CN111487820B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提出了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板通过将所述第一沟道划分为至少两子沟道，并在每一所述子沟道中设置半导体子层，使得所述第一TFT中子沟道的数量大于所述第二TFT中第二沟道的数量，从而增大了所述第一TFT中沟道宽度的变化量，相比于现有TFT结构，减少了对应在棱镜连接部处由于受到曝光量影响造成的第二TFT与第一TFT之间实际沟道比值的变异量，减少了由于棱镜连接部处曝光量变化对第二TFT与第一TFT分压比的影响，从而降低了棱镜连接部所对应的次像素的亮度变化量，改善了显示面板显示不均的问题。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，对于显示面板中TFT的结构尺寸的精确性要求越来越高，尤其在具备主像素和次像素的像素结构中，需要通过主TFT控制主像素的亮度、次TFT和分压TFT控制次像素的亮度，而次像素的亮度受到分压TFT与次TFT的分压比的控制，具体分压TFT与次TFT的分压比受到分压TFT中分压沟道的宽度与次TFT中次沟道的宽度的比值控制；
而在次TFT和分压TFT中沟道结构的实际制作过程中，需要依次形成栅极金属层、绝缘层及源漏金属层，采用曝光工艺图案化所述源漏金属层，然后根据图案化的所述源漏金属层，蚀刻形成所述次TFT中的次沟道和分压TFT中的分压沟道，目前，在诸如曝光等工艺中普遍采用多棱镜100组合的Nikon机台来曝光，如图1所示，由于各棱镜100之间重合的连接部与棱镜100本体曝光量存在一定差异，造成棱镜连接部101与棱镜本体102处的曝光量存在一定的差异，从而影响所述绝缘层上图案化的尺寸，使得对应于棱镜连接部101处的所述次TFT中次沟道的宽度和分压TFT中分压沟道的宽度同时变长或变短；进而造成蚀刻出的分压TFT中分压沟道的宽度与次TFT中次沟道的宽度的比值发生较大变化，对分压TFT与次TFT的分压比影响较大，整体上，影响了位于棱镜连接部101处次像素的亮度变化，造成了显示面板显示不均匀的现象。
因此，亟需一种显示面板以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决现有次TFT中次沟道的宽度与分压TFT中分压沟道的宽度比值易受到沟道宽度变化的影响，对次像素的亮度影响较大使得显示面板显示不均的技术问题。
为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供了一种阵列基板，包括衬底基板、以及呈阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，任一所述像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、与所述次像素电极电连接的第一TFT、与所述第一TFT电连接的第二TFT、以及与所述主像素电极电连接的第三TFT；
所述第一TFT包括第一源极、第一漏极、至少部分位于所述第一源极与所述第一漏极之间的第一沟道、以及设置于所述第一沟道处的第一半导体层；所述第二TFT包括第二源极、第二漏极、位于所述第二源极与所述第二漏极之间的第二沟道、以及设置于所述第二沟道处的第二半导体层。
其中，所述第一沟道至少包括两子沟道，所述第一半导体层至少包括两半导体子层，每一所述子沟道中均设有一所述半导体子层。
在本申请的阵列基板中，所述第一沟道至少包括第一子沟道和第二子沟道，所述第一半导体层至少包括位于所述第一子沟道内的第一半导体子层和位于所述第二子沟道内的第二半导体子层；所述第一子沟道和/或第二子沟道位于所述第一源极与所述第一漏极之间。
在本申请的阵列基板中，所述第一TFT与所述第二TFT通过所述第一源极与所述第二源极连接；或
通过所述第一漏极与所述第二漏极连接；
所述第二TFT设置于靠近所述第一TFT处，所述第一子沟道设置于所述第一TFT与所述第二TFT之间，所述第一沟道中至少所述第二子沟道设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。
在本申请的阵列基板中，所述第一子沟道和所述第二子沟道均呈I型设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。
在本申请的阵列基板中，所述第一子沟道与所述第二子沟道相互平行设置，所述第一沟道呈U型设置于所述第一源极与所述第一漏极之间，所述第一子沟道和所述第二子沟道分别设置于呈U型的所述第一沟道中的两平行边处。
在本申请的阵列基板中，所述第一沟道呈L型设置于所述第一源极与所述第一漏极之间，所述第一子沟道与所述第二子沟道分别设置于呈L型的所述第一沟道中的两侧边处。
在本申请的阵列基板中，所述第一子沟道与所述第二子沟道连通，所述第一半导体子层与所述第二半导体子层连为一体。
在本申请的阵列基板中，所述第一子沟道与所述第二子沟道呈间隔设置，所述第一半导体子层与所述第二半导体子层呈间隔设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。
在本申请的阵列基板中，所述第一子沟道和所述第二子沟道均呈U型设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。
本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板和如前实施例中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
本申请的有益效果：本申请通过将所述第一沟道划分为至少两子沟道，并在每一所述子沟道中设置半导体子层，使得所述第一TFT中子沟道的数量大于所述第二TFT中第二沟道的数量，从而增大了所述第一TFT中沟道宽度的变化量，相比于现有TFT结构，减少了对应在棱镜连接部处由于受到曝光量影响造成的第二TFT与第一TFT之间实际沟道比值的变异量，减少了由于棱镜连接部处曝光量变化对第二TFT与第一TFT分压比的影响，从而降低了棱镜连接部所对应的次像素的亮度变化量，改善了显示面板显示不均的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为现有曝光工艺中多棱镜组合的结构示意图；
图2为本申请实施例中阵列基板的第一种结构示意图；
图3为本申请实施例中阵列基板的第二种结构示意图；
图4为本申请实施例中阵列基板的第三种结构示意图；
图5为本申请实施例中阵列基板的第四种结构示意图；
图6为本申请实施例中阵列基板的第五种结构示意图；
图7为本申请实施例中阵列基板的第六种结构示意图；
图8为本申请一实施方式中显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请提供了一种阵列基板10，如图2-7所示，包括衬底基板11、以及呈阵列分布于所述衬底基板11上的多个像素单元，任一所述像素单元至少包括主像素电极12、次像素电极13、与所述次像素电极13电连接的第一TFT14、与所述第一TFT14电连接的第二TFT15、以及与所述主像素电极12电连接的第三TFT16；
所述第一TFT14包括第一源极141、第一漏极142、至少部分位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间的第一沟道143、以及设置于所述第一沟道143处的第一半导体层144；所述第二TFT15包括第二源极151、第二漏极152、位于所述第二源极151与所述第二漏极152之间的第二沟道153、以及设置于所述第二沟道153处的第二半导体层154。
其中，所述第一沟道143至少包括两子沟道，所述第一半导体层144至少包括两半导体子层，每一所述子沟道中均设有一所述半导体子层。
可以理解的是，在具体形成TFT沟道的实际制作过程中，需要依次形成栅极金属层、绝缘层及源漏金属层，采用曝光工艺图案化所述源漏金属层，然后根据图案化的所述源漏金属层，蚀刻形成所述次TFT中的次沟道和分压TFT中的分压沟道，然而，在现有的曝光等工艺中普遍采用多棱镜100组合的Nikon机台来曝光，如图1所示，由于各多棱镜100之间重合的连接部与多棱镜本体102曝光量存在一定差异，造成棱镜连接部101与棱镜本体102处的曝光量存在一定的差异，具体的，光线在棱镜连接部101处会具备较大衍射，造成在棱镜连接部101所对应部分的所述绝缘层上的图案开口的尺寸变大，从而在所述源漏金属层上蚀刻时，使得在沟道两端开口处的金属部分被蚀刻过多，造成蚀刻出的沟道宽度W变短；又由于在现有结构中，次TFT的次沟道宽度一般与分压TFT的分压沟道宽度存在较大差异，综合导致分压TFT与次TFT的分压比的变化量较大，影响了位于棱镜连接部101处次像素的亮度变化，其中，在棱镜本体102所对应部分的所述绝缘层上的图案开口的尺寸没有变化，所述棱镜本体102所对应的次像素与所述棱镜连接部101对应的次像素的亮度不同，从而造成了显示面板显示不均匀的现象；值得注意的是，沟道宽度变短的量与该沟道所具备的开口数量相关，例如，一般TFT结构中的沟道一般为两端开口，则按照前述蚀刻过程，沟道两端均缩短Δw，导致该沟道宽度W整体缩短2Δw；本申请中通过将所述第一沟道143划分为至少两子沟道，并在每一所述子沟道中设置半导体子层，使得所述第一TFT14中子沟道的数量大于所述第二TFT15中第二沟道153的数量，多个所述子沟道具备多个开口，从而增大了所述第一TFT14中沟道宽度的变化量，相比于现有TFT结构，减少了对应在棱镜连接部101处由于受到曝光量影响造成的第二TFT15与第一TFT14之间实际沟道比值的变异量，减少了由于棱镜连接部101处曝光量变化对第二TFT15与第一TFT14分压比的影响，从而降低了棱镜连接部101所对应的次像素的亮度变化量，改善了显示面板显示不均的问题。
值得注意的是，在前述光线在棱镜连接部101处会具备较大衍射，造成在棱镜连接部101所对应部分的所述绝缘层上的图案开口的尺寸变大，从而在所述源漏金属层上蚀刻时，使得在沟道两端开口处的金属部分被蚀刻过多，不仅会造成蚀刻出的沟道宽度W变短；还会造成沟道的长度L变长，其中，所述沟道的长度L为源漏极之间的间距，但在现有结构设计中，各TFT的沟道长度差异性较小，在同时增加沟道长度的条件下，对分压TFT与次TFT的分压影响较小，故在此不作考虑。在实际应用中，所述棱镜连接部101所对应的所述像素单元的数量可达两百个，影响的范围较广，从而在显示面板中体现为显示不均。此外，本申请中所表述的沟道宽度W，以实际在沟道中填充的半导体的宽度为准。
承上，所述第一TFT14、第二TFT15和所述第三TFT16可以是诸如顶栅结构、底栅结构等多种形式，本实施例中，所述第一TFT14、第二TFT15和所述第三TFT16均为底栅结构，并且，所述第一TFT14、第二TFT15和所述第三TFT16共用一栅极金属层17，所述第一TFT14与所述次像素电极13连接，所述第二TFT15与所述第一TFT14连接，所述第一TFT14和所述第二TFT15用于控制次像素的亮度，所述第三TFT16与所述主像素电极12，所述第三TFT16用于控制主像素的亮度；其中，所述第二半导体层154布满所述第二沟道153；所述半导体子层布满所述子沟道。此外，在具体结构中，所述第一TFT14中第一源极141和第一漏极142可以互换，所述第二TFT15中第二源极151和第二漏极152也可互换，所述第三TFT16包括的第三源极和第三漏极可以互换，在此不再赘述。
在一实施例中，所述第一沟道143至少包括第一子沟道1431和第二子沟道1432，所述第一半导体层144至少包括位于所述第一子沟道1431内的第一半导体子层1441和位于所述第二子沟道1432内的第二半导体子层1442；所述第一子沟道1431和/或第二子沟道1432位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；可以理解的是，所述第一子沟道1431和第二子沟道1432既可以同时位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，也可以其中之一位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，在至少具备3T的结构中，任一两TFT中的两源极或两漏极均可采用一体结构，从而实现部分第一沟道143位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，也即是所述第一子沟道1431或第二子沟道1432位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间的结构。
在一实施例中，如图2所示，所述第一TFT14与所述第二TFT15通过所述第一源极141与所述第二源极151连接；或通过所述第一漏极142与所述第二漏极152连接；所述第二TFT15设置于靠近所述第一TFT14处，所述第一子沟道1431设置于所述第一TFT14与所述第二TFT15之间，所述第一沟道143中至少所述第二子沟道1432设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；本实施例中，所述第一TFT14中具备所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432，从而具备四个开口，在制作过程中的所述第一沟道143整体宽度的变异量为4Δw。
承上，具体的，所述第一TFT14与所述第二TFT15可采用通过所述第一漏极142与所述第二漏极152连接的结构；所述第二TFT15中所述第二漏极152设置于靠近所述第一TFT14的第一源极141处，所述第一子沟道1431位于所述第二漏极152与第一源极141之间，可以理解的是，所述第一TFT14与所述第二TFT15采用通过所述第一漏极142与所述第二漏极152连接的结构，实际上类似于所述第一TFT14与所述第二TFT15采用共漏极的结构，因此，此时所述第一子沟道1431没有位于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；此外，所述第一沟道143中至少所述第二子沟道1432设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；当然，所述第一沟道143还可以包括第三子沟道1433等均可同时与所述第二子沟道1432设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，具体结构可参考结合其它将所述第一沟道143全部设于所述第一源极141与所述第一漏极142之间的实施例方案，在此不再赘述。
在一实施例中，如图3-图5所示，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432均呈I型设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；显然，此时，所述第一沟道143全部设于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；可以理解的是，所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432均呈I型设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，此时，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432的均具备两开口，所述第一沟道143整体宽度的变异量为4Δw。
具体的，如图3所示，所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432相互平行设置，所述第一沟道143呈U型设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432分别设置于呈U型的所述第一沟道143中的两平行边处；具体的，所述第一漏极142设置于呈凹型的第一源极141中，以使得所述第一沟道143呈U型结构，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432分别设置于呈U型的所述第一沟道143中的两平行边处，即所述第一半导体子层1441和所述第二半导体子层1442分别填充于所述呈U型的所述第一沟道143中的两平行边处，在所述U型的所述第一沟道143中拐弯的连接段处没有填充半导体，值得注意的是，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432的宽度均大于所述第一漏极142位于呈U型的所述第一沟道143中的宽度。
在一实施例中，如图4-5所示，所述第一沟道143呈L型设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432分别设置于呈L型的所述第一沟道143中的两侧边处；显然，此时所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432呈一定角度的非平行状态，具体所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432的夹角与呈L型的所述第一沟道143中的两侧边的夹角相同。具体的，如图4所示，所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432可以连通，所述第一半导体子层1441与所述第二半导体子层1442连为一体，此外，如图5所示，所述第一子沟道1431与所述第二子沟道1432也可呈间隔设置，所述第一半导体子层1441与所述第二半导体子层1442呈间隔设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间。
在一实施例中，如图6所示，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432均呈U型设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间；可以理解的的是，所述第一沟道143此时呈双U型结构设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，并且，所述第一子沟道1431和所述第二子沟道1432均具备两开口，所述第一沟道143整体宽度的变异量为4Δw。
在一实施例中，如图7所示，在如图2所示结构的基础上，结合如图3所示的结构，所述第一沟道143还可以包括第三子沟道1433，所述第三子沟道1433与所述第二子沟道1432设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，具体的，所述第三子沟道1433与所述第二子沟道1432均为I型结构，所述第三子沟道1433与所述第二子沟道1432相互平行设置，所述第一沟道143呈U型设置于所述第一源极141与所述第一漏极142之间，所述第三子沟道1433与所述第二子沟道1432分别设置于呈U型的所述第一沟道143中的两平行边处；此时，所述所述第一子沟道1431、所述第二子沟道1432和所述第三子沟道1433均具备两开口，所述第一沟道143整体宽度的变异量为6Δw。
综上，如表1所示，为图2—图7中不同所述阵列基板10中所述第一TFT14与所述第二TFT15分压比受沟道尺寸影响的变化量：显然，如前所述，由于各多棱镜100之间重合的连接部与多棱镜本体102曝光量存在一定差异，造成棱镜连接部101与棱镜本体102处的曝光量存在一定的差异，具体的，光线在棱镜连接部101处会具备较大衍射，造成在棱镜连接部101所对应部分的所述绝缘层上的图案开口的尺寸变大，从而在所述源漏金属层上蚀刻时，使得在沟道两端开口处的金属部分被蚀刻过多，造成蚀刻出的沟道宽度W变短；导致控制次像素亮度的分压比变化量较大，影响了位于棱镜连接部101处次像素的亮度变化，造成显示面板出现亮度不均的问题。
Figure GDA0003021595640000101
表1：不同阵列基板结构的分压变化情况
如表1所示，设有五组对照数据，分别包括理论参照、现有参照、图2-图3结构对照、图4-图6结构对照和图7结构对照，可以理解的是，理论参照即为所述第二TFT15与所述第一TFT14分压比的理论值，在理想条件下，所述第一TFT14的W1变化与所述第二TFT15的W2变化均为0，此时，所述第二TFT15与所述第一TFT14分压比即为所述第二TFT15的W2设计值与所述第一TFT14的W1设计值之比，如表1所示，以所述第一TFT14的W1设计值为26.6um，所述第二TFT15的W2设计值为6um为例，得到所述第二TFT15与所述第一TFT14分压比为22.6％，并且，所述第二TFT15与所述第一TFT14分压比相对于设计的理想分压比的变化量为0。
承上，按照上述方式计算，以Δw＝0.3um为例，在现有参照中，即现有TFT结构中W1和W2的变化均为2Δw，导致在现有参照中的实际分压比为(6-2Δw)/(26.6-2Δw)＝20.7％，因此，现有参照的实际分压比20.7％相比于理想分压比22.6％的变化量为1.30％；具体的，图2-图3结构对照、图4-图6结构对照和图7结构对照的分压比变化量依次为1.30％、1.30％和0.78％，显然，本申请中所述阵列基板10中的所述第一TFT14和所述第二TFT15结构，降低了所述第二TFT15与所述第一TFT14的分压比受沟道尺寸影响的敏感度，减小了所述第二TFT15与所述第一TFT14的分压比的变化量，进而降低了次像素的亮度变化值，很好的解决了显示面板的显示亮度不均的问题。
基于上述阵列基板10，本申请还提供一种显示面板，如图8所示，所述显示面板包括彩膜基板20和如前实施例中任一项所述的阵列基板10，所述彩膜基板20与所述阵列基板10之间设置有液晶层30。
综上所述，本申请通过将所述第一沟道143划分为至少两子沟道，并在每一所述子沟道中设置半导体子层，使得所述第一TFT14中子沟道的数量大于所述第二TFT15中第二沟道153的数量，从而增大了所述第一TFT14中沟道宽度的变化量，相比于现有TFT结构，减少了对应在棱镜连接部101处由于受到曝光量影响造成的第二TFT15与第一TFT14之间实际沟道比值的变异量，减少了由于棱镜连接部101处曝光量变化对第二TFT15与第一TFT14分压比的影响，从而降低了棱镜连接部101所对应的次像素的亮度变化量，改善了显示面板显示不均的问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板、以及呈阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，任一所述像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、与所述次像素电极电连接的第一TFT、与所述第一TFT电连接的第二TFT、以及与所述主像素电极电连接的第三TFT；
所述第一TFT包括第一源极、第一漏极、至少部分位于所述第一源极与所述第一漏极之间的第一沟道、以及设置于所述第一沟道处的第一半导体层；所述第二TFT包括第二源极、第二漏极、位于所述第二源极与所述第二漏极之间的第二沟道、以及设置于所述第二沟道处的第二半导体层；其中，所述第一沟道至少包括两子沟道，所述第一半导体层至少包括两半导体子层，每一所述子沟道中均设有一所述半导体子层，所述子沟道的数量大于所述第二沟道的数量；
所述第一沟道至少包括第一子沟道和第二子沟道，所述第一子沟道和所述第二子沟道均呈U型设置于所述第一源极与所述第一漏极之间；
所述第一半导体层至少包括位于所述第一子沟道内的第一半导体子层和位于所述第二子沟道内的第二半导体子层；所述第一子沟道和/或第二子沟道位于所述第一源极与所述第一漏极之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一TFT与所述第二TFT通过所述第一源极与所述第二源极连接；或
通过所述第一漏极与所述第二漏极连接；
所述第二TFT设置于靠近所述第一TFT处，所述第一子沟道设置于所述第一TFT与所述第二TFT之间，所述第一沟道中至少所述第二子沟道设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一沟道呈L型设置于所述第一源极与所述第一漏极之间，所述第一子沟道与所述第二子沟道分别设置于呈L型的所述第一沟道中的两侧边处。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道与所述第二子沟道连通，所述第一半导体子层与所述第二半导体子层连为一体。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子沟道与所述第二子沟道呈间隔设置，所述第一半导体子层与所述第二半导体子层呈间隔设置于所述第一源极与所述第一漏极之间。
6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板和如权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
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