CN111607144B

CN111607144B - 树脂组合物、无机填充剂、直流电缆以及直流电缆的制造方法

Info

Publication number: CN111607144B
Application number: CN202010106561.5A
Authority: CN
Inventors: 细水康平; 关口洋逸; 山崎孝则
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2019-02-25
Filing date: 2020-02-21
Publication date: 2022-05-03
Anticipated expiration: 2040-02-21
Also published as: JP2020132817A; GB202002426D0; GB2584751B; US20200270426A1; KR20200103552A; DE102020202255A1; JP6575701B1; CN111607144A; GB2584751A

Abstract

一种构成绝缘层的树脂组合物，其具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂，无机填充剂的表面具有含有氨基的氨基甲硅烷基、以及含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。一种无机填充剂，其表面具有：含有氨基的氨基甲硅烷基、以及含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。一种直流电缆及其制备方法，该直流电缆具备：导体、以及被设置为覆盖导体外周的绝缘层，所述绝缘层由具有含有聚烯烃的基体树脂以及无机填充剂的树脂组合物构成，所述无机填充剂的表面具有：含有氨基的氨基甲硅烷基、以及含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

Description

树脂组合物、无机填充剂、直流电缆以及直流电缆的制造方法

技术领域

本公开涉及树脂组合物、无机填充剂、直流电缆以及直流电缆的制造方法。

本申请要求基于2019年2月25日提交的日本申请“日本专利申请2019-31852”的优先权，并引用上述日本申请中所记载的全部内容。

背景技术

近年来，在直流输电用途方面，开发了固体绝缘直流电缆(以下简称为“直流电缆”)。当对直流电缆通电时，绝缘层内生成了空间电荷，可能会产生泄露电流。因此，为了抑制通电时的泄露电流，有时候在构成绝缘层的树脂组合物中添加无机填充剂(例如专利文献1)。

[现有技术文件]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开平11-16421号公报

发明内容

根据本公开的一个方面，提供一种树脂组合物，其是构成绝缘层的树脂组合物，具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂，

所述无机填充剂的表面具有：含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

根据本公开的另一方面，提供一种无机填充剂，其是混合至构成绝缘层的树脂组合物中、且添加到含有聚烯烃的基体树脂中的无机填充剂，

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

根据本公开的另一方面，提供一种直流电缆，其具备导体、以及被设置为覆盖所述导体外周的绝缘层，

所述绝缘层由具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂的树脂组合物构成，

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

根据本公开的另一方面，提供一种直流电缆的制造方法，其具备：

制备具有含有聚烯烃的基体树脂、和无机填充剂的树脂组合物的步骤、以及

使用所述树脂组合物形成绝缘层以覆盖导体外周的步骤，

制备所述树脂组合物的步骤具有采用含有氨基的氨基硅烷偶联剂和含有疏水性基团的疏水性硅烷偶联剂对所述无机填充剂进行表面处理的步骤，

在对所述无机填充剂进行表面处理的步骤中，使来自于所述氨基硅烷偶联剂的含有所述氨基的氨基甲硅烷基、以及来自于所述疏水性硅烷偶联剂的含有所述疏水性基团的疏水性甲硅烷基结合在所述无机填充剂的表面上。

附图简要说明

[图1]为根据本公开一个实施方式的直流电缆在垂直于轴向上的示意性截面图。

[图2A]为示出了在实验4中当基体树脂含有低密度聚乙烯时相对于氨基甲硅烷基摩尔分数的体积电阻率的图。

[图2B]为示出了在实验4中当基体树脂含有热塑性弹性体时相对于氨基甲硅烷基摩尔分数的体积电阻率的图。

[图3]为示出了实验5中的相对于无机填充剂的含量的体积电阻率的图。

[符号说明]

10 直流电缆

110 导体

120 内部半导电层

130 绝缘层

140 外部半导电层

150 遮蔽层

160 护套

具体实施方式

[本公开所要解决的问题]

本公开的目的在于提供一种能够提高绝缘层的绝缘性的技术。

[本公开的效果]

根据本公开，能够提高绝缘层的绝缘性。

[本公开的实施方式的说明]

<本发明人所获得的认识>

首先，概略地说明本发明人所获得的认识。

在上述直流电缆中，添加到绝缘层中的无机填充剂采用硅烷偶联剂进行表面处理。由此，可以提高无机填充剂相对于基体树脂的相容性。

本发明人通过改变用于无机填充剂的表面处理的硅烷偶联剂中的取代基来评价绝缘层的绝缘性。结果发现，绝缘层的绝缘性取决于在无机填充剂的表面处理中所使用的硅烷偶联剂的取代基。

本公开基于本发明人所发现的上述认识。

<本公开的实施方式>

接下来，列出本公开的实施方式来进行说明。

[1]根据本公开的一个方面的树脂组合物是构成绝缘层的树脂组合物，

具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂，

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

根据该构成，能够稳定地提高绝缘层的绝缘性。

[2]在上述[1]所述的树脂组合物中，

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、氧化锆及炭黑中的至少一者构成。

根据该构成，能够稳定地提高绝缘层的绝缘性。

[3]在上述[1]或[2]所述的树脂组合物中，

所述氨基甲硅烷基相对于所述无机填充剂的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔分数为2％以上90％以下。

根据该构成，通过对无机填充剂赋予氨基甲硅烷基，可以稳定地获得绝缘层的绝缘性提高的效果。

[4]在上述[1]或[2]所述的树脂组合物中，在反应温度为850℃以及还原温度为600℃的条件下，通过使用热导率检测器的气相色谱法对所述无机填充剂的表面进行元素分析而求出的氮相对于碳的质量比为0.7％以上35％以下。

根据该构成，也是通过对无机填充剂赋予氨基甲硅烷基，从而可以稳定地获得绝缘层的绝缘性提高的效果。

[5]在上述[1]至[4]中任一项所述的树脂组合物中，

所述氨基甲硅烷基具有含有所述氨基的烃基，

所述疏水性甲硅烷基中的所述疏水性基团的碳原子数小于所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烃基的碳原子数。

根据该构成，可以有效地产生氨基彼此间的静电排斥作用。

[6]在上述[5]所述的树脂组合物中，

所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烃基的碳原子数是3以上12以下。

根据该构成，可以有效地产生氨基彼此间的静电排斥作用。

[7]在上述[1]至[6]中任一项所述的树脂组合物中，

每个所述无机填充剂的所述表面当中的一部分与所述氨基甲硅烷基结合，其它部分与所述疏水性甲硅烷基结合。

根据该构成，能够稳定地提高绝缘层的绝缘性。

[8]在上述[1]至[7]中任一项所述的树脂组合物中，

相对于100质量份的所述基体树脂，所述无机填充剂的含量为0.1质量份以上10质量份以下。

根据该构成，通过使无机填充剂的含量为0.1质量份以上，从而可以将空间电荷充分捕获到无机填料中。另一方面，通过使无机填充剂的含量为10质量份以下，从而可以在提高树脂组合物的成型性的同时还提高无机填充剂在绝缘层130中的分散性。

[9]在上述[1]至[8]中任一项所述的树脂组合物中，

所述基体树脂包含低密度聚乙烯，

当形成具有所述基体树脂和所述无机填充剂并具有0.2mm厚度的树脂组合物的片材时，在温度为80℃且直流电场为50kV/mm的条件下测定的所述树脂组合物的片材的体积电阻率为8×10¹⁵Ω·cm以上。

根据该构成，可以获得绝缘层的绝缘性得以提高的直流电缆。

[10]在上述[1]至[8]中任一项所述的树脂组合物中，

所述基体树脂包含通过将乙丙橡胶或乙丙二烯橡胶分散或共聚在聚乙烯或聚丙烯中而得的热塑性弹性体，

当形成具有所述基体树脂和所述无机填充剂并具有0.2mm厚度的树脂组合物的片材时，在温度为80℃且直流电场为50kV/mm的条件下测定的所述树脂组合物的片材的体积电阻率为5×10¹⁵Ω·cm以上。

根据该构成，也可以获得绝缘层的绝缘性得以提高的直流电缆。

[11]根据本发明另一方面的无机填充剂是

混合至构成绝缘层的树脂组合物中、且添加到含有聚烯烃的基体树脂中的无机填充剂，

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

根据该构成，能够稳定地提高绝缘层的绝缘性。

[12]根据本发明另一方面的直流电缆具备导体、以及被设置为覆盖所述导体外周的绝缘层，

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

根据该构成，能够稳定地提高绝缘层的绝缘性。

[13]根据本发明另一方面的直流电缆的制造方法具备：

制备具有含有聚烯烃的基体树脂、和无机填充剂的树脂组合物的步骤，以及

使用所述树脂组合物形成绝缘层以覆盖导体外周的步骤，

在对所述无机填充剂进行表面处理的步骤中，

使来自于所述氨基硅烷偶联剂的含有所述氨基的氨基甲硅烷基、以及来自于所述疏水性硅烷偶联剂的含有所述疏水性基团的疏水性甲硅烷基结合在所述无机填充剂的表面上。

根据该构成，能够稳定地提高绝缘层的绝缘性。

[本公开的实施方式的详细说明]

接下来，以下参照附图来说明本公开的一个实施方式。需要说明的是，本发明不限于这些例示，而是由权利要求的范围表示，并且旨在包括与权利要求范围等同的含义及范围内的所有变更。

<本公开的一个实施方式>

(1)树脂组合物

本实施方式的树脂组合物是构成后述的直流电缆10的绝缘层130的材料，并且包括(例如)基体树脂、无机填充剂、以及其他添加剂。

(基体树脂)

所谓的基体树脂(基体聚合物)，指的是构成树脂组合物的主成分的树脂成分。本实施方式的基体树脂包含(例如)聚烯烃。作为构成基体树脂的聚烯烃，可列举出(例如)聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烃共聚物、将乙丙橡胶(EPR)或乙丙二烯橡胶(EPDM)分散或共聚在聚乙烯或聚丙烯中而得的热塑性弹性体(TPO：Thermoplastic Olefinic Elastomer(热塑性烯烃弹性体))等。需要说明的是，可以将这些中的2种以上组合使用。

作为构成基体树脂的聚乙烯，可列举出(例如)低密度聚乙烯(LDPE)、中密度聚乙烯(MDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等。另外，这些聚乙烯可以是(例如)直链状的或者支链状的。

(无机填充剂)

无机填充剂是添加到绝缘层130中的无机粉末，起到捕获绝缘层130中的空间电荷、并抑制空间电荷在绝缘层130中的局部累积的作用。由此，可以提高绝缘层130的绝缘性。

无机填充剂包括(例如)氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、氧化锆、炭黑、以及通过将这些中的2种以上混合而得的混合物中的至少任意一者。

作为形成充当无机填充剂的氧化镁的方法，可列举出(例如)使Mg蒸气与氧接触的气相法、或者由海水原料形成的海水法。在本实施方式中形成无机填充剂的方法可以是气相法或海水法。

作为充当无机填充剂的二氧化硅，可列举出(例如)气相法二氧化硅、胶体二氧化硅、沉淀二氧化硅、爆燃法二氧化硅中的至少任意一者。这些当中，优选气相法二氧化硅作为二氧化硅。

无机填充剂的至少一部分通过硅烷偶联剂进行了表面处理。由此，如上所述，可以提高无机填充剂相对于基体树脂的相容性，并且可以提高无机填充剂与基体树脂之间的界面密合性。

在此，在本实施方式中，无机填充剂的至少一部分通过含有氨基的氨基硅烷偶联剂进行了表面处理。

氨基硅烷偶联剂由(例如)下式(1)表示。

R¹ _nSiX_4-n···(1)(R¹表示包含伯氨基、仲氨基、叔氨基、氨基的酸中和基、季铵碱基中的至少任意一者的1价烃基，X表示1价的水解性基团，n表示1至3的整数。需要说明的是，当n为2以上时，多个R¹可以相同也可以不同)。

需要说明的是，作为充当X的1价的水解性基团，可列举出(例如)碳原子数为1至3的烷氧基、卤素基团。

具体而言，作为氨基硅烷偶联剂，可列举出(例如)3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-丁基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N,N-二甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N,N-二乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N,N-二丁基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐、十八烷基二甲基(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)氯化铵、十四烷基二甲基(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)氯化铵、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三正丁基溴化铵、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三正丁基氯化铵、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化铵等当中的至少任意一者。

在无机填充剂的表面处理步骤中，硅烷偶联剂的水解性基团发生水解，从而生成了硅烷醇基。硅烷醇基与无机填充剂表面上的羟基形成氢键，进一步发生脱水缩合反应。结果是，在无机填充剂的表面上形成了预定的强共价结合的甲硅烷基。

在本实施方式中，通过上述氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，使得无机填充剂的表面的至少一部分具有(例如)来自于氨基硅烷偶联剂的(由氨基硅烷偶联剂引起的)含有氨基的氨基甲硅烷基。换句话说，无机填充剂表面的至少一部分上结合有氨基甲硅烷基。由此，可以稳定地提高绝缘层130的绝缘性。

通过在无机填充剂表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基以提高绝缘层130的绝缘性的机理尚不清楚，但是据认为是由于(例如)以下机理。通过在无机填充剂表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基，使得当无机填充剂彼此邻接时，可以使无机填充剂表面上的氨基彼此发生静电排斥，从而可以提高无机填充剂在树脂组合物中的分散性。结果，据认为是可以稳定地提高绝缘层130的绝缘性。

来自于氨基硅烷偶联剂的含有氨基的氨基甲硅烷基由(例如)下式(2)表示。

[化学式1]

(如上所述，R¹表示包含伯氨基、仲氨基、叔氨基、氨基的酸中和基、季铵碱基中的至少任意一者的1价烃基，n表示1至3的整数。需要说明的是，当n为2以上时，多个R¹可以相同也可以不同。共价基团的s和t表示0或1，n、s和t的总和为3。)

在由式(2)表示的氨基甲硅烷基中，除了具有R¹的共价基团以外的至少一个共价基团经由氧原子而与无机填充剂键合。除了具有R¹的共价基团以外的全部共价基团可以与无机填充剂键合，或者除了具有R¹的共价基团以外的至少一个共价基团可以不与无机填充剂键合。当除了具有R¹的共价基团以外的至少一个共价基团不与无机填充剂键合时，不与无机填充剂键合的共价基团可以具有羟基或水解性基团，或者也可以与后述的疏水性甲硅烷基等其他甲硅烷基键合。

在本实施方式中，包含氨基的烃基R¹的碳原子数优选为(例如)3以上12以下。通过使R¹的碳原子数为3以上，从而可以氨基甲硅烷基体积庞大，从而可以在无机填充剂的表面上产生空间位阻。由此，可以有效地产生氨基彼此间的静电排斥作用。另一方面，若R¹的碳原子数大于12，则烷基链长度变得非常长，亚甲基链的运动自由度增加。因此，可能会过度地产生空间位阻的影响。结果是，可能会减少由氨基硅烷偶联剂等所带来的改性量。例如，当采用氨基硅烷偶联剂和后述的疏水性硅烷偶联剂这两者来进行无机填充剂的表面处理时，可能会难以将预定量的疏水性甲硅烷基结合在无机填充剂的表面上。与此相对，通过使R¹的碳原子数为12以下，从而可以抑制烷基链长的过度增加，并且可以抑制亚甲基链的运动自由度的过度增加。由此，可以抑制空间位阻的过度影响。结果是，可以抑制由氨基硅烷偶联剂等所带来的改性量的减少。例如，当采用氨基硅烷偶联剂和后述的疏水性硅烷偶联剂这两者来进行无机填充剂的表面处理时，可以将预定量的疏水性甲硅烷基结合在无机填充剂的表面上。

此外，在本实施方式中，不仅可以采用上述的氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，而且还可以采用具有疏水性基团的疏水性硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理。

作为疏水性硅烷偶联剂，可列举出(例如)具有疏水性基团的硅氮烷、烷氧基硅烷、卤代硅烷中的至少任意一者。

具有疏水性基团的硅氮烷(二硅氮烷)由(例如)下式(3)表示。

R² ₃Si-NH-SiR² ₃···(3)

(R²表示可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷基、可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷氧基、可被卤素取代的碳原子数为2至20的烯基、可被碳原子数为1至3的烷基(该烷基可被卤素取代)或卤素取代的碳原子数为6至12的芳基中的至少任意一者。需要说明的是，所谓的“可被卤素取代”，指的是可以为上述烃基的一部分氢原子被卤素取代而得的取代基。另外，在式(3)中，R²优选为碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为2至6的烯基、或者苯基。多个R²可以相同也可以不同。)

具体而言，作为具有疏水性基团的硅氮烷，可列举出(例如)六甲基二硅氮烷、六乙基二硅氮烷、六丙基二硅氮烷、六丁基二硅氮烷、六戊基二硅氮烷、六己基二硅氮烷、六环己基二硅氮烷、六苯基二硅氮烷、二乙烯基四甲基二硅氮烷、二甲基四乙烯基二硅氮烷等当中的至少任意一者。

具有疏水性基团的烷氧基硅烷或卤代硅烷由(例如)下式(4)表示。

R² _mSiY_4-m···(4)

(R²表示可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷基、可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷氧基、可被卤素取代的碳原子数为2至20的烯基、可被碳原子数为1至3的烷基(该烷基可被卤素取代)或卤素取代的碳原子数为6至12的芳基中的至少任意一者。Y表示1价的水解性基团，m表示1至3的整数。需要说明的是，当m为2以上时，多个R²可以相同也可以不同。)

需要说明的是，作为Y的1价的水解性基团例如为碳原子数为1至3的烷氧基、或卤素基团。

具体而言，作为具有疏水性基团的烷氧基硅烷，可列举出(例如)甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、邻-甲基苯基三甲氧基硅烷、对-甲基苯基三甲氧基硅烷、正丁基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、辛基三甲氧基硅烷、癸基三甲氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、异丁基三乙氧基硅烷、癸基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷等当中的至少任意一者。

另外，作为具有疏水性基团的卤代硅烷，可列举出(例如)甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷、乙烯基三氯硅烷等当中的至少任意一者。

需要说明的是，疏水性硅烷偶联剂不限于上述的硅烷偶联剂，只要其具有疏水性基团即可，可以是上述以外的硅烷偶联剂。

在本实施方式中，不仅采用上述的氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，而且还采用疏水性硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，使得无机填充剂的表面不仅具有(例如)氨基甲硅烷基，而且还具有来自于疏水性硅烷偶联剂的(由疏水性硅烷偶联剂引起的)含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。通过不仅将氨基甲硅烷基而且还将疏水性甲硅烷基赋予至无机填充剂的表面，从而可以抑制仅氨基甲硅烷基过剩地结合至无机填充剂表面。由此，可以显著地提高绝缘层130的绝缘性。

来自于疏水性硅烷偶联剂的含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基由(例如)下式(5)表示。

[化学式2]

(R²表示可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷基、可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷氧基、可被卤素取代的碳原子数为2至20的烯基、可被碳原子数为1至3的烷基(该烷基可被卤素取代)或卤素取代的碳原子数为6至12的芳基中的至少任意一者。m表示1至3的整数。需要说明的是，当m为2以上时，多个R¹可以相同也可以不同。共价基团的u和v表示0或1，m、u和v的总和为3。)

在由式(5)表示的疏水性甲硅烷基中，除了具有R²的共价基团以外的至少一个共价基团经由氧原子而与无机填充剂键合。除了具有R²的共价基团以外的全部共价基团可以与无机填充剂键合，或者除了具有R²的共价基团以外的至少一个共价基团可以不与无机填充剂键合。当除了具有R²的共价基团以外的至少一个共价基团不与无机填充剂键合时，不与无机填充剂键合的共价基团可以具有羟基或水解性基团，或者也可以与上述的氨基甲硅烷基等其他甲硅烷基键合。

在本实施方式中，疏水性基团R²的碳原子数优选小于(例如)上述的氨基甲硅烷基中的包含氨基的烃基R¹的碳原子数。通过使R²的碳原子数小于R¹的碳原子数，从而可以使氨基甲硅烷基比疏水性甲硅烷基更加体积庞大。由此，可以有效地产生氨基彼此间的静电排斥作用。具体而言，疏水性基团R²优选为(例如)甲基或乙基。

另外，在本实施方式中，相对于无机填充剂表面所具有的全部甲硅烷基，氨基甲硅烷基的摩尔分数(以下也称为“氨基甲硅烷基摩尔分数”)为(例如)2％以上90％以下，优选为5％以上80％以下。需要说明的是，本文所述的“氨基甲硅烷基摩尔分数”是采用％来表示氨基甲硅烷基的摩尔数相对于无机填充剂表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔数的比例。

若氨基甲硅烷基摩尔分数小于2％，则由于体积电阻率的变化相对于氨基甲硅烷基摩尔分数的比例较大，因而对于制造时的氨基甲硅烷基摩尔分数的起伏变化，绝缘层130的体积电阻率可能会变得容易起伏变化。因此，可能无法稳定地获得通过向无机填充剂赋予氨基甲硅烷基而得到的提高绝缘层130的绝缘性的效果。与此相对，在本实施方式中，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设定为2％以上，从而即使制造时的氨基甲硅烷基摩尔分数发生了预定的起伏变化，也可以稳定地获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。此外，在本实施方式中，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设定为5％以上，从而可以显著地获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。

另一方面，若氨基甲硅烷基摩尔分数大于90％，则在粒子之间形成了经由氨基的氢键，氨基彼此间的静电排斥可能难以发生。另外，由于粒子之间的氢键，因而可能容易地形成穿过粒子界面的导电路径。因此，可能无法充分地获得通过向无机填充剂赋予氨基甲硅烷基来提高绝缘层130的绝缘性的效果。与此相对，在本实施方式中，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设定为90％以下，从而抑制了在粒子之间形成经由氨基的氢键，可以充分地产生氨基彼此间的静电排斥。另外，可以稳定地抑制由于氢键引起的穿过粒子界面的导电路径的形成。由此，可以充分地获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。此外，在本实施方式中，通过使氨基甲硅烷基摩尔分数为80％以下，从而可以显著地获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。

对于上述的氨基甲硅烷基摩尔分数，可以通过(例如)以下方法来求出。

具体而言，首先，准备了使用预定混合比的氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂进行了表面处理后的无机填充剂。接下来，在反应温度为850℃以及还原温度为600℃的条件下，通过使用了热导率检测器(TCD：Thermal Conductivity Detector)的气相色谱法对无机填充剂的表面进行元素分析。由此，求出了实际上结合到无机填充剂表面的甲硅烷基中的氮相对于碳的质量比(以下记为N/C比)。

另一方面，通过以下步骤，求出了N/C比相对于氨基甲硅烷基摩尔分数的校准曲线。从用于表面处理的氨基硅烷偶联剂中识别出氨基甲硅烷基，求出每个氨基甲硅烷基的碳的总原子量C₁以及氮的总原子量N₁。另外，从用于表面处理的疏水性硅烷偶联剂中识别出疏水性甲硅烷基，求出每个疏水性甲硅烷基的碳的总原子量C₂。在此，当将氨基甲硅烷基摩尔分数设为x(单位％)、且将N/C比设为y(单位％)时，N/C比y作为构成校准曲线的氨基甲硅烷基摩尔分数x的函数，由下式(6)表示。

y＝N₁x/{(C₁-C₂)x+100C₂}···(6)

(其中，0<x≦100。)

需要说明的是，在式(6)中，当氨基甲硅烷基所具有的碳原子数等于疏水性甲硅烷基所具有的碳原子数、且C₁＝C₂时，N/C比y成为氨基甲硅烷基摩尔分数x的一次函数，即，校准曲线成为直线。

例如，当氨基甲硅烷基为氨基丙基甲硅烷基(C₁＝36.03)、且疏水性甲硅烷基为三甲基甲硅烷基(C₂＝36.03)时，校准曲线成为直线，氨基甲硅烷基摩尔分数x＝100％时的N/C比y的理论值约为38.9％。

若如上所述地获得了校准曲线，则通过将实际测得的N/C比y代入校准曲线的式(6)中，从而求出了实际上结合到无机填充剂表面的甲硅烷基中的氨基甲硅烷基摩尔分数x。

在本实施方式中，通过上述气相色谱法对无机填充剂的表面进行元素分析而求出的N/C比为(例如)(当氨基甲硅烷基为氨基丙基甲硅烷基时)0.7％以上35％以下，优选为1.9％以上31％以下。由此，氨基甲硅烷基摩尔分数可以设为2％以上90％以下，优选设为5％以上80％以下。

需要说明的是，在本实施方式中，无机填充剂的体积平均粒径(MV：Mean VolumeDiameter)没有特别的限定，例如为1μm以下，优选为700nm以下，更优选为100nm以下。

需要说明的是，本文所述的“体积平均粒径(MV)”是当将粒子的粒径设为d_i且将粒子的体积设为V_i时通过下述求得的。

MV＝Σ(V_id_i)/ΣV_i

需要说明的是，在体积平均粒径的测定中，使用了动态光散射粒径/粒度分布测定装置。

通过将无机填充剂的体积平均粒径设定为1μm以下，从而可以稳定地获得抑制空间电荷在绝缘层130中的局部累积的效果。此外，通过将无机填充剂的体积平均粒径设定为700nm以下或者优选设定为100nm以下，从而可以更稳定地获得抑制空间电荷在绝缘层130中的局部累积的效果。

需要说明的是，对于无机填充剂的体积平均粒径的下限值，没有特别的限制。但是，从稳定地形成无机填充剂的观点出发，无机填充剂的体积平均粒径为(例如)1nm以上，优选为5nm以上。

另外，在本实施方式中，树脂组合物中的无机填充剂的含量没有特别的限制，但是相对于100质量份的基体树脂，优选为(例如)0.1质量份以上10质量份以下。通过使无机填充剂的含量为0.1质量份以上，从而可以将空间电荷充分捕获到无机填料中。另一方面，通过使无机填充剂的含量为10质量份以下，从而可以在提高树脂组合物的成型性的同时还提高无机填充剂在绝缘层130中的分散性。

需要说明的是，如现有技术那样，在使用除了氨基硅烷偶联剂以外的硅烷偶联剂的情况下，当树脂组合物中的无机填充剂的含量超过5质量份时，绝缘层130的绝缘性可能会逐渐降低。与此相对，在本实施方式中，通过采用上述的氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，从而即使树脂组合物中的无机填充剂的含量超过5质量份，也可以保持较高的绝缘层130的绝缘性。据认为，这是因为即使增加了无机填充剂的含量，但是由于氨基引起的粒子之间的静电排斥较大，因而也可以良好地保持无机填充剂在树脂组合物中的分散性。

(交联剂)

在本实施方式中，树脂组合物在构成绝缘层130时可以不交联，也可以交联。无论哪种情况，都可以通过对无机填充剂赋予氨基甲硅烷基来获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。

需要说明的是，在树脂组合物交联的情况下，树脂组合物优选含有(例如)有机过氧化物作为交联剂。作为有机过氧化物，可列举出(例如)过氧化二枯基、过氧化叔丁基二枯基、二(过氧化叔丁基)、2,5-二甲基-2,5-二(过氧化叔丁基)己烷、1,3-双(叔丁基过氧异丙基)苯、4,4-双[(叔丁基)过氧]戊酸丁酯、1,1-双(1,1-二甲基乙基过氧)环己烷等。需要说明的是，可以将这些中的2种以上组合使用。

(其他添加剂)

树脂组合物可以进一步包含(例如)抗氧化剂和润滑剂。

作为抗氧化剂，可列举出(例如)2,2-硫代-二亚乙基双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯]、季戊四醇-四[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯]、3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸十八烷基酯、2,4-双-[(辛硫基)甲基]-邻-甲酚、2,4-双-(正辛基硫基)-6-(4-羟基-3,5-二叔丁基苯胺基)-1,3,5-三嗪、硫化双[2-甲基-4-{3-正烷基(C12或C14)硫代丙酰氧基}-5-叔丁基苯基]、以及4,4’-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)等。需要说明的是，可以将这些中的2种以上组合使用。

润滑剂的作用是抑制无机填充剂的聚集，并且提高树脂组合物在绝缘层130的挤出成形时的流动性。本实施方式的润滑剂可以使用公知的材料。

需要说明的是，树脂组合物可以进一步包含(例如)着色剂。

(2)直流电缆

接下来，使用图1对本实施方式的直流电缆进行说明。图1为根据本实施方式的直流电缆在垂直于轴向上的截面图。

本实施方式的直流电缆10被构成为所谓的固体绝缘直流电缆(直流输电用缆线)，并且具有(例如)导体110、内部半导电层120、绝缘层130、外部半导电层140、遮蔽层150以及护套160。

(导体(导电部))

导体110是通过将包含(例如)纯铜、铜合金、铝或铝合金等的多根导体芯线(导电芯线)绞合在一起而构成的。

(内部半导电层)

内部半导电层120被设置为覆盖导体110的外周。另外，内部半导电层120被构成为具有半导电性并且抑制导体110表面侧的电场集中。内部半导电层120(例如)包含导电性的炭黑，以及乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等当中的至少任意一者。

(绝缘层)

绝缘层130被设置为覆盖内部半导电层120的外周，并且由上述树脂组合物制成。需要说明的是，如上所述，绝缘层130可以不交联，也可以在将本实施方式的树脂组合物挤出成形以后通过加热而进行交联。

(外部半导电层)

外部半导电层140被设置为覆盖绝缘层130的外周。另外，外部半导电层140被构成为具有半导电性并且抑制绝缘层130与遮蔽层150之间的电场集中。外部半导电层140由(例如)与内部半导电层120相同的材料构成。

(遮蔽层)

遮蔽层150被设置为覆盖外部半导电层140的外周。遮蔽层150通过(例如)卷绕铜带而构成，或者被构成为卷绕多根退火铜线等而得的线屏蔽层。需要说明的是，在遮蔽层150的内侧或外侧也可以卷绕以橡胶布等作为原材料的带子。

(护套)

护套160被设置为覆盖遮蔽层150的外周。护套160由(例如)聚氯乙烯或聚乙烯构成。

(绝缘性)

在如上所述构成的直流电缆10中，添加到绝缘层130中的无机填充剂的表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基，从而可以获得(例如)以下的绝缘性。

在本实施方式中，当通过上述树脂组合物构成绝缘层130并且形成具有0.2mm厚度的绝缘层130的片材时，在80℃的温度和50kV/mm的直流电场的条件下所测定的绝缘层130的片材的体积电阻率高于(例如)在相同条件下对除了无机填充剂未进行表面处理以外的构成都相同的树脂组合物进行测定而得的体积电阻率。

此外，在本实施方式中，当通过基体树脂包含LDPE的上述树脂组合物来构成绝缘层130、并且形成具有0.2mm厚度的绝缘层130的片材时，在80℃的温度和50kV/mm的直流电场的条件下所测定的绝缘层130的片材的体积电阻率为(例如)8×10¹⁵Ω·cm以上，优选为5×10¹⁶Ω·cm以上，更优选为1×10¹⁷Ω·cm以上。

另外，在本实施方式中，当通过基体树脂包含PP系TPO的上述树脂组合物来构成绝缘层130、并且形成具有0.2mm厚度的绝缘层130的片材时，在80℃的温度和50kV/mm的直流电场的条件下所测定的绝缘层130的片材的体积电阻率为(例如)5×10¹⁵Ω·cm以上，优选为1.7×10¹⁶Ω·cm以上，更优选为2×10¹⁶Ω·cm以上。

需要说明的是，由于绝缘层130的体积电阻率的上限值越高越好，因而没有特别的限定，但是，通过使氨基甲硅烷基摩尔分数等各条件最优化而获得的绝缘层130的体积电阻率的上限值为(例如)测定上限值，为约1×10¹⁹Ω·cm。

(具体尺寸等)

作为直流电缆10的具体的各个尺寸，没有特别的限定，例如，导体110的直径为5mm以上60mm以下，内部半导电层120的厚度为1mm以上3mm以下，绝缘层130的厚度为1mm以上35mm以下，外部半导电层140的厚度为1mm以上3mm以下，遮蔽层150的厚度为1mm以上5mm以下，护套160的厚度为1mm以上。适用于本实施方式的直流电缆10的直流电压为(例如)20kV以上。

(3)直流电缆的制造方法

接下来，对于本实施方式的直流电缆的制造方法进行说明。以下，将步骤简称为“S”。

(S100：树脂组合物制备步骤)

首先，制备具有无机填充剂以及包含聚烯烃的基体树脂的树脂组合物。该树脂组合物制备步骤S100(例如)具有表面处理步骤S120和混合步骤S140。

(S120：表面处理步骤)

采用氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理。由此，可以使来自于氨基硅烷偶联剂的含有氨基的氨基甲硅烷基结合在无机填充剂的表面的至少一部分上。

需要说明的是，采用氨基硅烷偶联剂(和疏水性硅烷偶联剂)对无机填充剂进行表面处理的方法可以是干式法，也可以是湿式法。在干式法中，例如，在Henschel混合机等搅拌装置内搅拌无机填充剂，并且同时将含有硅烷偶联剂的溶液滴加至搅拌装置中，或者通过喷雾器进行喷雾。在湿式法中，例如，向预定溶剂中添加无机填充剂以形成浆料，再将硅烷偶联剂添加到浆料中。

在本实施方式中，不仅可以采用氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，而且还可以采用疏水性硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理。由此，不仅可以使氨基甲硅烷基结合在无机填充剂的表面上，还可以使包含疏水性基团的疏水性甲硅烷基结合在无机填充剂的表面上。

作为不仅采用氨基硅烷偶联剂还采用疏水性硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理的方法，例如，可以使用氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂同时进行表面处理，或者，可以分开使用氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂在不同的时间点进行表面处理。在后一种情况下，关于氨基硅烷偶联剂表面处理和疏水性硅烷偶联剂表面处理的顺序，哪一个在先都可以。

此时，在本实施方式中，采用氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，以使得上述的氨基甲硅烷基摩尔分数为(例如)2％以上90％以下，优选为5％以上80％以下。具体而言，基于氨基硅烷偶联剂所具有的R¹和疏水性硅烷偶联剂所具有的R²，设定氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂的各自的混合量，以使得氨基甲硅烷基摩尔分数在上述范围内。

在采用预定的硅烷偶联剂进行表面处理以后，将处理后的无机填充剂适当地干燥。

需要说明的是，在表面处理步骤S120完成以后，可以通过进行预定的粉碎处理以调节无机填充剂的体积平均粒径。此时，将无机填充剂的体积平均粒径设定为(例如)1μm以下，优选为700nm以下，更优选为100nm以下。

(S140：混合步骤)

在表面处理步骤S120完成以后，通过班伯里密炼机或捏合机等混合机来混合(混炼)包含聚乙烯的基体树脂、无机填充剂以及其他添加剂(抗氧化剂、润滑剂等)，从而形成混合材料。在形成了混合材料以后，通过挤出机对该混合材料进行造粒。由此，形成了构成绝缘层130的颗粒状的树脂组合物。需要说明的是，可以使用混炼效果强的双螺杆型挤出机来一并地进行从混合到造粒的步骤。

(S200：导体制备步骤)

另一方面，制备了通过将多根导体芯线绞合而形成的导体110。

(S300：缆线芯形成步骤(挤出步骤))

在树脂组合物制备步骤S100及导体制备步骤S200完成以后，在3层共挤出机当中，向形成内部半导电层120的挤出机A中投入(例如)通过预先混合乙烯-丙烯酸乙酯共聚物和导电性炭黑而得的内部半导电层用树脂组合物。

向形成绝缘层130的挤出机B中投入上述颗粒状的树脂组合物。

向形成外部半导电层140的挤出机C中投入包含与投入到挤出机A中的内部半导电层用树脂组合物相同的材料的外部半导电层用树脂组合物。

接下来，将来自挤出机A至C的各个挤出物引导至公共喷头，在导体110的外周上从内侧朝向外侧同时挤出内部半导电层120、绝缘层130以及外部半导电层140。

需要说明的是，在使绝缘层130交联的情况下，挤出后，在被氮气等加压的交联管内，通过来自红外线加热器的辐射进行加热，或者通过高温的氮气或硅油等热介质进行热传递，从而使绝缘层130交联。

通过上述的缆线芯形成步骤S300，从而形成了由导体110、内部半导电层120、绝缘层130和外部半导电层140构成的缆线芯。

(S400：遮蔽层形成步骤)

在形成缆线芯以后，通过(例如)卷绕铜带从而在外部半导电层140的外侧形成遮蔽层150。

(S500：护套形成步骤)

在形成遮蔽层150以后，通过向挤出机中投入氯乙烯并将其挤出，从而在遮蔽层150的外周上形成护套160。

由此，制造了作为固体绝缘直流电缆的直流电缆10。

(4)根据本实施方式的效果

根据本实施方式，实现了以下所示的1个或多个效果。

(a)在本实施方式中，通过上述氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，使得无机填充剂表面的至少一部分具有来自于氨基硅烷偶联剂的含有氨基的氨基甲硅烷基。由于结合在无机填充剂上的氨基具有供电子性，因而可以使无机填充剂的表面带正电。由此，当无机填充剂彼此邻接时，可以使无机填充剂表面上的氨基彼此静电排斥。通过无机填充剂彼此间的静电排斥，从而可以提高无机填充剂在树脂组合物中的分散性。通过提高无机填充剂在树脂组合物中的分散性，从而在通电时，可以抑制空间电荷在绝缘层130中的局部累积，可以抑制泄露电流的产生。结果是，能够稳定地提高绝缘层130的绝缘性。

需要说明的是，除了上述的“氨基彼此间的静电排斥”以外，通过无机填充剂表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基而使绝缘层130的绝缘性提高的机理据认为还包括(例如)以下2种机理。

通过无机填充剂表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基，从而在无机填充剂的粒子附近可以使基体树脂的晶体结构变化。例如，通过具有氨基甲硅烷基的无机填充剂的粒子进入到基体树脂相中，从而在无机填充剂与基体树脂的界面附近可以使结晶度上升。也就是说，可以减少可参与导电的自由体积空隙。结果是，据认为可以稳定地提高绝缘层130的绝缘性。

或者，通过无机填充剂表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基，从而可以容易地通过氨基来捕获导电载体(空间电荷)。由此，在通电时，可以抑制空间电荷在绝缘层130中的局部累积，可以抑制泄露电流的产生。结果是，据认为可以稳定地提高绝缘层130的绝缘性。

(b)通过不仅采用上述氨基硅烷偶联剂还采用疏水性硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，使得无机填充剂的表面不仅具有氨基甲硅烷基，而且还具有来自于疏水性硅烷偶联剂的含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。通过不仅将氨基甲硅烷基而且还将疏水性甲硅烷基赋予至无机填充剂的表面，从而可以抑制只有氨基甲硅烷基过剩地结合至无机填充剂的表面。由此，可以抑制在粒子之间形成经由氨基的氢键，可以充分地产生氨基彼此间的静电排斥。另外，可以抑制由氢键引起的穿过粒子界面的导电路径的形成。结果是，可以显著地提高绝缘层130的绝缘性。

(c)氨基甲硅烷基相对于无机填充剂表面所具有的全部甲硅烷基的比率为2％以上90％以下。通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设定为2％以上，从而即使在制造中的氨基甲硅烷基摩尔分数发生了预定的起伏变化，也可以通过向无机填充剂赋予氨基甲硅烷基来稳定地获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设定为90％以下，从而可以抑制在粒子之间形成经由氨基的氢键，可以充分地产生氨基彼此间的静电排斥。另外，可以稳定地抑制由氢键引起的穿过粒子界面的导电路径的形成。由此，可以充分地获得提高绝缘层130的绝缘性的效果。

<本公开的其他实施方式>

以上对本公开的实施方式进行了具体说明，但是本公开不限于上述实施方式，可以在不脱离主旨的范围内进行各种改变。

[实施例]

接下来，对于根据本公开的实施例进行说明。这些实施例是本公开的示例，本公开不受这些实施例的限定。

<实验1>

首先，为了评价绝缘性对硅烷偶联剂的依赖性以及绝缘性对基体树脂的依赖性，进行了下述实验1。

(1-1)树脂组合物的片材样品的制作

将下述试样A1至A6的各个材料进行辊式混合，从而形成了树脂组合物。在形成树脂组合物以后，通过压制成型，在120℃下对树脂组合物加压10分钟，从而制作了具有0.2mm厚度的树脂组合物的片材。需要说明的是，在实验1中，由于未添加交联剂且加压时的加热温度低于180℃，因而基体树脂未发生交联。详细条件如下所述。

[试样A1]

(基体树脂)

低密度聚乙烯(LDPE)：住友化学制的“スミカセンC215”

(密度d＝920kg/m³，MFR＝1.4g/10分钟)100质量份

(无机填充剂)

没有添加。

[试样A2]

(基体树脂)

与试样A1相同。

(无机填充剂)

氧化镁：气相法氧化镁(体积平均粒径50nm)1质量份

需要说明的是，未使用硅烷偶联剂进行表面处理。

在下述试样A3至A7中，除了采用干式法并使用预定的硅烷偶联剂对无机填充剂进行了表面处理以外，其他条件设为与试样A2相同。在无机填充剂的表面处理中使用的硅烷偶联剂如下所述。

[试样A3]

硅烷偶联剂：仅为六甲基二硅氮烷

[试样A4]

硅烷偶联剂：

3-氨基丙基三甲氧基硅烷作为氨基硅烷偶联剂

六甲基二硅氮烷作为疏水性硅烷偶联剂

需要说明的是，设定氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂的各自的混合量，以使得氨基甲硅烷基摩尔分数为12％。

[试样A5]

硅烷偶联剂：三甲氧基正辛基硅烷

[试样A6]

硅烷偶联剂：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷

在下述试样B1至B6中，除了基体树脂以外，其他条件分别设为与试样A1至A6相同。

[试样B1至B6]

(基体树脂)

PP系TPO：“サーモラン5013”

(密度d＝880kg/m³，MFR＝1g/10分钟)100质量份

(1-2)评价

通过在温度为80℃的大气气氛下，使用直径为65mm的带有保护的平板电极向绝缘层的片材施加50kv/mm的直流电场，从而测定了上述各试样的片材的体积电阻率。需要说明的是，在后述的实验2至4中，进行了与实验1相同的评价。

(1-3)结果

使用下述的表1和表2来说明对实验1的各试样进行评价而得的结果。需要说明的是，在下述的表(也适用于实验2以后的表)中，混合剂的含量的单位为“质量份”。另外，“氧化镁”后的括号表示在无机填充剂的表面处理中所使用的硅烷偶联剂。

[表1]

试样A1

试样A2

试样A3

试样A4

试样A5

试样A6

LDPE

100

氧化镁(未表面处理)

1

氧化镁(仅六甲基二硅氮烷)

1

氧化镁(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)

1

氧化镁(三甲氧基正辛基硅烷)

1

氧化镁(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)

1

体积电阻率(80℃)(Ω·cm)

1.3×1014

5.3×1014

2.9×1016

6.4×1018

6.5×1014

1.2×1015

[表2]

试样B1

试样B2

试样B3

试样B4

试样B5

试样B6

TPO

100

氧化镁(未表面处理)

1

氧化镁(仅六甲基二硅氮烷)

1

氧化镁(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)

1

氧化镁(三甲氧基正辛基硅烷)

1

氧化镁(3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷)

1

体积电阻率(80℃)(Ω·cm)

6.0×1014

1.3×1015

1.1×1016

5.5×1016

7.0×1015

2.2×1015

如表1所示，在将基体树脂设为LDPE的情况下，与未添加无机填充剂的试样A1和未进行无机填充剂的表面处理的试样A2的各自的体积电阻率相比，使用3-氨基丙基三甲氧基硅烷和六甲基二硅氮烷进行了氧化镁的表面处理的试样A4的体积电阻率大幅上升。另外，试样A4的体积电阻率高于使用不含氨基的其他硅烷偶联剂进行了氧化镁的表面处理的试样A3、A5和A6的各自的体积电阻率。

根据试样A4的结果，通过采用3-氨基丙基三甲氧基硅烷对无机填充剂进行表面处理，从而可以将氨基丙基甲硅烷基赋予至无机填充剂表面的至少一部分上。已经确认，通过使无机填充剂表面的至少一部分具有氨基甲硅烷基，从而可以提高树脂组合物的绝缘性。

此外，如表2所示，即使在将基体树脂设为TPO的情况下，与将基体树脂设为LDPE的情况同样地，与未添加无机填充剂的试样B1和未进行无机填充剂的表面处理的试样B2的各自的体积电阻率相比，使用3-氨基丙基三甲氧基硅烷和六甲基二硅氮烷进行了氧化镁的表面处理的试样B4的体积电阻率也大幅得到提高。另外，试样B4的体积电阻率也高于使用不含氨基的其他硅烷偶联剂进行了氧化镁的表面处理的试样B3、B5和B6的各自的体积电阻率。

根据试样B4的结果确认了，即使在将基体树脂设为TPO等其他聚烯烃的情况下，也可以通过向无机填充剂赋予氨基甲硅烷基来获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。

<实验2>

接下来，为了评价绝缘性对无机填充剂种类的依赖性，进行了下述实验2。

(2-1)树脂组合物的片材样品的制作

在下述试样C1至C4中，将基体树脂设为LDPE，采用与试样A4相同的硅烷偶联剂(3-氨基丙基三甲氧基硅烷和六甲基二硅氮烷)对无机填充剂进行了表面处理。

[试样C1]

设置为与试样A4(使用氧化镁)相同的构成。

在下述试样C2至C4中，除了无机填充剂以外，其他条件设为与试样C1相同。

[试样C2]

(无机填充剂)

二氧化硅：气相法二氧化硅(体积平均粒径12nm)1质量份

[试样C3]

(无机填充剂)

氧化锌：(体积平均粒径40nm)1质量份

[试样C4]

(无机填充剂)

氧化铝：(体积平均粒径13nm)1质量份

除了将基体树脂设为TPO这一点以外，试样C5至C8的其他条件分别设为与试样C1至C4相同。

(2-2)结果

使用下述的表3和表4来说明对实验2的各试样进行评价而得的结果。需要说明的是，在表3和表4中，无机填充剂后的括号表示在无机填充剂的表面处理中所使用的硅烷偶联剂。

[表3]

	试样C1	试样C2	试样C3	试样C4
					LDPE	100	100	100	100
氧化镁(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)	1
					二氧化硅(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)		1
氧化锌(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)			1
					氧化铝(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)				1
体积电阻率(80℃)(Ω·<sub>cm</sub>)	6.4×10<sup>18</sup>	6.1×10<sup>18</sup>	8.9×10<sup>17</sup>	7.3×10<sup>17</sup>

[表4]

	试样C5	试样C6	试样C7	试样C8
					TPO	100	100	100	100
氧化镁(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)	1
					二氧化硅(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)		1
氧化锌(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)			1
					氧化铝(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)				1
体积电阻率(80℃)(Ω·<sub>cm</sub>)	5.5×10<sup>16</sup>	5.2×10<sup>16</sup>	4.4×10<sup>16</sup>	3.7×10<sup>16</sup>

如表3所示，在将基体树脂设为LDPE的情况下，将无机填充剂设为氧化镁以外的其他无机粉末的试样C2至C4的各自的体积电阻率几乎等于将无机填充设为氧化镁的试样C1的体积电阻率。

此外，如表4所示，即使在将基体树脂设为TPO的情况下，将无机填充剂设为氧化镁以外的其他无机粉末的试样C6至C8的各自的体积电阻率几乎等于将无机填充剂设为氧化镁的试样C5的体积电阻率。

根据试样C1至C8的结果确认了，即使在将无机填充剂设为氧化镁以外的其他无机粉末的情况下，通过向无机填充剂赋予氨基甲硅烷基也可以获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。

<实验3>

接下来，为了评价基体树脂的交联状态的依赖性，进行了下述实验3。

(3-1)树脂组合物的片材样品的制作

在下述试样D1和D2中，将基体树脂设为LDPE，将无机填充剂设为氧化镁，采用与试样A4相同的硅烷偶联剂(3-氨基丙基三甲氧基硅烷和六甲基二硅氮烷)对无机填充剂进行了表面处理。

[试样D1]

在与试样A4(未交联)相同的条件下，制作了树脂组合物的片材。

[试样D2]

(添加剂)

交联剂：过氧化二枯基1.3质量份

抗氧化剂：4，4’-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)(TBMTBP)0.22质量份

(片材制作条件)

在形成树脂组合物后，通过压制成型，在180℃下对树脂组合物加压30分钟，从而制作了具有0.2mm厚度的树脂组合物的片材。通过在180℃下进行30分钟加热，从而使基体树脂交联。随后，为了除去交联剂的残留物，将该片材在80℃下进行24小时的真空干燥。

除了将基体树脂设为TPO这一点以外，试样D3和D4的其他条件分别设为与试样D1和D2相同。

(3-2)结果

使用下述表5来说明对实验3的各试样进行评价而得的结果。

[表5]

	试样D1	试样D2	试样D3	试样D4
					LDPE	100	100
TPO			100	100
					交联剂(过氧化二枯基)		1.3		1.3
抗氧化剂(TBMTBP)		0.22		0.22
					基体树脂的交联状态	未交联	交联	未交联	交联
体积电阻率(80℃)(Ω·<sub>cm</sub>)	6.4×10<sup>18</sup>	4.2×10<sup>18</sup>	8.9×10<sup>17</sup>	5.2×10<sup>17</sup>

如表5所示，使基体树脂发生交联了的试样D2和D4的体积电阻率分别几乎等于未使基体树脂交联的试样D1和D3的体积电阻率。

根据试样D1至D4的结果确认了，无论基体树脂的交联状态如何，通过向无机填充剂赋予氨基甲硅烷基都可以获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。

<实验4>

接下来，为了评价绝缘性对氨基甲硅烷基比率的依赖性，进行了下述实验4。

(4-1)树脂组合物的片材样品的制作

在下述试样E1至E6中，将基体树脂设为LDPE，将无机填充剂设为氧化镁。

[试样E1]

设置为与试样A1(未添加无机填充剂)相同的构成。

[试样E2]

设置为与试样A2(未表面处理)相同的构成。

[试样E3]

设置为与试样A3相同的构成。

即，仅使用六甲基二硅氮烷作为硅烷偶联剂来进行无机填充剂的表面处理。因此，将氨基甲硅烷基摩尔分数设为0％。

[试样E4]

设置为与试样A4相同的构成。

即，设定氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂的各自的混合量，以使得氨基甲硅烷基摩尔分数为12％。

[试样E5]

使用与试样E4相同的硅烷偶联剂，设定氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂的各自的混合量，以使得氨基甲硅烷基摩尔分数为45％。

[试样E6]

仅使用氨基硅烷偶联剂来进行无机填充剂的表面处理。因此，将氨基甲硅烷基摩尔分数设为100％。

在试样E7至E12中，除了将基体树脂设为TPO这一点以外，其他条件分别设为与试样E1至E6相同。

(4-2)评价

除了上述体积电阻率的测定以外，还对试样E4、E5、E10和E11测定了N/C比，并基于所测定的N/C比来求出氨基甲硅烷基摩尔分数。

具体而言，在850℃的反应温度和600℃的还原温度的条件下，通过使用了TCD的气相色谱法对无机填充剂表面进行元素分析。由此，求出了实际结合到无机填充剂表面上的甲硅烷基中的N/C比。需要说明的是，装置等的详细条件如下所述。

装置：氧循环燃烧/TCD检测方式NCH定量装置

“スミグラフNCH-22F型”(“住化分析センタ－”制)

测定条件：·反应温度：850℃·还原温度：600℃·分离/检测：多孔聚合物珠填充柱/TCD·标准试样：元素定量标准试样乙酰苯胺

另一方面，基于在实验4中所使用的氨基硅烷偶联剂和疏水性硅烷偶联剂，N/C比y作为氨基甲硅烷基摩尔分数x的函数，由下式(6)’表示。

Y＝0.0039x···(6)’

(其中，0<x≦100。)

通过将实际测得的N/C比y代入到校准曲线的式(6)’中，从而求出了实际结合到无机填充剂表面上的甲硅烷基中的氨基甲硅烷基摩尔分数x。

(4-3)结果

使用下述的表6、表7、图2A和图2B来说明进行实验4的各试样的评价而得的结果。需要说明的是，在表6和表7中，“氧化镁”后的括号表示未表面处理或氨基甲硅烷基摩尔分数。图2A和图2B是分别示出了在实验4中基体树脂包含LDPE的情况以及基体树脂包含TPO的情况下，体积电阻率相对于氨基甲硅烷基摩尔分数的图。需要说明的是，在图2A和图2B中，横轴为氨基甲硅烷基摩尔分数，纵轴为体积电阻率。图2A和图2B分别示出了基体树脂包含LDPE的试样E3至E6、以及基体树脂包含TPO的试样E9至E12。

[表6]

试样E1

试样E2

试样E3

试样E4

试样E5

试样E6

LDPE

100

氧化镁(未表面处理)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:0％)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:12％)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:45％)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:100％)

1

体积电阻率(80℃)(Ω·cm)

1.3×1014

5.3×1014

2.9×1016

6.4×1018

7.1×1017

3.5×1016

[表7]

试样E7

试样E8

试样E9

试样E10

试样E11

试样E12

TPO

100

氧化镁(未表面处理)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:0％)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:12％)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:45％)

1

氧化镁(氨基甲硅烷基摩尔分数:100％)

1

体积电阻率(80℃)(Ω·cm)

9.0×1014

1.3×1015

1.1×1016

5.5×1016

3.3×1016

1.5×1016

需要说明的是，对试样E4、E5、E10和E11测定了N/C比，并将所测定的N/C比代入到式(6)’中以求出氨基甲硅烷基摩尔分数，结果，确认获得了在表面处理时所假定的氨基甲硅烷基摩尔分数。

如表6所示，在基体树脂包含LDPE的情况下，与未添加无机填充剂的试样E1和未进行无机填充剂表面处理的试样E2的各自的体积电阻率相比，使用氨基硅烷偶联剂进行氧化镁的表面处理的试样E4至E6的各自的体积电阻率也都大幅上升。

如图2A所示，在基体树脂包含LDPE的情况下，体积电阻率相对于氨基甲硅烷基摩尔分数而表现出向上凸的倾向。提示了当氨基甲硅烷基摩尔分数为约12％时，体积电阻率成为最大值。另外，如图2A所示，可以确认，在基体树脂包含LDPE的情况下，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为2％以上90％以下，从而可以使体积电阻率为5×10¹⁶Ω·cm以上。进一步地，可以确认，在基体树脂包含LDPE的情况下，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为5％以上80％以下，从而可以使体积电阻率为1×10¹⁷Ω·cm以上。

根据试样E4至E6的结果确认了，在基体树脂包含LDPE的情况下，通过使氨基甲硅烷基结合在无机填充剂表面的至少一部分上，从而不管氨基甲硅烷基摩尔分数如何，都可以获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。另外确认了，在基体树脂包含LDPE的情况下，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为2％以上90％以下，从而可以稳定地获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。此外还确认了，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为5％以上80％以下，从而可以显著地获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。

如表6所示，在基体树脂包含TPO的情况下，与基体树脂包含LDPE的情况同样地，与未添加无机填充剂的试样E7和未进行无机填充剂表面处理的试样E8的各自的体积电阻率相比，使用氨基硅烷偶联剂进行氧化镁的表面处理的试样E10至E12的各自的体积电阻率也都大幅上升。

如图2B所示，在基体树脂包含TPO的情况下，与基体树脂包含LDPE的情况同样地，体积电阻率相对于氨基甲硅烷基摩尔分数而表现出向上凸的倾向。提示了当氨基甲硅烷基摩尔分数为约12％时，体积电阻率成为最大值。另外，如图2B所示，可以确认，在基体树脂包含TPO的情况下，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为2％以上90％以下，从而可以使体积电阻率为1.7×10¹⁶Ω·cm以上。进一步地，可以确认，在基体树脂包含TPO的情况下，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为5％以上80％以下，从而可以使体积电阻率为2×10¹⁶Ω·cm以上。

根据试样E10至E12的结果确认了，即使在基体树脂包含LDPE以外的其他聚烯烃的情况下，通过使氨基甲硅烷基结合在无机填充剂表面的至少一部分上，从而不管氨基甲硅烷基摩尔分数如何，也都可以获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。另外确认了，即使在基体树脂包含LDPE以外的其他聚烯烃的情况下，通过将氨基甲硅烷基摩尔分数设为2％以上90％以下、优选设为5％以上80％以下，从而也可以稳定地获得提高树脂组合物的绝缘性的效果。

<实验5>

接下来，为了评价绝缘性对无机填充剂含量的依赖性，进行了下述实验5。

(5-1)树脂组合物的片材样品的制作

在下述试样F1至F5中，将基体树脂设为LDPE。

[试样F1]

(无机填充剂)

氧化镁：气相法氧化镁(体积平均粒径50nm)0.1质量份

硅烷偶联剂：

3-氨基丙基三甲氧基硅烷作为氨基硅烷偶联剂

六甲基二硅氮烷作为疏水性硅烷偶联剂

[试样F2]

除了将无机填充剂的含量设为0.5质量份这一点以外，其他条件设为与试样F1相同。

[试样F3]

除了将无机填充剂的含量设为1质量份这一点以外，其他条件设为与试样F1相同。

即，设置为与试样A4相同的构成。

[试样F4]

除了将无机填充剂的含量设为5质量份这一点以外，其他条件设为与试样F1相同。

[试样F5]

除了将无机填充剂的含量设为10质量份这一点以外，其他条件设为与试样F1相同。

除了仅使用六甲基二硅氮烷作为硅烷偶联剂来进行无机填充剂的表面处理这一点以外，试样F6至F10的其他条件分别设为与试样F1至F5相同。需要说明的是，试样F8设置为与试样A3相同的构成。

(5-2)结果

使用下述的表8、表9和图3来说明进行实验5的各试样的评价而得的结果。需要说明的是，在表8和表9中，“氧化镁”后的括号表示在无机填充剂的表面处理中所使用的硅烷偶联剂。图3是示出了实验5中的体积电阻率相对于无机填充剂含量的图。需要说明的是，在图3中，横轴为无机填充剂的含量，纵轴为体积电阻率。在图3中，将试样F1至F5的结果表示为“氨基硅烷+HMDS”，将试样F6至F10的结果表示为“HMDS”。

[表8]

	试样F1	试样F2	试样F3	试样F4	试样F5
						LDPE	100	100	100	100	100
氧化镁(3-氨基丙基三甲氧基硅烷+六甲基二硅氮烷)	0.1	0.5	1	5	10
						体积电阻率(80℃)(Ω·<sub>cm</sub>)	5.1×10<sup>16</sup>	5.5×10<sup>17</sup>	6.4×10<sup>18</sup>	3.5×10<sup>18</sup>	3.3×10<sup>18</sup>

[表9]

	试样F6	试样F7	试样F8	试样F9	试样F10
						LDPE	100	100	100	100	100
氧化镁(仅六甲基二硅氮烷)	0.1	0.5	1	5	10
						体积电阻率(80℃)(Ω·<sub>cm</sub>)	5.5×10<sup>15</sup>	1.2×10<sup>16</sup>	2.9×10<sup>16</sup>	1.3×10<sup>16</sup>	1.5×10<sup>15</sup>

如表9和图3所示，不管无机填充剂的含量如何，与未添加无机填充剂的试样A1和未进行无机填充剂的表面处理的试样A2的各自的体积电阻率相比，仅使用六甲基二硅氮烷进行无机填充剂的表面处理的情况下的体积电阻率也大幅上升。

另外，在仅使用六甲基二硅氮烷进行无机填充剂的表面处理的情况下，当无机填充剂的含量在0.1质量份以上5质量份以下的范围内时，随着无机填充剂含量的增加，体积电阻率升高。然而，当无机填充剂的含量超过5质量份时，体积电阻率存在有逐渐降低的倾向。

另一方面，如表8和图3所示，不管无机填充剂的含量如何，与未添加无机填充剂的试样A1和未进行无机填充剂的表面处理的试样A2的各自的体积电阻率相比，使用氨基硅烷偶联剂进行氧化镁的表面处理的情况下的体积电阻率也大幅上升。

另外，在使用氨基硅烷偶联剂进行氧化镁的表面处理的情况下，当无机填充剂的含量在0.1质量份以上10质量份以下的范围内时，随着无机填充剂含量的增加，体积电阻率升高。也就是说，即使无机填充剂的含量超过5质量份，也会抑制体积电阻率的降低。

根据使用氨基硅烷偶联剂进行氧化镁的表面处理的试样F1至F5的结果，可以确认，通过采用氨基硅烷偶联剂对无机填充剂进行表面处理，从而即使树脂组合物中的无机填充剂的含量超过5质量份，也可以维持高的绝缘性。

<本公开的优选方式>

以下，附记本公开的优选方式。

(附记1)

一种树脂组合物，其是构成绝缘层的树脂组合物，

具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂，

所述无机填充剂的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

(附记2)

附记1所述的树脂组合物，其中，

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、氧化锆及炭黑中的至少任意一者构成。

(附记3)

附记1或附记2所述的树脂组合物，其中，

所述氨基甲硅烷基包含1价的烃基，该1价的烃基含有伯氨基、仲氨基、叔氨基、氨基的酸中和基、季铵碱基中的至少任意一者作为所述氨基。

(附记4)

附记3所述的树脂组合物，其中，

含有所述氨基的所述烃基的碳原子数为3以上。

(附记5)

附记1至附记4中任一项所述的树脂组合物，其中，

所述无机填充剂采用下述的至少任意一种氨基硅烷偶联剂进行了表面处理：3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1,3-二甲基亚丁基)丙胺、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-丁基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N,N-二甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N,N-二乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N,N-二丁基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(乙烯基苄基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷盐酸盐、十八烷基二甲基(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)氯化铵、十四烷基二甲基(3-三甲氧基甲硅烷基丙基)氯化铵、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三正丁基溴化铵、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三正丁基氯化铵、N-三甲氧基甲硅烷基丙基-N,N,N-三甲基氯化铵。

(附记6)

附记1至附记5中任一项所述的树脂组合物，其中，

所述疏水性甲硅烷基中所含的所述疏水性基团为下述中的至少任意一者：可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷基、可被卤素取代的碳原子数为1至20的烷氧基、可被卤素取代的碳原子数为2至20的烯基、或者可被碳原子数为1至3的烷基(该烷基可被卤素取代)或卤素取代的碳原子数为6至12的芳基。

(附记7)

附记1至附记6中任一项所述的树脂组合物，其中，

所述无机填充剂采用具有所述疏水性基团的硅氮烷、烷氧基硅烷和卤代硅烷中的至少任意一种疏水性硅烷偶联剂进行了表面处理。

(附记8)

附记1至附记7中任一项所述的树脂组合物，其中，

(附记9)

附记1至附记7中任一项所述的树脂组合物，其中，

在反应温度为850℃以及还原温度为600℃的条件下，通过使用了热导率检测器的气相色谱法对所述无机填充剂的表面进行元素分析而求出的氮相对于碳的质量比为0.7％以上35％以下。

(附记10)

附记1至附记9中任一项所述的树脂组合物，其中，

构成所述基体树脂的所述聚烯烃为下述中的至少任意一者：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烃共聚物、以及将乙丙橡胶或乙丙二烯橡胶分散或共聚在聚乙烯或聚丙烯中而得的热塑性弹性体。

(附记11)

附记1至附记10中任一项所述的树脂组合物，其中，

所述氨基甲硅烷基具有含有所述氨基的烃基，

(附记12)

附记11所述的树脂组合物，其中，

(附记13)

附记1至附记12中任一项所述的树脂组合物，其中，

(附记14)

附记1至附记13中任一项所述的树脂组合物，其中，

(附记15)

附记1至附记14中任一项所述的树脂组合物，其中，

所述无机填充剂的体积平均粒径为1μm以下。

(附记16)

附记1至附记15中任一项所述的树脂组合物，其中，

所述基体树脂包含低密度聚乙烯，

(附记17)

附记1至附记15中任一项所述的树脂组合物，其中，

(附记18)

一种无机填充剂，其是混合至构成绝缘层的树脂组合物中、且添加到含有聚烯烃的基体树脂中的无机填充剂，

所述无机填充剂的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

(附记19)

一种直流电缆，具备：

导体、以及

被设置为覆盖所述导体外周的绝缘层，其中，

所述无机填充剂的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基。

(附记20)

一种直流电缆的制造方法，具备：

制备具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂的树脂组合物的步骤、以及

使用所述树脂组合物形成绝缘层以覆盖导体外周的步骤，其中，

在对所述无机填充剂进行表面处理的步骤中，

Claims

1.一种树脂组合物，其是构成绝缘层的树脂组合物，

具有含有聚烯烃的基体树脂、以及无机填充剂，

所述无机填充剂的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基，

所述氨基甲硅烷基相对于所述无机填充剂的所述表面所具有的全部甲硅烷基的摩尔分数为2％以上90％以下，

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、及氧化锆中的至少一者构成，

2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，在反应温度为850℃以及还原温度为600℃的条件下，通过使用热导率检测器的气相色谱法对所述无机填充剂的表面进行元素分析而求出的氮相对于碳的质量比为0.7％以上35％以下。

3.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述氨基甲硅烷基具有含有所述氨基的烃基，

4.根据权利要求3所述的树脂组合物，其中，所述氨基甲硅烷基中的含有所述氨基的所述烃基的碳原子数是3以上12以下。

5.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，每个所述无机填充剂的所述表面当中的一部分与所述氨基甲硅烷基结合，其它部分与所述疏水性甲硅烷基结合。

6.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述基体树脂包含低密度聚乙烯，

7.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述基体树脂包含通过将乙丙橡胶或乙丙二烯橡胶分散或共聚在聚乙烯或聚丙烯中而得的热塑性弹性体，

8.一种无机填充剂，其是混合至构成绝缘层的树脂组合物中、且添加到含有聚烯烃的基体树脂中的无机填充剂，

所述无机填充剂的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基，

所述无机填充剂由氧化镁、二氧化硅、氧化锌、氧化铝、氧化钛、及氧化锆中的至少一者构成。

9.一种直流电缆，其具备：

导体、以及

被设置为覆盖所述导体外周的绝缘层，

所述绝缘层由具有含有聚烯烃的基体树脂以及无机填充剂的树脂组合物构成，

所述无机填充剂的表面具有：

含有氨基的氨基甲硅烷基、以及

含有疏水性基团的疏水性甲硅烷基，

10.一种直流电缆的制造方法，其具备：

制备具有含有聚烯烃的基体树脂以及无机填充剂的树脂组合物的步骤、以及

使用所述树脂组合物形成绝缘层以覆盖导体外周的步骤，

相对于100质量份的所述基体树脂，所述无机填充剂的含量为0.1质量份以上10质量份以下，

在对所述无机填充剂进行表面处理的步骤中，

使来自于所述氨基硅烷偶联剂的含有所述氨基的氨基甲硅烷基、以及来自于所述疏水性硅烷偶联剂的含有所述疏水性基团的疏水性甲硅烷基结合在所述无机填充剂的表面上，