与偏离端子孔51的周边区域X的区域相比，小突起的面积率较大。小突起为陶瓷，陶瓷与空隙相比，热传导率良好。小突起的面积率较大的部分与小突起的面积率不大的部分相比，由于平面方向上陶瓷所占据的比例较高，所以，晶片与冷媒之间的热交换得以促进，从而排热得以促进。气体孔44或升降销孔48的周边区域也可以采用与此同样的结构。
上述实施方式中，在端子孔51、气体孔44及升降销孔48的周边区域都设置有热交换促进部，但不特别限定于此。例如，可以在这些孔中的一部分孔的周边区域(例如特别容易成为热点的区域)设置热交换促进部。
上述实施方式中，对于从孔的周边区域通过的部分32a，使冷媒流路32的宽度变窄，但不特别限定于此。例如，对于从孔的周边区域通过的部分32a，可以使冷媒流路32的上下方向上的长度变小。
上述实施方式中，由MMC制作冷却基材30，但不特别限定于此。可以由金属(例如铝、钛、钼、钨及它们的合金)制作冷却基材30。
上述实施方式中，将陶瓷基材20和冷却基材30借助热传导率良好且发明效果较高的金属接合层40进行接合，但不特别限定于此。例如，可以采用树脂接合层代替金属接合层40。
上述实施方式中，使俯视冷媒流路32时的形状为旋涡状，但不特别限定于此。例如，可以使俯视冷媒流路32时的形状为锯齿状。具体而言，可以在俯视时以冷却基材30的中心为对称中心的点对称的外周附近的2点设置入口和出口，从入口至出口以一笔画的要领按锯齿状形成冷媒流路32。
上述实施方式中，在陶瓷基材20的中央部22内置有晶片吸附用电极26，不过，代替晶片吸附用电极26，可以内置有等离子体发生用的RF电极，也可以内置有加热器电极(电阻发热体)，或者除了晶片吸附用电极26以外，可以还内置有等离子体发生用的RF电极，也可以还内置有加热器电极(电阻发热体)。另外，可以在陶瓷基材20的外周部24内置有聚焦环(FR)吸附用电极，也可以内置有RF电极或加热器电极。
上述实施方式中，图5(A)的陶瓷烧结体120是通过对陶瓷粉末的成型体进行热压烧成而制作的，不过，此时的成型体可以是将多块流延成型体进行层叠而制作的，也可以通过模铸法进行制作，还可以通过将陶瓷粉末进行压固来制作。

Claims (7)

1.一种晶片载放台，其中，具备：
陶瓷基材，该陶瓷基材在上表面具有能够载放晶片的晶片载放面，且内置有电极；
冷却基材，该冷却基材与所述陶瓷基材的下表面接合，且具有冷媒流路；
多个孔，该多个孔沿着上下方向贯穿所述冷却基材；以及
热交换促进部，该热交换促进部设置于所述多个孔中的至少1个孔的周边区域，促进流通于所述冷媒流路的冷媒与载放于所述晶片载放面的晶片之间的热交换。
2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其中，
所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，所述冷媒流路变细。
3.根据权利要求2所述的晶片载放台，其中，
所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，俯视所述冷媒流路时，所述冷媒流路的宽度变窄。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的晶片载放台，其中，
所述热交换促进部中，在所述冷媒流路的内表面设置有翅片。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的晶片载放台，其中，
所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，从所述晶片至所述冷媒流路的顶面的距离变短。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的晶片载放台，其中，
所述晶片载放台在所述晶片载放面的基准面具有以顶面对晶片的下表面进行支撑的多个小突起，
所述多个小突起的顶面在同一平面上，
所述热交换促进部中，与偏离所述孔的周边区域的区域相比，所述小突起的面积率增大，或者所述基准面提高。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的晶片载放台，其中，
所述孔为供电部件插穿孔、升降销孔及气体孔中的至少1者，该供电部件插穿孔自所述晶片载放台中的所述电极朝向下方设置且供向所述电极供电的供电部件插穿，该升降销孔沿着上下方向贯穿所述晶片载放台且供升降销插穿，该气体孔沿着上下方向贯穿所述晶片载放面且向所述晶片载放面供给气体。
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