KR102525397B1 - 웨이퍼 배치 장치 - Google Patents

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KR102525397B1
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게이타 미네
다쿠미 와키사카
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

정전 척 히터(10)는, 상면에 웨이퍼 배치면(20a)을 갖고, 히터 전극(22) 및 정전 전극(24)이 내장된 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과는 반대측의 하면(20b)에 배치되고, 내부에 냉매 유로(50)가 형성된 냉각 플레이트를 구비하고 있다. 냉매 유로(50)는, 웨이퍼 배치면(20a)에 평행하게 되도록 단일 연속 라인으로 형성된 제1 유로(52)와, 제1 유로(52)를 따르도록 단일 연속 라인으로 형성된 제2 유로(54)를 갖고, 제1 유로(52)의 입구(52i)측에 제2 유로(54)의 출구(54o)가 있고, 제1 유로(52)의 출구(52o)측에 제2 유로(54)의 입구(54i)가 있다.

Description

웨이퍼 배치 장치 {WAFER PLACEMENT APPARATUS}
본 발명은 웨이퍼 배치 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 배치 장치로서는, 상면에 웨이퍼 배치면을 갖는 세라믹 플레이트와, 세라믹 플레이트의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 하면에 배치되어 있고 내부에 냉매 유로를 갖는 냉각 플레이트를 구비한 것이 알려져 있다. 예컨대, 특허문헌 1에는, 냉각 플레이트 전체에 고루 미치도록 형성된 냉매 유로를 갖는 냉각 플레이트가 개시되어 있다. 냉매 유로의 입구와 출구에는 냉각 장치가 접속되어 있고, 냉매는, 냉각 장치로부터 냉매 유로의 입구에 공급되고, 냉매 유로를 통과하여, 냉매 유로의 출구로부터 냉각 장치로 복귀되며, 냉각 장치 내에서 설정 온도로 식혀진 후 다시 냉매 유로의 입구에 공급된다.
[특허문헌 1] 일본 특허 제6129451호
그런데, 냉매 유로에 공급된 냉매는, 냉매 유로를 통과하는 동안, 세라믹 플레이트와의 열 교환에 의해 계속 가열되기 때문에, 냉매 유로 내의 냉매에는, 냉매 유로의 입구로부터 출구를 향해 온도가 높아지는 경향의 온도 구배(勾配)가 발생한다. 냉매 유로 1개의 길이가 길수록 냉매와 세라믹 플레이트와의 열 교환이 행해지는 거리가 길기 때문에, 다른 조건이 동일하면, 냉매 유로 1개의 길이가 길수록 냉매 유로의 출구 부근에서는 냉매의 온도가 고온이 된다. 여기서, 특허문헌 1의 웨이퍼 배치 장치에서는, 냉각 플레이트에 형성된 냉매 유로는, 입구와 출구가 하나씩인 1개이다. 이 경우, 냉매 유로 1개의 길이가 길고, 출구 부근에서는 냉매의 온도가 고온이 된다. 그에 의해, 냉매 유로의 입구측과 출구측에서 냉매의 온도차가 커져, 냉각 플레이트의 면내 방향의 균열성(均熱性)이 낮아지는 경우가 있었다. 이 때문에, 이러한 웨이퍼 배치 장치를 이용한 경우에는, 웨이퍼의 균열성이 낮은 경우가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 웨이퍼의 균열성을 높이는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치는,
상면에 웨이퍼 배치면을 갖고, 전극이 내장된 세라믹 플레이트와,
상기 세라믹 플레이트의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 하면에 배치되고, 내부에 냉매 유로가 형성된 냉각 플레이트
를 구비하고,
상기 냉매 유로는, 상기 웨이퍼 배치면에 평행하게 되도록 단일 연속 라인(single continuous line)으로 형성된 제1 유로와, 상기 제1 유로를 따르도록 단일 연속 라인으로 형성된 제2 유로를 가지며, 상기 제1 유로의 입구측에 상기 제2 유로의 출구가 있고, 상기 제1 유로의 출구측에 상기 제2 유로의 입구가 있다.
이 웨이퍼 배치 장치에서는, 냉매 유로를 제1 유로와 제2 유로로 나눔으로써, 냉매 유로 1개당의 길이가 짧아진다. 이 때문에, 냉각 장치 등으로 설정 온도로 식혀진 냉매를 제1 유로 및 제2 유로의 각각에 공급하면, 각 냉매 유로의 출구 부근에서의 냉매의 온도는, 냉매 유로를 나누지 않는 경우만큼 고온이 되지 않아, 냉각 플레이트의 면내 방향의 온도차를 작게 할 수 있다. 또한, 이 웨이퍼 배치 장치에서는, 제1 유로를 제2 유로가 따라 쌍을 이루도록 형성되고, 또한, 제1 유로와 제2 유로는 출입구가 반대로 배치되어 있다. 이 때문에, 제1 유로 내의 냉매의 온도 구배가, 이 온도 구배와는 반대 방향의, 제2 유로 내의 냉매의 온도 구배에 의해 상쇄되어, 냉각 플레이트의 면내 방향의 온도차를 작게 할 수 있다. 이러한 웨이퍼 배치 장치를 이용하면, 웨이퍼의 균열성을 높일 수 있다.
한편, 본 명세서에 있어서, 「상」 「하」는, 절대적인 위치 관계를 나타내는 것이 아니며, 상대적인 위치 관계를 나타내는 것이다. 그 때문에, 웨이퍼 배치 장치의 방향에 따라 「상」 「하」는 「하」 「상」이 되거나 「좌」 「우」가 되거나 「전」 「후」가 되거나 한다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 제1 유로는 입구와 출구가 가까이에 있고, 상기 제1 유로의 출입구의 근방에서는, 상기 제1 유로 중의 입구측의 유로와, 상기 제2 유로 중의 출구측의 유로와, 상기 제2 유로 중의 입구측의 유로와, 상기 제1 유로 중의 출구측의 유로가, 이 순서로 인접하여 형성되어 있어도 좋다. 냉매의 공급이나 배출을 위한 배관을 통합하기 위해서, 냉매 유로의 입구와 출구는 가까이에 형성되는 경우가 많다. 그러나, 저온의 냉매가 흐르는 입구와 고온의 냉매가 흐르는 출구가 가까이에 인접하여 형성되어 있는 경우, 인접하는 입구와 출구 사이에서는, 냉각 플레이트의 온도 구배가 국소적으로 커지는 경우가 있다. 그래서, 입구와 출구가 가까이에 있는 제1 유로의 출입구의 근방에서는, 제1 유로 중의 입구측의 유로와, 제2 유로 중의 출구측의 유로와, 제2 유로 중의 입구측의 유로와, 제1 유로 중의 출구측의 유로를, 이 순서로 배치한다. 이렇게 하면, 제1 유로의 입구와 출구가 인접하는 경우에, 인접하는 입구와 출구 사이에서 국소적으로 커지는 경우가 있는 냉각 플레이트의 온도 구배가, 이 온도 구배와는 반대 방향의, 제2 유로의 출구측의 유로와 입구측의 유로 사이에서 발생하는 냉각 플레이트의 온도 구배로 상쇄된다. 이에 의해, 냉각 플레이트의 면내 방향의 온도차를 보다 작게 할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 제1 유로 및 상기 제2 유로는, 소용돌이 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 소용돌이 형상이면, 출구측의 유로와 입구측의 유로가 교대로 배치되고, 출구측의 유로 옆에 출구측의 유로가 배치되거나, 입구측의 유로 옆에 입구측의 유로가 배치되거나 하지 않는다.
본 발명의 웨이퍼 배치 장치에 있어서, 상기 제1 유로 및 상기 제2 유로는, 외주부에 있는 입구로부터 중앙부에 있는 되접힘부까지 소용돌이 형상으로 형성되고, 상기 되접힘부에서 되접혀, 상기 되접힘부로부터 외주부에 있는 출구까지 소용돌이 형상으로 형성되어 있거나, 중앙부에 있는 입구로부터 외주부에 있는 되접힘부까지 소용돌이 형상으로 형성되고, 상기 되접힘부에서 되접혀, 상기 되접힘부로부터 중앙부에 있는 출구까지 소용돌이 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 제1 유로 및 제2 유로를 소용돌이 형상으로 형성할 때에, 제1 유로의 출입구나 제2 유로의 출입구를 가까이에 형성할 수 있다. 또한, 제1 유로의 출입구의 근방에서는, 제1 유로 중의 입구측의 유로와, 제2 유로 중의 출구측의 유로와, 제2 유로 중의 입구측의 유로와, 제1 유로 중의 출구측의 유로가, 이 순서로 인접하여 형성된 것으로 할 수 있다. 이 때문에, 냉각 플레이트의 면내 방향의 온도차를 보다 작게 할 수 있다.
도 1은 정전 척 히터(10)의 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A 단면도이다.
도 3은 냉각 플레이트(40)를 면(P)에서 절단한 단면도이다.
도 4는 냉각 플레이트(40)의 다른 예를 면(P)에서 절단한 단면도이다.
도 5는 냉각 플레이트(40)의 다른 예를 면(P)에서 절단한 단면도이다.
도 6은 냉각 플레이트(40)의 다른 예를 면(P)에서 절단한 단면도이다.
도 7은 냉각 플레이트(40)의 다른 예를 면(P)에서 절단한 단면도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 정전 척 히터(10)의 사시도, 도 2는 도 1의 A-A 단면도, 도 3은 냉각 플레이트(40)를 면(P)에서 절단한 단면도이다. 면(P)은, 웨이퍼 배치면(20a)과 평행하고, 냉매 유로(50)를 통과하는 면이다.
정전 척 히터(10)는, 상면에 웨이퍼 배치면(20a)을 갖는 세라믹 플레이트(20)와, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과는 반대측의 하면(20b)에 배치된 냉각 플레이트(40)를 구비하고 있다. 세라믹 플레이트(20)와 냉각 플레이트(40)는, 절연성의 접착 시트(30)를 통해 접합되어 있다. 정전 척 히터(10)에는, 상하 방향으로 관통하는 구멍(27)이 3개 형성되어 있다. 3개의 구멍(27)은, 세라믹 플레이트(20)와 동심원 상에 등간격이 되도록 형성되어 있다. 이 구멍(27)에 삽입된 리프트 핀을 밀어올림으로써 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)에 배치된 웨이퍼(W)를 들어올리는 것이 가능하게 되어 있다. 구멍(27) 중, 냉각 플레이트(40)를 관통하는 관통 구멍(27c)의 표면은, 도시하지 않은 절연재로 덮여 있다.
세라믹 플레이트(20)는, 질화알루미늄이나 알루미나 등으로 대표되는 세라믹 재료를 포함하는 원반형의 플레이트이다. 세라믹 플레이트(20)에는, 히터 전극(22)과 정전 전극(24)이 내장되어 있다. 히터 전극(22)은, 예컨대, 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 코일 또는 인쇄 패턴으로 제작되고, 원반형의 세라믹 플레이트(20) 전체에 고루 미치도록 단일 연속 라인으로 일단으로부터 타단까지 배선되어 있다. 히터 전극(22)의 일단과 타단은, 냉각 플레이트(40)의 하면(40b)에 개구된 구멍(28)으로부터 삽입된 도시하지 않은 한 쌍의 급전봉(給電棒)에 접속되어 있다. 정전 전극(24)은, 예컨대, 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄화텅스텐을 주성분으로 하는 메시 또는 플레이트로 제작되고, 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)과 평행하게 설치되어 있다. 정전 전극(24)은, 구멍(29)에 삽입된 도시하지 않은 급전봉에 접속되어 있다. 구멍(28, 29)은, 세라믹 플레이트(20)의 하면(20b)의 개구로부터 히터 전극(22) 또는 정전 전극(24)에 이르는 바닥이 있는 구멍과, 접착 시트(30)를 관통하는 관통 구멍과, 냉각 플레이트(40)를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(28c, 29c)이 연통(連通)된 구멍이다. 구멍(28, 29) 중, 냉각 플레이트(40)를 관통하는 관통 구멍(28c, 29c)의 표면은, 도시하지 않은 절연재로 덮여 있다.
냉각 플레이트(40)는, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등으로 대표되는 금속을 포함하는 원반형의 플레이트이고, 내부에 냉매 유로(50)가 형성되어 있다. 냉매 유로(50)는, 웨이퍼 배치면(20a)에 평행하게 되도록 형성되어 있고, 제1 유로(52)와, 제2 유로(54)를 갖고 있다.
제1 유로(52)는, 냉각 플레이트(40) 중, 세라믹 플레이트(20)가 배치된 전역에 고루 미치도록, 단일 연속 라인으로 형성되어 있다. 구체적으로는, 제1 유로(52)는, 외주부에 있는 입구(52i)로부터 중앙부에 있는 되접힘부(52c)까지 소용돌이 형상으로 형성되고, 되접힘부(52c)에서 되접혀, 되접힘부(52c)로부터 외주부에 있는 출구(52o)까지 소용돌이 형상으로 형성되어 있다(도 3 참조). 즉, 제1 유로(52)는, 2중의 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 출구(52o)는, 입구(52i)보다 내주측에서 입구(52i)에 가까운 위치에 배치되어 있다. 제1 유로(52)의 입구(52i) 및 출구(52o)는, 도시하지 않은 제1 냉각 장치에 접속되어 있고, 출구(52o)로부터 배출된 냉매는, 제1 냉각 장치에서 온도 조정된 후 다시 입구(52i)로 복귀되어 제1 유로(52) 내에 공급된다.
제2 유로(54)는, 제1 유로(52)를 따르도록, 단일 연속 라인으로 형성되어 있고, 제2 유로(54)의 출구(54o)는 제1 유로(52)의 입구(52i)측에 있고, 제2 유로(54)의 입구(54i)는 제1 유로(52)의 출구(52o)측에 있다. 구체적으로는, 제2 유로(54)는, 제1 유로(52)의 출구(52o)와 인접하는 입구(54i)로부터 중앙부에 있는 되접힘부(54c)까지 소용돌이 형상으로 형성되고, 되접힘부(54c)에서 되접혀, 되접힘부(54c)로부터 제1 유로(52)의 입구(52i)에 인접하는 출구(54o)까지 소용돌이 형상으로 형성되어 있다(도 3 참조). 즉, 제2 유로(54)는, 2중의 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 제2 유로(54)의 입구(54i) 및 출구(54o)는, 도시하지 않은 제2 냉각 장치에 접속되어 있고, 출구(54o)로부터 배출된 냉매는, 제2 냉각 장치에서 온도 조정된 후 다시 입구(54i)로 복귀되어 제2 유로(54) 내에 공급된다.
다음으로, 본 실시형태의 정전 척 히터(10)의 사용예에 대해 설명한다. 먼저, 정전 척 히터(10)의 웨이퍼 배치면(20a)에 웨이퍼(W)를 배치하고, 정전 전극(24)에 전압을 인가함으로써, 웨이퍼(W)를 정전기적인 힘에 의해 세라믹 플레이트(20)에 흡착한다. 이 상태에서, 웨이퍼(W)에 플라즈마 CVD 성막(成膜)이나 플라즈마 에칭 등의 처리를 실시한다. 이때, 히터 전극(22)에 전압을 인가하여 웨이퍼(W)를 가열하거나, 냉각 플레이트(40)의 냉매 유로(50)에 물 등의 냉매를 순환시켜 웨이퍼(W)를 냉각하거나 함으로써, 웨이퍼(W)의 온도를 제어한다. 한편, 냉매 유로(50) 중, 제1 유로(52)와 제2 유로(54)는, 각각 상이한 냉매 냉각 장치인 제1 냉각 장치 및 제2 냉각 장치에 접속되어 있고, 제1, 제2 유로(52, 54)를 순환하는 냉매의 온도는 독립적으로 제어된다. 웨이퍼(W)의 처리가 종료되었으면, 정전 전극(24)에 인가하는 전압을 제로로 하여 정전기적인 힘을 소실시키고, 구멍(29)에 삽입되어 있는 도시하지 않은 리프트 핀을 밀어올려 웨이퍼(W)를 세라믹 플레이트(20)의 웨이퍼 배치면(20a)으로부터 상방으로 리프트 핀에 의해 들어올린다. 리프트 핀에 들어올려진 웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 반송 장치에 의해 다른 장소로 반송된다.
이상 설명한 본 실시형태의 정전 척 히터(10)에 의하면, 냉매 유로(50)를 제1 유로(52)와 제2 유로(54)로 나눔으로써, 냉매 유로 1개당의 길이가 짧아진다. 이 때문에, 냉각 장치 등으로 설정 온도로 식혀진 냉매를 제1, 제2 유로(52, 54)의 각각에 공급하면, 제1, 제2 유로(52, 54)의 출구(52o, 54o) 부근에서의 냉매의 온도는, 냉매 유로(50)를 나누지 않는 경우[예컨대, 제1 유로(52)의 출구(52o)와 제2 유로(54)의 입구(54i)를 연결하여 1개의 냉매 유로로 한 경우]만큼 고온이 되지 않아, 냉각 플레이트(40)의 면내 방향의 온도차를 작게 할 수 있다. 또한, 제2 유로(54)가 제1 유로(52)를 따라 쌍을 이루도록 형성되고, 또한, 제1 유로(52)와 제2 유로(54)는 출입구가 반대로 배치되어 있다. 이 때문에, 제1 유로(52) 내의 냉매의 온도 구배가, 이 온도 구배와는 반대 방향의, 제2 유로(54) 내의 냉매의 온도 구배에 의해 상쇄되어, 냉각 플레이트(40)의 면내 방향의 온도차를 작게 할 수 있다. 이러한 웨이퍼 배치 장치를 이용하면, 웨이퍼(W)의 균열성을 높일 수 있다.
또한, 본 실시형태의 정전 척 히터(10)에서는, 제1, 제2 유로(52, 54)의 입구(52i, 54i)나 출구(52o, 54o)가 가까이에 형성되어 있다. 이 때문에, 냉매의 공급이나 배출을 위한 배관을 통합할 수 있다. 또한, 제1 유로(52)의 입구(52i) 및 출구(52o)의 근방에서는, 제1 유로(52) 중의 입구(52i)측의 유로와, 제2 유로(54) 중의 출구(54o)측의 유로와, 제2 유로(54) 중의 입구(54i)측의 유로와, 제1 유로(52) 중의 출구(52o)측의 유로가, 이 순서로 인접하여 형성되어 있다. 이 때문에, 제1 유로(52)의 입구(52i)와 출구(52o)가 인접하는 경우에는 그 사이에서 국소적으로 커지는 경우가 있는 냉각 플레이트(40)의 온도 구배가, 이 온도 구배와는 반대 방향의, 제2 유로(54)의 출구(54o)측의 유로와 입구(54i)측의 유로 사이에서 발생하는 냉각 플레이트(40)의 온도 구배로 상쇄된다. 이에 의해, 냉각 플레이트(40)의 면내 방향의 온도차를 보다 작게 할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 정전 척 히터(10)에서는, 제1, 제2 유로(52, 54)는, 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 출구측의 유로와 입구측의 유로가 교대로 배치되고, 출구측의 유로 옆에 출구측의 유로가 배치되거나, 입구측의 유로 옆에 입구측의 유로가 배치되거나 하지 않는다. 이러한 배치에서는, 출구측의 유로 내의 비교적 고온의 냉매는, 옆에 있는 입구측의 유로 내의 비교적 저온의 냉매와의 열 교환에 의해 냉각되기 때문에, 옆에 출구측의 유로가 있는 경우보다, 출구측의 유로 내의 냉매 온도가 입구측의 유로 내의 냉매 온도에 근접한다. 또한, 입구측의 유로 내의 비교적 저온의 냉매는, 옆에 있는 출구측의 유로 내의 비교적 고온의 냉매와의 열 교환에 의해 가열되기 때문에, 옆에 입구측의 유로가 있는 경우보다, 입구측의 유로 내의 냉매 온도가 출구측의 유로 내의 냉매 온도에 근접한다. 이에 의해, 냉각 플레이트(40)의 면내 방향의 온도차를 보다 작게 할 수 있다. 또한, 제1, 제2 유로(52, 54)가 소용돌이 형상이기 때문에, 적은 되접힘수로 세라믹 플레이트(20)가 배치된 전역에 유로를 고루 미치게 할 수 있고, 유로 내의 냉매의 흐름을 원활히 할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 정전 척 히터(10)에서는, 제1, 제2 유로(52, 54)는, 각각 2중의 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 이 때문에, 제1, 제2 유로(52, 54)를 소용돌이 형상으로 형성할 때에, 제1, 제2 유로(52, 54)의 입구(52i, 54i)나 출구(52o, 54o)를 가까이에 형성할 수 있다. 또한, 제1 유로(52)의 입구(52i) 및 출구(52o)의 근방에서는, 제1 유로(52) 중의 입구(52i)측의 유로와, 제2 유로(54) 중의 출구(54o)측의 유로와, 제2 유로(54) 중의 입구(54i)측의 유로와, 제1 유로(52) 중의 출구(52o)측의 유로가, 이 순서로 인접하여 형성된 것으로 할 수 있다. 이 때문에, 냉각 플레이트(40)의 면내 방향의 온도차를 보다 작게 할 수 있다.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일은 없고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에 있어서, 제1 유로(52)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 외주부에 되접힘부(52c)가 있고, 중앙부에 입구(52i) 및 출구(52o)가 있어도 좋다. 이 경우, 제2 유로(54)도, 외주부에 되접힘부(54c)가 있고, 중앙부에 입구(54i) 및 출구(54o)가 있으면 된다.
전술한 실시형태에 있어서, 제1, 제2 유로(52, 54)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 각각 단일의 소용돌이 형상으로 형성되어 있어도 좋다. 도 5에서는, 제1 유로(52)는, 외주부에 있는 입구(52i)로부터 중앙부에 있는 출구(52o)까지 단일의 소용돌이 형상으로 형성되어 있고, 제2 유로(54)는, 중앙부에 있는 입구(54i)로부터 외주부에 있는 출구(54o)까지 제1 유로(52)를 따르도록 단일의 소용돌이 형상으로 형성되어 있다. 이렇게 해도, 출구측의 유로와 입구측의 유로가 교대로 배치되기 때문에, 출구측의 유로 옆에 출구측의 유로가 있거나, 입구측의 유로 옆에 입구측의 유로가 있는 경우보다, 냉각 플레이트(40)의 면내 방향의 온도차를 작게 할 수 있다. 한편, 제1, 제2 유로(52, 54)는, 3중 이상의 소용돌이 형상으로 형성되어 있어도 좋다.
전술한 실시형태에 있어서, 제1, 제2 유로(52, 54)는, 소용돌이 형상으로 형성되어 있지 않아도 좋다. 예컨대, 도 6이나 도 7에 도시된 바와 같이, 유로의 도중에서 되접힘을 반복하면서, 단일 연속 라인으로 형성되어 있어도 좋다. 도 6에서는, 제1 유로(52)는, 외주부 전방의 입구(52i)로부터 대략 반주(半周)의 원호를 그릴 때마다 내측으로 되접어 중앙부를 향해 좌측 절반의 영역에 고루 미치고, 그것과 좌우 대칭이 되도록 우측 절반의 영역에 고루 미쳐 외주부 전방에 있는 출구(52o)에 이르도록 형성되어 있다. 제2 유로(54)는, 제1 유로(52)의 출구(52o)의 좌측 옆에 있는 입구(54i)로부터, 제1 유로(52)의 입구(52i)의 우측 옆에 있는 출구(54o)에 이를 때까지, 제1 유로(52)를 따르도록 형성되어 있다. 이러한 배치에서는, 제1, 제2 유로(52, 54)의 입구(52i, 54i)나 출구(52o, 54o)를 가까이에 형성할 수 있다. 또한, 제1 유로(52)의 입구(52i) 및 출구(52o)의 근방에서는, 제1 유로(52) 중의 입구(52i)측의 유로와, 제2 유로(54) 중의 출구(54o)측의 유로와, 제2 유로(54) 중의 입구(54i)측의 유로와, 제1 유로(52) 중의 출구(52o)측의 유로가, 이 순서로 인접하여 형성된 것으로 할 수 있다. 도 7에서는, 제1 유로(52)는, 외주부 전방의 입구(52i)로부터 직선적으로 중앙부에 이르고, 중앙부로부터는, 일주(一周)보다 약간 짧은 호를 그릴 때마다 외측으로 되접어 외주부를 향하며, 외주부 후방의 출구(52o)에 이르도록 형성되어 있다. 제2 유로(54)는, 제1 유로(52)의 출구(52o)의 우측 옆에 있는 입구(54i)로부터, 제1 유로(52)의 입구(52i)의 우측 옆에 있는 출구(54o)까지, 제1 유로(52)를 따르도록 형성되어 있다. 제1, 제2 유로(52, 54)는, 지그재그 형상으로 형성되어 있어도 좋다.
전술한 실시형태 및 다른 예에 있어서, 제1 유로(52)의 입구(52i)와 출구(52o)는 반대로 배치되어 있어도 좋다. 이 경우, 제2 유로(54)의 입구(54i)와 출구(54o)도 반대로 배치된다.
전술한 실시형태 및 다른 예에 있어서, 쌍을 이루고 있는 제1 유로(52)와 제2 유로(54) 사이의 간격(A)(도 3 참조)은, 쌍과 쌍 사이의 간격(B)보다 좁게 하였으나, 동일하게 해도 좋다. 도 3 내지 도 5와 같이, 출구측의 유로와 입구측의 유로가 교대로 배치되어 있는 경우에는, 옆의 유로와의 열 교환이 양옆에서 같은 정도로 행해지도록, 쌍을 이루고 있는 제1 유로(52)와 제2 유로(54)의 간격이, 쌍과 쌍 사이의 간격과 같은 정도인 것이 바람직하다. 한편, 도 6, 도 7과 같이, 출구측의 유로 옆에 출구측의 유로가 배치되거나(예컨대 도 6의 좌측의 일점쇄선으로 둘러싸인 부분을 참조), 입구측의 유로 옆에 입구측의 유로가 배치되거나(예컨대 도 6의 우측의 이점쇄선으로 둘러싸인 부분을 참조) 하고 있는 경우에는, 쌍을 이루고 있는 제1 유로(52)와 제2 유로(54) 사이에서의 열 교환이 원활히 행해지도록, 쌍을 이루고 있는 제1 유로(52)와 제2 유로(54)의 간격이, 쌍과 쌍 사이의 간격보다 좁은 것이 바람직하다.
전술한 실시형태 및 다른 예에서는, 냉각 플레이트(40)는, 관통 구멍으로서, 관통 구멍(27c∼29c)을 구비하고 있는 것으로 하였으나, 이들 중 1 이상을 생략해도 좋다. 또한, 관통 구멍으로서, 세라믹 플레이트(20)의 표면에 He 가스 등을 공급하는 가스 구멍이나, 세라믹 플레이트(20)를 온도 측정하는 센서의 삽입 구멍 등을 구비하고 있어도 좋다. 한편, 관통 구멍의 배치는 한정되지 않으나, 쌍을 이루고 있는 제1 유로(52)와 제2 유로(54) 사이가 아니라, 쌍과 쌍 사이에 배치하는 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 쌍을 이루고 있는 제1 유로(52)와 제2 유로(54) 사이에서의 열 교환이 원활히 행해진다.
전술한 실시형태 및 다른 예에 있어서, 세라믹 플레이트(20)에는, 세라믹 플레이트(20)를 복수로 분할한 존마다 히터 전극(22)이 매설되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 세라믹 플레이트(20)의 각 존에 적합한 온도 제어를 할 수 있다. 또한, 냉각 플레이트(40)에는, 냉각 플레이트(40)를 복수로 분할한 존마다 제1 유로(52) 및 제2 유로(54)의 양방이 형성되어 있어도 좋다.
전술한 실시형태 및 다른 예에서는, 세라믹 플레이트(20)에는, 히터 전극(22)과 정전 전극(24)이 내장되어 있는 것으로 하였으나, 전극이 내장되어 있으면 전극의 종류는 한정되지 않는다. 예컨대, 정전 전극 및 히터 전극 중 적어도 한쪽이 내장되어 있어도 좋고, RF 전극이 내장되어 있어도 좋다.
이 명세서는, 일본에 있어서 2019년 3월 26일에 특허 출원된 특원 제2019-58284호를 인용함으로써, 각각에 있어서 개시된 명세서, 도면, 클레임의 내용 모두가 편입되어 있다.
본 발명은 반도체의 제조 장치 등에 이용 가능하다.
10: 정전 척 히터 20: 세라믹 플레이트
20a: 웨이퍼 배치면 20b: 하면
22: 히터 전극 24: 정전 전극
27∼29: 구멍 27c∼29c: 관통 구멍
30: 접착 시트 40: 냉각 플레이트
40b: 하면 50: 냉매 유로
52: 제1 유로 52c: 되접힘부
52i: 입구 52o: 출구
54: 제2 유로 54c: 되접힘부
54i: 입구 54o: 출구
P: 면 W: 웨이퍼

Claims (4)

  1. 웨이퍼 배치 장치에 있어서,
    상면에 웨이퍼 배치면을 갖고, 전극이 내장된 세라믹 플레이트와,
    상기 세라믹 플레이트의 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 하면에 배치되고, 내부에 냉매 유로가 형성된 냉각 플레이트
    를 구비하고,
    상기 냉매 유로는, 상기 웨이퍼 배치면에 평행하게 되도록 단일 연속 라인(single continuous line)으로 형성된 제1 유로와, 상기 제1 유로를 따르도록 단일 연속 라인으로 형성된 제2 유로를 가지며, 상기 제1 유로의 입구측에 상기 제2 유로의 출구가 있고, 상기 제1 유로의 출구측에 상기 제2 유로의 입구가 있고, 상기 제1 유로의 입구와, 상기 제2 유로의 출구와, 상기 제2 유로의 입구와, 상기 제1유로의 출구가, 상기 냉각 플레이트에 이 순서로 인접하여 형성되며,
    상기 제1 유로는, 상기 냉각 플레이트의 외주부에 형성된 상기 제1 유로의 입구로부터 반주(半周)의 원호를 그릴 때마다 내측으로 되접어 상기 냉각 플레이트의 중앙부를 향해 상기 냉각 플레이트의 절반의 영역에서 연장되고, 이와 대칭이 되도록 상기 냉각 플레이트의 나머지 절반의 영역에서 연장되어 상기 냉각 플레이트의 외주부에 형성된 상기 제1 유로의 출구에 이르는 것인, 웨이퍼 배치 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 유로는 입구와 출구가 가까이에 있고, 상기 제1 유로의 출입구의 근방에서는, 상기 제1 유로 중의 입구측의 유로와, 상기 제2 유로 중의 출구측의 유로와, 상기 제2 유로 중의 입구측의 유로와, 상기 제1 유로 중의 출구측의 유로가, 이 순서로 인접하여 형성되어 있는 것인, 웨이퍼 배치 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102188261B1 (ko) * 2019-08-02 2020-12-09 세미기어, 인코포레이션 기판 냉각 장치 및 방법
KR20210089375A (ko) * 2020-01-08 2021-07-16 주식회사 미코세라믹스 정전척
TWI755996B (zh) * 2020-12-24 2022-02-21 天虹科技股份有限公司 用以產生均勻溫度的晶圓承載盤及應用該晶圓承載盤的薄膜沉積裝置
WO2023166866A1 (ja) * 2022-03-01 2023-09-07 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
JP2023146611A (ja) 2022-03-29 2023-10-12 Toto株式会社 静電チャック

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332518A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Nikon Corp 静電チャックおよび露光装置
JP2016082206A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその静電チャックに使用されるベース部材
KR101736363B1 (ko) * 2016-04-18 2017-05-18 (주)티티에스 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5497093A (en) 1978-01-17 1979-07-31 Chino Works Ltd Apparatus and method for correcting graduation of moisture meter
US5846375A (en) * 1996-09-26 1998-12-08 Micron Technology, Inc. Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment
JP4644943B2 (ja) * 2001-01-23 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100532322B1 (ko) 2003-06-04 2005-11-29 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이킹 플레이트의 냉각 장치
JP2005209981A (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 冷却ブロック、ヒータユニット及びそれを搭載した装置
US8709162B2 (en) 2005-08-16 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Active cooling substrate support
KR100905258B1 (ko) 2007-07-11 2009-06-29 세메스 주식회사 플레이트, 온도 조절 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR20090011306A (ko) * 2007-07-25 2009-02-02 세크론 주식회사 웨이퍼 프로빙 검사장치용 척 및 이를 구비한 웨이퍼 프로빙 검사장치
WO2010090948A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-12 Mattson Technology, Inc. Electrostatic chuck system and process for radially tuning the temperature profile across the surface of a substrate
US9267742B2 (en) * 2010-01-27 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling the temperature uniformity of a substrate
JP5463224B2 (ja) 2010-07-09 2014-04-09 日本発條株式会社 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート
JP5666395B2 (ja) 2011-07-04 2015-02-12 日本発條株式会社 温度調節装置および温度調節装置の製造方法
JP6285620B2 (ja) * 2011-08-26 2018-02-28 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
US20130284372A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Hamid Tavassoli Esc cooling base for large diameter subsrates
WO2014116392A1 (en) * 2013-01-25 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with concentric cooling base
JP5980147B2 (ja) * 2013-03-08 2016-08-31 日本発條株式会社 基板支持装置
US9668373B2 (en) * 2013-03-15 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Substrate support chuck cooling for deposition chamber
JP6196095B2 (ja) * 2013-08-07 2017-09-13 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
KR101634452B1 (ko) 2014-10-24 2016-06-29 세메스 주식회사 프로브 카드를 이용한 웨이퍼 검사용 척 구조물
CN107113921B (zh) 2015-08-20 2020-09-11 日本碍子株式会社 静电卡盘加热器
US10586718B2 (en) * 2015-11-11 2020-03-10 Applied Materials, Inc. Cooling base with spiral channels for ESC
KR20170078890A (ko) 2015-12-29 2017-07-10 (주) 예스티 온도 균일도가 향상되도록 구성되는 정전척
JP6650808B2 (ja) * 2016-03-29 2020-02-19 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP2019537267A (ja) * 2016-11-21 2019-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 効率的なガス分配アセンブリの冷却のための同心状又は螺旋状チャンネルを備える２ゾーンフロー冷却プレートの設計
JP6982394B2 (ja) * 2017-02-02 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 被加工物の処理装置、及び載置台
WO2019204125A1 (en) * 2018-04-21 2019-10-24 Applied Materials, Inc. Ceramic wafer heater having cooling channels with minimum fluid drag
CN108682635B (zh) * 2018-05-03 2021-08-06 拓荆科技股份有限公司 具有加热机制的晶圆座及包含该晶圆座的反应腔体
KR102608957B1 (ko) * 2018-08-27 2023-12-01 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006332518A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Nikon Corp 静電チャックおよび露光装置
JP2016082206A (ja) * 2014-10-22 2016-05-16 新光電気工業株式会社 静電チャック及びその静電チャックに使用されるベース部材
KR101736363B1 (ko) * 2016-04-18 2017-05-18 (주)티티에스 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

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