CN111308820A - 阵列基板、显示装置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本公开实施例提供一种阵列基板、显示装置及其控制方法，涉及显示技术领域，可避免显示不良。阵列基板具有显示区和位于显示区一侧的绑定区，显示区包括远离绑定区的远端区域；阵列基板包括：衬底、设置于衬底上且位于显示区的公共电极、以及设置于衬底上的第一公共信号线和反馈信号线；第一公共信号线和反馈信号线与公共电极中位于远端区域的部分耦接且延伸至绑定区以与电路板耦接；反馈信号线监测公共电极中位于远端区域的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板；第一公共信号线将电路板根据监测得到的公共电压信号对公共电压信号进行补偿得到的补偿后的公共电压信号传输至公共电极中位于远端区域的部分。

Description

阵列基板、显示装置及其控制方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及其控制方法。
背景技术
近年来，随着显示技术的进步，用户观感体验的要求越来越高。其中，液晶显示技术已经成功应用于笔记本电脑、显示屏、电视等显示产品中。随着液晶显示产品的拥有量的增大，人们对液晶产品的显示品质也提出了更高的要求。
发明内容
本公开的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其控制方法，可避免显示不良。
为达到上述目的，本公开的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种阵列基板。具有显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，所述显示区包括远离所述绑定区的远端区域；所述阵列基板包括：衬底、设置于所述衬底上且位于所述显示区的公共电极、以及设置于所述衬底上的第一公共信号线和反馈信号线。所述第一公共信号线和所述反馈信号线与所述公共电极中位于所述远端区域的部分耦接，所述第一公共信号线和所述反馈信号线延伸至所述绑定区以与电路板耦接。其中，所述反馈信号线被配置为，监测所述公共电极中位于所述远端区域的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至所述电路板。所述第一公共信号线被配置为，将补偿后的公共电压信号传输至所述公共电极中位于所述远端区域的部分；所述补偿后的公共电压信号为所述电路板根据所述监测得到的公共电压信号，对公共电压信号进行补偿得到的信号。
在一些实施例中，所述阵列基板包括两条所述反馈信号线，两条所述反馈信号线分别设置于所述显示区的相对的两侧。
在一些实施例中，所述阵列基板包括两条所述第一公共信号线，两条所述第一公共信号线分别设置于所述显示区的相对的两侧；所述第一公共信号线与所述公共电极耦接的位置，位于所述公共电极远离所述绑定区的一侧。
在一些实施例中，所述显示区还包括靠近所述绑定区的近端区域；所述阵列基板还包括：设置于所述衬底上的第二公共信号线。所述第二公共信号线与所述公共电极中位于所述近端区域的部分耦接，所述第二公共信号线延伸至所述绑定区以与所述电路板耦接；所述第二公共信号线被配置为，将公共电压信号或补偿后的公共电压信号传输至所述公共电极中位于所述近端区域的部分。
在一些实施例中，所述阵列基板包括两条所述第二公共信号线，两条所述第二公共信号线分别设置于所述近端区域靠近所述绑定区的一侧的相对的两端。
在一些实施例中，所述显示区还包括位于远端区域和近端区域之间的中部区域；所述阵列基板还包括：设置于所述衬底上的第三公共信号线。所述第三公共信号线延伸至所述绑定区以与所述电路板耦接；所述第三公共信号线与所述公共电极中位于所述中部区域的部分耦接；所述第三公共信号线被配置为，将补偿后的公共电压信号传输至所述公共电极中位于所述中部区域的部分。
在一些实施例中，所述阵列基板包括两条所述第三公共信号线，两条所述第三公共信号线分别设置于所述显示区的相对的两侧。
在一些实施例中，所述反馈信号线与所述第一公共信号线材料相同且同层设置。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：连接引线和导电框。所述连接引线设置于所述显示区的远端区域的外侧，所述第一公共信号线及所述反馈信号线与所述连接引线耦接。所述导电框围绕所述显示区，所述连接引线及所述公共电极中位于所述远端区域的部分与所述导电框耦接，以使所述第一公共信号线通过所述连接引线及所述导电框与所述公共电极中位于所述远端区域的部分耦接，所述反馈信号线通过所述导电框与所述公共电极中位于所述远端区域的部分耦接。
在一些实施例中，所述第一公共信号线、所述连接引线和所述导电框的材料相同且同层设置。
在一些实施例中，在所述阵列基板还包括第二公共信号线和第三公共信号线的情况下，所述第一公共信号线的电阻、所述第二公共信号线的电阻和所述第三公共信号线的电阻均小于或等于300Ω；所述反馈信号线的电阻小于或等于1000Ω。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：设置于所述衬底上的数据线。在垂直于所述衬底的方向上，所述数据线相对于所述公共电极更靠近所述衬底；所述数据线与所述公共电极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中，所述阵列基板具有多个亚像素区域；所述公共电极包括多个子电极和多个第一导电图案；一个子电极至少位于一个亚像素区域内，相邻的子电极通过至少一个第一导电图案耦接。
另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述任一实施例所述的阵列基板和电路板。所述电路板通过所述阵列基板中的绑定区与所述阵列基板耦接；所述电路板包括控制电路，所述控制电路与所述阵列基板中的第一公共信号线和反馈信号线耦接；所述控制电路被配置为，根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第一补偿公共电压信号，并传输至所述第一公共信号线。
在一些实施例中，所述控制电路包括：反相器和第一运算放大器。所述反相器与所述反馈信号线耦接；所述反相器被配置为，将所述反馈信号线传输的监测得到的公共电压信号进行反相。所述第一运算放大器与所述反相器和所述第一公共信号线耦接；所述第一运算放大器被配置为，将来自所述反相器反相的信号进行放大，生成所述第一补偿公共电压信号，并将所述第一补偿公共电压信号传输至所述第一公共信号线。
在一些实施例中，在所述阵列基板还包括第二公共电极线的情况下，所述控制电路还包括：第二运算放大器。所述第二运算放大器与反相器和所述第二公共信号线耦接；所述第二运算放大器被配置为，将来自所述反相器反相的信号进行放大，生成第二补偿公共电压信号，并将所述第二补偿公共电压信号传输至所述第二公共信号线；所述第二运算放大器的放大倍数小于第一运算放大器的放大倍数。
在一些实施例中，在所述阵列基板还包括第三公共电极线的情况下，所述控制电路还包括：第三运算放大器。所述第三运算放大器与反相器和所述第三公共信号线耦接；所述第三运算放大器被配置为，将来自所述反相器反相的信号进行放大，生成第三补偿公共电压信号，并将所述第三补偿公共电压信号传输至所述第三公共信号线；所述第三运算放大器的放大倍数小于所述第一运算放大器的放大倍数；在所述控制电路还包括第二运算放大器的情况下，所述第三运算放大器的放大倍数大于所述第二运算放大器的放大倍数。
又一方面，提供一种如上述任一实施例所述的显示装置的控制方法，包括：反馈信号线监测公共电极中位于远端区域的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板中的控制电路；所述控制电路根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第一补偿公共电压信号，并传输至第一公共信号线，以对公共电极中位于所述远端区域的部分的公共电压信号进行补偿。
在一些实施例中，所述控制电路根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第二补偿公共电压信号，并传输至第二公共信号线，以对所述公共电极中位于近端区域的部分的公共电压信号进行补偿；和/或，所述控制电路根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第三补偿公共电压信号，并传输至第三公共信号线，以对所述公共电极中位于中端区域的部分的公共电压信号进行补偿。
本公开的实施例提供一种阵列基板、显示装置及其控制方法，阵列基板包括第一公共信号线和反馈信号线，第一公共信号线和反馈信号线与公共电极中位于远端区域的部分耦接。反馈信号线监测公共电极中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板，生成补偿后的公共电压信号，第一公共信号线将补偿后的公共电压信号传输至公共电极中位于远端区域的部分，对公共电极中位于远端区域的部分的公共电压信号进行补偿，避免公共电极中位于远端区域的部分的公共电压信号产生延迟，也避免因公共电压信号电位漂移而导致显示出现残像，从而提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的阵列基板的一种俯视图；
图2为根据一些实施例的阵列基板的另一种俯视图；
图3为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图4为根据一些实施例的阵列基板中的公共电压信号的一种对比波形图；
图5为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图6为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图7为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图8为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图9为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图10为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图11为根据一些实施例的阵列基板的又一种俯视图；
图12为图11中的阵列基板沿C-C’方向的剖视图；
图13为根据一些实施例的显示装置的一种结构图；
图14为根据一些实施例的显示装置的另一种结构图；
图15为根据一些实施例的显示装置的又一种结构图；
图16为根据一些实施例的控制电路的一种结构图；
图17为根据一些实施例的显示装置的又一种结构图；
图18为根据一些实施例的控制电路的另一种结构图；
图19为根据一些实施例的显示装置的又一种结构图；
图20为根据一些实施例的控制电路的又一种结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
在相关技术中，对于大尺寸窄边框的显示装置，例如高开口率高级超维场转换技术(High Aperture Advanced Super Dimensional Switching，HADS)显示装置，其边框较窄(例如边框宽度为3.5mm)，使得信号线的宽度较小，信号线的电阻增加，信号线的恢复能力减弱。并且，显示装置的分辨率较高(例如分辨率为(2560×1440))，且显示装置内的耦合电容(例如数据线和公共电极之间形成的耦合电容)较大，导致信号传输过程中信号失真，出现电位漂移，从而影响像素的正常充电和放电，使得显示装置在显示阶段，会出现线残像且难以消除。其中，残像即为影像残留，是在屏幕上长时间保持一幅静止的画面，该现象会随着时间的推移和画面的改变而有所改变，最后达到消失。例如，显示装置中的像素电极可能由于耦合电容等原因造成电荷积累，电荷长期积累到一定程度就会导致像素电极和公共电极之间形成电势差及电场，导致液晶会继续翻转，这些电荷会慢慢消失的过程中出现残像，影响显示效果。
本公开的实施例提供一种阵列基板100，如图1所示，阵列基板100具有显示区(active area，AA；简称AA区；也可称为有效显示区)和位于AA区一侧的绑定区B。AA区包括远离绑定区B的远端区域F。
阵列基板100包括：衬底10、公共电极20、第一公共信号线30和反馈信号线40。
公共电极20设置于衬底10上且位于AA区。
示例性地，公共电极20的材料可以采用包括ITO(氧化铟锡)等透明导电材料。
第一公共信号线30和反馈信号线40设置于衬底10上。
第一公共信号线30和反馈信号线40与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接。第一公共信号线30和反馈信号线40延伸至绑定区B，以与电路板耦接。
其中，反馈信号线40被配置为，监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板。
第一公共信号线30被配置为，将补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于远端区域F的部分。
其中，补偿后的公共电压信号为电路板根据监测得到的公共电压信号对公共电压信号进行补偿得到的信号。
示例性地，远端区域F的面积占AA区面积的1/8～1/5，例如，远端区域F的面积占AA区面积的1/6。
在此情况下，反馈信号线40监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板，电路板根据监测得到的公共电压信号，得到补偿后的公共电压信号，通过第一公共信号线30将补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于远端区域F的部分，对公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号进行补偿，避免公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号的延迟，从而提高显示效果。
因此，本公开的实施例提供的阵列基板100，包括第一公共信号线30和反馈信号线40，第一公共信号线30和反馈信号线40与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接。反馈信号线40监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板，生成补偿后的公共电压信号，第一公共信号线30将补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于远端区域F的部分，对公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号进行补偿，避免公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号产生延迟，也避免因公共电压信号电位漂移而导致显示出现残像，从而提高显示效果。
在一些实施例中，如图2所示，阵列基板100包括两条反馈信号线40，两条反馈信号线40分别设置于AA区的相对的两侧。
在此情况下，在反馈信号线40监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板的过程中，可以缩短监测得到的公共电压信号的传输时间，将监测得到的公共电压信号快速地传输至电路板，提高公共电压信号的补偿效率。
在一些实施例中，如图3所示，阵列基板100包括两条第一公共信号线30，两条第一公共信号线30分别设置于AA区的相对的两侧。第一公共信号线30与公共电极20耦接的位置，位于公共电极20远离绑定区B的一侧。
其中，第一公共信号线30与公共电极20耦接的位置，为公共电极20中位于远端区域F的部分中与绑定区B距离最远的位置。
由于公共电极20中位于远端区域F的部分与电路板的间距较大，使得电路板向公共电极20中位于远端区域F的部分传输信号的过程中，受阵列基板100中的耦合电容的影响较大，因此，第一公共信号线30将补偿后的公共电压信号从公共电极20中位于远端区域F的部分的远离绑定区B的一侧输入，对公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号进行补偿，可以改善公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号的延迟较严重的问题，避免公共电压信号失真。并且，两条第一公共信号线30可以缩短对公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号进行补偿的时间，提高了公共电极20的公共电压信号的补偿效率。
示例性地，图4中的(a)部分为对阵列基板100中的公共电压信号进行补偿前的波形图，图4中的(b)部分为对阵列基板100中的公共电压信号进行补偿后的波形图，横坐标表示时间(μs)，纵坐标表示公共电压信号的电压(V)。其中，两条第一公共信号线30中的一条第一公共信号线30位于AA区的相对的两侧中的一侧(例如图3中阵列基板100的左侧)的公共电压信号Vleft，以及两条第一公共信号线30中的另一条第一公共信号线30位于AA区的相对的两侧中的另一侧(例如图3中阵列基板100的右侧)的公共电压信号Vright，可以看出，图4中的(a)部分的公共电压信号的波形的信号延迟程度相对较大，图4中的(b)部分的公共电压信号的波形相比于图4中的(a)部分的公共电压信号的波形的电位漂移程度明显减弱，避免公共电压信号失真，提高了第一公共信号线30的恢复能力。
在一些实施例中，如图5所示，AA区还包括靠近绑定区B的近端区域N。阵列基板100还包括第二公共信号线50。第二公共信号线50与公共电极20中位于近端区域N的部分耦接，第二公共信号线50延伸至绑定区B以与电路板耦接。
第二公共信号线50被配置为，将公共电压信号或补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于近端区域N的部分。
示例性地，近端区域N的面积占AA区面积的1/8～1/5，例如，近端区域N的面积占AA区面积的1/6。
在此情况下，反馈信号线40监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板，电路板根据监测得到的公共电压信号，得到补偿后的公共电压信号，通过第二公共信号线50将补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于近端区域N的部分，对公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号进行补偿，避免公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号的延迟，从而提高显示效果。
在一些实施例中，如图6所示，阵列基板100包括两条第二公共信号线50，两条第二公共信号线50分别设置于近端区域N靠近绑定区B的一侧的相对的两端。
在此情况下，在第一公共信号线30向公共电极20中位于远端区域F的部分传输补偿后的公共电压信号的过程中，两条第一公共信号线30可以缩短补偿后的公共电压信号的传输时间，使得公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号可以相对较快地得到补偿，从而提高公共电极20的公共电压信号的补偿效率。
在一些实施例中，如图7所示，AA区还包括位于远端区域F和近端区域N之间的中部区域M。阵列基板100还包括设置于衬底10上的第三公共信号线60。
第三公共信号线60延伸至绑定区B以与电路板耦接。第三公共信号线60与公共电极20中位于中部区域M的部分耦接。
第三公共信号线60被配置为，将补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于中部区域M的部分。
示例性地，中部区域M的面积占AA区面积的1/8～1/5，例如，中部区域M的面积占AA区面积的1/6。
在此情况下，反馈信号线40监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板，电路板根据监测得到的公共电压信号，对公共电压信号进行补偿，得到补偿后的公共电压信号，第三公共信号线60将补偿后的公共电压信号传输至公共电极20中位于中部区域M的部分，对公共电极20中位于中部区域M的部分的公共电压信号进行补偿，避免公共电极20中位于中部区域M的部分的公共电压信号的延迟，提高显示效果。
在一些实施例中，如图8所示，阵列基板100包括两条第三公共信号线60，两条第三公共信号线60分别设置于AA区的相对的两侧。
在此情况下，在第三公共信号线60向公共电极20中位于中部区域M的部分传输补偿后的公共电压信号的过程中，两条第三公共信号线60可以缩短补偿后的公共电压信号的传输时间，使得公共电极20中位于中部区域M的部分的公共电压信号可以相对较快地得到补偿，从而提高对公共电极20的公共电压信号的补偿效率。
在一些实施例中，如图9所示，阵列基板100包括两条第一公共信号线30、两条第二公共信号线50、两条第三公共信号线60和两条反馈信号线40，有益效果与上述类似，在此不再赘述。
在一些实施例中，反馈信号线40与第一公共信号线30材料相同且同层设置。
示例性地，反馈信号线40与第一公共信号线30的材料可以采用包括铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)和钨(W)等金属材料。
在此情况下，反馈信号线40与第一公共信号线30可以同步形成，从而在工艺上可以简化生产工序。
在一些实施例中，在阵列基板100包括第二公共信号线50的情况下，第二公共信号线50与第一公共信号线30材料相同且同层设置。
在此情况下，第二公共信号线50与第一公共信号线30可以同步形成，从而在工艺上可以简化生产工序。
在一些实施例中，在阵列基板100包括第三公共信号线60的情况下，第三公共信号线60与第一公共信号线30材料相同且同层设置。
在此情况下，第三公共信号线60与第一公共信号线30可以同步形成，从而在工艺上可以简化生产工序。
在一些实施例中，如图10所示，阵列基板100还包括连接引线70和导电框80。
连接引线70设置于AA区的远端区域F的外侧，第一公共信号线30及反馈信号线40与连接引线70耦接。
导电框80围绕AA区，连接引线70及公共电极20中位于远端区域F的部分与导电框80耦接，以使第一公共信号线30通过连接引线70及导电框80与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接，反馈信号线40通过导电框80与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接。
示例性地，导电框80可以采用金属材料，例如铜、铝或者钼等。
由于公共电极20的材料与第一公共信号线30的材料不同，因此，第一公共信号线30通过连接引线70及导电框80与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接，反馈信号线40通过导电框80与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接，可以降低第一公共信号线30和反馈信号线40与公共电极20的接触电阻，减小第一公共信号线30和反馈信号线40与公共电极20之间的信号传输的损耗。
在一些实施例中，如图10所示，在阵列基板100包括第二公共信号线50和第三公共信号线60的情况下，第二公共信号线50和第三公共信号线60通过导电框80与公共电极20耦接。在此情况下，可以降低第二公共信号线50和第三公共信号线60与公共电极20的接触电阻，减小第二公共信号线50和第三公共信号线60与公共电极20之间的信号传输的损耗。
在一些实施例中，第一公共信号线30、连接引线70和导电框80的材料相同且同层设置。
在此情况下，第一公共信号线30、连接引线70和导电框80可以同步形成，从而在工艺上减少生产工序。
在一些实施例中，在阵列基板100还包括第二公共信号线50和第三公共信号线60的情况下，第一公共信号线30的电阻、第二公共信号线50的电阻和第三公共信号线60的电阻均小于或等于300Ω。反馈信号线40的电阻小于或等于1000Ω。
需要说明的是，在上述的阵列基板100应用于显示装置的情况下，本领域技术人员可以根据显示装置的实际情况(例如分辨率不同等因素)，对第一公共信号线30、第二公共信号线50、第三公共信号线60和反馈信号线40的电阻的具体数值进行设定。
示例性地，第一公共信号线30的电阻(RV1)、第二公共信号线50的电阻(RV2)、第三公共信号线60的电阻(RV3)和反馈信号线40的电阻(RVF)的大小满足RV1:RV2:RV3:RVF＝2:1:2:5，例如，第一公共信号线30的电阻为200Ω，第二公共信号线50的电阻为100Ω，第三公共信号线60的电阻为200Ω，反馈信号线40的电阻为500Ω。
在一些实施例中，如图11所示，阵列基板100具有多个亚像素区域P。公共电极20包括多个子电极202和多个第一导电图案201。
其中，一个子电极202至少位于一个亚像素区域P内。相邻的子电极202通过至少一个第一导电图案201耦接。
在此情况下，所有亚像素区域P内的子电极202可以通过第一导电图案201连为一体。因此，当第一公共信号线30将补偿后的公共电压信号传输至位于远端区域F中的子电极202时，该补偿后的公共电压信号可以传输至所有子电极202，可以所有子电极202中的公共电压信号进行补偿，从而避免子电极202中的公共电压信号出现延迟。
在一些实施例中，如图11所示，阵列基板100还包括设置于衬底10上的数据线90。
如图12所示，在垂直于衬底10的方向上，数据线90相对于公共电极20更靠近衬底10。数据线90与公共电极20在衬底10上的正投影至少部分重叠。
在一些实施例中，在阵列基板100应用于显示装置中时，如图13所示，显示装置300包括与阵列基板100相对设置的对置基板400、设置于阵列基板100和对置基板400之间的液晶层500、以及设置于阵列基板100远离对置基板400一侧的背光模组600。对置基板400包括黑矩阵(Black Matrix，BM)。
在此基础上，由于数据线90与公共电极20在衬底10上的正投影至少部分重叠，因此，在通电后，数据线90和公共电极20之间会形成电场，使得液晶层500中的液晶分子在该电场的作用下发生偏转，避免背光模组600的出射光在数据线90位置处发生漏光，缩小在数据线90位置处黑矩阵的面积，从而提高开口率，便于显示装置300实现窄边框。
在一些实施例中，如图11和图12所示，阵列基板100还包括设置于亚像素区域P内的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。
如图11所示，多个亚像素区域P可以呈阵列排布，沿水平方向X排列成一排的亚像素区域P称为同一行亚像素区域，沿竖直方向Y排列成一排的亚像素区域P称为同一列亚像素区域。同一行亚像素区域中的TFT可以与一根栅线91电连接。同一列亚像素区域中的TFT可以与一根数据线90电连接。在此情况下，一个子电极202可以位于同一行亚像素区域内，相邻两行子电极202通过第一导电图案201耦接。
在一些实施例中，第一公共信号线30与栅线91材料相同且同层设置。因此，在工艺上，第一公共信号线30与栅线91可以同步形成。
此外，在一些实施例中，如图11和图12所示，阵列基板100还包括设置于公共电极20靠近衬底10一侧的像素电极21。TFT包括依次设置于衬底10上的栅极12、有源层16、源极13和漏极14。像素电极21通过第二导电图案17与TFT的漏极14耦接，第二导电图案17与公共电极20材料相同且同层设置。阵列基板100还包括半导体图案22，该半导体图案22位于数据线90靠近衬底10的一侧，半导体图案22与TFT的有源层16材料相同且同层设置。
在工艺上，参考图11和图12，在衬底10上形成像素电极21，在像素电极21远离衬底的一侧依次形成TFT的栅极12和有源层16，在有源层16远离衬底10的一侧，利用单缝隙掩膜板(Single Slit Mask，SSM)、源极13和漏极14，在TFT远离衬底10的一侧形成钝化层11，在钝化层11远离衬底10的一侧公共电极20。
本公开的实施例还提供一种显示装置300，如图14所示，显示装置300包括上述的任一实施例中的阵列基板100和电路板200。
电路板200通过阵列基板100中的绑定区B与阵列基板100耦接。
电路板200包括控制电路210，控制电路210与阵列基板100中的第一公共信号线30和反馈信号线40耦接。
控制电路210被配置为，根据反馈信号线40监测得到的公共电压信号，形成第一补偿公共电压信号，并传输至第一公共信号线30。
可以理解的是，第一补偿公共电压信号为控制电路210根据监测得到的公共电压信号，对公共电压信号进行补偿后得到的。
其中，反馈信号线40和第一公共信号线30与公共电极20中位于远端区域F的部分耦接。
示例性地，电路板200可以采用印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)或者柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)等。
因此，控制电极210根据反馈信号线40监测得到的公共电压信号，形成的第一补偿公共电压信号，通过第一公共信号线30传输至公共电极20中位于远端区域F的部分，以对公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号进行补偿，避免了公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号的延迟，从而提高显示效果。
在一些实施例中，如图15所示，控制电路210包括反相器211和第一运算放大器212。
反相器211与反馈信号线40耦接。
第一运算放大器212与反相器211和第一公共信号线30耦接。
其中，反相器211被配置为，将反馈信号线40传输的监测得到的公共电压信号进行反相。
第一运算放大器212被配置为，将来自反相器211反相的信号进行放大，生成第一补偿公共电压信号，并将第一补偿公共电压信号传输至第一公共信号线30。
在此基础上，反馈信号线40传输的监测得到的公共电压信号(即公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号)，该监测得到的公共电压信号出现失真，发生电位漂移，通过反相器211反相和第一运算放大器212放大后，生成的第一补偿公共电压信号可以补偿失真的公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，从而避免公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号的延迟。
示例性地，如图16所示，反相器211包括：N型晶体管TN和P型晶体管TP。N型晶体管TN的控制极与第一输入端IN1耦接，N型晶体管TN的第一极与第一电压端VSS耦接，N型晶体管TN的第二极与第一输出端Out1耦接。P型晶体管TP的控制极与第一输入端Out1耦接，P型晶体管TP的第一极与第二电压端VDD耦接，P型晶体管TP的第二极与第一输出端Out1耦接。
其中，第一输入端IN1与反馈信号线40耦接，第一输出端Out1与第一运算放大器212耦接。
第一电压端VSS的电压和第二电压端VDD的电压为反相器211的工作电压。在反相器211工作时，第一电压端VSS的电压为直流低电平，可以作为电源的负极，第二电压端VDD的电压为直流高电平，可以作为电源的正极。
在此情况下，当反馈信号线40传输的监测得到的公共电压信号的电压使得N型晶体管TN导通时，P型晶体管TP截止，该公共电压信号为高电平信号，N型晶体管TN将在第一电压端VSS处接收的第一电压信号传输至第一输出端Out1，第一输出端Out1的信号为低电平信号，实现对该公共电压信号的反相。同样的，当反馈信号线40传输的监测得到的公共电压信号的电压使得P型晶体管TP导通时，N型晶体管TN导通截止，该公共电压信号为低电平信号，P型晶体管TP将在第二电压端VDD处接收的第二电压信号传输至第一输出端Out1，第一输出端Out1的信号为高电平信号，实现对该公共电压信号的反相。
示例性地，如图16所示，第一运算放大器212包括：第一放大器OP1、第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3。
第一放大器OP1的正输入端与第三电阻R3的第二端耦接，第一放大器OP1的负输入端与第一电阻R1的第一端和第二电阻R2的第一端耦接，第一放大器OP1的输出端与第一补偿公共电压信号输出端Outf1耦接。
第一电阻R1的第二端接地。
第二电阻R2的第二端与第一补偿公共电压信号输出端Outf1耦接。
第三电阻R3的第一端与第二输入端IN2耦接。
其中，第二输入端IN2与反相器211的第一输出端Out1耦接，第一补偿公共电压信号输出端Outf1与第一公共信号线20耦接。
第三电阻R3为平衡电阻，R3＝R1//R2，可以避免第一运算放大器212的输入偏置电流对输出的影响。
可以理解的是，在第二输入端IN2处接收的信号VIN2为反相器211反相的信号，该反相的信号为反相的监测得到的公共电压信号。在此情况下，第一运算放大器212生成的第一补偿公共电压信号Vf1＝(1+R2/R1)VIN2，第一运算放大器212的放大倍数为(1+R2/R1)。
需要说明的是，本领域技术人员可以根据实际情况(例如不同分辨率等)，对第一运算放大器212的放大倍数进行设定，并根据所需的放大倍数选择合适电阻值的第一电阻R1和第二电阻R2。
在一些实施例中，如图17所示，在阵列基板100还包括第二公共电极线50的情况下，控制电路210还包括：第二运算放大器213。
第二运算放大器213与反相器211和第二公共信号线50耦接。第二运算放大器213被配置为，将来自反相器211反相的信号进行放大，生成第二补偿公共电压信号，并将第二补偿公共电压信号传输至第二公共信号线50。
其中，第二运算放大器213的放大倍数小于第一运算放大器212的放大倍数。
在此基础上，反馈信号线40传输的监测得到的公共电压信号(即公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号)，该监测得到的公共电压信号出现失真，发生电位漂移，由于公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号的延迟程度，小于公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号的延迟程度，因此，反相的信号通过第二运算放大器213放大后，生成的第二补偿公共电压信号可以补偿失真的公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号，从而避免公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号的延迟。
示例性地，如图18所示，第二运算放大器213包括：第二放大器OP2、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6。
第二放大器OP2的正输入端与第六电阻R6的第二端耦接，第二放大器OP2的负输入端与第四电阻R4的第一端和第五电阻R5的第一端耦接，第二放大器OP2的输出端与第二补偿公共电压信号输出端Outf2耦接。
第四电阻R4的第二端接地。
第五电阻R5的第二端与第二补偿公共电压信号输出端Outf2耦接。
第六电阻R6的第一端与第二输入端IN2耦接。其中，第二补偿公共电压信号输出端Outf2与第二公共信号线50耦接。
第六电阻R6为平衡电阻，R6＝R4//R5，可以避免第二运算放大器213的输入偏置电流对输出的影响。
在此情况下，第二运算放大器213生成的第二补偿公共电压信号Vf2＝(1+R5/R4)VIN2，第二运算放大器213的放大倍数为(1+R5/R4)。
需要说明的是，本领域技术人员可以根据实际情况(例如不同分辨率等)，对第二运算放大器213的放大倍数进行设定，并根据所需的放大倍数选择合适电阻值的第四电阻R4和第五电阻R5。
在一些实施例中，如图19所示，在阵列基板100还包括第三公共电极线60的情况下，控制电路210还包括：第三运算放大器214。
第三运算放大器214与反相器211和第三公共信号线60耦接。第三运算放大器214被配置为，将来自反相器211反相的信号进行放大，生成第三补偿公共电压信号，并将第三补偿公共电压信号传输至第三公共信号线60。
其中，第三运算放大器214的放大倍数小于第一运算放大器212的放大倍数。
在控制电路210还包括第二运算放大器213的情况下，第三运算放大器214的放大倍数大于第二运算放大器213的放大倍数。
在此基础上，反馈信号线40传输的监测得到的公共电压信号(即公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号)，该监测得到的公共电压信号出现失真，发生电位漂移，由于公共电极20中位于中部区域M的部分的公共电压信号的延迟程度，小于公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号的延迟程度，大于公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号的延迟程度，因此，反相的信号通过第三运算放大器214放大后，生成的第三补偿公共电压信号可以补偿失真的公共电极20中位于中部区域M的部分的公共电压信号，从而避免公共电极20中位于中部区域M的部分的公共电压信号的延迟。
示例性地，如图20所示，第三运算放大器214包括：第三放大器OP3、第七电阻R7、第八电阻R8和第九电阻R9。
第三放大器OP3的正输入端与第九电阻R9的第二端耦接，第三放大器OP3的负输入端与第七电阻R7的第一端和第八电阻R8的第二端耦接，第三放大器OP3的输出端与第三补偿公共电压信号输出端Outf3耦接。
第七电阻R7的第二端接地。
第八电阻R8的第二端与第三补偿公共电压信号输出端Outf3耦接。
第九电阻R9的第一端与第二输入端IN2耦接。
其中，第三补偿公共电压信号输出端Outf3与第三公共信号线60耦接。
第九电阻R9为平衡电阻，R9＝R7//R8，可以避免第三运算放大器214的输入偏置电流对输出的影响。
在此情况下，第三运算放大器214生成的三补偿公共电压信号Vf3＝(1+R8/R7)VIN2，第三运算放大器214的放大倍数为(1+R8/R7)。
需要说明的是，不同显示装置中的第一运算放大器212、第二运算放大器213和第三运算放大器214的放大倍数之间的关系均不同。可以根据显示装置的实际情况，例如分辨率和像素结构等因素，确定第一运算放大器212的放大倍数、第二运算放大器213的放大倍数和第三运算放大器214的放大倍数的取值范围，并通过在显示装置出厂前多次实验测试，提前设定第一运算放大器212中的第一电阻R1和第二电阻R2、第二运算放大器213中的第四电阻R4和第五电阻R5、以及第三运算放大器214中的第七电阻R7和第八电阻R8的电阻值。
此外，上述显示装置300可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(PDA)、手持式或便携式计算机、GPS接收器/导航器、相机、MP4视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
在上述的基础上，本公开的实施例还提供一种如上述的任一实施例中的显示装置300的控制方法，包括：
反馈信号线40监测公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板200中的控制电路210。
控制电路210根据反馈信号线40监测得到的公共电压信号，生成第一补偿公共电压信号，并传输至第一公共信号线30，以对公共电极20中位于远端区域F的部分的公共电压信号进行补偿。
在一些实施例中，显示装置300的控制方法，还包括：
控制电路210根据反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第二补偿公共电压信号，并传输至第二公共信号线50，以对公共电极20中位于近端区域N的部分的公共电压信号进行补偿。
在一些实施例中，显示装置300的控制方法，还包括：
控制电路210根据反馈信号线40监测得到的公共电压信号，生成第三补偿公共电压信号，并传输至第三公共信号线60，以对公共电极20中位于中端区域M的部分的公共电压信号进行补偿。
本公开实施例提供的上述显示装置300的控制方法所能达到的有益效果与上述显示装置300所能达到的有益效果相同，此处不再赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区和位于所述显示区一侧的绑定区，所述显示区包括远离所述绑定区的远端区域；
所述阵列基板包括：
衬底；
设置于所述衬底上且位于所述显示区的公共电极；
设置于所述衬底上的第一公共信号线和反馈信号线；所述第一公共信号线和所述反馈信号线与所述公共电极中位于所述远端区域的部分耦接，所述第一公共信号线和所述反馈信号线延伸至所述绑定区以与电路板耦接；
其中，所述反馈信号线被配置为，监测所述公共电极中位于所述远端区域的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至所述电路板；
所述第一公共信号线被配置为，将补偿后的公共电压信号传输至所述公共电极中位于所述远端区域的部分；所述补偿后的公共电压信号为所述电路板根据所述监测得到的公共电压信号，对公共电压信号进行补偿得到的信号。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括两条所述反馈信号线，两条所述反馈信号线分别设置于所述显示区的相对的两侧。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括两条所述第一公共信号线，两条所述第一公共信号线分别设置于所述显示区的相对的两侧；
所述第一公共信号线与所述公共电极耦接的位置，位于所述公共电极远离所述绑定区的一侧。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括靠近所述绑定区的近端区域；
所述阵列基板还包括：
设置于所述衬底上的第二公共信号线，所述第二公共信号线与所述公共电极中位于所述近端区域的部分耦接，所述第二公共信号线延伸至所述绑定区以与所述电路板耦接；
所述第二公共信号线被配置为，将公共电压信号或补偿后的公共电压信号传输至所述公共电极中位于所述近端区域的部分。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括两条所述第二公共信号线，两条所述第二公共信号线分别设置于所述近端区域靠近所述绑定区的一侧的相对的两端。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述显示区还包括位于远端区域和近端区域之间的中部区域；
所述阵列基板还包括：
设置于所述衬底上的第三公共信号线，所述第三公共信号线延伸至所述绑定区以与所述电路板耦接；
所述第三公共信号线与所述公共电极中位于所述中部区域的部分耦接；
所述第三公共信号线被配置为，将补偿后的公共电压信号传输至所述公共电极中位于所述中部区域的部分。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括两条所述第三公共信号线，两条所述第三公共信号线分别设置于所述显示区的相对的两侧。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反馈信号线与所述第一公共信号线材料相同且同层设置。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
连接引线，所述连接引线设置于所述显示区的远端区域的外侧，所述第一公共信号线及所述反馈信号线与所述连接引线耦接；
导电框，所述导电框围绕所述显示区，所述连接引线及所述公共电极中位于所述远端区域的部分与所述导电框耦接，以使所述第一公共信号线通过所述连接引线及所述导电框与所述公共电极中位于所述远端区域的部分耦接，所述反馈信号线通过所述导电框与所述公共电极中位于所述远端区域的部分耦接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共信号线、所述连接引线和所述导电框的材料相同且同层设置。
11.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板还包括第二公共信号线和第三公共信号线的情况下，
所述第一公共信号线的电阻、所述第二公共信号线的电阻和所述第三公共信号线的电阻均小于或等于300Ω；
所述反馈信号线的电阻小于或等于1000Ω。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
设置于所述衬底上的数据线，在垂直于所述衬底的方向上，所述数据线相对于所述公共电极更靠近所述衬底；
所述数据线与所述公共电极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有多个亚像素区域；
所述公共电极包括多个子电极和多个第一导电图案；
一个子电极至少位于一个亚像素区域内，相邻的子电极通过至少一个第一导电图案耦接。
14.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1～13中任一项所述的阵列基板；和
电路板，所述电路板通过所述阵列基板中的绑定区与所述阵列基板耦接；所述电路板包括控制电路，所述控制电路与所述阵列基板中的第一公共信号线和反馈信号线耦接；
所述控制电路被配置为，根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第一补偿公共电压信号，并传输至所述第一公共信号线。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述控制电路包括：
反相器，所述反相器与所述反馈信号线耦接；所述反相器被配置为，将所述反馈信号线传输的监测得到的公共电压信号进行反相；
第一运算放大器，所述第一运算放大器与所述反相器和所述第一公共信号线耦接；所述第一运算放大器被配置为，将来自所述反相器反相的信号进行放大，生成所述第一补偿公共电压信号，并将所述第一补偿公共电压信号传输至所述第一公共信号线。
16.根据权利要求14或15所述的显示装置，其特征在于，在所述阵列基板还包括第二公共电极线的情况下，所述控制电路还包括：
第二运算放大器，所述第二运算放大器与反相器和所述第二公共信号线耦接；所述第二运算放大器被配置为，将来自所述反相器反相的信号进行放大，生成第二补偿公共电压信号，并将所述第二补偿公共电压信号传输至所述第二公共信号线；
所述第二运算放大器的放大倍数小于第一运算放大器的放大倍数。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，在所述阵列基板还包括第三公共电极线的情况下，所述控制电路还包括：
第三运算放大器，所述第三运算放大器与反相器和所述第三公共信号线耦接；所述第三运算放大器被配置为，将来自所述反相器反相的信号进行放大，生成第三补偿公共电压信号，并将所述第三补偿公共电压信号传输至所述第三公共信号线；所述第三运算放大器的放大倍数小于所述第一运算放大器的放大倍数；
在所述控制电路还包括第二运算放大器的情况下，所述第三运算放大器的放大倍数大于所述第二运算放大器的放大倍数。
18.一种如权利要求14～17中任一项所述的显示装置的控制方法，其特征在于，包括：
反馈信号线监测公共电极中位于远端区域的部分的公共电压信号，并将监测得到的公共电压信号传输至电路板中的控制电路；
所述控制电路根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第一补偿公共电压信号，并传输至第一公共信号线，以对公共电极中位于所述远端区域的部分的公共电压信号进行补偿。
19.根据权利要求18所述的控制方法，其特征在于，还包括：
所述控制电路根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第二补偿公共电压信号，并传输至第二公共信号线，以对所述公共电极中位于近端区域的部分的公共电压信号进行补偿；和/或，
所述控制电路根据所述反馈信号线监测得到的公共电压信号，生成第三补偿公共电压信号，并传输至第三公共信号线，以对所述公共电极中位于中端区域的部分的公共电压信号进行补偿。
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