CN111430246A - 高频毫米波ic封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法 - Google Patents

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尤宁圻
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Abstract

本发明公开了一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法。主要分两个步骤:第一步BOT面图形镍金电镀,第二步TOP面图形镍金电镀。BOT面图形镍金电镀时,需要通过导电孔与TOP面连接,在TOP面加上电流进行BOT面镍金电镀;TOP面镍金电镀时,需要通过导电孔与BOT面连接,在BOT面加上电流进行TOP面镍金电镀。本发明通过金厚的均匀性控制,TOP面图形镍金电镀层。金厚控制在1um+/‑0.02um。目的是在IC封装中,使金线与邦定面的镍金镀层更好的键合在一起,实现数据的稳定、快速和有效传输;另一方面,为达到欧盟环保要求提出的ROHS标准,IC封装后采用无铅焊锡贴片装到主板上。本专利制造方法对BOT面金厚的控制在0.15um到0.2um之间,对贴片的稳定性和可靠性具有重大的改善。

Description

高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法
技术领域
本发明涉及电路封装基板制造技术领域,涉及一种高频毫米波IC封装基板 图形镍金镀层的制造方法。
背景技术
随着无线通信技术由4G逐渐向5G在过渡,相关的电子产品和由网络技术 构成的通讯设备同时也需要发生改变,众多大容量信息的高速处理对IC封装基 板的性能要求也越来越高。生产出具有高频以及超高频的IC封装基板已然成为 一种发展必然趋势,迫在眉睫。因此,在高频毫米波IC封装基板的制造过程中, 相关产品的研发和生产细节,都需要不断的精细化,持续优化和改善制作方法。 其中就包括本专利提到所述高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造 方法等等。只有这样,才能提高产品封装的良品率,实现无铅焊锡贴片的可靠 性和稳定性,真正实现产品性能上的重大突破。
无论是在3G无线移动通信,还是目前的4G通信,传统的IC封装基板的制 造工艺,还是有很多方面可以优化和提升的。尤其是在制造过程的细节方面, 在数据指标控制方面,都有优化和改进的空间。从而真正做到提高产品良率和 性能,同时降低研发和生产成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种高频毫米波IC封装基板双面图形 镍金电镀层的制造方法,通过控制并制作均匀的30um导电膜附在图形表面,通 过设计好的导电孔,将电流均匀合理的输送的需要电镀的金属面,最终形成质 密、均匀性好的可控的镍金电镀层。一方面,TOP面图形镍金层电镀。金厚控制 在1um+/-0.02um,主要是在下一步的IC封装过程中,使金线与邦定面镍金电镀 层面更好的键合在一起,实现数据的快速有效传输;另一方面,为达到欧盟环 保要求提出的ROHS标准,IC封装好后基本上采用无铅焊锡贴片装到主板上。那 么本专利制造方法对BOT面金厚的控制在0.15um到0.2um之间,对贴片的稳定 性和可靠性方面具有重大的改善。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:在已经完成蚀刻的TOP 面图形和BOT面图形上分别制作30微英寸均匀的导电膜,分别对BOT面图形和 TOP面图形进行镍金层的电镀。通过高精密的电镀整流机来对镍金层厚度的精确 控制控制。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施 例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍:
其中:
图1为本发明实施工艺流程图;
图2为本发明实施BOT面图形镍金电镀层制作的剖面示意图;
图2标号说明:
1、TOP面和BOT面终检的玻璃纤维和陶瓷粉等绝缘材料;
2、连接TOP面图形和BOT面图形的导电孔;
3、BOT面线路图形;
4、TOP面线路图形;
5、用于电镀时负责整个板面导通的30微英寸导电膜
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述。
实施例请参考图1和图2,本发明的实施例为:一种高频毫米波IC封装基 板双面图形镍金电镀层的制造方法,包括以下步骤:
Step1、在BOT面图形上贴一层保护胶,TOP面图形不贴保护胶;
Step2、在TOP面制作一侧30um的钯铜导电膜;
Step3、用保护胶保护TOP面导电膜,同时去除BOT面保护胶。通过精密整 流机,在TOP面夹点位加上电流,电流由导电膜到导电孔,再到BOT面图形。 电镀镍的电流密度为4.5ASF,电镀时间为70分钟;电镀金的电流密度为0.5ASF。 电镀时间为8分钟。最后就可以得到均匀的镍层3um和金层0.15-0.2um厚度。 这样的镍金层控制,确保下一步的贴片,既可以使用无铅焊锡,达到环保方面 的要求,又可以解决传统贴片容易松动、接触不良等等问题。确保无铅焊锡贴 片的稳定性和可靠性,充分发挥产品的高频性能;
Step4、在BOT面面制作一侧30um的钯铜导电膜,用保护胶保护BOT面导 电膜;
Step5、去除TOP面保护胶和导电膜。通过精密整流机,在BOT面夹点位加 上电流,电流由导电膜到导电孔,再到TOP面图形。电镀镍的电流密度为7.5ASF, 电镀时间为70分钟;电镀金的电流密度为0.5ASF。电镀时间为47分钟。最后 就可以得到均匀的镍层5um和金层1um厚度;
Step6、去除BOT面保护胶和导电膜,完成对高频毫米波IC封装基板双面 图形镍金电镀层的制造。
以上所述为本发明的实施过程以及工艺参数,凡是利用本发明说明书及附 图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在 本发明的专利保护范围内。

Claims (3)

1.一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀的制造方法,其特征在于:TOP面和BOT面镍金电镀层的制作;
根据高频IC对封装基板图形的性能要求,通过图形设计,制作精密干版,图形曝光显影,最后图形蚀刻,完成TOP面和BOT面图形。此时,同一层的IC邦定手指与手指之间,手指与板边之间都是开路的。上下层图形有金属导电孔实现连接。
导通原理:通过TOP面上制作30微英寸的导电膜,把这一面图形全部接通,TOP面再通过金属导电孔,与BOT面需要电镀镍金的图形接通。用绝缘胶把TOP面整面保护好,在TOP面开几个可以加电流的接电孔,在TOP面加电流,对BOT面进行镍金电镀;反过来,进行TOP面镍金电镀时,也要现在BOT面上制作30微英寸的导电膜,原理也是一样的。电镀完镍金后,通过化学的方法,去除导电膜。最后在连接IC的邦定手指表面上(常称为TOP面)形成纯度很高很均匀的镍金层,镀层金厚1um+/-0.02um;同时要贴在主板上的那一面(常称为BOT面)也形成均匀性很高的镍金层。由于无铅焊锡对镀金层尤其是金厚要求极高,金厚要求0.15um到0.2um,才能有更好的可靠性和稳定性。
2.如权利要求1所述的的高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法,其特征在于,通过化学工艺在TOP面图形上制作30um导电膜,制作完成后用绝缘胶进行整面保护,只开几个需要接通电流的夹点位。通过电镀工艺对BOT面图形进行镍金层电镀。金厚控制在0.15um到0.2um之间。
3.如权利要求1所述的高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法,其特征在于,通过化学工艺去除TOP面导电膜,再通过化学工艺在BOT面图形上制作30um导电膜,制作完成后用绝缘胶进行整面保护,只开几个需要接通电流的夹点位。通过电镀工艺对TOP面图形进行镍金层电镀。金厚控制在1um+/-0.02um。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101605434A (zh) * 2009-07-16 2009-12-16 美龙翔微电子科技(深圳)有限公司 印制电路板导通孔成型方法
CN103687322A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 广州兴森快捷电路科技有限公司 一种无引线局部镀硬金印制线路板制作方法
CN109599385A (zh) * 2018-11-27 2019-04-09 美龙翔微电子科技(深圳)有限公司 高频ic封装基板及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101605434A (zh) * 2009-07-16 2009-12-16 美龙翔微电子科技(深圳)有限公司 印制电路板导通孔成型方法
CN103687322A (zh) * 2013-12-11 2014-03-26 广州兴森快捷电路科技有限公司 一种无引线局部镀硬金印制线路板制作方法
CN109599385A (zh) * 2018-11-27 2019-04-09 美龙翔微电子科技(深圳)有限公司 高频ic封装基板及其制造方法

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