CN111295808B - 激光模块以及激光系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种激光模块，能够既抑制使从多个半导体激光元件出射的激光耦合至光纤时的激光的耦合损耗、又将从光纤输出的激光的亮度维持得高。激光模块(2)具备：光纤(20)；多个半导体激光元件(10A～10H)；聚光透镜(40)，将从半导体激光元件(10A～10H)出射的激光(70A～70H)聚光而耦合至光纤(20)；导线端子(53)，用于向半导体激光元件(10A～10D)供给第一驱动电流；以及导线端子(54)，用于向半导体激光元件(10E～10H)供给比第一驱动电流小的第二驱动电流。从半导体激光元件(10E～10H)的激光出射面至聚光透镜(40)的入射面(41)为止的光程比从半导体激光元件(10A～10D)的激光出射面至聚光透镜(40)的入射面(41)为止的光程长。

Description

激光模块以及激光系统
技术领域
本发明涉及激光模块以及激光系统，特别涉及将从多个半导体激光元件射出的激光聚光而输出的激光模块。
背景技术
以往，公知有一种将从多个半导体激光元件射出的激光聚光而能够输出高功率的激光的激光模块(例如参照专利文献1以及专利文献2)。图1是示意性地表示这样的现有的半导体激光模块的一个例子的局部剖面俯视图，图2是局部剖面主视图。在图1以及图2所示的半导体激光模块500中，在配置于壳体510的内部的阶梯状的台座520配置多个副支架530，并在各个副支架530上载置半导体激光元件540。
另外，与各个半导体激光元件540对应地设置有使从半导体激光元件540射出的激光成为平行光的快轴准直透镜550和慢轴准直透镜560、以及将透过了慢轴准直透镜560的激光的传播方向转换90度的反射镜570。从壳体510的外部向壳体510的内部导入有光纤580。在光纤580与反射镜570之间配置有聚光透镜590，如图2所示，通过该聚光透镜590将来自各个反射镜570的激光聚光而耦合于光纤580的端面。
如图1以及图2所示，从各个半导体激光元件540的激光出射面至到达聚光透镜590的入射面为止的光程在半导体激光元件540之间不同。在图示的例子中，从半导体激光元件540A的激光出射面至到达聚光透镜590的入射面为止的光程最短，从半导体激光元件540H的激光出射面至到达聚光透镜590的入射面为止的光程最长。
从半导体激光元件540出射的激光借助准直透镜550、560成为大致平行光，但透过了准直透镜550、560的激光不会成为完全的平行光，因像差等而具有少许的扩展角。因此，至聚光透镜590的入射面为止的激光的光程越长，则在进行传播的期间激光的宽度越宽，由聚光透镜590聚光至光纤580的入射端面时的聚光角度变得越大。如上述那样，在图示的例子中，由于来自半导体激光元件540H的激光的光程最长，所以从半导体激光元件540H出射的激光的聚光角度最大。
图3是示意性表示光纤580的入射端面处的来自各半导体激光元件540的激光542A～542H的聚光角度轮廓的图。在图3中，点O是与光纤580的光轴完全一致的点，越远离点O，则表示为激光的入射角度相对于光纤580的光轴倾斜得越大。图3的横向与慢轴方向对应，纵向与快轴对应。此外，由于图3表示了被聚光透镜590聚光后的激光的聚光角度轮廓，所以在图2中最高的位置入射至聚光透镜590的来自半导体激光元件540H的激光542H在图3中位于最下方，在图2中最低的位置入射至聚光透镜590的来自半导体激光元件540A的激光542A在图3中位于最上方。
由于从高输出的半导体激光元件出射的激光的慢轴方向分量是多模光，扩展角大，所以如图3所示，明显表现出对于上述的光程的依赖性。即，光程最长的激光542H的慢轴方向的扩展角大于光程最短的激光542A的扩展角。
通常，由于光纤的折射率分布为同心圆状，所以在图3中光纤的可受光的范围(NA)为圆形。这里，在以光程最短的激光542A为基准来设定光纤580的NA的情况下，光纤580的受光范围成为图3的范围R1，但光程较长的激光的一部分(激光542E、542F、542G、542H的一部分)无法耦合至光纤580而产生耦合损耗，导致激光模块的光输出被限制。
另一方面，在将光程最长的激光542H作为基准来设定光纤580的NA的情况下，光纤580的受光范围成为图3的范围R2。此时，虽然不产生耦合损耗，但范围R2内的激光的入射密度低，光相对于光纤580的填充密度变低。因此，导致从激光模块输出的激光的亮度变低。
在高输出光纤激光的激励用途中，一般利用合波器等使来自多个激光模块的输出光合波而使之进一步高输出化，但能够使光纤激光高输出化到何种程度由来自激光模块的输出光的亮度决定。由于来自激光模块的输出光的亮度与光纤的NA的平方成比例地变低，所以存在想要使光纤的NA尽量小这一迫切期望。
这样，在现有技术中，当将来自多个半导体激光元件的激光聚光时减少激光的耦合损耗与减小光纤的NA来输出高亮度的激光处于折衷的关系，难以兼顾。
专利文献1：日本特开2013－235943号公报
专利文献2：日本特开2014－126852号公报
发明内容
本发明是鉴于这样的现有技术的问题点而完成的，其第一目的在于，提供能够既抑制使从多个半导体激光元件出射的激光耦合至光纤时的激光的耦合损耗、又将从光纤输出的激光的亮度维持得高的激光模块。
另外，其第二目的在于，提供能够输出高亮度的激光的激光系统。
根据本发明的第一方式，提供一种能够既抑制使从多个半导体激光元件出射的激光耦合至光纤时的激光的耦合损耗、又将从光纤输出的激光的亮度维持得高的激光模块。该激光模块具备：光纤；多个半导体激光元件，至少包括第一半导体激光元件和第二半导体激光元件；聚光透镜，将从上述多个半导体激光元件出射的激光聚光而耦合至上述光纤；第一端子，用于向上述第一半导体激光元件供给第一驱动电流；以及第二端子，用于向上述第二半导体激光元件供给比上述第一驱动电流小的第二驱动电流。从上述第二半导体激光元件的激光出射面至上述聚光透镜的入射面为止的光程比从上述第一半导体激光元件的激光出射面至上述聚光透镜的入射面为止的光程长。
根据这样的结构，由于能够使从激光出射面至聚光透镜的入射面的激光的光程长的第二半导体激光元件的驱动电流小于光程短的第一半导体激光元件的驱动电流，所以与向第一半导体激光元件以及第二半导体激光元件供给相同的驱动电流的情况相比，能够抑制来自光程长而宽度容易变宽的第二半导体激光元件的激光的扩展。因此，容易使来自全部的半导体激光元件的激光入射至小的受光范围的内部。其结果是，由于能够减少激光的耦合损耗并且提高受光范围内的激光的入射密度，所以能够将输出的激光的亮度维持得高。
这里，从上述多个半导体激光元件的激光出射面至上述聚光透镜的入射面为止的光程中的、从上述第二半导体激光元件的激光出射面至上述聚光透镜的入射面为止的光程可以在该激光模块之中最长。在这种情况下，优选上述第二驱动电流在被供给至上述多个半导体激光元件的驱动电流之中最小。处于来自从激光出射面至聚光透镜的入射面为止的光程最长的半导体激光元件的激光的宽度最宽的趋势，但根据上述结构，能够有效地抑制来自这样的半导体激光元件的激光的扩展。
上述激光模块可以包括：第一激光元件组，由至少包括上述第一半导体激光元件的半导体激光元件构成；和第二激光元件组，由至少包括上述第二半导体激光元件的半导体激光元件构成。在这种情况下，优选从上述第一激光元件组的半导体激光元件入射至上述光纤的激光的入射角度的最大值和从上述第二激光元件组的半导体激光元件入射至上述光纤的激光的入射角度的最大值为上述光纤的最大受光角度以下。这样一来，能够使从第一激光元件组的半导体激光元件和第二激光元件组的半导体激光元件出射的全部的激光都入射至光纤的受光范围的内部，能够减少激光的耦合损耗。
另外，优选从上述第一激光元件组的半导体激光元件入射至上述光纤的激光的入射角度的最大值与从上述第二激光元件组的半导体激光元件入射至上述光纤的激光的入射角度的最大值相同。这样一来，能够使全部的激光高密度入射至从光纤的中心起为规定的半径的圆之中。
根据本发明的第二方式，提供一种能够输出高亮度的激光的激光系统。该激光系统具备：上述的激光模块；第一电流供给部，向上述激光模块的上述第一端子供给上述第一驱动电流；以及第二电流供给部，向上述激光模块的上述第二端子供给上述第二驱动电流。
根据这样的结构，能够既抑制在激光模块中使从多个半导体激光元件出射的激光耦合至光纤时的激光的耦合损耗、又将从光纤输出的激光的亮度维持得高，因而能够从激光系统输出高亮度的激光。
另外，上述激光系统可以除了具备上述激光模块之外还具备上述的激光模块作为追加激光模块。在这种情况下，上述第一电流供给部向上述激光模块的上述第一端子和上述追加激光模块的上述第一端子供给上述第一驱动电流，上述第二电流供给部向上述激光模块的上述第二端子和上述追加激光模块的上述第二端子供给上述第二驱动电流。
根据这样的结构，通过将从上述的激光模块输出的激光与从追加激光模块输出的激光合波，能够获得更高功率的激光。
根据本发明，能够既抑制使从多个半导体激光元件出射的激光耦合至光纤时的激光的耦合损耗、又将从光纤输出的激光的亮度维持得高。
附图说明
图1是示意性表示现有的激光模块的局部剖面俯视图。
图2是示意性表示图1的激光模块的局部剖面主视图。
图3是示意性表示图1的激光模块中的光纤的入射端面处的来自各半导体激光元件的激光的聚光角度轮廓的图。
图4是示意性表示本发明的第一实施方式中的激光系统的局部剖面俯视图。
图5是示意性表示图4的激光系统中的激光模块的局部剖面主视图。
图6是示意性表示图5的半导体激光模块中的光纤的入射端面处的来自各半导体激光元件的激光的聚光角度轮廓的图。
图7是示意性表示本发明的第二实施方式中的激光系统的图。
具体实施方式
以下，参照图4～图7对本发明所涉及的激光系统的实施方式详细进行说明。其中，在图4～图7中，对相同或者相当的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。另外，在图4～图7中，存在各构成要素的比例尺、尺寸被夸大示出的情况或省略一部分构成要素的情况。
图4是示意性表示本发明的第一实施方式中的激光系统1的局部剖面俯视图。该激光系统1包括：激光模块2，包括多个半导体激光元件10A～10H和光纤20；第一电流供给驱动器(第一电流供给部)3，向激光模块2的半导体激光元件10A～10D供给驱动电流；以及第二电流供给驱动器(第二电流供给部)4，向激光模块2的半导体激光元件10E～10H供给驱动电流。
图5是示意性表示激光模块2的局部剖面主视图。如图4以及图5所示，激光模块2包括：壳体30；阶梯状的台座32，配置于壳体30的内部；光纤支架34，用于固定光纤20；以及圆筒状的光纤保持部36，用于保持光纤20并且将其导入至壳体30的内部。光纤20通过粘接材料33等被固定于光纤支架34上。此外，在壳体30的上部配置有未图示的盖体，通过该盖体来密封壳体的内部空间。
在台座32的各个台阶部32A～32H配置有副支架11，在各个副支架11上载置有半导体激光元件10A～10H。另外，在各个台阶部32A～32H，与半导体激光元件10A～10H对应地配置有：快轴准直透镜12，使从半导体激光元件出射的激光关于快轴方向成为平行光；慢轴准直透镜14，使透过了快轴准直透镜12的激光关于慢轴方向成为平行光；以及反射镜16，将透过了慢轴准直透镜14的光的传播方向转换90度。另外，在沿壳体30的内部延伸的光纤20的端面与反射镜16之间配置有聚光透镜40，该聚光透镜40将由反射镜16反射的激光聚光并耦合至光纤20的端面。
返回到图4，在激光模块2以贯通壳体30的侧壁的方式设置有用于向半导体激光元件10A～10H供给驱动电流的2组导线端子53、54。在一组导线端子(第一端子)53之间通过金属线63串联连接有4个半导体激光元件10A、10B、10C、10D。这些导线端子53通过配线81与第一电流供给驱动器3连接，第一电流供给驱动器3向导线端子53供给驱动电流来驱动半导体激光元件10A、10B、10C、10D。另外，在另一组导线端子(第二端子)54之间通过金属线64串联连接有4个半导体激光元件10E、10F、10G、10H。这些导线端子54通过配线82与第二电流供给驱动器4连接，第二电流供给驱动器4向导线端子54供给驱动电流来驱动半导体激光元件10E、10F、10G、10H。
在这样的结构中，若通过各个电流供给驱动器3、4向半导体激光元件10A～10H供给驱动电流，则从半导体激光元件10A～10H朝向+Y方向出射激光。该激光在透过快轴准直透镜12以及慢轴准直透镜14成为大致平行光之后，被反射镜16向－X方向转换90度方向。此时，如图5所示，由于台座32的台阶部32A～32H的(Z方向的)高度不同，所以被反射镜16转换过方向的激光以不同的高度相互平行地向－Z方向传播。而且，这些激光被聚光透镜40聚光而耦合至光纤20的端面。
在本实施方式中，由于配置有半导体激光元件10A～10H的台座32的台阶部32A～32H的X方向的位置不同，所以从各个半导体激光元件10A～10H的激光出射面至到达聚光透镜40的入射面41为止的光程在半导体激光元件10A～10H之间不同。在图5所示的例子中，从半导体激光元件10A的激光出射面至聚光透镜40的入射面41的激光70A的光程最短，从半导体激光元件10H的激光出射面至聚光透镜40的入射面41的激光70H的光程最长。
如上所述，由于直至到达聚光透镜40的入射面为止的激光的光程越长，则在进行传播的期间激光的宽度越宽，所以在图1以及图2所示的现有的结构中存在激光的耦合损耗的减少与高亮度激光的输出难以兼顾这一问题。在本实施方式中，通过使向从半导体激光元件的激光出射面至聚光透镜40的入射面41为止的光程相对长的半导体激光元件供给的电流小于向光程相对短的半导体激光元件供给的电流，来实现激光的耦合损耗的减少与高亮度激光的输出的兼顾。以下，对该点详细进行说明。
一般公知有若增大向半导体激光元件供给的驱动电流则出射的激光的慢轴方向的扩展角因热透镜效应而变大这一性质。因此，随着向半导体激光元件供给的驱动电流变小，从半导体激光元件出射的激光的扩展角变小。在本实施方式中，使用这样的半导体激光元件的性质，来实现激光的耦合损耗的减少与高亮度激光的输出的兼顾。
具体而言，根据从半导体激光元件的激光出射面至到达聚光透镜40的入射面41为止的光程来将半导体激光元件10A～10H分成多个组(激光元件组)，改变向各个组的半导体激光元件供给的驱动电流的大小。在本实施方式中，将半导体激光元件10A～10H分成直至到达聚光透镜40的入射面41为止的光程较短的半导体激光元件10A、10B、10C、10D(组G1)与直至到达聚光透镜40的入射面41为止的光程较长的半导体激光元件10E、10F、10G、10H(组G2)。经由配线81以及导线端子53对该组G1连接第一电流供给驱动器3，经由配线82以及导线端子54对组G2连接第二电流供给驱动器4。在组G1内，半导体激光元件10A、10B、10C、10D串联连接，在组G2内，半导体激光元件10E、10F、10G、10H串联连接。
这里，第二电流供给驱动器4构成为向组G2供给比由第一电流供给驱动器3对组G1供给的驱动电流(第一驱动电流)小的驱动电流(第二驱动电流)。这样一来，能够使从组G2的半导体激光元件10E、10F、10G、10H出射的激光的扩展角比从组G1的半导体激光元件10A、10B、10C、10D出射的激光相对小。
图6是示意性表示本实施方式中的光纤20的入射端面处的来自各半导体激光元件10A～10H的激光70A～70H的聚光角度轮廓的图。与图3同样，图6的点O是与光纤20的光轴完全一致的点。在图6的轮廓中，从点O起的距离表示激光相对于光纤20的入射角。在图6中，图5中在最高的位置入射至聚光透镜40的来自半导体激光元件10H的激光70H在图6中也位于最下方，图5中在最低的位置入射至聚光透镜40的来自半导体激光元件10A的激光70A在图6中也位于最上方。
通过如上述那样使向组G2的半导体激光元件10E、10F、10G、10H供给的驱动电流小于向组G1的半导体激光元件10A、10B、10C、10D供给的驱动电流，如图6所示，与图3相比能够抑制从半导体激光元件10E、10F、10G、10H出射的激光70E、70F、70G、70H的慢轴方向的扩展。在图3所示的现有的例子中，激光542E、542F、542G、542H的一部分入射至受光范围R1的外侧而产生耦合损耗，但在图6所示的例子中，能够使包括激光70E、70F、70G、70H在内将全部的激光70A～70H入射至受光范围R1的内部。即，以从组G1的半导体激光元件10A、10B、10C、10D出射并入射至光纤20的激光70A、70B、70C、70D的入射角度的最大值和从组G2的半导体激光元件10E、10F、10G、10H出射并入射至光纤20的激光70E、70F、70G、70H的入射角度的最大值成为光纤20的最大受光角度(NA)以下的方式(以在图6的轮廓中激光70A、70B、70C、70D各自的区域中的位于距点O最远的部分和激光70E、70F、70G、70H各自的区域中的位于距点O最远的部分位于光纤20的受光范围R1的内部的方式)，使由第二电流供给驱动器4向组G2供给的驱动电流小于由第一电流供给驱动器3向组G1供给的驱动电流。
这样一来，由于能够使从组G1以及组G2的半导体激光元件10A～10H出射的全部的激光70A～70H都入射至光纤20的受光范围R1的内部，所以能够减少激光的耦合损耗。另外，由于能够使全部的激光70A～70H入射至比受光范围R2(参照图3)小的受光范围R1的内部，所以能够提高受光范围R1内的激光的入射密度，能够将输出的激光的亮度维持得高。
另外，在这种情况下，优选从组G1的半导体激光元件10A、10B、10C、10D出射并入射至光纤20的激光70A、70B、70C、70D的入射角度的最大值与从组G2的半导体激光元件10E、10F、10G、10H出射并入射至光纤20的激光70E、70F、70G、70H的入射角度的最大值相同。换言之，优选在图6的轮廓中激光70A、70B、70C、70D各自的区域中的位于距点O最远的部分和激光70E、70F、70G、70H各自的区域中的位于距点O最远的部分位于以点O为中心的同一圆上。这样一来，能够使全部的激光70A～70H高密度入射至以点O为中心的规定的半径的圆之中。
图7是示意性表示本发明的第二实施方式中的激光系统101的图。本实施方式的激光系统101除了具备上述的第一实施方式中的激光模块2之外，还具备与激光模块2相同的结构的激光模块(追加激光模块)2’、2”。激光模块2’、2”的内部的结构与激光模块2相同，因而省略说明。
与激光模块2同样，在激光模块2’的导线端子53’之间串联连接组G1(参照图4)的半导体激光元件，在激光模块2”的导线端子53”之间串联连接组G1的半导体激光元件。激光模块2的导线端子53、激光模块2’的导线端子53’以及激光模块2”的导线端子53”以激光模块2的组G1的半导体激光元件、激光模块2’的组G1的半导体激光元件以及激光模块2”的组G1的半导体激光元件串联连接的方式通过配线181、182、183与上述的第一电流供给驱动器3连接。
同样，在激光模块2’的导线端子54’之间串联连接组G2(参照图4)的半导体激光元件，在激光模块2”的导线端子54”之间串联连接组G2的半导体激光元件。激光模块2的导线端子54、激光模块2’的导线端子54’以及激光模块2”的导线端子54”以激光模块2的组G2的半导体激光元件、激光模块2’的组G2的半导体激光元件以及激光模块2”的组G2的半导体激光元件串联连接的方式通过配线184、185、186与上述的第二电流供给驱动器4连接。
这样，第一电流供给驱动器3向激光模块2、2’、2”的导线端子53、53’、53”供给驱动电流来驱动这些激光模块内的组G1的半导体激光元件。另外，第二电流供给驱动器4向激光模块2、2’、2”的导线端子54、54’、54”供给驱动电流来驱动这些激光模块内的组G2的半导体激光元件。
这里，与第一实施方式同样，第二电流供给驱动器4构成为向组G2供给比由第一电流供给驱动器3对组G1供给的驱动电流(第一驱动电流)小的驱动电流(第二驱动电流)。这样一来，在激光模块2、2’、2”各自中，能够使从组G2的半导体激光元件出射的激光的扩展角比从组G1的半导体激光元件出射的激光相对小，能够兼顾激光的耦合损耗的减少与高亮度激光的输出。并且，在本实施方式中，通过利用未图示的合波器等将从多个激光模块2、2’、2”的光纤20、20’、20”输出的激光合波，能够输出更高功率的激光。
在上述的实施方式中，对在激光模块2内配置了8个半导体激光元件10A～10H的例子进行了说明，但半导体激光元件的数量并不局限于此。另外，对将激光模块2内的半导体激光元件10A～10H根据光程分成两个组的例子进行了说明，但也可以将激光模块内的半导体激光元件分成3个以上的组。此时，设置与各组对应的电流供给驱动器(电流供给部)，按每个组供给不同的电流。另外，在这种情况下，只要一个组所包括的半导体激光元件的数量为1以上即可，不特别限定。
另外，供给比其他半导体激光元件低的驱动电流的半导体激光元件(第二半导体激光元件)可以是激光模块中的多个半导体激光元件中的任意半导体激光元件，但由于处于来自从激光出射面至聚光透镜的入射面为止的光程最长的半导体激光元件的激光的宽度最宽的趋势，所以希望使向从激光出射面至聚光透镜的入射面为止的光程最长的半导体激光元件供给的驱动电流比向其他半导体激光元件供给的驱动电流低，优选在激光模块内最低。这样一来，能够有效地抑制来自处于激光的宽度最宽的趋势的半导体激光元件的激光的扩展。
另外，在上述的实施方式中，通过使用阶梯状的台座32来使来自多个半导体激光元件的激光在多个路径传播，但来自多个半导体激光元件的激光的传播方式并不局限于此。例如，在采用上述的专利文献2的图1、图11中公开那样的各种传播方式的激光模块中当然也能够应用本发明。
至此为止对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，在其技术思想的范围内当然可以以各种不同的方式实施。
本申请基于2017年12月22日提出的日本国专利申请特愿2017－246939号主张该申请的优先权。通过参照该申请的公开而将其整体引入至本说明书。
工业上的可利用性
本发明能够在将从多个半导体激光元件出射的激光聚光并输出的激光模块中适当地使用。
附图标记说明：
1…激光系统；2…激光模块；3…第一电流供给驱动器；4…第二电流供给驱动器；10A～10H…半导体激光元件；11…副支架；12…快轴准直透镜；14…慢轴准直透镜；16…反射镜；20…光纤；30…壳体；32…台座；32A～32H…台阶部；40…聚光透镜；41…入射面；53…导线端子；54…导线端子；63、64…金属线；70A～70H…激光；81、82…配线；101…激光系统；181～186…配线。

Claims (7)

1.一种激光模块，其特征在于，具备：
光纤；
多个半导体激光元件，至少包括第一半导体激光元件和第二半导体激光元件；
聚光透镜，将从所述多个半导体激光元件出射的激光聚光而耦合至所述光纤；
第一端子对，用于向所述第一半导体激光元件供给第一驱动电流；以及
第二端子对，用于向所述第二半导体激光元件供给比所述第一驱动电流小的第二驱动电流，
所述第二半导体激光元件设置有多个，多个所述第二半导体激光元件串联电连接在所述第二端子对之间，
从多个所述第二半导体激光元件每个的激光出射面至所述聚光透镜的入射面为止的光程比从所述第一半导体激光元件的激光出射面至所述聚光透镜的入射面为止的光程长。
2.根据权利要求1所述的激光模块，其特征在于，
从所述多个半导体激光元件的激光出射面至所述聚光透镜的入射面为止的光程中的、从多个所述第二半导体激光元件的一个的激光出射面至所述聚光透镜的入射面为止的光程在该激光模块之中最长。
3.根据权利要求2所述的激光模块，其特征在于，
所述第二驱动电流在被供给至所述多个半导体激光元件的驱动电流之中最小。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的激光模块，其特征在于，包括：
第一激光元件组，由至少包括所述第一半导体激光元件的半导体激光元件构成；和
第二激光元件组，由至少包括多个所述第二半导体激光元件的半导体激光元件构成，
从所述第一激光元件组的半导体激光元件入射至所述光纤的激光的入射角度的最大值和从所述第二激光元件组的半导体激光元件入射至所述光纤的激光的入射角度的最大值为所述光纤的最大受光角度以下。
5.根据权利要求4所述的激光模块，其特征在于，
从所述第一激光元件组的半导体激光元件入射至所述光纤的激光的入射角度的最大值与从所述第二激光元件组的半导体激光元件入射至所述光纤的激光的入射角度的最大值相同。
6.一种激光系统，其特征在于，具备：
权利要求1～5中任一项所述的激光模块；
第一电流供给部，向所述激光模块的所述第一端子对供给所述第一驱动电流；以及
第二电流供给部，向所述激光模块的所述第二端子对供给所述第二驱动电流。
7.根据权利要求6所述的激光系统，其特征在于，
除了具备所述激光模块之外还具备权利要求1～5中任一项所述的激光模块作为追加激光模块，
所述第一电流供给部向所述激光模块的所述第一端子对和所述追加激光模块的所述第一端子对供给所述第一驱动电流，
所述第二电流供给部向所述激光模块的所述第二端子对和所述追加激光模块的所述第二端子对供给所述第二驱动电流。
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