CN111633850B - 工件的切断加工方法及工件的切断加工装置 - Google Patents

工件的切断加工方法及工件的切断加工装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111633850B
CN111633850B CN202010120773.9A CN202010120773A CN111633850B CN 111633850 B CN111633850 B CN 111633850B CN 202010120773 A CN202010120773 A CN 202010120773A CN 111633850 B CN111633850 B CN 111633850B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
ingot
single crystal
angle
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010120773.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111633850A (zh
Inventor
藤原贤二
川上宪秀
栗本宏高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Publication of CN111633850A publication Critical patent/CN111633850A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111633850B publication Critical patent/CN111633850B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Turning (AREA)

Abstract

本发明的课题是提供实现Warp值恶化较少的工件的切断加工方法。该方法的特征在于，所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为‑30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1‑10)方向、(‑101)方向及(01‑1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0‑11)方向、(‑110)方向及(10‑1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为‑30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。

Description

工件的切断加工方法及工件的切断加工装置
技术领域
本发明涉及工件的切断加工方法及工件的切断加工装置。
背景技术
近年来，要求晶圆的大型化(大口径化)，伴随着该大型化，专门使用线锯进行铸块的切断(例如专利文献1)。线锯是一边使线(高张力钢线)高速行进并将浆料淋于该线，一边压抵工件(例如可列举硅、玻璃、陶瓷等脆性材料的铸块。下文也有仅称为铸块的情况)进行切断，从而同时切出多个晶圆的切断装置。
在通过线锯进行的切断中，首先，通过工件保持器将进行切断的工件保持，该工件保持器具有经由垫板保持工件的工件板、及支撑工件板的保持器主体。接着，将保持有工件的工件保持器装设于线锯，并将工件W压抵于将沿轴向往复行进的线卷绕于多个有槽辊而形成的线列，从而将工件W切断成晶圆状。线锯沿工件保持器的垂线方向切断工件。另外，形成线列的各线与工件保持器大致正交。
在从如半导体单晶硅那样的具有结晶取向(結晶方位)的圆柱状铸块(下文称为“工件”)切出晶圆时，以工件的结晶面为基准来实施切断。通常，在圆柱状工件的中心轴(工件形状意义上的轴)与结晶轴取向(结晶面法线)之间产生偏移，需要修正该偏移来进行切断(专利文献1、2)。
结晶轴取向的修正方法已知有以下的方法。
(1)在经由垫板将工件贴附至向线锯安装的夹具时，使工件旋转来调整Y轴向的取向，并以向工件保持器的贴附角度来对X轴向进行取向调整(称为“X-θ方式”)。
(2)将贴附有工件的工件保持器安装于线锯后，在线锯内部调整取向(称为“内部作业X-Y倾斜方式”)。
(3)在经由垫板将工件贴附至向线锯安装的夹具时，通过使用特殊的夹具来进行Y轴向的倾斜调整，并以向工件保持器的贴附角度来对X轴向进行取向调整(称为“外部作业X-Y倾斜方式”)。
另外，已知对具有轴取向<100>以外的例如轴取向<111>的工件进行切片时，切出的晶圆的表面背面的(由于加工阻力差产生的)损伤差会根据将工件切片时的切断方向(线的切入方向)而变化，切片质量(主要为Warp值)会大幅变动(参照专利文献3)。
此外，在图4中示出Warp的定义。Warp是与晶圆从中心线面的偏移相关的形状参数，是未吸附固定的晶圆的假想中央面与基准平面的面内最大距离。图中的Bow是与Warp类似的评价，是晶圆的中心与基准平面的距离的形状参数。此外，测定方法通过JEIDA-43-1999、ASTM F1530-94规定。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利公开平11-48238号公报
专利文献2：日本专利公开2017-24145号公报
专利文献3：日本专利公开2014-195025号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
因此，如前述(1)X-θ方式那样，在通过使工件旋转来调整工件的Y轴向的结晶取向时，在切片质量大幅恶化的方向是切断方向的情况下，改变取向的目标来进行切断。例如，以往，在规格的容许范围内错开后进行切断。
然而，由于当取向规格严格时，无法进行改变该取向的目标的调整，因此通常的线锯无法切断良品，而使用能够以X-Y倾斜方式(前述的(2)、(3))进行调整的装置或能够以X-Y倾斜方式进行调整的特殊夹具以进行切断。
但是，对应于专利文献2记载的X-Y倾斜方式的线锯普遍存在价格高、需要通过内部作业来进行取向对准、且装置生产率低的问题。另外，在以专利文献2记载的X-Y倾斜方式进行的调整中，当规格为向Y方向大幅倾斜时，根据工件的位置，切入量的差会增大，从而还存在无法获得稳定的Warp值的问题。
本发明为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种工件的切断加工方法及工件的切断加工装置，其即使在以Warp值大幅恶化的方向为工件的切断方向时，也能够不使用高成本的X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是以X-θ方式的线锯装置来实现Warp值恶化较少的切断。
(二)技术方案
本发明为了实现上述目的而完成，提供一种切断加工方法，其是工件的切断加工方法，设置多个线引导部，所述多个线引导部隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽，由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成线列，并排设置n个(n≧2)铸块作为进行切断的多个工件，一边使所述线引导部旋转而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，其特征在于，所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。
根据该切断加工方法，能够使用X-θ方式的线锯装置来提高生产率并抑制Warp值的恶化而不使用高成本的X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具。
此时，切断加工方法可以是，以所述多个工件各自的θ并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断。
由此，能够更有效地抑制Warp值的恶化。
此时，切断加工方法可以是，将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°、更优选地为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。
由此，能够更有效地抑制Warp值的恶化。
此时，切断加工方法可以是，将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ在设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。
由此，能够更可靠地抑制Warp值的恶化。
此时，切断加工方法可以是，将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。
由此，能够更可靠地抑制Warp值的恶化。
此时，切断加工方法可以是，在所述第一铸块或所述第二铸块中，将所述第二铸块的长度及直径设定为所述第一铸块的长度及直径以上。
由此，可进一步提高生产率，并且更可靠地抑制Warp值的恶化。
另外，本发明提供一种工件的切断加工装置，包含:多个线引导部，其隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽；线列，其由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成；n个工件保持部，其对作为进行切断的多个工件使用的n个(n≧2)铸块分别地进行保持；以及控制部，所述控制部进行如下控制：一边使所述线引导部旋转而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，其特征在于，所述控制部进行如下控制：从中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块中选择所述工件，并且设定所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。
根据这样的工件的切断加工装置，能够使用低成本的X-θ方式的线锯装置来维持生产率并抑制Warp值的恶化。
此时，可提供一种工件的切断加工装置，其中，所述控制部进行如下控制：以所述多个工件各自的θ并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断。
由此，能够更有效地抑制Warp值的恶化。
此时，可以实现一种工件的切断加工装置，其中，所述控制部进行如下控制：将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。
由此，能够更有效地抑制Warp值的恶化。
此时，可以实现一种工件的切断加工装置，其中，所述切断加工装置将第一铸块及第二铸块作为所述多个工件进行切断，所述控制部进行如下控制：使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ2设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。
由此，能够更可靠地抑制Warp值的恶化。
此时，可以实现一种工件的切断加工装置，其中，所述切断加工装置将第一铸块及第二铸块作为所述多个工件进行切断，所述控制部进行如下控制：使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。
由此，能够更可靠地抑制Warp值的恶化。
(三)有益效果
如上所述，根据本发明的工件的切断加工方法，在进行具有<111>方向的单晶铸块的切断时，不必进行繁杂的作业而能够以低成本提高生产率并抑制Warp值的恶化。另外，根据本发明的工件的切断加工装置，在进行具有<111>方向的单晶铸块的切断时，不必进行繁杂的作业而能够以低成本提高生产率并抑制Warp值的恶化。
附图说明
图1示出本发明的工件的切断装置的示意图。
图2是抑制Warp值恶化的说明图。
图3示出通过参考例1、实施例1～3、6、比较例1～3得到的晶圆的、切断方向从<110>方向偏移的角度θ与Warp值的关系。
图4示出Warp的定义。
图5示出具有轴取向<111>的工件(单晶铸块)的垂直于轴向的截面的概念图。
图6示出具有轴取向<111>的工件(单晶铸块)的切断方向θ的定义。
图7示出切断后的晶圆的Warp值的切断方向依存性。
图8示出将切断方向从<110>方向偏移的角度设为30°来切断具有轴取向<111>的一根工件时的Warp值(相对值)的切断时间依存性。
附图标记说明
1、1’-线引导部；2-线；3-线列；4、4’-工件(铸块)；5、5-工件保持部；6-控制部；100-工件的切断加工装置(线锯)。
具体实施方式
下文对本发明详细地进行说明，但是本发明不限于此。
如上所述，寻求一种工件的切断加工方法及工件的切断加工装置，其即使在以Warp值大幅恶化的方向为工件的切断方向时，也能够不使用X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是以X-θ方式的线锯装置来实现Warp值恶化较少的切断。
本案发明人对上述问题反复研究，结果发现，通过下述的切断加工方法以进行切断，能够不使用X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是以X-θ方式的线锯装置来提高生产率并抑制Warp值的恶化，进而完成了本发明，该切断加工方法是工件的切断加工方法，设置多个线引导部，所述多个线引导部隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽，由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成线列，并排设置n个(n≧2)铸块作为进行切断的多个工件，一边使所述线引导部旋转而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，其中，所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。
另外发现，通过下述的工件的切断加工装置以进行切断，能够不使用X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是以X-θ方式的线锯装置来提高生产率并抑制Warp值的恶化，进而完成了本发明，该工件的切断加工装置包含:多个线引导部，其隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽；线列，其由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成；n个工件保持部，其对作为进行切断的多个工件使用的n个(n≧2)铸块分别地进行保持；以及控制部，所述控制部进行如下控制：一边使所述线引导部旋转而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，其中，所述控制部进行如下控制：从中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块中选择所述工件，并且设定所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°(其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°)。
此外，本发明如上所述，不使用高成本的X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是使用低成本的X-θ方式的线锯装置來提高生产率并抑制Warp值的恶化，但是无需赘言，用于切断的装置并不限于X-θ方式，也能够以X-Y倾斜方式实施。
下文参照附图进行说明。
如前所述，已知对具有轴取向<111>的工件进行切片时，所切出的晶圆的表面背面的(因加工阻力差而导致的)损伤差会根据将工件切片时的切断方向(线的切入方向)而变化，切片质量(主要为Warp值)会大幅变动。此外，下文的说明例示了使用单晶硅作为工件的情况，但是只要是具有轴取向<111>的工件即可，并不限于单晶硅。
图5示出具有轴取向<111>的单晶硅的垂直于轴向的截面的概念图。例如，当将线锯的切断方向设定为以图5所示的实线箭头方向表示的方向时，晶圆的表面背面的损伤差小，对Warp值的影响小。然而，当将切断方向设定为以图5的虚线箭头方向表示的方向时，晶圆的表面背面的损伤差大，Warp值大幅恶化。
此外，图5的实线箭头方向在结晶学上为<110>方向，在本说明书提到“<110>方向”时，如图5的实线箭头所示，包含在结晶学上等价的取向。
在此，参照图6来说明中心轴向为<111>方向以及<100>方向的单晶铸块的切断方向的定义。在本说明书中，“从<110>方向偏移的角度θ(°)”是指从<110>方向偏移的角度。此时，关于表示偏移角度的方向的符号(+方向、-方向)，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向。另外，设为-30°≦θ≦+30°。
例如，当图6所示的箭头A为切断方向时，由于从(1-10)方向偏移的角度以逆时针方向为正方向，因此从(1-10)方向向负(minus)方向偏移了15°，即从<110>方向偏移的角度为“-15°”。另外，当图6所示的箭头B为切断方向时，从(1-10)方向向正(plus)方向偏移了20°，即从<110>方向偏移的角度为“+20°”。当图6所示的箭头C为切断方向时，由于从(0-11)方向偏移的角度以顺时针方向为正方向，因此从(0-11)方向向正(plus)方向偏移了15°，即从<110>方向偏移的角度为“+15°”。此外，根据结晶取向的对称性，偏移角度θ为-30°≦θ≦+30°。另外，在图6中，根据结晶的对称性，(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向为切断方向的加工阻力特性相等的方向。以这些方向为基准时的偏移角度θ的符号相同。另一方面，就(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向而言，切断方向的加工阻力特性与(1-10)方向不同(相反)。因此，从(0-11)方向、
(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ的符号与从(1-10)方向、
(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ的符号相反。此外，关于切断方向的加工阻力特性将在下文详述。
以具体例而言，当将θ的正负方向全部作为相同的基准(以相同的符号表示相同的旋转方向)考虑时，图5所示的(1-21)方向可视为从(1-10)方向偏移+30°，以及从(0-11)方向偏移-30°。然而，由于(1-10)方向与(0-11)方向的切断方向的加工阻力特性不同(相反)，因此，如果基于本发明的定义，则将(1-21)方向表现为从(1-10)方向偏移的角度θ为+30°，且表现为从(0-11)方向偏移的角度θ为+30°。
另外，如下文所述，关于中心轴向为<100>方向的单晶铸块，由于没有根据切断方向而产生的晶圆的表面背面的(因加工阻力差导致的)损伤差，因此与切断方向无关地设为θ＝0°。换言之，在中心轴向为<100>方向的单晶铸块的情况下，无论切断方向为哪种角度都定义为θ＝0°。
在此，图7示出本案发明人所调查的切断后的晶圆的Warp值的切断方向依存性，即：在对具有轴取向<111>的单晶硅进行切片的情况下，切断后的晶圆的Warp值的切断方向依存性。横轴表示切断方向从<110>方向偏移的角度θ(°)，纵轴表示Warp值(相对值)。如图7所示可知，切断方向为0°时Warp值最佳，随着偏移角度增大，Warp值也会恶化(增大)。
本案发明人进一步调查了根据切断时间(即切断速度)不同而引起的Warp值的差异。图8是示出对于具有轴取向<111>的单晶硅将切断方向从<110>方向偏移的角度θ设为θ＝+30°时的切断时间与Warp值(相对值)的关系。如图8所示，即使在将切断方向设为从<110>方向偏移的角度为+30°的方向时，也能够通过延长切断时间(使切断速度降低)来抑制Warp值的恶化，但是生产率会显著降低。
本案发明人经过潜心调查发现，即使在将工件的切断方向设为Warp值大幅恶化的方向(θ方向)时，也能够通过同时切断多个工件，作为它们的切断方向或结晶轴取向而采用特定的组合，从而使用简便的装置防止Warp值的恶化，并显著提高生产率。
首先，参照图1对本发明的工件的切断加工装置即线锯进行说明。图1示出作为本发明的工件的切断加工装置的线锯的一例。图1的上图是从正面观看的图，下图是从上方观看的图。线锯100包含：隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽的多个圆筒状的线引导部1、1’；由以规定的间距螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线2形成的线列3；对进行切断的多个工件(铸块)4、4’分别地进行保持且数量与工件的数量对应的工件保持部5、5’。在运转(进行工件的切断加工)时，通过控制部6(在图1的下图中省略)进行控制来进行如下动作：一边使线引导部1、1’旋转而使线2在轴向上行进，一边将多个工件4、4’同时压接于该线列3，从而将多个工件4、4’同时在多处切断成晶圆状。
本发明的工件的切断加工装置即线锯100具备数量与进行切断加工的工件的数量对应的例如二个以上的夹装部等工件保持部5、5’，能够将多个工件(铸块)4、4’并排配置而同时进行切断。控制部6如后所述对切断加工装置进行控制，进行多个工件的切断方向的设定来进行切断加工。此外，作为工件的切断装置，也可以任意地采用游离磨粒型、固定磨粒型。
接着，对本发明的工件的切断加工方法进行说明。将多个工件(铸块)4、4’并排配置而同时进行切断，多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块。
如果接收了进行加工的工件，则进行工件的结晶特性的测量，获得结晶轴取向等数据。之后，进行工件外周的结晶取向(方向)等的特性值、取向修正值等的计算。该取向修正值是根据工件的取向与工件的规格(想要通过切断获得的晶圆的面取向)的差而在切断时进行倾斜的修正值等。接着，基于所获得的特性值，选择进行切断加工处理的工件的组合，并进行切断方向的设定(后述)。
最后，使用设定的切断方向、算出的上述修正值来进行调整，使工件连接并保持于工件保持部的工件保持器，并安装于线锯。对多个工件执行同样的步骤。然后，同时对多个工件进行切断加工。
接着，对进行切断加工的工件的切断方向的设定进行说明。对于同时进行切断加工的多个工件，以如下方式设定各工件的切断方向，即：各工件的切断方向从<110>方向偏移的角度θn(°)的总和为-30°以上且30°以下(-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°)。从<110>方向偏移的角度θ(°)的总和小于-30°或大于+30°时，无法抑制Warp值的恶化。θn(°)的总和优选为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°，更优选为θ1+θ2+…+θn＝0°。
通过将切断方向设定在上述范围，即使在不得不将工件的切断方向设为Warp值大幅恶化的方向(θ方向)时，也能够实现Warp值的恶化较少的切断加工。其结果，能够不使用价格高的X-Y倾斜方式所对应的专用切断装置、专用特殊夹具，而是以X-θ方式的线锯装置来实现Warp值恶化较少的切断。
通过上述设定，即使在不得不将工件的切断方向设为Warp值大幅恶化的方向(θ方向)时，也能够抑制Warp值的恶化，其理由可以考虑以下方面。当仅切断一个工件时，如前所述，切出的晶圆的表面背面的(因加工阻力差而导致的)损伤差根据将工件切片时的切断方向(线的切入方向)而变化，切片质量(主要为Warp值)大幅变动。另一方面，在如本发明这样同时切断多个工件时，可以推测：通过不易引起Warp值的恶化的切断方向的工件来发挥如同线的引导作用那样的功能，从而抑制所切出的晶圆的表面背面的(因加工阻力差而导致的)损伤差。
特别是通过以多个工件的切断方向从<110>方向偏移的角度θ(°)并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断，从而使得上述效果进一步提高。换言之，当将切断方向设定为切断方向从<110>方向偏移的角度θn(°)的符号正、负混合存在以进行切断加工时，效果进一步提高。
使用图2说明上述内容。图2是示出了将中心轴向为<111>方向的工件(单晶铸块)切断时的、工件的切断方向从(1-10)方向偏移的角度θ为+30°与-30°时的差异的图。如图2上部的“单独切断时”所示，在例如θ＝-30°的工件单独(仅一根)进行切断时，由于切断阻力(加工阻力)差，而具有如下倾向：线切入的前进方向朝前向左侧偏移，在工件的中心部偏移最大，再以向加工阻力弱的方向(右侧)偏移的方式返回。其结果，通过切断而得到的晶圆成为如图所示的翘曲形状(即Warp值大)。另一方面，在θ＝+30°的工件的情况下，由于具有与θ＝-30°的工件对称的切断方向的加工阻力特性，因此通过切断而得到的晶圆的形状也与θ＝-30°时对称(翘曲方向相反)。这样，认为受到结晶面的加工阻力的强弱的影响而使Warp值恶化。此外，如果考虑结晶的对称性，则就以(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向为偏移角度的基准的情况；与以(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向为偏移角度的基准的情况而言，切断方向的偏移方向与翘曲的方向的关系是对称(相反)的。例如，就沿着从(1-10)方向向逆时针方向偏移15°的方向进行切断的情况；与沿着从(0-11)方向向逆时针方向偏移15°的方向进行切断的情况而言，虽然翘曲的程度为大致相同的程度，但是翘曲的方向相反。
另一方面，当将工件的切断方向设为从(1-10)方向偏移的角度θ是+30°及-30°，并将两根工件并排设置、同时进行切断加工时，则如图2的“并排切断时”所示，以各工件的加工阻力的方向相互抵消的方式发挥作用，其结果，认为抑制了通过切断而得到的晶圆的形状的恶化、即抑制了Warp的恶化。
从此种观点出发，如果使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为第一铸块及第二铸块，如果第一铸块设定为用线切断时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为0°≦θ1≦30°的范围、且第二铸块设定为用线切断时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断，则能够有效地发挥抵消加工阻力的效果，从而获得Warp值更佳的晶圆。
本案发明人经过反复研究发现，对于工件的切断方向从<110>方向偏移的角度θ符号不同(正及负)的各工件的组合以外的组合而言，也能够抑制Warp值的恶化。在这种情况下，根据本案发明人的实验可知，不仅使Warp值平均化，而且更强地受到Warp值不会恶化(较低)的工件的影响。
此外，在上文说明的切断方向的组合中，对于多个铸块而言，优选将作为切断方向的偏移角度θ的基准的结晶方向设定为相同的结晶方向，但是无须赘言，也可以采用作为基准的结晶方向为不同方向的切断方向。例如，也可以是，将第一铸块的切断方向设为从图6的(1-10)方向偏移的角度θ1，并将第二铸块的切断方向同样地设为从(1-10)方向偏移的角度θ2，也可以是，将第二铸块的切断方向设为从(-101)方向偏移的角度θ2，或者设为从(0-11)方向偏移的角度θ2。
如上所述，作为工件的切断方向从<110>方向偏移的角度θ符号不同(正及负)的各工件以外的组合，也能够抑制Warp值的恶化。例如，当中心轴向为<111>方向的单晶铸块其中之一的切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝0°时，也能够获得Warp值良好的晶圆。如图7所示，当切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝0°时，未发生Warp值的恶化。将这样的工件用作同时进行切断加工的其中一个工件时，进一步提高了抑制Warp恶化的效果。
对工件组合的另一例进行说明。使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为第一铸块，将切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设为-30°≦θ1≦+30°。另外，使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为第二铸块(在这种情况下，根据定义，θ2＝0°)，以进行切断，也能够获得Warp值良好的晶圆。中心轴向为<100>方向的单晶铸块即使单独进行切断加工也不会发生Warp值的恶化。在这种情况下，与上述使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为第二铸块并将切断方向从<110>方向偏移的角度θ设为θ＝0°时同样地，进一步提高了抑制Warp恶化的效果。
在使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为第二铸块并将切断方向从<110>方向偏移的角度θ2设为θ2＝0°时，或者如使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块(根据定义，θ2＝0°)作为第二铸块时那样，在采用即使单独进行切断Warp值也不会恶化的切断方向或铸块时，优选将第二铸块的长度及直径设定为其他铸块的长度及直径以上。在对长度、直径等形状不同的多个工件同时进行切断时，虽然尺寸较大的工件存在单独进行切断的期间，但是如果采用即使单独进行切断Warp值也不会恶化的切断方向或铸块，则能够在进行切断的所有工件中获得Warp值良好的晶圆。
此外，在表1中示出切断加工条件的代表值用于参考。
【表1】
[实施例]
下文举出实施例对本发明进行详细说明，但是这些实施例并不限定本发明。
(参考例1)
使用轴取向<111>的单晶硅，将切断方向设为从<110>方向偏移的角度θ为θ＝0°的方向以进行切断，且未使用第二铸块。此外，将本参考例1中的切断时间、以及通过参考例1所获得的晶圆的Warp值作为基准(1.0)，获得下文的实施例、比较例的比较评价的基准值。
(参考例2)
使用轴向<111>的单晶硅，将切断方向设为从<110>方向偏移的角度θ为θ＝0°的方向，设定切断时间为参考例1的1.5倍以进行切断。且未使用第二铸块。切断后的晶圆的Warp值为0.8。
(实施例1)
使用轴取向<111>的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝+10°。另外，使用轴取向<111>的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝0°。并且，将这两根工件并排配置而同时进行切断。θ的总和(θ1+θ2)为+10°。此外，在实施例1～6中，设定切断时间为参考例1的1.5倍。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为1.0，从第二铸块切出的晶圆为1.0。
(实施例2)
使用轴取向<111>的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝+20°。另外，使用轴取向<111>的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝0°。并且，将这两根工件并排配置而同时进行切断。θ的总和(θ1+θ2)为+20°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为1.8，从第二铸块切出的晶圆为1.2。
(实施例3)
使用轴取向<111>的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝+30°。另外，使用轴取向<111>的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝0°。并且，将两根工件并排配置而同时进行切断。θ的总和(θ1+θ2)为+30°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为1.9，从第二铸块切出的晶圆为1.2。
(实施例4)
使用轴取向<111>的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝+30°。另外，使用轴取向<100>结晶作为第二铸块。并且，将两根工件并排配置而同时进行切断。θ的总和(θ1+θ2)为+30°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为1.9，从第二铸块切出的晶圆为1.2。
(实施例5)
使用轴取向<111>的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝+30°。另外，使用轴取向<111>的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝-30°。并且，将两根工件并排配置而同时进行切断。θ的总和(θ1+θ2)为0°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为1.5，从第二铸块切出的晶圆为1.5。
(实施例6)
使用轴取向<111>的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝0°。另外，使用轴取向<111>的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝0°。并且，将两根工件并排配置而同时进行切断。θ的总和(θ1+θ2)为0°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为1.0，从第二铸块切出的晶圆为1.0。
(比较例1)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝+10°。除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为4.0。
(比较例2)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝+20°。除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为7.0。
(比较例3)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝+30°。除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为8.2。
(比较例4)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝-30°。除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为8.8。
(比较例5)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ为θ＝+30°。另外，设定切断时间为参考例1的1.5倍，除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为3.7。
(比较例6)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，将切断方向设定为从<110>方向偏移的角度θ为θ＝+30°的方向。另外，设定切断时间为参考例1的2倍，除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为2.1。
(比较例7)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，将切断方向设定为从<110>方向偏移的角度θ为θ＝+30°的方向。另外，设定切断时间为参考例1的3倍，除此之外，切断条件与参考例1相同(未使用第二铸块)。切断后的晶圆的Warp值为1.5。
(比较例8)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，将切断方向设定为从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝+30°的方向。另外，使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝+10°。θ的总和(θ1+θ2)为+40°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为4.0，从第二铸块切出的晶圆为2.0。
(比较例9)
使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第一铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ1为θ1＝-30°。另外，使用轴取向<111>结晶的单晶硅作为第二铸块，设定切断方向从<110>方向偏移的角度θ2为θ2＝-10°。θ的总和(θ1+θ2)为-40°。除此之外，切断条件与实施例1相同。就切断后的晶圆的Warp值而言，从第一铸块切出的晶圆为3.8，从第二铸块切出的晶圆为2.1。
在表2中示出实施例、参考例、比较例的条件与实验结果。
【表2】
*1)切断时间是以参考例1为基准的相对值。
*2)Warp是一批次的平均值。另外，由以参考例1为基准的相对值表示。
图3示出了表2所示数据中的与通过参考例1、实施例1～3、6、比较例1～3所得到的晶圆有关的、单晶铸块的切断方向从<110>方向偏移的角度θ与Warp值的关系。对于Warp值，将参考例1的值作为基准(1.0)，以相对值表示。对于实施例，将铸块1与铸块2分开绘制。如图3所示，从实施例的铸块1切出的晶圆的Warp值与从比较例的铸块切出的晶圆的Warp值相比是非常低的值。另外，就实施例1的铸块2(切断方向从<110>方向偏移的角度θ＝0°)而言，则与参考例1的Warp值同等程度，也没有发生恶化。此外，关于实施例4，由于铸块2的种类不同，因此未在同一图中描绘，但是由表2可知，能够确认铸块2本身的Warp值基本上没有恶化，另一方面，还抑制了铸块1的Warp值的恶化。
另外，由表2可知，虽然在实施例1～6中设定切断时间为参考例1的1.5倍，但由于是两个同时进行切断，因此每个工件实质的切断时间为0.75倍。也就是说，能够防止Warp值的恶化并提高生产率。
另外，通过对实施例3、4和比较例5的结果进行比较可知，在作为第二铸块而使用单独进行切断时也不会引起Warp值的恶化的切断方向、或者使用不会引起Warp值的恶化的铸块作为第二铸块的情况下，能够确认抑制了第一铸块切断后的Warp值的恶化。
如前所述，在工件仅为一根的情况下，也能够通过延长切断时间(使切断速度降低)来抑制Warp值的恶化(图8、比较例4～7)。然而，对实施例5与比较例7进行比较可知，在实施例5中，能够以4倍的生产率(切断速度为2倍、切断个数为2倍)来制造Warp值与比较例7为同等程度的晶圆。
另外，本发明并不限定于上述的实施方式。上述实施方式为示例说明，凡具有与本发明的权利要求书所记载的技术思想实质上同样的构成，产生相同作用效果的任何方案都包含在本发明的技术范围内。

Claims (21)

1.一种切断加工方法，是工件的切断加工方法，设置多个线引导部，所述多个线引导部隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽，
由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成线列，
并排设置n个(n≧2)铸块作为进行切断的多个工件，
一边使所述线引导部旋转从而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，
其特征在于，
所述工件是中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块，
并且所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，
以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：
将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°，其中，从(1-10)方向、(-101)方向及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°。
2.根据权利要求1所述的切断加工方法，其中，
以所述多个工件各自的θ并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断。
3.根据权利要求1所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。
4.根据权利要求2所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。
5.根据权利要求1所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。
6.根据权利要求2所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。
7.根据权利要求3所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。
8.根据权利要求4所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ2设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的切断加工方法，其特征在于，
将所述多个工件设定为第一铸块及第二铸块，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。
11.根据权利要求9所述的切断加工方法，其特征在于，
在所述第一铸块或所述第二铸块中，将所述第二铸块的长度及直径设定为所述第一铸块的长度及直径以上。
12.根据权利要求10所述的切断加工方法，其特征在于，
在所述第一铸块或所述第二铸块中，将所述第二铸块的长度及直径设定为所述第一铸块的长度及直径以上。
13.一种工件的切断加工装置，包含：
多个线引导部，其隔着规定的间隔配置为彼此的旋转轴方向平行且在各自的外表面上分别以规定的间距形成有槽；
线列，其由以规定的间距呈螺旋状卷绕于所述线引导部的槽中的线形成；
n个工件保持部，其分别对作为进行切断的多个工件使用的n个(n≧2)铸块进行保持；以及
控制部，
所述控制部进行如下控制：一边使所述线引导部旋转而使所述线在轴向上行进，一边将所述多个工件同时压接于所述线列，从而将所述多个工件同时在多处切断加工为晶圆状，
其特征在于，所述控制部进行如下控制：
从中心轴向为<111>方向或<100>方向的单晶铸块中选择所述工件，
并且设定所述多个工件中的至少一个是中心轴向为<111>方向的单晶铸块，
并以如下方式设定各铸块的切断方向以进行切断：
将用线切断中心轴向为<111>方向的单晶铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度设为θ(°)时，所述多个工件各自的θ的总和(θ1+θ2+…+θn)为-30°≦θ1+θ2+…+θn≦30°，其中，从(1-10)方向、(-101)方向)及(01-1)方向偏移的角度θ以逆时针方向为正方向，从(0-11)方向、(-110)方向及(10-1)方向偏移的角度θ以顺时针方向为正方向，设为-30°≦θ≦+30°；另外，中心轴向为<100>方向的单晶铸块的θ与切断方向无关地设为0°。
14.根据权利要求13所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述控制部进行如下控制：
以所述多个工件各自的θ并非全部为正或负的方式设定各铸块的切断方向以进行切断。
15.根据权利要求13所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述控制部进行如下控制：
将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。
16.根据权利要求14所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述控制部进行如下控制：
将所述θ的总和设定为-5°≦θ1+θ2+…+θn≦5°以进行切断。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述控制部进行如下控制：
将所述θ的总和设定为θ1+θ2+…+θn＝0°以进行切断。
18.根据权利要求13至16中任一项所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述切断加工装置将第一铸块及第二铸块作为所述多个工件进行切断，
所述控制部进行如下控制：
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ2设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。
19.根据权利要求17所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述切断加工装置将第一铸块及第二铸块作为所述多个工件进行切断，
所述控制部进行如下控制：
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为0°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，将用线切断所述第二铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ2设定为-30°≦θ2≦0°的范围，以进行切断。
20.根据权利要求13至16中任一项所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述切断加工装置将第一铸块及第二铸块作为所述多个工件进行切断，
所述控制部进行如下控制：
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。
21.根据权利要求17所述的工件的切断加工装置，其特征在于，
所述切断加工装置将第一铸块及第二铸块作为所述多个工件进行切断，
所述控制部进行如下控制：
使用中心轴向为<111>方向的单晶铸块作为所述第一铸块，将用线切断所述第一铸块时的切断方向从<110>方向偏移的角度θ1设定为-30°≦θ1≦30°的范围，
使用中心轴向为<100>方向的单晶铸块作为所述第二铸块，以进行切断。
CN202010120773.9A 2019-03-01 2020-02-26 工件的切断加工方法及工件的切断加工装置 Active CN111633850B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-037968 2019-03-01
JP2019037968A JP7148437B2 (ja) 2019-03-01 2019-03-01 ワークの切断加工方法及びワークの切断加工装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111633850A CN111633850A (zh) 2020-09-08
CN111633850B true CN111633850B (zh) 2024-05-03

Family

ID=72279741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010120773.9A Active CN111633850B (zh) 2019-03-01 2020-02-26 工件的切断加工方法及工件的切断加工装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7148437B2 (zh)
KR (1) KR20200105750A (zh)
CN (1) CN111633850B (zh)
TW (1) TWI822955B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114393723B (zh) * 2022-01-20 2023-06-13 中环领先半导体材料有限公司 一种实现滚磨设备定位开槽复检自检一体化的方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0339203A (ja) * 1989-07-06 1991-02-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd 柱状体材料の切断方法及びその切断装置
JPH09277119A (ja) * 1996-04-11 1997-10-28 Amada Co Ltd 切断機におけるワークの切断方法及び同方法に使用する切断機
JPH10182299A (ja) * 1996-11-08 1998-07-07 Mimasu Handotai Kogyo Kk 単結晶インゴットの方位設定方法
JPH1148238A (ja) * 1997-08-05 1999-02-23 Super Silicon Kenkyusho:Kk インゴット切断面の結晶方位設定方法
CN1529647A (zh) * 2001-06-13 2004-09-15 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法以及用于在切割机内切割单晶体的设备和方法
JP2013258243A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
JP2014175436A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Tokuyama Corp サファイアインゴットの切断方法
JP2015112701A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 信越半導体株式会社 ワイヤソーの運転再開方法
JP2016179649A (ja) * 2015-03-25 2016-10-13 住友金属鉱山株式会社 サファイア単結晶の切断方法
JP2016186956A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社Sumco シリコンウェーハの製造方法
JP2016225564A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板の製造方法及びワイヤソー
CN107599196A (zh) * 2017-10-30 2018-01-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种<111>型单晶硅定晶向多线切割工艺
CN107848092A (zh) * 2015-07-27 2018-03-27 信越半导体株式会社 工件支架及工件的切断方法
WO2018192689A1 (de) * 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Verfahren zur waferherstellung mit definiert ausgerichteten modifikationslinien

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3268742B2 (ja) * 1997-09-12 2002-03-25 株式会社日平トヤマ ワイヤソー
JP3498638B2 (ja) * 1999-06-18 2004-02-16 三菱住友シリコン株式会社 ワイヤーソー装置
EP1284847B1 (en) * 2000-05-31 2007-02-21 MEMC ELECTRONIC MATERIALS S.p.A. Wire saw and process for slicing multiple semiconductor ingots
JP2002075923A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶インゴットの加工方法
JP2003080466A (ja) * 2001-09-10 2003-03-18 Akimichi Koide ワイヤソー切断装置に用いるワイヤー工具とワイヤー工具の作製方法、および、ワイヤソーによる切断方法
KR100708787B1 (ko) * 2002-11-30 2007-04-19 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니 다수의 반도체 잉곳을 절단하기 위한 와이어 톱 및 그 공정
DE602008005407D1 (de) * 2008-04-23 2011-04-21 Applied Materials Switzerland Sa Montierscheibe für eine Drahtsägevorrichtung, Drahtsägevorrichtung damit, und Drahtsägeverfahren, das mit der Vorrichtung durchgeführt wird
JP2012176467A (ja) * 2011-02-28 2012-09-13 Kyocera Corp 単結晶体の切断方法
US20130174828A1 (en) * 2011-12-09 2013-07-11 Memc Electronic Materials, Spa Systems and Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
JP6132621B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-24 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
US10603851B2 (en) * 2017-08-03 2020-03-31 The Boeing Company Apparatus and methods for cutting materials

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0339203A (ja) * 1989-07-06 1991-02-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd 柱状体材料の切断方法及びその切断装置
JPH09277119A (ja) * 1996-04-11 1997-10-28 Amada Co Ltd 切断機におけるワークの切断方法及び同方法に使用する切断機
JPH10182299A (ja) * 1996-11-08 1998-07-07 Mimasu Handotai Kogyo Kk 単結晶インゴットの方位設定方法
JPH1148238A (ja) * 1997-08-05 1999-02-23 Super Silicon Kenkyusho:Kk インゴット切断面の結晶方位設定方法
CN1529647A (zh) * 2001-06-13 2004-09-15 用于确定晶面相对于晶体表面定向的设备和方法以及用于在切割机内切割单晶体的设备和方法
JP2013258243A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の製造方法および製造装置
JP2014175436A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Tokuyama Corp サファイアインゴットの切断方法
JP2015112701A (ja) * 2013-12-13 2015-06-22 信越半導体株式会社 ワイヤソーの運転再開方法
JP2016179649A (ja) * 2015-03-25 2016-10-13 住友金属鉱山株式会社 サファイア単結晶の切断方法
JP2016186956A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 株式会社Sumco シリコンウェーハの製造方法
JP2016225564A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 基板の製造方法及びワイヤソー
CN107848092A (zh) * 2015-07-27 2018-03-27 信越半导体株式会社 工件支架及工件的切断方法
WO2018192689A1 (de) * 2017-04-20 2018-10-25 Siltectra Gmbh Verfahren zur waferherstellung mit definiert ausgerichteten modifikationslinien
CN107599196A (zh) * 2017-10-30 2018-01-19 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种<111>型单晶硅定晶向多线切割工艺

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
KDP晶体金刚石线锯切入方向的研究;毕玉超;硅酸盐通报;20130615;1157-1160 *
Reducing of birefringence of [111]‐cut crystal rod using side‐pumping and suitable crystal rotation;Thomas Graupeter;PAMM;20141215;第1卷(第14期);967-968 *
切割晶向对〈111〉型单晶硅翘曲度的影响;李聪;张贺强;李志远;;材料导报;20171125(第S2期);112-115 *

Also Published As

Publication number Publication date
TW202039150A (zh) 2020-11-01
CN111633850A (zh) 2020-09-08
KR20200105750A (ko) 2020-09-09
JP2020138304A (ja) 2020-09-03
JP7148437B2 (ja) 2022-10-05
TWI822955B (zh) 2023-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1371467B1 (en) Wire saw and method of slicing a cylindrical workpiece
JP3427956B2 (ja) ワイヤーソー装置
JP6000235B2 (ja) ワークの切断方法及びワーク保持治具
US7311101B2 (en) End supporting plate for single crystalline ingot
JP3498638B2 (ja) ワイヤーソー装置
TWI684489B (zh) 工件支架及工件的切斷方法
CN111633850B (zh) 工件的切断加工方法及工件的切断加工装置
CN113119331A (zh) 通过改善&lt;111&gt;晶棒晶向偏离角改善硅片warp的方法
CN110712309B (zh) 一种晶棒的加工方法及晶片
JP6245069B2 (ja) 炭化珪素単結晶インゴットのワイヤー加工方法
US20120325196A1 (en) Method for manufacturing silicon carbide substrate
WO2011030505A1 (ja) 内周刃ブレードのドレッシング方法
US9192996B2 (en) Wire guide, wire saw apparatus including the same, and method for slicing ingot using the same
KR102488207B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 헬리컬 모따기 가공 방법
KR20220011602A (ko) 갈라짐 감소를 위한 격자 평면들의 최적 배향을 갖는 SiC 결정성 기재 및 그 제조 방법
CN112590032B (zh) 一种太阳能硅片及其粗糙度控制方法
KR20140092117A (ko) 와이어 쏘 장치
WO2024042829A1 (ja) 円筒研削装置、円筒研削方法およびウェーハの製造方法
CN113119327B (zh) 能够改善&lt;111&gt;晶向晶棒切割warp值的定向多线切割方法
EP4170700A1 (en) Indium phosphide substrate
JP6157421B2 (ja) ワークの切断方法及びワーク保持治具
JP2005231248A (ja) 単結晶切断方法
TW202311586A (zh) 磷化銦基板
TW202039149A (zh) 工件之切斷方法及工件之切斷裝置
JP2017001254A (ja) スピュートリミング装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant