CN116959941A - 晶片载放台 - Google Patents

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久野达也
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

本发明提供一种晶片载放台，其能够将具备脆性的冷却基材的晶片载放台无障碍地紧固于设置板，且能够防止晶片产生温度特异点。晶片载放台(10)具备：氧化铝基材(20)、脆性的冷却基材(30)、以及延展性的内螺纹部件(38)。氧化铝基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)，且内置有电极(26)。冷却基材(30)接合于氧化铝基材(20)的下表面，且形成有制冷剂流路(32)。内螺纹部件(38)以被限制了轴旋转的状态且是以与在冷却基材(30)的下表面呈开口的收纳孔(36)的卡合部卡合的状态收纳于收纳孔(36)内。内螺纹部件(38)能够与从冷却基材(30)的下表面侧插入的螺栓(98)的外螺纹旋合。收纳孔(36)设置于制冷剂流路(32)的内部。

Description

晶片载放台
技术领域
本发明涉及晶片载放台。
背景技术
以往，已知有将内置有电极的陶瓷基材和内部形成有制冷剂流路的冷却基材借助粘接材料进行接合而得到的晶片载放台。专利文献1中记载有将上述晶片载放台载放于设置板之上并利用螺钉进行固定的例子。具体而言，在冷却基材的下表面设置有内螺纹孔，从下方插入于沿着上下方向贯穿设置板的螺钉穿过孔的螺栓的外螺纹旋合于内螺纹孔。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-150104号公报
发明内容
然而，在冷却基材的下表面设置内螺纹孔而供从设置板穿过的螺栓的外螺纹旋合的情况下，如果冷却基材的材料为延展性材料(例如铝)，则不会产生障碍，但是，如果是脆性材料(例如金属基复合材料)，则会产生障碍。具体而言，冷却基材的内螺纹孔因螺栓而局部以较大的力朝向下方拉伸，因此，如果是没有延展性的材料，则有可能开裂。另外，也希望尽量防止晶片产生温度特异点。
本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，能够将具备脆性的冷却基材的晶片载放台无障碍地紧固于设置板，且防止晶片产生温度特异点。
本发明的晶片载放台具备：
氧化铝基材，该氧化铝基材在上表面具有晶片载放面，且内置有电极；
脆性的冷却基材，该冷却基材接合于所述氧化铝基材的下表面，且形成有制冷剂流路；以及
延展性的结合部件，该结合部件以被限制了轴旋转的状态且是以与在所述冷却基材的下表面呈开口的收纳孔的卡合部卡合的状态收纳于所述收纳孔内，且具有外螺纹部或内螺纹部，
所述收纳孔设置于所述制冷剂流路内。
该晶片载放台中，具有外螺纹部或内螺纹部的结合部件以被限制了轴旋转的状态且是与收纳孔的卡合部卡合的状态收纳于在冷却基材的下表面呈开口的收纳孔内。结合部件被限制了轴旋转，所以，能够旋合于在冷却基材的下表面侧所配置的具有内螺纹部或外螺纹部的被结合部件。另外，结合部件即便因以与收纳孔的卡合部卡合的状态设置于设置板的被结合部件而朝向设置板被拉伸，由于具有延展性，所以不易开裂。因此，能够将具备脆性的冷却基材的晶片载放台无障碍地紧固于设置板。此外，收纳孔设置于制冷剂流路内。避开收纳孔地布置制冷剂流路的情况下，晶片的收纳孔的正上方附近不会被充分冷却，因此，容易成为温度特异点，不过，此处，由于将收纳孔设置于制冷剂流路内，所以能够防止产生这样的温度特异点。
应予说明，本说明书中，有时采用上下、左右、前后等对本发明进行说明，不过，上下、左右、前后只不过是相对的位置关系。因此，在改变了晶片载放台的朝向的情况下，有时上下变为左右、左右变为上下，这种情形也包含在本发明的技术范围中。另外，“制冷剂流路”可以为在冷却基材的内部所设置的制冷剂流路，也可以为在冷却基材的上表面或下表面所设置的制冷剂流路沟。
本发明的晶片载放台(上述[1]所述的晶片载放台)中，所述结合部件可以是：具有所述内螺纹部且能够与从所述冷却基材的下表面侧插入的螺栓的外螺纹旋合的部件。
本发明的晶片载放台(上述[1]或[2]所述的晶片载放台)中，所述冷却基材可以由金属与陶瓷的复合材料或氧化铝材料形成。由于金属与陶瓷的复合材料、氧化铝材料为脆性材料，所以，应用本发明的意义重大。例如，采用金属与陶瓷的复合材料的情况下，优选采用具有与氧化铝同等的热膨胀系数的复合材料。
本发明的晶片载放台(上述[1]～[3]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述卡合部可以为在所述收纳孔的内周面所设置的台阶部或倾斜部，所述结合部件可以具有被卡合部，该被卡合部与所述卡合部卡合，以使得所述结合部件不会从所述收纳孔下落。据此，能够比较简单地制作卡合部、被卡合部。例如，卡合部为台阶部的情况下，在结合部件可以设置卡挂于该台阶部的被卡合部。另外，卡合部为倾斜部的情况下，在结合部件可以设置与该倾斜部一致的倾斜面作为被卡合部。
本发明的晶片载放台(上述[1]～[4]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述结合部件可以在要进行轴旋转时，碰到所述收纳孔的壁而被限制轴旋转。据此，能够以比较简单的构成限制结合部件的轴旋转。
本发明的晶片载放台(上述[1]～[5]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述冷却基材可以为单层结构。据此，不需要粘贴冷却基材来制造，因此，能够降低冷却基材的制造成本。
冷却基材为单层结构的本发明的晶片载放台(上述[6]所述的晶片载放台)中，所述制冷剂流路可以具有在所述冷却基材的上表面或下表面所设置的制冷剂流路沟。例如，在冷却基材的上表面具有制冷剂流路沟的情况下，将制冷剂流路沟的上表面以氧化铝基材(或将氧化铝基材和冷却基材进行接合的接合层)覆盖而形成制冷剂流路。另外，在冷却基材的下表面具有制冷剂流路沟的情况下，将制冷剂流路沟的下表面以板部件(例如设置板)覆盖而形成制冷剂流路。
本发明的晶片载放台(上述[1]～[7]中的任一项所述的晶片载放台)中，所述制冷剂流路可以具备俯视时分别从一端至另一端按一笔画的要领设置的多个线条，所述收纳孔可以设置于所述多个线条中的1个以上。
附图说明
图1是设置于腔室94的晶片载放台10的纵向截面图。
图2是晶片载放台10的俯视图。
图3是表示收纳孔36及内螺纹部件38的周边的放大截面图。
图4是从上方观察将收纳孔36水平地切断时的截面而得到的截面图。
图5是晶片载放台10的制造工序图。
图6是晶片载放台210的纵向截面图。
图7是晶片载放台310的纵向截面图。
图8是作为结合部件采用外螺纹部件80时的放大截面图。
图9是晶片载放台10的另一例的俯视图。
附图标记说明
10…晶片载放台，12…聚焦环，20…氧化铝基材，22…中央部，22a…晶片载放面，24…外周部，24a…聚焦环载放面，26…晶片吸附用电极，27…孔，30…冷却基材，32…制冷剂流路，34…凸缘部，36…收纳孔，36a…台阶部，37…穿过路，38…内螺纹部件，38a…螺孔，40…金属接合层，42…绝缘膜，52…晶片吸附用直流电源，53…低通滤波器，54…供电端子，55…绝缘管，62…RF电源，63…高通滤波器，64…供电端子，70…夹紧部件，70a…内周台阶面，72…螺栓，76～78…密封圈，80…外螺纹部件，82…螺母，94…腔室，95…喷头，96…设置板，97…贯通孔，97a…台阶部，98…螺栓，98a…外螺纹，110…接合体，120…氧化铝烧结体，130…圆形块体，131、133…圆板部件，132、136…沟，137、154a、154b…贯通孔，210…晶片载放台，230…冷却基材，232…制冷剂流路，236…收纳孔，282…制冷剂流路沟，310…晶片载放台，330…冷却基材，332…制冷剂流路，336…收纳孔，382…制冷剂流路沟，432…制冷剂流路，432a、432b…线条。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的优选实施方式进行说明。图1是设置于腔室94的晶片载放台10的纵向截面图(沿包含晶片载放台10的中心轴在内的面切断时的截面图)，图2是晶片载放台10的俯视图，图3是表示收纳孔36及内螺纹部件38的周边的放大截面图，图4是从上方观察将收纳孔36水平地切断时的截面而得到的截面图。
晶片载放台10是为了利用等离子体对晶片W进行CVD、刻蚀等而采用的部件，其固定于在半导体处理用的腔室94的内部所设置的设置板96。晶片载放台10具备：氧化铝基材20、冷却基材30、以及金属接合层40。
氧化铝基材20在具有圆形的晶片载放面22a的中央部22的外周具备具有环状的聚焦环载放面24a的外周部24。以下，聚焦环有时简称为“FR”。在晶片载放面22a载放有晶片W，在FR载放面24a载放有聚焦环12。FR载放面24a相对于晶片载放面22a而言低一级。
氧化铝基材20的中央部22在靠近晶片载放面22a一侧内置有晶片吸附用电极26。晶片吸附用电极26由含有例如W、Mo、WC、MoC等的材料形成。晶片吸附用电极26是圆板状或网状的单极型静电吸附用电极。氧化铝基材20的比晶片吸附用电极26靠上侧的层作为电介质层发挥作用。晶片吸附用直流电源52借助供电端子54而与晶片吸附用电极26连接。供电端子54设置成：从在沿着上下方向贯穿冷却基材30及金属接合层40的贯通孔所配置的绝缘管55中通过，并从氧化铝基材20的下表面到达晶片吸附用电极26。在晶片吸附用直流电源52与晶片吸附用电极26之间设置有低通滤波器(LPF)53。
冷却基材30是脆性的导电材料制的圆板部件。冷却基材30在内部具备可供制冷剂循环的制冷剂流路32。如图2所示，制冷剂流路32俯视时从一端(入口)至另一端(出口)按一笔画的要领设置于氧化铝基材20的整面。制冷剂流路32的一端及另一端与分别设置于设置板96的未图示的制冷剂供给路及制冷剂排出路连接，从制冷剂排出路排出的制冷剂进行了温度调整后，再次返回到制冷剂供给路。流通于制冷剂流路32的制冷剂优选为液体，且优选为电绝缘性。作为电绝缘性的液体，可以举出例如氟系非活性液体等。作为脆性的导电材料，可以举出金属与陶瓷的复合材料等。作为金属与陶瓷的复合材料，可以举出金属基复合材料(MMC)、陶瓷基复合材料(CMC)等。作为上述复合材料的具体例，可以举出：包含Si、SiC及Ti的材料、使Al和/或Si含浸于SiC多孔质体而得到的材料、Al2O3与TiC的复合材料等。将包含Si、SiC及Ti的材料称为SiSiCTi，将使Al含浸于SiC多孔质体而得到的材料称为AlSiC，将使Si含浸于SiC多孔质体而得到的材料称为SiSiC。作为用于冷却基材30的导电材料，优选为热膨胀系数与氧化铝接近的AlSiC、SiSiCTi等。冷却基材30借助供电端子64而与RF电源62连接。在冷却基材30与RF电源62之间配置有高通滤波器(HPF)63。冷却基材30在下表面侧具有用于将晶片载放台10夹紧于设置板96的凸缘部34。
在冷却基材30设置有多个收纳孔36，在收纳孔36内收纳有内螺纹部件38(结合部件)。收纳孔36以大致沿着冷却基材30的同心圆(例如晶片W的直径的1/2、1/3的圆)的方式大致等间隔地设置有多个(例如6个、8个)。亦即，如图2所示，多个收纳孔36设置于靠近晶片载放台10的中心的区域。如图3所示，收纳孔36经由沿着上下方向延伸的穿过路37而在冷却基材30的下表面呈开口。收纳孔36为在制冷剂流路32的内部所设置的长方体状的空间。收纳孔36与穿过路37的接缝部分为台阶部36a。台阶部36a为收纳孔36的水平底面。在收纳孔36收纳有内螺纹部件38。内螺纹部件38为俯视时呈长方形的螺母，且在中央具有作为内螺纹的螺孔38a。由于内螺纹部件38的下表面与收纳孔36的台阶部36a卡合(抵接)，所以，内螺纹部件38不会从收纳孔36下落。当内螺纹部件38要进行轴旋转时，如图4所示，内螺纹部件38碰到收纳孔36的侧壁而被限制轴旋转。内螺纹部件38由延展性材料(例如Ti、Mo、W等)形成。
金属接合层40将氧化铝基材20的下表面和冷却基材30的上表面进行接合。金属接合层40可以为例如由焊料、金属钎料形成的层。例如，利用TCB(Thermal compressionbonding)形成金属接合层40。TCB是指：将金属接合材料夹入于待接合的2个部件之间，在加热到金属接合材料的固相线温度以下的温度的状态下，对2个部件进行加压接合的公知的方法。
氧化铝基材20的外周部24的侧面、金属接合层40的外周及冷却基材30的侧面由绝缘膜42被覆。作为绝缘膜42，例如可以举出氧化铝、三氧化二钇等喷镀膜。
上述晶片载放台10隔着密封圈76、77而安装于在腔室94的内部所设置的设置板96之上。密封圈76、77由金属或树脂制成。密封圈76配置于冷却基材30的外缘的稍内侧。密封圈77配置成将螺栓98的脚部周围包围，防止制冷剂向密封圈77的外侧漏出。
晶片载放台10的外周区域采用夹紧部件70而安装于设置板96。夹紧部件70为截面呈大致倒L字状的环状部件，且具有内周台阶面70a。在晶片载放台10的冷却基材30的凸缘部34载放有夹紧部件70的内周台阶面70a的状态下，螺栓72自夹紧部件70的上表面插入并旋合于在设置板96的上表面所设置的螺孔。螺栓72安装于沿着夹紧部件70的圆周方向等间隔地设置的多处(例如8处、12处)。夹紧部件70、螺栓72可以由绝缘材料制作，也可以由导电材料(金属等)制作。另外，晶片载放台10的中央区域采用螺栓98(被结合部件)而安装于设置板96。如图3所示，在螺栓98的脚部设置有外螺纹98a。螺栓98自设置板96的下表面穿过在设置板96的与收纳孔36对置的位置所设置的贯通孔97，且外螺纹98a旋合于收纳孔36内的内螺纹部件38的螺孔38a。贯通孔97的上部为小径，下部为大径，在上部与下部之间具有台阶部97a。螺栓98的头部隔着密封圈78而卡挂于贯通孔97的台阶部97a。密封圈78由金属或树脂制成，防止收纳孔36的制冷剂从穿过路37通过而向外侧漏出。内螺纹部件38以被限制了轴旋转的状态收纳于收纳孔36内，因此，能够将螺栓98旋合于内螺纹部件38。当将螺栓98旋合于内螺纹部件38时，内螺纹部件38成为以与收纳孔36的台阶部36a卡合的状态朝向设置板96而被拉伸的状态。
在使用晶片载放台10时，氧化铝基材20的晶片载放面22a侧为真空，冷却基材30的下表面侧为大气，因此，晶片载放台10容易朝上而呈凸状。另外，利用高功率等离子体对晶片W进行处理的情况下，氧化铝基材20的晶片载放面22a侧为高温，下表面侧被冷却而为低温，因此，晶片载放面22a侧容易延伸，晶片载放台10容易朝上而呈凸状。不过，本实施方式中，晶片载放台10的中央区域通过螺栓98而被固定，因此，能够防止晶片载放台10朝上而呈凸状。另外，在冷却基材30的下表面的中央区域与设置板96的上表面之间配置有密封圈76、77，不过，由于晶片载放台10的中央区域通过螺栓98而被固定，所以，密封圈76、78以被压牢的状态维持着。制冷剂流路32的一端和另一端未图示，不过，经由配置于冷却基材30与设置板96之间的密封圈而与分别设置于设置板96的制冷剂供给路和制冷剂排出路连接。这些密封圈防止制冷剂向外侧漏出。这些密封圈也以被压牢的状态维持着。
接下来，采用图5，对晶片载放台10的制造例进行说明。图5是晶片载放台10的制造工序图。首先，对氧化铝粉末的成型体进行热压烧成，由此制作作为氧化铝基材20的基础的圆板状的氧化铝烧结体120(图5(A))。氧化铝烧结体120内置有晶片吸附用电极26。接下来，从氧化铝烧结体120的下表面至晶片吸附用电极26设置孔27(图5(B))，在该孔27内插入供电端子54，对供电端子54和晶片吸附用电极26进行接合(图5(C))。
与此同时，制作2个圆板部件131、133(图5(D))。并且，在上侧的圆板部件131的下表面形成最终成为制冷剂流路32的沟132。在沟132的一部分形成最终成为收纳孔36的沟136。另外，在下侧的圆板部件133形成最终成为穿过路37的贯通孔137。进而，在2个圆板部件131、133上形成沿着上下方向贯通的贯通孔154a、154b(图5(E))。这些贯通孔154a、154b最终成为供供电端子54穿过的孔。圆板部件131、133优选为SiSiCTi制或AlSiC制。这是因为：氧化铝的热膨胀系数和SiSiCTi、AlSiC的热膨胀系数大致相同。
例如，可以如下制作SiSiCTi制的圆板部件。首先，将碳化硅、金属Si以及金属Ti混合，制作粉体混合物。接下来，对得到的粉体混合物进行单轴加压成型，制作圆板状的成型体，使该成型体在非活性气氛下热压烧结，由此得到SiSiCTi制的圆板部件。
接下来，在下侧的圆板部件133的上表面配置第一金属接合材料。在第一金属接合材料中的与贯通孔137、贯通孔154b对置的位置预先设置沿着上下方向贯通的孔。接下来，在第一金属接合材料的与贯通孔137对置的孔之上配置内螺纹部件38，并在第一金属接合材料之上配置上侧的圆板部件131。此时，使圆板部件131的沟136内收纳内螺纹部件38。接下来，在圆板部件131的上表面配置第二金属接合材料。在第二金属接合材料的与贯通孔154a对置的位置预先设置沿着上下方向贯通的孔。接下来，将氧化铝烧结体120的供电端子54插入于圆板部件131、133的贯通孔154a、154b，并且，将氧化铝烧结体120载放于第二金属接合材料之上。据此，得到圆板部件133、第一金属接合材料、圆板部件131、第二金属接合材料及氧化铝烧结体120自下侧开始按该顺序层叠而得到的层叠体。对该层叠体边加热边加压(TCB)，由此得到接合体110(图5(F))。
接合体110是氧化铝烧结体120借助金属接合层40而接合于作为冷却基材30的基础的圆形块体130的上表面而得到的。圆形块体130是上侧的圆板部件131和下侧的圆板部件133借助金属接合层进行接合而得到的层叠结构体。圆形块体130在内部具有制冷剂流路32和收纳孔36。另外，在收纳孔36收纳有内螺纹部件38。
例如，如下进行TCB。即、于金属接合材料的固相线温度以下(例如固相线温度减去20℃得到的温度以上且固相线温度以下)的温度，对层叠体进行加压、接合，之后，返回到室温。据此，金属接合材料成为金属接合层。作为此时的金属接合材料，可以使用Al－Mg系接合材料、Al－Si－Mg系接合材料。例如，采用Al－Si－Mg系接合材料进行TCB的情况下，在真空气氛下，以加热状态，对层叠体进行加压。金属接合材料优选采用厚度为100μm左右的材料。
接下来，对氧化铝烧结体120的外周进行磨削而形成台阶，由此支撑具备中央部22和外周部24的氧化铝基材20。另外，对圆形块体130的外周进行磨削而形成台阶，由此制成具备凸缘部34的冷却基材30。另外，将绝缘管55配置于在圆形块体130及金属接合层40所设置的供电端子54的插入孔。进而，采用氧化铝粉末，对氧化铝基材20的外周部24的侧面、金属接合层40的周围及冷却基材30的侧面进行喷镀，由此形成绝缘膜42(图5(G))。据此，得到晶片载放台10。
接下来，采用图1，对晶片载放台10的使用例进行说明。如上所述，晶片载放台10的外周区域通过夹紧部件70而固定于腔室94的设置板96，并且，晶片载放台10的中央区域通过螺栓98而被固定。在腔室94的顶面配置有将处理气体从大量气体喷射孔向腔室94的内部释放的喷头95。设置板96由例如氧化铝等绝缘材料形成。
在晶片载放台10的FR载放面24a载放有聚焦环12，并在晶片载放面22a载放有圆盘状的晶片W。聚焦环12以不会与晶片W发生干涉的方式沿着上端部的内周具备台阶。该状态下，对晶片吸附用电极26施加晶片吸附用直流电源52的直流电压，使晶片W吸附于晶片载放面22a。然后，将腔室94的内部设定为规定的真空气氛(或减压气氛)，从喷头95供给处理气体，同时对冷却基材30施加来自RF电源62的RF电压。于是，在晶片W与喷头95之间产生等离子体。然后，利用该等离子体，对晶片W实施CVD成膜或刻蚀。应予说明，随着对晶片W进行等离子体处理，聚焦环12也会消耗，不过，聚焦环12比晶片W厚，因此，在对多块晶片W进行处理之后，进行聚焦环12的更换。
利用高功率等离子体对晶片W进行处理的情况下，需要将晶片W有效地冷却。晶片载放台10中，作为氧化铝基材20与冷却基材30之间的接合层，采用热传导率高的金属接合层40，而不是热传导率低的树脂层。因此，从晶片W除去热的能力(排热能力)较高。另外，由于氧化铝基材20与冷却基材30的热膨胀差较小，所以，即便金属接合层40的应力缓和性较低，也不易产生障碍。
以上说明的晶片载放台10中，内螺纹部件38以被限制了轴旋转的状态且是与收纳孔36的台阶部36a(卡合部)卡合而使其不会从收纳孔36下落的状态收纳于在冷却基材30的下表面呈开口的收纳孔36内。内螺纹部件38被限制了轴旋转，所以，能够将从冷却基材30的下表面侧插入的螺栓98的外螺纹98a旋合于内螺纹部件38。另外，内螺纹部件38即便因以与收纳孔36的台阶部36a卡合的状态从设置板96穿过的螺栓98而朝向设置板96被拉伸，由于具有延展性，所以也不易开裂。因此，能够将具备脆性的冷却基材30的晶片载放台10无障碍地紧固于设置板96。
另外，收纳孔36设置于制冷剂流路32内。避开收纳孔36地布置制冷剂流路32的情况下，晶片W的收纳孔36的正上方附近不会被充分冷却，因此，容易成为温度特异点，不过，此处，由于将收纳孔36设置于制冷剂流路32内，所以能够防止产生该温度特异点。
另外，冷却基材30由脆性的导电材料形成，因此，应用本发明的意义重大。
此外，收纳孔36具备台阶部36a作为卡合部，内螺纹部件38具备底面作为被卡合部。因此，能够比较简单地制作卡合部及被卡合部。
另外，内螺纹部件38在要进行轴旋转时，碰到收纳孔36的侧壁而被限制轴旋转。因此，能够以比较简单的构成限制内螺纹部件38的轴旋转。
并且，内螺纹部件38在收纳孔36中未与冷却基材30接合，而是以自由的状态被收纳。在制造晶片载放台10时，只要将内螺纹部件38放入收纳孔36即可，因此，不麻烦。
应予说明，本发明不受上述实施方式的任何限定，当然只要属于本发明的技术范围就可以以各种方案进行实施。
上述实施方式中，冷却基材30如图5所示，采用将2块圆板部件131、133进行接合而得到的层叠结构，但不特别限定于此。例如，可以像图6所示的晶片载放台210那样采用单层结构的冷却基材230。图6中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。冷却基材230具有在上表面呈开口的制冷剂流路沟282。将制冷剂流路沟282的上部开口以金属接合层40覆盖而形成制冷剂流路232。在制冷剂流路232(制冷剂流路沟282)的内部设置有收纳孔236。对于收纳孔236，除了顶面由金属接合层40形成以外，与收纳孔36相同。制造晶片载放台210时，只要在1块圆板部件形成制冷剂流路沟282、穿过路37、供供电端子54通过的孔等，之后，采用金属接合材料，利用TCB与氧化铝基材20接合即可。由于冷却基材230为单层结构，所以，与层叠结构相比，能够降低冷却基材230的制造成本(材料费、制造成本)。
或者，可以像图7所示的晶片载放台310那样采用单层结构的冷却基材330。图7中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。冷却基材330具有在下表面呈开口的制冷剂流路沟382。将制冷剂流路沟382的下部开口以设置板96覆盖而形成制冷剂流路332。在冷却基材330与设置板96之间配置有密封圈74～77。密封圈74配置成将供电端子54的周围包围，防止制冷剂进入于密封圈74的内侧。密封圈75配置成将供电端子64的周围包围，防止制冷剂进入于密封圈75的内侧。关于密封圈76、77，已经进行了说明。在制冷剂流路332(制冷剂流路沟382)的内部设置有收纳孔336。制冷剂流路沟382的设置有收纳孔336的部分的下部封闭，上部敞开。对于收纳孔336，顶面由金属接合层40形成，除此以外，与收纳孔36相同。制造晶片载放台310时，只要在1块圆板部件形成制冷剂流路沟382、穿过路37、供供电端子54通过的孔等，之后，采用金属接合材料，利用TCB与氧化铝基材20接合即可。由于冷却基材330为单层结构，所以，与层叠结构相比，能够降低冷却基材330的制造成本(材料费、制造成本)。应予说明，在冷却基材330的下表面与设置板96的上表面之间可以配置将相邻的制冷剂流路沟382彼此隔开的密封部件。
上述实施方式中，作为结合部件采用了内螺纹部件38，作为被结合部件采用了螺栓98，不过，也可以如图8所示，作为结合部件而采用外螺纹部件80，作为被结合部件而采用螺母82。图8中，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。外螺纹部件80由延展性材料形成。外螺纹部件80的头部为与内螺纹部件38相同的形状。外螺纹部件80的脚部从穿过路37及贯通孔97穿过，在外螺纹部件80的脚部的末端所设置的螺纹槽旋合于螺母82的螺孔。螺母82隔着密封圈78而卡挂于贯通孔97的台阶部97a。外螺纹部件80的下表面与收纳孔36的台阶部36a卡合，因此，不会从收纳孔36下落。当外螺纹部件80要进行轴旋转时，头部碰到收纳孔36的侧壁而被限制轴旋转。因此，能够将螺母82旋合于在外螺纹部件80的脚部所设置的螺纹槽。当将螺母82旋合于外螺纹部件80的螺纹槽时，外螺纹部件80成为以头部与收纳孔36的台阶部36a卡合的状态朝向设置板96被拉伸的状态。采用了图8的构成的情形也能够得到与上述实施方式同样的效果。
上述实施方式中，在冷却基材30所设置的制冷剂流路32采用1个线条(1个系统)，但不特别限定于此。例如，可以将制冷剂流路32设为2个以上线条，在1个线条的内部设置收纳孔36，而在除此以外的线条不设置收纳孔36。在图9中示出其一例。图9是晶片载放台10的另一例的俯视图，对与上述实施方式相同的构成要素标记相同的附图标记。制冷剂流路432具有第一线条432a和第二线条432b。第一线条432a和第二线条432b不会相互交叉，俯视时分别按一笔画的要领从一端(入口)设置至另一端(出口)。应予说明，一端(入口)和另一端(出口)设置于俯视时不同的位置。第一线条432a和第二线条432b各自进行制冷剂的供排。在第二线条432b的内部设置有收纳孔36，不过，在第一线条432a未设置收纳孔36。采用了图9的构成的情形也能够得到与上述实施方式同样的效果。应予说明，可以将多个收纳孔36的一部分设置于第一线条432a，剩余的部分设置于第二线条432b。或者，可以针对各收纳孔36设置线条，并针对各线条各自进行制冷剂的供排。
上述实施方式中，内螺纹部件38可以隔着杨氏模量比内螺纹部件38的杨氏模量低的应力缓冲部件而与收纳孔36的台阶部36a卡合。例如，可以将内螺纹部件38设为Ti合金，并将应力缓冲部件设为纯Al。据此，即便内螺纹部件38因设置于设置板96的螺栓98而朝向设置板96被拉伸，由于应力缓冲部件介于内螺纹部件38与台阶部36a之间，所以应力也容易分散。应力缓冲部件可以采用例如在中央具有供螺栓98的脚部穿过的孔的环。
上述实施方式中，将内螺纹部件38的形状设为俯视时呈长方形，但不特别限定于此。例如，可以将内螺纹部件38的形状设为俯视呈三角形、五边形等多边形，也可以设为俯视时呈加号(+)形状，还可以设为俯视时呈椭圆形。收纳孔36的形状只要为在内螺纹部件38要进行轴旋转时内螺纹部件38碰到侧壁的形状即可。
上述实施方式中，可以按从冷却基材30的下表面到达晶片载放面22a的方式设置贯穿晶片载放台10的孔。作为该孔，可以举出：用于向晶片W的背面供给热传导气体(例如He气体)的气体供给孔、供使晶片W相对于晶片载放面22a上下的升降销穿过的升降销孔等。热传导气体向由设置于晶片载放面22a的未图示的大量小突起(对晶片W进行支撑)和晶片W形成的空间供给。将晶片W以例如3根升降销进行支撑的情况下，升降销孔设置于3处。在冷却基材30的下表面与设置板96的上表面之间，可以在与上述孔对置的位置配置树脂制或金属制的密封圈(例如O形环)。由于晶片载放台10的中央区域通过螺栓98而被固定，所以，这些密封圈以压牢的状态维持着。因此，这些密封圈能够充分确保密封性。
上述实施方式中，由脆性的导电材料制作冷却基材30，不过，也可以由其他脆性材料(例如氧化铝材料)制作冷却基材30。
上述实施方式中，在氧化铝基材20的中央部22内置有晶片吸附用电极26，不过，也可以取而代之或除此以外，内置有等离子体发生用的RF电极，也可以内置有加热器电极(电阻发热体)。另外，也可以在氧化铝基材20的外周部24内置有聚焦环(FR)吸附用电极，也可以内置有RF电极、加热器电极。
上述实施方式中，图5(A)的氧化铝烧结体120是通过对氧化铝粉末的成型体进行热压烧成而制作的，不过，对于此时的成型体，可以将多块流延成型体进行层叠来制作，也可以通过模铸法来制作，还可以将氧化铝粉末压固来制作。
上述实施方式中，将氧化铝基材20和冷却基材30利用金属接合层40进行接合，不过，也可以采用树脂接合层来代替金属接合层40。
上述实施方式中，将收纳孔36的台阶部36a(收纳孔36的水平底面)用作卡合部，不过，也可以采用倾斜部(朝向穿过路37下降倾斜的面)作为卡合部来代替台阶部36a。这种情况下，只要内螺纹部件38的底面为与该倾斜部一致的倾斜面即可。

Claims (8)

1.一种晶片载放台，具备：
氧化铝基材，该氧化铝基材在上表面具有晶片载放面，且内置有电极；
脆性的冷却基材，该冷却基材接合于所述氧化铝基材的下表面，且形成有制冷剂流路；以及
延展性的结合部件，该结合部件以被限制了轴旋转的状态且是以与在所述冷却基材的下表面呈开口的收纳孔的卡合部卡合的状态收纳于所述收纳孔内，且具有外螺纹部或内螺纹部，
所述收纳孔设置于所述制冷剂流路内。
2.根据权利要求1所述的晶片载放台，其特征在于，
所述结合部件是：具有所述内螺纹部、且能够与从所述冷却基材的下表面侧插入的螺栓的外螺纹旋合的部件。
3.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述冷却基材由金属基复合材料或氧化铝材料形成。
4.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述卡合部为在所述收纳孔的内周面所设置的台阶部或倾斜部，
所述结合部件具有被卡合部，该被卡合部与所述卡合部卡合，以使得所述结合部件不会从所述收纳孔下落。
5.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述结合部件在要进行轴旋转时，碰到所述收纳孔的壁而被限制轴旋转。
6.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述冷却基材为单层结构。
7.根据权利要求6所述的晶片载放台，其特征在于，
所述制冷剂流路具有在所述冷却基材的上表面或下表面所设置的制冷剂流路沟。
8.根据权利要求1或2所述的晶片载放台，其特征在于，
所述制冷剂流路具备俯视时分别从一端至另一端按一笔画的要领设置的多个线条，
所述收纳孔设置于所述多个线条中的1个以上。
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