CN111604079A - 一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂及其制法 - Google Patents

一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂及其制法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及光催化产氢技术领域,且公开了一种Ni掺杂CoSe2‑g‑C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,包括以下配方原料及组分:g‑C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠。该一种Ni掺杂CoSe2‑g‑C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,g‑C3N4与三维石墨烯凝胶通过π‑π相互作用自组装形成复合材料,Ni掺杂调节了CoSe2的电子结构,促进了Ni掺杂CoSe2与g‑C3N4形成异质结结构,加速了光生电子和空穴的分离,导电性优异的石墨烯形成三维导电网络,促进光生电子向石墨烯迁移,抑制了光生电子和空穴的重组,Ni掺杂CoSe2使g‑C3N4的光吸收边发生红移,减小了光生电子从g‑C3N4价带向导带跃迁的能量,降低了复合催化剂的禁带宽度,使复合催化剂表现出优异的光催化产氢活性。

Description

一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂及其 制法
技术领域
本发明涉及光催化产氢技术领域,具体为一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂及其制法。
背景技术
氢气是世界上最干净的能源,氢气的燃烧产物是水无污染,氢气的燃烧热值高,燃烧性能优异,是最具有发展潜力的能源物质,目前工业上对于氢气的制取方法主要有化石燃料制氢、甲醇制氢和电解水制氢等,其中光催化分解水产氢是一种新型高效的制氢方法。
光催化产氢是通过光辐射在半导体光催化材料上,当光辐射的能量大于半导体的禁带宽度时,半导体内电子受激发从价带跃迁到导带,空穴则留在价带,使光生电子和空穴发生分离,分别在半导体的不同位置将水还原成氢气以及氧化成氧气,目前的光催化产氢半导体材料主要有钽酸盐如LiTaO3、K2SrTa2O7等、铌酸盐如K4Nb6O17等、钛酸盐如TiO2、SrTiO3等,其中石墨烯氮化碳g-C3N4的禁带宽度适中,具有良好的光化学活性,并且g-C3N4化学性质温度,廉价易得,是一种非常具有发展潜力的光催化产氢材料,但是g-C3N4的光生电子和空穴很容易复合,严重影响了g-C3N4催化剂的光催化产氢活性。
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂及其制法,解决了g-C3N4的光生电子和空穴很容易复合的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,包括以下原料及组分:g-C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼、其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为7.5-9.5:0.5-2.5:20:60-100。
优选的,所述g-C3N4修饰石墨烯制备方法包括以下步骤:
(1)将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为2-10℃/min,升温至550-580℃,保温煅烧2-3h,固体产物置于质量分数为70-90%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化20-30h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应8-15h,向溶液中加入过氧化氢溶液,匀速搅拌反应30-60min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4
(2)向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至160-200℃,反应10-20h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯。
优选的,所述三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.08-0.12:1-1.5:1.5-2.5。
优选的,所述氧化石墨烯和三维g-C3N4的质量比为10:1.5-4。
优选的,所述反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接。
优选的,所述Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂制备方法包括以下步骤:
(1)向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为1.5-2.5:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至140-180℃,反应15-25h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂。
优选的,所述Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co7.5-9.5Ni0.5-2.5Se2
优选的,所述Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为25-45%。
(三)有益的技术效果
与现有技术相比,本发明具备以下有益的技术效果:
该一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,具有三维结构的g-C3N4比表面积更大,g-C3N4与三维石墨烯凝胶通过π-π相互作用自组装形成g-C3N4修饰石墨烯复合材料,再以g-C3N4修饰石墨烯作为载体,通过高压水热反应制备得到Ni掺杂CoSe2负载g-C3N4,Ni掺杂调节了CoSe2的电子结构,促进了Ni掺杂CoSe2与g-C3N4形成异质结结构,异质结结构产生的内建电场加速了光生电子和空穴的分离,同时导电性优异的石墨烯在Ni掺杂CoSe2与g-C3N4之间形成三维导电网络,可以作为电子受体促进光生电子向石墨烯迁移,有效抑制了光生电子和空穴的重组,并且Ni掺杂CoSe2使g-C3N4的光吸收边发生红移,减小了光生电子从g-C3N4价带向导带跃迁的能量,有效降低了复合催化剂的禁带宽度,使Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂表现出优异的光催化产氢活性。
附图说明
图1是反应釜加热箱俯视示意图;
图2是反应釜固定圈放大示意图;
图3是限位卡块调节示意图。
1、反应釜加热箱;2、反应釜固定圈;3、调节螺母;4、限位卡块;5、反应釜。
具体实施方式
为实现上述目的,本发明提供如下具体实施方式和实施例:一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,包括以下原料及组分:g-C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼、其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为7.5-9.5:0.5-2.5:20:60-100。
g-C3N4修饰石墨烯制备方法包括以下步骤:
(1)将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为2-10℃/min,升温至550-580℃,保温煅烧2-3h,固体产物置于质量分数为70-90%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化20-30h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应8-15h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.08-0.12:1-1.5:1.5-2.5,匀速搅拌反应30-60min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4
(2)向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4,两者质量比为10:1.5-4,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至160-200℃,反应10-20h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯。
Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂制备方法包括以下步骤:
(1)向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为1.5-2.5:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至140-180℃,反应15-25h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co7.5-9.5Ni0.5-2.5Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为25-45%。
实施例1
(1)制备三维g-C3N4组分1:将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为2℃/min,升温至550℃,保温煅烧2h,固体产物置于质量分数为70%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化20h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应8h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.08:1:1.5,匀速搅拌反应30min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4组分1。
(2)制备g-C3N4修饰石墨烯组分1:向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4组分1,两者质量比为10:1.5,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至160℃,反应10h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯组分1。
(3)制备Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂1:向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为1.5:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯组分1、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为9.5:0.5:20:60,其中搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至140℃,反应15h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂1,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co9.5Ni0.5Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为25%。
实施例2
(1)制备三维g-C3N4组分2:将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为5℃/min,升温至580℃,保温煅烧2h,固体产物置于质量分数为90%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化30h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应12h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.09:1.1:1.8,匀速搅拌反应60min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4组分2。
(2)制备g-C3N4修饰石墨烯组分2:向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4组分2,两者质量比为10:2,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至180℃,反应16h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯组分2。
(3)制备Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂2:向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为2:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯组分2、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为9:1:20:70,其中搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至160℃,反应25h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂2,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co9Ni1Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为30%。
实施例3
(1)制备三维g-C3N4组分3:将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为6℃/min,升温至560℃,保温煅烧2.5h,固体产物置于质量分数为80%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化25h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应12h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.1:1.3:2,匀速搅拌反应50min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4组分3。
(2)制备g-C3N4修饰石墨烯组分3:向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4组分3,两者质量比为10:3,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至180℃,反应15h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯组分3。
(3)制备Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂3:向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为2:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯组分3、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为8:2:20:80,其中搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至160℃,反应20h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂3,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co8Ni2Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为35%。
实施例4
(1)制备三维g-C3N4组分4:将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为10℃/min,升温至580℃,保温煅烧3h,固体产物置于质量分数为90%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化30h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应15h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.12:1.5:2.5,匀速搅拌反应60min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4组分4。
(2)制备g-C3N4修饰石墨烯组分4:向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4组分4,两者质量比为10:4,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至200℃,反应20h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯组分4。
(3)制备Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂4:向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为2.5:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯组分4、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为7.5:2.5:20:100,其中搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至180℃,反应25h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂4,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co7.5Ni2.5Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为45%。
对比例1
(1)制备三维g-C3N4组分1:将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为10℃/min,升温至550℃,保温煅烧3h,固体产物置于质量分数为70%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化20h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应15h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.08:1:1.5,匀速搅拌反应60min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4组分1。
(2)制备g-C3N4修饰石墨烯组分1:向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4组分1,两者质量比为10:0.5,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至200℃,反应10h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯组分1。
(3)制备Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢对比复合催化剂1:向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为2.5:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯组分1、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为9.8:0.2:20:40,其中搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至180℃,反应15h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢对比复合催化剂1,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co9.8Ni0.2Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为15%。
对比例2
(1)制备三维g-C3N4组分2:将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为6℃/min,升温至580℃,保温煅烧3h,固体产物置于质量分数为70%的浓硫酸溶液中匀速搅拌活化30h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,匀速搅拌反应10h,向溶液中加入过氧化氢溶液,其中三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.15:1.8:3,匀速搅拌反应60min,过滤除去溶剂,使用蒸馏水洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到三维g-C3N4组分2。
(2)制备g-C3N4修饰石墨烯组分2:向反应瓶中加入蒸馏水溶剂和氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4组分2,两者质量比为10:5,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接,加热至160℃,反应20h,将溶液冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯组分2。
(3)制备Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢对比复合催化剂2:向反应瓶中加入蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂,两者体积比为2.5:1,再加入g-C3N4修饰石墨烯组分2、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为7:3:20:110,其中搅拌均匀后将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至180℃,反应15h,将溶液过滤除去溶剂,使用蒸馏水和乙醇洗涤固体产物,并充分干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢对比复合催化剂2,其中Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co7Ni3Se2,Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为55%。
Figure BDA0002520694520000101
综上所述,该一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,具有三维结构的g-C3N4比表面积更大,g-C3N4与三维石墨烯凝胶通过π-π相互作用自组装形成g-C3N4修饰石墨烯复合材料,再以g-C3N4修饰石墨烯作为载体,通过高压水热反应制备得到Ni掺杂CoSe2负载g-C3N4,Ni掺杂调节了CoSe2的电子结构,促进了Ni掺杂CoSe2与g-C3N4形成异质结结构,异质结结构产生的内建电场加速了光生电子和空穴的分离,同时导电性优异的石墨烯在Ni掺杂CoSe2与g-C3N4之间形成三维导电网络,可以作为电子受体促进光生电子向石墨烯迁移,有效抑制了光生电子和空穴的重组,并且Ni掺杂CoSe2使g-C3N4的光吸收边发生红移,减小了光生电子从g-C3N4价带向导带跃迁的能量,有效降低了复合催化剂的禁带宽度,使Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂表现出优异的光催化产氢活性。

Claims (8)

1.一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,包括以下原料及组分,其特征在于:g-C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼、其中硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠、水合肼的物质的量比为7.5-9.5:0.5-2.5:20:60-100。
2.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述g-C3N4修饰石墨烯制备方法包括以下步骤:
(1)将三聚氰胺置于马弗炉,升温速率为2-10℃/min,升温至550-580℃,保温煅烧2-3h,固体产物置于质量分数为70-90%的浓硫酸溶液中活化20-30h,再加入硝酸钠和高锰酸钾,反应8-15h,向溶液中加入过氧化氢溶液,反应30-60min,过滤、洗涤并干燥,制备得到三维g-C3N4
(2)向蒸馏水溶剂中加入氧化石墨烯,超声分散均匀后加入三维g-C3N4,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至160-200℃,反应10-20h,冷冻干燥除去溶剂,制备得到三维结构的g-C3N4修饰石墨烯。
3.根据权利要求2所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述三聚氰胺、硝酸钠、高锰酸钾和过氧化氢的质量比为1:0.08-0.12:1-1.5:1.5-2.5。
4.根据权利要求2所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述氧化石墨烯和三维g-C3N4的质量比为10:1.5-4。
5.根据权利要求2所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述反应釜加热箱包括反应釜固定圈、反应釜固定圈活动连接有调节螺母、调节螺母固定连接有限位卡块、限位卡块与反应釜活动连接。
6.根据权利要求1所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂制备方法包括以下步骤:
(1)向体积比为1.5-2.5:1的蒸馏水和二乙烯三胺的混合溶剂中加入g-C3N4修饰石墨烯、硝酸钴、硝酸镍、亚硒酸钠和水合肼,将溶液倒入水热反应釜并置于反应釜加热箱中,加热至140-180℃,反应15-25h,过滤、洗涤并干燥,制备得到Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂。
7.根据权利要求6所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述Ni掺杂CoSe2的化学分子式为Co7.5-9.5Ni0.5-2.5Se2
8.根据权利要求6所述的一种Ni掺杂CoSe2-g-C3N4异质结光催化产氢复合催化剂,其特征在于:所述Ni掺杂CoSe2占复合催化剂的质量分数为25-45%。
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