CN111403107B - 一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜及其制备方法，属光电材料领域。制备方法大致如下：(1)涂布银纳米线薄膜；(2)配制左旋聚乳酸与右旋聚乳酸共混溶液，转移银纳米线薄膜；(3)配制氧化锌前驱体溶液，喷涂氧化锌纳米颗粒；(4)将上述制得的透明导电薄膜放入高温烘箱退火30min，迅速冷却，再烘干。该方法是当前通过溶液转移、再高温退火制得银纳米线/全立构复合聚乳酸的唯一方法，且简单便捷、绿色环保、适合工业化大面积生产。制得的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜具有良好的光电性能、机械力学性能、耐热性能和水解稳定性、生物相容性和生物降解性。

Description

一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜及其 制备方法

技术领域

本发明属于光电材料领域，特别涉及一种可降解全立构复合型聚乳酸/银纳米线透明导电薄膜及其制备方法

背景技术

透明导电薄膜是一种兼具透过率和导电性的电极材料，是光电器件的重要组成部分，广泛应用于太阳能电池、传感器、晶体管、探测器及发光二极管等领域。随着光电器件朝着柔性化、可折叠化、可穿戴化的方向发展，柔性透明导电薄膜的需求急剧上升。氧化银锡(ITO)由于具有优良的透光性和导电性，仍是当今使用最多的电极材料，约占市场份额的90％(K.Ghaffarzadeh,R.Das,Transparent Conductive Films(TCF),Forecasts,Markets,Technologies(IDTechEx),pp.2014-2024.)。然而，地球上铟资源匮乏、ITO制造成本高、具有脆性不适合柔性器件等缺点限制其在下一代光电产品中的应用。溶液相的银纳米线(AgNWs)因其具有与ITO相当的光电性能，还具有极佳的柔韧性、制备导电薄膜方式多样化、适合卷对卷工业化大面积生产等优势，从众多电极材料中脱颖而出，是ITO最有力的替代者。

当前，柔性透明导电薄膜的衬底材料主要是石油衍生物，包括聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。这些石油基聚合物材料，虽然制备方式成熟、成本较低，但生物相容性差、难降解、易造成环境污染，不符合人类社会可持续发展要求。为了应对能源与环境危机，研究者开始将目光转向生物基材料，例如：丝素蛋白、纤维素、甲壳素、聚乳酸等。聚乳酸(PLA)是一种新型可降解材料，由可再生的植物资源(如玉米、马铃薯)所提出的淀粉制得。因其具有优良的生物相容性和可降解性，被广泛的应用在生物医疗、食品包装等领域。

目前，已有国外学者开展对银纳米线/聚乳酸(AgNW/PLA)透明导电薄膜的研究(D.Doganay,S.Coskun,C.kaynak,H.E.Unalan.Composites Part B,2016,99,288-296；H.Fallahi,H.Azizi,I.Ghasemi,M.Karrabi.Organic Electronics,2017,44,74-84)，Doganay等将PLA溶液与AgNWs溶液共混，再将混合溶液刮涂在玻璃衬底上，待干燥

后从玻璃上揭下即得AgNW/PLA透明导电薄膜；而Fallahi等先将AgNWs溶液滴在玻璃片上干燥后得到AgNW导电网络，再将PLA溶液滴在AgNW导电网络上，待溶剂挥发后从玻璃片上揭下即得AgNW/PLA透明导电薄膜。虽然，PLA已开始应用在透明导电薄膜之中，但是其本身还具有结晶性低、耐热性差、机械性能差、水解稳定性差等缺点，这些缺点限制AgNW/PLA透明导电薄膜在高性能光电器件中的应用。

研究发现将左旋聚乳酸(PLLA)和右旋聚乳酸(PDLA)进行共混会产生立构复合(SC)晶体，SC的熔点比纯PLLA或纯PDLA中存在的均质(HC)晶体约高出50℃，SC的存在还会提升PLA的热阻性能、力学性能、耐水解性能等。

目前形成SC的方法主要有溶液浇筑法和熔融共混法。其中，溶液浇筑法操作简便、无需高温处理、适合转移AgNWs网络。但是，溶液浇筑法形成的薄膜并不是全立构复合型聚乳酸(SC-PLA)，其内部还存在HC。而已知高温退火重结晶法可将PLA共混薄膜(PLLA:PDLA)中的HCs全部转化成SCs(J.Zhang,K.Tashiro,H.Tsuji,A.J.Domb.Macromolecules,2007,40(4),

1049-1054；B.Na,J.Zhu,R.Lv,Y.Ju,R.Tian,B.Chen,Macromolecules 2014,47(1),347-352.)，但是高温退火过程会损坏AgNWs导电网络，这是因为AgNWs耐热性不高，在高温下会熔化、断裂。为了制得SC-PLA，同时保护AgNWs不被高温破坏，开发一种新的可降解的银纳米线/全立构复合聚乳酸(AgNW/SC-PLA)透明导电薄膜的制备方式具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的是提供一种新的可降解的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜的制备方式，能够实现聚乳酸衬底全立构复合化并且银纳米线导电网络保持良好的导电性。

本发明的另一个目的是提供一种新的可降解的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜。

本发明提供的一种新的可降解的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)涂布银纳米线薄膜:

取一定量的AgNWs溶液涂布在清洁后的基片上，放置于100-140℃的热台退火5-15min，再放入去离子水(室温)中浸泡5-20min，最后再放置于150-180℃的热台退火5-15min；

(2)配制左旋聚乳酸和右旋聚乳酸(PLLA:PDLA)共混溶液：

称取质量比为1:1的左旋聚乳酸和右旋聚乳酸于烧杯中，加入一定量的溶剂，在室温下剧烈搅拌直至完全溶解；

(3)转移银纳米线薄膜：

将步骤(1)所得的银纳米线薄膜平放置于平面皿中(有银纳米线的一面朝上)，取一定量的PLLA:PDLA共混溶液均匀滴加在薄膜表面。然后，放置于空气中10-20h，再放入40-60℃的真空烘箱干燥4-8h后从基片上揭下来即得AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜；

(4)配制氧化锌前驱体溶液：

称取氧化锌粉末0.1-2.0g于烧杯中，加入20-500ml氨水、10-200μl冰乙酸、5-100ml甲醇及5-50ml去离子水，加热搅拌至完全溶解；

(5)喷雾热解法喷涂氧化锌纳米颗粒:

将步骤(3)制得的AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜(有银纳米线网络的一面朝上)用胶带贴在铝板上，设置好喷涂的参数，进行喷涂；

(6)高温退火法将PLLA:PDLA薄膜转化为SC-PLA薄膜：

将步骤(5)制得的ZnO/AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜放置在高温烘箱中退火处理30min，取出后迅速浸入去离子水(室温)中5-15min，取出后再放入40-60℃的烘箱直至完全干燥。

上述步骤(1)中基片为玻璃或者硅片；AgNWs长度为10-20μm，直径为25-35nm，浓度为0.5-1.5mg/ml，分散溶剂为乙醇或异丙醇，所取得AgNWs溶液的量为100-400μl；银纳米线薄膜制备方式可以为旋涂、Meyer-rod涂、真空抽滤、滴注、提拉法等。

上述步骤(1)中涂布后的银纳米线薄膜的后处理方式分别为：以110-130℃的热台退火8-10min、去离子水(室温)中浸泡10-15min、以160-170℃的热台退火8-10min；

上述步骤(2)中左旋聚乳酸的重均分子量为10-500kg/mol，右旋聚乳酸重均分子量为10-500kg/mol，溶剂为二氯甲烷或三氯甲烷，配制的共混溶液浓度为25-100g/L。

上述步骤(3)中的共混溶液转移方式可以为滴注法或刮涂法，

滴加的共混溶液为10-30ml。

上述步骤(4)中的氧化锌粉末称取量为0.4-1.2g于烧杯中，氨水加入量为100-300ml、冰乙酸加入量为50-150μl、甲醇加入量为30-60ml及去离子水加入量为10-40ml，搅拌转速为200-300r/min，加热温度为50-80℃。

上述步骤(5)中的喷涂参数为：加热底板温度为80-100℃，氮气或其他惰性气体流量为10-14mL/min，出雾石英嘴距离加热底板10mm,喷涂时间为5-15min,喷涂氧化锌层厚度为50-400nm。

步骤(6)中的高温烘箱温度为160-200℃。

由上述制备方式制得的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜的透过率为45％-55％，方阻为30-50Ω/sq。

本发明具有以下优势：

本发明的可降解的银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜，以左旋聚乳酸和右旋聚乳酸共混溶液作为转移前驱体溶液，采用喷雾热解法喷涂氧化锌纳米颗粒提升银纳米线网络耐热性，通过高温退火重结晶法诱导PLLA:PDLA中的HCs全部转化成SCs，最后浸入去离子水中保持结晶形态获得SC-PLA衬底，制得ZnO/AgNW/SC-PLA复合导电薄膜。本发明首次引入SC-PLA作为银纳米线透明导电薄膜的衬底，该透明导电薄膜具有优良的导电性、柔韧性、耐热性、机械力学强度和水解稳定性、生物相容性和生物降解性，是一种绿色环保光电材料，可应用于光电器件领域。本发明的制备方式工艺简单、节约成本、安全环保、适合工业化大面积生产。

附图说明

图1为本发明中最终制得的ZnO/AgNW/SC-PLA透明导电薄膜的SEM图；

图2为对比例1中将PLLA:PDLA薄膜以不同温度退火30min所得的WAXD对比图；

图3为对比例2中未喷涂氧化锌纳米颗粒的AgNW/PLLA:PDLA透明导电薄膜以200℃退火30min后的SEM图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通的技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

实施例1-3是对制备不同面积密度的AgNW/PLLA:PDLA透明导电薄膜进行说明。

实施例1：

1)将已清洗烘干过的玻璃衬底平放在自动涂膜机上，量取浓度为0.5mg/ml的银纳米线分散液(分散溶剂为异丙醇)100μl均匀滴加在玻璃衬底的一端，使用型号为RSD 20的Meyer-rod涂布银纳米线薄膜。涂布速度为3cm/s，涂布距离为15cm。将涂布好的银纳米线薄膜放置在100℃热台上退火15min，再浸入去离子水中5min，再放在180℃热台上退火5min后放入平面皿中冷却(有银纳米线导电网络的一面向上)，制得的银纳米线薄膜面积密度约为36mg/m2。2)选择重均分子量为10kg/mol的PLLA和重均分子量为500kg/mol的PDLA配制质量比为1:1、浓度为25g/L的PLLA:PDLA共混溶液，搅拌至完全溶解。滴管吸取30ml共混溶液滴加在平面皿中的银纳米线薄膜表面直至溶液流淌均匀覆盖在平面皿底部。自然烘干10h，放入40℃真空烘箱中4h，取出从玻璃片上剥离。使用紫外分光光度计测得透射率为75.3％，经四探针方阻测试仪测得方阻为66.7Ω/sq。

实施例2：

1)将已清洗烘干过的玻璃衬底平放在自动涂膜机上，量取浓度为1mg/ml的银纳米线分散液(分散溶剂为异丙醇)100μl均匀滴加在玻璃衬底的一端，使用型号为RSD 20的Meyer-rod涂布银纳米线薄膜。涂布速度为3cm/s，涂布距离为15cm。待自然风干后，以同样的条件再取100μl银纳米线分散液在玻璃衬底上涂布一次。将涂布好的银纳米线薄膜放置在140℃热台上退火5min，再浸入去离子水中20min，再放在150℃热台上退火15min后放入平面皿中冷却(有银纳米线导电网络的一面向上)，制得的银纳米线薄膜面积密度约为72mg/m2。2)选择重均分子量为100kg/mol的PLLA和重均分子量为200kg/mol的配制PLLA和PDLA质量比为1:1、浓度为50g/L的PLLA:PDLA共混溶液，搅拌至完全溶解。滴管吸取20ml共

混溶液滴加在平面皿中的银纳米线薄膜表面直至溶液流淌均匀覆盖在平面皿底部。自然烘干15h，放入60℃真空烘箱中6h，取出从玻璃片上剥离。使用紫外分光光度计测得透射率为68.63％，经四探针方阻测试仪测得方阻为15.7Ω/sq。

实施例3：

1)将已清洗烘干过的玻璃衬底平放在自动涂膜机上，量取浓度为1.5mg/ml的银纳米线分散液(分散溶剂为异丙醇)100μl均匀滴加在玻璃衬底的一端，使用型号为RSD 20的Meyer-rod涂布银纳米线薄膜。涂布速度为3cm/s，涂布距离为15cm。待自然风干后，以同样的条件分别再取100μl银纳米线分散液在玻璃衬底上涂布两次。将涂布好的银纳米线薄膜放置在110℃热台上退火10min，再浸入去离子水中15min，再放在160℃热台上退火10min后放入平面皿中冷却(有银纳米线导电网络的一面向上)，制得的银纳米线薄膜面积密度约为108mg/m2。2)选择重均分子量为300kg/mol的PLLA和重均分子量为400kg/mol的PLLA和PDLA质量比为1:1、浓度为100g/L的PLLA:PDLA共混溶液，搅拌至完全溶解。滴管吸取30ml共混溶液滴加在平面皿中的银纳米线薄膜表面直至溶液流淌均匀覆盖在平面皿底部。自然烘干20h，放入50℃真空烘箱中8h，取出从玻璃片上剥离。使用紫外分光光度计测得透射率为63.2％，经四探针方阻测试仪测得方阻为9.8Ω/sq。

实施例4：

1)将已清洗烘干过的玻璃衬底平放在自动涂膜机上，量取浓度为1.2mg/ml的银纳米线分散液(分散溶剂为异丙醇)100μl均匀滴加在玻璃衬底的一端，使用型号为RSD 20的Meyer-rod涂布银纳米线薄膜。涂布速度为3cm/s，涂布距离为15cm。待自然风干后，以同样的条件分别再取100μl银纳米线分散液在玻璃衬底上涂布三次。将涂布好的银纳米线薄膜放置在130℃热台上退火8min，再浸入去离子水中10min，再放在170℃热台上退火8min后放入平面皿中冷却(有银纳米线导电网络的一面向上)，制得的银纳米线薄膜面积密度约为144mg/m2。2)选择重均分子量为200kg/mol的PLLA和重均分子量为100kg/mol的PLLA和PDLA质量比为1:1、浓度为75g/L的PLLA:PDLA共混溶液，搅拌至完全溶解。滴管吸取25ml共混溶液滴加在平面皿中的银纳米线薄膜表面直至溶液流淌均匀覆盖在平面皿底部。自然烘干16h，放入50℃真空烘箱中7h，取出

从玻璃片上剥离。使用紫外分光光度计测得透射率为60.1％，经四探针方阻测试仪测得方阻为3.6Ω/sq。

实施例5-8是对基于实施例2制得的面积密度为72mg/m2的AgNW/PLLA:PDLA薄膜制备ZnO/AgNW/SC-PLA薄膜的说明。

实施例5：

1)配制氧化锌前驱体溶液：称取0.1g氧化锌粉末溶解在20ml的氨水溶液、5ml甲醇、5ml去离子水、10μl冰乙酸中。搅拌速度为200r/min，加热温度为50℃。2)喷涂氧化锌纳米颗粒：将实例2制得的AgNW/PLLA:PDLA薄膜用胶带贴在铝板上(有银纳米线导电网络的一面向上)，载气为氮气，速率为10ml/min，加热底板温度为80℃，喷涂时间为5min，测得喷涂的ZnO纳米颗粒层厚度为50nm；3)将ZnO/AgNW/PLLA:PDLA薄膜放入200℃高温烘箱中30min取出，迅速浸入去离子水(室温)中5min；4)将冷却后的薄膜从去离子水中取出，放入40℃烘箱中烘至干燥。由此制得的ZnO/AgNW/SC-PLA薄膜经紫外分光光度计测得透过率为60.7％，经四探针方阻测试仪测得方阻为46.3Ω/sq。

实施例6：

1)配制氧化锌前驱体溶液：称取2.0g氧化锌粉末溶解在500ml的氨水溶液、100ml甲醇、50ml去离子水、200μl冰乙酸中。搅拌速度为300r/min，加热温度为80℃。2)喷涂氧化锌纳米颗粒：将实例2制得的AgNW/PLLA:PDLA薄膜用胶带贴在铝板上(有银纳米线导电网络的一面向上)，载气为氮气，速率为14ml/min，加热底板温度为100℃，喷涂时间为15min，测得喷涂的ZnO纳米颗粒层厚度为400nm；3)将ZnO/AgNW/PLLA:PDLA薄膜放入200℃高温烘箱中30min取出，迅速浸入去离子水(室温)中15min；4)将冷却后的薄膜从去离子水中取出，放入60℃烘箱中烘至干燥。由此制得的ZnO/AgNW/SC-PLA薄膜经紫外分光光度计测得透过率为48.6％，经四探针方阻测试仪测得方阻为34.5Ω/sq。

实施例7：

1)配制氧化锌前驱体溶液：称取0.4g氧化锌粉末溶解在100ml的氨水溶液、30ml甲醇、10ml去离子水、50μl冰乙酸中。搅拌速度为250r/min，加热温度为60℃。2)喷涂氧化锌纳米颗粒：将实例2制得的AgNW/PLLA:PDLA薄膜用胶带贴在铝板上(有银纳米线导电网络的一面向上)，载气为氮气，速率为12ml/min，加热底

板温度为90℃，喷涂时间为8min，测得喷涂的ZnO纳米颗粒层厚度为220nm；3)将ZnO/AgNW/PLLA:PDLA薄膜放入200℃高温烘箱中30min取出，迅速浸入去离子水(室温)中8min；4)将冷却后的薄膜从去离子水中取出，放入50℃烘箱中烘至干燥。附图1为由此制得的ZnO/AgNW/SC-PLA薄膜的SEM微观形貌图，该薄膜经紫外分光光度计测得透过率为56.7％，经四探针方阻测试仪测得方阻为37.6Ω/sq。

实施例8：

1)配制氧化锌前驱体溶液：称取1.2g氧化锌粉末溶解在300ml的氨水溶液、60ml甲醇、40ml去离子水、150μl冰乙酸中。搅拌速度为280r/min，加热温度为70℃。2)喷涂氧化锌纳米颗粒：将实例2制得的AgNW/PLLA:PDLA薄膜用胶带贴在铝板上(有银纳米线导电网络的一面向上)，载气为氮气，速率为13ml/min，加热底板温度为85℃，喷涂时间为10min，测得喷涂的ZnO纳米颗粒层厚度为300nm；3)将ZnO/AgNW/PLLA:PDLA薄膜放入200℃高温烘箱中30min取出，迅速浸入去离子水(室温)中15min；4)将冷却后的薄膜从去离子水中取出，放入50℃烘箱中烘至干燥。由此制得的ZnO/AgNW/SC-PLA薄膜经紫外分光光度计测得透过率为52.4％，经四探针方阻测试仪测得方阻为32.1Ω/sq。

对比例1：

1)将PLLA:PDLA薄膜分别放入160,170,180,190,200℃的高温烘箱里退火30min，取出后迅速浸入去离子水(室温)中10min；2)将冷却后的薄膜从去离子水中取出，放入50℃烘箱中烘至干燥。从广角X射线衍射仪(WAXD)测得结果(附图2)可以看出，以这五种温度退火得到的薄膜中代表SC的衍射峰变强，代表HC的衍射峰减弱，表明原PLLA:PDLA薄膜中的HC向SC转变。但以160,170,180,190℃这四种温度退火的薄膜中仍存在HC，显示在该四种温度下得不到全立构复合聚乳酸(SC-PLA)，只有以200℃退火的薄膜转变为SC-PLA。

对比例2：

1)将实例2制得的AgNW/PLLA:PDLA透明导电薄膜直接放入200℃烘箱中30min取出，迅速浸入去离子水中10min；2)将复合薄膜从去离子水中取出，放入50℃烘箱中烘至干燥。由此制得的AgNW/SC-PLA薄膜经紫外分光光度计测得透过率为67.5％，经四

探针方阻测试仪测得方阻大于2000Ω/sq。如附图3所示，方阻的急剧上升是因为高温使得银纳米线熔化、断裂，导电网络受到破坏。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是包括以下步骤：

(1)涂布银纳米线薄膜:

取一定量的AgNWs溶液涂布在清洁后的基片上，放置于100-140℃的热台退火5-15min，再放入去离子水室温中浸泡5-20min，最后再放置于150-180℃的热台退火5-15min；

(2)配制左旋聚乳酸和右旋聚乳酸(PLLA:PDLA)共混溶液：

称取质量比为1:1的左旋聚乳酸和右旋聚乳酸于烧杯中，加入一定量的溶剂，在室温下剧烈搅拌直至完全溶解；

(3)转移银纳米线薄膜：

将步骤(1)所得的银纳米线薄膜，有银纳米线的一面朝上平放置于平面皿中，

取一定量的PLLA:PDLA共混溶液均匀滴加在薄膜表面，然后，放置于空气中10-20h，再放入40-60℃的真空烘箱干燥4-8h后从基片上揭下来即得AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜；

(4)配制氧化锌前驱体溶液：

称取氧化锌粉末0.1-2.0g于烧杯中，加入20-500ml氨水、10-200μl冰乙酸、5-100ml甲醇及5-50ml去离子水，加热搅拌至完全溶解；

(5)喷雾热解法喷涂氧化锌纳米颗粒:

将步骤(3)制得的AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜，有银纳米线网络的一面朝上，用胶带贴在铝板上，设置好喷涂的参数，进行喷涂；

(6)高温退火法将PLLA:PDLA薄膜转化为SC-PLA薄膜：

将步骤(5)制得的ZnO/AgNW/PLLA:PDLA复合导电薄膜放置在高温烘箱中退火处理30min，取出后迅速浸入去离子水室温中5-15min，取出后再放入40-60℃的烘箱直至完全干燥。

2.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：上述步骤(1)中基片为玻璃或者硅片；AgNWs长度为10-20μm，直径为25-35nm，浓度为0.5-1.5mg/ml，分散溶剂为乙醇或异丙醇，所取的AgNWs溶液的量为100-400μl；银纳米线薄膜制备方式为旋涂、Meyer-rod涂、真空抽滤、滴注、提拉法。

3.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：上述步骤(1)中涂布后的银纳米线薄膜的后处理方式分别为：以110-130℃的热台退火8-10min、去离子水室温中浸泡10-15min、以160-170℃的热台退火8-10min。

4.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：上述步骤(2)中左旋聚乳酸的重均分子量为10-500kg/mol，右旋聚乳酸重均分子量为10-500kg/mol，溶剂为二氯甲烷或三氯甲烷，配制的共混溶液浓度为25-100g/L。

5.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：上述步骤(3)中的共混溶液转移方式为滴注法或刮涂法，滴加的共混溶液为10-30ml。

6.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：上述步骤(4)中的氧化锌粉末称取量为0.4-1.2g于烧杯中，氨水加入量为100-300ml、冰乙酸加入量为50-150μl、甲醇加入量为30-60ml及去离子水加入量为10-40ml，搅拌转速为200-300r/min，加热温度为50-80℃。

7.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：上述步骤(5)中的喷涂参数为：加热底板温度为80-100℃，氮气或其他惰性气体流量为10-14mL/min，出雾石英嘴距离加热底板10mm,喷涂时间为5-15min,喷涂氧化锌层厚度为50-400nm。

8.根据权利要求1所述的一种可降解银纳米线/全立构复合聚乳酸透明导电薄膜制备方法，其特征是：步骤(6)中的高温烘箱温度为160-200℃。

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